JP2001148601A - 高周波回路装置 - Google Patents

高周波回路装置

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JP2001148601A
JP2001148601A JP32897499A JP32897499A JP2001148601A JP 2001148601 A JP2001148601 A JP 2001148601A JP 32897499 A JP32897499 A JP 32897499A JP 32897499 A JP32897499 A JP 32897499A JP 2001148601 A JP2001148601 A JP 2001148601A
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JP
Japan
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frequency circuit
board
coplanar line
substrate
main
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JP32897499A
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English (en)
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Kunitoshi Suzuki
邦俊 鈴木
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Fujitsu General Ltd
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Fujitsu General Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 構造上マイクロストリップラインを形成でき
ない基板に設けた高周波回路を、インピーダンスを整合
させて他方の基板の高周波回路に接続する。 【解決手段】 高誘電率材で形成した子基板1に高周波
フィルタ等を形成し、パターン3、4とグランドパター
ン5、6とで構成したコプレーナ線路に変換し、このコ
プレーナ線路をパターン7とグランドパターン8とから
なるメイン基板2のコプレーナ線路に半田付けで接続
し、メイン基板のコプレーナ線路上の信号をパターン7
と基板裏面のグランドパターン9とで構成されるマイク
ロストリップラインに変換する。これにより、二枚の基
板の高周波回路を、インピーダンスを整合させ、低損失
で接続することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波回路装置に係
り、子基板に形成した高周波回路をメイン基板の高周波
回路にインピーダンスを整合させ低損失で接続するもの
に関する。
【0002】
【従来の技術】LNB(低雑音周波数変換器)等の高周
波回路では、図3に示すように、子基板11に高周波回路
(例えば、フィルタ回路)を形成し、メイン基板12に重
ね合わせ、子基板11の高周波回路のパターン13をメイン
基板12のマイクロストリップライン14に接続するものが
あり、子基板11に誘電率の高いものを用いることにより
子基板11の高周波回路を小型化し、これをメイン基板12
に重ね合わせることにより高周波回路全体を小型に構成
することができる。マイクロストリップラインは基板上
面のパターンと裏面のグランドパターンとで構成される
が、子基板12のパターン13はスルーホール15でメイン基
板12のマイクロストリップライン14に接続するため(16
は半田付け)、子基板11にグランドパターンを形成する
ことがでず、このためインピーダンスを整合させること
が難しく、LNB等のようなミリ波帯の高周波回路では
損失が無視できなくなるという問題が生じる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような点
に鑑み、高周波回路を形成した子基板をメイン基板に重
ね、子基板の高周波回路をメイン基板の高周波回路に接
続するに際し、インピーダンスを整合させ、ミリ波帯の
ような高い周波数の回路でも、損失が少なく、性能のよ
い高周波回路を構成できるようにすることを目的とす
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の高周波回路装置では、高周波回路を形成し
た子基板をメイン基板に重ね合わせ、子基板の高周波回
路をメイン基板の高周波回路に接続するものにおいて、
前記子基板の接続部およびメイン基板の接続部をそれぞ
れコプレーナ線路で構成し、子基板の高周波回路および
メイン基板の高周波回路をそれぞれのコプレーナ線路に
変換し、接続するように構成する。
【0005】なお、子基板のメイン基板との接続部の側
面に、上面のコプレーナ線路に連接するコプレーナ線路
を形成し、側面のコプレーナ線路を介しメイン基板のコ
プレーナ線路に接続するようにする。
【0006】また、メイン基板のコプレーナ線路は、子
基板のコプレーナ線路との接続箇所のみに形成するよう
にする。
【0007】そして、子基板の高周波回路とメイン基板
の高周波回路とは、子基板のコプレーナ線路とメイン基
板のコプレーナ線路との半田付けにより接続する。
【0008】なお、メイン基板の高周波回路はマイクロ
ストリップラインを用いて構成し、マイクロストリップ
ライン上の信号をコプレーナ線路に変換するようにす
る。
【0009】子基板は、メイン基板より誘電率の高い材
料を用いて形成する。例えば、子基板はアルミナ材を用
い、メイン基板は合成樹脂材を用いて形成する。
【0010】なお、子基板のコプレーナ線路およびメイ
ン基板のコプレーナ線路は、共に、所定のインピーダン
スとなるように形成する。
【0011】子基板に形成される高周波回路は、例え
ば、フィルタ回路である。
【0012】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を実施例に基づ
き図面を参照して説明する。図1は本発明による高周波
回路装置の一実施例の要部構成図で、イは斜視図、ロは
上面図、ハは側面図である。図において、1は子基板、
2はメイン基板で、子基板1の3は上面のパターン、4
はパターン3に連接する側面のパターン、5は上面のグ
ランドパターン、6は上面のグランドパターン5に連接
する側面のグランドパターンで、上面のパターン3と両
側のグランドパターン5、および側面のパターン4と両
側のグランドパターン6とでそれぞれコプレーナ線路を
形成する(ロ図Lsの範囲)。メイン基板2の7はマイク
ロストリップラインを構成するパターン、8は上面のグ
ランドパターン、9は下面のグランドパターンで、パタ
ーン7と両側のグランドパターン8とでコプレーナ線路
を形成し(ロ図Lmの範囲)、パターン7と下面のグラン
ドパターン9とでマイクロストリップラインを形成す
る。グランドパターン8は子基板1のグランドパターン
6を接続する箇所に設ける。
【0013】メイン基板2は合成樹脂材で形成し、子基
板1はメイン基板2より誘電率の高い材料、例えば、ア
ルミナ材で形成する。この子基板1に、印刷により、例
えば、フィルタ回路を形成することにより、フィルタ回
路を小型化することができ、これをメイン基板2に重ね
合わせ、高周波回路全体を小型に構成することができ
る。メイン基板2の高周波回路はマイクロストリップラ
インにより構成することができるが、子基板1は、メイ
ン基板2に重ね合わせるため、基板の裏面にグランドパ
ターンを設けることができず、マイクロストリップライ
ンを形成できない。そこで、上述のように、子基板1の
パターン3、4の両側にグランドパターン5、6を設
け、コプレーナ線路を形成し、メイン基板2も、子基板
1に接続される部分のパターン7の両側にグランドパタ
ーン8を設ける。そして、子基板1の高周波回路の信号
を子基板1のコプレーナ線路に変換し、メイン基板2の
マイクロストリップライン上の信号をメイン基板2のコ
プレーナ線路に変換し、これら二つの基板のコプレーナ
線路を半田付けし、子基板1の高周波回路とメイン基板
2の高周波回路とを接続する。
【0014】コプレーナ線路は、図2に示す如く、中央
のパターン3と両側のグランドパターン5との間隔を適
宜に設定することにより、また、メイン基板2のように
裏面にグランドパターンがある場合は適宜の厚さの基板
を選定することにより、それぞれ略所望のインピーダン
スを持たせることができ、マイクロストリップラインと
同等の性能を得ることが可能であり、回路間のインピー
ダンスの整合をとりやすく、LNB等に用いるミリ波帯
のような高い周波数の回路の場合でも損失を小さく抑え
ることができる。
【0015】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明による高
周波回路装置によれば、子基板とメイン基板とを重ね合
わせて接続する構成のため、構造上から子基板の裏面に
グランドパターンを設けられずマイクロストリップライ
ンを形成できない場合に、子基板およびメイン基板の接
続部をそれぞれコプレーナ線路で構成し、所望のインピ
ーダンスを持たせられるようにしたものであるから、例
えば、子基板を高誘電率の材料で形成し、これに印刷に
よりフィルタ回路を形成し、双方の基板上の信号をそれ
ぞれのコプレーナ線路に変換し、半田付けで接続するこ
とにより、二つの基板の高周波回路をインピーダンスの
整合をとって接続することができ、ミリ波帯のような高
い周波数の回路の場合でも損失を小さく抑えられ、小型
で性能のよい高周波回路を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による高周波回路装置の一実施例の要部
構成図で、イは斜視図、ロは上面図、ハは側面図であ
る。
【図2】図1ロにおいてB−B矢視方向の子基板1のコ
プレーナ線路の一例の要部断面図である。
【図3】従来の高周波回路装置の一例の要部構成図で、
イおよびハは側面図、ロは上面図である。
【符号の説明】
1、11 子基板 2、12 メイン基板 3、4 パターン 5、6、8、9 グランドパターン 7、13、14 マイクロストリップライン 15 スルーホール 16 半田付け Lm、Ls コプレーナ線路範囲

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高周波回路を形成した子基板をメイン基
    板に重ね合わせ、子基板の高周波回路をメイン基板の高
    周波回路に接続するものにおいて、前記子基板の接続部
    およびメイン基板の接続部をそれぞれコプレーナ線路で
    構成し、子基板の高周波回路およびメイン基板の高周波
    回路をそれぞれのコプレーナ線路に変換し、接続するよ
    うにした高周波回路装置。
  2. 【請求項2】 前記子基板の前記メイン基板との接続部
    の側面に、上面のコプレーナ線路に連接するコプレーナ
    線路を形成し、側面のコプレーナ線路を介しメイン基板
    のコプレーナ線路に接続するようにした請求項1記載の
    高周波回路装置。
  3. 【請求項3】 前記メイン基板のコプレーナ線路は、前
    記子基板のコプレーナ線路との接続箇所のみに形成する
    ようにした請求項1または2記載の高周波回路装置。
  4. 【請求項4】 前記子基板の高周波回路と前記メイン基
    板の高周波回路とは、子基板のコプレーナ線路とメイン
    基板のコプレーナ線路との半田付けにより接続するよう
    にした請求項1、2または3記載の高周波回路装置。
  5. 【請求項5】 前記メイン基板の高周波回路はマイクロ
    ストリップラインを用いて構成し、マイクロストリップ
    ライン上の信号をコプレーナ線路に変換するものでなる
    請求項1記載の高周波回路装置。
  6. 【請求項6】 前記子基板は、メイン基板より誘電率の
    高い材料を用いて形成されたものでなる請求項1記載の
    高周波回路装置。
  7. 【請求項7】 前記子基板はアルミナ材を用いて形成さ
    れ、前記メイン基板は合成樹脂材を用いて形成されたも
    のでなる請求項1記載の高周波回路装置。
  8. 【請求項8】 前記子基板のコプレーナ線路および前記
    メイン基板のコプレーナ線路は、共に、所定のインピー
    ダンスとなるように形成してなる請求項1、2または3
    記載の高周波回路装置。
  9. 【請求項9】 前記子基板に形成される高周波回路はフ
    ィルタ回路である請求項1記載の高周波回路装置。
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