JP2001160655A - マルチビーム型半導体レーザアレイ - Google Patents
マルチビーム型半導体レーザアレイInfo
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- JP2001160655A JP2001160655A JP34299399A JP34299399A JP2001160655A JP 2001160655 A JP2001160655 A JP 2001160655A JP 34299399 A JP34299399 A JP 34299399A JP 34299399 A JP34299399 A JP 34299399A JP 2001160655 A JP2001160655 A JP 2001160655A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構成素子の各々を目視で識別できるようにし
たマルチビーム型半導体レーザアレイを提供する。 【解決手段】 本半導体レーザアレイ２０は、一つのチ
ップの共通基板１２上に電気的分離溝１４で分離されて
アレイ状に形成された、同じ寸法、同じ形態の２個の第
１半導体レーザ素子１６、第２半導体レーザ素子１８を
備え、各半導体レーザ素子の表面指定領域に、それぞ
れ、識別標識が付されている。半導体レーザ素子をそれ
ぞれ識別する識別標識及び、２２、２４は、半導体
レーザ素子の各々の最上層として形成された保護膜内の
隅部に形成されている。また、別法として、半導体レー
ザ素子をそれぞれ識別する識別標識及び２２、２４
をチップの共通基板の半導体レーザ素子の形成領域の隅
部に付しても良い。
たマルチビーム型半導体レーザアレイを提供する。 【解決手段】 本半導体レーザアレイ２０は、一つのチ
ップの共通基板１２上に電気的分離溝１４で分離されて
アレイ状に形成された、同じ寸法、同じ形態の２個の第
１半導体レーザ素子１６、第２半導体レーザ素子１８を
備え、各半導体レーザ素子の表面指定領域に、それぞ
れ、識別標識が付されている。半導体レーザ素子をそれ
ぞれ識別する識別標識及び、２２、２４は、半導体
レーザ素子の各々の最上層として形成された保護膜内の
隅部に形成されている。また、別法として、半導体レー
ザ素子をそれぞれ識別する識別標識及び２２、２４
をチップの共通基板の半導体レーザ素子の形成領域の隅
部に付しても良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチビーム型半
導体レーザアレイに関し、更に詳細には、マルチビーム
型半導体レーザアレイを構成する各半導体レーザ素子を
容易に識別できる構成を備えたマルチビーム型半導体レ
ーザアレイに関するものである。
導体レーザアレイに関し、更に詳細には、マルチビーム
型半導体レーザアレイを構成する各半導体レーザ素子を
容易に識別できる構成を備えたマルチビーム型半導体レ
ーザアレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ装置の大出力化のた
めに、或いは波長多重通信の光源として波長が相互に異
なる複数の波長を出力するために、マルチビーム型半導
体レーザ装置が開発されつつある。
めに、或いは波長多重通信の光源として波長が相互に異
なる複数の波長を出力するために、マルチビーム型半導
体レーザ装置が開発されつつある。
【０００３】マルチビーム型半導体レーザ装置の一つと
して、レーザアレイ構造を備えた半導体レーザアレイが
提案されている。半導体レーザアレイの一つの例は、化
合物半導体積層構造を半導体基板の主面に設け、次いで
化合物半導体積層構造をメサアイソレーションによっ
て、それぞれ、複数個の電気的に独立した化合物半導体
積層構造に分離し、これら独立した化合物半導体積層構
造の各々の活性層から同じ波長のレーザ光を発光させる
構造となっている。また、同じ化合物半導体積層構造を
アレイ状に有する半導体レーザアレイとは異なり、異な
る化合物半導体積層構造を備える半導体レーザ素子を電
気的分離溝で分離して同一基板上にアレイ状に設け、相
互に異なる波長のレーザ光を各半導体レーザ素子から発
光させるようにした半導体レーザアレイもある。
して、レーザアレイ構造を備えた半導体レーザアレイが
提案されている。半導体レーザアレイの一つの例は、化
合物半導体積層構造を半導体基板の主面に設け、次いで
化合物半導体積層構造をメサアイソレーションによっ
て、それぞれ、複数個の電気的に独立した化合物半導体
積層構造に分離し、これら独立した化合物半導体積層構
造の各々の活性層から同じ波長のレーザ光を発光させる
構造となっている。また、同じ化合物半導体積層構造を
アレイ状に有する半導体レーザアレイとは異なり、異な
る化合物半導体積層構造を備える半導体レーザ素子を電
気的分離溝で分離して同一基板上にアレイ状に設け、相
互に異なる波長のレーザ光を各半導体レーザ素子から発
光させるようにした半導体レーザアレイもある。
【０００４】例えば、従来の半導体レーザアレイ１０
は、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、共通基板１２
上に形成され、かつ電気的分離溝１４で電気的に分離さ
れた２個の第１半導体レーザ素子１６及び第２半導体レ
ーザ素子１８からなるレーザアレイ構造として構成され
ている。図２（ａ）は半導体レーザアレイ１０の半導体
レーザ素子側の斜視図、及び図２（ｂ）は共通基板側の
斜視図である。第１半導体レーザ素子１６と第２半導体
レーザ素子１８は、外観が同じ寸法、同じ形態であっ
て、同じ化合物半導体積層構造でも、或いは相互に異な
る化合物半導体の積層構造を有するものでも良い。図２
では、簡単にするために、２個の半導体レーザ素子を備
える半導体レーザアレイを例に上げているが、３個以上
の半導体レーザ素子を電気的分離溝で電気的に分離した
半導体レーザアレイであっても良い。
は、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、共通基板１２
上に形成され、かつ電気的分離溝１４で電気的に分離さ
れた２個の第１半導体レーザ素子１６及び第２半導体レ
ーザ素子１８からなるレーザアレイ構造として構成され
ている。図２（ａ）は半導体レーザアレイ１０の半導体
レーザ素子側の斜視図、及び図２（ｂ）は共通基板側の
斜視図である。第１半導体レーザ素子１６と第２半導体
レーザ素子１８は、外観が同じ寸法、同じ形態であっ
て、同じ化合物半導体積層構造でも、或いは相互に異な
る化合物半導体の積層構造を有するものでも良い。図２
では、簡単にするために、２個の半導体レーザ素子を備
える半導体レーザアレイを例に上げているが、３個以上
の半導体レーザ素子を電気的分離溝で電気的に分離した
半導体レーザアレイであっても良い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、マルチビー
ム型半導体レーザアレイの製造では、相互に異なるレー
ザ特性を有する複数個の半導体レーザ素子を一つのチッ
プに組み込んで形で半導体レーザアレイを形成すること
も多い。しかし、一つのチップに組み込んだ複数個の半
導体レーザ素子は、それぞれ、形状、寸法等の外観が相
互に同じであって、例えば、図２では、半導体レーザア
レイ１０として組み込んだ段階では、同じ寸法、同じ外
形の第１半導体レーザ素子１６と第２半導体レーザ素子
１８とを目視で識別することは極めて難しい。
ム型半導体レーザアレイの製造では、相互に異なるレー
ザ特性を有する複数個の半導体レーザ素子を一つのチッ
プに組み込んで形で半導体レーザアレイを形成すること
も多い。しかし、一つのチップに組み込んだ複数個の半
導体レーザ素子は、それぞれ、形状、寸法等の外観が相
互に同じであって、例えば、図２では、半導体レーザア
レイ１０として組み込んだ段階では、同じ寸法、同じ外
形の第１半導体レーザ素子１６と第２半導体レーザ素子
１８とを目視で識別することは極めて難しい。
【０００６】そのために、複数個の半導体レーザ素子を
組み込んでチップとして形成した、半導体レーザアレイ
の中間製品段階では、マルチビーム型半導体レーザアレ
イを構成する各半導体レーザ素子の素性、即ちどんなレ
ーザ特性を有する製品モデルか、或いはどんな仕様の半
導体レーザ素子であるか、目視のみでは判別が付かず、
改めて各半導体レーザ素子の特性を測定することによ
り、或いは半導体レーザ素子を組み込んだ工程まで立ち
返って調べることにより、判別せざるを得ないという問
題があった。そして、半導体レーザ素子を目視で判別す
ることが難しいために、チップの方向を間違えるとか、
素子の種類を取り違えて素子評価し、評価間違いを引き
起こす等の支障が生じていた。
組み込んでチップとして形成した、半導体レーザアレイ
の中間製品段階では、マルチビーム型半導体レーザアレ
イを構成する各半導体レーザ素子の素性、即ちどんなレ
ーザ特性を有する製品モデルか、或いはどんな仕様の半
導体レーザ素子であるか、目視のみでは判別が付かず、
改めて各半導体レーザ素子の特性を測定することによ
り、或いは半導体レーザ素子を組み込んだ工程まで立ち
返って調べることにより、判別せざるを得ないという問
題があった。そして、半導体レーザ素子を目視で判別す
ることが難しいために、チップの方向を間違えるとか、
素子の種類を取り違えて素子評価し、評価間違いを引き
起こす等の支障が生じていた。
【０００７】そこで、本発明の目的は、構成素子の各々
を目視で識別できるようにしたマルチビーム型半導体レ
ーザアレイを提供することである。
を目視で識別できるようにしたマルチビーム型半導体レ
ーザアレイを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るマルチビーム型半導体レーザアレイ
は、共通基板上にアレイ状に形成された複数個の半導体
レーザ素子からなるマルチビーム型半導体レーザアレイ
において、各半導体レーザ素子の素子特性に影響しない
表面余剰領域に、それぞれ、半導体レーザ素子を識別す
る識別標識が付されていることを特徴としている。
に、本発明に係るマルチビーム型半導体レーザアレイ
は、共通基板上にアレイ状に形成された複数個の半導体
レーザ素子からなるマルチビーム型半導体レーザアレイ
において、各半導体レーザ素子の素子特性に影響しない
表面余剰領域に、それぞれ、半導体レーザ素子を識別す
る識別標識が付されていることを特徴としている。
【０００９】本発明では、識別標識と各半導体レーザ素
子の種類とを対応させ、異なる種類に異なる識別標識を
設ける。半導体レーザ素子の種類の種別は、任意であ
る。識別標識を付する表面余剰領域は、識別標識を付し
ても、各半導体レーザ素子の素子特性に影響しない領域
である限り、制約なく指定でき、例えば共通基板の半導
体レーザ素子形成領域の隅部が、表面余剰領域として指
定される。また、別法として、各半導体レーザ素子の最
上層として形成された保護膜のうちの周辺領域が、表面
余剰領域として指定される。共通基板の半導体レーザ素
子形成領域の隅部は、通常、識別標識を付しても、各半
導体レーザ素子の素子特性に影響しない領域である。ま
た、半導体レーザ素子の最上層として形成された保護膜
のうちの周辺領域は、通常、識別標識を付しても、各半
導体レーザ素子の素子特性に影響しない領域である。本
発明によれば、各半導体レーザ素子の種類毎に、例えば
製品モデル毎に、或いは製品仕様毎に異なる識別標識を
付することにより、容易に、半導体レーザ素子の種類、
素性を識別することができる。
子の種類とを対応させ、異なる種類に異なる識別標識を
設ける。半導体レーザ素子の種類の種別は、任意であ
る。識別標識を付する表面余剰領域は、識別標識を付し
ても、各半導体レーザ素子の素子特性に影響しない領域
である限り、制約なく指定でき、例えば共通基板の半導
体レーザ素子形成領域の隅部が、表面余剰領域として指
定される。また、別法として、各半導体レーザ素子の最
上層として形成された保護膜のうちの周辺領域が、表面
余剰領域として指定される。共通基板の半導体レーザ素
子形成領域の隅部は、通常、識別標識を付しても、各半
導体レーザ素子の素子特性に影響しない領域である。ま
た、半導体レーザ素子の最上層として形成された保護膜
のうちの周辺領域は、通常、識別標識を付しても、各半
導体レーザ素子の素子特性に影響しない領域である。本
発明によれば、各半導体レーザ素子の種類毎に、例えば
製品モデル毎に、或いは製品仕様毎に異なる識別標識を
付することにより、容易に、半導体レーザ素子の種類、
素性を識別することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係るマルチビーム型半導体レ
ーザアレイの実施形態の一例であって、図１（ａ）及び
（ｂ）は、それぞれ、本実施形態例のマルチビーム型半
導体レーザアレイの構成を示す斜視図である。本実施形
態例のマルチビーム型半導体レーザアレイ２０（以下、
簡単に半導体レーザアレイ２０と言う）は、一つのチッ
プの共通基板１２上に、電気的分離溝１４によって分離
され、アレイ状に形成された、同じ寸法、同じ形態の２
個の第１半導体レーザ素子１６と第２半導体レーザ素子
１８の表面余剰領域中の指定位置に、それぞれ、識別標
識が付されていることを除いて、従来の半導体レーザア
レイ１０と同じ構成を備えている。
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係るマルチビーム型半導体レ
ーザアレイの実施形態の一例であって、図１（ａ）及び
（ｂ）は、それぞれ、本実施形態例のマルチビーム型半
導体レーザアレイの構成を示す斜視図である。本実施形
態例のマルチビーム型半導体レーザアレイ２０（以下、
簡単に半導体レーザアレイ２０と言う）は、一つのチッ
プの共通基板１２上に、電気的分離溝１４によって分離
され、アレイ状に形成された、同じ寸法、同じ形態の２
個の第１半導体レーザ素子１６と第２半導体レーザ素子
１８の表面余剰領域中の指定位置に、それぞれ、識別標
識が付されていることを除いて、従来の半導体レーザア
レイ１０と同じ構成を備えている。
【００１１】本実施形態例では、最上層として形成され
た保護膜内の隅部が表面余剰領域の指定領域として指定
され、第１半導体レーザ素子１６及び第２半導体レーザ
素子１８をそれぞれ識別するの識別標識２２及びの
識別標識２４が、図１（ａ）に示すように、第１半導体
レーザ素子１６及び第２半導体レーザ素子１８の保護膜
内の隅部に形成されている。
た保護膜内の隅部が表面余剰領域の指定領域として指定
され、第１半導体レーザ素子１６及び第２半導体レーザ
素子１８をそれぞれ識別するの識別標識２２及びの
識別標識２４が、図１（ａ）に示すように、第１半導体
レーザ素子１６及び第２半導体レーザ素子１８の保護膜
内の隅部に形成されている。
【００１２】また、別法として、第１半導体レーザ素子
１６及び第２半導体レーザ素子１８をそれぞれ識別する
の識別標識２２及びの識別標識２４を、図１（ｂ）
に示すように、チップの共通基板１２の第１半導体レー
ザ素子１６の形成領域及び第２半導体レーザ素子１８の
形成領域の隅部に付しても良い。
１６及び第２半導体レーザ素子１８をそれぞれ識別する
の識別標識２２及びの識別標識２４を、図１（ｂ）
に示すように、チップの共通基板１２の第１半導体レー
ザ素子１６の形成領域及び第２半導体レーザ素子１８の
形成領域の隅部に付しても良い。
【００１３】識別標識は、図１（ａ）及び（ｂ）に示す
ように、１から９の数字でも良く、またＡ、Ｂ、Ｃ等の
アルファベット、「イ」、「い」等の仮名文字、平仮名
文字でも良く、更には○、△等の記号、模様でも良く、
また、複数個の文字、数字でも良く、識別できる限り、
識別標識の種類、形式に制約はない。識別標識の形成方
法にも制約はなく、例えば半導体レーザ素子の電極層を
蒸着させる工程で、同時に識別標識層を蒸着させ、次い
で電極のパターニング工程で、電極層をエッチングして
電極をパターニングする際に、同時に識別標識層をエッ
チングして識別標識を形成しても良い。
ように、１から９の数字でも良く、またＡ、Ｂ、Ｃ等の
アルファベット、「イ」、「い」等の仮名文字、平仮名
文字でも良く、更には○、△等の記号、模様でも良く、
また、複数個の文字、数字でも良く、識別できる限り、
識別標識の種類、形式に制約はない。識別標識の形成方
法にも制約はなく、例えば半導体レーザ素子の電極層を
蒸着させる工程で、同時に識別標識層を蒸着させ、次い
で電極のパターニング工程で、電極層をエッチングして
電極をパターニングする際に、同時に識別標識層をエッ
チングして識別標識を形成しても良い。
【００１４】本実施形態例のマルチビーム型半導体レー
ザアレイ２０では、第１半導体レーザ素子１６及び第２
半導体レーザ素子１８に、それぞれ、付されたの識別
標識２２及びの識別標識２４を見て、識別標識が付
された半導体レーザ素子は第１半導体レーザ素子１６で
あり、識別標識が付された半導体レーザ素子は第２半
導体レーザ素子１８であると即座に識別できる。本実施
形態例では、２つの半導体レーザ素子からなる半導体レ
ーザアレイを例として示したが、素子数が増えて様々な
特性の素子が混在する半導体レーザアレイである程、識
別標識の効果は高い。
ザアレイ２０では、第１半導体レーザ素子１６及び第２
半導体レーザ素子１８に、それぞれ、付されたの識別
標識２２及びの識別標識２４を見て、識別標識が付
された半導体レーザ素子は第１半導体レーザ素子１６で
あり、識別標識が付された半導体レーザ素子は第２半
導体レーザ素子１８であると即座に識別できる。本実施
形態例では、２つの半導体レーザ素子からなる半導体レ
ーザアレイを例として示したが、素子数が増えて様々な
特性の素子が混在する半導体レーザアレイである程、識
別標識の効果は高い。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、各半導体レーザ素子の
素子特性に影響しない表面余剰領域に、それぞれ、半導
体レーザ素子の種類を識別する識別標識を付すことによ
り、チップ段階で、半導体レーザアレイを構成する半導
体レーザ素子を素子素性毎に目視で間違いなく判別する
ことができる。これにより、チップ搭載時の向き違いを
防止し、また、劈開のときに行うバーチェックの向き違
い、素子を取り違えて素子評価する間違い等を確実に防
止することができる。
素子特性に影響しない表面余剰領域に、それぞれ、半導
体レーザ素子の種類を識別する識別標識を付すことによ
り、チップ段階で、半導体レーザアレイを構成する半導
体レーザ素子を素子素性毎に目視で間違いなく判別する
ことができる。これにより、チップ搭載時の向き違いを
防止し、また、劈開のときに行うバーチェックの向き違
い、素子を取り違えて素子評価する間違い等を確実に防
止することができる。
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施形態
例のマルチビーム型半導体レーザアレイの構成を示す斜
視図である。
例のマルチビーム型半導体レーザアレイの構成を示す斜
視図である。
【図２】図２（ａ）は半導体レーザアレイの半導体レー
ザ素子側の斜視図、及び図２（ｂ）は共通基板側の斜視
図である。
ザ素子側の斜視図、及び図２（ｂ）は共通基板側の斜視
図である。
１０……従来の半導体レーザアレイ、１２……共通基
板、１４……分離溝、１６……第１半導体レーザ素子、
１８……第２半導体レーザ素子、２０……実施形態例の
半導体レーザアレイ、２２……識別標識、２４……識
別標識。
板、１４……分離溝、１６……第１半導体レーザ素子、
１８……第２半導体レーザ素子、２０……実施形態例の
半導体レーザアレイ、２２……識別標識、２４……識
別標識。
Claims (3)
- 【請求項１】 共通基板上にアレイ状に形成された複数
個の半導体レーザ素子からなるマルチビーム型半導体レ
ーザアレイにおいて、 各半導体レーザ素子の素子特性に影響しない表面余剰領
域に、それぞれ、半導体レーザ素子の種類を識別する識
別標識が付されていることを特徴とするマルチビーム型
半導体レーザアレイ。 - 【請求項２】 共通基板の各半導体レーザ素子形成領域
の隅部が、表面余剰領域として指定されていることを特
徴とする請求項１に記載のマルチビーム型半導体レーザ
アレイ。 - 【請求項３】 各半導体レーザ素子の最上層として形成
された保護膜内の周辺領域が、表面余剰領域として指定
されていることを特徴とする請求項１に記載のマルチビ
ーム型半導体レーザアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34299399A JP2001160655A (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | マルチビーム型半導体レーザアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34299399A JP2001160655A (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | マルチビーム型半導体レーザアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001160655A true JP2001160655A (ja) | 2001-06-12 |
Family
ID=18358118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34299399A Pending JP2001160655A (ja) | 1999-12-02 | 1999-12-02 | マルチビーム型半導体レーザアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001160655A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013051445A (ja) * | 2012-12-06 | 2013-03-14 | Sharp Corp | 窒化物系半導体ウェハ、窒化物系半導体レーザ素子および窒化物系半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP7286029B1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-06-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスの識別方法 |
-
1999
- 1999-12-02 JP JP34299399A patent/JP2001160655A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013051445A (ja) * | 2012-12-06 | 2013-03-14 | Sharp Corp | 窒化物系半導体ウェハ、窒化物系半導体レーザ素子および窒化物系半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP7286029B1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-06-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスの識別方法 |
| WO2023188115A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスの識別方法 |
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