JP2001153035A - 液体前駆物質を供給する装置と方法 - Google Patents
液体前駆物質を供給する装置と方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は液体前駆物質を半導体処理装置に供
給する方法と装置を提供する。 【解決手段】 液体前駆物質供給装置10は、供給源1
1と、流入チューブ12と、二方向弁13と、ポンプ組
立体14と、流出チューブ15と、遮断弁16と、射流
蒸発器17とを含んでいる。ポンプ組立体14は注入器
又は可変容量ポンプの形式でありパルスモーター27と
リニアエンコーダー30との組合せにより制御される。
この配置構造は使用されなかった液体前駆物質が供給源
に戻されるようになっている。
給する方法と装置を提供する。 【解決手段】 液体前駆物質供給装置10は、供給源1
1と、流入チューブ12と、二方向弁13と、ポンプ組
立体14と、流出チューブ15と、遮断弁16と、射流
蒸発器17とを含んでいる。ポンプ組立体14は注入器
又は可変容量ポンプの形式でありパルスモーター27と
リニアエンコーダー30との組合せにより制御される。
この配置構造は使用されなかった液体前駆物質が供給源
に戻されるようになっている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体処理反応装置
に液体前駆物質を供給する方法と装置に関する。
に液体前駆物質を供給する方法と装置に関する。
【0002】
【従来の技術】このような前駆物質の供給に関する様々
な従来技術の良好な論文が米国特許第5,620,52
4号の前文に存在し、読者はこれが参照される。一般に
液体前駆物質は低圧力ではガスであり、この低圧力は典
型的には反応装置に存在する(例えば1トル−1トル=
水銀柱1ミリメートル=1/760気圧)が、大気圧
(15トル)では前駆物質は液体状態となる。これは実
際上供給及び測定上の問題を生じ、この問題は多くのこ
れら前駆物質の高度の反応性によってさらに悪化され、
そのため用いられる工業材料の選択を制限するものとな
る。ウェーハ処理に用いられる大概の液体前駆物質供給
装置は次の3つの型のうちの1つである。 1.液体の蒸発とガス質量流制御装置の使用とがある。 2.液体質量流制御装置。 3.搬送ガスが“泡立て装置”の中の液体を通過し搬送
ガス泡の中の液体の一部を蒸発させる。
な従来技術の良好な論文が米国特許第5,620,52
4号の前文に存在し、読者はこれが参照される。一般に
液体前駆物質は低圧力ではガスであり、この低圧力は典
型的には反応装置に存在する(例えば1トル−1トル=
水銀柱1ミリメートル=1/760気圧)が、大気圧
(15トル)では前駆物質は液体状態となる。これは実
際上供給及び測定上の問題を生じ、この問題は多くのこ
れら前駆物質の高度の反応性によってさらに悪化され、
そのため用いられる工業材料の選択を制限するものとな
る。ウェーハ処理に用いられる大概の液体前駆物質供給
装置は次の3つの型のうちの1つである。 1.液体の蒸発とガス質量流制御装置の使用とがある。 2.液体質量流制御装置。 3.搬送ガスが“泡立て装置”の中の液体を通過し搬送
ガス泡の中の液体の一部を蒸発させる。
【0003】ガス質量流測定装置が広く用いられている
が、これら測定装置は液体が質量流測定のため蒸発され
なければならない時に問題が生じる。蒸発された液体の
大きな貯蔵器が必要となり、そのため上昇した温度での
蒸発された液体の存在時間が増大する。有用な前駆物質
である過酸化物にとっては、分解が過酸化物が処理室に
到着する前に始まる。液体質量流制御装置は良好な流れ
制御を得ることができるが、不安定となりやすく、これ
は質量流制御装置に形成される泡によって生じると考え
られまたその理想状態と冷たい液体の冷却時には制御装
置が較正偏差を生じることがある。泡は搬送ガスを必要
としまた蒸発圧力が低くなるほど泡によって蒸気として
取出される液体は少なくなる。したがって、低い蒸気圧
力の液体にとって、高い流量の搬送ガスが必要となり、
これが処理とは相反するものとなる。
が、これら測定装置は液体が質量流測定のため蒸発され
なければならない時に問題が生じる。蒸発された液体の
大きな貯蔵器が必要となり、そのため上昇した温度での
蒸発された液体の存在時間が増大する。有用な前駆物質
である過酸化物にとっては、分解が過酸化物が処理室に
到着する前に始まる。液体質量流制御装置は良好な流れ
制御を得ることができるが、不安定となりやすく、これ
は質量流制御装置に形成される泡によって生じると考え
られまたその理想状態と冷たい液体の冷却時には制御装
置が較正偏差を生じることがある。泡は搬送ガスを必要
としまた蒸発圧力が低くなるほど泡によって蒸気として
取出される液体は少なくなる。したがって、低い蒸気圧
力の液体にとって、高い流量の搬送ガスが必要となり、
これが処理とは相反するものとなる。
【0004】これらの方法に代わって、米国特許第5,
620,524号に示される装置と同様な装置が試みら
れ、この装置は狭い穴の流出パイプと組合された容積式
ポンプを具備しているが、またこのポンプと他の部分の
ための適当な材料を選択するのが困難であり、ポンプか
ら低圧室を緩衝するのに必要な狭い穴のパイプの穴の変
動のため流量の変動が生じる。このような装置は、狭い
穴のパイプの流量制限が、ポンプが本質的に単なる加圧
装置であるように作用するため、変化に対し影響されや
すくなる。この方法の結果は図3に“標準”として以下
に述べられている。
620,524号に示される装置と同様な装置が試みら
れ、この装置は狭い穴の流出パイプと組合された容積式
ポンプを具備しているが、またこのポンプと他の部分の
ための適当な材料を選択するのが困難であり、ポンプか
ら低圧室を緩衝するのに必要な狭い穴のパイプの穴の変
動のため流量の変動が生じる。このような装置は、狭い
穴のパイプの流量制限が、ポンプが本質的に単なる加圧
装置であるように作用するため、変化に対し影響されや
すくなる。この方法の結果は図3に“標準”として以下
に述べられている。
【0005】この装置のより簡単な形式を予め設定され
た又は固定された流量が許される場合に用いることがで
きる。この形式の装置はしたがってポンプの使用に代わ
る液体への周囲の圧力の作用と流れを制御する流量制限
管路とに全体が依存している。この装置は清掃室が大気
圧より僅かに高い圧力の制御された環境にあることを利
用するものである。しかしこの装置は依然としてパイプ
の穴の内径が正確であり多くの場合はそうでないが適合
した材料であることに依存している。したがって特別な
装置の較正が必要となりまた異なったパイプの長さを実
際の穴の直径に応じて用いることが必要となる。この方
法の結果は図3に“固定流”として以下に述べられてい
る。
た又は固定された流量が許される場合に用いることがで
きる。この形式の装置はしたがってポンプの使用に代わ
る液体への周囲の圧力の作用と流れを制御する流量制限
管路とに全体が依存している。この装置は清掃室が大気
圧より僅かに高い圧力の制御された環境にあることを利
用するものである。しかしこの装置は依然としてパイプ
の穴の内径が正確であり多くの場合はそうでないが適合
した材料であることに依存している。したがって特別な
装置の較正が必要となりまた異なったパイプの長さを実
際の穴の直径に応じて用いることが必要となる。この方
法の結果は図3に“固定流”として以下に述べられてい
る。
【0006】米国特許第5,620,524号は位相外
れポンプを用いる他の例を記載しているが、これは前駆
物質の種々の特性を知りまた前駆物質の温度と圧力を監
視し所望質量の前駆物質を供給するようにした装置によ
るものである。
れポンプを用いる他の例を記載しているが、これは前駆
物質の種々の特性を知りまた前駆物質の温度と圧力を監
視し所望質量の前駆物質を供給するようにした装置によ
るものである。
【0007】米国特許第5,098,741号は液体の
前駆物質をCVD室に供給するため容積式ポンプを用い
ることを記載しているが、この装置は溶解されたガスの
問題を克服するため可変オリフィスバルブを制御する圧
力計を使用することを必要としている。
前駆物質をCVD室に供給するため容積式ポンプを用い
ることを記載しているが、この装置は溶解されたガスの
問題を克服するため可変オリフィスバルブを制御する圧
力計を使用することを必要としている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題と課題を解決するための
手段】1つの形態によれば本発明は液体前駆物質を半導
体処理反応装置に供給する装置からなり、該装置は液体
前駆物質の供給源と、液体前駆物質を供給源から流入通
路を介して吸入し流出通路に沿って、(好ましくは圧力
制御及び/又は脈動なしで)既知の容量の液体前駆物質
を反応装置に供給する容積較正された容積式ポンプとを
具備している。反応装置の直前で又は反応装置の内部で
液体前駆物質は例えば射流蒸発器によって蒸発される。
手段】1つの形態によれば本発明は液体前駆物質を半導
体処理反応装置に供給する装置からなり、該装置は液体
前駆物質の供給源と、液体前駆物質を供給源から流入通
路を介して吸入し流出通路に沿って、(好ましくは圧力
制御及び/又は脈動なしで)既知の容量の液体前駆物質
を反応装置に供給する容積較正された容積式ポンプとを
具備している。反応装置の直前で又は反応装置の内部で
液体前駆物質は例えば射流蒸発器によって蒸発される。
【0009】本発明装置はさらにポンプを流入通路又は
流出通路に連結する弁を含んでいる。本発明装置はさら
に、ポンプと弁を制御しそれによりポンプが液体を吸引
する制御手段を具備し、反応装置が前駆物質により処理
されないようにすることができる。これに加え又はこれ
に代えて本発明装置はさらにポンプと弁を制御しそれに
よりポンプが供給されなかった前駆物質を供給源に戻す
ようにする制御手段を含むことができる。この特に必要
とされる時にのみ作動されるポンプと組合された時の再
循環は溶解されたガスの存在を著しく減少させる。
流出通路に連結する弁を含んでいる。本発明装置はさら
に、ポンプと弁を制御しそれによりポンプが液体を吸引
する制御手段を具備し、反応装置が前駆物質により処理
されないようにすることができる。これに加え又はこれ
に代えて本発明装置はさらにポンプと弁を制御しそれに
よりポンプが供給されなかった前駆物質を供給源に戻す
ようにする制御手段を含むことができる。この特に必要
とされる時にのみ作動されるポンプと組合された時の再
循環は溶解されたガスの存在を著しく減少させる。
【0010】ポンプはシリンジポンプ(吸込みポンプ)
の形式とすることができる。供給源は液体前駆物質のも
う1つの貯蔵器を含むことができまた好ましくは供給源
は少なくとも2つのびん又は貯蔵器と、一方のびん又は
貯蔵器を他方のびん又は貯蔵器が空になるにつれて流入
通路に自動的に連結する手段とを含むことができる。
の形式とすることができる。供給源は液体前駆物質のも
う1つの貯蔵器を含むことができまた好ましくは供給源
は少なくとも2つのびん又は貯蔵器と、一方のびん又は
貯蔵器を他方のびん又は貯蔵器が空になるにつれて流入
通路に自動的に連結する手段とを含むことができる。
【0011】本発明装置は好ましくはポンプを駆動して
既知の容量を供給するリニアエンコーダー制御のパルス
モータを含んでいる。
既知の容量を供給するリニアエンコーダー制御のパルス
モータを含んでいる。
【0012】他の形態によれば本発明は液体前駆物質を
半導体処理反応装置に供給する方法からなり、該方法は 1.液体前駆物質を流入通路に沿って液体前駆物質の供
給源から容量較正容積式ポンプに供給し、 2.既知の容量の液体前駆物質を流出通路に沿って好ま
しくは圧力制御及び/又は脈動なしで反応装置に供給す
る、ことを含んでいる。
半導体処理反応装置に供給する方法からなり、該方法は 1.液体前駆物質を流入通路に沿って液体前駆物質の供
給源から容量較正容積式ポンプに供給し、 2.既知の容量の液体前駆物質を流出通路に沿って好ま
しくは圧力制御及び/又は脈動なしで反応装置に供給す
る、ことを含んでいる。
【0013】液体前駆物質は反応装置に到着する直前に
又は反応装置の内部で蒸発される。
又は反応装置の内部で蒸発される。
【0014】本発明の方法はさらにポンプを流入通路と
流出通路とに恒久的に連結することを含んでいる。これ
に加え又はこれに代えて、各容量の供給後にポンプは残
りの液体を新しい液体を吸引する前に供給源に戻すこと
ができる。
流出通路とに恒久的に連結することを含んでいる。これ
に加え又はこれに代えて、各容量の供給後にポンプは残
りの液体を新しい液体を吸引する前に供給源に戻すこと
ができる。
【0015】本発明は上記のように規定されてきたが、
本発明は上記した又は以下の記載の特徴の発明的な組合
せを含むことが理解されるべきである。
本発明は上記した又は以下の記載の特徴の発明的な組合
せを含むことが理解されるべきである。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明は種々の方法で実施するこ
とができまた特定の実施態様が添付図面を参照して実例
を示すことにより以下に記載される。
とができまた特定の実施態様が添付図面を参照して実例
を示すことにより以下に記載される。
【0017】液体前駆物質供給装置は図1においてその
全体が10で示されている。装置10は全体が11で示
される前駆物質供給源と、流入チューブ12と、二方向
弁13と、全体が14で示されるポンプ組立体と、流出
チューブ15と、遮断弁16と、射流蒸発器17とを含
んでいる。
全体が10で示されている。装置10は全体が11で示
される前駆物質供給源と、流入チューブ12と、二方向
弁13と、全体が14で示されるポンプ組立体と、流出
チューブ15と、遮断弁16と、射流蒸発器17とを含
んでいる。
【0018】液体前駆物質供給源11は、温度制御室2
0の内部に収容された一対のびん18,19と、21で
示され各びん18,19の中の液体の液面の高さを検出
する液面センサーとを具備している。びん18,19は
弁22に連結されまたそれにより流入チューブ12に連
結されている。弁22はびん18,19の一方又は他方
をチューブ12に連結するよう配置されている。
0の内部に収容された一対のびん18,19と、21で
示され各びん18,19の中の液体の液面の高さを検出
する液面センサーとを具備している。びん18,19は
弁22に連結されまたそれにより流入チューブ12に連
結されている。弁22はびん18,19の一方又は他方
をチューブ12に連結するよう配置されている。
【0019】ポンプ組立体14は例えば「リープロダク
ト」によって作られその「LPVシリーズ」の中にある
ようなシリンジポンプ(吸込みポンプ)又は可変容量ポ
ンプとして一般に知られている型のポンプである。この
ようなポンプはチューブ25とピストン26とからなる
注入器24を有している。ピストンはパルスモーター2
7に連結され一般にピストンの直線運動を検出し注入器
から放出された液体の容量を決定する手段が設けられて
いる。
ト」によって作られその「LPVシリーズ」の中にある
ようなシリンジポンプ(吸込みポンプ)又は可変容量ポ
ンプとして一般に知られている型のポンプである。この
ようなポンプはチューブ25とピストン26とからなる
注入器24を有している。ピストンはパルスモーター2
7に連結され一般にピストンの直線運動を検出し注入器
から放出された液体の容量を決定する手段が設けられて
いる。
【0020】図示の配置構造ではパルスモーター27は
親ねじ28を駆動し親ねじ28はピストン26の自由端
に連結された送り台29を直線状に動かす。送り台29
の直線位置はリニアエンコーダー30によって検出され
る。送り台29の位置がリニアエンコーダー30により
精密に表示されるので、ピストン26の位置、したがっ
て移動された液体の容量を、非常に厳格にまた精密に設
定された時間にわたって作動されるポンプに依存しない
で、制御することができる。さらにこの全体の配置構造
は液体を高い圧力で放出することができる。
親ねじ28を駆動し親ねじ28はピストン26の自由端
に連結された送り台29を直線状に動かす。送り台29
の直線位置はリニアエンコーダー30によって検出され
る。送り台29の位置がリニアエンコーダー30により
精密に表示されるので、ピストン26の位置、したがっ
て移動された液体の容量を、非常に厳格にまた精密に設
定された時間にわたって作動されるポンプに依存しない
で、制御することができる。さらにこの全体の配置構造
は液体を高い圧力で放出することができる。
【0021】ポンプ組立体14と弁13,16及び22
とは全て制御回路31の制御のもとにあり、制御回路3
1はリニアエンコーダー30と液面センサー21とまた
関連の反応装置からの他の処理情報とに応動する。
とは全て制御回路31の制御のもとにあり、制御回路3
1はリニアエンコーダー30と液面センサー21とまた
関連の反応装置からの他の処理情報とに応動する。
【0022】使用時パルスモーター27は最初送り台2
9を下側方向に引き、送り台29はピストンをチューブ
25の内部で引込み方向に動かす。ポンプ24を液体供
給源11に連結するように設定されている弁13によ
り、液体前駆物質は弁22の位置に応じてびん18,1
9の一方又は他方から吸出される。ポンプ24に液体が
吸込まれると、パルスモーター27は停止する。弁13
はついで切換えられシリンジポンプ24を流出チューブ
15に連結し、また処理中の正しい時点で、遮断弁16
が開かれパルスモーターが運動を逆転しピストン26を
チューブ25の内部で戻るよう駆動し液体前駆物質が射
流蒸発器17の中に供給されるようにする。放出された
液体の容量はピストン26、したがって送り台29の行
程に直接関係する。放出液の容量は制御回路31により
リニアエンコーダー30を介しまた所望の容量が達成さ
れた瞬間に監視され、パルスモーター27はスイッチが
切られる。したがって非常に精密な容量の液体前駆物質
を高圧力で蒸発器の中に他の装置で生じるような問題を
生じないで供給することのできることが分かるであろ
う。
9を下側方向に引き、送り台29はピストンをチューブ
25の内部で引込み方向に動かす。ポンプ24を液体供
給源11に連結するように設定されている弁13によ
り、液体前駆物質は弁22の位置に応じてびん18,1
9の一方又は他方から吸出される。ポンプ24に液体が
吸込まれると、パルスモーター27は停止する。弁13
はついで切換えられシリンジポンプ24を流出チューブ
15に連結し、また処理中の正しい時点で、遮断弁16
が開かれパルスモーターが運動を逆転しピストン26を
チューブ25の内部で戻るよう駆動し液体前駆物質が射
流蒸発器17の中に供給されるようにする。放出された
液体の容量はピストン26、したがって送り台29の行
程に直接関係する。放出液の容量は制御回路31により
リニアエンコーダー30を介しまた所望の容量が達成さ
れた瞬間に監視され、パルスモーター27はスイッチが
切られる。したがって非常に精密な容量の液体前駆物質
を高圧力で蒸発器の中に他の装置で生じるような問題を
生じないで供給することのできることが分かるであろ
う。
【0023】注入器が所要容量より多く充填され供給に
不足が生じないようにするのが好ましい。便利には、し
たがって放出されなかった液体がびん18,19に弁1
3、チューブ12及び弁23を介して戻されそれにより
液体前駆物質ができる限り最高の条件で保持されるよう
にする。
不足が生じないようにするのが好ましい。便利には、し
たがって放出されなかった液体がびん18,19に弁1
3、チューブ12及び弁23を介して戻されそれにより
液体前駆物質ができる限り最高の条件で保持されるよう
にする。
【0024】2つのびんを設けることにより一方のびん
が空になった時に切換えられ処理が必要とされていると
きに中断がないようにすることができる。
が空になった時に切換えられ処理が必要とされていると
きに中断がないようにすることができる。
【0025】したがってウェーハ又はウェーハの群が反
応室に導入され、精密な容量の液体前駆物質が反応室に
射流蒸発器17を介して供給されその後にポンプが空に
され次のウェーハ又はウェーハの群に備えて再充填され
ることが予測される。
応室に導入され、精密な容量の液体前駆物質が反応室に
射流蒸発器17を介して供給されその後にポンプが空に
され次のウェーハ又はウェーハの群に備えて再充填され
ることが予測される。
【0026】図2は本発明の装置によって達成すること
ができる流速の直線性とそれにより得られる正確な容量
の供給とを示す。
ができる流速の直線性とそれにより得られる正確な容量
の供給とを示す。
【0027】図3は反履性蒸着速度の項目において得ら
れた利点を示す。本発明の注入器が過酸化水素装置を用
いることにより従来の供給装置に比較して非常に反履性
の高い蒸着を生み出すことが分かるであろう。
れた利点を示す。本発明の注入器が過酸化水素装置を用
いることにより従来の供給装置に比較して非常に反履性
の高い蒸着を生み出すことが分かるであろう。
【0028】本発明の装置は多くの利点を有している。
すなわち、 1.運転の初期に自己注入ができ、またそのため劣化し
た過酸化水素の管路と管路と注入器からの泡とをなくす
る。 2.注入器は必要時にのみ処理の直前に充填され液体前
駆物質の劣化を回避する。 3.供給速度は完全にプログラム化できる。 4.供給速度はリニアエンコーダーにより完全に監視さ
れる。 5.過剰の液体前駆物質は処理の終期に供給源に戻され
る。 6.びんの自動交換を介する連続運転が容易に達成でき
る。 これらの利点は適当な条件のもとに保持されない時は劣
化するようになる過酸化水素のような前駆物質に関し特
に注目されるものであった。本発明の供給装置はまた過
酸化水素が毎分1グラム以下に正確であるように非常に
良好に作動する。流速はポンプのチューブとこれに適合
するピストンを単に交換することにより精度の大きな損
失なしに容易に変えることができる。
すなわち、 1.運転の初期に自己注入ができ、またそのため劣化し
た過酸化水素の管路と管路と注入器からの泡とをなくす
る。 2.注入器は必要時にのみ処理の直前に充填され液体前
駆物質の劣化を回避する。 3.供給速度は完全にプログラム化できる。 4.供給速度はリニアエンコーダーにより完全に監視さ
れる。 5.過剰の液体前駆物質は処理の終期に供給源に戻され
る。 6.びんの自動交換を介する連続運転が容易に達成でき
る。 これらの利点は適当な条件のもとに保持されない時は劣
化するようになる過酸化水素のような前駆物質に関し特
に注目されるものであった。本発明の供給装置はまた過
酸化水素が毎分1グラム以下に正確であるように非常に
良好に作動する。流速はポンプのチューブとこれに適合
するピストンを単に交換することにより精度の大きな損
失なしに容易に変えることができる。
【0029】従来の装置とシクロヘキシルジメトキンメ
シルシランを供給するシリンジポンプとを用いる“基板
にフィルムを形成する方法と装置”なる表題の本出願人
の同時係属英国特許出願第0001179.1号に報告
されている実験例は、少なくともある種の前駆物質と処
理に関しては上記のようなシリンジポンプ組立体が用い
られた時にのみ満足な結果が得られることを示してい
る。この開示は本明細書に参照例として合体されてい
る。
シルシランを供給するシリンジポンプとを用いる“基板
にフィルムを形成する方法と装置”なる表題の本出願人
の同時係属英国特許出願第0001179.1号に報告
されている実験例は、少なくともある種の前駆物質と処
理に関しては上記のようなシリンジポンプ組立体が用い
られた時にのみ満足な結果が得られることを示してい
る。この開示は本明細書に参照例として合体されてい
る。
【図1】液体前駆物質供給装置の概略図である。
【図2】上記装置からの流速を示すグラフである。
【図3】種々の液体前駆物質供給装置を用いる蒸着速度
の変化を示す他のグラフである。
の変化を示す他のグラフである。
10…液体前駆物質 11…前駆物質供給源 12…流入チューブ 13…二方向弁 14…ポンプ組立体 15…流出チューブ 16…遮断弁 17…射流蒸発器 18,19…びん 20…温度制御室 21…液面センサー 22…弁 24…注入器 25…チューブ 26…ピストン 27…パルスモーター 30…リニアエンコーダー
Claims (10)
- 【請求項1】 液体前駆物質の供給源と、液体前駆物質
を供給源から流入通路を介して吸入し流出通路に沿って
既知の容量の液体前駆物質を反応装置に供給する容量較
正された容積式ポンプとを含んでいる、液体前駆物質を
半導体処理反応装置に供給する装置。 - 【請求項2】 前記ポンプを流入通路又は流出通路に連
結する弁をさらに含んでいる請求項1に記載の装置。 - 【請求項3】 ポンプと弁を制御する制御手段をさらに
含み、ポンプが液体前駆物質を吸入ししかも反応装置は
該前駆物質によって処理されないようにする請求項2に
記載の装置。 - 【請求項4】 ポンプと弁を制御する制御手段をさらに
含み、ポンプが供給されなかった前駆物質の一部又は全
部を供給源に戻すようにする請求項2又は3に記載の装
置。 - 【請求項5】 ポンプがシリンジポンプである請求項1
から4のうちの1項に記載の装置。 - 【請求項6】 供給源が液体前駆物質のびん又は貯蔵器
を含んでいる請求項1から5のうちの1項に記載の装
置。 - 【請求項7】 供給源が少なくとも2つのびん又は貯蔵
器と、一方のびん又は貯蔵器を他方のびん又は貯蔵器が
空になったときに流入通路に自動的に連結する手段とを
含んでいる請求項6に記載の装置。 - 【請求項8】 液体前駆物質を半導体処理反応装置に供
給する方法であって、 (i)液体前駆物質を流入通路に沿って、液体前駆物質
の供給源から容量の較正された容積式ポンプに吸込み、 (ii)流出通路に沿って、既知容量の液体前駆物質を供
給することを含んでいる液体前駆物質の供給方法。 - 【請求項9】 ポンプを流入通路と流出通路とに交互に
連結することを含む請求項8に記載の方法。 - 【請求項10】 各容量の供給の後にポンプが、残りの
液体の一部又は全部を新鮮な液体を吸入する前に供給源
に戻す請求項8又は9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB9922691:2 | 1999-09-25 | ||
GB9922691A GB2354528B (en) | 1999-09-25 | 1999-09-25 | Delivery of liquid precursors to semiconductor processing reactors |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000288304A Pending JP2001153035A (ja) | 1999-09-25 | 2000-09-22 | 液体前駆物質を供給する装置と方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003050380A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | アレイ基板の検査方法 |
US7601225B2 (en) | 2002-06-17 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | System for controlling the sublimation of reactants |
US7610942B2 (en) * | 2003-01-15 | 2009-11-03 | Amnis Corporation | Cell suspension rotating fluidic pump |
US20050056216A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Intel Corporation | Precursor delivery system |
US7524735B1 (en) | 2004-03-25 | 2009-04-28 | Novellus Systems, Inc | Flowable film dielectric gap fill process |
US7582555B1 (en) | 2005-12-29 | 2009-09-01 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
US9257302B1 (en) | 2004-03-25 | 2016-02-09 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
US20050229856A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Malik Roger J | Means and method for a liquid metal evaporation source with integral level sensor and external reservoir |
KR100587682B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 케미컬 공급 장치 및 그에 따른 공급방법 |
US7253084B2 (en) * | 2004-09-03 | 2007-08-07 | Asm America, Inc. | Deposition from liquid sources |
US20060201425A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Applied Microstructures, Inc. | Precursor preparation for controlled deposition coatings |
US20070175392A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | American Air Liquide, Inc. | Multiple precursor dispensing apparatus |
US20070194470A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Aviza Technology, Inc. | Direct liquid injector device |
US20080121306A1 (en) * | 2006-06-15 | 2008-05-29 | Markus Koeger | Vacuum filling of syringe liquids with outgassing compensation stroke |
US7888273B1 (en) | 2006-11-01 | 2011-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Density gradient-free gap fill |
US9245739B2 (en) | 2006-11-01 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Low-K oxide deposition by hydrolysis and condensation |
KR100791709B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-01-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼의 노광장치 및 방법 |
GB2449885A (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-10 | Avx Ltd | Method for forming conductive material layers in electronic components |
GB0718801D0 (en) * | 2007-09-25 | 2007-11-07 | P2I Ltd | Vapour delivery system |
US8343583B2 (en) | 2008-07-10 | 2013-01-01 | Asm International N.V. | Method for vaporizing non-gaseous precursor in a fluidized bed |
US8012876B2 (en) | 2008-12-02 | 2011-09-06 | Asm International N.V. | Delivery of vapor precursor from solid source |
US8557712B1 (en) | 2008-12-15 | 2013-10-15 | Novellus Systems, Inc. | PECVD flowable dielectric gap fill |
US8278224B1 (en) | 2009-09-24 | 2012-10-02 | Novellus Systems, Inc. | Flowable oxide deposition using rapid delivery of process gases |
WO2011072143A2 (en) | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Novellus Systems, Inc. | Novel gap fill integration |
US8685867B1 (en) | 2010-12-09 | 2014-04-01 | Novellus Systems, Inc. | Premetal dielectric integration process |
US9719169B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
US8846536B2 (en) | 2012-03-05 | 2014-09-30 | Novellus Systems, Inc. | Flowable oxide film with tunable wet etch rate |
WO2014157211A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
US9847222B2 (en) | 2013-10-25 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Treatment for flowable dielectric deposition on substrate surfaces |
US10049921B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Method for selectively sealing ultra low-k porous dielectric layer using flowable dielectric film formed from vapor phase dielectric precursor |
US9916977B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-03-13 | Lam Research Corporation | Low k dielectric deposition via UV driven photopolymerization |
US10388546B2 (en) | 2015-11-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
WO2019083761A1 (en) * | 2017-10-23 | 2019-05-02 | Applied Materials, Inc. | LIQUID PRECURSOR FEEDING SYSTEM |
KR20210143943A (ko) | 2019-04-19 | 2021-11-29 | 램 리써치 코포레이션 | 원자층 증착 동안 급속 플러시 퍼징 |
CN113653946A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-11-16 | 北京华海基业机械设备有限公司 | 一种无背压回液系统及大流量柱塞泵 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3223040A (en) * | 1962-04-09 | 1965-12-14 | Stewart Warner Corp | Two component pumping and proportioning system |
US4793524A (en) * | 1981-04-30 | 1988-12-27 | American Monitor Corporation | Integrated reagent container and metered dispenser means |
US4885001A (en) | 1988-06-03 | 1989-12-05 | Cobe Laboratories, Inc. | Pump with plural flow lines |
GB2220969B (en) * | 1988-07-18 | 1992-04-22 | Draftex Ind Ltd | Trimming, sealing and finishing strips |
US5098741A (en) * | 1990-06-08 | 1992-03-24 | Lam Research Corporation | Method and system for delivering liquid reagents to processing vessels |
US5095938A (en) * | 1990-12-21 | 1992-03-17 | Millipore Corporation | Injector for fluid delivery system |
US5195655A (en) * | 1991-05-24 | 1993-03-23 | Motorola, Inc. | Integrated fluid dispense apparatus to reduce contamination |
US5371828A (en) | 1991-08-28 | 1994-12-06 | Mks Instruments, Inc. | System for delivering and vaporizing liquid at a continuous and constant volumetric rate and pressure |
DE4202561A1 (de) | 1992-01-30 | 1993-08-05 | Boehringer Mannheim Gmbh | Vorrichtung zum dosierten zufuehren einer analysefluessigkeit |
US5534069A (en) * | 1992-07-23 | 1996-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of treating active material |
GB2280169B (en) * | 1993-07-13 | 1996-10-16 | Bayer Ag | Device for transferring and metering a flowable agricultural chemical from a reusable container into a tank |
US5566865A (en) * | 1993-12-22 | 1996-10-22 | Valois S.A. | Manual atomizing pump with adjustable dosage |
US5567122A (en) * | 1994-10-13 | 1996-10-22 | Barry J. Walter | Cylinder pump having controllable piston/drive detachment |
US5620524A (en) * | 1995-02-27 | 1997-04-15 | Fan; Chiko | Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems |
AUPN182995A0 (en) * | 1995-03-20 | 1995-04-13 | Allstate Technology Pty Ltd | Dispenser |
CA2489818C (en) * | 1995-10-13 | 2007-07-24 | Nordson Corporation | A system for dispensing a viscous material onto a substrate |
JP3601153B2 (ja) | 1995-12-27 | 2004-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス供給装置のクリーニング方法 |
US6116184A (en) * | 1996-05-21 | 2000-09-12 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for misted liquid source deposition of thin film with reduced mist particle size |
US5730524A (en) * | 1996-06-12 | 1998-03-24 | Bunker; John R. | Dual container composting device with mixing structure |
US5916524A (en) * | 1997-07-23 | 1999-06-29 | Bio-Dot, Inc. | Dispensing apparatus having improved dynamic range |
US5874131A (en) * | 1996-10-02 | 1999-02-23 | Micron Technology, Inc. | CVD method for forming metal-containing films |
US6244575B1 (en) * | 1996-10-02 | 2001-06-12 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same |
US5876503A (en) * | 1996-11-27 | 1999-03-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Multiple vaporizer reagent supply system for chemical vapor deposition utilizing dissimilar precursor compositions |
-
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