JP2001155983A

JP2001155983A - 半導体装置およびその製造方法

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Publication number: JP2001155983A
Application number: JP33292299A
Authority: JP
Inventors: Haruo Iwasaki; 治夫岩崎
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-11-24
Filing date: 1999-11-24
Publication date: 2001-06-08
Anticipated expiration: 2019-11-24
Also published as: JP3362717B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体装置製造の製造工程において、フォトリ
ソグラフィ工程時の下層パターンと上層のパターンとの
重ね合わせ精度を向上させる。【解決手段】重ね合わせ量を測定するための第１のマー
クと第２のマークがそれぞれ半導体チップ上の下層と上
層の所定の領域に形成され、第１のマークは微細スペー
ス６で囲われた凸状パターンで形成され第２のマークは
レジストパターン８，８ａで形成される。ここで、半導
体基板上に凸状の複数のパターンがある材料で一定間隔
に配列され、上記複数のパターン間のスペースを埋め込
まないように全面に別の材料膜が堆積され、隣接する上
記凸状のパターン間に微細スペース６が形成される。そ
して、この微細パターン６を充填するように全面に反射
防止膜７が形成されレジストパターン８，８ａが形成さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を製造
するフォトリソグラフィ工程における位置合わせ精度の
評価用のパターンに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の微細化及び高密度化は依然
として精力的に進められ、現在では０．１３μｍの寸法
基準で設計されるロジックデバイスあるいはメモりデバ
イス等の超高集積あるいは超高速の半導体装置が開発試
作されている。このような半導体装置の高集積化に伴
い、半導体素子構造の形成に必須となっているフォトリ
ソグラフィ工程でのマスク合わせ精度の更なる向上が強
く要求されるようになってきた。

【０００３】通常、半導体装置の製造では、半導体基板
上に金属膜、半導体膜、絶縁体膜等の各種材料で形成さ
れたパターンが順次積層され、微細構造の半導体素子が
形成される。この半導体素子用のパターンを積層する場
合には、フォトリソグラフィ工程において、前工程で形
成した下層のパターンに位置合わせし次の上層パターン
を形成することが要求される。

【０００４】このようにフォトリソグラフィ工程におい
ては、上層のフォトリソグラフィ工程を行う際、マスク
パターンをその下層のパターンに所定の規格で重ね合わ
せしながらこれを行うことが必要となる。このパターン
の重ね合わせ精度に関する所定の規格は、半導体装置の
微細化につれて厳しくなっている。そこで、この重ね合
わせ精度を評価する技術が重要になってくる。

【０００５】また、先述したように半導体装置が微細に
なってくると、フォトリソグラフィ工程のパターン転写
において、種々のタイプの露光装置が組み合わせて用い
られるようになる。例えば、比較的粗いパターンの転写
にはｉ線（露光波長が３６５ｎｍ）ステッパが用いら
れ、微細なパターンの転写にエキシマ・ステッパあるい
は電子ビーム露光装置が使用される。このようなミック
ス・アンド・マッチ（Ｍ＆Ｍ）の露光方法は、半導体装
置の更なる超高集積化では必須の技術になってきてい
る。

【０００６】現在、２つのフォトリソグラフィ工程間の
位置誤差を簡単に計測する方法としては、工程毎に僅か
ずつ異なる一定のピッチの矩形パターンを形成しパター
ンの重なり具合から位置誤差を読みとる方法が用いられ
ており、この矩形パターンは一般的にパターン合わせノ
ギスまたはバーニヤと呼ばれている。また一般的には、
半導体チップの下層と上層に１対のマークを形成して、
これらのマークの重ね合わせ程度を計測する方法が用い
られる。

【０００７】以下、従来のフォトリソグラフィ工程にお
けるマスクパターンと下地になる層との重ね合わせ測定
用ノギスについて、図７および図８に基づいて説明す
る。ここで、図７は、主尺ノギスと副尺ノギスの平面図
であり、図８は、主尺ノギス指標と副尺ノギス指標の断
面図とその平面図である。

【０００８】図７（ａ）に示すように、主尺ノギス指標
１０１の指標辺１０１ａと副尺ノギス指標１０２の指標
辺１０２ａとの距離Ｘ、主尺ノギス指標１０１の指標辺
１０１ｂと副尺ノギス指標１０２の指標辺１０２ｂとの
距離Ｙが光学顕微鏡で目視される。ここで、この主尺ノ
ギス指標１０１は、先述したように１つの溝すなわち１
つの指標用開口で形成されている。

【０００９】図７（ｂ）に示すように、上記のような主
尺ノギスを構成するノギス指標すなわち第１の指標１０
３、第２の指標１０４、第３の指標１０５、第４の指標
１０６および第５の指標１０７が形成され、同様に副尺
ノギスを構成する第１の指標１０８、第２の指標１０
９、第３の指標１１０、第４の指標１１１および第５の
指標１１２が形成されている。

【００１０】ここで、主尺ノギス指標がピッチｐで配列
されており、副尺ノギス指標がピッチｑで配列されてい
るとする。そして、例えばｑ＝ｐ＋０．０２５μｍとす
ると、図７では主尺ノギスの第２の指標と副尺ノギスの
第２の指標の重なり具合いが最もよい。この場合には、
重ね合わせのズレ量は＋０．０２５μｍとなる。このよ
うに、光学顕微鏡による目視でズレ量が決められる。

【００１１】通常、シリコン基板１１３上に所定の工程
を通してＭＯＳトランジスタが形成される（図示され
ず）。そして、図８（ａ）に示すように、第１層間絶縁
膜１１４が全体を被覆するように形成される。

【００１２】次に、第１層間絶縁膜１１４上に所定のパ
ターンを有する第１配線層１１５，１１５ａ，１１５ｂ
等が、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術
とで形成される。そして、全面に第２層間絶縁膜１１６
が堆積される。このようにして、第１配線層１１５と１
１５ａあるいは第１配線層１１５ａと１５ｂのスペース
パターンが凹状の主尺ノギス指標となる。

【００１３】次に、第２層間絶縁膜１１６上に第２配線
層１１７が成膜される。そして、次のフォトリソグラフ
ィ工程のために、図８（ｂ）に示すように全面に反射防
止膜１１８が塗布形成され、さらに、フォトレジスト膜
が均一に形成され、その後、縮小投影露光およびフォト
レジストの現像が行われて、レジストパターン１１９，
１１９ａが形成される。このように、通常、副尺ノギス
指標はこのようなレジストパターンで構成される。

【００１４】なお、主尺ノギス指標として凸状のパター
ンである第１配線層１１５，１１５ａ，１１５ｂがその
まま用いられてもよい。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の技術の場合には、主尺ノギス指標と副尺ノギス指標の
光学顕微鏡による目視でのズレ量を評価するのが非常に
難しくなる。これについて、図８（ｂ）と図８（ｃ）に
基づいて説明する。

【００１６】半導体装置の微細化と共にフォトリソグラ
フィ工程での露光波長は短くなる。露光波長が短くなる
と、下地からの反射量が増加し微細パターンの形成にと
って大きな障害となる。そこで、副尺ノギス指標となる
レジストパターンを形成する場合には、図８（ｂ）に示
すように、第２配線層１１７表面に有機系の塗布膜であ
る反射防止膜１１８が予め形成される。その上で、露光
現像によるパターン転写が行われて上述した副尺ノギス
指標となるレジストパターン１１９，１１９ａが形成さ
れる。

【００１７】ここで、先述した重ね合わせ精度を評価す
べく、光学顕微鏡で主尺ノギス指標と副尺ノギス指標と
を目視すると、図８（ｃ）に示すように、主尺ノギス指
標１２０，１２０ａの周りに多くの干渉縞１２１が形成
される。このために、主尺ノギス指標１２０，１２０ａ
と副尺ノギス指標１２２，１２２ａの光学顕微鏡による
重ね合わせ読み取りが非常に困難になる。このような重
ね合わせ読み取り精度の低下は、半導体装置の微細化に
伴いますます顕著になってきている。

【００１８】上記の反射防止膜１１８として使用される
有機系の塗布膜は、フォトリソグラフィ工程での露光光
の吸収能力は高い。しかし、光学顕微鏡での可視光に対
しては透明性が非常に高い。このために先述したような
干渉縞１２１が生じるようになる。このことは、半導体
装置の微細化に伴い露光波長が短くなると回避できない
現象である。

【００１９】本発明の目的は、半導体装置製造の製造工
程において、フォトリソグラフィ工程時の下層パターン
と上層のパターンとの重ね合わせ精度を向上させること
にある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】このために本発明の半導
体装置には、半導体装置の下層パターンと上層パターン
との重ね合わせ量を測定するための第１のマークと第２
のマークをそれぞれ半導体チップ上の前記下層と上層の
所定の領域に有し、前記第１のマークは微細スペースで
囲われた凸状パターンで形成され、前記第２のマークは
レジストパターンで形成されている。

【００２１】ここで、前記第１のマークは、導電膜のパ
ターンに絶縁膜が被覆して構成される。あるいは、導電
膜のパターンに絶縁膜と別の導電膜とがこの順に被覆し
て構成される。

【００２２】または、絶縁膜のパターンに導電膜が被覆
して構成される。あるいは、絶縁膜のパターンに導電膜
と別の絶縁膜とがこの順に被覆して構成される。

【００２３】そして、前記第１のマークは半導体チップ
上に形成されたノギスにおける主尺ノギスの指標であ
り、第２のマークは副尺ノギスの指標である。あるい
は、前記第１のマークは半導体チップ上に形成された自
動重ね合わせ測定用の外側ボックスマークであり、前記
第２のマークは前記自動重ね合わせ測定用の内側ボック
スマークである。ここで、前記外側ボックスマークは、
スリット状の溝で区画された絶縁膜で構成されている。

【００２４】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板上に凸状の複数の絶縁膜パターンを一定間隔で配列
させる工程と、前記複数の絶縁膜パターン間のスペース
を埋め込まないように全面に導電膜を堆積させ隣接する
絶縁膜パターン間に微細スペースを形成する工程と、前
記微細パターンを充填するように全面に反射防止膜を形
成しレジストパターンを形成する工程とを有する。

【００２５】また、本発明の半導体装置の製造法は、半
導体基板上に凸状の複数の導電膜パターンを一定間隔で
配列させる工程と、前記複数の導電膜パターン間のスペ
ースを埋め込まないように全面に絶縁膜を堆積させ隣接
する導電膜パターン間に微細スペースを形成する工程
と、前記微細パターンを充填するように全面に反射防止
膜を形成しレジストパターンを形成する工程とを有す
る。

【００２６】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に形成した絶縁膜の所定の領域にスリット
状の溝を形成し前記絶縁膜を区画する工程と、前記溝を
充填するように全面に反射防止膜を形成しレジストパタ
ーンを形成する工程とを有する。ここで、前記反射防止
膜は有機材料で構成され塗布形成される。

【００２７】本発明では、主尺ノギス指標の間、あるい
は、外側ボックスマークの周辺に微細スペースが形成さ
れ、この微細スペースは反射防止膜で完全に埋め込まれ
る。そして、光学顕微鏡による重ね合わせ読み取り時
に、従来の技術で説明したような反射防止膜の干渉縞は
全くみられなくなる。このために、光学顕微鏡による重
ね合わせ読み取りが非常に容易になり、読み取り精度の
向上は大幅に向上するようになる。

【００２８】

【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態に
ついて図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の
実施の形態の一例のパターン合わせ用ノギスの断面図と
平面図とである。第１の実施の形態では、主尺ノギス指
標の表面部が導電膜で形成される。

【００２９】図１（ａ）に示すように、化学気相成長
（ＣＶＤ）法によるシリコン酸化膜の堆積と化学機械研
磨（ＣＭＰ）法による平坦化とで、シリコン基板１上に
第１層間絶縁膜２が形成される。

【００３０】そして、第１層間絶縁膜２上にアルミ合金
で所定のパターンを有する第１配線層３，３ａ，３ｂ，
３ｃ，３ｄが形成される。ここで、これらの第１配線層
の膜厚は５００ｎｍ程度であり隣接する第１配線層間の
スペース幅は１μｍ程度である。

【００３１】次に、プラズマＣＶＤ法で膜厚２００ｎｍ
程度のシリコン酸化膜が均一に堆積される。さらに、こ
の第２層間絶縁膜４上に第２配線層５が形成される。こ
こで、第２配線層５の膜厚は２５０ｎｍである。このよ
うにして、隣接する第１配線層間に微細スペース６が設
けられる。ここで、微細スペース６の幅は１００ｎｍ〜
２００ｎｍに制御される。そして、第１配線層３，３
ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄと上層の第２配線層５とが凸状の
主尺ノギス指標となる。

【００３２】次に、図１（ｂ）に示すように、反射防止
膜７が全面に塗布される。ここで、反射防止膜７の膜厚
は１００ｎｍ〜２００ｎｍである。このようにして、微
細スペース６は全て反射防止膜７で充填され、その表面
は完全に平坦化される。

【００３３】そして、次のフォトリソグラフィ工程のた
めに、フォトレジスト膜が均一に形成され、その後、縮
小投影露光およびフォトレジストの現像が行われて、レ
ジストパターン８，８ａが形成される。このようにし
て、副尺ノギス指標が形成される。

【００３４】本発明では、主尺ノギス指標の間には微細
スペース６が形成され、この微細スペース６は反射防止
膜７で完全に埋め込まれる。そして、図１（ｃ）に示す
ように、パターニングされたフォトレジストと反射防止
膜とで構成される副尺ノギス指標９，９ａの指標辺の輪
郭が明確になる。このようにして、主尺ノギス指標９，
９ａと副尺ノギス指標１０，１０ａの光学顕微鏡による
重ね合わせ読み取りが非常に容易になる。このような重
ね合わせ読み取り精度の向上は、半導体装置の微細化で
損なわれることはない。

【００３５】次に、本発明の第１の実施の形態での別の
例について図２を参照して説明する。図２は本発明での
パターン合わせ用ノギスの断面図である。ここで、図１
と同じものは同一符号で示される。

【００３６】図２に示すように、シリコン基板１上に第
１層間絶縁膜２が形成される。そして、この第１層間絶
縁膜２上に第２層間絶縁膜が形成され、スルーホール形
成工程で、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング
技術とで絶縁膜パターン４ａ，４ｂが形成される。ここ
で、絶縁膜パターン４ａ，４ｂの膜厚は５００ｎｍ程度
であり隣接する絶縁膜パターン４ａ，４ｂ間のスペース
幅は１．２μｍ程度である。

【００３７】次に、この絶縁膜パターン４ａ，４ｂを被
覆するように第２配線層５が形成される。ここで、第２
配線層５の膜厚は５００ｎｍである。このようにして、
隣接する第１配線層間に微細スペース６が設けられる。
ここで、微細スペース６の幅は２００ｎｍ程度に制御さ
れる。そして、絶縁膜パターン４ａ，４ｂと上層の第２
配線層５とが凸状の主尺ノギス指標となる。

【００３８】次に、図１と同様にして反射防止膜７が全
面に塗布され、微細スペース６は全て反射防止膜７で充
填され、その表面は完全に平坦化される。そして、レジ
ストパターン８，８ａが形成される。このようにして、
副尺ノギス指標が形成される。この場合の効果は、図１
で説明したものと同じである。

【００３９】次に本発明の第２の実施の形態について図
面を参照して説明する。図３は本発明の第２の実施の形
態の一例のパターン合わせ用ノギスの断面図である。こ
こで、第１の実施の形態と同じものは同一符号で示され
る。第２の実施の形態は、主尺ノギス指標となる表面部
が絶縁膜で形成される場合である。

【００４０】図３に示すように、シリコン基板１上にフ
ィールド酸化膜１１が形成される。そして、フィールド
酸化膜１１上に絶縁膜パターン４ａ，４ｂが形成され
る。ここで、絶縁膜パターン４ａ，４ｂの膜厚は５００
ｎｍ程度であり、絶縁膜パターン４ａ，４ｂ間のスペー
ス幅は１μｍ程度である。

【００４１】次に、全面に膜厚１５０ｎｍの配線層１２
が形成され、配線層１２を被覆するように層間絶縁膜１
３が堆積される。ここで、層間絶縁膜１３の膜厚は３０
０ｎｍである。このようにして、パターン幅が１００ｎ
ｍの微細パターン６が形成されることになる。ここで
は、絶縁膜パターン４ａ，４ｂと配線層１２と層間絶縁
膜１３とが主尺ノギス指標となる。このようにすること
で、光学顕微鏡によるパターン重ね合わせの読みとり精
度が大幅に向上するようになる。

【００４２】そして、図１と同様にして反射防止膜７が
全面に塗布され、微細スペース６は全て反射防止膜７で
充填され、その表面は完全に平坦化される。そして、レ
ジストパターン８，８ａが形成され、副尺ノギス指標が
形成される。

【００４３】次に、本発明の第２の実施の形態での別の
例について図４を参照して説明する。図４は本発明での
パターン合わせ用ノギスの断面図である。ここで、図１
と同じものは同一符号で示される。

【００４４】図４に示すように、シリコン基板１上に第
１層間絶縁膜２が形成される。そして、この第１層間絶
縁膜２上に第１配線層３，３ａが形成される。ここで、
第１配線層３，３ａの膜厚は５００ｎｍ程度であり隣接
する第１配線層３，３ａ間のスペース幅は１μｍであ
る。

【００４５】次に、この第１配線層３，３ａを被覆する
ように第２層間絶縁膜４が形成される。ここで、第２層
間絶縁膜４の膜厚は４００ｎｍである。このようにし
て、第１配線層３，３ａと第２層間絶縁膜４とが凸状の
主尺ノギス指標となる。ここで、隣接する主尺ノギス指
標間にスペース幅２００ｎｍの微細スペース６が設けら
れることになる。

【００４６】以下、図１と同様にして反射防止膜７が全
面に塗布され、微細スペース６は全て反射防止膜で充填
され、その表面は完全に平坦化される。そして、レジス
トパターン８，８ａが形成され、副尺ノギス指標が形成
される。

【００４７】次に、本発明の第３の実施の形態を図５に
基づいて説明する。図５は、先述したノギスと同様に半
導体チップ表面に形成される自動重ね合わせ測定用マー
クの平面図と断面図である。この自動重ね合わせ測定用
マークは、ノギスの寸法より大きな形状に形成される。
ここで、図５（ａ）はその平面図であり、図５（ｂ）は
図５（ａ）に記すＡ−Ｂでの断面図である。なお、図１
と同じものは同一符号で示される。

【００４８】図５（ａ），（ｂ）に示されるように、シ
リコン基板１上に層間絶縁膜１３が形成される。ここ
で、この層間絶縁膜１３の膜厚は８００ｎｍ程度であ
る。そして、この層間絶縁膜１３の所定の領域を区画す
るスリット状の溝で微細スペース６が設けられ、外側ボ
ックスマーク１４が形成される。この微細スペース６の
幅は２００ｎｍ程度である。そして、全面に反射防止膜
７が塗布され、微細スペース６は全て反射防止膜７で充
填され、その表面は完全に平坦化される。その上で、フ
ォトレジストのパターンが形成され、内側ボックスマー
ク１５が形成される。

【００４９】このように形成された外側ボックスマーク
と内側ボックスマークの上部からレーザ光が走査され、
これらのボックスマーク間の位置関係が精密に計測され
るようになる。このレーザ光の走査は自動的になされ、
上層に形成されたパターンと下層のパターン間の自動重
ね合わせ測定が高速でなされる。ここで、レーザ光の波
長は可視光である。

【００５０】次に、本発明の第３の実施の形態での別の
例について図６を参照して説明する。図６は本発明での
自動重ね合わせ測定用マークの平面図である。この場合
の図５との違いは、微細スペースが区分されて形成され
る点である。

【００５１】すなわち、図６に示すように、層間絶縁膜
にスリット状の微細スペース６ａが形成される。これら
の微細スペースで層間絶縁膜上に外側ボックスマーク１
４ａが形成される。後は図５で説明したのと同様にして
内側ボックスマーク１５が形成される。この場合も図５
で説明したのと同様の効果が生じる。

【００５２】以上の実施の形態では、ノギスとボックス
マークについて説明した。本発明はこれに限定されるも
のでない。この他のウェーハアライメントマーク等でも
同様に適用できることに言及しておく。

【００５３】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明の半導体
装置には、半導体装置の下層パターンと上層パターンと
の重ね合わせ量を測定するための第１のマークと第２の
マークがそれぞれ半導体チップ上の下層と上層の所定の
領域に形成され、第１のマークは微細スペースで囲われ
た凸状パターンで形成され第２のマークはレジストパタ
ーンで形成されている。

【００５４】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に凸状の複数のパターンをある材料で一定
間隔に配列させ、上記複数のパターン間のスペースを埋
め込まないように全面に別の材料膜を堆積させて、隣接
する上記凸状のパターン間に微細スペースを形成する。
そして、この微細パターンを充填するように全面に反射
防止膜を形成しレジストパターンを形成する。

【００５５】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に形成した絶縁膜の所定の領域にスリット
状の溝を形成して絶縁膜を区画し、上記溝を充填するよ
うに全面に反射防止膜を形成してレジストパターンを形
成する。なお、反射防止膜は有機材料で構成され塗布形
成される。

【００５６】このようにすることで、フォトリソグラフ
ィ工程で光学顕微鏡による重ね合わせ読み取りが非常に
容易になる。そして、このような重ね合わせ読み取り精
度が大幅に向上する。

【００５７】また、レーザ光の自動的な走査によりボッ
クスマーク間の位置関係が精密に計測されるようにな
り、上層に形成されたパターンと下層のパターン間の自
動重ね合わせ測定が高精度にしかも高速にできるように
なる。

【００５８】そして、本発明により、微細化され高集積
化、高速化および高機能化される半導体装置の製造が容
易になり、その製造歩留まりが増大するようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するためのノ
ギスの断面図と平面図である。

【図２】上記実施の形態の別の例を説明するためのノギ
スの断面図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態を説明するためのノ
ギスの配置図である。

【図４】上記実施の形態の別の例を説明するためのノギ
スの断面図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態を説明するためのボ
ックスマークの平面図と断面図である。

【図６】上記実施の形態の別の例を説明するためのボッ
クスマークの平面図である。

【図７】従来の技術を説明するためのノギスの平面図で
ある。

【図８】従来の技術におけるノギスの断面図と平面図で
ある。

【符号の説明】

１，１１３シリコン基板２，１１４第１層間絶縁膜３，３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，１１５，１１５ａ，１１
５ｂ第１配線層４，１１６第２層間絶縁膜４ａ，４ｂ絶縁膜パターン５，１１７第２配線層６，６ａ微細スペース７，１１８反射防止膜８，８ａ，１１９，１１９ａレジストパターン９，９ａ，１０１，１２０，１２０ａ主尺ノギス指
標１０，１０ａ，１０２，１２２，１２２ａ副尺ノギ
ス指標１１フィールド酸化膜１２配線層１３層間絶縁膜１４外側ボックスマーク１５内側ボックスマーク１０１ａ，１０１ｂ，１０２ａ，１０２ｂ指標辺１０３，１０８第１の指標１０４，１０９第２の指標１０５，１１０第３の指標１０６，１１１第４の指標１０７，１１２第５の指標１２１干渉縞

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置の下層パターンと上層パター
ンとの重ね合わせ量を測定するための第１のマークと第
２のマークをそれぞれ半導体チップ上の前記下層と上層
の所定の領域に有し、前記第１のマークは微細スペース
で囲われた凸状パターンで形成され、前記第２のマーク
はレジストパターンで形成されていることを特徴とする
半導体装置。
【請求項２】前記第１のマークは、導電膜のパターン
に絶縁膜が被覆して構成されていることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記第１のマークは、導電膜のパターン
に絶縁膜と別の導電膜とがこの順に被覆して構成されて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】前記第１のマークは、絶縁膜のパターン
に導電膜が被覆して構成されていることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。
【請求項５】前記第１のマークは、絶縁膜のパターン
に導電膜と別の絶縁膜とがこの順に被覆して構成されて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】前記第１のマークが半導体チップ上に形
成されたノギスにおける主尺ノギスの指標であり、第２
のマークが副尺ノギスの指標であることを特徴とする請
求項１から請求項５のうち１つの請求項に記載の半導体
装置。
【請求項７】前記第１のマークが半導体チップ上に形
成された自動重ね合わせ測定用の外側ボックスマークで
あり、前記第２のマークが前記自動重ね合わせ測定用の
内側ボックスマークであることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。
【請求項８】前記外側ボックスマークは、スリット状
の溝で区画された絶縁膜で構成されていることを特徴と
する請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】半導体基板上に凸状の複数の絶縁膜パタ
ーンを一定間隔で配列させる工程と、前記複数の絶縁膜
パターン間のスペースを埋め込まないように全面に導電
膜を堆積させ隣接する絶縁膜パターン間に微細スペース
を形成する工程と、前記微細パターンを充填するように
全面に反射防止膜を形成しレジストパターンを形成する
工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項１０】半導体基板上に凸状の複数の導電膜パ
ターンを一定間隔で配列させる工程と、前記複数の導電
膜パターン間のスペースを埋め込まないように全面に絶
縁膜を堆積させ隣接する導電膜パターン間に微細スペー
スを形成する工程と、前記微細パターンを充填するよう
に全面に反射防止膜を形成しレジストパターンを形成す
る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項１１】半導体基板上に形成した絶縁膜の所定
の領域にスリット状の溝を形成し前記絶縁膜を区画する
工程と、前記溝を充填するように全面に反射防止膜を形
成しレジストパターンを形成する工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】前記反射防止膜が有機材料で構成され
塗布形成されることを特徴とする請求項９、請求項１０
または請求項１１記載の半導体装置の製造方法。