JP2001179603A - ドレッシング方法 - Google Patents

ドレッシング方法

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JP2001179603A JP37353499A JP37353499A JP2001179603A JP 2001179603 A JP2001179603 A JP 2001179603A JP 37353499 A JP37353499 A JP 37353499A JP 37353499 A JP37353499 A JP 37353499A JP 2001179603 A JP2001179603 A JP 2001179603A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】腐食性の高いスラリーを用いてCMPを行って
も、ダイアモンド砥粒の欠落を防止できるドレッシング
方法を実現すること。 【解決手段】CMPに用いた研磨パッド2をドレッシン
グする際に、研磨パッド2上にpHが9〜12の溶液4
を流し、研磨パッド2上に残ったスラリーの酸化剤を還
元することによって、ダイヤモンド砥粒の欠落を防止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的機械的研磨
(Chemical Mechanical Polishing; CMP)に使用される
研磨パッドのドレッシング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造分野において、
半導体装置の高集積化、半導体素子の微細化に伴い、種
々の微細加工技術が開発されている。その中でも、CM
P技術は、埋込み金属配線、埋込み素子分離などの埋込
み構造を形成するために欠かすことのできない必須の要
素技術になっている。
【0003】CMPによって表面に凹凸を有する被研磨
面を平坦化する場合、研磨特性は研磨パッドの表面状態
の影響を受け、例えば研磨速度は研磨加工が繰り返され
ると研磨パッドの表面が摩耗等によって劣化するので、
研磨加工時間の経過に伴って低下する。
【0004】このような不都合を未然に防止するため
に、研磨加工が一旦終了したら、研磨パッドの表面を回
復あるいは修復するための処理が行われている。この処
理はドレッシングと呼ばれ、例えばダイヤモンドドレッ
サーを用いて行われる。ダイヤモンドドレッサーは、ダ
イアモンド砥粒と、このダイアモンド砥粒を固着する、
蒸着法で形成されたNi膜からなる砥粒固着部材とから
構成されている。
【0005】しかしながら、この種のダイヤモンドドレ
ッサーを用いたドレッシング方法には以下のような問題
があった。すなわち、酸化剤が入った腐食性の高いスラ
リーを用いてCMPを行った場合、ドレッシング中にダ
イアモンド砥粒が欠落し、被研磨面に傷が発生するとい
う問題があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のダ
イヤモンドドレッサーを用いたドレッシング方法は、酸
化剤が入った腐食性の高いスラリーを用いてCMPを行
った場合、ドレッシング中にダイアモンド砥粒が欠落
し、被研磨面に傷が発生するという問題があった。
【0007】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、腐食性の高いスラリー
を用いてCMPを行っても、ドレッシング機能を有する
砥粒の欠落を防止できる、ドレッサーを用いたドレッシ
ング方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】[構成]上記目的を達成
するために、本発明に係る第1のドレッシング方法は、
ドレッシング機能を有する砥粒と、この砥粒を固着する
固着部材とを備えたドレッサーを用いて、化学的機械的
研磨に用いた研磨パッドをドレッシングしている最中ま
たはドレッシングする前に、前記研磨パッド上にpHを
調整した液を流すことを特徴とする。ドレッシングする
前は、該ドレッシング直前の化学的機械的研磨よりも後
であることが好ましい。
【0009】また、本発明に係る第2のドレッシング方
法は、ドレッシング機能を有する砥粒と、この砥粒を固
着する固着部材とを備えたドレッサーを用いて、化学的
機械的研磨に用いた研磨パッドをドレッシングした後
に、前記ドレッサーに前記pHを調整した液を与えるこ
とを特徴とする。
【0010】また、本発明に係る第3のドレッシング方
法は、ドレッシング機能を有する砥粒と、この砥粒を固
着する固着部材とを備えたドレッサーを用いて、化学的
機械的研磨に用いた研磨パッドをドレッシングする際
に、前記固着部材の電位を制御することを特徴とする。
【0011】また、本発明に係る第4のドレッシング方
法は、ドレッシング機能を有する砥粒と、この砥粒を固
着する固着部材と、この固着部材の構成材料よりもイオ
ン化傾向の高い材料からなる、前記固着部材に設けられ
た犠牲陽極とを備えたドレッサーを用いて、化学的機械
的研磨に用いた研磨パッドをドレッシングすることを特
徴とする。
【0012】[作用]酸化剤を含む腐食性の高いスラリ
ーを用いてCMPを行った後、純水でポリッシュ(水ポ
リッシュ)を十分に行っても、研磨パッド上の酸化剤を
完全に除去することは難しい。
【0013】そのため、CMP後に行うドレッシングに
おいて、研磨パッド上に残った酸化剤によってドレッサ
ーの固着部材が腐食し、ダイヤモンド砥粒等のドレッシ
ング機能を有する砥粒(ドレッシング砥粒)が欠落する
と考えられる。
【0014】したがって、研磨パッドまたは固着部材上
に残った酸化剤の影響を軽減し、ドレッサーの腐食を抑
制すれば、ドレッシング中におけるドレッシング砥粒の
欠落を防止でき、その結果として被研磨面に傷が発生す
ることを防止できると考えられる。
【0015】そこで、本発明では、ドレッシング機能を
有する砥粒と、この砥粒を固着する固着部材とを備えた
ドレッサーを用いて、研磨パッドまたは固着部材上に残
った酸化剤の影響を軽減するようにしている。
【0016】具体的には、本発明に係る第1のドレッシ
ング方法では、研磨パッド上にpHを調整した液を流す
ことによって、酸化剤による酸を中和させ、酸化剤の影
響を軽減するようにしている。
【0017】また、本発明に係る第2のドレッシング方
法では、研磨パッドをドレッシングした後、ドレッサー
にpHを調整した液を与えることによって、ドレッサー
上に残った酸化剤による酸を中和させ、酸化剤の影響を
軽減するようにしている。
【0018】また、本発明に係る第3のドレッシング方
法では、ドレッサーの電位を制御することによって、酸
化剤による酸化した固着部材を還元したり、あるいは酸
化剤による固着部材の酸化を未然に防止し、酸化剤の影
響を軽減するようにしている。
【0019】また、本発明に係る第4のドレッシング方
法では、固着部材よりも先に酸化剤の影響を受ける部
材、すなわち固着部材の構成材料よりもイオン化傾向の
高い材料からなる犠牲陽極を固着部材に設けることによ
って、酸化剤の影響を軽減するようにしている。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態(以下、実施形態という)を説明する。
【0021】(第1の実施形態)図1は、本発明の第1
の実施形態に係るドレッシング方法を模式的に示す図で
ある。図中、1はダイヤモンドドレッサー、2は研磨パ
ッド、3はpHが9より大きく、12より小さいドレッ
シングに用いる溶液(pH調整液)4を流すためのノズ
ル(pH調整液滴下用ノズル)を示している。
【0022】ダイヤモンドドレッサー1は、ダイヤモン
ド砥粒と、このダイヤモンド砥粒を固着する砥粒固着部
材とから構成されている。砥粒固着部材は蒸着法によっ
て形成されたNi膜からなる。
【0023】溶液4のpHが9〜12である理由は以下
の通りである。図2はNiの電位−pHを示す図、図3
は図2の概略図である。図から、pHが9より大きく、
12より小さい場合には、Niの腐食が起こらないこと
が分かる。
【0024】したがって、ダイヤモンドドレッサー1を
用いて、CMPに用いた研磨パッド2をドレッシングす
る際に、研磨パッド2上にpHが9〜12の溶液4を流
すことによって、研磨パッド2上に残ったスラリーの酸
化剤を還元でき、さらに還元後もドレッシング中におけ
る砥粒固着部材は腐食されないので、ダイヤモンドドレ
ッシング砥粒の欠落を防止でき、その結果として被研磨
面(例えばウェハ表面、絶縁膜表面、金属膜表面)に傷
が発生することを防止できるようになる。これは歩留ま
りの向上につながる。また、砥粒固着部材に対して高い
腐食性を持ったスラリーを用いることが可能となるた
め、スラリーの選択肢が広がる。
【0025】溶液4は、CMPで使用するスラリーによ
って異なるが、例えば酸化剤Fe(NO3 3 8wt%に
アルミナ0.5wt%を分散させたスラリー(pH1)を
用いる場合には、KOH1%溶液を用いる。上記スラリ
ーはタングステン(W)のCMPに用いられるものであ
る。
【0026】以下、W−CMPを行った場合のドレッシ
ング方法について説明する。まず、上記スラリーを用い
てW−CMPを行った後、水ポリッシュを30秒行う。
ここまでは従来と同じである。次にノズル3から研磨パ
ッド2上にKOH1%溶液を流しながら、ダイヤモンド
ドレッサー1を用いてドレッシングを30秒間行う。本
ドレッシング方法によれば、研磨パッド2上にKOH1
%溶液を流すことでNi腐食を防止できるので、被研磨
面(例えば、Wダマシン配線の表面)に傷を発生させる
ことなく、ドレッシングを行えるようになる。
【0027】これに対して、従来方法では、水ポリッシ
ュの後、純水でダイアモンドドレッサーを用いて研磨パ
ッドのドレッシングを30秒間行っていた。しかし、水
では研磨パッド2上に残ったスラリーの酸化剤を還元で
きず、被研磨面に傷が発生してしまい、本発明の効果を
得ることはできない。
【0028】なお、KOH1%溶液を流す期間はドレッ
シングの全期間あるいは一部の期間のいずれでも良い。
また、KOH1%溶液はドレッシングを行う前に流して
も良い。この場合、KOH1%溶液は該ドレッシング直
前のCMPの後に流すことが好ましい。その後、純水で
ダイアモンドドレッサー1を用いて研磨パッド2のドレ
ッシングを行う。
【0029】(第2の実施形態)図4は、本発明の第2
の実施形態に係るドレッシング方法を模式的に示す図で
ある。図中、11はダイヤモンドドレッサー、12はダ
イヤモンドドレッサー11を洗浄するドレッサー受け、
13はpHが9より大きく、12より小さいドレッシン
グに用いる溶液(pH調整液)14をドレッサー受け1
2に注入するためのノズル(pH調整液滴下用ノズ
ル)、15は洗浄用の純水16をドレッサー受け12に
注入するためのノズル(純水供給用ノズル)を示してい
る。
【0030】ドレッサー受け12には、例えば100m
l/minで純水16が純水供給用ノズル15から注入
される同時に、例えば1ml/minでKOH10%水
溶液がpH調整液滴下用ノズル13から注入される。
【0031】本実施形態では、ダイヤモンドドレッサー
11を用いて、CMPに用いた研磨パッドをドレッシン
グした後、ダイヤモンドドレッサー11にpH調整液1
4を与える。これにより、ドレッシング後にダイヤモン
ドドレッサー11上に残った酸化剤を中和できる。
【0032】その結果、次のドレッシング時に上記酸化
剤が研磨パッドに残ることが無くなると同時に、ダイヤ
モンドドレッサー11上に残ったpH調整液14によっ
て研磨パッド上に予め残っていた酸化剤を還元できるの
で、被研磨面に傷を発生させることなく、ドレッシング
を行えるようになる。
【0033】これに対して、従来方法は、ドレッサー受
け12には100ml/minで純水16がノズル15
から注入されているだけである。しかし、水では研磨パ
ッド上に残ったスラリーの酸化剤を還元できず、被研磨
面に傷が発生してしまい、本発明の効果を得ることはで
きない。
【0034】また、本実施形態の場合、第1の実施形態
とは異なり、ドレッシング時に研磨パッド上にpH調整
液14を流し続ける必要がないので、pH調整液14の
薬品が研磨パッド上に残留して研磨特性が変化する影響
を考慮する必要がない。
【0035】(第3の実施形態)本実施形態のドレッシ
ング方法は、ダイヤモンドドレッサーを用いて、CMP
に用いた研磨パッドをドレッシングする際に、ダイヤモ
ンドドレッサーの砥粒固着部材の電位を制御して、砥粒
固着部材のpHを上記所定の範囲内に収めることによ
り、酸化剤により酸化した砥粒固着部材を還元したり、
あるいは酸化剤による砥粒固着部材の酸化を未然に防止
し、もって被研磨面に傷が発生することを防止するとい
う方法である。
【0036】さらに、本ドレッシング方法はCMP中に
実施でき、in-situ コンディショニングが可能となる。
したがって、研磨粒子の研磨パッドへの保持力が持続的
に保たれ、研磨特性の安定および向上を図れるようにな
る。
【0037】図5に、本ドレッシング方法を実施するた
めの装置の一例を示す。同図(a)は同装置の断面図、
同図(b)は同装置を下から見た図を示している。図
中、21は炭素電極、22はダイヤモンドドレッサー、
23は砥粒固着部材、24はダイアモンド砥粒、25は
基盤(例えばSUS304基盤)、26は陽極電線、2
7は陰極電線、28は電位保持回路、29は絶縁体スペ
ーサ、30はスラリー31を研磨パッド32に流すため
のノズル(スラリー滴下用ノズル)、33はドレッサー
シャフトを示している。スラリー31は、例えばW−C
MP用スラリー等の高い腐食性を有するものである。
【0038】炭素電極21を用いた理由はスラリー31
に侵されにくいからである。炭素電極21以外にもPt
電極も使用可能である。炭素電極21はダイアモンドド
レッサー22の中央に設けられ、炭素電極21およびダ
イアモンドドレッサー22は基盤25上に保持されてい
る。
【0039】炭素電極21は陽極電線26を介して電位
保持回路28に接続し、ダイアモンドドレッサー22は
陰極電線27を介して電位保持回路28に接続されてお
り、炭素電極21に対するダイアモンドドレッサー22
の砥粒固着部材23の電位を負に設定できるようになっ
ている。
【0040】したがって、CMP中に、砥粒固着部材2
3の電位をスラリー31のpHに対応した所定の値に設
定し、砥粒固着部材23を還元することによって、砥粒
固着部材23のスラリー31による酸化による腐食を防
止できる。
【0041】上記スラリー31のpHに対応した所定の
値とは、スラリー31のpHが9以下の場合には標準電
極電位基準で−0.5V、スラリー31のpHが9より
大きく、12より小さい場合には標準電極電位基準で−
0.6V、スラリー31のpHが12以下の場合には標
準電極電位基準で−0.9V以下である。
【0042】なお、ドレッシングの最中に、電位保持回
路28により、陽極電線26、陰極電線27の電位の大
小関係を逆にしても良い。これに各電極26,27に析
出した物質を減らすことが可能となる。
【0043】(第4の実施形態)本実施形態のドレッシ
ング方法は、ダイアモンド砥粒と、このダイアモンド砥
粒を固着するNiからなる砥粒固着部材と、Niよりも
イオン化傾向の高い材料であるZnからなり、砥粒固着
部材と同電位にあるNi犠牲陽極とを備えたドレッサー
を用いて、CMPに用いた研磨パッドをドレッシングす
るという方法である。
【0044】同一電位にNiとZnとがあると、よりイ
オン傾向の高いZnのほうが先に溶解する。そのため、
ドレッシングの最中には、砥粒固着部材中のNi(ドレ
ッサー母材金属)よりもNi犠牲陽極中にZnのほうが
先に腐食する。したがって、砥粒固着部材の腐食による
ダイヤモンド砥粒の欠落を防止でき、被研磨面に傷が発
生することを防止できるようになる。
【0045】本実施形態のドレッシング方法は、第1〜
第3の実施形態と異なり、高価なpH調整用の溶液や電
位を制御する機構が不要なので、少ないコストでも効果
的にダイヤモンドドレッサーの腐食を防止できる。
【0046】図6に、本実施形態のドレッシング方法を
実施するためのダイアモンドドレッサーの一例を示す。
同図(a)は同装置の断面図、同図(b)は同装置を下
から見た図を示している。図中、41は基盤(例えばS
US304基盤)、42は砥粒固着部材、43はダイア
モンド砥粒、44はZn犠牲陽極を示している。
【0047】SUS304基盤41上にはトーラス状の
砥粒固着部材42が設けられている。この砥粒固着部材
42の表面にはダイアモンド砥粒43が埋め込まれてい
る。砥粒固着部材42の開口内のSUS304基盤41
上には、砥粒固着部材42よりも薄いZn犠牲陽極44
が設けられている。
【0048】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、上記実施形態では、ダイヤモ
ンドドレッサーを用いたが、ダイアモンド以外の他のド
レッシング機能を有する砥粒からなるドレッサーを用い
ても良い。また、ドレッシング機能を有する砥粒を固着
する固着部材の材料にNiを用いたが他の材料を用いて
も良い。
【0049】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施できる。
【0050】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、ド
レッシングに用いるドレッサーの腐食を防止でき、CM
P中に被研磨面に傷が発生することを防止できるように
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るドレッシング方
法を模式的に示す図
【図2】Niの電位−pHを示す図
【図3】図2のNiの電位−pHの概略図
【図4】本発明の第2の実施形態に係るドレッシング方
法を模式的に示す図
【図5】本発明の第3の実施形態に係るドレッシング方
法を実施するための装置の一例を示す図
【図6】本発明の第3の実施形態に係るドレッシング方
法を実施するための装置の一例を示す図
【符号の説明】
1…ダイヤモンドドレッサー 2…研磨パッド 3…ノズル 4…pH調整液 11…ダイヤモンドドレッサー 12…ドレッサー受け 13…pH調整液滴下用ノズル 14…pH調整液 15…純水供給用ノズル 16…純水 21…炭素電極 22…ダイヤモンドドレッサー 23…砥粒固着部材 24…ダイアモンド砥粒 25…基盤 26…陽極電線 27…陰極電線 28…電位保持回路 29…絶縁体スペーサ 30…スラリー滴下用ノズル 31…スラリー 32…研磨パッド 33…ドレッサーシャフト 41…基盤 42…砥粒固着部材 43…ダイアモンド砥粒 44…Zn犠牲陽極

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ドレッシング機能を有する砥粒と、この砥
    粒を固着する固着部材とを備えたドレッサーを用いて、
    化学的機械的研磨に用いた研磨パッドをドレッシングし
    ている最中またはドレッシングする前に、前記研磨パッ
    ド上にpHを調整した液を流すことを特徴とするドレッ
    シング方法。
  2. 【請求項2】ドレッシング機能を有する砥粒と、この砥
    粒を固着する固着部材とを備えたドレッサーを用いて、
    化学的機械的研磨に用いた研磨パッドをドレッシングし
    た後、前記ドレッサーにpHを調整した液を与えること
    を特徴とするドレッシング方法。
  3. 【請求項3】前記ドレッサーを洗浄するドレッサー受け
    内の液体のPHを調整することによって、前記ドレッサ
    ーにpHを調整した液を与えることを特徴とする請求項
    2に記載のドレッシング方法。
  4. 【請求項4】前記砥粒はダイアモンド砥粒、前記固着部
    材の構成材料はNi、前記pHを調整した液のpHは9
    より大きく、12より小さいことを特徴とする請求項1
    ないし請求項3のいずれか1項に記載のドレッシング方
    法。
  5. 【請求項5】ドレッシング機能を有する砥粒と、この砥
    粒を固着する固着部材とを備えたドレッサーを用いて、
    化学的機械的研磨に用いた研磨パッドをドレッシングす
    る際に、前記固着部材の電位を制御することを特徴とす
    るドレッシング方法。
  6. 【請求項6】前記ドレッサーは炭素からなる電極をさら
    に有し、この電極と前記固着部材との間の電位差を制御
    することで、前記固着部材の電位を制御することを特徴
    とする請求項5に記載のドレッシング方法。
  7. 【請求項7】前記砥粒はダイアモンド砥粒、前記固着部
    材の構成材料はNiであり、かつ前記化学的機械的研磨
    に用いたスラリーのpHが9以下の場合には前記固着部
    材の電位を標準電極電位基準で−0.5V以下に制御
    し、前記スラリーのpHが9より大きく、12より小さ
    い場合には前記固着部材の電位を標準電極電位基準で−
    0.6V以下に制御し、前記スラリーのpHが12以下
    の場合には前記固着部材の電位を標準電極電位基準で−
    0.9V以下に制御することを特徴とする請求項5に記
    載のドレッシング方法。
  8. 【請求項8】ドレッシング機能を有する砥粒と、この砥
    粒を固着する固着部材と、この固着部材の構成材料より
    もイオン化傾向の高い材料からなる、前記固着部材に設
    けられた犠牲陽極とを備えたドレッサーを用いて、化学
    的機械的研磨に用いた研磨パッドをドレッシングするこ
    とを特徴とするドレッシング方法。
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Cited By (4)

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