JP2001179475A - 両面キャリアテープの製造方法 - Google Patents
両面キャリアテープの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 両面キャリアテープにおける高密度化と、容
易かつ効率的に微小孔径化ビアホールを形成できる両面
キャリアテープの低コスト製造方法。 【解決手段】 第１の導体層と、ポリイミドを主成分と
する絶縁樹脂層と、第２の導体層とを積層してなる両面
キャリアテープの製造方法において、エッチングにより
表面の導体層を孔明けし、次いで基材の照射面でのエネ
ルギー密度が３〜５０J/cm2 になるように調節されたレ
ーザビームを単方向に掃引する装置及びビーム掃引方向
に対し略直角方向に移動する加工用テーブルを備えた連
続波炭酸ガスレーザにより、絶縁樹脂層を孔明けして開
口部の下にある導体層に達するビアホールを形成した
後、電解メッキ又は無電解メッキにより導体層を形成す
る。
易かつ効率的に微小孔径化ビアホールを形成できる両面
キャリアテープの低コスト製造方法。 【解決手段】 第１の導体層と、ポリイミドを主成分と
する絶縁樹脂層と、第２の導体層とを積層してなる両面
キャリアテープの製造方法において、エッチングにより
表面の導体層を孔明けし、次いで基材の照射面でのエネ
ルギー密度が３〜５０J/cm2 になるように調節されたレ
ーザビームを単方向に掃引する装置及びビーム掃引方向
に対し略直角方向に移動する加工用テーブルを備えた連
続波炭酸ガスレーザにより、絶縁樹脂層を孔明けして開
口部の下にある導体層に達するビアホールを形成した
後、電解メッキ又は無電解メッキにより導体層を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品として用
いられる両面キャリアテープの製造方法に関するもので
ある。
いられる両面キャリアテープの製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】電子部品として用いられる両面キャリア
テープは、一般にインナーリード等の配線パターンをテ
ープ状絶縁体基板の表面に配置し、これらのパターンを
ビアホール、デバイスホールなどで基板裏面のグランド
パターンに接続する。
テープは、一般にインナーリード等の配線パターンをテ
ープ状絶縁体基板の表面に配置し、これらのパターンを
ビアホール、デバイスホールなどで基板裏面のグランド
パターンに接続する。
【０００３】ビアホールは絶縁体を貫通してリード部に
達する貫通孔であって、その壁面は銅メッキを形成して
表面のパターンと裏面とを電気的に導通させる役割を担
っている。このビアホールの加工方法にはウエットエッ
チング法が採用されており、その方法は銅箔面にフォト
レジストを形成し、所望のビアホールパターンをフォト
リソグラフィー技術を用いてパターンニングし、露出し
た銅箔をエッチングした後に、フォトレジストを剥離す
れば銅箔にビアホールパターンが形成されるので、所望
のビアホール形成位置に絶縁体が露出する。次いで、ビ
アホールパターンが形成された銅箔層をエッチングマス
クとして、基材を強アルカリ溶液に浸漬して、絶縁体露
出部をエッチングしてこの部分の絶縁体をパターンに至
るまで完全に除去し、貫通孔を形成することによって所
望のビアホールを得ることができる。
達する貫通孔であって、その壁面は銅メッキを形成して
表面のパターンと裏面とを電気的に導通させる役割を担
っている。このビアホールの加工方法にはウエットエッ
チング法が採用されており、その方法は銅箔面にフォト
レジストを形成し、所望のビアホールパターンをフォト
リソグラフィー技術を用いてパターンニングし、露出し
た銅箔をエッチングした後に、フォトレジストを剥離す
れば銅箔にビアホールパターンが形成されるので、所望
のビアホール形成位置に絶縁体が露出する。次いで、ビ
アホールパターンが形成された銅箔層をエッチングマス
クとして、基材を強アルカリ溶液に浸漬して、絶縁体露
出部をエッチングしてこの部分の絶縁体をパターンに至
るまで完全に除去し、貫通孔を形成することによって所
望のビアホールを得ることができる。
【０００４】しかしながら、表面に形成されている配線
部分は、高密度化の要求が高まるにつれてパターン幅の
狭い多ピン化が進められており、例えばパターン幅３０
μmに対してパターンギャップが３０μmであるような狭
いピッチの製品も製作されているので、ビアホールもこ
のような極めて幅の狭いパターン上に形成しなければな
らない。そして、ビアホールはパターンからはみ出して
形成することは許されないので、絶縁体のエッチング加
工を行うに当たっては、表面と裏面との位置合わせの精
度を考慮すれば、パターン上の絶縁体の溶解除去により
得られるビアホールの孔径をパターン幅よりも小さく形
成する必要がある。
部分は、高密度化の要求が高まるにつれてパターン幅の
狭い多ピン化が進められており、例えばパターン幅３０
μmに対してパターンギャップが３０μmであるような狭
いピッチの製品も製作されているので、ビアホールもこ
のような極めて幅の狭いパターン上に形成しなければな
らない。そして、ビアホールはパターンからはみ出して
形成することは許されないので、絶縁体のエッチング加
工を行うに当たっては、表面と裏面との位置合わせの精
度を考慮すれば、パターン上の絶縁体の溶解除去により
得られるビアホールの孔径をパターン幅よりも小さく形
成する必要がある。
【０００５】ところが、従来のウエットエッチング法で
は、サイドエッチングと呼ばれる横方向へのエッチング
も同時に進行するために、開口部の壁面が垂直に形成さ
れずテーパーを形成してすり鉢状になるので、絶縁体表
面の開口径が底部の径よりも大きくなってしまう。配線
パターンの高密度化に伴い、ビアホールも高密度化され
なければならないが、隣接するビアホールの距離も当然
小さくなるために、上記したサイドエッチングによる絶
縁体表面部の開口径の拡大はビアホール高密度化の阻害
要因となる。これに加えて、エッチング液は絶縁体の溶
解量が増えることで老化し、エッチング能力が低下する
ために、ビアホールの加工寸法の経時的な変化が避けら
れず、加工精度に微妙な影響を与えるのでエッチング時
間をコントロールする必要があり、これもビアホールの
高密度化、微小孔径化の障害となっていた。
は、サイドエッチングと呼ばれる横方向へのエッチング
も同時に進行するために、開口部の壁面が垂直に形成さ
れずテーパーを形成してすり鉢状になるので、絶縁体表
面の開口径が底部の径よりも大きくなってしまう。配線
パターンの高密度化に伴い、ビアホールも高密度化され
なければならないが、隣接するビアホールの距離も当然
小さくなるために、上記したサイドエッチングによる絶
縁体表面部の開口径の拡大はビアホール高密度化の阻害
要因となる。これに加えて、エッチング液は絶縁体の溶
解量が増えることで老化し、エッチング能力が低下する
ために、ビアホールの加工寸法の経時的な変化が避けら
れず、加工精度に微妙な影響を与えるのでエッチング時
間をコントロールする必要があり、これもビアホールの
高密度化、微小孔径化の障害となっていた。
【０００６】一方、炭酸ガスレーザを用いて回路基板に
孔明けする方法は、特開平５−５５７２４号公報、特開
平３−２１０９８４号公報などにより公知である。通常
の炭酸ガスレーザでは、数十torrに圧力調整した炭酸ガ
ス等のレーザガス中で放電励起を行い、放電励起の開始
後数十μs以内に利得が発振しきい値に達したところで
発振が始まる。それゆえ、炭酸ガスレーザにおける発振
は、自然の成り行きまかせでしかなく、発振のタイミン
グやレーザ強度が不規則なものであった。
孔明けする方法は、特開平５−５５７２４号公報、特開
平３−２１０９８４号公報などにより公知である。通常
の炭酸ガスレーザでは、数十torrに圧力調整した炭酸ガ
ス等のレーザガス中で放電励起を行い、放電励起の開始
後数十μs以内に利得が発振しきい値に達したところで
発振が始まる。それゆえ、炭酸ガスレーザにおける発振
は、自然の成り行きまかせでしかなく、発振のタイミン
グやレーザ強度が不規則なものであった。
【０００７】一般に、レーザによる樹脂の加工は、レー
ザ光のピーク出力の大きさとパルスの繰り返し周波数が
重要なファクターといわれてきた。すなわち、樹脂開口
の際の樹脂除去は、パルスレーザ光吸収による急速加熱
と蒸発及び蒸発ガスの反発力により行われるので、レー
ザパルスの立ち上がりが速いものが好ましく、そのため
にピーク出力が大きいものが望ましいというものであ
る。そこで、例えば特開平１１−１２１９０２号公報に
示されているような、発振のタイミングが人為的に制御
可能であり、またピーク出力が数十kw以上に及ぶＱスイ
ッチ化された炭酸ガスレーザを用いる方法が用いられる
ようになってきた。
ザ光のピーク出力の大きさとパルスの繰り返し周波数が
重要なファクターといわれてきた。すなわち、樹脂開口
の際の樹脂除去は、パルスレーザ光吸収による急速加熱
と蒸発及び蒸発ガスの反発力により行われるので、レー
ザパルスの立ち上がりが速いものが好ましく、そのため
にピーク出力が大きいものが望ましいというものであ
る。そこで、例えば特開平１１−１２１９０２号公報に
示されているような、発振のタイミングが人為的に制御
可能であり、またピーク出力が数十kw以上に及ぶＱスイ
ッチ化された炭酸ガスレーザを用いる方法が用いられる
ようになってきた。
【０００８】しかしながら、このようなＱスイッチ化さ
れた炭酸ガスレーザ発振器は、Ｑスイッチ化によってそ
の平均出力がかなり低下する。樹脂の開口には、ピーク
出力にかかわらずある一定のレーザエネルギーが必要と
なるが、平均出力の低下によって、樹脂の開口速度が下
がり、低コストで安定的に超精密加工する上で問題とな
っていた。
れた炭酸ガスレーザ発振器は、Ｑスイッチ化によってそ
の平均出力がかなり低下する。樹脂の開口には、ピーク
出力にかかわらずある一定のレーザエネルギーが必要と
なるが、平均出力の低下によって、樹脂の開口速度が下
がり、低コストで安定的に超精密加工する上で問題とな
っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、両面キャリアテープの製造における高密度化
と、微小孔径化ビアホールを形成する上で上記した問題
を解決し、容易かつ効率的にビアホールを形成し、低コ
ストで両面キャリアテープを製造する方法を提供するこ
とにある。
目的は、両面キャリアテープの製造における高密度化
と、微小孔径化ビアホールを形成する上で上記した問題
を解決し、容易かつ効率的にビアホールを形成し、低コ
ストで両面キャリアテープを製造する方法を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
を解決するために鋭意検討した結果、両面キャリアテー
プの製造において、連続波のレーザビームを単方向に規
則正しく掃引すれば、連続波のアニール効果によって、
高ピーク出力であるＱスイッチ化されたレーザビームを
用いた場合の樹脂加工品質と同等以上の品質を実現し、
かつ高平均出力を同時に実現できるため、高速度で樹脂
にビアホールを形成することが可能であることを見いだ
し、本発明に到達した。
を解決するために鋭意検討した結果、両面キャリアテー
プの製造において、連続波のレーザビームを単方向に規
則正しく掃引すれば、連続波のアニール効果によって、
高ピーク出力であるＱスイッチ化されたレーザビームを
用いた場合の樹脂加工品質と同等以上の品質を実現し、
かつ高平均出力を同時に実現できるため、高速度で樹脂
にビアホールを形成することが可能であることを見いだ
し、本発明に到達した。
【００１１】すなわち、本発明は、第１の導体層と、ポ
リイミドを主成分とする絶縁樹脂層と、第２の導体層と
を積層してなる両面キャリアテープの製造方法におい
て、エッチングにより表面の導体層を孔明けし、次いで
基材の照射面でのエネルギー密度が３〜５０J/cm2 にな
るように調節されたレーザビームを単方向に掃引する装
置及びビーム掃引方向に対して略直角方向に移動する加
工用テーブルを備えた連続波炭酸ガスレーザにより、絶
縁樹脂層を孔明けして開口部の下にある導体層に達する
ビアホールを形成した後、電解メッキ又は無電解メッキ
により導体層を形成することを特徴とする両面キャリア
テープの製造方法である。
リイミドを主成分とする絶縁樹脂層と、第２の導体層と
を積層してなる両面キャリアテープの製造方法におい
て、エッチングにより表面の導体層を孔明けし、次いで
基材の照射面でのエネルギー密度が３〜５０J/cm2 にな
るように調節されたレーザビームを単方向に掃引する装
置及びビーム掃引方向に対して略直角方向に移動する加
工用テーブルを備えた連続波炭酸ガスレーザにより、絶
縁樹脂層を孔明けして開口部の下にある導体層に達する
ビアホールを形成した後、電解メッキ又は無電解メッキ
により導体層を形成することを特徴とする両面キャリア
テープの製造方法である。
【００１２】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明の両面キャリアテープの製造方法は、絶縁樹脂層に
孔明けしてビアホール形成する際、レーザビームを単方
向に掃引する装置及びレーザビーム掃引方向に対して略
直角方向に移動する加工テーブルを備えた連続波炭酸ガ
スレーザ加工装置を用い、かつ基材の照射面でのエネル
ギー密度が３〜５０J/cm2とすることにより、超精密加
工と高速加工を可能にしたものである。
発明の両面キャリアテープの製造方法は、絶縁樹脂層に
孔明けしてビアホール形成する際、レーザビームを単方
向に掃引する装置及びレーザビーム掃引方向に対して略
直角方向に移動する加工テーブルを備えた連続波炭酸ガ
スレーザ加工装置を用い、かつ基材の照射面でのエネル
ギー密度が３〜５０J/cm2とすることにより、超精密加
工と高速加工を可能にしたものである。
【００１３】この連続波炭酸ガスレーザ発振装置は、発
振波長が９．２〜９．７μmである連続発振可能な公知
の炭酸ガスレーザ発振装置を用いればよく、好ましくは
平均出力が１００w以上、更に好ましくは５００w以上の
炭酸ガスレーザ発振装置を用いることがよい。
振波長が９．２〜９．７μmである連続発振可能な公知
の炭酸ガスレーザ発振装置を用いればよく、好ましくは
平均出力が１００w以上、更に好ましくは５００w以上の
炭酸ガスレーザ発振装置を用いることがよい。
【００１４】本発明において、基材として絶縁層の両面
に導体層を有する積層体を用いる。この絶縁層を構成す
る樹脂（絶縁樹脂）としては、ポリイミドを主成分とす
るものであればよく、例えばポリイミド又は変性ポリイ
ミド樹脂などが挙げられる。そして、加工後の寸法安定
性を考慮し、熱膨張係数が３×１０-5／℃以下であるこ
とが好ましい。熱膨張係数がこれより大きいと導体層と
熱膨張係数の差が大きくなり、導体層を加工した後に反
りなどが発生する原因となる。絶縁体樹脂層の厚みは５
〜１００μmであり、レーザによる加工性と絶縁性のバ
ランスを考慮すると好ましくは１０〜５０μmである。
に導体層を有する積層体を用いる。この絶縁層を構成す
る樹脂（絶縁樹脂）としては、ポリイミドを主成分とす
るものであればよく、例えばポリイミド又は変性ポリイ
ミド樹脂などが挙げられる。そして、加工後の寸法安定
性を考慮し、熱膨張係数が３×１０-5／℃以下であるこ
とが好ましい。熱膨張係数がこれより大きいと導体層と
熱膨張係数の差が大きくなり、導体層を加工した後に反
りなどが発生する原因となる。絶縁体樹脂層の厚みは５
〜１００μmであり、レーザによる加工性と絶縁性のバ
ランスを考慮すると好ましくは１０〜５０μmである。
【００１５】また、導体層に用いられる金属としては、
例えば銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケ
ル、クロム、モリブデン、タングステン又はそれらの合
金などを挙げることができ、好ましくは銅である。
例えば銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケ
ル、クロム、モリブデン、タングステン又はそれらの合
金などを挙げることができ、好ましくは銅である。
【００１６】本発明においては、片側の導体層をあらか
じめウエットエッチングなどにより孔明け加工したもの
を次のビアホール形成用貫通孔作製のためのメタルマス
タとして使用する。導体層に孔明け加工などを行うに
は、導体層の回路加工は感光性樹脂を塗布するか、ある
いは通常の感光性ドライフィルムをラミネートした後、
所望のマスクパターンを載せて紫外線照射で感光性樹脂
層を感光させて現像した後、塩化第二鉄等のエッチング
液でエッチングするなど公知方法によるものでよい。
じめウエットエッチングなどにより孔明け加工したもの
を次のビアホール形成用貫通孔作製のためのメタルマス
タとして使用する。導体層に孔明け加工などを行うに
は、導体層の回路加工は感光性樹脂を塗布するか、ある
いは通常の感光性ドライフィルムをラミネートした後、
所望のマスクパターンを載せて紫外線照射で感光性樹脂
層を感光させて現像した後、塩化第二鉄等のエッチング
液でエッチングするなど公知方法によるものでよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、図７に基づき、本発明によ
るレーザ加工方法を詳細に説明する。図７は、本発明に
用いるレーザ加工装置の一例を模式的に示す図面であ
る。このレーザ加工装置は、レーザ発振器１１、駆動ミ
ラー装置１２、集光レンズ１３及び加工テーブル１５を
備えている。
るレーザ加工方法を詳細に説明する。図７は、本発明に
用いるレーザ加工装置の一例を模式的に示す図面であ
る。このレーザ加工装置は、レーザ発振器１１、駆動ミ
ラー装置１２、集光レンズ１３及び加工テーブル１５を
備えている。
【００１８】レーザ発振器１１から発振されたレーザビ
ーム１４を、基材１６の除去加工したい絶縁樹脂部分に
照射するにはレーザビームを掃引する必要がある。レー
ザビームの掃引方法は、特に限定されるものではなく、
例えば公知のレーザ加工で使用されるミラー装置を使用
することでよい。このような掃引可能な駆動ミラー装置
１２としては、平面ミラーを、平面を含む軸に対してあ
る角度で往復で回転運動させることのできるガルバノミ
ラースキャナーや、多角形ミラーを回転させるポリゴン
ミラースキャナが知られており、いずれも使用すること
ができる。
ーム１４を、基材１６の除去加工したい絶縁樹脂部分に
照射するにはレーザビームを掃引する必要がある。レー
ザビームの掃引方法は、特に限定されるものではなく、
例えば公知のレーザ加工で使用されるミラー装置を使用
することでよい。このような掃引可能な駆動ミラー装置
１２としては、平面ミラーを、平面を含む軸に対してあ
る角度で往復で回転運動させることのできるガルバノミ
ラースキャナーや、多角形ミラーを回転させるポリゴン
ミラースキャナが知られており、いずれも使用すること
ができる。
【００１９】掃引されたレーザビームを集光するには、
光学レンズを使用してもよく、この集光レンズ１３とし
ては、炭酸ガスレーザビームに対する透過率の高さから
ZnSe製のテレセントリックレンズが好ましい。
光学レンズを使用してもよく、この集光レンズ１３とし
ては、炭酸ガスレーザビームに対する透過率の高さから
ZnSe製のテレセントリックレンズが好ましい。
【００２０】通常、レーザ加工を連続的に行うには、加
工対象物を一定方向に一定の速度で移動させることが可
能な加工テーブルが用いられる。つまり、上記のように
掃引されたレーザビーム１４は、加工テーブル１５上の
一定方向に移動し、基材１６に照射されることになる
が、ここでレーザビーム１４は基材１６の移動方向（Y
方向とする）と直行する方向（X方向とする）に照射さ
れる。
工対象物を一定方向に一定の速度で移動させることが可
能な加工テーブルが用いられる。つまり、上記のように
掃引されたレーザビーム１４は、加工テーブル１５上の
一定方向に移動し、基材１６に照射されることになる
が、ここでレーザビーム１４は基材１６の移動方向（Y
方向とする）と直行する方向（X方向とする）に照射さ
れる。
【００２１】このレーザ加工にあたり、レーザビーム１
４を、導体層をコンフォーマルマスクとした基材１６の
絶縁層に入射させるようにした場合、導体層のマスク面
に入射したレーザビームの一部はマスクに吸収されるこ
となく反射され、略同一光路を通ってレーザ発振器１１
へ逆戻りする場合がある。一度発振されたレーザビーム
がレーザ発振器に逆戻りすれば、逆戻りしたレーザビー
ムがレーザ発振に関らない誘導放出を引き起こし、レー
ザ発振の増幅率である利得を減少させることとなり、結
果的にレーザ発振出力を低下させる原因となることが考
えられる。更には、逆戻りしたレーザビームがレーザ発
振器の共振器壁面などに照射され、共振器自身を破壊す
る恐れもある。したがって、このようなマスク面で反射
したレーザビームの発振器への逆戻りを防止することが
望ましい。このような加工方法としては、特開平３−６
４８２８号公報に記載された方法がある。
４を、導体層をコンフォーマルマスクとした基材１６の
絶縁層に入射させるようにした場合、導体層のマスク面
に入射したレーザビームの一部はマスクに吸収されるこ
となく反射され、略同一光路を通ってレーザ発振器１１
へ逆戻りする場合がある。一度発振されたレーザビーム
がレーザ発振器に逆戻りすれば、逆戻りしたレーザビー
ムがレーザ発振に関らない誘導放出を引き起こし、レー
ザ発振の増幅率である利得を減少させることとなり、結
果的にレーザ発振出力を低下させる原因となることが考
えられる。更には、逆戻りしたレーザビームがレーザ発
振器の共振器壁面などに照射され、共振器自身を破壊す
る恐れもある。したがって、このようなマスク面で反射
したレーザビームの発振器への逆戻りを防止することが
望ましい。このような加工方法としては、特開平３−６
４８２８号公報に記載された方法がある。
【００２２】加工すべき基材１６を移動かつ固定する加
工テーブル１５は、駆動ミラー装置１２による掃引方向
（X方向）と直行する方向（Y方向）に、一定速度で移動
する機構を備えたものであればよい。加工テーブル１５
の形状は、特に限定されるものではなく、平面状でもよ
く円筒状でもよい。加工テーブルが円筒状である場合
は、駆動ミラー掃引装置によるレーザビームの掃引方向
が円筒の高さ方向に一致するように円筒を配置しなけれ
ばならない。また、加工テーブルへの樹脂フィルムの固
定方法も特に限定されるものではなく、加工テーブルが
平面状の場合は、加工テーブルに設けた微細穴を介した
真空吸引による方法や、マグネットによる方法でもよ
く、加工テーブルが円筒状の場合は、テンションロール
などを用いた方法でもよい。
工テーブル１５は、駆動ミラー装置１２による掃引方向
（X方向）と直行する方向（Y方向）に、一定速度で移動
する機構を備えたものであればよい。加工テーブル１５
の形状は、特に限定されるものではなく、平面状でもよ
く円筒状でもよい。加工テーブルが円筒状である場合
は、駆動ミラー掃引装置によるレーザビームの掃引方向
が円筒の高さ方向に一致するように円筒を配置しなけれ
ばならない。また、加工テーブルへの樹脂フィルムの固
定方法も特に限定されるものではなく、加工テーブルが
平面状の場合は、加工テーブルに設けた微細穴を介した
真空吸引による方法や、マグネットによる方法でもよ
く、加工テーブルが円筒状の場合は、テンションロール
などを用いた方法でもよい。
【００２３】基材をレーザ加工すると、すすなどの絶縁
層の分解副生成物が発生し、これが導体層に付着した
り、あるいは加工装置を構成する光学レンズに付着した
りする場合がある。これらは導体回路の品質を低下させ
たり、加工装置の性能を低下させる原因となり、好まし
くない。そこで、発生するすすなどの分解副生成物の除
去を目的としたガス吹き付け装置であるいわゆるアシス
トガス装置、あるいはエアカーテン装置、すすを回収す
るための集塵装置などを配置することが好ましい。これ
らの装置は、一般に知られている装置でよく、アシスト
ガス装置及びエアカーテン装置に用いるガスの種類は特
に限定されるものではなく、例えばコンプレッサーなど
で５kg/cm2程度に加圧された空気を用いてもよい。
層の分解副生成物が発生し、これが導体層に付着した
り、あるいは加工装置を構成する光学レンズに付着した
りする場合がある。これらは導体回路の品質を低下させ
たり、加工装置の性能を低下させる原因となり、好まし
くない。そこで、発生するすすなどの分解副生成物の除
去を目的としたガス吹き付け装置であるいわゆるアシス
トガス装置、あるいはエアカーテン装置、すすを回収す
るための集塵装置などを配置することが好ましい。これ
らの装置は、一般に知られている装置でよく、アシスト
ガス装置及びエアカーテン装置に用いるガスの種類は特
に限定されるものではなく、例えばコンプレッサーなど
で５kg/cm2程度に加圧された空気を用いてもよい。
【００２４】このようなレーザ加工装置を用いて基材に
レーザ照射して加工を行う場合、レーザの平均出力、レ
ーザビーム束の導体層表面での駆動ミラー掃引装置によ
るレーザビームの掃引速度によって制御される。基材に
照射されるレーザビームのエネルギー密度φ0（J/cm2）
は、レーザによる基材加工における加工閾値φth（J/cm
2）によって決まり、２φth＜φ0＜２０φthの範囲であ
ることが望ましい。特に、基材がポリイミド樹脂あるい
はエポキシ樹脂を主成分とする場合は、３〜５０J/cm2
の範囲のエネルギー密度であることがよい。
レーザ照射して加工を行う場合、レーザの平均出力、レ
ーザビーム束の導体層表面での駆動ミラー掃引装置によ
るレーザビームの掃引速度によって制御される。基材に
照射されるレーザビームのエネルギー密度φ0（J/cm2）
は、レーザによる基材加工における加工閾値φth（J/cm
2）によって決まり、２φth＜φ0＜２０φthの範囲であ
ることが望ましい。特に、基材がポリイミド樹脂あるい
はエポキシ樹脂を主成分とする場合は、３〜５０J/cm2
の範囲のエネルギー密度であることがよい。
【００２５】両面キャリアテープの加工には、両面キャ
リアテープの片側の導体層の表面にドライフィルムある
いは感光性樹脂等を塗布し、加工マスクパターンを用い
て露光、現像し、これをエッチング液でエッチングして
導体層に開口部を設けレーザ加工時のコンフォーマルマ
スクとする。次に、開口部が形成された導体層に掃引し
た連続波炭酸ガスレーザ光を照射して、開口部を通過し
たレーザを基材が吸収し、急激に加熱され蒸発すること
により、開口部の絶縁樹脂が除去され、反対面の導体層
が露出し、ビアホール形成用の孔が形成される。
リアテープの片側の導体層の表面にドライフィルムある
いは感光性樹脂等を塗布し、加工マスクパターンを用い
て露光、現像し、これをエッチング液でエッチングして
導体層に開口部を設けレーザ加工時のコンフォーマルマ
スクとする。次に、開口部が形成された導体層に掃引し
た連続波炭酸ガスレーザ光を照射して、開口部を通過し
たレーザを基材が吸収し、急激に加熱され蒸発すること
により、開口部の絶縁樹脂が除去され、反対面の導体層
が露出し、ビアホール形成用の孔が形成される。
【００２６】
【実施例】実施例１ 基材１として、図１に示す絶縁層Ｂの両面に導体層Ａを
有する３層構造の新日鉄化学社製無接着銅張積層板（エ
スパネックスＳＢ１８―５０―１８ＷＥ）を用いた。こ
れに感光性ドライフィルムをラミネートし、マスクパタ
ーンを介して紫外線を照射してこれを感光させ現像し
た。次に、現像した基材を塩化第二鉄液によりエッチン
グした後、エッチング時に用いたドライフィルムを除去
し、図２に示すように、導体層Ａに開口部２を形成し
た。
有する３層構造の新日鉄化学社製無接着銅張積層板（エ
スパネックスＳＢ１８―５０―１８ＷＥ）を用いた。こ
れに感光性ドライフィルムをラミネートし、マスクパタ
ーンを介して紫外線を照射してこれを感光させ現像し
た。次に、現像した基材を塩化第二鉄液によりエッチン
グした後、エッチング時に用いたドライフィルムを除去
し、図２に示すように、導体層Ａに開口部２を形成し
た。
【００２７】レーザ加工装置には、連続波炭酸ガス発振
器１１、駆動ミラー装置１２としてガルバノミラー掃引
装置、集光レンズ１３としてテレセントリックレンズ及
び加工テーブル１５を備えた、図７に示すレーザ加工装
置を用いた。レーザ加工条件は、レーザ発振の平均出力
６００w、レーザビームの集光面積９．６２×１０-4c
m2、エネルギー密度４５J/cm2、レーザビーム掃引幅１
００mm、テーブルの移動速度１０mm/s及びガルバノミラ
ー掃引装置の周波数５０Hzであった。
器１１、駆動ミラー装置１２としてガルバノミラー掃引
装置、集光レンズ１３としてテレセントリックレンズ及
び加工テーブル１５を備えた、図７に示すレーザ加工装
置を用いた。レーザ加工条件は、レーザ発振の平均出力
６００w、レーザビームの集光面積９．６２×１０-4c
m2、エネルギー密度４５J/cm2、レーザビーム掃引幅１
００mm、テーブルの移動速度１０mm/s及びガルバノミラ
ー掃引装置の周波数５０Hzであった。
【００２８】図３に示すように、開口部２が形成された
基材１の全面に上記レーザ加工装置から連続波炭酸ガス
レーザビーム３を照射し、開口部を通過したレーザビー
ムにより、絶縁層に孔明けすることでビアホール形成用
孔４を形成した。
基材１の全面に上記レーザ加工装置から連続波炭酸ガス
レーザビーム３を照射し、開口部を通過したレーザビー
ムにより、絶縁層に孔明けすることでビアホール形成用
孔４を形成した。
【００２９】次いで、無電解鋼メッキ液を用いてビアホ
ール形成用孔４の壁面を含む全面に銅被膜を形成し、図
４に示すブラインドスルーホール５を形成した。さら
に、その銅被膜を陰極として電解メッキ液を用いて、電
流密２００mA/cm2で電気銅メッキを施した。この時の銅
メッキ厚みは１０μmであった。
ール形成用孔４の壁面を含む全面に銅被膜を形成し、図
４に示すブラインドスルーホール５を形成した。さら
に、その銅被膜を陰極として電解メッキ液を用いて、電
流密２００mA/cm2で電気銅メッキを施した。この時の銅
メッキ厚みは１０μmであった。
【００３０】次に、基材両面に感光性ドライフィルムを
ラミネートし、表面のインナーリード、アウターリード
等の信号線、裏面にはグランドパターンを備えた、両面
パターンマスクを介して紫外線を照射してこれを感光さ
せ現像した後に、現像した基材を塩化第二鉄液により両
面エッチングし、エッチング時に用いたドライフィルム
を除去して、図５に示す両面キャリアテープの回路パタ
ーンを得た。
ラミネートし、表面のインナーリード、アウターリード
等の信号線、裏面にはグランドパターンを備えた、両面
パターンマスクを介して紫外線を照射してこれを感光さ
せ現像した後に、現像した基材を塩化第二鉄液により両
面エッチングし、エッチング時に用いたドライフィルム
を除去して、図５に示す両面キャリアテープの回路パタ
ーンを得た。
【００３１】次に、両面回路パターンの表面の配線リー
ド部から、保護レジストをスクリーン印刷により塗布
し、保護レジストを乾燥した後、裏面のグランドパター
ン側にも同様の工程で保護レジストを塗布し、最後に配
線リード部に金メッキ又は錫メッキなどによる表面処理
を施して図６に示す両面キャリアテープを完成した。
ド部から、保護レジストをスクリーン印刷により塗布
し、保護レジストを乾燥した後、裏面のグランドパター
ン側にも同様の工程で保護レジストを塗布し、最後に配
線リード部に金メッキ又は錫メッキなどによる表面処理
を施して図６に示す両面キャリアテープを完成した。
【００３２】比較例１ 実施例１と同様にして、基材１の導体層Ａに開口部２を
形成し（図２）、次にＱスイッチ化炭酸ガスレーザ加工
装置を用いて、レーザビームを照射してビアホール形成
用孔４を形成した（図３）。この時のレーザ加工条件
は、レーザ発振の平均出力５００w、レーザビームの集
光面積９．６２×１０-4cm2、エネルギー密度４７J/c
m2、レーザビーム掃引幅１００mm、基材の移動速度８mm
/s及びガルバノミラー掃引装置の周波数５０Hzである。
移動速度が８mm/sを超える速度では、孔明け加工が完全
に行われず、実施例と比較して２mm/s遅い速度でしか加
工できなかった。
形成し（図２）、次にＱスイッチ化炭酸ガスレーザ加工
装置を用いて、レーザビームを照射してビアホール形成
用孔４を形成した（図３）。この時のレーザ加工条件
は、レーザ発振の平均出力５００w、レーザビームの集
光面積９．６２×１０-4cm2、エネルギー密度４７J/c
m2、レーザビーム掃引幅１００mm、基材の移動速度８mm
/s及びガルバノミラー掃引装置の周波数５０Hzである。
移動速度が８mm/sを超える速度では、孔明け加工が完全
に行われず、実施例と比較して２mm/s遅い速度でしか加
工できなかった。
【００３３】
【発明の効果】以上、説明した本発明の方法によれば、
極めて高い精度でビアホールの形成を効率的に行うこと
ができ、両面キャリアテープの多ピン化に伴うビアホー
ルの高密度化、微小孔径化を容易に達成することがで
き、付加価値の高い両面キャリアテープが提供できる。
また、レーザビームを単方向に掃引する連続波の炭酸ガ
スレーザを用いることにより、加工を高速度で行うこと
が可能となった。
極めて高い精度でビアホールの形成を効率的に行うこと
ができ、両面キャリアテープの多ピン化に伴うビアホー
ルの高密度化、微小孔径化を容易に達成することがで
き、付加価値の高い両面キャリアテープが提供できる。
また、レーザビームを単方向に掃引する連続波の炭酸ガ
スレーザを用いることにより、加工を高速度で行うこと
が可能となった。
【図１】本発明で用いる無接着剤銅張積層板の側面断面
図である。
図である。
【図２】銅箔部の開口をエッチングした銅張積層板の側
面断面図である。
面断面図である。
【図３】炭酸ガスレーザ加工により、絶縁体にビアホー
ルを形成した銅張積層板の側面断面図である。
ルを形成した銅張積層板の側面断面図である。
【図４】メッキによりブラインドホールを形成した銅張
積層板の側面断面図である。
積層板の側面断面図である。
【図５】回路加工でパターンを形成した両面キャリアテ
ープの側面断面図である。
ープの側面断面図である。
【図６】回路加工した両面キャリアパターンの平面図で
ある。
ある。
【図７】レーザ加工装置の構成を示す模式図である。
１、１６ ： 基材 ２ ： 銅箔開口部 ３、１４ ： 炭酸ガスレーザビーム ４ ： ビアホール形成用孔 ５ ： ブラインドスルホール ６ ： 両面キャリアテープ １１ ： レーザ発振器 １２ ： 駆動ミラー装置 １３ ： 集光レンズ １５ ： 加工テーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井伊 正一 千葉県木更津市築地１番地 新日鐵化学株 式会社電子材料開発センター内 (72)発明者 吉澤 圭史 千葉県木更津市築地１番地 新日鐵化学株 式会社電子材料開発センター内 Ｆターム(参考） 4E068 AA04 AF00 CA04 DA11 DA14 5F044 MM04 MM06 MM48 RR12
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の導体層と、ポリイミドを主成分と
する絶縁樹脂層と、第２の導体層とを積層してなる両面
キャリアテープの製造方法において、エッチングにより
表面の導体層を孔明けし、次いで基材の照射面でのエネ
ルギー密度が３〜５０J/cm2になるように調節されたレ
ーザビームを単方向に掃引する装置及びビーム掃引方向
に対して略直角方向に移動する加工用テーブルを備えた
連続波炭酸ガスレーザにより、絶縁樹脂層を孔明けして
開口部の下にある導体層に達するビアホールを形成した
後、電解メッキ又は無電解メッキにより導体層を形成す
ることを特徴とする両面キャリアテープの製造方法。 - 【請求項２】 連続波炭酸ガスレーザが、発振波長９．
２〜９．７μmである請求項１記載の両面キャリアテー
プの製造方法。 - 【請求項３】 絶縁体樹脂層が、３×１０-5／℃以下の
熱膨張係数を有するポリイミド又は変性ポリイミド樹脂
である請求項１又は２記載の両面キャリアテープの製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37129299A JP2001179475A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 両面キャリアテープの製造方法 |
| KR1020017014941A KR20020021100A (ko) | 1999-05-24 | 2000-05-23 | 배선판용 수지 필름의 레이저 가공방법 및 배선판의제조방법 |
| PCT/JP2000/003288 WO2000072645A1 (fr) | 1999-05-24 | 2000-05-23 | Usinage au laser de films plastiques d'une carte a circuits, et procede de fabrication d'une telle carte a circuit |
| US09/979,515 US6492616B1 (en) | 1999-05-24 | 2000-05-23 | Processes for laser beam machining of resin film for wiring boards and manufacture of wiring boards |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37129299A JP2001179475A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | 両面キャリアテープの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001179475A true JP2001179475A (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=18498457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37129299A Pending JP2001179475A (ja) | 1999-05-24 | 1999-12-27 | 両面キャリアテープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001179475A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1291118A1 (de) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | TRUMPF LASERTECHNIK GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Vertiefen von Löchern in einer Mehrlagenleiterplatte |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP37129299A patent/JP2001179475A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1291118A1 (de) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | TRUMPF LASERTECHNIK GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Vertiefen von Löchern in einer Mehrlagenleiterplatte |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041207 |