JP2001153815A - 基板表面の評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板が真円の薄板形状以外の形状をしていて
も、また、基板のサイズが評価装置のステ−ジの可動範
囲よりも大きなサイズのものであったとしても、評価装
置を用いた特定箇所の観察・分析を可能にする基板表面
の評価方法を提供すること。 【解決手段】 基板表面及び表面近傍に存在する結晶欠
陥、付着異物、傷等を異物位置検査装置及び評価装置を
使用して観察評価、あるいは分析評価する基板表面の評
価方法において、異物位置検査装置の有する装置座標
と、評価装置の有するステ−ジ座標との座標合わせの際
に基準として使用する微小マ−クを、基板表面の所定箇
所に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板、半導体
集積回路、半導体素子、レンズ、あるいはディスプレイ
等を構成する基板の表面を観察し、あるいは分析して評
価する基板表面の評価方法に関し、より詳細には欠陥の
少ない、高品質の基板を製造するために有用な基板表面
の評価方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板は、主としてチョクラルスキ
ー法で引き上げられた単結晶シリコンインゴットに、切
断、ラッピング、エッチング、ポリッシング処理等が施
こされ、最終的に洗浄して製造される。この半導体基板
の表面に結晶欠陥、付着異物、傷等が存在すると、この
半導体基板を用いて作製された半導体集積回路、あるい
は半導体素子等に不良箇所が発生し、回路あるいは素子
等が動作不良等を引き起こすことが明らかになってきて
いる。このため、基板の表面に存在するこれらの結晶欠
陥、付着異物、傷等を減少させるその前提として、これ
ら結晶欠陥、付着異物、傷等（以下、これらをまとめて
欠陥等と記す）を観察し、その実体を解明することが重
要になってきている。

【０００３】また、半導体集積回路等の製品を製作する
材料となる半導体基板のみならず、半導体基板を用いて
製作される半導体集積回路、あるいは半導体素子等の作
製中、及び作製後に製品の不良解析をする場合にも、不
良箇所を検出してその表面状態を評価することが重要に
なってきている。

【０００４】基板の表面に存在するこれらの欠陥等は、
ＳＥＭ(Scanning Electron Microscopy)、ＡＦＭ(Atomi
c Force Microscopy) 等の倍率の高い顕微鏡を用いて観
察すれば、直接的に観察評価することができるが、これ
らＳＥＭや、ＡＦＭ等の評価装置におけるその視野は極
めて狭い（換言すればそれだけ大きな倍率で欠陥等を観
察することができる）。欠陥等に比べるととてつもなく
広い面積の基板表面に点在するこれらの欠陥等を、始め
から評価装置におけるその視野に正確に入れることは不
可能な話であり、広い面積の基板表面に存在する欠陥等
の位置は主としてレーザーパ−ティクルカウンタ−等と
呼称される装置に代表される異物位置検査装置を使用し
てあらかじめ検出されている。

【０００５】しかしながら、該異物位置検査装置から得
られる個々の欠陥等の存在する基板表面上の位置は、前
記異物位置検査装置の有する装置座標において定義され
たものであるため、通常、評価装置の有するステ−ジ座
標とは一致しない。また、前記異物位置検査装置で欠陥
等を検出した基板を評価装置にセッティングする場合、
どうしても新たなセッティングに伴う装置座標のずれ誤
差を生じてしまう。そのため、欠陥等の実態を評価装置
で観察・分析するためには、何らかの方策を講じて異物
位置検査装置の有する装置座標と、評価装置の有するス
テ−ジ座標とを高精度にリンクさせることが必要にな
る。

【０００６】異物位置検査装置で検出した座標を、評価
装置の有するステ−ジ座標に高精度にリンクさせる従来
の方法としては、例えば、特開平８−２２０００６号公
報に開示の方法があり、この方法では、 １） 半導体基板の外形を認識することにより、詳細に
は、半導体基板のエッジ座標の３乃至５点をもとに半導
体基板の外形を認識することにより、半導体基板の中心
座標を検出する工程、 ２） オリエンテ−ションフラットあるいはノッチと呼
ばれる、結晶方位特定用の直線部あるいは窪み部をもと
に、Ｘ軸の傾きを算出する工程、 ３） 半導体基板の半径長さと、上記中心座標及びＸ軸
の傾きから、評価装置のステ−ジ座標と異物位置検査装
置で検出した座標とを一致させる工程、を含んだ構成と
なっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】一般的な半導体基板
は、真円の薄板形状をしており、かつ前記オリエンテ−
ションフラット等を有していることから、上記公報記載
の方法により、異物位置検査装置で検出した座標に、評
価装置の有するステ−ジ座標をある程度高精度にリンク
させることが可能である。

【０００８】しかしながら、上記公報記載の方法では、
半導体基板が、真円の薄板形状をし、かつ前記オリエン
テ−ションフラット等を有していることが前提となって
いるため、例えば、基板が楕円板形状をしていたり、多
角形板形状をしていたり、あるいは一部が欠け落ちたよ
うな半導体基板であったりすると、上記公報記載の方法
を適用することはできない。そのため、異物位置検査装
置で検出した座標と、評価装置の有するステ−ジ座標と
を高精度にリンクさせることができず、前記評価装置を
用いた欠陥等が存在する特定箇所の観察・分析が不可能
であった。

【０００９】また、評価装置のステ−ジの可動範囲より
も大きなサイズの基板は、該基板のエッジ座標の確認を
行うことができないため、上記公報記載の方法によって
は、評価装置を用いた前記基板の特定箇所の観察・分析
が不可能であった。

【００１０】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、基板が真円の薄板形状以外の形状をしていても、
また、基板のサイズが前記評価装置のステ−ジの可動範
囲よりも大きなサイズのものであったとしても、前記評
価装置を用いた前記基板の特定箇所の観察・分析を可能
にする基板表面の評価方法を提供することを目的として
いる。

【００１１】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係る基板表面の評価方法（１）
は、基板表面及び表面近傍に存在する結晶欠陥、付着異
物、傷等（以下、これらをまとめて欠陥等と記す）を異
物位置検査装置及び評価装置を使用して観察評価、ある
いは分析評価する基板表面の評価方法において、前記異
物位置検査装置の有する装置座標と、前記評価装置の有
するステ−ジ座標との座標合わせの際に基準として使用
する微小マ−クを、前記基板表面の所定箇所に形成する
工程を含むことを特徴としている。

【００１２】上記基板表面の評価方法（１）によれば、
前記微小マ−クを、前記異物位置検査装置の有する装置
座標と、前記評価装置の有するステ−ジ座標との座標合
わせの際の基準として使用すれば、前記基板の形状に影
響されることなく、前記異物位置検査装置の有する装置
座標と、前記評価装置の有するステ−ジ座標との座標合
わせを、常に正確に行うことができ、前記評価装置を用
いた前記基板の特定箇所の観察・分析を迅速に行うこと
ができる。また、前記基板として真円の薄板形状をした
半導体基板に限定されることがなくなるため、前記評価
装置を使用する評価対象基板を半導体集積回路、半導体
素子、レンズ、あるいはディスプレイ等を構成する基板
にまで広げることができる。

【００１３】また、本発明に係る基板表面の評価方法
（２）は、上記基板表面の評価方法（１）において、前
記微小マ−クが前記評価装置において検出可能なサイズ
であることを特徴としている。上記基板表面の評価方法
（２）によれば、前記微小マ−クを前記評価装置により
容易に検出することができる。

【００１４】また、本発明に係る基板表面の評価方法
（３）は、上記基板表面の評価方法（１）又は（２）に
おいて、前記微小マ−クの前記異物位置検査装置を使用
して検出した位置座標を利用し、前記基板を前記評価装
置のステ−ジ座標に位置合わせすることを特徴としてい
る。上記基板表面の評価方法（３）によれば、前記基板
がどのような形状、サイズのものであっても、前記基板
を前記評価装置のステ−ジ座標に正確かつ迅速に位置合
わせすることが可能となり、前記異物位置検査装置を使
用して検出された前記基板の特定箇所の前記評価装置を
用いた観察・分析を迅速に行うことができることとな
る。

【００１５】また、本発明に係る基板表面の評価方法
（４）は、上記基板表面の評価方法（１）〜（３）のい
ずれかにおいて、前記異物位置検査装置がレ−ザ−パ−
ティクルカウンタであることを特徴としている。前記レ
−ザ−パ−ティクルカウンタを使用すれば、前記基板表
面に存在する欠陥等を確実かつ正確に検出することがで
き、しかも前記レ−ザ−パ−ティクルカウンタは汎用さ
れており、上記基板表面の評価方法（４）によれば、新
たな異物位置検査装置の導入を行う必要がなく、従来の
異物位置検査装置をそのまま使用することができ、コス
トアップを招くこともない。

【００１６】また、本発明に係る基板表面の評価方法
（５）は、上記基板表面の評価方法（１）〜（４）のい
ずれかにおいて、前記評価装置がＳＥＭ(Scanning Elec
tron Microscopy)、ＯＭ(Optical Microscopy)、ＳＬＭ
(Scanning Laser Microscopy)、ＡＥＳ(AugerElectron
Spectrometer)、ＸＰＳ( X-ray Photoelectron Spectro
meter)、ＳＩＭ(Scanning Ion Microscopy) 、及びＡＦ
Ｍ(Atomic Force Microscopy) 、ＳＴＭ(Scanning Tunn
eling Microscopy) 等のＳＰＭ(Scanning ProbeMicrosc
opy) 等の分析装置のうちから選ばれた少なくとも１種
であることを特徴としている。ＳＥＭ(Scanning Electr
on Microscopy)、ＯＭ(Optical Microscopy)、ＳＬＭ(S
canning Laser Microscopy) 、ＡＥＳ(AugerElectron S
pectrometer)、ＸＰＳ(X-ray Photoelectron Spectrome
ter)、ＳＩＭ(Scanning Ion Microscopy) 、及びＡＦＭ
(Atomic Force Microscopy) 、ＳＴＭ(Scanning Tunnel
ing Microscopy) 等のＳＰＭ(Scanning Probe Microsco
py) 等の分析装置を使用すれば、前記基板表面に存在す
る欠陥等を確実かつ正確に評価することができ、しかも
前記各種評価装置は汎用されており、上記基板表面の評
価方法（５）によれば、新たな評価装置の導入を行う必
要が少なくなり、コストアップを抑制することができ
る。

【００１７】また、本発明に係る基板表面の評価方法
（６）は、上記基板表面の評価方法（１）〜（５）のい
ずれかにおいて、前記異物位置検査装置を使用した欠陥
等の検出工程を、前記微小マ−クの形成工程の前後で行
い、該微小マ−クの形成工程の前後において検出された
欠陥等の位置座標が一致すると判定されたポイント、及
び欠陥等の検出サイズが一致すると判定されたポイント
を、前記評価装置を使用した評価すべきポイントとする
ことを特徴としている。上記基板表面の評価方法（６）
によれば、実体のない測定ノイズ、マ−ク作成時に生じ
た付着異物等を観察・評価すべきポイントとして選出す
ることがなく、評価効率の向上、評価の正確性の向上を
図ることができる。

【００１８】また、本発明に係る基板表面の評価方法
（７）は、上記基板表面の評価方法（１）〜（６）のい
ずれかにおいて、前記基板を前記評価装置に搭載する前
に、前記基板を前記評価装置に導入可能な大きさに加工
する処理を施し、この後、前記微小マ−クの前記異物位
置検査装置を使用して検出した位置座標を利用して前記
基板を前記評価装置のステ−ジ座標に位置合わせする工
程を含むことを特徴としている。上記基板表面の評価方
法（７）によれば、前記基板を前記評価装置に搭載する
前に、前記基板を前記評価装置に導入可能な大きさに加
工する処理を施すので、前記基板に前記微小マ−クさえ
存在していれば、もとの基板のサイズにかかわらず、前
記基板を前記評価装置のステ−ジ座標に位置合わせする
ことができ、通常であれば、大きすぎて前記評価装置を
用いた評価が不可能なような基板であっても、前記評価
装置を使用した評価を実施することができる。

【００１９】また、本発明に係る基板表面の評価方法
（８）は、上記基板表面の評価方法（１）〜（７）のい
ずれかにおいて、前記基板を前記評価装置に搭載する
際、前記基板の評価領域を、前記評価装置の評価可能領
域に合わせて前記異物位置検査装置における基準位置か
らオフセットさせて搭載することを特徴としている。上
記基板表面の評価方法（８）によれば、前記基板を前記
評価装置に搭載する際、前記基板の評価領域を、前記評
価装置の評価可能領域に合わせて前記異物位置検査装置
における基準位置からオフセットさせて搭載するので、
前記微小マ−クさえ存在している基板であれば、前記評
価装置を使用して評価することができ、大部分の基板を
分割等の処理を行うことなく、非破壊で評価することが
できることとなる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板表面の評
価方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。

【００２１】本発明に係る基板表面の評価方法に使用さ
れる評価装置としては、ＳＥＭ、分析器搭載ＳＥＭ、あ
るいはＡＦＭ等のＳＰＭ（走査プロ−ブ顕微鏡）を初め
とした顕微鏡、あるいはＡＥＳ、ＸＰＳ等の分光装置等
の分析装置を挙げることができる。また、本発明に係る
基板表面の評価方法における評価対象としての基板とし
ては、主にチョクラルスキー法で引き上げられた単結晶
シリコンインゴットに、切断、ラッピング、エッチン
グ、ポリッシング処理、熱処理、成膜処理等が施こされ
た状態の半導体基板、該半導体基板上に形成される半導
体集積回路、半導体素子、あるいは樹脂製、ガラス製の
レンズ、あるいは樹脂製、ガラス製のディスプレイ等を
構成する基板等を挙げることができる。そしてこれら基
板等の表面あるいは表面近傍に存在する欠陥等を観察あ
るいは分析して基板を評価する。

【００２２】図１は、実施の形態に係る基板表面の評価
方法における、概略の評価工程を示すフロ−チャ−トで
あり、まず、ステップ１では、異物位置検査装置を使用
して基板の表面に存在する欠陥等を検出して基板の表面
における欠陥等の存在位置を異物位置検査装置の装置座
標系で確定する。次に、ステップ２において基板表面の
所定箇所に後の座標合わせに使用する微小マ−クを形成
する。次に、ステップ３において、再び異物位置検査装
置を使用してマ−ク形成後の基板表面に存在する欠陥等
を検出して基板表面における欠陥等の存在位置を異物位
置検査装置の装置座標系で確定する。次に、ステップ４
において、ステップ１及びステップ３の結果をもとに、
評価装置を使用して観察・分析評価すべきポイントを選
出する。次に、ステップ５において、前記微小マ−クを
利用して基板の前記評価装置のステ−ジ座標へのセッテ
ィングを行い、その後、ステップ６において、前記評価
装置を使用した基板の観察・分析評価を行う。

【００２３】図２は、上記した微小マ−クの作成例を示
す図であり、（ａ）は基板全体における微小マ−クの作
成箇所がわかる全体図、（ｂ）は微小マ−クの詳細が分
かるように一組の微小マ−クを拡大して示した拡大図で
ある。

【００２４】これらの微小マ−クはレ−ザ−マ−カを用
いて形成されており、直径８０〜１００ｎｍの多数のド
ットを５点並べた微小マ−クを１組として、基板の中心
部から約８５ｍｍの位置に３組、及び基板の中心部から
約１４０ｍｍの右下部に１組の計４組作成した例を示し
ており、この図は異物位置検査装置を使用して検出され
た状態を示している。

【００２５】微小マ−クの作成は、レ−ザ−マ−カを用
いたものに限定されるものではなく、微小マ−クの形成
位置が正確に認識できるものであればよく、例えば、油
性マ−カを使用して基板の中心部から所定距離離れた箇
所に評価装置の可動範囲内でドットマ−クを３箇所以上
形成したものであってもよい。

【００２６】図３は、上記ステップ４において、ステッ
プ１及びステップ３の結果をもとに、評価装置を使用し
て観察・評価すべきポイントを選出する工程をさらに詳
しく説明したフロ−チャ−トを示しており、まず、ステ
ップ１１において、ステップ１及びステップ３で検出さ
れた欠陥等の位置座標が一致するポイントを選出する。
このステップ１１において、欠陥等の位置座標が微小マ
−クの作成前後で一致しないとされたポイントは、ステ
ップ１２において不選出とされる。他方、ステップ１１
において、欠陥等の位置座標が一致すると判定されたポ
イントはステップ１３に進んで、次に、欠陥等の検出サ
イズが一致するか否かが判断される。ステップ１３にお
いて欠陥等の検出サイズが一致しないと判断されたポイ
ントは、ステップ１２に進んで不選出とされる一方、ス
テップ１３において欠陥等の検出サイズが一致すると判
断されたポイントは、ステップ１４に進んで評価装置に
よる観察・分析評価されるポイントとされる。

【００２７】そして、この様にして選出されたポイント
に関し、上記した図１に示したステップ６を実行し、評
価装置を使用した基板の観察・分析評価を行う。上記実
施の形態に係る基板表面の評価方法によれば、基板のサ
イズ、形状に影響を受けることなく、基板を効率よく観
察評価することができ、従来の方法では不可能であっ
た、半導体基板上に形成された半導体集積回路、半導体
素子、あるいは評価装置の可動範囲を越えるサイズの樹
脂製、ガラス製のレンズ、あるいは樹脂製、ガラス製の
ディスプレイ等を構成する基板等であったとしても、こ
れらをＳＥＭ、分析器搭載ＳＥＭ、あるいはＡＦＭ等の
顕微鏡を使用した評価方法における評価対象とすること
ができる。また、新たな高価な評価装置の導入を行う必
要がなく、従来の評価装置をそのまま使用することがで
き、コストアップを招くこともない。

【００２８】また、上記した方法によれば、実体のない
測定ノイズ、微小マ−ク作成時に付着した異物等を観察
・分析評価すべきポイントとして選出することがなく、
評価効率の向上、評価の正確性の向上を図ることができ
る。また、前記微小マ−クさえ存在している基板であれ
ば評価対象とすることができるため、もとの基板が大き
すぎて評価装置のステ−ジに載らないようなものであっ
たとしても、これを分割して評価装置のステ−ジに載る
大きさにして前記微小マ−クを評価対象基板に残してお
けばこの基板を評価することができ、サイズによらずど
のような基板であったとしても評価対象とすることがで
きる。また、前記微小マ−クさえ存在している基板であ
れば、観察・分析評価実施領域を、評価装置の観察可能
領域に合わせ、異物位置検査装置を使用した欠陥等の検
出時から基板を前記評価装置にオフセット搭載して評価
することができ、大部分の基板に分割等のサイズ縮小化
処理を施すことなく評価することができる。

【００２９】図４は、微小マ−クの作成後に、評価装置
のステ−ジの可動範囲以下に基板を劈開し、評価装置の
ステ−ジに搭載した状態を示しており、本実施の形態に
係る基板表面の評価方法によれば、このように評価対象
基板が真円の薄板形状以外の形状をしていても、評価装
置を用いた特定箇所の観察・分析が可能である。

【００３０】また、図５は、微小マ−クの作成後に、評
価装置のステ−ジに不定形の多角形形状をした基板を搭
載した状態を示しており、本実施の形態に係る基板表面
の評価方法によれば、このように評価対象基板が真円の
薄板形状以外の不規則な形状をしていても、評価装置を
用いた特定箇所の観察・分析が可能である。

【００３１】

【実施例】以下、本発明に係る基板表面の評価方法の実
施例を説明する。実施例１ 評価対象として、ＣＺ法により引き上げられた単結晶を
用いて製造された直径３００ｍｍのシリコン（１００）
基板を使用した。また、評価装置として、２００ｍｍの
基板対応のＡＦＭ装置を使用した。微小マ−クの形成に
はレ−ザ−マ−カを使用して図２に示したような微小マ
−クを形成した。これらの微小マ−クを利用して半導体
基板のエッジ位置を確認することなく装置間の座標合わ
せを行い、基板中心より約１００ｍｍ以内の領域表面に
存在する欠陥等を図１及び図３に示したフロ−チャ−ト
における各工程を実施して観察した。本方法によれば、
実体のない測定ノイズ、微小マ−ク作成時に付着異物等
を観察・分析評価すべきポイントとして選出することが
なく、評価効率の向上、評価の正確性の向上を図ること
ができた。

【００３２】実施例２ 評価対象として、ＣＺ法により引き上げられた単結晶を
用いて製造された直径３００ｍｍのシリコン（１００）
基板を使用した。また、評価装置として、２００ｍｍの
基板対応のＡＦＭ装置を使用した。微小マ−クの形成に
は油性マ−カを使用して基板中心より約８０ｍｍの位置
に直径約３ｍｍのドット微小マ−ク３点を作成した。こ
れらの微小マ−クを利用して半導体基板のエッジ位置を
確認することなく装置間の座標合わせを行い、基板中心
より約１００ｍｍ以内の領域表面に存在する欠陥等を図
１及び図３に示したフロ−チャ−トにおける各工程を実
施して観察した。本方法によれば、実体のない測定ノイ
ズ、微小マ−ク作成時に付着異物等を観察・分析評価す
べきポイントとして選出することがなく、評価効率の向
上、評価の正確性の向上を図ることができた。

【００３３】実施例３ 評価対象として、ＣＺ法により引き上げられた単結晶を
用いて製造された直径３００ｍｍのシリコン（１００）
基板を使用した。また、評価装置として、２００ｍｍの
基板対応のＡＦＭ装置及びＳＥＭ装置を使用した。微小
マ−クの形成にはレ−ザ−マ−カを使用して微小マ−ク
を形成した。続いて図４に示すように前記半導体基板を
分割し、前記微小マ−クを利用して半導体基板のエッジ
位置を確認することなく装置間の座標合わせを行い、基
板表面に存在する欠陥等を図１及び図３に示したフロ−
チャ−トにおける各工程を実施して観察した。さらにＳ
ＥＭに搭載されているエネルギ分散型Ｘ線分析装置によ
り、付着異物の元素分析を実施し、付着異物の組成を明
らかにした。本方法によれば、実体のない測定ノイズ、
微小マ−ク作成時に付着異物等を観察・分析評価すべき
ポイントとして選出することがなく、評価効率の向上、
評価の正確性の向上を図ることができた。また、付着異
物の元素分析を実施することにより、付着異物の組成を
容易に明らかにすることができた。

【００３４】実施例４ 評価対象として、一辺が２００ｍｍの正方形形状をした
太陽電池用アモルファスシリコン基板を使用した。ま
た、評価装置として、２００ｍｍの基板対応のＡＦＭ装
置を使用した。微小マ−クの形成には油性マ−カを使用
して基板中心より約８０ｍｍの位置に直径約３ｍｍのド
ット微小マ−ク３点を作成した。これらの微小マ−クを
利用して半導体基板のエッジ位置を確認することなく装
置間の座標合わせを行い、基板の全領域表面に存在する
欠陥等を図１及び図３に示したフロ−チャ−トにおける
各工程を実施して観察した。本方法によれば、実体のな
い測定ノイズ、微小マ−ク作成時に付着異物等を観察・
分析評価すべきポイントとして選出することがなく、評
価効率の向上、評価の正確性の向上を図ることができ
た。

【００３５】実施例５ 評価対象として、図５に示すような不定形多角形形状の
樹脂製基板を使用した。また、評価装置として、２００
ｍｍの基板対応のＡＦＭ装置を使用した。微小マ−クの
形成には油性マ−カを使用して直径約２ｍｍのドット微
小マ−ク５点を作成した。これらの微小マ−クを利用し
て半導体基板のエッジ位置を確認することなく装置間の
座標合わせを行い、図１及び図３に示したフロ−チャ−
トにおける各工程を実施して不定形基板の全領域表面に
存在する欠陥等を観察し、割れ不良の原因となる傷の存
在を確認した。本方法によれば、実体のない測定ノイ
ズ、微小マ−ク作成時に付着異物等を観察・分析評価す
べきポイントとして選出することがなく、評価効率の向
上、評価の正確性の向上を図ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板表面の評価方法の実施の形態
における基本となる概略の評価工程を示すフローチャー
トである。

【図２】（ａ）は本発明の実施の形態に係る評価方法に
おいて形成する微小マ−クの一例を示す基板の平面図、
（ｂ）は（ａ）における要部の拡大図である。

【図３】本発明に係る基板表面の評価方法の実施の形態
における観察・分析評価するポイント選出工程をさらに
詳しく説明したフロ−チャ−トである。

【図４】微小マ−クの作成後に、評価装置のステ−ジの
可動範囲以下に基板を分割し、評価装置のステ−ジに搭
載した状態を示す平面図である。

【図５】微小マ−クの作成後に、評価装置のステ−ジに
不定形の多角形形状をした基板を搭載した状態を示す平
面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 微小マ−ク

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AA90 AB02 BA10 DA07 DA15 4M106 AA01 BA02 BA05 CA38 CA41 CB19 DA05 DA15 DB01 DB05 DB18 DH01 DH60 DJ02 DJ07 DJ18

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板表面及び表面近傍に存在する結晶欠
   陥、付着異物、傷等（以下、これらをまとめて欠陥等と
   記す）を異物位置検査装置及び評価装置を使用して観察
   評価、あるいは分析評価する基板表面の評価方法におい
   て、前記異物位置検査装置の有する装置座標と、前記評
   価装置の有するステ−ジ座標との座標合わせの際に基準
   として使用する微小マ−クを、前記基板表面の所定箇所
   に形成する工程を含むことを特徴とする基板表面の評価
   方法。
2. 【請求項２】 前記微小マ−クが前記評価装置において
   検出可能なサイズであることを特徴とする請求項１記載
   の基板表面の評価方法。
3. 【請求項３】 前記微小マ−クの前記異物位置検査装置
   を使用して検出した位置座標を利用し、前記基板を前記
   評価装置のステ−ジ座標に位置合わせすることを特徴と
   する請求項１又は請求項２記載の基板表面の評価方法。
4. 【請求項４】 前記異物位置検査装置がレ−ザ−パ−テ
   ィクルカウンタであることを特徴とする請求項１〜３の
   いずれかの項に記載の基板表面の評価方法。
5. 【請求項５】 前記評価装置がＳＥＭ(Scanning Electr
   on Microscopy)、ＯＭ(Optical Microscopy)、ＳＬＭ(S
   canning Laser Microscopy) 、ＡＥＳ(AugerElectron S
   pectrometer)、ＸＰＳ(X-ray Photoelectron Spectrome
   ter)、ＳＩＭ(Scanning Ion Microscopy) 、及びＡＦＭ
   (Atomic Force Microscopy) 、ＳＴＭ(Scanning Tunnel
   ing Microscopy) 等のＳＰＭ(Scanning Probe Microsco
   py) 等の分析装置のうちから選ばれた少なくとも１種で
   あることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記
   載の基板表面の評価方法。
6. 【請求項６】 前記異物位置検査装置を使用した欠陥等
   の検出工程を、前記微小マ−クの形成工程の前後で行
   い、該微小マ−クの形成工程の前後において検出された
   欠陥等の位置座標が一致すると判定されたポイント、及
   び欠陥等の検出サイズが一致すると判定されたポイント
   を、前記評価装置を使用した評価すべきポイントとする
   ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかの項に記載の
   基板表面の評価方法。
7. 【請求項７】 前記基板を前記評価装置に搭載する前
   に、前記基板を前記評価装置に導入可能な大きさに加工
   する処理を施し、この後、前記微小マ−クの前記異物位
   置検査装置を使用して検出した位置座標を利用して前記
   基板を前記評価装置のステ−ジ座標に位置合わせする工
   程を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかの項
   に記載の基板表面の評価方法
8. 【請求項８】 前記基板を前記評価装置に搭載する際、
   前記基板の評価領域を、前記評価装置の評価可能領域に
   合わせて前記異物位置検査装置における基準位置からオ
   フセットさせて搭載することを特徴とする請求項１〜７
   のいずれかの項に記載の基板表面の評価方法。