JP2001187158A - レーザ光照射プローブ - Google Patents
レーザ光照射プローブInfo
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- JP2001187158A JP2001187158A JP37398599A JP37398599A JP2001187158A JP 2001187158 A JP2001187158 A JP 2001187158A JP 37398599 A JP37398599 A JP 37398599A JP 37398599 A JP37398599 A JP 37398599A JP 2001187158 A JP2001187158 A JP 2001187158A
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- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レーザ光の照射面積を広げてトリートメントの
効率を高めると共に、エネルギー密度のむらをなくして
皮膚に均一に作用させる。 【解決手段】ヘッド部１の先端を開口して周縁に筒状の
ロッド受け１１を突設し、ロッド受け１１の下方にエア
の吹き出し口１２を穿設する。ロッド受け１１は、レー
ザ透過部としての光拡散ロッド１３を挿嵌する。ヘッド
部１の内側は、光拡散ロッド１３の入射端ａに接近させ
て半導体レーザダイオード１４の発光面を臨ませ、半導
体レーザダイオード１４の外周にヒートシンク１５を取
り付ける。
効率を高めると共に、エネルギー密度のむらをなくして
皮膚に均一に作用させる。 【解決手段】ヘッド部１の先端を開口して周縁に筒状の
ロッド受け１１を突設し、ロッド受け１１の下方にエア
の吹き出し口１２を穿設する。ロッド受け１１は、レー
ザ透過部としての光拡散ロッド１３を挿嵌する。ヘッド
部１の内側は、光拡散ロッド１３の入射端ａに接近させ
て半導体レーザダイオード１４の発光面を臨ませ、半導
体レーザダイオード１４の外周にヒートシンク１５を取
り付ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザダイ
オードのレーザ光を皮膚面に照射して美肌、脱毛などの
トリートメントを行うレーザ光照射プローブに関する。
オードのレーザ光を皮膚面に照射して美肌、脱毛などの
トリートメントを行うレーザ光照射プローブに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】脱毛クリームで毛を除
去した後の皮膚にレーザ光を照射すると、レーザ光が表
皮内メラニンに吸収されて発熱し、皮膚組織にたんぱく
変性が起こる。これにより、皮脂腺や毛乳頭部がダメー
ジを受け、毛包の組織が硬くなって毛の発育が抑制され
る脱毛効果を発揮する。
去した後の皮膚にレーザ光を照射すると、レーザ光が表
皮内メラニンに吸収されて発熱し、皮膚組織にたんぱく
変性が起こる。これにより、皮脂腺や毛乳頭部がダメー
ジを受け、毛包の組織が硬くなって毛の発育が抑制され
る脱毛効果を発揮する。
【０００３】あるいは、シミ・ソバカスなど皮膚の表皮
や真皮に散在する異常な色素細胞にレーザ光を照射する
と、これらの色素細胞が発熱して細かい粒子に分散す
る。分散した異常色素細胞は表面に浮き上がったり、老
廃物となって血管やリンパ管に吸収されて消滅し、正常
な色の皮膚が蘇る美肌効果を発揮する。
や真皮に散在する異常な色素細胞にレーザ光を照射する
と、これらの色素細胞が発熱して細かい粒子に分散す
る。分散した異常色素細胞は表面に浮き上がったり、老
廃物となって血管やリンパ管に吸収されて消滅し、正常
な色の皮膚が蘇る美肌効果を発揮する。
【０００４】このようにレーザ光を照射して脱毛や美肌
などのトリートメントを行う場合、ムダ毛やシミ・ソバ
カスなど皮膚の広い範囲にまんべんなくレーザ光を照射
する必要がある。
などのトリートメントを行う場合、ムダ毛やシミ・ソバ
カスなど皮膚の広い範囲にまんべんなくレーザ光を照射
する必要がある。
【０００５】ところが、これらのトリートメントに使用
する半導体レーザは、発光部断面積が数μｍ〜数十μｍ
と非常に小さいのでＨｅ−Ｎｅレーザなどのように高指
向性を持つ平行な細い直線ビームにはならず、１°〜４
５°の角度で広がる。そこで、パワー密度を集中させる
ために投光レンズで集光することが行われているが、そ
のようにすると焦点付近おけるビーム径は１〜２ｍｍと
かなり細くなる。このため、１本のビームで皮膚の広い
範囲にわたってまんべんなくレーザ光を照射しようとす
ると、ビーム径が小さいので手間と時間がかかり、根気
を要する面倒な作業になる。
する半導体レーザは、発光部断面積が数μｍ〜数十μｍ
と非常に小さいのでＨｅ−Ｎｅレーザなどのように高指
向性を持つ平行な細い直線ビームにはならず、１°〜４
５°の角度で広がる。そこで、パワー密度を集中させる
ために投光レンズで集光することが行われているが、そ
のようにすると焦点付近おけるビーム径は１〜２ｍｍと
かなり細くなる。このため、１本のビームで皮膚の広い
範囲にわたってまんべんなくレーザ光を照射しようとす
ると、ビーム径が小さいので手間と時間がかかり、根気
を要する面倒な作業になる。
【０００６】また、投光レンズで集光したレーザ光を皮
膚に照射すると、焦点とそれ以外の部分でエネルギー密
度にむらができ、焦点付近では光パワーが集中してまわ
りの正常細胞に光熱反応によって軽い火傷が起きたり、
痛みを感じる。このため、火傷や痛みによる恐怖感や不
安感が先にたち、レーザ光を長時間照射して皮膚に十分
な光熱反応を起こすことができず、トリートメントを有
効に行うことが困難になる。
膚に照射すると、焦点とそれ以外の部分でエネルギー密
度にむらができ、焦点付近では光パワーが集中してまわ
りの正常細胞に光熱反応によって軽い火傷が起きたり、
痛みを感じる。このため、火傷や痛みによる恐怖感や不
安感が先にたち、レーザ光を長時間照射して皮膚に十分
な光熱反応を起こすことができず、トリートメントを有
効に行うことが困難になる。
【０００７】そこで本発明は、レーザ光の照射面積を広
げてトリートメントの効率を高めると共に、エネルギー
密度のむらをなくして皮膚に均一に作用させることによ
り、火傷や痛みを感じることのないようにすることを目
的になされたものである。
げてトリートメントの効率を高めると共に、エネルギー
密度のむらをなくして皮膚に均一に作用させることによ
り、火傷や痛みを感じることのないようにすることを目
的になされたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は以下のように構成した。
めに、本発明は以下のように構成した。
【０００９】すなわち、請求項１の発明は、ヘッド部に
透明な誘電体より成るレーザ透過部を設置して、その相
対する端面の一方を入射端とし、半導体レーザダイオー
ドの発光面を前記入射端に臨ませ、入射端に相対するレ
ーザ透過部の出射端をヘッド部より露出して皮膚に接触
できるようにして成るレーザ光照射プローブである。請
求項２の発明は、前記レーザ透過部にタッチセンサを連
動し、このタッチセンサの出力信号に基づいて前記半導
体レーザダイオードをオン・オフさせて成る請求項１記
載のレーザ光照射プローブである。請求項３の発明は、
前記レーザ透過部を交換可能に設置して成る請求項１記
載のレーザ光照射プローブである。請求項４の発明は、
前記出射端の端面を平坦にして成る請求項１記載のレー
ザ光照射プローブである。請求項５の発明は、前記出射
端の端面を凸面にして成る請求項１記載のレーザ光照射
プローブである。請求項６の発明は、前記ヘッド部にエ
アの吹き出し口を備えて成る請求項１記載のレーザ光照
射プローブである。
透明な誘電体より成るレーザ透過部を設置して、その相
対する端面の一方を入射端とし、半導体レーザダイオー
ドの発光面を前記入射端に臨ませ、入射端に相対するレ
ーザ透過部の出射端をヘッド部より露出して皮膚に接触
できるようにして成るレーザ光照射プローブである。請
求項２の発明は、前記レーザ透過部にタッチセンサを連
動し、このタッチセンサの出力信号に基づいて前記半導
体レーザダイオードをオン・オフさせて成る請求項１記
載のレーザ光照射プローブである。請求項３の発明は、
前記レーザ透過部を交換可能に設置して成る請求項１記
載のレーザ光照射プローブである。請求項４の発明は、
前記出射端の端面を平坦にして成る請求項１記載のレー
ザ光照射プローブである。請求項５の発明は、前記出射
端の端面を凸面にして成る請求項１記載のレーザ光照射
プローブである。請求項６の発明は、前記ヘッド部にエ
アの吹き出し口を備えて成る請求項１記載のレーザ光照
射プローブである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１１】図１と図２に、本発明を実施したレーザ光
照射プローブの正面図と一部を切り欠いた側面図を示
す。レーザ光照射プローブは、図示しないタッチセンサ
回路とコンプレッサを内蔵し、ヘッド部１にグリップ部
２を取り付けてグリップ電極３と電源スイッチ４を配置
する。
照射プローブの正面図と一部を切り欠いた側面図を示
す。レーザ光照射プローブは、図示しないタッチセンサ
回路とコンプレッサを内蔵し、ヘッド部１にグリップ部
２を取り付けてグリップ電極３と電源スイッチ４を配置
する。
【００１２】ヘッド部１は、先端を開口して周縁に筒状
のロッド受け１１を突設し、ロッド受け１１の下方にエ
アの吹き出し口１２を穿設する。ロッド受け１１は、レ
ーザ透過部としての光拡散ロッド１３を挿嵌する。
のロッド受け１１を突設し、ロッド受け１１の下方にエ
アの吹き出し口１２を穿設する。ロッド受け１１は、レ
ーザ透過部としての光拡散ロッド１３を挿嵌する。
【００１３】ヘッド部１の内側は、光拡散ロッド１３の
入射端ａに接近させて半導体レーザダイオード１４の発
光面を臨ませ、半導体レーザダイオード１４の外周にヒ
ートシンク１５を取り付ける。エアの吹き出し口１２
は、コンプレッサに連通し、先端を光拡散ロッド１３の
出射端ｂに向けて傾斜したエアチューブ１６を接続す
る。
入射端ａに接近させて半導体レーザダイオード１４の発
光面を臨ませ、半導体レーザダイオード１４の外周にヒ
ートシンク１５を取り付ける。エアの吹き出し口１２
は、コンプレッサに連通し、先端を光拡散ロッド１３の
出射端ｂに向けて傾斜したエアチューブ１６を接続す
る。
【００１４】光拡散ロッド１３は、石英ガラスやプラス
チックなどの透明な誘電体で形成し、光拡散ロッド１３
の一側に蒸着した線状電極Ｅの始端部を出射端ｂの端面
縁部に臨ませ、終端部を光拡散ロッド１３の入射端ａま
で延出する。
チックなどの透明な誘電体で形成し、光拡散ロッド１３
の一側に蒸着した線状電極Ｅの始端部を出射端ｂの端面
縁部に臨ませ、終端部を光拡散ロッド１３の入射端ａま
で延出する。
【００１５】線状電極Ｅの終端部は、図３に示すよう
に、対向側面に鍵溝ｃを刻設し、鍵溝ｃをロッド受け１
１の内壁に突設した鍵突起ｄに嵌合して光拡散ロッド１
３をロッド受け１１に係止する。また、線状電極Ｅの終
端部に対応するロッド受け１１の内壁に、板ばねで形成
した接点スプリングｅを取り付け、接点スプリングｅを
介して線状電極Ｅをタッチセンサ回路に接続する。タッ
チセンサは、接点式の他、静電容量や抵抗などのインピ
ーダンス変化を検知するものや、圧電素子によって圧力
変化を検知するものでもよい。
に、対向側面に鍵溝ｃを刻設し、鍵溝ｃをロッド受け１
１の内壁に突設した鍵突起ｄに嵌合して光拡散ロッド１
３をロッド受け１１に係止する。また、線状電極Ｅの終
端部に対応するロッド受け１１の内壁に、板ばねで形成
した接点スプリングｅを取り付け、接点スプリングｅを
介して線状電極Ｅをタッチセンサ回路に接続する。タッ
チセンサは、接点式の他、静電容量や抵抗などのインピ
ーダンス変化を検知するものや、圧電素子によって圧力
変化を検知するものでもよい。
【００１６】線状電極Ｅは、導電性に優れ、皮膚に優し
い金などを光拡散ロッド１３の表面に蒸着して形成す
る。線状電極Ｅの始端部は皮膚への接触機会を増やすた
めに、図４に示すように、リング状に形成して光拡散ロ
ッド１３の出射端ｂの周縁部に蒸着してもよい。
い金などを光拡散ロッド１３の表面に蒸着して形成す
る。線状電極Ｅの始端部は皮膚への接触機会を増やすた
めに、図４に示すように、リング状に形成して光拡散ロ
ッド１３の出射端ｂの周縁部に蒸着してもよい。
【００１７】光拡散ロッド１３は、スペーサとしての役
割を果たし、皮膚面と半導体レーザダイオード１４の間
の距離を一定に保つ。また、熱容量が大きいため、皮膚
を冷やして鎮痛する効果がある。
割を果たし、皮膚面と半導体レーザダイオード１４の間
の距離を一定に保つ。また、熱容量が大きいため、皮膚
を冷やして鎮痛する効果がある。
【００１８】ヒートシンク１５は、半導体レーザダイオ
ード１４の動作時の発熱を熱伝導によって拡散させて性
能の低下を抑える。このため、熱伝導効率のよいアルミ
あるいはその合金で鋳造し、ダミーの通孔をいくつか設
けて放熱効率を高める。
ード１４の動作時の発熱を熱伝導によって拡散させて性
能の低下を抑える。このため、熱伝導効率のよいアルミ
あるいはその合金で鋳造し、ダミーの通孔をいくつか設
けて放熱効率を高める。
【００１９】半導体レーザダイオード１４は、ＧａＡｓ
（ガリウムアルセナイド）などの化合物半導体を用いた
ＰＮ接合ダイオードに直接電流を流して励起し、レーザ
発振を得る。また、ピーク波長６００〜１６００ｎｍ、
光出力５ｍＷ〜３Ｗのレーザ光を出力し、熱効率が良く
て皮膚に十分な光熱反応を起こす。さらに、熱反応のほ
か、光電気反応、光磁気反応、光力学反応、光化学反
応、光免疫反応、光酵素反応などがあり、光生物学的活
性化により生体組織の新陳代謝を促して皮膚血行を高
め、水分や血液に吸収されにくいため、優れた皮膚深達
性を持つ。
（ガリウムアルセナイド）などの化合物半導体を用いた
ＰＮ接合ダイオードに直接電流を流して励起し、レーザ
発振を得る。また、ピーク波長６００〜１６００ｎｍ、
光出力５ｍＷ〜３Ｗのレーザ光を出力し、熱効率が良く
て皮膚に十分な光熱反応を起こす。さらに、熱反応のほ
か、光電気反応、光磁気反応、光力学反応、光化学反
応、光免疫反応、光酵素反応などがあり、光生物学的活
性化により生体組織の新陳代謝を促して皮膚血行を高
め、水分や血液に吸収されにくいため、優れた皮膚深達
性を持つ。
【００２０】本発明のレーザ光照射プローブは以上のよ
うな構成で、トリートメントを行うときは、まず、グリ
ップ部２の電源スイッチ４をオンにする。次に、グリッ
プ部２を握ってグリップ電極３に手を触れながら光拡散
ロッド１３の出射端ｂをトリートメントすべき皮膚面に
押し当てる。これにより、光拡散ロッド１３の線状電極
Ｅが皮膚に導電接触してグリップ電極３と線状電極Ｅが
導通し、タッチセンサ回路がオンになって半導体レーザ
ダイオード１４が点灯する。同時にコンプレッサがオン
になってエアの吹き出し口１２から光拡散ロッド１３の
出射端ｂに向けてエアが吹き出し、レーザ光を照射する
皮膚面を冷却する。
うな構成で、トリートメントを行うときは、まず、グリ
ップ部２の電源スイッチ４をオンにする。次に、グリッ
プ部２を握ってグリップ電極３に手を触れながら光拡散
ロッド１３の出射端ｂをトリートメントすべき皮膚面に
押し当てる。これにより、光拡散ロッド１３の線状電極
Ｅが皮膚に導電接触してグリップ電極３と線状電極Ｅが
導通し、タッチセンサ回路がオンになって半導体レーザ
ダイオード１４が点灯する。同時にコンプレッサがオン
になってエアの吹き出し口１２から光拡散ロッド１３の
出射端ｂに向けてエアが吹き出し、レーザ光を照射する
皮膚面を冷却する。
【００２１】半導体レーザダイオード１４が点灯する
と、図５に示すように、レーザ光が光拡散ロッド１３の
入射端ａに所定の角度で入射する。そして、光拡散ロッ
ド１３の軸に沿って進む軸光線と、光拡散ロッド１３の
縁を通って全反射しながら進む折り返し光線に分かれて
誘電体経路を伝搬し、光拡散ロッド１３の出射端ａから
出射する。このとき、伝搬経路が異なるため、出射端ｂ
までの到達時間が違うことによって波形が時間的に広が
る分散現象を起こす。また、半導体レーザダイオード１
４のレーザ光は、単一波長に近いが、完全に単一でな
く、ある幅を持った波長特性を有する。このため、波長
による伝搬経路の長さの違いから出射端ｂまでの到達時
間に違いを生じ、同様に分散現象を起こす。これらの分
散や伝搬損失による光パワーの減衰によって、光拡散ロ
ッド１３の出射端ｂから出射するレーザ光のエネルギー
密度が平均化し、高密度に拡散して均一に皮膚に作用す
ることになる。
と、図５に示すように、レーザ光が光拡散ロッド１３の
入射端ａに所定の角度で入射する。そして、光拡散ロッ
ド１３の軸に沿って進む軸光線と、光拡散ロッド１３の
縁を通って全反射しながら進む折り返し光線に分かれて
誘電体経路を伝搬し、光拡散ロッド１３の出射端ａから
出射する。このとき、伝搬経路が異なるため、出射端ｂ
までの到達時間が違うことによって波形が時間的に広が
る分散現象を起こす。また、半導体レーザダイオード１
４のレーザ光は、単一波長に近いが、完全に単一でな
く、ある幅を持った波長特性を有する。このため、波長
による伝搬経路の長さの違いから出射端ｂまでの到達時
間に違いを生じ、同様に分散現象を起こす。これらの分
散や伝搬損失による光パワーの減衰によって、光拡散ロ
ッド１３の出射端ｂから出射するレーザ光のエネルギー
密度が平均化し、高密度に拡散して均一に皮膚に作用す
ることになる。
【００２２】光拡散ロッド１３は交換可能で、美肌など
レーザ光を広い範囲に疎密度に照射するときは、図５に
示すように、出射端ｂの端面が平坦な光拡散ロッド１３
を使用して出射光を分散させる。脱毛などレーザ光を狭
い範囲に高密度に照射するときは、図６に示すように、
出射端ｂの端面が凸面な光拡散ロッド１３を使用して出
射光を集中させる。
レーザ光を広い範囲に疎密度に照射するときは、図５に
示すように、出射端ｂの端面が平坦な光拡散ロッド１３
を使用して出射光を分散させる。脱毛などレーザ光を狭
い範囲に高密度に照射するときは、図６に示すように、
出射端ｂの端面が凸面な光拡散ロッド１３を使用して出
射光を集中させる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザ光
照射プローブは、ヘッド部に設置した透明な誘電体より
成るレーザ透過部を介して半導体レーザダイオードのレ
ーザ光を照射する。従って、本発明によれば、レーザ光
の光パワーがレーザ透過部で拡散・減衰してエネルギー
密度が均一化するので、従来のように投光レンズの焦点
に光パワーが集中して火傷したり、痛みを感じさせるよ
うなことがなくなる。また、レーザ透過部を皮膚に当て
てトリートメントするので、操作が楽になり、照射部分
の見極めも容易になる。また、レーザ透過部がレーザ光
源と皮膚との間の距離を一定に保つので、皮膚に照射す
る光パワーが常に一定になると共に、レーザ透過部が皮
膚を冷して鎮痛する効果もある。
照射プローブは、ヘッド部に設置した透明な誘電体より
成るレーザ透過部を介して半導体レーザダイオードのレ
ーザ光を照射する。従って、本発明によれば、レーザ光
の光パワーがレーザ透過部で拡散・減衰してエネルギー
密度が均一化するので、従来のように投光レンズの焦点
に光パワーが集中して火傷したり、痛みを感じさせるよ
うなことがなくなる。また、レーザ透過部を皮膚に当て
てトリートメントするので、操作が楽になり、照射部分
の見極めも容易になる。また、レーザ透過部がレーザ光
源と皮膚との間の距離を一定に保つので、皮膚に照射す
る光パワーが常に一定になると共に、レーザ透過部が皮
膚を冷して鎮痛する効果もある。
【００２４】また、本発明のレーザ光照射プローブは、
レーザ透過部にタッチセンサを連動して半導体レーザダ
イオードをオン・オフさせる。従って、本発明によれ
ば、タッチセンサが安全装置として働いて離れた場所へ
のレーザ光の照射を抑止するので、誤ってレーザ光を目
に入れるような事故を未然に防ぐことができる。また、
プローブを離すと自動的にレーザ光の照射を停止するの
でとっさの場合に安全である。
レーザ透過部にタッチセンサを連動して半導体レーザダ
イオードをオン・オフさせる。従って、本発明によれ
ば、タッチセンサが安全装置として働いて離れた場所へ
のレーザ光の照射を抑止するので、誤ってレーザ光を目
に入れるような事故を未然に防ぐことができる。また、
プローブを離すと自動的にレーザ光の照射を停止するの
でとっさの場合に安全である。
【図１】本発明を実施したレーザ光照射プローブの正面
図である。
図である。
【図２】図１の一部を切り欠いた側面図である。
【図３】本発明を実施した光拡散ロッドとロッド受けの
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図４】本発明を実施した線状電極の変形例である。
【図５】本発明を実施した出射端が平坦なレーザ透過部
の光の伝搬経路図である。
の光の伝搬経路図である。
【図６】本発明を実施した出射端が凸面のレーザ透過部
の光の伝搬経路図である。
の光の伝搬経路図である。
１ ヘッド部 １１ ロッド受け １２ エアの吹き出し口 １３ 光拡散ロッド １４ 半導体レーザダイオード １５ ヒートシンク １６ エアチューブ ２ グリップ部 ３ グリップ電極 ４ 電源スイッチ ａ 入射端 ｂ 出射端 ｃ 鍵溝 ｄ 鍵突起 ｅ 接点スプリング Ｅ 線状電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4C082 RA01 RC09 RE03 RE11 RE22 RE36 RE43 RG02 RG06 RL02 RL16 RL22 5F073 AB25 AB27 BA09 CA04 FA11 GA11 GA38
Claims (6)
- 【請求項１】 ヘッド部に透明な誘電体より成るレーザ
透過部を設置して、 その相対する端面の一方を入射端とし、 半導体レーザダイオードの発光面を前記入射端に臨ま
せ、 入射端に相対するレーザ透過部の出射端をヘッド部より
露出して皮膚に接触できるようにして成るレーザ光照射
プローブ。 - 【請求項２】 前記レーザ透過部にタッチセンサを連動
し、 このタッチセンサの出力信号に基づいて前記半導体レー
ザダイオードをオン・オフさせて成る請求項１記載のレ
ーザ光照射プローブ。 - 【請求項３】 前記レーザ透過部を交換可能に設置して
成る請求項１記載のレーザ光照射プローブ。 - 【請求項４】 前記出射端の端面を平坦にして成る請求
項１記載のレーザ光照射プローブ。 - 【請求項５】 前記出射端の端面を凸面にして成る請求
項１記載のレーザ光照射プローブ。 - 【請求項６】 前記ヘッド部にエアの吹き出し口を備え
て成る請求項１記載のレーザ光照射プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37398599A JP2001187158A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | レーザ光照射プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37398599A JP2001187158A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | レーザ光照射プローブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001187158A true JP2001187158A (ja) | 2001-07-10 |
Family
ID=18503089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37398599A Pending JP2001187158A (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | レーザ光照射プローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001187158A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006108093A2 (en) * | 2005-04-06 | 2006-10-12 | Board Of Trustees Of Michigan State University | A system for low-level laser radiation |
| JP2010125224A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発毛調整光照射装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02116416U (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-18 | ||
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