JP2001185569A - 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止において信頼性の高い半導体装置及
びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並び
に電子機器を提供することにある。 【解決手段】 リードフレーム２０のダイパッド１４に
半導体チップ１２が搭載されてなる半導体アセンブリ１
０を、上金型３０及び下金型３２で囲まれたキャビティ
３４に配置し、前記キャビティ３４に樹脂を注入して前
記半導体チップ１２を封止する工程を含み、前記工程
で、前記キャビティ３４に出し入れ自在な可動ピン４０
を、前記半導体アセンブリ１０における上面及び下面の
それぞれに、非接触で近接させて、前記キャビティ３４
に前記樹脂を注入し、前記可動ピン４０を前記キャビテ
ィ３４から引き出した後に前記樹脂を硬化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電
子機器に関する。

【０００２】

【発明の背景】半導体装置の形態として、リードフレー
ムのダイパッドに半導体チップが搭載されてなる半導体
アセンブリをキャビティに配置し、このキャビティに樹
脂を注入して、半導体アセンブリを封止したものがあ
る。

【０００３】しかし、ダイパッドは薄くて幅の狭い吊り
リードによってリードフレームに支持されているため、
半導体アセンブリを配置したキャビティに樹脂を注入す
ると、半導体アセンブリが樹脂の流れによって、当初の
配置位置から上下方向に変動する場合があった。この半
導体アセンブリのわずかな変動によって、ダイパッドや
ワイヤが樹脂の表面に露出して、不良となる場合があっ
た。

【０００４】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、樹脂封止において信頼性の高い半
導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回
路基板並びに電子機器を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置の製造方法は、リードフレームのダイパッドに半
導体チップが搭載されてなる半導体アセンブリを、上金
型及び下金型で囲まれたキャビティに配置し、前記キャ
ビティに樹脂を注入して前記半導体チップを封止する工
程を含み、前記工程で、前記キャビティに出し入れ自在
な可動ピンを、前記半導体アセンブリにおける上面及び
下面のそれぞれに、非接触で近接させて、前記キャビテ
ィに前記樹脂を注入し、前記可動ピンを前記キャビティ
から引き出した後に前記樹脂を硬化させる。

【０００６】本発明によれば、ダイパッドに半導体チッ
プが搭載されてなる半導体アセンブリに、上下方向から
キャビティに挿入した可動ピンを非接触で近接させ、キ
ャビティに樹脂を注入する。これによって、キャビティ
内の樹脂の流れによる半導体アセンブリの上下方向の変
動を抑えることができる。

【０００７】また、樹脂が硬化する前に可動ピンをキャ
ビティから引き出す。この場合に、可動ピンの存在した
部分には孔が生じるが、可動ピンは半導体アセンブリに
対して非接触で設けられていたので、可動ピンを近接さ
せた状態でも半導体アセンブリの表面を露出させずに樹
脂で覆うことができる。すなわち、半導体アセンブリを
確実に樹脂で封止することができる。

【０００８】さらに、可動ピンによって半導体アセンブ
リを挟むことはないので、余分な応力を半導体チップな
どに加えることなく、半導体アセンブリの変動を抑える
ことができる。

【０００９】（２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記リードフレームは、前記ダイパッドを外枠に接
続する吊りリードを含み、前記吊りリードに、前記可動
ピンを近接させてもよい。

【００１０】吊りリードは矩形であるダイパッドの角部
を保持するように、リードフレームの外枠に接続されて
いるので、吊りリードに可動ピンを配置することによっ
て、半導体アセンブリの変動を効率よく抑えることがで
きる。

【００１１】（３）この半導体装置の製造方法におい
て、前記可動ピンを前記半導体アセンブリのほぼ中央に
近接させてもよい。

【００１２】これによって、各種類のリードフレームに
対して、装置を汎用化させて用いることができる。ま
た、少ない数の可動ピンで安定して半導体アセンブリの
樹脂の流れによる変動を抑えることができる。

【００１３】（４）本発明に係る半導体装置の製造方法
は、リードフレームのダイパッドに半導体チップが搭載
されてなる半導体アセンブリを、上金型及び下金型で囲
まれたキャビティに配置し、ゲートから前記キャビティ
に樹脂を注入して前記半導体チップを封止する工程を含
み、前記工程で、前記キャビティに出し入れ自在な少な
くとも一つの可動ピンを、前記半導体アセンブリにおけ
る前記樹脂の流れによって応力が加えられる部分に、前
記応力に対抗して当接させて、前記ゲートから前記キャ
ビティに前記樹脂を注入し、前記可動ピンを前記キャビ
ティから引き出した後に、前記樹脂を硬化させる。

【００１４】本発明によれば、半導体アセンブリに加え
られる樹脂の流れの応力に対抗して、可動ピンを当接さ
せる。すなわち、樹脂の流れによって抑えつけられる半
導体アセンブリを支持して可動ピンを配置する。これに
よって、半導体アセンブリの上下方向の位置変動を抑え
ることができる。また、例えば可動ピンを半導体アセン
ブリのいずれか一方の面のみに配置して、半導体アセン
ブリの変動を抑えてもよいので、可動ピンの数を少なく
することができる。

【００１５】（５）この半導体装置の製造方法におい
て、前記ゲートは、前記キャビティにおける前記半導体
アセンブリよりも上側に通じて設けられており、前記可
動ピンを前記半導体アセンブリにおける下面に当接させ
てもよい。

【００１６】これによれば、キャビティにおける半導体
アセンブリの上側に通じて形成されたゲートに対して、
可動ピンを半導体アセンブリの下面に配置する。ゲート
をキャビティにおける半導体アセンブリの上側に設ける
と、注入した樹脂は半導体アセンブリの上面に対して応
力を加える。したがって、樹脂の流れと可動ピンによる
支持によって、半導体アセンブリの上下方向の位置変動
を抑えることができる。

【００１７】（６）この半導体装置の製造方法におい
て、前記リードフレームは、前記ダイパッドを外枠に接
続する吊りリードを含み、前記吊りリードに、前記可動
ピンを当接させてもよい。

【００１８】吊りリードは矩形であるダイパッドの角部
を保持するように、リードフレームに接続されているの
で、吊りリードに可動ピンを配置することによって、半
導体アセンブリの変動を効率よく抑えることができる。

【００１９】（７）この半導体装置の製造方法におい
て、前記可動ピンを前記半導体アセンブリのほぼ中央に
当接させてもよい。

【００２０】これによって、各種類のリードフレームに
対して、装置を汎用化させて用いることができる。ま
た、少ない数の可動ピンで安定して半導体アセンブリの
樹脂の流れによる変動を抑えることができる。

【００２１】（８）本発明に係る半導体装置は、上記半
導体装置の製造方法から製造されてなる。

【００２２】（９）本発明に係る回路基板は、上記半導
体装置が搭載されている。

【００２３】（１０）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。

【００２４】（１１）本発明に係る半導体装置の製造装
置は、リードフレームのダイパッドに半導体チップが搭
載されてなる半導体アセンブリを配置するためのキャビ
ティを形成する開閉自在な上金型及び下金型と、前記上
金型及び下金型のそれぞれに設けられ、前記キャビティ
に出し入れ自在な可動ピンと、を含み、前記可動ピン
は、前記キャビティの前記樹脂の注入を開始するとき
に、前記キャビティに配置した前記半導体アセンブリに
非接触で近接する位置に配置され、前記樹脂が硬化する
前に、前記キャビティから引き出される。

【００２５】本発明によれば、可動ピンは、キャビティ
の樹脂の注入を開始するときに、上下方向からキャビテ
ィに挿入されて半導体アセンブリに対して非接触で近接
する。これによって、キャビティ内の樹脂の流れによる
半導体アセンブリの上下方向の変動を抑えることができ
る。

【００２６】また、樹脂が硬化する前に可動ピンはキャ
ビティから引き出される。この場合に、可動ピンの存在
した部分には孔が生じるが、可動ピンは半導体アセンブ
リに対して非接触で設けられていたので、可動ピンを近
接させた状態でも半導体アセンブリの表面を露出させず
に樹脂で覆うことができる。すなわち、半導体アセンブ
リを確実に樹脂で封止することができる。

【００２７】さらに、可動ピンによって半導体アセンブ
リを挟むことはないので、余分な応力を半導体チップな
どに加えることなく、半導体アセンブリの変動を抑える
ことができる。

【００２８】（１２）本発明に係る半導体装置の製造装
置は、リードフレームのダイパッドに半導体チップが搭
載されてなる半導体アセンブリを配置するためのキャビ
ティを形成する開閉自在な上金型及び下金型と、前記上
金型及び下金型のいずれか一方に設けられ、前記キャビ
ティに樹脂を注入するゲートと、前記上金型及び下金型
の他方に設けられ、前記キャビティに出し入れ自在な少
なくとも一つの可動ピンと、を含み、前記可動ピンは、
前記キャビティの前記樹脂の注入を開始するときに、前
記キャビティに配置した前記半導体アセンブリに当接す
る位置に配置され、前記樹脂が硬化する前に、前記キャ
ビティから引き出される。

【００２９】本発明によれば、可動ピンは、半導体アセ
ンブリに加えられる樹脂の流れの応力に対抗するように
当接して配置される。すなわち、樹脂の流れによって抑
えつけられる半導体アセンブリを支持して可動ピンが配
置される。これによって、半導体アセンブリの上下方向
の位置変動を抑えることができる。また、例えば可動ピ
ンは半導体アセンブリのいずれか一方の面のみに配置さ
れることによって、半導体アセンブリの変動を抑えても
よいので、可動ピンの数を少なくすることができる。

【００３０】（１３）この半導体装置の製造装置におい
て、前記リードフレームは、前記ダイパッドを外枠に接
続する吊りリードを含み、前記可動ピンは、前記吊りリ
ードに向けて配置されてもよい。

【００３１】吊りリードは矩形であるダイパッドの角部
を保持するように、リードフレームに接続されているの
で、可動ピンが吊りリードに配置されることによって、
半導体アセンブリの変動を効率よく抑えることができ
る。

【００３２】（１４）この半導体装置の製造装置におい
て、前記可動ピンは、前記半導体アセンブリのほぼ中央
に向けて配置されてもよい。

【００３３】これによって、各種類のリードフレームに
対して、装置を汎用化させて用いることができる。ま
た、少ない数の可動ピンで安定して半導体アセンブリの
樹脂の流れによる変動を抑えることができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施の形
態について図面を参照して説明する。

【００３５】（第１の実施の形態）図１及び図２は、本
実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を
説明するための図である。図１は、半導体チップ１２が
配置されたリードフレーム２０の平面図であり、図２
は、図１に示すII−II線での上金型３０及び下金型３２
の断面図である。

【００３６】半導体アセンブリ１０は、半導体チップ１
２と、リードフレーム２０におけるダイパッド１４及び
吊りリード１６と、を含む。

【００３７】半導体チップ１２は、周知のように電極
（図示しない）が形成されており、電極の形成された面
とは反対側の面がダイパッド１４に接着剤によって固着
される。ダイパッド１４上の半導体チップ１２の電極
と、リードフレーム２０の複数のリード２２とは、ワイ
ヤ（図示しない）によって電気的に接続される。なお、
半導体チップ１２は一般的に、平面において矩形（正方
形又は長方形）であることが多く、半導体チップ１２を
矩形であるダイパッド１４の中央に搭載することが好ま
しい。

【００３８】リードフレーム２０はダイパッド１４及び
吊りリード１６を含み、吊りリード１６は、矩形である
ダイパッド１４を保持して、リードフレーム２０の外枠
２４に接続されている。一般的に、吊りリード１６はダ
イパッド１４の四隅の角部を保持して形成されている。
吊りリード１６は、薄くて幅の狭いものが多いので、一
般的に樹脂の流れによってダイパッド１４は吊りリード
１６とともに上下方向に変動してしまうことが多いが、
本発明はこの場合に特に効果的である。

【００３９】本実施の形態に係る半導体装置の製造装置
は、上金型３０と、下金型３２と、可動ピン４０と、を
含む。

【００４０】開閉自在な上金型３０及び下金型３２は、
双方の型が合わさって、吊りリード１６と複数のリード
２２とを挟むとともに、半導体アセンブリ１０を配置す
るためのキャビティ３４を形成する。すなわち、キャビ
ティ３４は、上金型３０及び下金型３２と、それらに挟
まれた吊りリード１６と複数のリード２２とによって囲
まれた空間である。キャビティ３４は、平面的に半導体
チップ１２の形状の相似形となることが多く、矩形とな
ることが一般的である。また、キャビティ３４に連通し
て樹脂を注入するためのゲート（図４参照）が設けられ
るが、ゲートは一般に、矩形であるキャビティ３４の四
隅のうちの一つに設けられる。

【００４１】可動ピン４０は、キャビティ３４に出し入
れ自在である。可動ピン４０は、上金型３０及び下金型
３２に設けられてもよい。例えば、図２に示すように、
上金型３０及び下金型３２のそれぞれにキャビティ３４
に連通する貫通穴４２を設けて、可動ピン４０が貫通穴
４２に挿入されて設けられてもよい。この場合に、挿入
された可動ピン４０と、貫通穴４２との隙間から樹脂が
漏れ出さないように、両者の大きさ及び形状を設定する
ことが好ましい。また、可動ピン４０は、半導体アセン
ブリ１０の上下方向の変動を抑えることのできる程度に
剛性を有することが好ましく、金属性の部材であっても
よい。なお、可動ピン４０自体の大きさ及び形状は特に
問わず、複数形成されてもよい。

【００４２】可動ピン４０が上金型３０及び下金型３２
のいずれか一方の側に複数設けられている場合に、例え
ば、複数の可動ピン４０を連結させてロッド４４に接続
し、ロッド４４の端部にアクチュエータであるサーボモ
ータ４８によって回転する正面カム４６に係合させ、正
面カム４６の回転によって複数の可動ピン４０を上下動
させてもよい。なお、上述のように複数の可動ピン４０
を同時に上下動させてもよく、一つずつ操作してもよ
い。また、可動ピン４０を上下動させることができれ
ば、その機構は上述のものに限定されず、例えばアクチ
ュエータとしてシリンダなどを用いてもよい。

【００４３】可動ピン４０は、樹脂を注入するときに、
キャビティ３４に配置した半導体アセンブリ１０に非接
触で近接して配置される。言い換えると、半導体アセン
ブリ１０は、半導体アセンブリ１０における上金型３０
と下金型３２とのそれぞれの側を向く面に対して、間隔
を空けて配置された可動ピン４０によって、樹脂の流れ
による上下方向の変動の範囲が制限されている。具体的
には、可動ピン４０の先端部と半導体アセンブリ１０と
の最短距離は、５μｍ程度となるように可動ピン４０は
半導体アセンブリ１０に近接して配置されることが好ま
しい。

【００４４】図２に示すように、可動ピン４０は、ダイ
パッド１４とリードフレーム２０の外枠２４とを接続す
る吊りリード１６に向いて配置されてもよい。吊りリー
ド１６は、ダイパッド１４のそれぞれの角部に接続して
形成されるので、ダイパッド１４が矩形である場合は、
吊りリード１６は四箇所に形成されることが一般的であ
る。この場合に、可動ピン４０は、ゲートの位置に近い
側のダイパッド１４の角部に接続する吊りリード１６
と、その角部に対してダイパッド１４の対角線上に位置
する角部に対応する吊りリード１６と、に向いて配置さ
れてもよい。すなわち、樹脂の流入に対して半導体アセ
ンブリ１０の傾きやすい位置の吊りリード１６に向いて
可動ピン４０が配置されてもよい。これによって、少な
い数の可動ピン４０で効率よく、半導体アセンブリ１０
の変動を抑えることができる。また、可動ピン４０は、
全ての吊りリード１６のそれぞれに配置されてもよく、
これによって確実に半導体アセンブリ１０の変動を抑え
ることができる。

【００４５】半導体アセンブリ１０に非接触で近接して
配置された可動ピン４０は、樹脂が硬化する前にキャビ
ティ３４から引き出される。例えば、樹脂注入後の適宜
のタイミングで、可動ピン４０を非接触で近接させたと
きとは逆方向にサーボモータ４８を回転させて、可動ピ
ン４０をキャビティ３４から引き出してもよい。この場
合に、可動ピン４０におけるキャビティ３４からの引き
出しによって、キャビティ３４に気泡が発生することを
防ぐために、可動ピン４０が直前まで存在していた部分
から順番に樹脂が充填されるように、可動ピン４０が引
き出されることが好ましい。なお、可動ピン４０を上金
型３０及び下金型３２に引き込むことによって、キャビ
ティ３４から引き出してもよい。

【００４６】本実施の形態によれば、可動ピン４０は、
キャビティ３４の樹脂の注入を開始するときに、上下方
向からキャビティ３４に挿入されて半導体アセンブリ１
０に対して非接触で近接する。これによって、キャビテ
ィ３４内の樹脂の流れによる半導体アセンブリ１０の上
下方向の変動を抑えることができる。

【００４７】また、樹脂が硬化する前に可動ピン４０は
キャビティ３４から引き出される。この場合に、可動ピ
ン４０の存在した部分には孔が生じるが、可動ピン４０
は半導体アセンブリ１０に対して非接触で設けられてい
たので、可動ピン４０を近接させた状態でも半導体アセ
ンブリ１０の表面を露出させずに樹脂で覆うことができ
る。すなわち、半導体アセンブリ１０を確実に樹脂で封
止することができる。

【００４８】さらに、可動ピン４０によって半導体アセ
ンブリ１０を挟むことはないので、余分な応力を半導体
チップ１２などに加えることなく、半導体アセンブリ１
０の変動を抑えることができる。

【００４９】以下に、本実施の形態に係る半導体装置の
製造方法を説明する。

【００５０】半導体アセンブリ１０をキャビティ３４に
配置し、キャビティ３４に樹脂を注入するときに、可動
ピン４０を半導体アセンブリ１０の上面及び下面に非接
触で近接させる。可動ピン４０は、キャビティ３４に樹
脂を注入する前に配置してもよく、樹脂を注入し始めた
ときであって半導体アセンブリ１０がその樹脂の流れに
よって変動する直前に配置してもよい。この場合の可動
ピン４０の位置は、注入した樹脂の流れによって半導体
アセンブリ１０が変動したときに、半導体アセンブリ１
０に接することによって、その変動を抑えるような位置
に配置することが好ましい。なお、半導体アセンブリ１
０の平面視においては、可動ピン４０を、吊りリード１
６の位置に対応させて配置してもよい。

【００５１】キャビティ３４に注入した樹脂が硬化する
前に、可動ピン４０をキャビティ３４から引き出す。あ
る程度の量の樹脂を注入すると、キャビティ３４は樹脂
で満たされた状態になる。すなわち、キャビティ３４に
おける樹脂の占有体積が大きくなるにつれて、半導体ア
センブリ１０の変動も徐々に小さくなっていく。要する
に、半導体アセンブリ１０の変動がほぼなくなったとき
以後であって、樹脂が硬化する前までに、可動ピン４０
を引き出すことが好ましい。

【００５２】可動ピン４０を引き出すと、可動ピン４０
の存在した位置に孔が生じるが、この孔は樹脂の注入又
は樹脂への加圧によって塞がれる。すなわち、可動ピン
４０を引き出すと同時又はそれ以後に、さらに樹脂を注
入していても構わない。なお、可動ピン４０は半導体ア
センブリ１０に対して非接触で設けられていたので、可
動ピン４０を近接させた状態でも半導体アセンブリ１０
の表面を露出させずに樹脂で覆うことができる。すなわ
ち、半導体アセンブリ１０を確実に樹脂で封止すること
ができる。

【００５３】本実施の形態によれば、半導体アセンブリ
１０に、上下方向からキャビティ３４に挿入した可動ピ
ン４０を非接触で近接させ、キャビティ３４に樹脂を注
入する。これによって、キャビティ３４内の樹脂の流れ
による半導体アセンブリ１０の上下方向の変動を抑える
ことができる。したがって、樹脂封止において信頼性の
高い半導体装置を製造することができる。

【００５４】（第２の実施の形態）図３は、本実施の形
態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明する
ための図であり、上金型１３０及び下金型１３２の断面
図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造装置
は、上金型１３０と、下金型１３２と、可動ピン１４０
と、を含む。

【００５５】図３に示すように、可動ピン１４０は、半
導体アセンブリ１０のほぼ中央に向けて非接触で近接し
て配置されてもよい。詳しく言うと、可動ピン１４０
は、ダイパッド１４に搭載した半導体チップ１２のほぼ
中央に近接するように配置されてもよい。この場合に、
可動ピン１４０は、上金型３０及び下金型３２に設けら
れてもよく、例えば貫通穴１４２を介して挿入されてい
てもよい。なお、その他の構成は第１の実施の形態と同
様とすることができる。本実施の形態によれば、各種類
のリードフレーム２０に対して、装置を汎用化させて用
いることができる。

【００５６】これによれば、上金型１３０と下金型１３
２とにおいてそれぞれ一つずつの可動ピン１４０で、効
率よく半導体アセンブリ１０の変動を抑えることができ
る。また、可動ピン１４０は、半導体アセンブリ１０の
ほぼ中央を向いて配置されるとともに、その他の半導体
アセンブリ１０の面を向いて配置されても別に構わな
い。例えば、可動ピン１４０は、本実施の形態に示すよ
うにダイパッド１４に搭載した半導体チップ１２のほぼ
中央に向いて配置されるとともに、第１の実施の形態に
示すように吊りリード１６にも配置されてもよい。これ
によって、さらに安定した状態で半導体アセンブリ１０
の変動を抑えることができる。なお、半導体装置の製造
方法は第１の実施の形態と同様とすることができる。

【００５７】（第３の実施の形態）図４は、本実施の形
態に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明する
ための図であり、上金型２３０及び下金型２３２の断面
図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造装置
は、上金型２３０と、下金型２３２と、可動ピン２４０
と、を含む。

【００５８】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法
は、樹脂をキャビティ３４に注入するときに、半導体ア
センブリ１０における樹脂の流れによって応力が加えら
れる部分に、その応力に対抗するように半導体アセンブ
リ１０に一つ又は複数の可動ピン２４０を当接して配置
する。注入された樹脂は、キャビティ２３４の上側と下
側とで均一に流れない場合がある。これは主としてゲー
ト２３６の形態によるものであるが、本実施の形態は、
樹脂の流れが上下の側で異なる場合に効果的である。

【００５９】例えば、図４に示すように、上金型２３０
に形成したゲート２３６から樹脂を注入するときに、半
導体アセンブリ１０の下面に可動ピン４０を当接させて
もよい。ゲート２３６が上金型２３０に形成されること
によって、注入された樹脂は半導体アセンブリ１０の上
側が先に充填される。これによって、半導体アセンブリ
１０の上面に対して、半導体アセンブリ１０をキャビテ
ィ２３４の下側に変動させるように、応力が加わってし
まう。そこで、半導体アセンブリ１０の下面に可動ピン
２４０を当接させて、樹脂の流れによる応力に対抗する
ことによって、半導体アセンブリ１０の上下方向の位置
変動を抑えることができる。

【００６０】また、上述の形態とは異なり、ゲート２３
６を下金型２３２に形成することによって半導体アセン
ブリ１０の下面に応力が加わるように樹脂が流れる場合
は、半導体アセンブリ１０の上面に可動ピン４０を当接
させればよい。また、ゲート３８を上金型３０と下金型
３２との両方に形成した場合は、注入速度及び注入量に
よって、半導体アセンブリ１０に対してより強い応力を
加えている側とは反対側に可動ピン４０を当接させれば
よい。

【００６１】なお、可動ピン４０は複数であってもよ
く、半導体アセンブリ１０のほぼ中央又は吊りリード１
６に当接してもよく、その他の構成は上述の実施の形態
と同様とすることができる。

【００６２】本実施の形態によれば、半導体アセンブリ
１０に加えられる樹脂の流れの応力に対抗して、可動ピ
ン２４０を当接させる。すなわち、樹脂の流れによって
抑えつけられる半導体アセンブリ１０を支持して可動ピ
ン２４０を配置する。これによって、半導体アセンブリ
１０の上下方向の位置変動を抑えることができる。ま
た、例えば可動ピン２４０を半導体アセンブリ１０のい
ずれか一方の面のみに配置して、半導体アセンブリ１０
の変動を抑えてもよいので、可動ピン２４０の数を少な
くすることができる。

【００６３】図５には、本発明によって製造されてなる
半導体装置１を実装した回路基板１０００が示されてい
る。回路基板には例えばガラスエポキシ基板等の有機系
基板を用いることが一般的である。回路基板には例えば
銅等からなる配線パターンが所望の回路となるように形
成されていて、それらの配線パターンと半導体装置の外
部端子とを機械的に接続することでそれらの電気的導通
を図る。

【００６４】そして、本発明を適用した半導体装置１を
有する電子機器として、図６にはノート型パーソナルコ
ンピュータ１１００、図７には携帯電話１２００が示さ
れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
のリードフレームの平面図である。

【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。

【図３】図３は、本発明を適用した第２の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。

【図４】図４は、本発明を適用した第３の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するため
の図である。

【図５】図５は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を搭載する回路基板を
示す図である。

【図６】図６は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。

【図７】図７は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。

【符号の説明】

１０ 半導体アセンブリ １２ 半導体チップ １４ ダイパッド １６ 吊りリード ２０ リードフレーム ２２ リード ２４ 外枠 ３０ 上金型 ３２ 下金型 ３４ キャビティ ４０ 可動ピン ４２ 貫通穴 ４４ ロッド ４６ 正面カム ４８ サーボモータ

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレームのダイパッドに半導体チ
   ップが搭載されてなる半導体アセンブリを、上金型及び
   下金型で囲まれたキャビティに配置し、前記キャビティ
   に樹脂を注入して前記半導体チップを封止する工程を含
   み、 前記工程で、前記キャビティに出し入れ自在な可動ピン
   を、前記半導体アセンブリにおける上面及び下面のそれ
   ぞれに、非接触で近接させて、前記キャビティに前記樹
   脂を注入し、前記可動ピンを前記キャビティから引き出
   した後に前記樹脂を硬化させる半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記リードフレームは、前記ダイパッドを外枠に接続す
   る吊りリードを含み、 前記吊りリードに、前記可動ピンを近接させる半導体装
   置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の半導体装
   置の製造方法において、 前記可動ピンを前記半導体アセンブリのほぼ中央に近接
   させる半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 リードフレームのダイパッドに半導体チ
   ップが搭載されてなる半導体アセンブリを、上金型及び
   下金型で囲まれたキャビティに配置し、ゲートから前記
   キャビティに樹脂を注入して前記半導体チップを封止す
   る工程を含み、 前記工程で、前記キャビティに出し入れ自在な少なくと
   も一つの可動ピンを、前記半導体アセンブリにおける前
   記樹脂の流れによって応力が加えられる部分に、前記応
   力に対抗して当接させて、前記ゲートから前記キャビテ
   ィに前記樹脂を注入し、前記可動ピンを前記キャビティ
   から引き出した後に、前記樹脂を硬化させる半導体装置
   の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、 前記ゲートは、前記キャビティにおける前記半導体アセ
   ンブリよりも上側に通じて設けられており、 前記可動ピンを前記半導体アセンブリにおける下面に当
   接させる半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項４又は請求項５に記載の半導体装
   置の製造方法において、 前記リードフレームは、前記ダイパッドを外枠に接続す
   る吊りリードを含み、 前記吊りリードに、前記可動ピンを当接させる半導体装
   置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項４から請求項６のいずれかに記載
   の半導体装置の製造方法において、 前記可動ピンを前記半導体アセンブリのほぼ中央に当接
   させる半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１から請求項７のいずれかに記載
   の半導体装置の製造方法から製造されてなる半導体装
   置。
9. 【請求項９】 請求項８記載の半導体装置が搭載された
   回路基板。
10. 【請求項１０】 請求項８記載の半導体装置を有する電
    子機器。
11. 【請求項１１】 リードフレームのダイパッドに半導体
    チップが搭載されてなる半導体アセンブリを配置するた
    めのキャビティを形成する開閉自在な上金型及び下金型
    と、 前記上金型及び下金型のそれぞれに設けられ、前記キャ
    ビティに出し入れ自在な可動ピンと、 を含み、 前記可動ピンは、前記キャビティの前記樹脂の注入を開
    始するときに、前記キャビティに配置した前記半導体ア
    センブリに非接触で近接する位置に配置され、前記樹脂
    が硬化する前に、前記キャビティから引き出される半導
    体装置の製造装置。
12. 【請求項１２】 リードフレームのダイパッドに半導体
    チップが搭載されてなる半導体アセンブリを配置するた
    めのキャビティを形成する開閉自在な上金型及び下金型
    と、 前記上金型及び下金型のいずれか一方に設けられ、前記
    キャビティに樹脂を注入するゲートと、 前記上金型及び下金型の他方に設けられ、前記キャビテ
    ィに出し入れ自在な少なくとも一つの可動ピンと、 を含み、 前記可動ピンは、前記キャビティの前記樹脂の注入を開
    始するときに、前記キャビティに配置した前記半導体ア
    センブリに当接する位置に配置され、前記樹脂が硬化す
    る前に、前記キャビティから引き出される半導体装置の
    製造装置。
13. 【請求項１３】 請求項１１又は請求項１２に記載の半
    導体装置の製造装置において、 前記リードフレームは、前記ダイパッドを外枠に接続す
    る吊りリードを含み、 前記可動ピンは、前記吊りリードに向けて配置された半
    導体装置の製造装置。
14. 【請求項１４】 請求項１１から請求項１３のいずれか
    に記載の半導体装置の製造装置において、 前記可動ピンは、前記半導体アセンブリのほぼ中央に向
    けて配置された半導体装置の製造装置。