JP2001185061A - 画像形成装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像表示時の放電を防止し、良好な表示画像
を得るための画像表示装置及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 リアプレート１の支持枠４の近傍に排気
管５を接続し、この排気管５から、リアプレート１とフ
ェースプレート１１とを対向して形成される真空パネル
内に混入した異物を、高電界が印加される部分から真空
パネル外に排出する。適当な角度で真空パネルを傾ける
ことで、重力に対して真空にすべき部分の最下部に穴６
を位置させ、重力により異物を落下させて外部へ除去す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線装置及びそ
の応用である表示装置等の画像形成装置及びその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の２種類が知られており、電子放出時に
さほどの高温を要しない冷陰極素子の画像形成装置への
適用が盛んに行なわれている。

【０００３】冷陰極素子としては、たとえば表面伝導型
電子放出素子や、電界放出型電子放出素子（以下、ＦＥ
型と記す。）や、金属／絶縁層／金属型電子放出素子
（以下、ＭＩＭ型と記す。）などが知られている。

【０００４】表面伝導型電子放出素子としては、たとえ
ば、M.I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys.,10,1290(1
965)や、後述する他の例が知られている。表面伝導型放
出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に
平行に電流を流すことにより電子放出が生ずる現象を利
用するものである。この表面伝導型放出素子としては、
前記エリンソン等によるＳｎＯ₂ 薄膜を用いたものの他
に、Ａｕ薄膜によるもの［G.Dittmer:"Thin Solid Film
s",9,317(1972)］や、Ｉｎ ₂ Ｏ₃ ／ＳｎＯ₂ 薄膜による
もの［M.Hartwell and C.G.Fonsted:"IEEE Trans.ED Co
nf.",519(1983)］や、カ−ボン薄膜によるもの［荒木久
他：真空、第２６巻、第１号、22(1983)］等が報告さ
れている。

【０００５】これらの表面伝導型放出素子の素子構成の
典型的な例として、図１４に前述のM.Hartwellらによる
素子の平面図を示す。同図において、３００１は基板で
あり、３００４はスパッタで形成された金属酸化物より
なる導電性薄膜である。導電性薄膜３００４は図示のよ
うにＨ字形の平面形状に形成されている。該導電性薄膜
３００４に後述の通電フォ−ミングと呼ばれる通電処理
を施すことにより、電子放出部３００５が形成される。
図中の間隔Ｌは、０．５〜１（ｍｍ），Ｗは、０．１
（ｍｍ）で設定されている。なお、図示の便宜から、電
子放出部３００５は導電性薄膜３００４の中央に矩形の
形状で示したが、これは模式的なものであり、実際の電
子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけではな
い。

【０００６】M.Hartwellらによる素子をはじめとして上
述の表面伝導型放出素子においては、電子放出を行う前
に導電性薄膜３００４に通電フォ−ミングと呼ばれる通
電処理を施すことにより電子放出部３００５を形成する
のが一般的であった。即ち、通電フォ−ミングとは、前
記導電性薄膜３００４の両端に一定の直流電圧、もしく
は、例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくりとしたレ−ト
で昇圧する直流電圧を印加して通電し、導電性薄膜３０
０４を局所的に破壊、変形又は変質せしめ、電気的に高
抵抗な状態の電子放出部３００５を形成することであ
る。なお、局所的に破壊もしくは変形もしくは変質した
導電性薄膜３００４の一部には、亀裂が発生する。前記
通電フォ−ミング後に導電性薄膜３００４に適宜の電圧
を印加した場合には、前記亀裂付近において電子放出が
行われる。

【０００７】また、ＦＥ型の例としては、W.P.Dyke &
W.W.Dolan,"Field emission",Advance in Electron Phy
sics,8,89(1956)や、C.A.Spindt,"Physical properties
of thin-film field emission cathodes with molybde
num cones",J.Appl.Phys.,47,5248(1976)などが知られ
ている。

【０００８】ＦＥ型の素子構成の典型的な例として、図
１５に前述のC.A.Spindtによる素子の断面図を示す。同
図において、３０１０は基板で、３０１１は導電材料よ
りなるエミッタ配線、３０１２はエミッタコ−ン、３０
１３は絶縁層、３０１４はゲ−ト電極である。本素子
は、エミッタコ−ン３０１２とゲ−ト電極３０１４の間
に適宜の電圧を印加することにより、エミッタコ−ン３
０１２の先端部より電界放出を起こさせるものである。

【０００９】また、ＦＥ型の他の素子構成として、図１
５のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ
平行にエミッタとゲ−ト電極を配置した例もある。

【００１０】また、ＭＩＭ型の例としては、たとえば、
C.A.Mead,"Operation of tunnel-emission Devices,J.A
ppl.Phys.,32,646(1961)などが知られている。ＭＩＭ型
の素子構成の典型的な例を図１６に示す。同図は断面図
であり、３０２０は基板、３０２１は金属よりなる下電
極、３０２２は厚さ１０（ｎｍ）程度の薄い絶縁層、３
０２３は厚さ８〜３０（ｎｍ）程度の金属よりなる上電
極である。

【００１１】ＭＩＭ型においては、上電極３０２３と下
電極３０２１との間に適宜の電圧を印加することによ
り、上電極３０２３の表面より電子放出を起こさせるも
のである。

【００１２】上述の冷陰極素子は、熱陰極素子と比較し
て低温で電子放出を得ることができるため、加熱用ヒ−
タ−を必要としない。従って、熱陰極素子よりも構造が
単純であり、微細な素子を作成可能である。また、基板
上に多数の素子を高い密度で配置しても、基板の熱溶融
などの問題が発生しにくい。また、熱陰極素子がヒ−タ
−の加熱により動作するため応答速度が遅いのとは異な
り、冷陰極素子の場合には応答速度が速いという利点も
ある。このため、冷陰極素子を応用するための研究が盛
んに行われてきている。

【００１３】たとえば、表面伝導型放出素子は、冷陰極
素子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であること
から、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点があ
る。そこで、たとえば本出願人による特開昭６４−３１
３３２号公報において開示されるように、多数の素子を
配列して駆動するための方法が研究されている。

【００１４】また、表面伝導型放出素子の応用について
は、たとえば、画像表示装置、画像記録装置などの画像
形成装置や、荷電ビ−ム源等が研究されている。特に、
画像表示装置への応用としては、たとえば本出願人によ
るＵＳＰ５，０６６，８８３や特開平２−２５７５５１
号公報、特開平４−２８１３７号公報において開示され
ているように、表面伝導型放出素子と電子ビ−ムの照射
により発光する蛍光体とを組み合わせて用いた画像表示
装置が研究されている。表面伝導型放出素子と蛍光体と
を組み合わせて用いた画像表示装置は、従来の他の方式
の画像表示装置よりも優れた特性が期待されている。た
とえば、近年普及してきた液晶表示装置と比較しても、
自発光型であるためバックライトを必要としない点や、
視野角が広い点が優れていると言える。

【００１５】また、ＦＥ型を多数個並べて駆動する方法
は、たとえば本出願人によるＵＳＰ４，９０４，８９５
に開示されている。また、ＦＥ型を画像表示装置に応用
した例として、たとえば、R.Meyer らにより報告された
平板型表示装置が知られている［R.Meyer:"Recent Deve
lopment on Micro-tips Display at LETI",Tech.Digest
of 4th Int.Vacuum Micro-electronics Conf.,Nagaham
a,pp.6-9(1991)］。

【００１６】また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像表示装
置に応用した例は、たとえば本出願人による特開平３−
５５７３８号公報に開示されている。

【００１７】上記のような電子放出素子を用いた画像形
成装置のうちで、奥行きの薄い平面型表示装置は省スペ
ースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置
に置き換わるものとして注目されている。

【００１８】図１７は平面型の画像表示装置をなす表示
パネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示すた
めにパネルの一部を切り欠いて示している。図中、３１
１５はリアプレート、３１１６は側壁、３１１７はフェ
ースプレートであり、これらリアプレート３１１５、側
壁３１１６及びフェースプレート３１１７により、表示
パネルの内部を真空に維持するための外囲器（気密容
器）を形成している。

【００１９】リアプレート３１１５には基板３１１１が
固定されているが、この基板３１１１上には冷陰極素子
３１１２が、（Ｎ×Ｍ）個形成されている（Ｎ，Ｍは２
以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて
適宜設定される。）。また、前記（Ｎ×Ｍ）個の冷陰極
素子３１１２は、図１７に示すように、Ｍ本の行方向配
線３１１３とＮ本の列方向配線３１１４により配線され
ている。これら基板３１１１、冷陰極素子３１１２、行
方向配線３１１３及び列方向配線３１１４によって構成
される部分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。また、行方向
配線３１１３と列方向配線３１１４の少なくとも交差す
る部分には、両配線間に絶縁層（不図示）が形成されて
おり、電気的な絶縁が保たれている。

【００２０】フェースプレート３１１７の下面には、蛍
光体からなる蛍光膜３１１８が形成されており、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体（不図
示）が塗り分けられている。また、蛍光膜３１１８をな
す上記各色蛍光体の間には黒色体（不図示）が設けてあ
り、さらに蛍光膜３１１８のリアプレート３１１５側の
面には、Ａｌ等からなるメタルバック３１１９が形成さ
れている。

【００２１】Ｄｘ１〜Ｄｘｍ及びＤｙ１〜Ｄｙｎ及びＨ
ｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気的に
接続するために設けた気密構造の電気接続用端子であ
る。Ｄｘ１〜Ｄｘｍはマルチ電子ビーム源の行方向配線
３１１３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎはマルチ電子ビーム源の列
方向配線３１１４と、Ｈｖはメタルバック３１１９と各
々電気的に接続している。

【００２２】また、上記気密容器の内部は１．３×１０
^-4Ｐａ程度の真空に保持されている。

【００２３】以上説明した表示パネルを用いた画像表示
装置は、容器外端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍ、Ｄｙ１〜Ｄｙｎを
通じて各冷陰極素子３１１２に電圧を印加すると、各冷
陰極素子３１１２から電子が放出される。それと同時に
メタルバック３１１９に容器外端子Ｈｖを通じて数百
（Ｖ）〜数（ｋＶ）の高圧を印加して、上記放出された
電子を加速し、フェースプレート３１１７の内面に衝突
させる。これにより、蛍光膜３１１８をなす各色の蛍光
体が励起されて発光し、画像が表示される。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の画
像表示装置の表示パネルにおいては、以下のような問題
点があった。

【００２５】前述のように、冷陰極素子３１１２からの
放出電子を加速するためにマルチビーム電子源とフェー
スプレート３１１７との間には数百（Ｖ）以上の高電圧
（即ち、１（ｋＶ／ｍｍ）以上の高電界）が印加され
る。

【００２６】そのため、冷陰極素子３１１２、行方向配
線３１１３、列方向配線３１１４等を含む、基板３１１
１上とフェースプレート３１１７の間での真空放電が懸
念される。

【００２７】真空放電は、画像表示中に突発的に起こ
り、画像を乱すだけでなく、放電個所近傍の冷陰極素子
３１１２を著しく劣化させ、その後の表示が正常にでき
なくなるという問題があった。

【００２８】この放電の原因としては、基板３１１１及
びフェースプレート３１１７上の突起、異物（ゴミ）の
付着、ガスの吸着等が考えられる。特に、真空パネル内
に異物が混入すると、それらが導電性又は絶縁性に関わ
らず、放電に直結する場合があることを本発明者らは確
認している。

【００２９】これらの異物は、各パネル部材に付着して
いたものがパネル内に混入したり、パネルの組立工程に
おける部材のこすれ等で発生すると考えられ、これらの
安価で簡単な除去方法、構造が望まれていた。

【００３０】本発明は前記問題を克服するものであり、
画像表示時の放電を防止し、良好な表示画像を得るため
の画像表示装置及びその製造方法を提供することを目的
とする。

【００３１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は以下のような各構成を備える。

【００３２】本発明の画像形成装置は、電子ビーム源が
形成されたリアプレートと、前記電子ビーム源からの電
子ビームの照射により発光する蛍光体が形成されたフェ
ースプレートとを対向させて真空容器を構成してなるも
のであって、前記真空容器内に混入した異物を高電界が
印加される部分から取り除くための異物除去手段を備え
る。

【００３３】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記異物除去手段は、前記異物を前記真空容器外に排出
する外部排出部材である。

【００３４】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記外部排出部材は、前記真空容器と通じた少なくとも
１つの排気管である。

【００３５】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記排気管と前記真空容器との接続部分を下方に向けて
前記真空容器を保持した時に、前記真空容器の真空部分
の最下部に前記接続部分が位置する形状とされている。

【００３６】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記フェースプレート又は前記リアプレートの垂線方向
から見た正射影において、前記排気管は、前記真空容器
の真空部分の周辺に接続されている。

【００３７】本発明の画像形成装置の一態様は、前記排
気管と前記真空容器との接続部分に、異物排出用のガイ
ドを備える。

【００３８】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記異物除去手段は、前記異物を前記真空容器内の少な
くとも一つの特定の場所に集積する手段である。

【００３９】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記特定の場所は、前記フェースプレート又は前記リア
プレートの垂線方向から見た正射影において、周辺部分
に設けられた別室である。

【００４０】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記特定の場所は、前記フェースプレート又は前記リア
プレートの下部又は上部に設けられた別室である。

【００４１】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記別室は、前記真空容器と接続されており、接続部に
異物逆流防止機構を備えている。

【００４２】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記異物逆流防止機構は、前記真空容器側から前記別室
方向に向かって接続部分の断面積が徐々に小さくなる形
状とされている。

【００４３】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記異物逆流防止機構は、前記別室に前記異物を集積し
た後に、前記真空容器と前記別室との接続部分を封止す
るものである。

【００４４】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記電子源は、配線に接続された複数の電子放出素子を
有する。

【００４５】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記複数の電子放出素子は、複数の行方向配線と、複数
の列方向配線とによりマトリクス状に結線されている。

【００４６】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記電子放出素子は、冷陰極素子である。

【００４７】本発明の画像形成装置の一態様において、
前記冷陰極素子は、表面伝導型電子放出素子である。

【００４８】本発明の画像形成装置の製造方法は、電子
ビーム源を形成したリアプレートと、電子ビームの照射
により発光する蛍光体を形成したフェースプレートとを
対向させて接続する工程と、前記リアプレートと前記フ
ェースプレートにより封止された空間内に混入した異物
を高電界が印加される部分から取り除く工程と、前記封
止された空間内を真空排気する工程とを有する。

【００４９】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
は、前記封止された空間と通じた少なくとも１つの排気
管から、前記異物を取り除く。

【００５０】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
は、前記封止された空間内を真空排気する工程の後に、
前記異物を取り除く工程を行うようにして、前記異物除
去の際に、前記封止された空間内の少なくとも一つの特
定の場所に、前記異物を集積させる。

【００５１】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
において、前記特定の場所を、前記フェースプレート又
は前記リアプレートの垂線方向から見た正射影におい
て、周辺部分に設けられた別室とする。

【００５２】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
において、前記特定の場所を、前記フェースプレート又
は前記リアプレートの下部又は上部に設けられた別室と
する。

【００５３】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
において、前記別室を、前記封止された空間と接続し、
接続部に異物逆流防止機構を備えたものとする。

【００５４】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
において、前記異物逆流防止機構を、前記封止された空
間側から前記別室方向に向かって接続部分の断面積が徐
々に小さくなる形状とする。

【００５５】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
において、前記異物逆流防止機構により、前記別室に前
記異物を集積した後に、前記封止された空間と前記別室
との接続部分を封止する。

【００５６】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
において、前記電子源を、配線に接続された複数の電子
放出素子を有するものとして形成する。

【００５７】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
において、前記複数の電子放出素子を、複数の行方向配
線と複数の列方向配線とによりマトリクス状に結線して
形成する。

【００５８】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
において、前記電子放出素子を冷陰極素子とする。

【００５９】本発明の画像形成装置の製造方法の一態様
において、前記冷陰極素子を表面伝導型電子放出素子と
する。

【００６０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な諸実施形
態について、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００６１】（第１の実施形態）先ず、第１の実施形態
について具体的に説明する。図１は、本実施例の画像形
成装置の構成を模式的に示す平面図で、フェースプレー
ト１１の上方から見た場合の構成を示しており、便宜上
フェースプレート１１の上半分を取り除いた図となって
いる。

【００６２】図１において、１は電子源を形成するため
の基板を兼ねるリアプレートで、青板ガラスや、表面に
ＳｉＯ₂ 被膜を形成した青板ガラス、Ｎａの含有量を少
なくしたガラス、石英ガラス、あるいはセラミックスな
ど、条件に応じて各種材料を用いる。なお、電子源形成
用の基板をリアプレートと別に設け、電子源を形成した
後に両者を接合してもよい。

【００６３】２は電子源領域であり、電界放出素子、表
面伝導型電子放出素子などの電子放出素子を複数配置
し、更に目的に応じて駆動できるように素子に接続され
た配線を形成したものである。

【００６４】また、３−１，３−２，３−３は前記電子
源と外部の駆動回路とを接続するために、真空パネル内
から真空パネル外部に導出された駆動用の配線である。
４はリアプレート１とフェースプレート１１に挟持され
る支持枠であり、フリットガラス等の接合部材により、
リアプレート１に接合される。電子源駆動用配線３−
１，３−２，３−３は支持枠４とリアプレート１の接合
部でフリットガラスに埋設されて外部に引き出される。
真空容器内には、このほか真空雰囲気保持用のゲッタ
（不図示）が配置される。

【００６５】また場合によっては、耐大気圧支持用のス
ペーサ（不図示）が配置されることもある。１１は蛍光
体を形成するための基板を兼ねるフェースプレートで、
青板ガラスや、表面にＳｉＯ₂ 被膜を形成した青板ガラ
ス、Ｎａの含有量を少なくしたガラス、石英ガラス、あ
るいはセラミックスなど、条件に応じて各種材料を用い
る。７は、高圧導入端子（不図示）との高圧当接部位で
ある。なお、画像表示領域１２について詳しくは後述す
る。

【００６６】５は本実施形態の特徴部分である排気管で
あり、リアプレート１の支持枠４の近傍に接続されてい
る。この排気管５は、リアプレート１とフェースプレー
ト１１とを対向して形成される真空パネル内に混入した
異物を、高電界が印加される部分から真空パネル外に排
出するための異物除去手段（外部排出部材）である。排
気管５の位置関係について、以下で更に説明する。

【００６７】図２（ａ）は、図１の実線Ａ−Ａ’に沿っ
た断面の構成を示す模式図である。図示の如く、排気管
５と真空パネルは、リアプレート１にあけられた穴６を
通して空間的に接続されており、穴６は、一部支持枠４
の角部位にかかるように形成されている。ここで、排気
管５と真空パネルとの接続部分に、異物排出用のガイド
を備えてもよい。

【００６８】この排気管５の配置により、適当な角度で
真空パネルを傾けることで、重力に対して真空にすべき
部分の最下部に穴６を位置させることが可能であること
は、容易に理解できよう。このように適当な角度で真空
パネルを傾けた状態で、重力により異物を落下させる。

【００６９】本実施形態では、排気管５をリアプレート
１側に接続する構成としたが、フェースプレート１１側
に接続してもよい。

【００７０】図２（ｂ）は、図１の実線Ｃ−Ｃ’に沿っ
た断面の構成を示す模式図である。図中、高圧導入端子
１８が画像表示領域１２の高圧当接部位７に接続されて
いる。１８は画像形成部材１２に高電圧（アノード電圧
Ｖａ）を供給するための高電圧導入端子である。該導入
端子１８は、Ａｇ，Ｃｕ等の金属よりなるロッドであ
る。また、高電圧配線をリアプレート１側に取り出すよ
うな構成であってもよい。

【００７１】本実施形態に用いる電子源２を構成する電
子放出素子の種類は、電子放出特性や素子のサイズ等の
性質が目的とする画像形成装置に適したものであれば、
特に限定されるものではない。熱電子放出素子、あるい
は電界放出素子、半導体電子放出素子、ＭＩＭ型電子放
出素子、表面伝導型電子放出素子などの冷陰極素子等が
使用できる。

【００７２】後述する実施形態において示される表面伝
導型電子放出素子は本実施形態に好ましく用いられるも
のであり、上述の本出願人による出願、特開平７−２３
５２５５号公報に記載されたものと同様のものである。
以下、この表面伝導型電子放出素子の構成を説明する。
図３は、表面伝導型電子放出素子単体の構成の一例を示
す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。

【００７３】図３において、４１は電子放出素子を形成
するための基体であり、４２，４３は一対の素子電極、
４４は上記素子電極に接続された導電性膜で、その一部
に電子放出部４５が形成されている。電子放出部４５は
後述するフォーミング処理により、導電性膜４４の一部
が破壊、変形、変質されて形成されて高抵抗の部分で、
導電性膜４４の一部に亀裂が形成され、その近傍から電
子が放出されるものである。

【００７４】上記のフォーミング工程は、上記一対の素
子電極４２，４３間に電圧を印加することにより行う。
印加する電圧は、パルス電圧が好ましく、図４（ａ）に
示した同じ波高値のパルス電圧を印加する方法、図４
（ｂ）に示した波高値を漸増させながらパルス電圧を印
加する方法のいずれの方法を用いてもよい。なお、パル
ス波形は図示した三角波に限定されるものではなく矩形
波等の他の形状であってもよい。

【００７５】フォーミング処理により電子放出部を形成
した後、「活性化工程」と呼ぶ処理を行う。これは、有
機物質の存在する雰囲気中で、上記素子にパルス電圧を
繰り返し印加することにより、炭素又は炭素化合物を主
成分とする物質を、上記電子放出部及び／又はその周辺
に堆積させるもので、この処理により素子電極間を流れ
る電流（素子電流Ｉｆ）、電子放出に伴う電流（放出電
流Ｉｅ）ともに、増大する。

【００７６】このようなフォーミング工程及び活性化工
程を経て得られた電子放出素子は、つづいて安定化工程
を行うことが好ましい。この安定化工程は、真空容器内
の特に電子放出部近傍の有機物質を排気する工程であ
る。真空容器を排気する真空排気装置は、装置から発生
するオイルが素子の特性に影響を与えないように、オイ
ルを使用しないものを用いるのが好ましい。具体的に
は、ソープションポンプとイオンポンプからなる真空排
気装置等を挙げることができる。

【００７７】真空容器内の有機物質の分圧は、上記の炭
素又は炭素化合物がほぼ新たに堆積しない分圧で１．３
×１０^-6Ｐａ（パスカル）以下が好ましく、さらには
１．３×１０^-8Ｐａ以下が特に好ましい。さらに真空容
器内を排気するときには、真空容器全体を加熱して、真
空容器内壁や、電子放出素子に吸着した有機物質分子を
排気しやすくするのが好ましい。このときの加熱条件
は、８０〜２５０℃、好ましくは１５０℃以上で、でき
るだけ長時間処理するのが望ましいが、特にこの条件に
限るものではなく、真空容器の大きさや形状、電子放出
素子の構成などの諸条件により適宜選ばれる条件により
行う。真空容器内の圧力は極力低くすることが必要で、
１×１０^-5Ｐａ以下が好ましく、さらに１．３×１０^-6
Ｐａ以下が特に好ましい。

【００７８】安定化工程を行った後の、駆動時の雰囲気
は、上記安定化処理終了時の雰囲気を維持するのが好ま
しいが、これに限るものではなく、有機物質が十分除去
されていれば、真空度自体は多少低下しても十分安定な
特性を維持することが出来る。

【００７９】このような真空雰囲気を採用することによ
り、新たな炭素又は炭素化合物の堆積を抑制でき、また
真空容器や基板などに吸着したＨ₂ Ｏ，Ｏ₂ なども除去
でき、結果として素子電流Ｉｆ，放出電流Ｉｅが安定す
る。

【００８０】このようにして得られた表面伝導型電子放
出素子の、素子に印加する電圧Ｖｆと素子電流Ｉｆ及び
放出電流Ｉｅの関係は、図５に模式的に示すようなもの
となる。図５においては、放出電流Ｉｅが素子電流Ｉｆ
に比べて著しく小さいので、任意単位で示している。な
お、縦・横軸ともリニアスケールである。

【００８１】図５に示すように、本表面伝導型電子放出
素子はある電圧（しきい値電圧と呼ぶ、図５中のＶｔ
ｈ）以上の素子電圧Ｖｆを印加すると急激に放出電流Ｉ
ｅが増加し、一方しきい値電圧Ｖｔｈ以下では放出電流
Ｉｅがほとんど検出されない。つまり、放出電流Ｉｅに
対する明確なしきい値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子で
ある。これを利用すれば、２次元的に配置した電子放出
素子にマトリクス配線を施し、単純マトリクス駆動によ
り所望の素子から選択的に電子を放出させ、これを画像
形成部材に照射して画像を形成させることが可能であ
る。

【００８２】画像形成部材である蛍光膜の構成の例を説
明する。図６は、蛍光膜を示す模式図である。図中、蛍
光膜５１は、モノクロームの場合は蛍光体のみから構成
することができる。カラーの蛍光膜の場合は、蛍光体の
配列によりブラックストライプあるいはブラックマトリ
クスなどと呼ばれる黒色導電材５２とＲＧＢの３色等の
蛍光体５３とから構成することができる。ブラックスト
ライプ、ブラックマトリクスを設ける目的は、カラー表
示の場合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体５３間の
塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくするこ
とと、蛍光膜５１における外光反射によるコントラスト
の低下を抑制することにある。ブラックストライプの材
料としては、通常用いられている黒鉛を主成分とする材
料の他、導電性があり、光の透過及び反射が少ない材料
を用いることができる。

【００８３】フェースプレート１１に蛍光体を塗布する
方法は、モノクローム、カラーによらず、沈澱法、印刷
法等が採用できる。蛍光膜５１の内面側には、不図示の
メタルバックが設けられる。メタルバックを設ける目的
は、蛍光体５３の発光のうち内面側への光をフェースプ
レート１１側へ鏡面反射させることにより輝度を向上さ
せること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極と
して作用させること、外囲器内で発生した負イオンの衝
突によるダメージから蛍光体５３を保護すること等であ
る。メタルバックは、蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表
面の平滑化処理（通常、「フィルミング」と呼ばれ
る。）を行い、その後Aｌを真空蒸着等を用いて堆積さ
せることで作製できる。

【００８４】フェースプレート１１には、更に蛍光膜５
１の導電性を高めるため、蛍光膜５１の外面側に透明電
極を設けてもよい。

【００８５】カラー表示の場合は、各色蛍光体と電子放
出素子とを対応させる必要があり、十分な位置合わせが
不可欠となる。

【００８６】上述のような構成を有する本実施形態によ
り、薄型の平板型電子線画像形成装置の信頼性を向上さ
せることが可能となる。このように形成された画像形成
装置を用いて、行列配線座標上に形成した電子放出素子
に走査信号と画像信号とを印加し、画像形成部材のメタ
ルバックに高電圧を印加することにより、大型で薄型の
画像を表示する画像表示装置を提供することができる。

【００８７】以下、図面を参照しつつ本発明の画像形成
装置の製造方法についてさらに説明する。表面伝導型電
子放出素子を、基板を兼ねるリアプレート上に複数形成
し、マトリクス状に配線して電子源を形成し、これを用
いて画像形成装置を作成した。以下に図７（ａ）〜
（ｅ）を参照して、作成手順を説明する。

【００８８】（工程−ａ）：洗浄した青板ガラスの表面
に、０．５（μｍ）のＳｉＯ₂ 層をスパッタリングによ
り形成し、リアプレート１とする。続いて、超音波加工
機によりグランド接続端子の導入のための直径４（ｍ
ｍ）の円形の通過孔を形成する。

【００８９】リアプレート１上にスパッタ成膜法とフォ
トリソグラフィー法を用いて表面伝導型電子放出素子の
素子電極２１と２２を形成する。材質は５（ｎｍ）のＴ
ｉ、１００（ｎｍ）のＮｉを積層したものである。素子
電極間隔は２（μｍ）とする（図７（ａ））。

【００９０】（工程−ｂ）：Ａｇペーストを所定の形状
に印刷し、焼成することによりＹ方向配線２３を形成す
る。該配線は電子源形成領域の外部まで延長され、図１
における電子源駆動用配線３−２となる。この配線２３
の幅は約１００（μｍ）、厚さは約１０（μｍ）である
（図７（ｂ））。

【００９１】（工程−ｃ）：ＰｂＯを主成分とし、ガラ
スバインダーを混合したペーストを用い、同じく印刷法
により絶縁層２４を形成する。これは上記Ｙ方向配線２
３と後述のＸ方向配線を絶縁するもので、厚さ約２０
（μｍ）となるように形成する。なお、素子電極２２の
部分には切り欠きを設けて、Ｘ方向配線と素子電極の接
続をとるようにしてある（図７（ｃ））。

【００９２】（工程−ｄ）：Ｘ方向配線２５を上記絶縁
層２４上に形成する（図７（ｄ））。方法はＹ方向配線
２３の場合と同じで、Ｘ方向配線２５の幅は約３００
（μｍ）、厚さは約１０（μｍ）である。次に、ＰｂＯ
微粒子よりなる導電性膜２６を形成する。

【００９３】導電性膜２６の形成方法は、配線２３，２
５を形成したリアプレート１上に、スパッタリング法に
よりＣｒ膜を形成し、フォトリソグラフィー法により、
導電性膜２６の形状に対応する開口部をＣｒ膜に形成す
る。

【００９４】続いて、有機Ｐｄ化合物の溶液（ｃｃｐ−
４２３０：奥野製薬（株）製）を塗布して、大気中３０
０℃、１２分間の焼成を行って、ＰｄＯ微粒子膜を形成
した後、上記Ｃｒ膜をウェットエッチングにより除去し
て、リフトオフにより所定の形状の導電性膜２６とする
（図７（ｅ））。

【００９５】（工程−ｅ）：リアプレート１上に更に、
ＰｂＯを主成分とし、ガラスバインダーを混合したペー
ストを塗布する。なお、その塗布領域は、上記素子電極
２１，２２，Ｘ方向２５及びＹ方向配線２３、導電性膜
２６が形成された領域（図１の電子源領域２）以外であ
って、図１の支持枠４の内側に相当する領域である。

【００９６】（工程−ｇ）：図１、図２に示すように、
リアプレート１とフェースプレート１１との間の隙間を
形成する支持枠４とリアプレート１とをフリットガラス
を用いて接続する。ゲッタ、排気管５の固定もフリット
ガラスを用いて同時に行う。

【００９７】（工程−ｈ）：フェースプレート１１を作
成する。リアプレート１と同様に、ＳｉＯ₂ 層を設けた
青板ガラスを基体として用いる。超音波加工により、排
気管接続用の開口部と高圧接続端子導入口を形成する。
次に、印刷により高圧導入端子当接部と、これを後述の
メタルバックを接続する配線をＡｕにて形成、さらに蛍
光膜のブラックストライプ、次にストライプ状の蛍光体
を形成、フィルミング処理を行った後、この上に厚さ約
２０（μｍ）のＡｌ膜を真空蒸着法により堆積して、メ
タルバックとする。こうして形成された膜のうち、上記
メタルバック上に形成された部分は、入射した電子ビー
ムが反射されるのを制御する効果がある。これにより反
射された電子が真空容器の内壁などに衝突しチャージア
ップを起こすことを防ぐなど、好ましい効果がある。

【００９８】（工程−ｉ）：リアプレート１と接合した
支持枠４をフェースプレート１１とフリットガラスを用
いて接合し、真空パネルを形成する。高電圧導入端子及
び排気管の接合も同時に行う。高圧導入端子はＡｇの棒
である。

【００９９】なお、電子源２の各電子放出素子と、フェ
ースプレート１１の蛍光膜の位置が正確に対応するよう
に、注意深く位置合わせを行う。

【０１００】（工程−ｊ）：次に、以下に示す手法によ
り、排気管５より異物除去の工程を行う。

【０１０１】本実施形態では、その際、異物を真空パネ
ルから浮かせ、効果的に取り除くため、真空パネル全体
に当該真空パネルが割れない程度の衝撃を与える。具体
的にはプラスチックハンマーで、予め求めておいた条件
により、パネル全体で、最高１７０Ｇ、最低１００Ｇの
加速度がかかるようにする。

【０１０２】この時排出された異物は、ガラスフリット
の剥離したものが主であり、大きさは数十（μｍ）から
数百（μｍ）であった。

【０１０３】前記除去方法は、本実施形態に特に好適な
方法であり、パネルの設計や異物の種類により適宜変更
される。

【０１０４】具体的に適応されうる方法としては、上記
のような物理的衝撃で異物を浮かせる方法の他に、異物
に電荷を与えたり、排気管５からのエアーブロー、磁力
の利用などが効果的な場合がある。

【０１０５】また、本実施形態においては、大気中で行
ったが、真空パネルを真空雰囲気にして行ってもよい。

【０１０６】（工程−ｋ）：前記画像形成装置を、排気
管５を介して真空排気装置に接続し、容器内を排気す
る。容器内の圧力が１０^-4Ｐａ以下となったところで、
フォーミング処理を行う。

【０１０７】フォーミング工程は、Ｘ方向の各行毎に、
Ｘ方向配線に図５（Ｂ）に模式的に示すような波高値の
漸増するパルス電圧を印加して行った。パルス間隔Ｔ1
は１０ｓｅｃ．、パルス幅Ｔ2 は１ｍｓｅｃ．とした。
なお、図には示されていないが、フォーミング用のパル
スの間に波高値０．１Ｖの矩形波パルスを挿入して電流
値を測定して、電子放出素子の抵抗値を同時に測定し、
１素子あたりの抵抗値が１ＭΩを越えたところで、その
行のフォーミング処理を終了し、次の行の処理に移る。
これを繰り返して、全ての行についてフォーミング処理
を完了する。

【０１０８】（工程−ｌ）：次に活性化工程処理を行
う。この処理に先立ち、上記画像形成装置を２００℃に
保持しながらイオンポンプにより排気し、圧力を１０^-5
Ｐａ以下まで下げる。続いて、アセトンを真空容器内に
導入する。圧力は、１．３×１０^-2Ｐａとなるよう導入
量を調整した。つづいて、Ｘ方向配線にパルス電圧を印
加する。パルス波形は、波高値１６Ｖの矩形波パルスと
し、パルス幅は１００μｓｅｃ．とし、１パルス毎に１
２５μｓｅｃ間隔でパルスを加えるＸ方向配線を隣の行
に切り替え、順次行方向の各配線にパルスを印加するこ
とを繰り返す。この結果各行には１０ｍｓｅｃ．間隔で
パルスが印加されることになる。この処理の結果、各電
子放出素子の電子放出部近傍に炭素を主成分とする堆積
膜が形成され、素子電流Ｉｆが大きくなる。

【０１０９】（工程−ｍ）：安定化工程として、真空容
器内を再度排気する。排気は、画像形成装置を２００℃
に保持しながら、イオンポンプを用いて１０時間継続し
た。この工程は真空容器内に残留した有機物質分子を除
去し、上記炭素を主成分とする堆積膜のこれ以上の堆積
を防いで、電子放出特性を安定させるためのものであ
る。

【０１１０】（工程−ｎ）：画像形成装置を室温に戻し
た後、（工程−ｌ）と同様の方法でＸ方向配線にパルス
電圧を印加する。更に、上記の高電圧導入端子を通じて
画像形成部材に５ｋＶの電圧を印加すると蛍光膜が発光
する。なお、このとき低抵抗導体５はグランド接続され
ている。目視により、発光しない部分あるいは非常に暗
い部分がないことを確認し、Ｘ方向配線及び画像形成部
材への電圧の印加を止め、排気管を加熱溶着して封止す
る。しかる後、高周波加熱によりゲッタ処理を行い、画
像形成装置を完成する。

【０１１１】以上のようにして製造された画像形成装置
は、輝度の高く、かつ放電の無い良好な画像を表示する
ことができた。また本実施形態は、真空排気のための排
気管を用いて異物を除去するため、安価で簡便な構成で
済み、コスト的に有利である。

【０１１２】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態について、図８を参照して説明する。図８は、第１の
実施形態の図１に相当し、本実施例の画像形成装置の構
成を模式的に示す平面図で、フェースプレート１１の上
方から見た場合の構成を示す。なお、本実施形態では、
第１の実施形態と異なる部分のみ説明する

【０１１３】５は本実施形態の特徴部分である排気管、
４は支持枠であり、図より分かるとおり、排気管５はフ
ェースプレート１１及びリアプレート１と同一平面、即
ち支持枠４の側面に接続されている。

【０１１４】また、支持枠４は排気管との接続部分に切
り欠きがあり、接続部分に向かって傾斜している。

【０１１５】この接続部分が下になるようにパネルを垂
直に保持し、実施例１と同様に異物を除去した。

【０１１６】このように排気管を支持枠側面に接続する
構成にすると、リアプレート１或いはフェースプレート
１１への穴あけ加工をしないで済み、また、保持方法も
安定状態である垂直でよいので、製造方法が更に簡便に
なり、コスト的により有利になる。

【０１１７】以上のようにして製造された画像形成装置
は、輝度の高く、かつ放電の無い良好な画像を表示する
ことができた。

【０１１８】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態について、図９を参照して説明する。本実施形態の画
像形成装置の平面模式図は、第１の実施形態の図１と同
様であり、リアプレート１に穴６があいている。

【０１１９】図９は、第１の実施形態の図２に相当し、
図１の実線Ａ−Ａ’に沿った断面の構成を示す模式図で
ある。

【０１２０】第１の実施形態と異なるのは、漏斗型の逆
流防止弁２１と、別室２２である。別室２２は、穴６と
逆流防止弁２１を介して接続されており、逆流防止弁２
１は、別室の方が断面積が小さくなるように取り付けら
れている。逆流防止弁２１及び別室２２は、共に青板ガ
ラスでできており、第１の実施形態の（工程−ｇ）に相
当する工程で、ガラスフリットにより組み立てられる。

【０１２１】本実施形態では、排気管は別の場所（不図
示）に設ける。また、第１，第２の実施形態では、異物
除去をリアプレート１とフェースプレート１１とを対向
させてパネルを組み立てた後に行ったのに対し、本実施
形態では、前記パネル内を真空排気し、排気管を封じ切
った後に行う。

【０１２２】この構成の場合、画像形成装置完成後に異
物除去を行うことができ、パネル組み立てまでに混入し
た異物に加え、その後のパネル作製工程で混入した異物
に対しても除去効果がある。

【０１２３】具体的には、前述した活性化工程によるガ
ス導入に伴う混入、ベーキング工程による部材からの剥
離などで、パネル組み立て後にも異物が発生することが
ある。

【０１２４】逆流防止弁２１の大きさは、穴６に当接す
る側の直径を６ｍｍ、別室２２に露出する側の直径を１
ｍｍ、高さを５ｍｍ、また、別室２２の高さ及び幅を１
０ｍｍとした。

【０１２５】この逆流防止弁２１の逆流防止効果につい
て、１００μｍ程度の異物を用い筆者らが実験したとこ
ろ、逆流させることは極めて困難であり、通常の画像形
成装置の使用状態においては、一度別室に移動した異物
が逆流することは起こり得ないと考えてよい。

【０１２６】実際に、以上のようにして製造された画像
形成装置は、輝度の高く且つ放電の無い良好な画像を表
示することができた。

【０１２７】また、上記の逆流防止弁２１及び別室２２
の大きさは、本実施例に好適な値であり、パネルの設計
や、異物の種類により、適宜変更される。

【０１２８】また、別室は必ずしも上記の構成でなくて
も良く、以下の要件を満たすように種々の構成をとり得
る。

【０１２９】即ち、表示画像に影響を与えない領域に
あり、重力に対し真空パネルの最下部に位置すること
が可能で、異物閉じ込め機構（逆流防止）を持つ、と
いう各要件を満たせば良い。

【０１３０】例えば、図１０は、第２の実施形態のよう
に、切り欠きのある傾斜付きの支持枠を用い、別室２２
を側面に設けた例である。

【０１３１】また、図１１は、支持枠４の角部と、別室
部材２６により、別室をパネル内に構成した例である。
別室部材２６は支持枠４と同じ高さであり、画像表示面
に垂直なスリット状の開口部が逆流防止機構をもつ。

【０１３２】また、図１２は、支持枠４の１辺と、別室
部材２６により別室を構成した例である。別室部材２６
は、真空容器の１辺と同等な長さの平板状の２つの部材
からなり、それぞれフェースプレート１１及びリアプレ
ート１に取り付けられる。この場合、画像表示面に水平
なスリット状の開口部が逆流防止機構をもつ。

【０１３３】これらの構成では、パネルの厚み方向に余
計な「出っ張り」が無いので、画像表示装置をより薄く
できる。

【０１３４】（第４の実施形態）本発明の第４の実施形
態について、図１３を参照して説明する。本実施形態の
画像形成装置の平面模式図は、第１の実施形態の図１と
同様であり、リアプレートに穴６があいている。

【０１３５】図１３は、第１の実施形態の図２に相当
し、図１の実線Ａ−Ａ’に沿った断面の構成を示す模式
図である。

【０１３６】以下、第３の実施形態と異なる部分のみ説
明する。第３の実施形態と異なるのは、逆流防止弁に相
当する位置にガラス管２３が配置され、その周囲にコイ
ル２４が巻かれ、不図示の外部電源と接続可能なジュメ
ット線２５を設けている点である。

【０１３７】ジュメット線２５は、別室２２の側面より
取り出され、周囲をガラスフリットにより気密されてい
る。

【０１３８】別室２２、ガラス管２３、ジュメット線２
５、コイル２４は、第１の実施形態の（工程−ｇ）に相
当する工程で、組み立てられる。

【０１３９】この構成により、異物除去を行った後、外
部電源よりコイルを加熱してガラス管を溶断し、完全に
異物を閉じ込めることができる。また、逆流防止弁に比
べ、ガラス管２３の径を大きくできるため、より大きい
異物も効果的に除去することが可能である。

【０１４０】

【発明の効果】本発明によれば、各パネル部材より持ち
込まれる異物だけでなく、パネル組み立て工程、或いは
その後の製造工程で発生する異物までも、安価で簡単に
除去することができる。その結果、真空放電を抑制し、
高輝度で良好な画像の表示が可能な画像形成装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の画像形成装置の主要
構成を示す概略平面図である。

【図２】図１の実線Ａ−Ａ’、Ｃ−Ｃ’に沿った概略断
面図である。

【図３】本発明に使用した表面伝導型放出素子を示す模
式図である。

【図４】本発明に使用した表面伝導型放出素子の電子放
出部形成の際に用いるパルス電圧の波形を示す特性図で
ある。

【図５】本発明に使用した表面伝導型放出素子の典型的
な電気特性を示す特性図である。

【図６】本発明の画像表示装置の画像形成部材の構成を
示す模式図である。

【図７】第１の実施形態の画像表示装置の製造工程の一
部を示す概略平面図である。

【図８】本発明の第２の実施形態の画像形成装置の主要
構成を示す概略平面図である。

【図９】本発明の第３の実施形態の画像形成装置の主要
構成を示す概略断面図である。

【図１０】第３の実施形態の一例を示す概略平面図であ
る。

【図１１】第３の実施形態の他の例を示す概略平面図で
ある。

【図１２】第３の実施形態の他の例を示す概略断面図で
ある。

【図１３】本発明の第３の実施形態の画像形成装置の主
要構成を示す概略断面図である。

【図１４】従来知られた表面伝導型放出素子の一例を示
す概略平面図である。

【図１５】従来知られたＦＥ型素子の一例を示す概略断
面図である。

【図１６】従来知られたＭＩＭ型素子の一例を示す概略
断面図である。

【図１７】表示パネル部の一例を示す概略斜視図である

【符号の説明】

１：電子源基板を兼ねるリアプレート ２：電子源領域 ３：電子源駆動用配線 ４：支持枠 ５：排気管 ７：高圧端子当接領域 １１：フェースプレート １２：画像形成部材 １８：高圧導入端子 ２１：逆流防止弁 ２２：フリット ２３：ガラス管 ２４：コイル ２５：ジュメット線 ２６：別室部材

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子ビーム源が形成されたリアプレート
   と、前記電子ビーム源からの電子ビームの照射により発
   光する蛍光体が形成されたフェースプレートとを対向さ
   せて真空容器を構成してなる画像形成装置において、 前記真空容器内に混入した異物を高電界が印加される部
   分から取り除くための異物除去手段を備えることを特徴
   とする画像形成装置。
2. 【請求項２】 前記異物除去手段は、前記異物を前記真
   空容器外に排出する外部排出部材であることを特徴とす
   る請求項１に記載の画像形成装置。
3. 【請求項３】 前記外部排出部材は、前記真空容器と通
   じた少なくとも１つの排気管であることを特徴とする請
   求項２に記載の画像形成装置。
4. 【請求項４】 前記排気管と前記真空容器との接続部分
   を下方に向けて前記真空容器を保持した時に、前記真空
   容器の真空部分の最下部に前記接続部分が位置する形状
   とされていることを特徴とする請求項３に記載の画像形
   成装置。
5. 【請求項５】 前記フェースプレート又は前記リアプレ
   ートの垂線方向から見た正射影において、前記排気管
   は、前記真空容器の真空部分の周辺に接続されているこ
   とを特徴とする請求項３又は４に記載の画像形成装置。
6. 【請求項６】 前記排気管と前記真空容器との接続部分
   に、異物排出用のガイドを備えることを特徴とする請求
   項３〜５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
7. 【請求項７】 前記異物除去手段は、前記異物を前記真
   空容器内の少なくとも一つの特定の場所に集積する手段
   であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装
   置。
8. 【請求項８】 前記特定の場所は、前記フェースプレー
   ト又は前記リアプレートの垂線方向から見た正射影にお
   いて、周辺部分に設けられた別室であることを特徴とす
   る請求項７に記載の画像形成装置。
9. 【請求項９】 前記特定の場所は、前記フェースプレー
   ト又は前記リアプレートの下部又は上部に設けられた別
   室であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装
   置。
10. 【請求項１０】 前記別室は、前記真空容器と接続され
    ており、接続部に異物逆流防止機構を備えていることを
    特徴とする請求項８又は９に記載の画像形成装置。
11. 【請求項１１】 前記異物逆流防止機構は、前記真空容
    器側から前記別室方向に向かって接続部分の断面積が徐
    々に小さくなる形状とされていることを特徴とする請求
    項１０に記載の画像形成装置。
12. 【請求項１２】 前記異物逆流防止機構は、前記別室に
    前記異物を集積した後に、前記真空容器と前記別室との
    接続部分を封止するものであることを特徴とする請求項
    １０に記載の画像形成装置。
13. 【請求項１３】 前記電子源は、配線に接続された複数
    の電子放出素子を有することを特徴とする請求項１〜１
    ２のいずれか１項に記載の画像形成装置。
14. 【請求項１４】 前記複数の電子放出素子は、複数の行
    方向配線と、複数の列方向配線とによりマトリクス状に
    結線されていることを特徴とする請求項１３に記載の画
    像形成装置。
15. 【請求項１５】 前記電子放出素子は、冷陰極素子であ
    ることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の画像形
    成装置。
16. 【請求項１６】 前記冷陰極素子は、表面伝導型電子放
    出素子であることを特徴とする請求項１３〜１５のいず
    れか１項に記載の画像形成装置。
17. 【請求項１７】 電子ビーム源を形成したリアプレート
    と、電子ビームの照射により発光する蛍光体を形成した
    フェースプレートとを対向させて接続する工程と、 前記リアプレートと前記フェースプレートにより封止さ
    れた空間内に混入した異物を高電界が印加される部分か
    ら取り除く工程と、 前記封止された空間内を真空排気する工程とを有するこ
    とを特徴とする画像形成装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記封止された空間と通じた少なくと
    も１つの排気管から、前記異物を取り除くことを特徴と
    する請求項１７に記載の画像形成装置の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記封止された空間内を真空排気する
    工程の後に、前記異物を取り除く工程を行うようにし
    て、 前記異物除去の際に、前記封止された空間内の少なくと
    も一つの特定の場所に、前記異物を集積させることを特
    徴とする請求項１７に記載の画像形成装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記特定の場所を、前記フェースプレ
    ート又は前記リアプレートの垂線方向から見た正射影に
    おいて、周辺部分に設けられた別室とすることを特徴と
    する請求項１９に記載の画像形成装置の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記特定の場所を、前記フェースプレ
    ート又は前記リアプレートの下部又は上部に設けられた
    別室とすることを特徴とする請求項１９に記載の画像形
    成装置の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記別室を、前記封止された空間と接
    続し、接続部に異物逆流防止機構を備えたものとするこ
    とを特徴とする請求項２０又は２１に記載の画像形成装
    置の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記異物逆流防止機構を、前記封止さ
    れた空間側から前記別室方向に向かって接続部分の断面
    積が徐々に小さくなる形状とすることを特徴とする請求
    項２２に記載の画像形成装置の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記異物逆流防止機構により、前記別
    室に前記異物を集積した後に、前記封止された空間と前
    記別室との接続部分を封止することを特徴とする請求項
    ２２に記載の画像形成装置の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記電子源を、配線に接続された複数
    の電子放出素子を有するものとして形成することを特徴
    とする請求項１７〜２４のいずれか１項に記載の画像形
    成装置の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記複数の電子放出素子を、複数の行
    方向配線と複数の列方向配線とによりマトリクス状に結
    線して形成することを特徴とする請求項２５に記載の画
    像形成装置の製造方法。
27. 【請求項２７】 前記電子放出素子を冷陰極素子とする
    ことを特徴とする請求項２５又は２６に記載の画像形成
    装置の製造方法。
28. 【請求項２８】 前記冷陰極素子を表面伝導型電子放出
    素子とすることを特徴とする請求項２５〜２７のいずれ
    か１項に記載の画像形成装置の製造方法。