JP2001160236A - 光学ピックアップ及び記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号の検出に不要な光を受光部に入射させな
いようにして、適切な検出信号を出力することを可能に
する。 【解決手段】 フォトダイオード３４の不要な光が照射
される箇所に、ダミーの受光部７１，７２，７３，７４
を設ける。これにより、信号の検出に不要な光は、ダミ
ーの受光部７１，７２，７３，７４に入射して吸収さ
れ、これら不要な光が適切な信号検出を阻害するといっ
た不都合が有効に抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体の信号記
録面に光を照射し、その戻り光を検出して検出信号を出
力する光学ピックアップ及びこの光学ピックアップを用
いた記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク装置等のように光を用いて信
号の記録再生を行う記録再生装置は、記録媒体の信号記
録面に光を照射し、その戻り光を検出して検出信号を出
力する光学ピックアップを備えている。そして、この光
学ピックアップからの検出信号に基づいて、再生信号を
生成し、また、トラッキングサーボやフォーカスサーボ
等を行うためのサーボ信号を生成するようにしている。

【０００３】光ディスク装置に用いられる光学ピックア
ップは、例えば半導体レーザチップ等の光源を備え、こ
の光源から出射された光を対物レンズにより集束して、
記録媒体である光ディスクの信号記録面に照射させる。
そして、光ディスクの信号記録面にて反射された信号成
分を含む戻り光を、受光素子としてのフォトダイオード
により受光して、検出信号を出力する。

【０００４】フォトダイオードは、ＰＮ接合を利用して
受光した光を光電変換し、受光した光に含まれる信号成
分を検出信号として出力するものであり、例えば図１０
に示すような構造を有している。

【０００５】この図１０に示すフォトダイオード１００
は、ＩＣウェハ・プロセスにより作製されるものであ
り、Ｐ型基板１０１にＮ型エピタキシャル層１０２が形
成され、これらの間のＰＮ接合をダイオードとして利用
している。Ｎ型エピタキシャル層１０２が形成されたＰ
型基板１０１上には、アノードとなる電極部１０３及び
カソードとなる電極部１０４が、ＳｉＯ２等の絶縁層１
０５に埋め込まれたかたちで形成されている。そして、
絶縁層１０５上には、光を入射させる部分（以下、この
部分を受光部１０６という。）を除く箇所に、受光部１
０６以外に照射された光を遮光するための遮光膜１０７
が形成されている。

【０００６】遮光膜１０７は、例えばアルミニウム等が
絶縁層１０５上に成膜されてなるものであり、当該遮光
膜１０７上に照射された光を、例えば９０％以上の反射
率で反射させる。フォトダイオード１００では、以上の
ように、受光部１０６を除く箇所に遮光膜１０７を設け
ることによって、受光部１０６以外の箇所に照射された
光が受光部１０６以外の箇所から当該フォトダイオード
１００内に入射し、ノイズとして検出信号に悪影響を及
ぼすといった不都合を生じさせないようになされてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに、フォトダイオード１００の受光部１０６以外の箇
所に照射された光を遮光膜１０７によって反射させるよ
うにすると、遮光膜１０７によって反射された光が、他
の部材により更に反射されて、再度フォトダイオード１
００に向かい、受光部１０６に入射してしまう場合があ
る。遮光膜１０７により反射された光は、信号の検出に
は不要な光であるので、受光部１０６に入射したこのよ
うな不要光の強度が強いと、適切な信号の検出が阻害さ
れてしまう。

【０００８】特に、近年では、光学ピックアップの小型
化及びこれを搭載した記録再生装置全体の小型化を実現
すると共に、コストの低減を図るために、光源や受光素
子（フォトダイオード１００）、光を分離するためのプ
リズム等の光学素子を集積した集積型の光学素子が提案
されている。このような集積型の光学素子において、信
号の検出に不要な光を遮光膜１０７によって反射させる
ようにすると、遮光膜１０７によって反射された不要光
が集積型の光学素子の内部で乱反射し、迷光となって受
光部１０６に入射して適切な信号検出を阻害する可能性
が高い。

【０００９】そこで、本発明は、信号の検出に不要な光
を受光部に入射させないようにして、適切な検出信号を
出力することができる光学ピックアップ及びこれを用い
た記録再生装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光学ピック
アップは、光源から出射された光を集束して記録媒体の
信号記録面に照射し、記録媒体の信号記録面にて反射さ
れた戻り光を受光素子により検出して再生信号及びサー
ボ信号を生成するための検出信号を出力するものであ
る。そして、この光学ピックアップでは、受光素子の特
定の位置、すなわち、検出信号の信号成分を含む戻り光
が照射される位置に、再生信号及びサーボ信号を生成す
る信号処理手段に接続される受光部が設けられていると
共に、この受光部に入射しない光が照射される位置に、
この光を吸収する光吸収手段が設けられていることを特
徴としている。

【００１１】この光学ピックアップにおいては、検出信
号の信号成分を含む戻り光が、受光素子に設けられた受
光部によって受光されることで、この戻り光に含まれる
信号成分が受光素子により光電変換され、検出信号とし
て信号処理手段に出力されることになる。

【００１２】また、この光学ピックアップにおいては、
信号の検出には不要な不要光が、受光素子に設けられた
光吸収手段により吸収されることになる。したがって、
信号の検出に不要な不要光が、例えば、乱反射等によっ
て受光部に入射し検出信号に悪影響を及ぼすといった不
都合が有効に抑制され、適切な検出信号を出力すること
が可能となる。

【００１３】受光素子に設ける光吸収手段の具体例とし
ては、例えば、再生信号及びサーボ信号を生成する信号
処理手段に接続されないダミーの受光部や、受光した光
を熱エネルギーに変換するような光学薄膜等が考えられ
る。特に、光吸収手段をダミーの受光部により構成した
場合には、通常の受光素子の作製プロセスにより光吸収
手段を設けることができるので、光吸収手段としてダミ
ーの受光部を設けることが特に有効である。なお、この
場合には、ダミーの受光部を、受光素子の電源又はグラ
ンドに接続するようにすれば、ダミーの受光部に受光さ
れた不要光が検出信号に悪影響を及ぼすことを更に低減
することができる。

【００１４】また、本発明に係る記録再生装置は、光源
から出射された光を集束して記録媒体の信号記録面に照
射し、記録媒体の信号記録面にて反射された戻り光を受
光素子により検出して再生信号及びサーボ信号を生成す
るための検出信号を出力する光学ピックアップと、この
光学ピックアップから出力された検出信号に基づいて再
生信号及びサーボ信号を生成する信号処理手段と、この
信号処理手段により生成されたサーボ信号に基づいてト
ラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行うサーボ手
段とを備えている。そして、この記録再生装置は、光学
ピックアップの受光素子の特定の位置、すなわち、検出
信号の信号成分を含む戻り光が照射される位置に、信号
処理手段に接続される受光部が設けられていると共に、
この受光部に入射しない光が照射される位置に、この光
を吸収する光吸収手段が設けられていることを特徴とし
ている。

【００１５】この記録再生装置においては、検出信号の
信号成分を含む戻り光が、光学ピックアップの受光素子
に設けられた受光部によって受光されることで、この戻
り光に含まれる信号成分が受光素子により光電変換さ
れ、検出信号として光学ピックアップから信号処理手段
に出力されることになる。そして、信号処理手段が、光
学ピックアップから出力された検出信号に基づいて再生
信号及びサーボ信号を生成する。信号処理手段により生
成されたサーボ信号はサーボ手段に供給され、サーボ手
段がこのサーボ信号に基づいて、トラッキングサーボ及
びフォーカスサーボを行う。

【００１６】また、この記録再生装置においては、信号
の検出には不要な不要光が、光学ピックアップの受光素
子に設けられた光吸収手段により吸収されることにな
る。したがって、信号の検出に不要な不要光が、例え
ば、乱反射等によって受光部に入射し検出信号に悪影響
を及ぼすといった不都合が有効に抑制され、適切な検出
信号が光学ピックアップから出力されることになる。そ
して、この適切な検出信号に基づいて信号処理手段によ
り再生信号及びサーボ信号が生成されるので、信頼性の
高い再生動作を行うことができると共に、サーボ手段に
より適切なトラッキングサーボ及びフォーカスサーボを
行うことができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。なお、ここでは、記録媒体
として光磁気ディスクを用いる光磁気ディスクドライブ
に本発明を適用した例について説明するが、本発明は、
特にこの例に限定されるものではなく、光を用いて記録
再生動作をおこなう種々の記録再生装置に適用可能であ
る。

【００１８】本発明を適用した光磁気ディスクドライブ
の一例の全体構成を図１に示す。この光磁気ディスクド
ライブ１０は、図１に示すように、記録媒体としての光
磁気ディスク１１を回転駆動するスピンドルモータ１２
と、このスピンドルモータ１２により回転駆動される光
磁気ディスク１１の信号記録面に対して集束した光を照
射し、この光磁気ディスク１１の信号記録面により反射
された戻り光を受光して検出信号を出力する光学ピック
アップ２０と、これらスピンドルモータ１２及び光学ピ
ックアップ２０を制御する制御部１３とを備えている。

【００１９】制御部１３は、ドライブコントローラ１４
と、信号処理回路１５と、インターフェース１６と、ア
クセス制御部１７と、サーボ制御部１８とを備えてい
る。

【００２０】ドライブコントローラ１４は、スピンドル
モータ１２を所定の回転数で駆動制御すると共に、制御
部１３内の各部の動作を制御する。

【００２１】信号処理回路１５は、光学ピックアップ２
０により光磁気ディスク１１から検出された検出信号に
基づいて再生信号（ＭＯ信号）及びサーボ信号を生成す
る。信号処理回路１５により生成された再生信号は、イ
ンターフェース１６を介して光磁気ディスクドライブ１
０に接続された機器に送出されることになる。

【００２２】アクセス制御部１７は、ドライブコントロ
ーラ１４の制御のもと、光学ピックアップ２０を、光磁
気ディスク１１の信号記録面上の所定の記録トラックま
で、例えばトラックジャンプ等により移動させる。

【００２３】サーボ制御部１８は、ドライブコントロー
ラ１４の制御のもと、信号処理回路１５により生成され
たサーボ信号に基づいて、光学ピックアップ２０の二軸
アクチュエータに保持されている対物レンズを、光磁気
ディスク１１の径方向に沿った方向（トラッキング方
向）及び光磁気ディスク１１の信号記録面に近接離間す
る方向（フォーカシング）の二軸方向に移動させ、トラ
ッキングサーボ及びフォーカスサーボを行う。

【００２４】光学ピックアップ２０は、図２に示すよう
に、光源や受光素子を含む複数の光学素子が集積されて
なる集積光学素子３０と、この集積光学素子３０から出
射された光を集束して光磁気ディスク１１の信号記録面
上に照射させる対物レンズ２１と、集積光学素子３０か
ら出射された光の光路を折り曲げて対物レンズ２１に導
くと共に、光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射さ
れた戻り光の光路を折り曲げて集積光学素子３０に導く
ための立上げミラー２２とを備えている。

【００２５】対物レンズ２１は、スピンドルモータ１２
により回転操作される光磁気ディスク１１の信号記録面
に対向した位置に配設され、集積光学素子３０から出射
されたレーザ光を集束し、光磁気ディスク１１の信号記
録面の所望の記録トラック上に照射させる。

【００２６】この対物レンズ２１は、図示しない二軸ア
クチュエータにより、二軸方向、すなわちフォーカス方
向及びトラッキング方向に移動可能に支持されている。
そして、対物レンズ２１は、二軸アクチュエータが、信
号処理回路１５により生成されたフォーカスサーボ信号
ＦＣ及びトラッキングサーボ信号ＴＲに基づいて駆動さ
れることにより、光磁気ディスク１１の径方向に沿った
方向及び光磁気ディスク１１の信号記録面に近接、離間
する方向へと移動操作される。これにより、対物レンズ
２１により集束されたレーザ光が光磁気ディスク１１の
信号記録面上に適切にスポットを形成するためのフォー
カスサーボ及び、レーザ光のスポットが光磁気ディスク
１１の信号記録面の所望の記録トラックに追従するため
のトラッキングサーボが行われる。

【００２７】立上げミラー２２は、集積光学素子３０か
ら出射されたレーザ光の出射方向に対して約４５度の傾
斜角で傾斜する傾斜面（反射面２２ａ）を有しており、
集積光学素子３０と対物レンズ２１との間に配設されて
いる。この立ち上げミラー２２は、集積光学素子３０か
ら出射されたレーザ光を反射面２２ａにて反射し、その
光路を約９０度折り曲げて対物レンズ２１へと導く。

【００２８】光学ピックアップ２０においては、以上の
ように、集積光学素子３０と対物レンズ２１との間に立
上げミラー２２を配設し、集積光学素子３０から出射さ
れたレーザ光の光路を立上げミラー２２により折り曲げ
て対物レンズ２１に導くことにより、集積光学素子３０
から立上ミラー２２までのレーザ光の光路を、光磁気デ
ィスク１１の信号記録面に対して略平行となるようにす
ることが可能となる。これにより、光ディスク装置１０
は光磁気ディスク１１に照射させるレーザ光の光路とし
て必要な光路長を維持しながら、薄型化を図ることが可
能となる。

【００２９】集積光学素子３０は、図３に示すように、
光源としての半導体レーザ素子３１と、透明材料よりな
る光学部材３２と、複合プリズム３３と、受光素子とし
てのフォトダイオード３４とを備えている。

【００３０】ここで、半導体レーザ素子３１とフォトダ
イオード３４は、それぞれ樹脂パッケージ３５内に配設
されている。また、樹脂パッケージ３５には、その一方
の主面部に開口部３５ａが設けられており、この開口部
３５ａが設けられた樹脂パッケージ３５の主面部上に、
この開口部３５ａを閉塞するように、光学部材３２が接
着剤等により接合されている。さらに、光学部材３２上
には、複合プリズム３３が接着剤等により接合されてい
る。すなわち、集積光学素子３０は、上記各部材が集積
され、一体の素子として構成されている。そして、この
集積光学素子３０は、図示しないガイド軸に沿って光磁
気ディスク１１の半径方向に移動可能に支持された光学
ベース上に固定され、保持されている。

【００３１】半導体レーザ素子３１は、半導体の再結合
発光を利用した発光素子であり、光磁気ディスク１１の
信号記録面に照射させるレーザ光を出射する。この半導
体レーザ素子３１は、支持台３６上に設置された状態
で、樹脂パッケージ３５内に配設されている。支持台３
６には、半導体レーザ素子３１が設置された面に対して
約４５度の傾斜角で傾斜する傾斜面（反射面３６ａ）が
設けられており、半導体レーザ素子３１から出射された
レーザ光は、この反射面３６ａにより反射されてその光
路が約９０度折り曲げられ、樹脂パッケージ３５の開口
部３５ａから光学部材３２内に入射するようになされて
いる。

【００３２】光学部材３２は、例えば、透明なプラスチ
ック材料やガラス等が平行平板に成形されてなる。この
光学部材３２の樹脂パッケージ３５側の面には、半導体
レーザ素子３１から出射され複合プリズム３３へ向かう
レーザ光の光路（以下、第一の光路Ｌ１という。）上に
位置して、光分割手段としてのグレーティング３７が一
体形成されている。

【００３３】このグレーティング３７は、入射した光を
回折させる回折格子であって、第一の光路Ｌ１を通って
光学部材３２を透過する光ビームを、０次回折光から成
る主ビーム及びプラスマイナス１次回折光から成る２つ
の複ビームの３本のビームを含む複数のビームに分割す
る。光学ピックアップ２０は、半導体レーザ素子３１か
ら出射されたレーザ光をこのグレーティング３７によっ
て少なくとも３本のビームに分割することにより、３ビ
ーム法でのトラッキングサーボ信号の検出が可能とな
る。なお、この光分割手段としてのグレーティング３７
は、光学部材３２の上面（複合プリズム３３側の面）に
作り付けられていてもよい。

【００３４】光学部材３２の樹脂パッケージ３５側の面
には、更に、複合プリズム３３により分離され、フォト
ダイオード３４へ向かう戻り光の光路（以下、第二の光
路Ｌ２という。）上に位置して、この第二の光路Ｌ２を
通る戻り光に非点収差を生じさせるためのシリンドリカ
ルレンズ３８が一体形成されている。

【００３５】このシリンドリカルレンズ３８は、いわゆ
る非点収差法によるフォーカスサーボ信号の検出を可能
にするために、複合プリズム３３により分離され第二の
光路Ｌ２を通って光学部材３２を通過する戻り光に対し
て非点収差を付与するものである。なお、このシリンド
リカルレンズ３８は、グレーティング３７と同様に、光
学部材３２の上面（複合プリズム３３側の面）に作り付
けられていてもよい。また、フォーカスサーボ信号を検
出するためには、このシリンドリカルレンズ３８の代わ
りに、例えば、互いに直交する二方向に曲率の異なるト
ーリックレンズを設けるようにしてもよいし、また、フ
ーコープリズムを設けるようにしてもよい。シリンドリ
カルレンズ８の代わりにフーコープリズムを設けるよう
にした場合には、いわゆるフーコー法によるフォーカス
サーボ信号の検出が可能となる。

【００３６】光学ピックアップ２０においては、以上の
ように、集積光学素子３０の光学部材３２に、光分割手
段としてのグレーティング３７や、非点収差法によるフ
ォーカスサーボ信号を検出するためのシリンドリカルレ
ンズ３８が一体形成されているので、これらを個別の光
学素子として別途設ける必要がない。したがって、この
光学ピックアップ２０においては、グレーティング３７
やシリンドリカルレンズ３８が個別の光学素子として設
けられていない分だけ、部品点数が削減されており、ま
た、装置全体の小型化が実現されている。更に、この光
学ピックアップ２０を組み立てる際には、グレーティン
グ３７やシリンドリカルレンズ３８を個別に位置合わせ
する必要がないので、組立作業の簡素化が図られること
になる。

【００３７】複合プリズム３３は、図４に示すように、
第１乃至第７の７つの部材４１，４２，４３，４４，４
５，４６，４７が接着剤等により接合され一体化されて
なり、光学部材３２上に接合されている。

【００３８】第１の部材４１は、樹脂パッケージ３５内
の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５
度の傾斜角で傾斜する傾斜面４１ａを有する三角プリズ
ムよりなる。そして、第１の部材４１には、その傾斜面
４１ａを接合面として、第２の部材４２が接着剤を介し
て接合されている。

【００３９】第２の部材４２は、樹脂パッケージ３６内
の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５
度の傾斜角で傾斜する一対の傾斜面４２ａ，４２ｂを有
し、断面が平行四辺形となるプリズムよりなる。そし
て、この第２の部材４２の一方の傾斜面４２ａには、第
１のビームスプリッタ膜４８が形成されており、他方の
傾斜面４２ｂには、第２のビームスプリッタ膜４９が形
成されている。これら第１のビームスプリッタ膜４８と
第２のビームスプリッタ膜４９は、共に誘電体多層膜よ
りなる。そして、第１のビームスプリッタ膜４８は、部
分偏光型のビームスプリッタとして構成されており、第
２のビームスプリッタ膜４９は、無偏光分離型のビーム
スプリッタとして構成されている。

【００４０】第１のビームスプリッタ膜４８は、光磁気
ディスク１１に向かうレーザ光の一部を透過させると共
に、光磁気ディスク１１からの戻り光の一部を反射する
ことで、光磁気ディスク１１に向かうレーザ光と光磁気
ディスク１１からの戻り光とを分離する機能を有する。
また、この第１のビームスプリッタ膜４８は、部分偏光
型のビームスプリッタとして構成されており、入射する
光の偏光方向に応じてその透過率を異ならせるので、戻
り光の偏光面の回転角を増大させる、いわゆるカー回転
角のエンハンス効果を発揮させることができる。

【００４１】第２のビームスプリッタ膜４９は、第１の
ビームスプリッタ膜４８を透過し、第２の部材４２を通
過した戻り光の一部を透過させると共に他の一部を反射
して、戻り光を分離する機能を有する。

【００４２】一対の傾斜面４２ａ，４２ｂに第１及び第
２のビームスプリッタ膜４８，４９がそれぞれ形成され
た第２の部材４２は、第１のビームスプリッタ膜４８が
形成された一方の傾斜面４２ａを第１の部材４１に対す
る接合面として、第１の部材４１の傾斜面４１ａに接着
剤を介して接合されている。また、この第２の部材４２
には、第２のビームスプリッタ膜４９が形成された他方
の傾斜面４２ｂを接合面として、第３の部材４３が接着
剤を介して接合されている。

【００４３】第３の部材４３は、樹脂パッケージ３５内
の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５
度の傾斜角で傾斜する傾斜面４３ａと、樹脂パッケージ
３５内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して
略垂直な垂直面４３ｂとを有する三角プリズムよりな
る。そして、この第３の部材４３は、その傾斜面４３ａ
を第２の部材４２に対する接合面として、第２の部材４
２の第２のビームスプリッタ膜４９が形成された他方の
傾斜面４２ｂに接着剤を介して接合されている。また、
この第３の部材４３には、その垂直面４３ｂを接着面と
して、第４の部材４４が接着剤を介して接合されてい
る。

【００４４】第４の部材４４は、人工水晶等が板状に成
形された半波長板よりなる。この半波長板よりなる第４
の部材４４は、光磁気ディスク１１の信号記録面にて反
射され、第１及び第２のビームスプリッタ膜４８，４９
を透過した戻り光の偏光面を４５°回転させる機能を有
する。

【００４５】この半波長板よりなる第４の部材４４は、
一方の面４４ａａを第３の部材４３に対する接合面とし
て、第３の部材４３の垂直面４３ｂに接着剤を介して接
合されている。また、この半波長板よりなる第４の部材
４４には、他方の面４４ｂを接合面として、第５の部材
４５が接着剤を介して接合されている。

【００４６】第５の部材４５は、樹脂パッケージ３５内
の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して略垂直
な垂直面４５ａと、樹脂パッケージ３５内の半導体レー
ザ素子３１が設置された面に対して約４５度の傾斜角で
傾斜する傾斜面４５ｂとを有する三角プリズムよりな
る。そして、この第５の部材４５は、その垂直面４５ａ
を第４の部材４４に対する接合面として、第４の部材４
４の他方の面４４ｂに接着剤を介して接合されている。
また、この第５の部材４５には、その傾斜面４５ｂを接
着面として、第６の部材４６が接着剤を介して接合され
ている。

【００４７】第６の部材４６は、樹脂パッケージ３６内
の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５
度の傾斜角で傾斜する一対の傾斜面４６ａ，４６ｂを有
し、断面が平行四辺形となるプリズムよりなる。そし
て、この第６の部材４６の一方の傾斜面４６ａには、偏
光ビームスプリッタ膜５０が形成されている。

【００４８】偏光ビームスプリッタ膜５０は、誘電体多
層膜よりなり、その多重干渉効果により、入射する光を
その偏光方向に応じて完全に分離する。すなわち、この
偏光ビームスプリッタ膜５０は、入射面に平行なＰ偏光
成分をほぼ１００％透過し、入射面に垂直なＳ偏光成分
をほぼ１００％反射するように設計されている。

【００４９】この偏光ビームスプリッタ膜５０には、半
波長板よりなる第４の部材４４を透過することにより偏
光面が４５°回転された戻り光が第５の部材４５を介し
て入射することになる。光学ピックアップ２０において
は、以上のように、複合プリズム３３の第４の部材４４
により偏光面が４５°回転された戻り光を偏光ビームス
プリッタ膜５０に入射させて偏光分離させることによ
り、いわゆる４５°ＭＯ差動検波による光磁気信号（Ｍ
Ｏ）の検出を行えるようにしている。

【００５０】一方の傾斜面４６ｂに偏光ビームスプリッ
タ膜５０が形成された第６の部材４６は、偏光ビームス
プリッタ膜５０が形成された一方の傾斜面４６ａを第５
の部材４５に対する接合面として、第５の部材４５の傾
斜面４５ｂに接着剤を介して接合されている。また、こ
の第６の部材４６には、他方の傾斜面４６ｂを接合面と
して、第７の部材４７が接着剤を介して接合されてい
る。

【００５１】第７の部材４７は、樹脂パッケージ３５内
の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して約４５
度の傾斜角で傾斜する傾斜面４７ａと、樹脂パッケージ
３５内の半導体レーザ素子３１が設置された面に対して
略垂直な垂直面４７ｂとを有する三角プリズムよりな
る。そして、この第７の部材４７の傾斜面４７ａには、
偏光ビームスプリッタ膜５０を透過した戻り光を反射す
る反射膜５１が形成されている。

【００５２】この第７の部材４７は、反射膜５１が形成
された傾斜面４７ａを第６の部材４６に対する接合面と
して、第６の部材４６の他方の傾斜面４６ｂに接着剤を
介して接合されている。

【００５３】以上のように構成される複合プリズム３３
においては、第２の部材４２の一方の傾斜面４２ａに形
成された第１のビームスプリッタ膜４８が、光磁気ディ
スク１１に向かうレーザ光と光磁気ディスク１１からの
戻り光とを分離する機能を有する。また、この複合プリ
ズム３３においては、第２の部材４２の他方の傾斜面４
２ｂに形成された第２のビームスプリッタ膜４９が、光
磁気ディスク１１からの戻り光を分離する戻り光分離手
段として機能する。そして、この第２のビームスプリッ
タ膜４９により反射された戻り光が、第二の光路Ｌ２を
通ってフォトダイオード３４に向かうことになる。

【００５４】また、この複合プリズム３３においては、
半波長板よりなる第４の部材４４と、第６の部材４６の
一方の傾斜面４６ａに形成された偏光ビームスプリッタ
膜５０とが、戻り光分離手段としての第２のビームスプ
リッタ膜４９を透過した戻り光を偏光分離する偏光分離
手段として機能する。そして、偏光ビームスプリッタ膜
５０により反射された戻り光が、第三の光路Ｌ３を通っ
てフォトダイオード３４に向かうことになる。

【００５５】さらに、この複合プリズム３３において
は、第７の部材４７の傾斜面４７ａに形成された反射膜
５１が、偏光分離手段としての偏光ビームスプリッタ膜
５０を透過した戻り光を反射させる機能を有する。そし
て、この反射膜５１により反射された戻り光が、第四の
光路Ｌ４を通ってフォトダイオード３４に向かうことに
なる。

【００５６】光学ピックアップ２０は、以上の機能を有
する各部が接合一体化されてなる複合プリズム３３を備
えることによって、小型化を実現することができると共
に、部品点数を削減して、部品コスト及び組立コストの
低減を可能にすることができる。

【００５７】フォトダイオード３４は、図５に示すよう
に、Ｐ型基板６１にＮ型エピタキシャル層６２が形成さ
れ、これらの間のＰＮ接合をダイオードとして利用する
ものであり、信号成分を含む戻り光を受光部により受光
し、この戻り光に含まれる信号成分を光電変換して信号
処理回路１５に出力する機能を有する。

【００５８】このフォトダイオード３４は、ＩＣウェハ
・プロセスにより作製され、Ｎ型エピタキシャル層６２
が形成されたＰ型基板６１上には、アノードとなる電極
部６３及びカソードとなる電極部６４が、ＳｉＯ₂等の
絶縁層６５に埋め込まれたかたちで形成されている。そ
して、絶縁層６５上の受光部を除く箇所に、アルミニウ
ム膜等よりなる遮光膜６７が形成されている。

【００５９】このフォトダイオード３４には、複合プリ
ズム３３の第２のビームスプリッタ膜４９により反射さ
れた戻り光の主ビームが照射される位置及び２つの複ビ
ームが照射される位置と、第２のビームスプリッタ膜４
９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜５０により反射さ
れた戻り光の主ビームが照射される位置と、偏光ビーム
スプリッタ膜５０を透過し、反射膜５１により反射され
た戻り光の主ビームが照射される位置とに、これらの光
を受光する受光部がそれぞれ設けられている。

【００６０】具体的には、フォトダイオード３４には、
図６に示すように、複合プリズム３３の第２のビームス
プリッタ膜４９により反射された戻り光の主ビームを受
光する受光部Ａと、複合プリズム３３の第２のビームス
プリッタ膜４９により反射された戻り光の２つの複ビー
ムを各々受光する受光部Ｂ及び受光部Ｃと、第２のビー
ムスプリッタ膜４９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜
５０により反射された戻り光の主ビームを受光する受光
部Ｄと、偏光ビームスプリッタ膜５０を透過し、反射膜
５１により反射された戻り光の主ビームを受光する受光
部Ｅとが設けられている。これらの受光部Ａ〜Ｅのうち
で、第２のビームスプリッタ膜４９により反射された戻
り光の主ビームを受光する受光部Ａは、縦横に垂直に交
差する二本の分割ラインによって、さらに４つの受光部
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４に分割されている。

【００６１】これらフォトダイオード３４に設けられた
各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅは、
光磁気ディスクドライブ１０の信号処理回路１５にそれ
ぞれ接続されている。そして、フォトダイオード３４
は、これら各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅにより受光された戻り光に含まれる信号成分を光
電変換して、検出信号として信号処理回路１５に出力す
るようになされている。

【００６２】ここで、フォトダイオード３４の各受光部
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅにより受光さ
れた戻り光に基づく受光信号をそれぞれＳＡ１，ＳＡ
２，ＳＡ３，ＳＡ４，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＥとする
と、光磁気信号ＭＯ、ピット再生信号Ｐｉｔ、フォーカ
スサーボ信号ＦＣ及びトラッキングサーボ信号ＴＲは、
それぞれ、以下の演算式により求められる。

【００６３】 ＭＯ＝ＳＤ−ＳＥ ・・・式１ Ｐｉｔ＝ＳＤ＋ＳＥ ・・・式２ ＦＣ＝（ＳＡ１＋ＳＡ３）−（ＳＡ２＋ＳＡ４） ・・・式３ ＴＲ＝ＳＢ−ＳＣ ・・・式４ ところで、フォトダイオード３４には、上述したような
信号検出に必要とされる戻り光以外の光も照射される場
合がある。例えば、以上のような構成の光学ピックアッ
プ２０においては、複合プリズム３３の第２のビームス
プリッタ膜４９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜５０
により反射された戻り光の２つの複ビームや、光ビーム
スプリッタ膜５０を透過し、反射膜５１により反射され
た戻り光の２つの複ビームもフォトダイオード３４に照
射されることになる。

【００６４】このような光は、フォトダイオード３４の
上述した受光部以外の箇所に照射されることになるが、
これらの光が照射される箇所に上述したアルミニウム膜
等よりなる遮光膜６７が形成されていると、これらの光
が遮光膜６７により反射され、更に他の部材により反射
されて、再度フォトダイオード３４に向かい、上述した
各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入
射してしまう場合がある。特に、集積光学素子３０を備
える光学ピックアップ２０においては、フォトダイオー
ド３４と光学部材３２や複合プリズム３４等の光学素子
が極めて近い位置にあるので、遮光膜６７により反射さ
れたこれらの光が、集積光学素子３０の内部において乱
反射し、迷光となってフォトダイオード３４の各受光部
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射してし
まう可能性が高い。

【００６５】これらの光は、信号検出には不要な光であ
るので、このような不要な光が受光部Ａ１，Ａ２，Ａ
３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射すると、これら不要な
光がノイズとなって、適切な信号の検出が阻害されてし
まう場合がある。

【００６６】そこで、本発明を適用した光学ピックアッ
プ２０では、図６に示すように、フォトダイオード３４
の不要な光が照射される箇所、すなわち、複合プリズム
３３の第２のビームスプリッタ膜４９を透過し、偏光ビ
ームスプリッタ膜５０により反射された戻り光の２つの
複ビームや、光ビームスプリッタ膜５０を透過し、反射
膜５１により反射された戻り光の２つの複ビームが照射
される箇所に、ダミーの受光部７１，７２，７３，７４
をそれぞれ設けるようにしている。

【００６７】これらダミーの受光部７１，７２，７３，
７４は、上述した各受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，
Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅと同様の構成を有するが、信号処理回路
１５には接続されない受光部である。これらダミーの受
光部７１，７２，７３，７４に入射した光は、これらダ
ミーの受光部７１，７２，７３，７４により吸収される
のみで、検出信号には寄与しない。したがって、これら
ダミーの受光部７１，７２，７３，７４は、信号検出に
不要な光を吸収して、これら不要な光が受光部Ａ１，Ａ
２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射することを防止
するための光吸収手段として機能することになる。

【００６８】なお、これらダミーの受光部７１，７２，
７３，７４は、図７に示すように、フォトダイオード３
４の電源ＶＣＣ或いはグランドＧＮＤに接続されている
ことが望ましい。このように、ダミーの受光部７１，７
２，７３，７４をフォトダイオード３４の電源ＶＣＣ或
いはグランドＧＮＤに接続するようにすれば、ダミーの
受光部７１，７２，７３，７４に受光された不要光が検
出信号に悪影響を及ぼすことを更に低減することができ
る。なお、図７は、いわゆるアノードコモンタイプのフ
ォトダイオード３４の回路構成を示している。

【００６９】本発明を適用した光学ピックアップ２０に
おいては、以上のように、フォトダイオード３４の不要
な光が照射される箇所に、光吸収手段としてのダミーの
受光部７１，７２，７３，７４を設け、これらダミーの
受光部７１，７２，７３，７４に、例えば、複合プリズ
ム３３の第２のビームスプリッタ膜４９を透過し、偏光
ビームスプリッタ膜５０により反射された戻り光の２つ
の複ビームや、光ビームスプリッタ膜５０を透過し、反
射膜５１により反射された戻り光の２つの複ビーム等の
ように本来の信号検出に不要な光を入射させて、これら
の不要な光をダミーの受光部７１，７２，７３，７４に
より吸収するようにしているので、これら不要な光が受
光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射し
て信号の検出に悪影響を及ぼすことが有効に抑制され
る。

【００７０】特に、集積光学素子３０を備える光学ピッ
クアップ２０においては、不要な光を遮光膜６７により
反射させるようにすると、遮光膜６７により反射された
不要な光が集積光学素子３０の内部において乱反射し、
受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射
してしまう可能性が高いので、このような不要光をダミ
ーの受光部７１，７２，７３，７４等の光吸収手段に入
射させて吸収させることが特に有効である。

【００７１】なお、以上は、光吸収手段としてダミーの
受光部７１，７２，７３，７４を設けるようにした例に
ついて説明したが、本発明はこの例に限定されるもので
はなく、光を吸収して反射させないものであれば、いか
なるものを光吸収手段として設けるようにしてもよい。
例えば、フォトダイオード３４の不要な光が照射される
箇所に、光を吸収して熱エネルギーに変換する光学薄膜
を成膜し、これを光吸収手段としてもよい。また、フォ
トダイオード３４の不要な光が照射される箇所に黒色の
塗料を塗布し、これを光吸収手段としてもよい。

【００７２】但し、光吸収手段としてダミーの受光部７
１，７２，７３，７４を設けるようにした場合には、通
常のフォトダイオード３４の作製プロセスによりフォト
ダイオード３４に光吸収手段を設けることができるの
で、フォトダイオード３４に光吸収手段を設ける上で特
に有利である。

【００７３】ここで、以上のように構成される光磁気デ
ィスクドライブ１０により、光磁気ディスク１１から信
号を再生する動作について説明する。

【００７４】この光磁気ディスクドライブ１０により光
磁気ディスク１１から信号を再生する際は、まず、光磁
気ディスク１１がスピンドルモータ１２に装着される。
そして、ドライブコントローラ１４の制御によりスピン
ドルモータ１２が所定の回転数で回転駆動されることに
より、光磁気ディスク１１が回転操作される。

【００７５】そして、ドライブコントローラ１４の制御
によりアクセス制御部１７が駆動されることにより、光
学ピックアップ２０が光磁気ディスク１１の信号記録面
上の所定の記録トラックまで移動操作される。

【００７６】また、光学ピックアップ２０においては、
集積光学素子３０の半導体レーザ素子３１からレーザ光
が出射される。

【００７７】半導体レーザ素子３１から出射されたレー
ザ光は、支持台３６の反射面３６ａにて反射され、樹脂
パッケージ３５の開口部３５ａを介して、光学部材３２
に入射する。光学部材３２に入射したレーザ光は、光学
部材３２に設けられたグレーティング３７により主ビー
ムと２つの複ビームとを含む複数のビームに分割され、
複合プリズム３３の第１の部材４１に入射する。

【００７８】複合プリズム３３の第１の部材４１に入射
したレーザ光は、その一部が第１のビームスプリッタ膜
４８を透過して集積光学素子３０から出射される。

【００７９】集積光学素子３０から出射したレーザ光
は、立上げミラー２２の反射面２２ａにて反射され、対
物レンズ２１に入射する。対物レンズ２１に入射したレ
ーザ光は、この対物レンズ２１により集束され、光磁気
ディスク１１の信号記録面上の所定の記録トラックに照
射される。このとき、グレーティング３７により分割さ
れた主ビームと２つの複ビームとによって、光磁気ディ
スク１１の信号記録面上には３つのスポットが形成され
ることになる。

【００８０】光磁気ディスク１１の信号記録面上の所定
の記録トラックに照射されたレーザ光は、磁気カー効果
により、この光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射
される際に、記録トラックに記録された信号、すなわ
ち、このレーザ光が照射された箇所の磁化の状態に応じ
てその偏光面が回転される。

【００８１】光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射
された戻り光は、再度対物レンズ２１を通過した後に、
立上げミラー２２の反射面２２ａにて反射され、集積光
学素子３０の複合プリズム３３に入射する。

【００８２】複合プリズム３３に入射した戻り光は、そ
の一部が第１のビームスプリッタ膜４８により反射さ
れ、第２の部材４２に入射する。第２の部材４２に入射
した戻り光は、その一部が第２のビームスプリッタ膜４
９により反射され、第二の光路Ｌ２を通って光学部材３
２を透過する。このとき、この戻り光は、光学部材３２
に設けられたシリンドリカルレンズ３８を通過すること
により、非点収差が付与される。

【００８３】この非点収差が付与された戻り光は、樹脂
パッケージ３５の開口部３５ａを介して樹脂パッケージ
３５内に入射し、フォトダイオード３４に到達して、そ
の主ビームが受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４により入射
し、２つの複ビームが受光部Ｂ，Ｄにそれぞれ入射す
る。

【００８４】一方、第２のビームスプリッタ膜４９を透
過した戻り光は、第３の部材４３を透過して第４の部材
４４に入射する。そして、半波長板として機能する第４
の部材４４を透過することによって偏光面が４５°回転
した戻り光が、第５の部材４５を透過して第６の部材４
６に入射する。

【００８５】第６の部材４６に入射した戻り光は、偏光
ビームスプリッタ膜５０によりその偏光方向に応じて分
離される。すなわち、第６の部材４６に入射した戻り光
は、入射面に平行なＰ偏光成分が偏光ビームスプリッタ
膜５０を透過し、入射面に垂直なＳ偏光成分が偏光ビー
ムスプリッタ膜５０により反射される。

【００８６】偏光ビームスプリッタ膜５０により反射さ
れた戻り光は、第三の光路Ｌ３を通って光学部材３２を
透過した後、樹脂パッケージ３５の開口部３５ａを介し
て樹脂パッケージ３５内に入射し、フォトダイオード３
４に到達する。そして、その主ビームが受光部Ｄに入射
すると共に、２つの複ビームがダミーの受光部７１，７
２にそれぞれ入射する。

【００８７】また、偏光ビームスプリッタ膜５０を透過
した戻り光は、反射膜５１により反射され、第四の光路
Ｌ４を通って光学部材３２を透過した後、樹脂パッケー
ジ３５の開口部３５ａを介して樹脂パッケージ３５内に
入射し、フォトダイオード３４に到達する。そして、そ
の主ビームが受光部Ｅに入射すると共に、２つの複ビー
ムがダミーの受光部７３，７４にそれぞれ入射する。

【００８８】フォトダイオード３４の各受光部Ａ１，Ａ
２，Ａ３，Ａ４，Ｂ，Ｃ，Ｄ．Ｅに入射した戻り光は、
フォトダイオード３４により光電変換され、これらの戻
り光に含まれる信号成分が検出信号として信号処理回路
１５に供給される。

【００８９】そして、信号処理回路１５において、受光
部Ｄ，Ｅに入射した戻り光からの検出信号に基づいて、
再生信号としての光磁気信号（ＭＯ）又はピット再生信
号（Ｐｉｔ）が生成される。また、受光部Ａ１，Ａ２，
Ａ３，Ａ４に入射した戻り光からの検出信号に基づい
て、フォーカスサーボ信号（ＦＣ）が非点収差法により
生成される。また、受光部Ｂ，Ｃに入射した戻り光から
の検出信号に基づいて、トラッキングサーボ信号（Ｔ
Ｒ）が３ビーム法により生成される。

【００９０】一方、ダミーの受光部７１，７２，７３，
７４に入射した戻り光は、これらダミーの受光部７１，
７２，７３，７４により吸収される。

【００９１】信号処理回路１５で生成された光磁気信号
（ＭＯ）又はピット再生信号（Ｐｉｔ）は、インターフ
ェース１６を介して、光磁気ディスクドライブ１０に接
続された機器に送出される。

【００９２】また、信号処理回路１５で生成されたフォ
ーカスサーボ信号（ＦＣ）及びトラッキングサーボ信号
（ＴＲ）は、ドライブコントローラ１４を介してサーボ
制御部１８に供給される。サーボ制御部１８は、ドライ
ブコントローラ１４の制御のもと、フォーカスサーボ信
号（ＦＣ）及びトラッキングサーボ信号（ＴＲ）に基づ
いて光学ピックアップ２０の対物レンズ２１を保持する
二軸アクチュエータを駆動し、フォーカスサーボ及びト
ラッキングサーボを行う。

【００９３】この光磁気ディスクドライブ１０において
は、上述したように、光学ピックアップ２０が備えるフ
ォトダイオード３４の不要な光が照射される箇所に、光
吸収手段としてのダミーの受光部７１，７２，７３，７
４を設け、これらダミーの受光部７１，７２，７３，７
４に、例えば、複合プリズム３３の第２のビームスプリ
ッタ膜４９を透過し、偏光ビームスプリッタ膜５０によ
り反射された戻り光の２つの複ビームや、光ビームスプ
リッタ膜５０を透過し、反射膜５１により反射された戻
り光の２つの複ビーム等のように本来の信号検出に不要
な光を入射させて、これらの不要な光をダミーの受光部
７１，７２，７３，７４により吸収するようにしている
ので、これら不要な光が受光部Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ
４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに入射して、光学ピックアップ２０
による信号の検出に悪影響を及ぼすことが有効に抑制さ
れる。

【００９４】したがって、この光磁気ディスクドライブ
１０においては、光学ピックアップ２０から出力される
適切な検出信号に基づいて、信号処理回路１５において
光磁気信号（ＭＯ）やピット再生信号（Ｐｉｔ）等の再
生信号及びフォーカスサーボ信号（ＦＣ）及びトラッキ
ングサーボ信号（ＴＲ）等のサーボ信号が生成されるこ
とになり、信頼性の高い再生動作を行うことができると
共に、サーボ制御部１８により適切なトラッキングサー
ボ及びフォーカスサーボを行うことができる。

【００９５】なお、以上は、集積光学素子３０を用いて
光学ピックアップ２０を構成した例について説明した
が、本発明はこの例に限定されるものではなく、例え
ば、光学ピックアップが図８に示すような、いわゆるデ
ィスクリートタイプの光学ピックアップ８０として構成
されていてもよい。

【００９６】この図８に示すディスクリートタイプの光
学ピックアップ８０は、光源としての半導体レーザ素子
８１から出射され光磁気ディスク１１に向かうレーザ光
の光路中に順次配設された非点収差補正板８２、グレー
ティング８３、ビームスプリッタ８４、コリメータレン
ズ８５、立上げミラー８６及び対物レンズ８７と、ビー
ムスプリッタ８４の分離膜８４ａにより分離された光磁
気ディスク１１からの戻り光の光路中に順次配設された
ウォラストンプリズム８８、マルチレンズ８９及び受光
素子としてのフォトダイオード９０とを備えており、こ
れらの各光学部品が個別にマウントされている。

【００９７】このような構成の光学ピックアップ８０に
おいては、半導体レーザ素子８１から出射されるレーザ
光は、非点収差補正板８２により非点収差が補正された
後、グレーティング８３によって、主ビームと２つの複
ビームとを含む複数のビームに分割され、それぞれビー
ムスプリッタ８４に入射する。

【００９８】ビームスプリッタ８４に入射したレーザ光
の一部は、このビームスプリッタ８４の分離膜８４ａを
透過し、コリメータレンズ８５によって平行光に変換さ
れた後、立上げミラー８６によって光路を折曲げられ
て、対物レンズ８７により集束され、光磁気ディスク１
１の信号記録面に照射される。このとき、グレーティン
グ８３により３分割された各ビームによって、光磁気デ
ィスク１１の信号記録面には３つのスポットが形成され
る。

【００９９】光磁気ディスク１１の信号記録面に照射さ
れた上記レーザ光は、磁気カー効果により、この光磁気
ディスク１１の信号記録面にて反射される際に、この信
号記録面の当該レーザ光が照射された箇所の磁化の状態
（記録状態）に応じてその偏光面が回転される。

【０１００】光磁気ディスク１１の信号記録面にて反射
された戻り光は、再度対物レンズ８７、立上げミラー８
６、コリメータレンズ８５を介して、ビームスプリッタ
８４に入射する。

【０１０１】ビームスプリッタ８４に入射した戻り光の
一部は、このビームスプリッタ８４の分離膜８４ａによ
り反射され、ウォラストンプリズム８８に入射する。

【０１０２】ウォラストンプリズム８８は、２つの一軸
性結晶が貼り合わされてなるプリズムであり、２つの一
軸性結晶の接合面における両結晶の光学軸の方位の違い
により、入射した光を、それぞれ屈折角の異なるｐ偏
光、ｓ偏光、ｐ＋ｓ偏光（ビームスプリッタ８４の分離
膜８４ａに対する偏光方向）の３つの光線に分割するも
のである。このウォラストンプリズム８８に入射した戻
り光は、このウォラストンプリズム８８により３分割さ
れた後、マルチレンズ８９により非点収差を付与され且
つ光路長を延ばされて、フォトダイオード９０に照射さ
れる。

【０１０３】ここで、フォトダイオード９０に照射され
る戻り光のうち、ウォラストンプリズム８８により分割
され、マルチレンズ８９により非点収差が付与されたｐ
＋ｓ偏光の光の主ビームは、図９に示すように、フォト
ダイオード９０に設けられた受光部Ｆに入射する。そし
て、受光部Ｆに入射した戻り光に基づいて、非点収差法
によりフォーカスサーボ信号が検出される。

【０１０４】また、ウォラストンプリズム８８により分
割されたｐ＋ｓ偏光の光の２つの複ビームは、フォトダ
イオード９０に設けられた受光部Ｇと受光部Ｈとにそれ
ぞれ入射する。そして、受光部Ｇと受光部Ｈとに入射し
たこれらの戻り光に基づいて、３ビーム法によりトラッ
キングサーボ信号が検出される。

【０１０５】更に、ウォラストンプリズム８８により分
割されたｐ偏光の光とｓ偏光の光の主ビームは、フォト
ダイオード９０に設けられた受光部Ｉと受光部Ｊとにそ
れぞれ入射する。そして、受光部Ｉと受光部Ｊとに入射
したこれらの戻り光に基づいて光磁気信号が検出され
る。

【０１０６】また、フォトダイオード９０の不要な光が
照射される箇所、すなわち、ウォラストンプリズム８８
により分割されたｐ偏光の光とｓ偏光の光の２つの複ビ
ームが照射される箇所には、図９に示すように、光吸収
手段としてのダミーの受光部９１，９２，９３，９４が
それぞれ設けられており、信号検出に不要な光は、これ
らダミーの受光部９１，９２，９３，９４に入射され、
これらダミーの受光部９１，９２，９３，９４により吸
収されるようになされている。

【０１０７】この光学ピックアップ８０においても、上
述した光学ピックアップ２０と同様に、フォトダイオー
ド９０の不要な光が照射される箇所に、光吸収手段とし
てのダミーの受光部９１，９２，９３，９４を設け、信
号検出に不要な光をこれらダミーの受光部９１，９２，
９３，９４に入射させて吸収するようにしているので、
これら不要な光が信号の検出に悪影響を及ぼすことが有
効に抑制される。

【０１０８】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る光学ピックアップにおいては、信号の検出には不要な
不要光が、受光素子に設けられた光吸収手段により吸収
されるので、信号の検出に不要な不要光が、例えば、乱
反射等によって受光部に入射し検出信号に悪影響を及ぼ
すといった不都合が有効に抑制され、適切な検出信号を
出力することが可能となる。

【０１０９】また、本発明に係る記録再生装置において
は、信号の検出には不要な不要光が、光学ピックアップ
の受光素子に設けられた光吸収手段により吸収されるこ
とになるので、信号の検出に不要な不要光が、例えば、
乱反射等によって受光部に入射し検出信号に悪影響を及
ぼすといった不都合が有効に抑制され、適切な検出信号
が光学ピックアップから出力されることになる。そし
て、この適切な検出信号に基づいて信号処理手段により
再生信号及びサーボ信号が生成されるので、信頼性の高
い再生動作を行うことができると共に、サーボ手段によ
り適切なトラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した光磁気ディスクドライブの一
構成例を示すブロック図である。

【図２】上記光磁気ディスクドライブが備える光学ピッ
クアップを模式的に示す斜視図である。

【図３】上記光学ピックアップが備える集積光学素子の
模式図である。

【図４】上記集積光学素子が備える複合プリズムを分解
した状態を示す側面図である。

【図５】上記集積光学素子が備えるフォトダイオードの
一部を拡大して示す縦断面図である。

【図６】上記フォトダイオードの平面図である。

【図７】上記フォトダイオードの回路図である。

【図８】本発明を適用した他の光学ピックアップを示す
模式図である。

【図９】上記他の光学ピックアップが備えるフォトダイ
オードの平面図である。

【図１０】一般的なフォトダイオードの構造を説明する
図であり、フォトダイオードの一部を拡大して示す縦断
面図である。

【符号の説明】

１０ 光磁気ディスクドライブ、１１ 光磁気ディス
ク、１４ ドライブコントローラ、１５ 信号処理回
路、１８ サーボ制御部、２０ 光学ピックアップ、２
１ 対物レンズ、３０ 集積光学素子、３１ 半導体レ
ーザ素子、３２ 光学部材、３３ 複合プリズム、３４
フォトダイオード、３７ グレーティング、３８ シ
リンドリカルレンズ、４８ 第１のビームスプリッタ
膜、４９ 第２のビームスプリッタ膜、５０ 偏光ビー
ムスプリッタ膜、５１ 反射膜、Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ
４，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ 受光部、７１，７２，７３，７４
ダミーの受光部

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源から出射された光を集束して記録媒
   体の信号記録面に照射し、記録媒体の信号記録面にて反
   射された戻り光を受光素子により検出して再生信号及び
   サーボ信号を生成するための検出信号を出力する光学ピ
   ックアップにおいて、 上記受光素子には、上記検出信号の信号成分を含む戻り
   光が照射される位置に、再生信号及びサーボ信号を生成
   する信号処理手段に接続される受光部が設けられている
   と共に、上記受光部に入射しない光が照射される位置
   に、この光を吸収する光吸収手段が設けられていること
   を特徴とする光学ピックアップ。
2. 【請求項２】 上記光吸収手段は、上記信号処理手段に
   接続されないダミーの受光部よりなることを特徴とする
   請求項１記載の光学ピックアップ。
3. 【請求項３】 上記ダミーの受光部が、上記受光素子の
   電源又はグランドに接続されていることを特徴とする請
   求項２記載の光学ピックアップ。
4. 【請求項４】 上記光吸収手段は、上記受光素子上に成
   膜された光学薄膜よりなることを特徴とする請求項１記
   載の光学ピックアップ。
5. 【請求項５】 光磁気信号及び３ビーム法によるトラッ
   キングサーボ信号を生成するための検出信号を出力する
   光学ピックアップであって、 上記光源から出射された光を回折して主ビームと２つの
   複ビームとを含む複数のビームに分割する光分割手段
   と、 上記光分割手段により分割され、上記記録媒体にて反射
   された戻り光を分離する戻り光分離手段と、 上記戻り光分離手段により分離された一方の戻り光を偏
   光分離する偏光分離手段とを備え、 上記受光素子には、上記戻り光分離手段により分離され
   た他方の戻り光の主ビームが照射される位置及び複ビー
   ムが照射される位置と、上記偏光分離手段により分離さ
   れた戻り光の主ビームが照射される位置とに上記受光部
   がそれぞれ設けられていると共に、上記偏光分離手段に
   より分離された戻り光の複ビームが照射される位置に上
   記光吸収手段がそれぞれ設けられていることを特徴とす
   る請求項１記載の光学ピックアップ。
6. 【請求項６】 上記光源及び受光素子が同一パッケージ
   内に収容されていることを特徴とする請求項１記載の光
   学ピックアップ。
7. 【請求項７】 上記光源及び受光素子が同一パッケージ
   内に収容され、このパッケージに、上記光分割手段と上
   記戻り光分離手段と上記偏光分離手段とが一体に設けら
   れていることを特徴とする請求項５記載の光学ピックア
   ップ。
8. 【請求項８】 光源から出射された光を集束して記録媒
   体の信号記録面に照射し、記録媒体の信号記録面にて反
   射された戻り光を受光素子により検出して再生信号及び
   サーボ信号を生成するための検出信号を出力する光学ピ
   ックアップと、 上記光学ピックアップから出力された検出信号に基づい
   て再生信号及びサーボ信号を生成する信号処理手段と、 上記信号処理手段により生成されたサーボ信号に基づい
   てトラッキングサーボ及びフォーカスサーボを行うサー
   ボ手段とを備え、 上記光学ピックアップの受光素子には、上記検出信号の
   信号成分を含む戻り光が照射される位置に、上記信号処
   理手段に接続される受光部が設けられていると共に、上
   記受光部に入射しない光が照射される位置に、この光を
   吸収する光吸収手段が設けられていることを特徴とする
   記録再生装置。