JP2001176946A - Conveyor of substrate - Google Patents

Conveyor of substrate

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JP2001176946A
JP2001176946A JP35590499A JP35590499A JP2001176946A JP 2001176946 A JP2001176946 A JP 2001176946A JP 35590499 A JP35590499 A JP 35590499A JP 35590499 A JP35590499 A JP 35590499A JP 2001176946 A JP2001176946 A JP 2001176946A
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JP
Japan
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substrate
cooling
transfer
transfer device
static electricity
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JP35590499A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshihide Okatsu
敏秀 大勝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conveyor capable of promptly supplying a substrate to a next step by a method wherein the heated substrate is compulsorily cooled and static charge generated at that time can be eliminated. SOLUTION: A conveyor for conveying a heated substrate 1, comprises: a conveying roller 11 for conveying the substrate in a predetermined direction; a cooler 22 for cooling the substrate to be conveyed by this conveying roller; and a conveying roller comprising a conductive roller member 13a for eliminating static charge generated in the substrate during conveyance of this substrate by cooling by this cooler.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は加熱処理された基
板を次工程へ搬送するための基板の搬送装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate transfer device for transferring a heat-treated substrate to the next step.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、太陽電池モジュールの製造工
程においては、基板に半導体層や金属電極膜などの薄膜
を成膜したのち、その薄膜をレーザ光でスクライブ加工
することで、上記基板上に電気的に直列に接続された複
数のセルを形成するということが行われている。
2. Description of the Related Art For example, in a manufacturing process of a solar cell module, a thin film such as a semiconductor layer and a metal electrode film is formed on a substrate, and the thin film is scribed with a laser beam to form an electric power on the substrate. It is common practice to form a plurality of cells connected in series.

【0003】上記基板に対する半導体層の成膜は通常C
VDによって行われ、上記金属電極膜の成膜はスパッタ
リングによって行われる。CVD及びスパッタリングの
いずれの成膜工程においても、基板は百度以上の温度に
加熱されて熱膨張している。そのため、成膜後は基板を
所定の温度に冷却してから次工程であるスクライブ工程
でスクライブしなければ、熱膨張によってスクライブを
高精度に行えないということがある。
[0003] The formation of a semiconductor layer on the above substrate is usually performed by C
VD is performed, and the formation of the metal electrode film is performed by sputtering. In any of the film forming processes of CVD and sputtering, the substrate is heated to a temperature of 100 degrees or more and thermally expanded. For this reason, if the substrate is cooled to a predetermined temperature after film formation and then scribe is not performed in the subsequent scribe step, scribe may not be performed with high accuracy due to thermal expansion.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来、成膜工程で薄膜
が形成された基板をスクライブするには、成膜された基
板をストッカに積層収納して所定温度になるまで放置し
て冷却してから行うようにしていた。
Conventionally, in order to scribe a substrate on which a thin film has been formed in a film forming step, the film formed substrate is stacked and stored in a stocker, left to cool to a predetermined temperature, and cooled. Was to do from.

【0005】そのため、成膜された基板をストッカに積
層収納するという作業が必要になるため、その作業に余
計な手間が掛かるということがあったり、基板が所定温
度に冷却されるまでに時間が掛かるから、生産性の低下
を招くなどのことがあった。
[0005] For this reason, it is necessary to perform an operation of stacking and storing the substrates on which the films are formed in a stocker, which may take extra time, or a time required for the substrate to be cooled to a predetermined temperature. As a result, the productivity may be reduced.

【0006】そこで、薄膜が形成された基板に冷却風を
吹き付け、基板を強制的に冷却することで、冷却時間を
短縮するということが考えられている。しかしながら、
基板に冷却風を吹き付けると、基板が冷却風によって摩
擦されることになる。その結果、基板に電荷が帯電して
静電気が発生するから、その静電気によって基板に形成
された薄膜の損傷を招いたり、基板にパーティクルが付
着し易くなるなどのことがある。
Therefore, it has been considered that the cooling time is shortened by blowing cooling air to the substrate on which the thin film is formed to forcibly cool the substrate. However,
When the cooling air is blown on the substrate, the substrate is rubbed by the cooling air. As a result, electric charges are generated on the substrate to generate static electricity, and the static electricity may cause damage to a thin film formed on the substrate or particles may be easily attached to the substrate.

【0007】この発明は、加熱処理された基板を次工程
へ搬送する過程で基板を強制的に冷却するとともに、そ
の冷却によって基板に生じた静電気を除去できるように
した基板の搬送装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate transfer apparatus which forcibly cools a substrate in a process of transferring a heat-treated substrate to a next step and which can remove static electricity generated on the substrate by the cooling. It is in.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、加熱
処理された基板を搬送するための搬送装置において、上
記基板を所定方向へ搬送する搬送手段と、この搬送手段
によって搬送される基板を冷却する冷却手段と、この冷
却手段で冷却されることで基板に生じた静電気をこの基
板の搬送中に除去する除電手段とを具備したことを特徴
とする基板の搬送装置にある。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a transfer device for transferring a substrate subjected to a heat treatment, a transfer unit for transferring the substrate in a predetermined direction, and a substrate transferred by the transfer unit. And a static eliminator for removing static electricity generated on the substrate during the transfer of the substrate by cooling the substrate by the cooling unit.

【0009】請求項2の発明は、成膜工程で薄膜が形成
された太陽電池モジュールの基板を、上記薄膜をスクラ
イブするスクライブ工程に搬送するための基板の搬送装
置において、上記成膜工程で薄膜が形成された基板を上
記スクライブ工程へ搬送するための搬送手段と、上記成
膜工程とスクライブ工程との間に設けられ上記成膜工程
で温度上昇して上記搬送手段で搬送される基板を所定温
度に冷却する冷却手段と、この冷却手段で冷却されるこ
とで基板に生じた静電気をこの基板の搬送中に除去する
除電手段とを具備したことを特徴とする基板の搬送装置
にある。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus for transferring a substrate of a solar cell module on which a thin film has been formed in a film forming step to a scribe step of scribing the thin film. Transport means for transporting the substrate on which the substrate is formed to the scribing step, and a substrate provided between the film forming step and the scribe step, which is heated in the film forming step and transported by the transport means to a predetermined position. A substrate transport apparatus comprising: a cooling unit for cooling to a temperature; and a static elimination unit for removing static electricity generated on a substrate by being cooled by the cooling unit during transportation of the substrate.

【0010】請求項3の発明は、上記搬送手段は回転駆
動される複数の搬送ローラを有し、上記除電手段は上記
搬送ローラの少なくとも1つに導電性を備えたことを特
徴とする請求項1または請求項2記載の基板の搬送装置
にある。
According to a third aspect of the present invention, the transport means has a plurality of rotationally driven transport rollers, and the discharging means has at least one of the transport rollers having conductivity. A substrate transport apparatus according to claim 1 or 2.

【0011】請求項4の発明は、上記除電手段は、上記
冷却手段によって冷却された基板に、この基板に生じた
静電気を除去するためのイオン化された気体を吹き付け
るイオン化気体発生器であることを特徴とする請求項1
または請求項2記載の基板の搬送装置にある。
According to a fourth aspect of the present invention, the static elimination means is an ionized gas generator for blowing an ionized gas for removing static electricity generated on the substrate cooled by the cooling means. Claim 1.
Alternatively, there is provided the substrate transfer device according to claim 2.

【0012】この発明によれば、加熱処理された基板を
強制的に冷却することで、その基板に静電気が生じて
も、その静電気を除電手段によって基板の搬送中に除去
することができる。そのため、基板の冷却や静電気の除
去を別工程で行わずにすむから、基板を加熱処理した
後、この基板に対する次の処理を連続的に行うことが可
能となる。
According to the present invention, by forcibly cooling the heat-treated substrate, even if static electricity is generated on the substrate, the static electricity can be removed by the static eliminator during the transport of the substrate. Therefore, since the cooling of the substrate and the removal of the static electricity need not be performed in a separate process, it is possible to continuously perform the next processing on the substrate after the substrate is heated.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の実施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図1乃至図5はこの発明の一実施の形態を
示し、図1は同図に鎖線で示す太陽電池モジュールの基
板1を製造するための製造装置の一部分を示す概略図で
ある。この製造装置は上記基板1を矢印方向に沿って間
欠的に搬送する搬送装置2と、図5に示すように透明導
電膜1aが形成された上記基板1にCVDによって薄膜
である半導体層1bを形成する成膜チャンバ3と、この
成膜チャンバ3によって基板1に設けられた半導体層1
bをレーザ光で照射してスクライブすることで、分断溝
1cによって複数のセルに分割するスクライバー4とを
有する。なお、透明導電膜1aには予め分断溝1dが形
成されている。
FIGS. 1 to 5 show an embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a schematic diagram showing a part of a manufacturing apparatus for manufacturing a substrate 1 of a solar cell module indicated by a dashed line in FIG. This manufacturing apparatus includes a transfer device 2 for intermittently transferring the substrate 1 in the direction of the arrow and a semiconductor layer 1b which is a thin film by CVD on the substrate 1 on which the transparent conductive film 1a is formed as shown in FIG. A film forming chamber 3 to be formed and a semiconductor layer 1 provided on the substrate 1 by the film forming chamber 3
a scriber 4 that divides the cell into a plurality of cells by dividing grooves 1c by irradiating b with laser light and scribing. Note that a dividing groove 1d is formed in the transparent conductive film 1a in advance.

【0015】上記成膜チャンバ3とスクライバー4と
は、上記搬送装置2に対向し、かつ基板1の搬送方向に
沿って所定間隔で順次配設されている。上記搬送装置2
によって成膜チャンバ3の搬入口に対向する位置まで搬
送された基板1は第1のロボット6によって上記成膜チ
ャンバ3内に搬入される。そして、この成膜チャンバ3
内で半導体層1bが成膜された基板1は搬出口から送り
出され、第2のロボット7によって上記搬送装置2に戻
されてスクライバー4の方向へ搬送される。
The film forming chamber 3 and the scriber 4 face the transfer device 2 and are sequentially arranged at predetermined intervals along the transfer direction of the substrate 1. The transfer device 2
The substrate 1 conveyed to a position facing the carry-in port of the film formation chamber 3 by the first robot 6 is carried into the film formation chamber 3 by the first robot 6. And this film forming chamber 3
The substrate 1 on which the semiconductor layer 1b is formed is sent out from the carry-out port, returned to the transfer device 2 by the second robot 7, and transferred in the direction of the scriber 4.

【0016】スクライバー4に対向する位置まで搬送さ
れた基板1は第3のロボット8によって上記スクライバ
ー4に供給される。ここで、基板1に形成された半導体
層1bはレーザ光によってスクライブされる。スクライ
ブが終了した基板1は上記第3のロボット8によって上
記搬送装置2に戻されて次工程の図示しないスパッタリ
ング装置に送られ、ここで上記半導体層1bに薄膜とし
ての金属膜が形成されるようになっている。
The substrate 1 transported to a position facing the scriber 4 is supplied to the scriber 4 by a third robot 8. Here, the semiconductor layer 1b formed on the substrate 1 is scribed by a laser beam. The scribed substrate 1 is returned to the transfer device 2 by the third robot 8 and sent to a sputtering device (not shown) in the next step, where a metal film as a thin film is formed on the semiconductor layer 1b. It has become.

【0017】上記搬送装置2は図1乃至図4に示すよう
に複数の搬送ローラ11を有する。搬送ローラ11は支
軸12と、合成樹脂やゴムなどで支軸12よりも大径な
円盤状に形成され上記支軸12に取り付けられた複数の
ローラ部材13とからなる。
The transport device 2 has a plurality of transport rollers 11 as shown in FIGS. The transport roller 11 includes a support shaft 12 and a plurality of roller members 13 formed of a synthetic resin, rubber, or the like into a disk shape larger in diameter than the support shaft 12 and attached to the support shaft 12.

【0018】搬送ローラ11は、所定間隔で平行に離間
対向して配置された一対の支持部材14に上記支軸12
の両端部が回転可能に支持されている。各搬送ローラ1
1には複数のローラ部材13が設けられ、隣り合う搬送
ローラ11のローラ部材13は軸線方向に対して位置を
ずらしている。
The transport roller 11 is mounted on a pair of support members 14 arranged in parallel at a predetermined interval so as to face each other.
Are rotatably supported at both ends. Each transport roller 1
1 is provided with a plurality of roller members 13, and the roller members 13 of the adjacent transport rollers 11 are shifted in position in the axial direction.

【0019】そして、各搬送ローラ11は図示しない駆
動源によって所定方向に回転駆動される。それによっ
て、搬送ローラ11上の基板1を図1に矢印で示す成膜
チャンバ3からスクライバー4の方向に搬送できるよう
になっている。
Each transport roller 11 is driven to rotate in a predetermined direction by a drive source (not shown). Thereby, the substrate 1 on the transport roller 11 can be transported from the film forming chamber 3 indicated by an arrow in FIG.

【0020】なお、上記支持部材14の内面には基板1
の搬送をガイドするためのガイド部材15が設けられて
いる。このガイド部材15は図4に示すように金属プレ
ート15aがフッ素樹脂などの合成樹脂15bによって
被覆されてなり、上記支持部材14に取り付け具6によ
って取り付けられている。それによって、搬送装置2に
よって搬送される基板1の蛇行が規制されている。
The substrate 1 is provided on the inner surface of the support member 14.
A guide member 15 for guiding the transport of the sheet is provided. As shown in FIG. 4, the guide member 15 has a metal plate 15 a covered with a synthetic resin 15 b such as a fluororesin, and is attached to the support member 14 by the fixture 6. Thereby, meandering of the substrate 1 transferred by the transfer device 2 is regulated.

【0021】基板1がガイド部材15の合成樹脂15b
に当たることで、基板1に静電気が生じる虞がある場合
には、上記合成樹脂15bにカーボンなどの導電性物質
を入れることによって、基板1がガイド部材15と接触
しても、基板1に電荷が帯電して静電気が生じるのを防
止することができる。
The substrate 1 is made of a synthetic resin 15b of the guide member 15.
When there is a possibility that static electricity may be generated on the substrate 1 due to the above, the conductive material such as carbon is put into the synthetic resin 15b so that even if the substrate 1 comes into contact with the It is possible to prevent generation of static electricity due to charging.

【0022】上記搬送装置2の上記成膜チャンバ3とス
クライバー4との間の部分には、上記支持部材14に取
り付けられた複数の架台21(図3と図4に示す)が基
板1の搬送方向に沿って所定間隔で設けられている。各
架台21には上記搬送装置2を搬送される基板1、つま
り成膜チャンバ3で成膜されることで高温度に加熱され
た基板1を強制的に冷却する冷却手段としての冷却器2
2が設けられている。
At a portion between the film forming chamber 3 and the scriber 4 of the transfer device 2, a plurality of pedestals 21 (shown in FIGS. 3 and 4) attached to the support member 14 transfer the substrate 1. They are provided at predetermined intervals along the direction. Each mount 21 has a cooler 2 as a cooling means for forcibly cooling the substrate 1 transferred by the transfer device 2, that is, the substrate 1 heated to a high temperature by forming a film in the film forming chamber 3.
2 are provided.

【0023】図3と図4に示すように、上記冷却器22
は下面が開放したカバー23を有し、このカバー23に
は駆動源24及びこの駆動源24によって回転駆動され
るファン25が設けられている。したがって、このファ
ン25が回転駆動されることで、搬送装置2の搬送ロー
ラ11上を搬送される基板1に向けて送風されるから、
その基板1が強制的に冷却されることになる。
As shown in FIG. 3 and FIG.
Has a cover 23 having an open lower surface. The cover 23 is provided with a drive source 24 and a fan 25 driven to rotate by the drive source 24. Therefore, when the fan 25 is rotationally driven, the fan 25 is blown toward the substrate 1 conveyed on the conveying roller 11 of the conveying device 2.
The substrate 1 is forcibly cooled.

【0024】冷却器22からの送風によって基板1を強
制的に冷却すると、基板1が冷却風によって摩擦される
ことで、この基板1に電荷が帯電する。つまり、基板1
に静電気が生じる。また、搬送ローラ11上で基板を搬
送する際の摩擦によっても、基板1に電荷が帯電する。
When the substrate 1 is forcibly cooled by blowing air from the cooler 22, the substrate 1 is charged by the friction of the substrate 1 by the cooling air. That is, the substrate 1
Generates static electricity. In addition, the substrate 1 is charged even by the friction when the substrate is transported on the transport roller 11.

【0025】基板1に生じた静電気は除電手段によって
除去される。この実施の形態では2種類の除電手段が設
けられている。第1の除電手段は搬送ローラ11に設け
られた複数のローラ部材13のうちのいくつかを導電性
ローラとしている。具体的には、ゴムや合成樹脂によっ
て形成される上記ローラ部材13に導電性物質としての
カーボンを入れることで、ローラ部材13に導電性を持
たせるようにしている。導電性を備えたローラ部材を図
1に13aで示し、このローラ部材を導電性ローラ部材
13aとする。
The static electricity generated on the substrate 1 is removed by the charge removing means. In this embodiment, two types of static elimination means are provided. The first static elimination means uses some of the plurality of roller members 13 provided on the transport roller 11 as conductive rollers. Specifically, the roller member 13 is made to have conductivity by putting carbon as a conductive material into the roller member 13 formed of rubber or synthetic resin. A roller member having conductivity is indicated by 13a in FIG. 1, and this roller member is referred to as a conductive roller member 13a.

【0026】なお、この実施の形態では、導電性ローラ
部材13aは、基板1の搬送方向の最後の冷却器23よ
りも下流側に設けられている。少なくとも、導電性ロー
ラ13aが設けられた各搬送ローラ11の支軸12は支
持部材14を介してアースされている。
In this embodiment, the conductive roller member 13a is provided downstream of the last cooler 23 in the transport direction of the substrate 1. At least the support shaft 12 of each transport roller 11 provided with the conductive roller 13a is grounded via a support member 14.

【0027】それによって、基板1を強制冷却すること
で生じる静電気は、基板1が導電性ローラ部材13a上
を搬送されることで、その基板1から確実に除去するこ
とができるようになっているとともに、導電性ローラ1
3aによって静電気が除去された基板1が再び冷却風に
よって摩擦されて静電気が生じるようなことがないよう
になっている。
Thus, static electricity generated by forcibly cooling the substrate 1 can be reliably removed from the substrate 1 by transporting the substrate 1 on the conductive roller member 13a. With conductive roller 1
The substrate 1 from which static electricity has been removed by 3a is prevented from being rubbed again by the cooling air to generate static electricity.

【0028】上記第2の除電手段は、図1と図3に示す
ように基板1の搬送方向の最後の冷却器22によって冷
却された基板1にイオン化気体を吹き付けるイオン化気
体発生器31からなる。このイオン化気体発生器31に
よって基板1にイオン化気体が吹き付けられると、その
イオンによって基板1に帯電した電荷が中和されること
になるから、強制冷却されることで基板1に生じた静電
気が除去されることになる。
The second static elimination means comprises an ionized gas generator 31 for blowing an ionized gas onto the substrate 1 cooled by the last cooler 22 in the transport direction of the substrate 1 as shown in FIGS. When the ionized gas is blown onto the substrate 1 by the ionized gas generator 31, the charge on the substrate 1 is neutralized by the ions, so that the static electricity generated on the substrate 1 is removed by forced cooling. Will be done.

【0029】基板1に生じた静電気を除去するためには
第1の除電手段と第2の除電手段との少なくともどちら
か一方を設ければよいが、両方を備えることで、静電気
の除去をより一層、確実に行うことが可能となる。
In order to remove the static electricity generated on the substrate 1, at least one of the first electricity removing means and the second electricity removing means may be provided. It is possible to perform the operation more reliably.

【0030】このような構成の基板1の搬送装置によれ
ば、成膜チャンバ3で成膜されることで高温度に加熱さ
れた基板1は、搬送装置2によって次工程のスクライバ
ー4へ搬送される途中で、複数の冷却器22からの冷却
風によって強制的に冷却される。
According to the transfer device for the substrate 1 having such a structure, the substrate 1 heated to a high temperature by forming a film in the film forming chamber 3 is transferred by the transfer device 2 to the scriber 4 in the next step. On the way, the cooling air from the plurality of coolers 22 is forcibly cooled.

【0031】そのため、基板1は所定の温度に冷却され
てスクライバー4に供給されることになるから、熱膨張
のない状態でスクライブされることになる。つまり、基
板1を搬送の途中で強制的に冷却することで、基板1に
対する半導体層1bの成膜と、この半導体層1bに対す
るスクライブとを連続的に行うことができるから、生産
性の向上を図ることができる。しかも、基板1を強制的
に冷却することで、冷却に要する時間を短縮できるか
ら、生産性の向上を図ることができる。
Therefore, the substrate 1 is cooled to a predetermined temperature and supplied to the scriber 4, so that the substrate 1 is scribed without thermal expansion. That is, by forcibly cooling the substrate 1 during the transfer, the film formation of the semiconductor layer 1b on the substrate 1 and the scribing of the semiconductor layer 1b can be continuously performed. Can be planned. Moreover, by forcibly cooling the substrate 1, the time required for cooling can be shortened, so that productivity can be improved.

【0032】一方、冷却器22からの冷却風によって基
板1を強制的に冷却することで、基板1には静電気が発
生する。しかしながら、基板1に生じた静電気は搬送ロ
ーラ11に設けられた導電性ローラ13aやイオン化気
体発生器31からのイオン化気体によって搬送中に確実
に除去される。
On the other hand, when the substrate 1 is forcibly cooled by the cooling air from the cooler 22, static electricity is generated on the substrate 1. However, the static electricity generated on the substrate 1 is reliably removed during the transfer by the conductive roller 13 a provided on the transfer roller 11 and the ionized gas from the ionized gas generator 31.

【0033】そのため、成膜工程で半導体層1bが成膜
された基板1が静電気を帯びた状態でスクライブ工程へ
搬送されることがないから、搬送の過程で静電気によっ
て半導体層1bが損傷を受けたり、パーティクルが付着
するなどのことを防止できる。
Therefore, the substrate 1 on which the semiconductor layer 1b is formed in the film forming step is not transported to the scribe step in a state where the semiconductor layer 1b is charged with static electricity. Or particles can be prevented from being attached.

【0034】基板1に生じた静電気の除去は、基板1の
搬送中に行うことができる。そのため、基板1から静電
気を除去するための専用の工程が不要となるから、その
ことによっても生産性の向上を図ることができる。
The removal of the static electricity generated on the substrate 1 can be performed while the substrate 1 is being transported. For this reason, a dedicated process for removing static electricity from the substrate 1 is not required, thereby improving productivity.

【0035】図6はこの発明の他の実施の形態を示す。
この実施の形態は搬送装置2の搬送ローラ11Aの変形
例である。つまり、上記一実施の形態では搬送ローラ1
1Aの支軸12に複数のローラ部材13を設けるように
したが、この実施の形態では支軸12の両端部を除くほ
ぼ全長にわたる長さでローラ部材13Aを設けるように
している。この場合も、複数の搬送ローラ11のうち、
少なくとも最後の冷却器23よりも下流側に位置する1
つのローラ部材13Aに、導電性物質を入れて導電性ロ
ーラ部材とすることで、第1の除電手段とすればよい。
FIG. 6 shows another embodiment of the present invention.
This embodiment is a modification of the transport roller 11A of the transport device 2. That is, in the above embodiment, the transport roller 1
Although the plurality of roller members 13 are provided on the support shaft 12 of 1A, in this embodiment, the roller member 13A is provided over substantially the entire length excluding both end portions of the support shaft 12. Also in this case, among the plurality of transport rollers 11,
1 located at least downstream of the last cooler 23
The first static eliminator may be formed by putting a conductive substance into the three roller members 13A to form a conductive roller member.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板を
搬送しながら強制冷却するようにしたことで、生産性の
向上を図ることができる。さらに、強制冷却によって基
板に静電気が生じても、その基板を搬送しながら静電気
を除去できるから、そのことによっても生産性の向上を
図ることができるばかりか、静電気により基板に損傷を
与えたり、パーティクルが付着するなどのことを防止で
きる。
As described above, according to the present invention, productivity is improved by forcibly cooling the substrate while transferring it. Furthermore, even if static electricity is generated on the substrate due to forced cooling, the static electricity can be removed while transporting the substrate, thereby not only improving the productivity but also damaging the substrate due to the static electricity, Particles can be prevented from adhering.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施の形態に係る搬送装置が用い
られた太陽電池モジュールの製造装置の概略図。
FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus for manufacturing a solar cell module using a transfer device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同じく搬送装置の一部分を拡大して示す平面
図。
FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of the transport device.

【図3】同じく搬送装置の長手方向に沿う一部分の拡大
側断面図。
FIG. 3 is an enlarged side cross-sectional view of a part of the conveyance device along the longitudinal direction.

【図4】同じく搬送装置の幅方向に沿う一部分の拡大縦
断面図。
FIG. 4 is an enlarged vertical cross-sectional view of a part of the conveying device along the width direction.

【図5】同じく基板に形成された半導体層をスクライブ
した状態の一部を示す拡大断面図。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a state where a semiconductor layer formed on the substrate is scribed.

【図6】この発明の他の実施の形態を示す搬送ローラの
断面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a conveyance roller according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板 3…成膜チャンバ 4…スクライバー 11…搬送ローラ(搬送手段) 13a…導電性ローラ部材(除電手段) 22…冷却器(冷却手段) 31…イオン化気体発生器(除電手段) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 3 ... Film-forming chamber 4 ... Scriber 11 ... Conveying roller (conveying means) 13a ... Conductive roller member (static elimination means) 22 ... Cooler (cooling means) 31 ... Ionized gas generator (static elimination means)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 31/04 B ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 31/04 B

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 加熱処理された基板を搬送するための搬
送装置において、 上記基板を所定方向へ搬送する搬送手段と、 この搬送手段によって搬送される基板を冷却する冷却手
段と、 この冷却手段で冷却されることで基板に生じた静電気を
この基板の搬送中に除去する除電手段とを具備したこと
を特徴とする基板の搬送装置。
1. A transfer device for transferring a heat-treated substrate, a transfer unit for transferring the substrate in a predetermined direction, a cooling unit for cooling the substrate transferred by the transfer unit, and a cooling unit. A substrate transfer device, comprising: static elimination means for removing static electricity generated on a substrate by cooling during the transfer of the substrate.
【請求項2】 成膜工程で薄膜が形成された太陽電池モ
ジュールの基板を、上記薄膜をスクライブするスクライ
ブ工程に搬送するための基板の搬送装置において、 上記成膜工程で薄膜が形成された基板を上記スクライブ
工程へ搬送するための搬送手段と、 上記成膜工程とスクライブ工程との間に設けられ上記成
膜工程で温度上昇して上記搬送手段で搬送される基板を
所定温度に冷却する冷却手段と、 この冷却手段で冷却されることで基板に生じた静電気を
この基板の搬送中に除去する除電手段とを具備したこと
を特徴とする基板の搬送装置。
2. A substrate transfer device for transferring a substrate of a solar cell module on which a thin film has been formed in a film forming step to a scribe step of scribing the thin film, the substrate having a thin film formed in the film forming step. Transport means for transporting the substrate to the scribing step; and cooling provided between the film forming step and the scribing step to raise the temperature in the film forming step and cool the substrate transported by the transport means to a predetermined temperature. And a static eliminator for removing static electricity generated on the substrate by being cooled by the cooling unit during the transfer of the substrate.
【請求項3】 上記搬送手段は回転駆動される複数の搬
送ローラを有し、上記除電手段は上記搬送ローラの少な
くとも1つに導電性を備えたことを特徴とする請求項1
または請求項2記載の基板の搬送装置。
3. The transfer device according to claim 1, wherein the transfer device includes a plurality of transfer rollers that are driven to rotate, and the static elimination device includes a conductive member in at least one of the transfer rollers.
3. The substrate transfer device according to claim 2, wherein:
【請求項4】 上記除電手段は、上記冷却手段によって
冷却された基板に、この基板に生じた静電気を除去する
ためのイオン化された気体を吹き付けるイオン化気体発
生器であることを特徴とする請求項1または請求項2記
載の基板の搬送装置。
4. The apparatus according to claim 1, wherein said static eliminator is an ionized gas generator which blows an ionized gas for removing static electricity generated on said substrate cooled by said cooling means. The substrate transfer device according to claim 1 or 2.
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