JP2001176902A - Resin sealing method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する利用分野】本発明は接続端子が接合され
た半導体ウエハ、回路基板などの被成形品の接続端子接
合面側を該接続端子の接続側の頭部が露出するように樹
脂封止する樹脂封止方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to resin-sealing a connection terminal joining surface of a molded product such as a semiconductor wafer or a circuit board to which connection terminals are joined so that a head on the connection side of the connection terminal is exposed. To a resin sealing method.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハの表面に配線層が形成され
たウエハレベルの半導体装置が提案されている。このウ
エハ状の半導体装置を製造する場合には、半導体ウエハ
に接続端子であるメタルポスト、はんだボールを接合し
た後、該接続端子接合面に封止樹脂を供給して圧縮成形
により樹脂封止している。この接続端子接合面を樹脂封
止するのは、接続端子の頭部を確実に露出させることが
難しく、封止樹脂の流れ性が悪い上に樹脂圧がばらつ
き、しかも加熱しながら狭い隙間を縫うように封止樹脂
が流れるため途中で硬化し易いため、成形品の樹脂厚が
不均一になり易かった。特に接続端子がはんだボールの
場合、露出させる頭部が曲面でありメタルポストに比べ
て高さが低く高さがばらつき易く、ボールピッチも狭い
ため、頭部を確実に露出させて均一に樹脂封止すること
が困難であった。2. Description of the Related Art A wafer-level semiconductor device having a wiring layer formed on a surface of a semiconductor wafer has been proposed. When manufacturing this semiconductor device in the form of a wafer, a metal post serving as a connection terminal and a solder ball are bonded to the semiconductor wafer, and then a sealing resin is supplied to the connection terminal bonding surface, and then the resin is sealed by compression molding. ing. It is difficult to reliably expose the head of the connection terminal because the connection terminal joint surface is resin-sealed, the flow of the sealing resin is poor, the resin pressure varies, and a narrow gap is sewn while heating. As described above, since the sealing resin flows, the resin is easily cured in the middle, so that the resin thickness of the molded product tends to be non-uniform. Especially when the connection terminal is a solder ball, the exposed head is a curved surface, the height is lower than metal posts, the height is more likely to vary, and the ball pitch is narrower. It was difficult to stop.
【0003】そこで、はんだボールを接続端子とする場
合に、半導体ウエハのはんだボール接合面に半硬化性を
有する液状樹脂を垂らして、スピンコートによって液状
樹脂を半導体ウエハの周縁部まで被覆した後、半導体ウ
エハを加熱することにより、はんだボール接合面の封止
樹脂をはんだボールの頭部を露出したまま半硬化させる
方法が提案されている。樹脂封止後、半導体ウエハをダ
イシングにより個々の半導体装置に分離した後、実装基
板に接合して加熱加圧することにより、半硬化状態の封
止樹脂を溶かしながらボイドを逃がして実装基板面に密
着して硬化させ、はんだボールを実装基板側端子部に接
合することができる。[0003] When a solder ball is used as a connection terminal, a semi-curable liquid resin is dropped on the solder ball joint surface of the semiconductor wafer, and the liquid resin is coated up to the peripheral edge of the semiconductor wafer by spin coating. There has been proposed a method in which a semiconductor wafer is heated to semi-harden a sealing resin on a solder ball bonding surface while exposing a head of the solder ball. After resin sealing, the semiconductor wafer is separated into individual semiconductor devices by dicing, and then bonded to the mounting substrate and heated and pressed to melt the semi-cured sealing resin, release voids, and adhere to the mounting substrate surface Then, the solder ball can be bonded to the terminal portion on the mounting board side.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、被成形
品としてウエハレベルの半導体装置を樹脂封止する場合
には、半硬化性の液状樹脂をはんだボール接合面に垂ら
してスピンコートするのは、半導体ウエハから液状樹脂
が溢れ出て、無駄になる樹脂が大量(約80%程度)に
発生し易く、成形品の歩留まりが著しく低下するため、
製造コストが増加する。また、液状樹脂を垂らしてスピ
ンコートしているため、液状樹脂には本来的にボイドが
混入しており、樹脂が流れる際に樹脂密度が部分的低下
して新たにボイドが発生し易く、また樹脂厚のばらつき
に伴いはんだボールの露出部分にばらつきが生じ易く、
成形品質が低下し易い。However, when a wafer-level semiconductor device is resin-sealed as a molded product, it is difficult to apply a semi-curable liquid resin to the solder ball joint surface and spin coat the semiconductor device. Since the liquid resin overflows from the wafer, wasteful resin is likely to be generated in a large amount (about 80%), and the yield of molded products is significantly reduced.
Manufacturing costs increase. In addition, since the liquid resin is dripped and spin-coated, voids are inherently mixed in the liquid resin, and when the resin flows, the resin density is partially reduced and new voids are easily generated. Variations are likely to occur in the exposed portions of the solder balls due to variations in resin thickness,
Molding quality tends to deteriorate.
【0005】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、半導体装置の接続端子接合面を樹脂封止する封止
樹脂の無駄がなくしかも成形品質を向上させた樹脂封止
方法を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to provide a resin sealing method in which a sealing resin for sealing a connection terminal joining surface of a semiconductor device is not wasted and the molding quality is improved. Is to do.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。即ち、接続端子が接合
された被成形品を、該接続端子接合面をクランプする金
型面がリリースフィルムにより覆われたモールド金型へ
搬入し、被成形品に接続端子接合面を封止する分量の半
硬化性を有する封止樹脂を供給し、モールド金型により
被成形品をクランプして加熱することにより、接続端子
の頭部を露出させると共に接続端子接合面側を半硬化状
態で樹脂封止することを特徴とする。この場合、被成形
品には、接続端子が接合された接続端子接合面の周縁部
に該接続端子の高さと同程度の樹脂止め部が形成されて
いても良い。To solve the above-mentioned problems, the present invention has the following arrangement. That is, the molded product to which the connection terminals are bonded is carried into a mold having a mold surface for clamping the connection terminal bonding surface covered with a release film, and the connection terminal bonding surface is sealed with the molded product. By supplying a certain amount of semi-curing sealing resin, clamping the molded article with a mold and heating it, the head of the connection terminal is exposed, and the connection terminal joining surface side is semi-cured. It is characterized by sealing. In this case, the molded article may be provided with a resin stopper having a height substantially equal to the height of the connection terminal at the periphery of the connection terminal joining surface to which the connection terminal is joined.
【0007】また、モールド金型のキャビティ凹部を含
む金型面をリリースフィルムにより覆い、キャビティ凹
部に被成形品を収容し、該被成形品の接続端子接合面に
該接続端子接合面を封止する分量の半硬化性を有する封
止樹脂を供給し、モールド金型により被成形品をクラン
プして加熱することにより、接続端子の頭部を露出させ
ると共に該接続端子間を半硬化状態で樹脂封止すること
を特徴とする。Further, the mold surface including the cavity concave portion of the mold is covered with a release film, a molded product is accommodated in the cavity concave portion, and the connection terminal joint surface is sealed with the connection terminal joint surface of the molded product. By supplying an amount of semi-curable sealing resin, clamping the molded article with a mold and heating it, the head of the connection terminal is exposed and the resin between the connection terminals is semi-cured. It is characterized by sealing.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について添付図面と共に詳述する。なお、本実施例で
は、半導体ウエハの表面に配線層が形成され該配線層に
電気的に接続するはんだボール、メタルポストなどの接
続端子が形成されたウエハレベルの半導体装置を製造す
る樹脂封止方法について説明する。図1は樹脂封止プロ
セスの一例を示す説明図、図2は樹脂封止された半導体
ウエハから半導体装置の基板実装プロセスまでを示す説
明図、図3は図1の他例に係る装置構成を用いた樹脂封
止プロセスを示す説明図、図4は他例に係る樹脂封止プ
ロセスを示す説明図、図5は回路基板のはんだボール接
合面側から見た平面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In the present embodiment, a resin encapsulation for manufacturing a wafer-level semiconductor device in which a wiring layer is formed on the surface of a semiconductor wafer and connection terminals such as solder balls and metal posts that are electrically connected to the wiring layer are formed. The method will be described. 1 is an explanatory diagram showing an example of a resin sealing process, FIG. 2 is an explanatory diagram showing a process from a resin-sealed semiconductor wafer to a substrate mounting process of a semiconductor device, and FIG. 3 is a device configuration according to another example of FIG. FIG. 4 is an explanatory view showing a resin sealing process used, FIG. 4 is an explanatory view showing a resin sealing process according to another example, and FIG. 5 is a plan view seen from a solder ball joining surface side of a circuit board.
【0009】図1において、先ず半導体ウエハの樹脂封
止方法をその装置構成と共に説明する。1は被成形品で
あり、直径φ200〜300mm程度の半導体ウエハ上
に配線層が形成され該配線層の一部に接続端子としては
んだボール2が接合されている。この被成形品1は上型
3及び下型4よりなるモールド金型5に搬入されてクラ
ンプされる。上型3ははんだボール接合面をクランプす
るため、クランプ圧が過剰に加わらないようにスプリン
グ6により上型ベース7より吊り下げられている。上型
3及び下型4にはヒータ8、9が内臓されている。Referring to FIG. 1, a resin sealing method for a semiconductor wafer will be described together with its apparatus configuration. Reference numeral 1 denotes a molded article, on which a wiring layer is formed on a semiconductor wafer having a diameter of about 200 to 300 mm, and a solder ball 2 is joined to a part of the wiring layer as a connection terminal. The molded article 1 is carried into a mold 5 composed of an upper mold 3 and a lower mold 4 and clamped. The upper die 3 is suspended from the upper die base 7 by a spring 6 so as not to apply excessive clamping pressure in order to clamp the solder ball joint surface. The upper die 3 and the lower die 4 have heaters 8 and 9 incorporated therein.
【0010】10はリリースフィルムであり、上型3が
じかに封止樹脂11に接触しないよう、該上型3のパー
ティング面を覆っている。リリースフィルム10は、モ
ールド金型5の加熱温度に耐えられる耐熱性を有するも
ので、金型面より容易に剥離するものであって、柔軟
性、伸展性を有するフィルム材、例えば、PTFE、E
TFE、PET、FEP、フッ素含浸ガラスクロス、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニリジン等が好適に用いられ
る。リリースフィルム10は、上型3のパーティング面
に形成された吸着穴よりエアーを吸引することで、上型
3に密着して張設される。リリースフィルム10は、長
尺状のものをリリースフィルム供給機構(図示せず)に
より連続してモールド金型へ供給するようになっていて
も、或いは予め短冊状に切断されたものを用いても良
い。尚、長尺状のリリースフィルム10を用いる場合に
は、リリースフィルム供給機構も上型3の開閉動作に伴
って上下動する必要がある。A release film 10 covers the parting surface of the upper mold 3 so that the upper mold 3 does not directly contact the sealing resin 11. The release film 10 has heat resistance enough to withstand the heating temperature of the mold 5 and is easily peeled off from the mold surface, and is a film material having flexibility and extensibility, for example, PTFE, E
TFE, PET, FEP, fluorine impregnated glass cloth, polypropylene, polyvinylidene chloride and the like are preferably used. The release film 10 is stretched in close contact with the upper mold 3 by sucking air from suction holes formed in the parting surface of the upper mold 3. The release film 10 may be configured such that a long film is continuously supplied to a mold by a release film supply mechanism (not shown), or a film that has been cut into strips in advance may be used. good. When the long release film 10 is used, the release film supply mechanism also needs to move up and down with the opening and closing operation of the upper die 3.
【0011】尚、封止樹脂11としては加熱により半硬
化性を有する樹脂が好適に用いられる。この封止樹脂1
1は固形の樹脂タブレットであっても、顆粒状樹脂や粉
末状樹脂、或いは液体状樹脂であっても良い。また、被
成形品1は半導体ウエハの電極端子に直接電気的に接続
するようメタルポストが立設されていても良い。この場
合、半導体ウエハの周縁部或いは外周面側に樹脂止め部
を設けても良い。As the sealing resin 11, a resin having a semi-curing property by heating is preferably used. This sealing resin 1
1 may be a solid resin tablet, a granular resin, a powdery resin, or a liquid resin. Further, the molded article 1 may be provided with metal posts so as to be directly electrically connected to the electrode terminals of the semiconductor wafer. In this case, a resin stopper may be provided on the peripheral edge or the outer peripheral surface of the semiconductor wafer.
【0012】次に、樹脂封止プロセスについて説明す
る。はんだボール2が接合された被成形品1のはんだボ
ール接合面の周縁部には樹脂止め部12がはんだボール
2の高さと同程度の高さに形成されている。この樹脂止
め部12は、モールド金型5により樹脂封止する際に、
半導体ウエハの周縁部に広がった封止樹脂11をせき止
めて溢れ出るのを防止し、該封止樹脂11に所要の樹脂
圧を与えて均一に押し広げるため設けられている。樹脂
止め部12は、予め半導体ウエハの周縁部にポッティン
グにより熱硬化性樹脂を垂らして形成してもよく、ある
いはポリイミドやエラストマー等の樹脂材を貼り付けて
形成しても良い。また、樹脂止め部12は、半導体ウエ
ハをダイシングする際に除去される部位に形成されてい
るので、成形品の品質に及ぼす影響はほとんどない。Next, the resin sealing process will be described. A resin stopper 12 is formed on the periphery of the solder ball joint surface of the molded article 1 to which the solder ball 2 is joined, at a height substantially equal to the height of the solder ball 2. When the resin stopper 12 is sealed with the mold 5 by the resin,
The sealing resin 11 is provided to prevent the overflow of the sealing resin 11 spread around the peripheral portion of the semiconductor wafer by preventing the overflow, and to apply the required resin pressure to the sealing resin 11 so as to spread it evenly. The resin stopper 12 may be formed by dropping a thermosetting resin on the periphery of the semiconductor wafer by potting in advance, or may be formed by attaching a resin material such as polyimide or elastomer. In addition, since the resin stopper 12 is formed at a portion that is removed when dicing the semiconductor wafer, there is almost no influence on the quality of the molded product.
【0013】この被成形品1を、上型3のパーティング
面をリリースフィルム10により覆われたモールド金型
5へ搬入する。そして、被成形品1のはんだボール接合
面に半硬化性を有する封止樹脂11を供給してモールド
金型5により被成形品1をクランプする。このとき、封
止樹脂11は、ヒータ8、9により加熱されながらモー
ルド金型5にクランプされるので、半導体ウエハの周縁
部まで均一な樹脂圧が加わって均一に広がる。また、封
止樹脂11は周縁部で樹脂止め部12によりせき止めら
れるので、該封止樹脂11がモールド金型5より溢れ出
ることはない。また、はんだボール2の頭部は、リリー
スフィルム10により定量的に覆われているので、該頭
部を確実に露出させることができる。このモールド金型
5による加熱加圧により、半導体ウエハのはんだボール
接合面を、はんだボール2の頭部を露出させて、封止樹
脂11を半硬化状態にする。The molded article 1 is carried into a mold 5 in which the parting surface of the upper mold 3 is covered with a release film 10. Then, a semi-curing sealing resin 11 is supplied to the solder ball joint surface of the molded article 1, and the molded article 1 is clamped by the mold 5. At this time, the sealing resin 11 is clamped by the mold 5 while being heated by the heaters 8 and 9, so that a uniform resin pressure is applied to the peripheral edge of the semiconductor wafer and spread uniformly. Further, since the sealing resin 11 is dammed at the peripheral edge by the resin stopper 12, the sealing resin 11 does not overflow from the mold 5. Also, since the head of the solder ball 2 is quantitatively covered with the release film 10, the head can be reliably exposed. By applying heat and pressure by the mold 5, the solder ball bonding surface of the semiconductor wafer exposes the head of the solder ball 2, and the sealing resin 11 is brought into a semi-cured state.
【0014】次に、図2において、半導体ウエハ13を
ダイシングソー30により切断して、個々の半導体装置
14が得られる。この半導体装置14を、実装装置15
に搬入して実装基板16上へアライメントとして基板実
装する。このとき、半導体装置14は、実装装置15に
より加熱加圧されて、半硬化状態の封止樹脂11を溶か
しながらボイドを逃がして実装基板16へ密着して硬化
させ、はんだボール2を実装基板16側の端子部に接合
することができる。これによって、半導体装置14のは
んだボール接合面の樹脂封止が隙間なく確実に行える上
に、樹脂封止(アンダーフィルモールド)と基板実装と
が同時に行える。Next, in FIG. 2, the semiconductor wafer 13 is cut by a dicing saw 30, and individual semiconductor devices 14 are obtained. This semiconductor device 14 is mounted on a mounting device 15
And mounted on the mounting board 16 as an alignment. At this time, the semiconductor device 14 is heated and pressurized by the mounting device 15 to melt the semi-cured sealing resin 11, escape the voids, adhere to the mounting substrate 16, and cure the solder ball 2. Side terminal part. Thereby, the resin sealing of the solder ball joint surface of the semiconductor device 14 can be performed without any gap, and the resin sealing (underfill molding) and the substrate mounting can be performed simultaneously.
【0015】上記樹脂封止方法によれば、はんだボール
2が接合された被成形品1を、該はんだボール接合面を
クランプする金型面がリリースフィルム10により覆わ
れたモールド金型5へ搬入し、被成形品1にはんだボー
ル接合面を封止する分量の半硬化性を有する封止樹脂1
1を供給し、モールド金型5により被成形品1をクラン
プして加熱することにより、封止樹脂11を無駄なく利
用して半硬化状態で樹脂封止できるので、成形品の歩留
まりが向上し、製造コストも減少する。特に、被成形品
1に、はんだボール2が接合されたはんだボール接合面
の周縁部に該はんだボール2の高さと同程度の樹脂止め
部12が形成されている場合には、被成形品1の周縁部
に広がった封止樹脂11をせき止めて溢れ出るのを防止
し、該封止樹脂11に所要の樹脂圧を与えて均一に押し
広げることができ、しかもモールド金型5の構成を簡素
化することができる。また、リリースフィルム10を張
設されたモールド金型5によってクランプして樹脂封止
するので、高さがばらつき易くボール間ピッチが狭ピッ
チ化し易いはんだボール接合面をはんだボール2の頭部
を確実に露出させて樹脂封止することができる。また、
半硬化性の封止樹脂11はモールド金型5により加熱加
圧されて半硬化しているので、封止樹脂11にボイドが
発生するおそれはなく、樹脂厚のばらつきは少ないので
成形品質を向上させることができる。尚、本実施例は、
被成形品1として、半導体ウエハを用いて説明したが、
配線層が形成され、はんだボールが接合された回路基板
等を用いて同様に樹脂封止することも可能である。According to the above resin sealing method, the molded article 1 to which the solder balls 2 are joined is carried into the mold 5 in which the mold surface for clamping the solder ball joint surface is covered with the release film 10. And a molding resin 1 having a semi-curing property sufficient to seal the solder ball joint surface to the molded article 1.
1 is supplied, and the molded article 1 is clamped and heated by the mold 5 so that the resin can be sealed in a semi-cured state without wasting the sealing resin 11, thereby improving the yield of the molded article. Also, manufacturing costs are reduced. In particular, when a resin stopper 12 having a height substantially equal to the height of the solder ball 2 is formed on the periphery of the solder ball joining surface to which the solder ball 2 is joined, the product 1 The sealing resin 11 spread over the peripheral edge of the sealing resin 11 is prevented from overflowing and can be uniformly spread by applying a required resin pressure to the sealing resin 11, and the configuration of the mold 5 is simplified. Can be In addition, since the release film 10 is clamped by the stretched mold 5 and sealed with resin, the solder ball joining surface where the height tends to fluctuate and the pitch between the balls tends to be narrow is secured to the head of the solder ball 2. And can be resin-sealed. Also,
Since the semi-curing sealing resin 11 is semi-cured by being heated and pressurized by the mold 5, there is no possibility that voids are generated in the sealing resin 11, and there is little variation in resin thickness, so that molding quality is improved. Can be done. In this embodiment,
Although a semiconductor wafer has been described as the molded article 1,
It is also possible to similarly perform resin sealing using a circuit board or the like on which a wiring layer is formed and solder balls are joined.
【0016】上記実施例は、被成形品1のはんだボール
接合面を上向きにしてモールド金型5に搭載してクラン
プする装置構成を用いて説明したが、図3に示すよう
に、被成形品1をはんだボール接合面が下向きになるよ
うにモールド金型5に搭載する装置構成であっても良
い。Although the above embodiment has been described with reference to the apparatus configuration in which the solder ball bonding surface of the molded article 1 is oriented upward and mounted on the mold 5 and clamped, as shown in FIG. 1 may be mounted on the mold 5 so that the solder ball bonding surface faces downward.
【0017】具体的には、モールド金型5のうち下型4
はリリースフィルム10により覆われている。被成形品
1のはんだボール接合面の周縁部には樹脂止め部12が
はんだボール2の高さと同程度の高さに形成されてい
る。樹脂封止プロセスについて説明すると、先ずリリー
スフィルム10に覆われた下型4に半硬化性を有する封
止樹脂11を供給し、次いで被成形品1がはんだボール
接合面を下向きにして上型3に設けられた真空吸引機構
などによりパーティング面に吸着保持される。そして、
モールド金型5により被成形品1をクランプして加熱加
圧する。このとき、封止樹脂11は、ヒータ8、9によ
り加熱されながらモールド金型5にクランプされるの
で、半導体ウエハの周縁部まで均一な樹脂圧が加わって
均一に広がる。また、封止樹脂11は周縁部で樹脂止め
部12によりせき止められるので、該封止樹脂11がモ
ールド金型5より溢れ出ることはない。また、はんだボ
ール2の頭部は、リリースフィルム10により定量的に
覆われているので、該頭部を確実に露出させることがで
きる。Specifically, the lower mold 4 of the mold 5
Are covered by a release film 10. A resin stopper 12 is formed at the periphery of the solder ball joining surface of the molded article 1 at a height substantially equal to the height of the solder ball 2. The resin encapsulation process will be described. First, a semi-curable encapsulating resin 11 is supplied to a lower mold 4 covered with a release film 10, and then the molded article 1 is turned upside down with the solder ball bonding surface facing downward. Is held by suction on the parting surface by a vacuum suction mechanism or the like. And
The molded article 1 is clamped by the mold 5 and heated and pressed. At this time, the sealing resin 11 is clamped by the mold 5 while being heated by the heaters 8 and 9, so that a uniform resin pressure is applied to the peripheral edge of the semiconductor wafer and spread uniformly. Further, since the sealing resin 11 is dammed at the peripheral edge by the resin stopper 12, the sealing resin 11 does not overflow from the mold 5. Also, since the head of the solder ball 2 is quantitatively covered with the release film 10, the head can be reliably exposed.
【0018】次に、他の樹脂封止方法について、樹脂封
止装置の構成と共に説明する。尚、上記実施例と同一部
材には同一番号を付して説明を援用する。本実施例は、
被成形品1として、図4に示すように配線層が形成され
た回路基板17にはんだボール2が接合されたものを樹
脂封止する方法について説明する。Next, another resin sealing method will be described together with the configuration of the resin sealing device. Note that the same members as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description is referred to. In this embodiment,
A method of resin-sealing a molded article 1 in which a solder ball 2 is joined to a circuit board 17 on which a wiring layer is formed as shown in FIG. 4 will be described.
【0019】図3において、この被成形品1は上型18
及び下型19よりなるモールド金型20に搬入されてク
ランプされる。下型19には被成形品1を収容するキャ
ビティ凹部21が形成されている。このキャビティ凹部
21は、下型ベース22の周囲に可動クランプ部23が
スプリング24により上方へ付勢されてフローティング
支持されて形成されている。可動クランプ部23は、モ
ールド金型20をクランプした際に、上型18により押
し下げられて、クランプ圧が過剰に加わらないようにな
っている。可動クランプ部23のクランプ面側には、キ
ャビティ凹部21内のエアーを外部へ逃がすためのエア
ーベント溝(図示せず)が形成されているのが好まし
い。また、上型18及び下型19にはヒータ25、26
が内臓されている。In FIG. 3, the molded article 1 is an upper mold 18.
Then, it is carried into a mold die 20 composed of a lower mold 19 and clamped. The lower mold 19 is formed with a cavity recess 21 for accommodating the molded article 1. The cavity concave portion 21 is formed such that the movable clamp portion 23 is urged upward by a spring 24 around the lower mold base 22 and is floating supported. When the mold 20 is clamped, the movable clamp 23 is pushed down by the upper mold 18 so that excessive clamping pressure is not applied. It is preferable that an air vent groove (not shown) for releasing air in the cavity concave portion 21 to the outside is formed on the clamp surface side of the movable clamp portion 23. The upper mold 18 and the lower mold 19 have heaters 25, 26,
Is built-in.
【0020】また、上型18のパーティング面及び下型
19のキャビティ凹部21を含むパーティング面はリリ
ースフィルム10により各々覆われており、モールド金
型20がじかに封止樹脂11に接触しないようになって
いる。リリースフィルム10は、モールド金型20のパ
ーティング面に形成された吸着穴よりエアーを吸引する
ことで、金型面に密着して張設される。尚、キャビティ
凹部21においては、下型ベース22と可動クランプ部
23との隙間27を利用してエアーを吸引することで、
キャビティ凹部21に密着して張設するのが好ましい。
リリースフィルム10は、長尺状のものをリリースフィ
ルム供給機構(図示せず)により連続してモールド金型
へ供給するようになっていても、或いは予め短冊状に切
断されたものを用いても良い。尚、長尺状のリリースフ
ィルム10を用いる場合には、可動側、例えば上型側の
リリースフィルム供給機構も上型18の開閉動作に伴っ
て上下動する必要がある。The parting surface of the upper mold 18 and the parting surface of the lower mold 19 including the cavity recess 21 are respectively covered with the release film 10 so that the mold 20 does not directly contact the sealing resin 11. It has become. The release film 10 is stretched in close contact with the mold surface by sucking air from suction holes formed in the parting surface of the mold 20. In the cavity concave portion 21, air is sucked using the gap 27 between the lower mold base 22 and the movable clamp portion 23,
It is preferable to stretch and stick to the cavity concave portion 21.
The release film 10 may be configured such that a long film is continuously supplied to a mold by a release film supply mechanism (not shown), or a film that has been cut into strips in advance may be used. good. When the long release film 10 is used, it is necessary that the release film supply mechanism on the movable side, for example, the upper mold side also moves up and down with the opening and closing operation of the upper mold 18.
【0021】次に、樹脂封止プロセスについて説明す
る。はんだボール2が接合された被成形品1を、モール
ド金型20のパーティング面をリリースフィルム10に
より覆われたキャビティ凹部21へ搬入する。そして、
被成形品1のはんだボール接合面に該はんだボール接合
面を封止する分量の半硬化性を有する封止樹脂11を供
給してモールド金型20により被成形品1をクランプす
る。このとき、封止樹脂11は、ヒータ25、26によ
り加熱されながらモールド金型20にクランプされるの
で、回路基板17の周縁部まで均一な樹脂圧が加わって
均一に広がる。また、封止樹脂11は周縁部で可動クラ
ンプ部23によりせき止められるので、該封止樹脂11
がモールド金型20より溢れ出ることはない。また、は
んだボール2の頭部は、リリースフィルム10により定
量的に覆われているので、該頭部を確実に露出させるこ
とができる。このモールド金型20による加熱加圧によ
り、回路基板17のはんだボール接合面を、はんだボー
ル2の頭部を露出させて、封止樹脂11を半硬化状態に
する。Next, the resin sealing process will be described. The molded article 1 to which the solder balls 2 are joined is carried into the cavity recess 21 in which the parting surface of the mold 20 is covered with the release film 10. And
The molding resin 1 is clamped by the mold 20 by supplying a sufficient amount of semi-curing sealing resin 11 for sealing the solder ball bonding surface to the solder ball bonding surface of the molding 1. At this time, the sealing resin 11 is clamped to the mold 20 while being heated by the heaters 25 and 26, so that a uniform resin pressure is applied to the peripheral edge of the circuit board 17 and spread uniformly. Also, since the sealing resin 11 is dammed at the periphery by the movable clamp portion 23, the sealing resin 11
Does not overflow from the mold 20. Also, since the head of the solder ball 2 is quantitatively covered with the release film 10, the head can be reliably exposed. By applying heat and pressure by the mold 20, the solder ball bonding surface of the circuit board 17 exposes the head of the solder ball 2, and the sealing resin 11 is brought into a semi-cured state.
【0022】次に、図2と同様にして、回路基板17を
ダイシングソー30により切断して、半導体装置を個々
に分離した後、実装装置15に搬入して実装基板16上
へアライメントとして基板実装する。このとき、半導体
装置は、実装装置15により加熱加圧されて、半硬化状
態の封止樹脂11を溶かしながらボイドを逃がして実装
基板16へ密着して硬化させ、はんだボール2を実装基
板16側の端子部に接合することができる。これによっ
て、半導体装置のはんだボール接合面の樹脂封止が隙間
なく確実に行える上に、樹脂封止(アンダーフィルモー
ルド)と基板実装とが同時に行える。Next, in the same manner as in FIG. 2, the circuit board 17 is cut by a dicing saw 30 to separate the semiconductor devices from each other. Then, the semiconductor devices are carried into the mounting device 15 and mounted on the mounting substrate 16 as alignment. I do. At this time, the semiconductor device is heated and pressurized by the mounting device 15 to melt the semi-cured sealing resin 11, release the voids, adhere to the mounting substrate 16 and harden, and fix the solder balls 2 on the mounting substrate 16 side. Can be joined to the terminal portion. Thereby, the resin sealing of the solder ball joint surface of the semiconductor device can be performed reliably without any gap, and the resin sealing (underfill molding) and the substrate mounting can be performed simultaneously.
【0023】上記樹脂封止方法によれば、はんだボール
2が接合された被成形品1をキャビティ凹部21へ収容
して、はんだボール接合面を封止する分量の半硬化性を
有する封止樹脂11を供給して、リリースフィルム10
を張設されたモールド金型20によってクランプして加
熱することにより、封止樹脂11を無駄なく利用して半
硬化状態で樹脂封止できるので、成形品の歩留まりが向
上し、製造コストも減少する。また、リリースフィルム
10を張設されたモールド金型20によってクランプし
て樹脂封止するので、高さがばらつき易くボール間ピッ
チが狭ピッチ化し易いはんだボール接合面をはんだボー
ル2の頭部を確実に露出させて樹脂封止することができ
る。また、半硬化性を有する封止樹脂11はモールド金
型20により加熱加圧されて半硬化しているので、封止
樹脂11にボイドが発生するおそれはなく、樹脂厚のば
らつきは少ないので成形品質を向上させることができ
る。尚、本実施例は、被成形品1として、回路基板17
を用いて説明したが、配線層が形成され、はんだボール
が接合された半導体ウエハ等を用いて同様に樹脂封止す
ることも可能である。According to the above resin encapsulation method, the molded article 1 to which the solder ball 2 has been joined is housed in the cavity concave portion 21 and a sufficient amount of semi-curing sealing resin for sealing the solder ball joint surface. Supply 11 and release film 10
Is heated and clamped by the mold 20 having the tension applied thereto, and the sealing resin 11 can be used in a semi-cured state without waste, thereby improving the yield of the molded product and reducing the manufacturing cost. I do. Also, since the release film 10 is clamped by the stretched mold 20 and resin-sealed, the solder ball joint surface where the height tends to fluctuate and the pitch between the balls tends to be narrow is secured to the head of the solder ball 2. And can be resin-sealed. Further, since the semi-curing sealing resin 11 is semi-cured by being heated and pressurized by the mold 20, there is no possibility that a void is generated in the sealing resin 11, and the resin thickness has little variation. Quality can be improved. In this embodiment, the circuit board 17 is used as the molded article 1.
However, it is also possible to similarly perform resin sealing using a semiconductor wafer or the like on which a wiring layer is formed and solder balls are joined.
【0024】以上、本発明の好適な実施例について種々
述べて来たが、本発明は上述の実施例に限定されるので
はなく、被成形品1としては半導体ウエハ13や回路基
板17に限らず、例えばICチップが接合された配線基
板等であっても良い。また、被成形品1として用いられ
る基板は樹脂基板やテープ基板など様々なものが適用で
き、或いは基板にヒートシンクとなる金属板が積層され
ていても良い等、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの
改変を施し得るのはもちろんである。Although the preferred embodiment of the present invention has been described in various ways, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the molded article 1 is limited to the semiconductor wafer 13 and the circuit board 17. Instead, for example, a wiring board to which an IC chip is bonded may be used. Various substrates such as a resin substrate and a tape substrate can be used as the substrate used as the molded article 1, or a metal plate serving as a heat sink may be laminated on the substrate. It is needless to say that the modification can be made.
【0025】[0025]
【発明の効果】本発明に係る樹脂封止方法を用いると、
接続端子が接合された被成形品に、接続端子接合面を封
止する分量の半硬化性を有する封止樹脂を供給して、ク
ランプ面がリリースフィルムにより覆われたモールド金
型によってクランプして加熱加圧することにより、封止
樹脂を無駄なく利用して半硬化状態で樹脂封止できるの
で、成形品の歩留まりが向上し、製造コストも減少す
る。また、リリースフィルムを張設されたモールド金型
によってクランプして樹脂封止するので、高さがばらつ
き易く端子間ピッチが狭い(特にはんだボールの場合)
接続端子接合面を接続端子の頭部を確実に露出させて樹
脂封止することができる。また、半硬化性を有する封止
樹脂はモールド金型により加熱加圧されて半硬化してい
るので、封止樹脂にボイドが発生するおそれはなく、樹
脂厚のばらつきは少ないので成形品質を向上させること
ができる。また、被成形品に、接続端子が接合された接
続端子接合面の周縁部に該接続端子の高さと同程度の樹
脂止め部が形成されている場合には、被成形品の周縁部
に広がった封止樹脂をせき止めて溢れ出るのを防止し、
該封止樹脂に所要の樹脂圧を与えて均一に押し広げるこ
とができ、しかもモールド金型の構成も簡素化すること
ができる。According to the resin sealing method of the present invention,
To the molded product to which the connection terminals are joined, supply a sufficient amount of semi-curing sealing resin to seal the connection terminal joint surface, and clamp the clamp surface with a mold that is covered with a release film. By applying heat and pressure, the sealing resin can be sealed in a semi-cured state without waste, thereby improving the yield of molded products and reducing the manufacturing cost. In addition, since the release film is clamped by a stretched mold and sealed with resin, the height tends to vary and the pitch between terminals is narrow (particularly in the case of solder balls).
The connection terminal joint surface can be sealed with resin by reliably exposing the head of the connection terminal. In addition, since the semi-curing sealing resin is semi-cured by being heated and pressed by the mold, there is no risk of voids in the sealing resin, and there is little variation in resin thickness, so molding quality is improved. Can be done. In addition, when the molded product has a resin stopper at about the same height as the connection terminal at the periphery of the connection terminal joining surface to which the connection terminal is joined, the resin spreads over the periphery of the molded product. Damping the encapsulating resin to prevent it from overflowing,
The required resin pressure can be applied to the sealing resin so that the resin can be uniformly spread out, and the configuration of the mold can be simplified.
【図1】樹脂封止プロセスの一例を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating an example of a resin sealing process.
【図2】樹脂封止された半導体ウエハから半導体装置の
基板実装プロセスまでを示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a process from a resin-sealed semiconductor wafer to a substrate mounting process of a semiconductor device.
【図3】図1の他例に係る装置構成を用いた樹脂封止プ
ロセスを示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a resin sealing process using an apparatus configuration according to another example of FIG. 1;
【図4】他例に係る樹脂封止プロセスを示す説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory view showing a resin sealing process according to another example.
【図5】回路基板のはんだボール接合面側から見た平面
図である。FIG. 5 is a plan view of the circuit board as viewed from a solder ball joining surface side.
1 被成形品 2 はんだボール 3、18 上型 4、19 下型 5、20 モールド金型 6、24 スプリング 7 上型ベース 8、9、25、26 ヒータ 10 リリースフィルム 11 封止樹脂 12 樹脂止め部 13 半導体ウエハ 14 半導体装置 15 実装装置 16 実装基板 17 回路基板 21 キャビティ凹部 22 下型ベース 23 可動クランプ部 27 隙間 30 ダイシングソー REFERENCE SIGNS LIST 1 Molded product 2 Solder ball 3, 18 Upper die 4, 19 Lower die 5, 20 Mold die 6, 24 Spring 7 Upper die base 8, 9, 25, 26 Heater 10 Release film 11 Sealing resin 12 Resin stopper DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 Semiconductor wafer 14 Semiconductor device 15 Mounting device 16 Mounting substrate 17 Circuit board 21 Cavity recess 22 Lower mold base 23 Movable clamp part 27 Gap 30 Dicing saw
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B29L 31:34 H01L 23/12 L Fターム(参考) 4F202 AD08 AD19 AH33 CA09 CB01 CB12 CK41 CK75 CM72 CP01 CQ06 4F204 AD08 AD19 AH33 FA01 FB01 FB17 FN12 FQ38 5F061 AA01 BA03 BA07 CA21 CB02 DA01 DA06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // B29L 31:34 H01L 23/12 L F-term (Reference) 4F202 AD08 AD19 AH33 CA09 CB01 CB12 CK41 CK75 CM72 CP01 CQ06 4F204 AD08 AD19 AH33 FA01 FB01 FB17 FN12 FQ38 5F061 AA01 BA03 BA07 CA21 CB02 DA01 DA06
Claims (5)
続端子接合面をクランプする金型面がリリースフィルム
により覆われたモールド金型へ搬入し、前記被成形品に
前記接続端子接合面を封止する分量の半硬化性を有する
封止樹脂を供給し、前記モールド金型により前記被成形
品をクランプして加熱することにより、前記接続端子の
頭部を露出させると共に接続端子接合面側を半硬化状態
で樹脂封止することを特徴とする樹脂封止方法。1. A molded product to which connection terminals are joined is carried into a mold having a mold surface for clamping the connection terminal joining surface covered with a release film, and the connection terminal is joined to the molded product. Supplying a sufficient amount of semi-curing sealing resin to seal the surface, clamping the molded article by the molding die and heating, thereby exposing the head of the connection terminal and joining the connection terminal. A resin sealing method, wherein the surface side is sealed with a resin in a semi-cured state.
た接続端子接合面の周縁部に該接続端子の高さと同程度
の樹脂止め部が形成されていることを特徴とする請求項
1記載の樹脂封止方法。2. The resin molding according to claim 1, wherein the molded article is provided with a resin stopper having a height substantially equal to the height of the connection terminal at a periphery of the connection terminal joining surface to which the connection terminal is joined. 2. The resin sealing method according to 1.
続端子としてはんだボールが接合されていることを特徴
とする請求項1又は2記載の樹脂封止方法。3. The resin sealing method according to claim 1, wherein a solder ball is connected as a connection terminal to the connection terminal bonding surface of the molded article.
型面をリリースフィルムにより覆い、前記キャビティ凹
部に被成形品を収容し、該被成形品の接続端子接合面に
該接続端子接合面を封止する分量の半硬化性を有する封
止樹脂を供給し、前記モールド金型により前記被成形品
をクランプして加熱することにより、前記接続端子の頭
部を露出させると共に該接続端子間を半硬化状態で樹脂
封止することを特徴とする樹脂封止方法。4. A mold surface including a cavity recess of a mold is covered with a release film, a molded product is accommodated in the cavity recess, and the connection terminal joining surface is sealed with a connection terminal joining surface of the molded product. By supplying a sealing resin having a semi-curing property in an amount to be stopped, by clamping and heating the molded article by the mold, the head of the connection terminal is exposed and the space between the connection terminals is reduced by half. A resin sealing method characterized by sealing with a resin in a cured state.
続端子としてはんだボールが接合されていることを特徴
とする請求項4記載の樹脂封止方法。5. The resin sealing method according to claim 4, wherein a solder ball is connected as a connection terminal to the connection terminal bonding surface of the molded article.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35777999A JP2001176902A (en) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | Resin sealing method |
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