JP2001148226A

JP2001148226A - Ｘ線管用の固定アノードアッセンブリ

Info

Publication number: JP2001148226A
Application number: JP2000295647A
Authority: JP
Inventors: Robert Steven Miller; ロバート・スティーヴン・ミラー
Original assignee: Varian Medical Systems Inc
Current assignee: Varian Medical Systems Inc
Priority date: 1999-09-30
Filing date: 2000-09-28
Publication date: 2001-05-29
Also published as: US6393099B1; EP1089317A1

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】Ｘ線管によって発生したＸ線信号の品質及び強
度を改善する固定ターゲットアノードを提供する。【解決手段】固定アノードアッセンブリ１１０は、アノ
ード基板１１２のターゲット端１３８，１３８′に配置
されたアノードターゲット部１１４を有している。アノ
ードターゲットはオーバーハング部３６を有しており、
オーバーハング部は、リバウンドした電子が下にあるア
ノード基板に衝突するのを防止する機能を有している。
リバウンドした電子の下にあるアノード基板への衝突を
防止できないと、逸脱したＸ線の発生の原因となる。オ
ーバーハング部は、また、基板で発生した逸脱したＸ線
がＸ線管から放出されるのを遮断する機能を有する。タ
ーゲット面１２０には、下にあるアノード基板から離れ
る方向で、アノードターゲット面の中心に向けてリバウ
ンドした電子を案内する機能を有する輪郭付き形状が形
成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、ある一定のタイ
プのＸ線管で使用される固定アノードアッセンブリに関
する。特に、本願発明は、前記Ｘ線管によって発生した
Ｘ線信号の品質及び強度を改善する固定ターゲットアノ
ードに関する。

【０００２】

【従来の技術】Ｘ線発生装置は、産業上や医療上での幅
広い種類の用途において用いられるきわめて貴重なツー
ルである。そのような装置は、一般に、診断の治療上の
放射線医学、半導体製造、及び材料試験のような領域に
おいて使用されている。

【０００３】これらの異なる産業及び用途で使用される
前記装置においてＸ線を発生させるための基本的な作動
は、大変に似ている。電子を発生させて放出し、加速さ
せ、次いで急に停止させるとき、Ｘ線は発生する。典型
的には、この全プロセスは、Ｘ線発生管内に形成される
真空状態で行われる。Ｘ線管は、通常、３つの一次素子
と、電子（エレクトロン）の源であるカソードと、前記
カソードから離れて設けられ前記カソードによって放出
される電子を受け取ることができるように方向決めされ
たアノードと、前記カソードから前記アノードへ電子を
運ぶために高電圧を加えるための機構とを有している。

【０００４】前記３つの一次素子は、通常、真空管内に
位置決めされ、電気回路内に接続されている。前記電気
回路は、電圧発生素子が、アノード（陽極）とカソード
（陰極）との間に（約５千ボルトから何十万ボルトを越
えた範囲にわたる）大変に高い電圧を加えることができ
るように接続されている。この高い電圧差によって、電
子の流れすなわち電子ビームが、カソードからアノード
アッセンブリのアノードターゲット部に向けて、大変な
高速度で放出される。前記アノードターゲットは、典型
的に、以下のような金属から構成されている。すなわ
ち、電子が前記アノードターゲットに打ち付けられると
き、その打ちつけられる電子ビームの運動エネルギー
が、大変に高い周波数の電磁波（すなわち、Ｘ線）に変
換されるような金属から構成されている。発生したＸ線
の特性、例えば、波長の特性は、前記アノードターゲッ
ト材料に使用される金属の種類による。種々の金属が、
種々の特性を有するＸ線を発生する。結果として生じた
Ｘ線は、前記アノードターゲットから発出し、次いで、
患者のボディーの領域や産業装置のような物体に視準さ
れる。周知のように、前記物体を通るＸ線、すなわち、
前記物体から蛍光を発するＸ線は、検出され且つ分析さ
れて、Ｘ線医療診断検査や材料分析方法のような多くの
用途の任意のものにおいて使用することができる。

【０００５】あるいくつかのＸ線装置において、前記ア
ノードターゲットは、作動の間に回転する回転ディスク
に位置決めされる。前記アノードターゲットの回転によ
って、所定時に、前記アノードターゲット上のある特定
地点に存在する熱量が減少される。しかしながら、他の
Ｘ線管、例えば、Ｘ線螢光やＸ線回折のような分析作業
用の装置において使用されるある一定のタイプのもの
は、固定されたターゲットのアノードアッセンブリを使
用している。

【０００６】図１は、固定アノードアッセンブリ１０を
用いているＸ線管装置８の一部の一例を図示している。
固定アノードアッセンブリ１０は、アノード基板１２の
部分と、ろう付けインターフェース１８などによってア
ノード基板１２のターゲット端１６に付着された（ある
いは、取り付けられた）アノードターゲット１４とを有
している。Ｘ線管装置８は、また、カソードアッセンブ
リを有している。カソードアッセンブリは、シールド２
４と、フィラメント２５とを備えているように示されて
いる。作動時、電流がフィラメント２５を通り、それに
よって、多数の電子が温められ、次いで、前記多数の電
子が放出される。高電位が、前記カソードと前記アノー
ドとの間に加えられており、それによって、前記電子
が、前記アノードに向けてきわめて高速度に加速され
る。前記加速された電子がアノードターゲット１４の面
２０に突き当たるとき、概略的にライン２６で表されて
いるＸ線が発生する。Ｘ線２６は、Ｘ線管装置８に形成
された窓２８を通してＸ線対象物に向けて案内されるこ
とが好ましい。

【０００７】発生したＸ線の特性は、いくつかの要因に
よる。これらの要因としては、アノードターゲット１４
に用いられる材料の種類やアノードターゲットのカソー
ドに対する物理的な向きなどが挙げられる。例えば、ア
ノードターゲット１４は、高速度の電子流が衝突したと
きＸ線を効率的に発生させることができる特定の原子番
号（Ｚ）を有する金属製の材料から形成されている。そ
れに反して、下にあるアノード基板１２の部分は、典型
的に、前記アノードターゲットとは異なる種類の材料か
ら構成されている。例えば、銅が基板として頻繁に用い
られている。この基板材料の選択は、いくつかの要因に
基づいている。第１に、電子の衝突の結果、アノードタ
ーゲット１４に発生した熱を効率的に伝導し且つ放散さ
せる能力が、重要である。第２に、使用される基板材料
は、ターゲット材料と異なることがよくある。というの
は、ターゲット材料は典型的に高価であるし、機械加工
や製造が困難という事実があるからである。このよう
に、基板に異なる材料を使用することは、通常、より実
用的である。しかしながら、基板のために異なる材料を
用いることは、他の問題を引き起こす可能性がある。例
えば、前記基板材料は、前記ターゲットから放出される
ものとは異なる特質のあるＸ線を放出する。その結果、
アノード基板に電子が衝突した場合、それは、典型的
に、前記ターゲットから放出されるＸ線に有害に干渉す
る可能性のあるＸ線の汚染源となる。基板から放出され
るＸ線も同様に、他の面で有害となる可能性がある。例
えば、Ｘ線蛍光装置において、Ｘ線は、分析用の材料の
タイプとは異なるアノードターゲット材料から発生させ
なければならず、さもないと、その結果得られた分析は
不確定となる。したがって、基板材料が分析用の材料と
同じ場合、基板で発生するどのＸ線も有害となる。

【０００８】特定の且つ安定した波長を有するＸ線を発
生させる場合、また、適切な態様で、カソードをアノー
ドターゲット１４に対して方向決めすることが要求され
る。例えば、フィラメント２５は、電子流内の電子がア
ノードターゲットに衝突し、それによって、Ｘ線が発生
するように、固定アノードアッセンブリ１０に対して位
置決しなければならない。同時に、固定アノードアッセ
ンブリ１０とカソードシールド２４との間の距離（図１
において、「ｓ」として示されている）を十分に大きく
して、電気的なショートがアノードとカソードとの間に
発生するのを防止しなければならない。

【０００９】しかしながら、自由選択の距離ｓを維持す
る試みは、発生したＸ線の特性に悪影響を与える可能性
のある他の状況を引き起こすかもしれない。例えば、電
子流２２からのいくつかの電子は、Ｘ線を発生させるこ
となく、アノードターゲット１４の面２０に最初に衝突
するかもしれない。次いで、電子が、アノードターゲッ
ト層１４の面２０からはね返り、その結果、（図１の３
０で示される）二次的な電子流が発生して、アノードの
アノード基板１２の一部に衝突する可能性がある。注意
すべきは、アノード基板１２を構成するために使用され
る基板材料が、Ｘ線の汚染源となることである。この二
次的な電子流の衝突によって、（図１の３２で示され
る）逸脱したＸ線ビームが発生する可能性がある。その
逸脱したＸ線ビームの特性は、一次的なＸ線ビーム２６
とは、著しくことなることが多い。また、注意すべき
は、逸脱したＸ線ビーム３２と一次的なＸ線ビーム２６
との間の相互作用によって、Ｘ線管装置８により最後に
発生し且つ放出されるＸ線の特性、強度及び焦点合わせ
に悪影響を与える可能性があり、これによって、Ｘ線に
よって得られる分析結果の品質に最終的に影響を与える
可能性がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】そのような逸脱したＸ
線信号の形成を防止することは、これまで難しいと考え
られてきた。１つの試みとして、Ｘ線装置の窓のサイズ
を小さくして、逸脱したＸ線信号が、当該装置から出て
行くのを防止すると共に、一次的なＸ線信号との干渉を
防止することが行われてきた。しかしながら、この試み
では、当該Ｘ線装置から出て行く一次的なＸ線の量を、
受け入れがたいレベルまで制限する可能性があり、した
がって、ある一定のＸ線の用途に対しては実行可能な選
択肢がない可能性があった。したがって、当該技術にお
いては、電子がアノード基板材料に衝突し低品質の逸脱
したＸ線を発生させるという上記問題を解決する固定ア
ノードアッセンブリが必要となっている。そのうえ、ど
の解決策を取ろうとも、Ｘ線装置から放出される一次的
なＸ線信号の全体にわたる品質及び量に影響を及ぼすべ
きではない。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願発明は、従来技術の
状態に応答して、特に、上記問題、他の問題、さらに
は、Ｘ線管に関連して使用するための現在入手可能な固
定アノードアッセンブリによって十分にあるいは完全に
は解決されていないニーズに応答して発展されたもので
ある。したがって、前記Ｘ線管装置から放出されるＸ線
信号の量及び特性を改善した固定アノードアッセンブリ
形態を提供することが、本願発明の全体的な目的であ
る。他の目的は、アノードアッセンブリのアノード基板
部で発生した第２のＸ線すなわち逸脱したＸ線の量を減
少させる固定アノードを提供することである。さらに、
本願発明の別の全体的な目的は、ターゲット面からアノ
ード基板へはね返る（リバウンドする）電子の数を減少
させるように機能する独特な幾何学的な形状を備えたア
ノードターゲットを有する固定アノードアッセンブリを
提供することである。本願発明の別の目的は、ターゲッ
ト基板で意図せずに発生したＸ線が、Ｘ線管から放出さ
れるのを遮断する（ブロックする）すなわち遮るように
機能する、アノードターゲット形状寸法（ジオメトリ
ー）を有する固定アノードアッセンブリを提供すること
である。別の目的は、リバウンドした電子を、下にある
アノード基板から離れる方向でターゲットの中心線に向
けて案内するアノードターゲットを有する固定アノード
アッセンブリを提供することである。

【００１２】すなわち、前記目的及び他の目的は、アノ
ード基板で発生したＸ線を除去し、あるいは少なくとも
減少させ、それによって、Ｘ線管装置から放出されるＸ
線信号の特性（又は品質）及び強度を改善する固定アノ
ードアッセンブリで達成される。本願発明の実施例で
は、適切なターゲット面を提供するばかりでなく、リバ
ウンドした電子が下にあるアノード基板に衝突するのを
防止する手段を有するアノードターゲット構造を用いて
いる。前記ターゲット構造は、Ｘが基板に発生した場合
に、Ｘ線の少なくともいくつかがＸ線管から漏れるのを
妨げる態様で、下にある基板を遮断しすなわち遮るよう
に機能するようにすることが好ましい。そのうえ、他の
実施例では、リバウンドした電子を、アノードターゲッ
ト面の中心に向いた方向に、したがって、下にある基板
から遠ざかる方向に案内する手段を有している。両方の
特徴部分によって、Ｘ線がアノード基板で発生するのを
防止する、あるいは、少なくとも、Ｘ線がアノード基板
で発生するのを減少させる。このようにして、より高品
質のＸ線信号がＸ線管装置から放出されるのを確保する
のに役立つ。

【００１３】本願発明では、上記機能を提供するための
種々のターゲット形態及び幾何学的な形状が考えられ
る。例えば、本願の好適な実施例においては、リバウン
ドした電子が基板に衝突するのを防止する手段が、ター
ゲットアノード「オーバーハング」構造によって、実行
される。前記オーバーハング構造は、下にある基板を越
えて外に伸長しており、そのため、多くのリバウンドし
た電子が前記基板に衝突するのをブロックする（すなわ
ち、遮断する）ように機能し、また、前記基板で意図せ
ずに発生したＸ線の少なくともいくつかが、Ｘ線装置の
窓に達するのを遮るように機能する。要求されるわけで
はないが、前記オーバーハングは、任意の鋭角がエッジ
（すなわち、縁部）に形成されることなく、滑らかな面
で構成されることが好ましい。これによって、ターゲッ
トアノードのＸ線発生特性が改善され、Ｘ線が、Ｘ線装
置窓を通して、適切に焦点合わせが行われて案内される
ということが確保される。

【００１４】他の実施例においては、リバウンドした電
子を、前記アノードターゲット面の中心に向いた方向に
案内する前記手段は、前記Ｘ線管窓に露出した特定の輪
郭を有しているアノードターゲット面によって実施され
る。この輪郭付きの面は、種々の幾何学的な形状を有す
ることができ、その各々は、さらにＸ線ビームを発生さ
せる必要のあるターゲットに衝突した電子を、実質的
に、下にあるアノード基板から遠ざかる方向で、アノー
ドターゲット面の中心線に向けてリバウンドさせるとい
う効果を奏する。

【００１５】本願発明の他の好適な実施例において、オ
ーバーハング部を備えたターゲットアノードが、適切に
輪郭が付けられたターゲット面と結合される。この組み
合わせでは、アノード基板に衝突するリバウンド電子の
発生をさらに減らし、また、発生した任意のＸ線がＸ線
装置の窓に達するのを遮りながら、ターゲットに衝突す
るＸ線ビーム発生用の電子の発生を強めることができる
という効果を奏する。

【００１６】本願発明のこれらの目的や他の目的及び効
果は、下記の記述や特許請求の範囲からより完全に明ら
かとなるであろうし、後述する本願発明の実施によって
理解されるであろう。

【００１７】本願発明の上記効果、他の効果、上記目
的、及び他の目的を明らかにするために、添付した図面
に図示された具体的な実施例を参照して、上で簡単に説
明した本願発明をより具体的に説明する。これらの図面
は、本願発明の典型的な実施例をだけを図示したもので
あり、本願発明は、その範囲に限定されるものではな
く、添付した図面の使用を通して、追加の実施例や追加
の詳細で説明される。

【００１８】

【発明の実施の形態】図面を参照して以下説明する。図
面においては、同様な構成には同様な参照符号が付与さ
れている。図面は、本願発明の好適な実施例の概略を示
しており、本願発明を限定したものでなく、必ずしも一
定の比率に縮小して描かれたものでもないということを
理解すべきである。

【００１９】最初に、図２を参照する。図２は、本願発
明の教示にしたがって構成された固定アノードアッセン
ブリ１１０の好適な一実施例の断面正面図を図示してい
る。図示されているように、アノードターゲット１１４
の一部が、アノード基板１１２のターゲット端に取り付
けられている。ろう付け層１８などを用いて、アノード
ターゲット１１４をアノード基板１１２に固定すること
ができる。

【００２０】図示されているように、アノードターゲッ
ト１１４が、適切なターゲット面１２０を提供してい
る。カソード（図示せず）から放出された電子が、ター
ゲット面１２０に衝突する。適切なターゲット面の提供
に加えて、アノードターゲット１１４は、また、リバウ
ンドした電子のうちの少なくともいくつかが、下にある
アノード基板１１２に衝突するのを防止すると共に、ア
ノード基板１１２で発生したＸ線が、Ｘ線管から出て行
くのを遮断する（すなわち、ブロックする）ターゲット
手段を有している。一例として（本願発明は当該例に限
定されるものではい）、本願発明のその防止手段は、部
分ボックス３６内に部分的に示された、ターゲットアノ
ード「オーバーハング（すなわち、張出し）」部によっ
て実施されている。図示されているように、オーバーハ
ング構造は、アノードターゲット１１４の一体部分とし
て形成されており、また、隣接するアノード基板の外面
１１３の少なくとも一部を越えて伸長する態様で形成さ
れている。このようにして、図２に示されているよう
に、アノードターゲット１１４の寸法は、下にあるアノ
ード基板１１２の寸法を越えており、アノードターゲッ
ト１１４の外側周縁部がアノード基板１１２を越えて張
り出しており、これによって、露出された下側部分１３
４が形成されている。図２において、アノード基板１１
２は、第１の直径ｄ１を有するように図示されており、
アノードターゲット１１４は、第２の直径ｄ２を有する
ように図示されている。第１の直径ｄ１は、アノード基
板１１２の幅に対応しており、その中心を通る断面で測
定されている。第２の直径ｄ２は、アノードターゲット
１１４の幅に対応しており、一方の側部１３８’から反
対の側部１３８までアノードターゲットの中心を通る断
面で、測定されている。第２の直径ｄ２は、第１の直径
ｄ１よりも大きく、その結果、アノードターゲット１１
４は、アノード基板１１２を越えて張り出している、す
なわち、オーバーハングしている。

【００２１】アノードターゲット１１４のオーバーハン
グ構造は、いくつかの効果をもたらす。第１に、ターゲ
ット面１２０に最初に接触した後リバウンドした電子の
少なくともいくつかは、下にあるアノード基板１１２へ
の到達が前記オーバーハングによって遮断されるすなわ
ちブロックされる。第２に、たとえ、リバウンドした電
子がアノード基板１１２に衝突し、逸脱したＸ線が放出
される場合でも、オーバーハング部分３６は、逸脱した
Ｘ線がＸ線管から出て行くのを防止するように機能す
る。その代わり、逸脱したＸ線ビーム３２は、ターゲッ
トの露出された下側１３４と衝突する傾向となり、主要
なＸ線ビームの一部とならない。

【００２２】第１の直径ｄ１のための特定の値と、第２
の直径ｄ２のための特定の値は、Ｘ線装置の用途、アノ
ードターゲット１１４及びアノード基板１１２のための
熱損失要件、フィラメント１２５（図示せず）からアノ
ードターゲット１１４までの近接距離、及びアノードタ
ーゲットとカソード（図示せず）との間に加えられる電
圧の大きさによる。例えば、ある一定の用途に対して
は、アノードターゲット１１４は、第１の直径ｄ１のサ
イズの２倍の大きさの第２の直径ｄ２を有するかもしれ
ない。しかしながら、第２の直径ｄ２は、種々の比率で
第１の直径ｄ１の大きさを越えるようにしてもよいとい
うことが理解される。例えば、第２の直径ｄ２は、約
０．５パーセントないし約５０パーセントだけ第１の直
径ｄ１よりも大きくすることができる。第２の直径ｄ２
は、約１０パーセントないし約２０パーセントの範囲で
第１の直径ｄ１よりも大きくして、第１の直径ｄ１を越
えるようにしてもよい。

【００２３】アノードターゲット１１４のオーバーハン
グ部分３６は、図２においてパラメーターｈとして示さ
れる高さを有している。その値は、Ｘ線装置の要件及び
作動パラメーター、アノードターゲット材料、及びアノ
ードターゲット材料のコストに応じて選択される。ｈの
大きさは、約１２５ミルないし約１０ミルあるいはそれ
以下の範囲とすることができ、約７５ミルないし約５０
ミルの範囲とすることが好ましい。一実施例において、
アノードターゲット１１４の高さｈは、約６０ミルであ
る。

【００２４】アノードターゲット１１４のオーバーハン
グ部分３６のプロファイル（輪郭）は、エッジ１４０を
形成するように、ターゲット面１２０と反対の側部１３
８との間に角度を有している。図２において、角度α
は、横断面が矩形の形状を有するオーバーハングを形成
するように、ほぼ（おおよそ）９０°となっている。下
方のエッジ１４１が、また、反対の側部１３８とアノー
ドターゲット１１４の露出した下側１３４との間の交点
に形成されている。

【００２５】ある実施例においては、図２において示さ
れているような鋭角なエッジ１４０をオーバーハング部
に設けることは望ましくない。別の実施例が、図３に示
されている。図３は、図２の区域３６に図示されたオー
バーハング部分に対応する、アノードターゲット２１４
の部分を図示している。図３の実施例において、オーバ
ーハングセクションには、鋭い鋭角な角度やエッジなし
に形成されている。より詳細に説明すると、アノードタ
ーゲット２１４の厚さは値ｈであり、アノードターゲッ
ト２１４の側部２３８は、アノードターゲット２１４の
面２２０とアノードターゲット２１４の露出した下側２
３４との間が、全放射状のプロファイル（換言すれば、
面２２０と露出した下側２３４との間全体が、放射状の
ように広がる形状のプロファイル）すなわち半円プロフ
ァイルとなるように丸くされている。アノードターゲッ
ト２１４の面２２０とアノードターゲット２１４の露出
した下側２３４との間の全放射状すなわち半円プロファ
イル形状は、成形、微細機械加工、それらの組み合わせ
などのような技術によって実施することができる。別の
実施例として、図３に図示した半円形のプロファイル
は、一連の面取りによって近づけることができる。面２
２０と露出した下側２３４との間で行われる前記一連の
面取りの回数を増やした場合、全放射状すなわち半円プ
ロファイルに近づけられる。図２において見られるよう
なエッジ１４０と下方のエッジ１４１とを除去する２つ
の面取りを用いることによって、全放射状のプロファイ
ルに最低限近づけることができる。さらに、前記実際の
プロファイルは、円形のみとする必要なく、代わりに、
パラボラ形状や双曲線形状のプロファイルのような偏心
したプロファイルとしてもよい。

【００２６】図４は、ターゲットアノードのオーバーハ
ング部分の別の実施例を図示している。この実施例にお
いて、アノードターゲット３１４のオーバーハング部分
は、面３２０と、４分の１円形の弧として形成された側
部３３８とを有している。側部３３８は、半径ｈを有し
ており、アノードターゲット３１４の露出した下側３３
４で終端している。下方のエッジ３４１が、露出した下
側３３４と側部３３８の結合部分に形成されている。図
３における全放射状プロファイル形状すなわち半円プロ
ファイル形状と同様に、図４に図示された４分の１円形
の弧は、成形、微細機械加工、偏心プロファイル、及び
上述したプロファイルをまねた一連の面取りを含む同じ
技術によって形成してもよい。

【００２７】図５は、本願発明のさらに別の実施例を図
示している。この実施例において、アノードターゲット
４１４のオーバーハング部分（図２の部分３６）には、
異なる形状が構成されている。図示されているように、
ターゲットアノード４１４は面４２０を含んでいる。面
４２０は、ｈ／２の半径を有する凸状の円形の弧ように
端を切って短くされたエッジ４４０を有している。前記
半径の値は、特定の用途にしたがって変化させることが
でき、ｈ／２よりも小さくしてもよい。好適な実施例に
おいて、弧の半径がｈ／２である場合、ｈ’で示された
値も、また、ｈ／２の値を有しており、それによって、
半径とｈ’とを加えると、ｈに等しくなる。凸状の円形
の弧４４０は、図３及び図４で図示されたプロファイル
をつくるために使用される技術と同様な技術を用いるこ
とによって形成することができる。図３及び図４で図示
されたプロファイルをつくるために使用される技術とし
ては、成形、微細機械加工、偏心形状、及び凸状の円形
の弧に近づける一連の面取りが挙げられる。

【００２８】図６は、図２の部分３６に対応するアノー
ドターゲット５１４のオーバーハング部分のさらに別の
実施例を図示している。図６において、面５２０には、
横断面が鋭角のプロファイルを備えたエッジが形成され
ている。それによって、鋭角なエッジ５４０が、面５２
０を備えた鋭角α’を形成する側部５３８と共に形成さ
れている。

【００２９】図７は、図６の実施例の別の実施例を図示
している。より詳細には、図６の鋭角なエッジ５４０に
対応する鋭角なエッジ６４２は、そのエッジをまるくす
ることによって変更されている。好適な実施例におい
て、変更された鋭角なエッジ６４２は、半径ｈ／ｎを有
している。ｎは、約２ないし２０の値を有している。変
更された鋭角なエッジ６４２は、成形、微細機械加工、
偏心形成によって、また、要求されたプロファイルに近
づく一連の面取りによって、形成することができる。ま
た、図６及び図７に図示された実施例において、下側５
３４、６３４の部分は露出しているが、アノード基板
（図２参照）の幅ｄ１を、それぞれの下方のエッジ５４
１、６４１で終端させ、下側５３４、６３４を完全に覆
うようにしてもよい。

【００３０】図２ないし図７に示された実施例は、下に
あるアノード基板への電子の衝突や下にあるアノード基
板からの電子のリバウンドを防止できる方法と、アノー
ドターゲットに設けたオーバーハング部分によって、逸
脱したＸ線がＸ線管からが出て行くのを妨げる（ブロッ
ク）する方法とを図示している。しかしながら、本願発
明は、ターゲット面からリバウンドした電子を、下にあ
るアノード基板から離れる方向に（好ましくは、ターゲ
ット面の中心に向けて）案内する手段を含む他の実施例
も考察されている。この方向を変える手段を実施するた
めの特定のアノードターゲット構造の好適な例が、図８
ないし図１０を参照して説明されている。概ね、リバウ
ンドした電子を、アノードターゲット面の中心に向いた
方向に案内するための手段は、アノードターゲット面に
形成された特有の輪郭によって実施される。概ね、前記
輪郭の実施によって、リバウンドした電子が、偏向させ
られて、二次的な電子流３０（図２参照）としてアノー
ド基板に衝突しないで、アノードターゲットの面に再び
衝突するような態様となる。この方法において、リバウ
ンドした電子は、意図された態様で、ターゲット面に簡
単に衝突し、このようにして、有用なＸ線の発生に寄与
する。ターゲット面の特有な輪郭は、概ね凹状にし、そ
の方向が、Ｘ線装置の窓に向けられていることが好まし
い。

【００３１】図８−１０は、アノードターゲットの直径
ｄ２と、下にあるアノード基板の直径ｄ１とが、実質的
に等しい場合の実施例を図示している。図８において、
アノードターゲット８１４は、上述した態様でアノード
基板８１２の上に配置されている。横断面において、固
定アノードアッセンブリ８１０は、アノードターゲット
８１４の面を有しており、該アノードターゲット８１４
の面は、Ｖ字形状のプロファイルを有する窪み８４４と
して形成された輪郭を有している。窪み８４４は、円錐
形形状にされており、その角度は、角度βによって画定
されている。角度βは、鋭角又は鈍角とすることがで
き、１８０°よりも小さいことが好ましく、約１７０°
ないし約２０°にすると最適である。固定アノードアッ
センブリ８１０の中線４６は、実質的にアノードターゲ
ット８１４とアノード基板８１２とを角度βの頂点で二
分している。この形状において、Ｘ線を発生させること
なくアノードターゲット８１４の面８２０に衝突した電
子は、アノード基板８１２での二次的な衝突を生じる結
果となる方向ではなく、アノードターゲット８１４に再
び衝突するようにリバウンドする傾向となる。したがっ
て、前記面形状は、逸脱したＸ線ビーム３２（図２参
照）の発生が実質的に避けられる態様で機能する。

【００３２】図９は、さらに別の実施例を図示してい
る。この実施例においては、ターゲット面は、電子がア
ノード基板に衝突するのを防止するように方向決めされ
ている。そこでは、アノードアッセンブリ９１０には、
アノードターゲット９１４が形成されている。アノード
ターゲット９１４は、実質的に曲線のある窪み９４４と
して形成されている面９２０を有している。一般的に、
特定の用途に応じて、横断面で見て任意の好適な曲線の
ある窪みを用いることができる。例えば、曲線のある窪
み９４４は、円弧、放物線状の弧、双曲線状の弧などと
して形成してもよい。図９の実施例において、窪み９４
４は、横断面で見たとき、実質的に円形となっており、
また、回転楕円面状の物体の変位によって引き起こされ
る形状に実際に形成されている。あるいは、窪み９４４
は、中線４６近くのアノードターゲット９１４の面９２
０が、実質的に平坦になるように皿形状としてもよい。
前記プロファイルはエッジ９４０に近づくほど、面９２
０は、エッジ９４０で交わる凹状の弧に曲げられる。し
たがって、面９２０用のそのようなプロファイルは、凹
状の４分の１円弧、凹状の弧によって頭を切って短くし
た矩形のエッジなどのような、曲線のあるセクションと
平坦なセクションとの組み合わせとすることができる。
同様な形状をまた用いてもよい。図８及び図１０に図示
されたアノードターゲットによって形成されたエッジ
と、面９２０によって形成されたエッジ９４０は、上記
実施例の教示にしたがって丸みをつけられてもよい。

【００３３】図１０は、ターゲット面１０２０を利用す
るさらに別の好適な実施例を図示している。ターゲット
面１０２０は、リバウンドした電子が下にあるアノード
基板に衝突するのを減少させるように機能する。図１０
において、ターゲット面１０２０は、窪み１０４４とし
て形成されている。窪み１０４４の形状は、截頭円錐形
の本体を変位させることによって生じる。図示された実
施例において、窪み１０４４は、２つの鈍角によって画
定されている。前記２つの鈍角の各々は、γの値を有し
ている。γの値は、１８０°よりも小さいことが好まし
く、約９０°から約１８０°よりもわずかに小さい範囲
とすることができる。

【００３４】図１１、図１２及び図１３は、本願発明の
さらに別の実施例である。それら実施例は、オーバーハ
ングターゲットと特性ターゲット面輪郭との組み合わせ
を用いて、逸脱したＸ線ビーム３２の防止を高めるよう
にしてある。例えば、これらの図の各々において、アノ
ード基板（１１１２、１２１２、１３１２）の第１の直
径ｄ１は、アノードターゲット（１１１４、１２１４、
１３１４）の第２の直径ｄ２よりも小さい寸法を有する
ように示されており、それによって、上述したようなオ
ーバーハングターゲットが形成されている。さらに、部
分領域３６で示されているように、図２−図７に図示さ
れた実施例の各々は、図１１−図１３の実施例において
も用いることができる。最後に、各実施例は、リバウン
ドした電子をターゲット面の中心に向けて案内するため
のターゲット窪み形状部分（１１４４、１２４４、１３
４４）を有している。面、側部及び露出した下側のうち
のどれを組合せるかは、オーバーハングの程度、ターゲ
ットの直径に対する窓の直径、及び加えられるＸ線の特
定のニーズによる。

【００３５】図１４は、本願発明のさらに別の実施例を
図示している。ここで、ターゲット面１４２０は、５つ
あるいはそれ以上の別個の面を有している。図２−図７
の部分３６から取った代替実施例を適用して、ターゲッ
ト面１４２０の別個の面の数を変更してもよく、それに
よって、その数は、９つの別個の面及び６つの可能性の
ある鋭いエッジから、単一の滑らか面まで変化するよう
に多数変化する。前記単一の滑らか面は、中線１４４６
の面１４２０で開始し、径方向に対して両方向に伸長
し、ターゲット１４１４の露出した下側１４３４で終え
る。

【００３６】図１４は、また、追加の手段を図示してい
る。前記追加の手段によって、アノード基板からの逸脱
したＸ線の発生を減少させることができる。先の実施例
のいずれにも、前記追加の手段を含めても良い。図１４
に示されているように、アノードターゲット材料からな
る薄い層（すなわち、高Ｚ材料）が、アノード基板の外
面に設けられ、これによって、マイクロシース（ｍｉｃ
ｒｏｓｈｅａｔｈ：すなわち微小なシース）１４６０が
形成される。図示された実施例において、マイクロシー
ス１４６０は、ターゲット１４１４と同じ材料から形成
されている。最も、違う材料を用いることもできる。マ
イクロシース１４６０は、約１０オングストロームない
し約１０，０００オングストロームの範囲の厚さを有す
ることができる。好適な一実施例において、マイクロシ
ース１４６０の厚さは、約５０オングストロームとなっ
ている。マイクロシース１４６０は、固定アノードアッ
センブリの製造プロセスの最終ステップとして、固定ア
ノードアッセンブリ上に形成されることが好ましい。マ
イクロシース１４６０は、化学蒸着法（ＣＶＤ）のよう
な任意の適切な手段を用いることによって付着させるこ
とができる。マイクロシース１４６０は、逸脱したＸ線
の発生を減少させるための手段の一例である。前記説明
から理解されるように、リバウンドした電子がアノード
基板に衝突して、十分にブロックされていない場合で
も、マイクロシース１４６０は、発生したどのＸ線も、
ターゲット面で形成されたＸ線と同じようにその特性
（すなわち、波長）において同様になるということを確
実にする。

【００３７】本願発明のターゲットアノードは、種々の
材料から形成することができる。前記種々の材料として
は、例えば、チタン、タングステン、又は、高速度の電
子が衝突したときに十分なＸ線を発生させることができ
る任意の同様な金属材料が挙げられる。前記ターゲット
は、ロジウム、プラチナ、モリブデン、クロム、タング
ステン、またはチタンで形成することが好ましい。ター
ゲットを二重にしたスプリットフィラメント装置の場合
には、ターゲットは、ロジウム−クロムまたはロジウム
−タングステンからなる二重のターゲットのうような組
み合わせ式のもので形成することができる。

【００３８】多くのＸ線管において、アノード基板は、
典型的に、銅又はその合金から形成されている。という
のは、コストが低いことと、熱伝導率（熱伝導性）が高
いからである。もっとも、他の材料を用いることもでき
る。ターゲットは、典型的には、一定の原子番号の材料
から形成されていることから、前記ターゲットの原子番
号は、典型的に、前記基板の原子番号とは異なる。前記
基板が合金である場合、前記原子番号は、前記合金の成
分の原子番号の重みつき平均となるということが理解さ
れる。例えば、例示的な実施例において、前記アノード
基板は、銅の原子番号と異なる原子番号を有している。
また、前記アノードターゲット面は、前記複数の金属の
一つに等しい原子番号を有している。前記複数の金属と
しては、ロジウム、プラチナ、モリブデン、クロム、チ
タン、タングステン、又はそれらの組み合わせが挙げら
れる。

【００３９】本願発明は、その精神や必須の特徴から離
れることなしに、他の一定の形態で具体化することもで
きる。上述した実施例は、全ての点で例証されたものと
して考えるべきであり、また、それらに限定されるもの
ではないと考えるべきである。そのため、本願発明の範
囲は、前記説明によってというよりも、請求の範囲によ
って示されている。請求の範囲と均等な意味ないし均等
な範囲の全ての変更は、請求の範囲内に包含される。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、アノードが、アノード基板の一端に配
置されたターゲットアノード面を備えた固定アノードア
ッセンブリである、従来技術のＸ線装置の断面正面図で
ある。

【図２】図２は、本願発明の教示に従って構成された固
定アノードアッセンブリの好適な本実施例の断面正面図
である。

【図３】図３は、アノードターゲットが、半円のプロフ
ァイル（輪郭）を有するエッジを備えた、アノードター
ゲットオーバーハングの詳細な実施例の断面正面図であ
る。

【図４】図４は、アノードターゲットが、４分の１円形
のプロファイルを有するエッジを備えた、アノードター
ゲットオーバーハングの別の詳細な実施例の断面正面図
である。

【図５】図５は、アノードターゲットオーバーハングの
さらに別の詳細な実施例の断面正面図であって、アノー
ドターゲットが、丸みをつけたエッジを備えた矩形のプ
ロファイルを有するエッジを含んでいる断面正面図であ
る。

【図６】図６は、アノードターゲットが、三角形形状の
エッジを備えた、アノードターゲットオーバーハングの
別の詳細な実施例の断面正面図である。

【図７】図７は、アノードターゲットが、丸みが付けら
れた先端を有する三角形形状を備えた、アノードターゲ
ットオーバーハングのさらに別の詳細な実施例の断面正
面図である。

【図８】図８は、アノードアッセンブリの一つの好適な
実施例の断面正面図であって、アノードターゲットが、
円錐形の窪みを形成する適合した凹状の輪郭を有する面
を備えている断面正面図である。

【図９】図９は、アノードアッセンブリの別の実施例の
断面正面図であって、アノードターゲットが、曲線のあ
る窪みを形成する適合した凹状の輪郭を有する面を備え
ている断面正面図である。

【図１０】図１０は、アノードアッセンブリのさらに別
の実施例の断面正面図であって、アノードターゲット
が、截頭円錐形の窪みを形成する適合した凹状の輪郭を
有する面を備えている断面正面図である。

【図１１】図１１は、好適なアノードアッセンブリの一
例の断面正面図であって、アノードターゲットが、円錐
形の窪みを形成する適合した凹状の輪郭を有する面を備
えており、また、アノードターゲットが、ターゲット端
でのアノード基板よりも大きな特有の寸法を有してい
る、断面正面図である。

【図１２】図１２は、別のアノードアッセンブリの断面
正面図であって、アノードターゲットが、曲線から成る
の窪みを形成する適合した凹状の輪郭を有する面を備え
ており、また、アノードターゲットが、ターゲット端で
のアノード基板よりも大きな特有の寸法を有している、
断面正面図である。

【図１３】図１３は、さらに別の固定アノードアッセン
ブリの断面正面図であって、アノードターゲットが、截
頭円錐形の窪みを形成する適合した凹状の輪郭を有する
面を備えており、また、アノードターゲットが、ターゲ
ット端でのアノード基板の特有の寸法よりも大きな特有
の寸法を有している、断面正面図である。

【図１４】図１４は、別の固定アノードアッセンブリの
断面正面図であって、アノードターゲットが、ソリッド
シリンダーの変位によって形成可能な窪みを形成する断
面正面図である。

【符号の説明】

８Ｘ線管装置１０固定ア
ノードアッセンブリ１２アノード基板１４アノー
ドターゲット１６ターゲット端１８ろう付けインターフェース（ろう付け層）２０面２２電子流２４シールド２４カソード
シールド２５フィラメント２６Ｘ線（一
次的なＸ線ビーム）２８窓３０二次的な
電子流３２逸脱したＸ線ビーム３６オーバーハング部分（部分ボックス）４６中線１１０固定ア
ノードアッセンブリ１１２下にあるアノード基板１１３外面１１４アノードターゲット１２０ターゲ
ット面１２５フィラメント１３４ターゲ
ットの露出された下側１３４露出された下側部分１３８反対の
側部１３８一方の側部１４０エッジ１４１下方のエッジ２１４アノー
ドターゲット２２０面２３４露出し
た下側２３８側部３１４アノー
ドターゲット３２０面３３４露出し
た下側３３８側部３３８４分の１円形の弧として形成された側部３４１下方のエッジ４１４アノー
ドターゲット４２０面４４０凸状の
円形の弧４４０エッジ４４０５１４アノー
ドターゲット５２０面５３４下側５３８側部５４０鋭角な
エッジ５４１下方のエッジ６３４下側６４１下方のエッジ６４２鋭角な
エッジ８１０固定アノードアッセンブリ８１２アノー
ド基板８１４アノードターゲット８２０面８４４窪み９１０アノー
ドアッセンブリ９１４アノードターゲット９２０面９４０エッジ９４４曲線の
ある窪み１０２０ターゲット面１０４４窪み１４１４ターゲット１４２０ター
ゲット面１４４６中線１４６０マイ
クロシース

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｘ線管で使用するための固定アノードア
ッセンブリであって、前記固定アノードアッセンブリ
は、外面を有するアノード基板構造体を備えており、前記ア
ノード基板構造体は、第１の原子番号を有する材料から
構成されており、前記固定アノードアッセンブリは、また、前記アノード基板構造体のターゲット端に取り付けられ
たアノードターゲット構造体を備えており、前記アノー
ドターゲット構造体は、前記第１の原子番号とは異なる
第２の原子番号を有する材料から構成されたターゲット
面を有しており、前記固定アノードアッセンブリは、さらに、アノードターゲットオーバーハングを備えており、前記
アノードターゲットオーバーハングは、前記アノード基
板構造体の外面を越えて伸長する態様で前記アノードタ
ーゲット構造体の一部として形成されていることを特徴
とする固定アノードアッセンブリ。
【請求項２】請求項１に記載の固定アノードアッセン
ブリにおいて、前記アノードターゲットオーバーハングは、矩形のプロ
ファイルを有するエッジを備えていることを特徴とする
固定アノードアッセンブリ。
【請求項３】請求項１に記載の固定アノードアッセン
ブリにおいて、前記アノードターゲットオーバーハングは、矩形のプロ
ファイルを有しており、前記オーバーハングの少なくと
も一つのコーナーが、丸みをつけられていることを特徴
とする固定アノードアッセンブリ。
【請求項４】請求項１に記載の固定アノードアッセン
ブリにおいて、前記アノードターゲットオーバーハングは、半円のプロ
ファイルを有するエッジを備えていることを特徴とする
固定アノードアッセンブリ。
【請求項５】請求項１に記載の固定アノードアッセン
ブリにおいて、前記アノードターゲットオーバーハングは、三角形のプ
ロファイルを有するエッジを備えていることを特徴とす
る固定アノードアッセンブリ。
【請求項６】請求項１に記載の固定アノードアッセン
ブリにおいて、前記アノードターゲット構造体は、さらに、実質的に前
記アノードターゲットの中心に向いた方向に、リバウン
ドした電子を案内するための手段を備えていることを特
徴とする固定アノードアッセンブリ。
【請求項７】請求項６に記載の固定アノードアッセン
ブリにおいて、リバウンドした電子を案内するための前記手段は、前記
アノードターゲットに形成された輪郭付きの面を備えて
いることを特徴とする固定アノードアッセンブリ。
【請求項８】請求項７に記載の固定アノードアッセン
ブリにおいて、前記アノードターゲットに形成された輪郭付きの面は、
実質的に凹状の形状をしていることを特徴とする固定ア
ノードアッセンブリ。
【請求項９】請求項７に記載の固定アノードアッセン
ブリにおいて、前記アノードターゲットに形成された輪郭付きの面は、
円弧の形状のプロファイルを有していることを特徴とす
る固定アノードアッセンブリ。
【請求項１０】請求項７に記載の固定アノードアッセ
ンブリにおいて、前記アノードターゲットに形成された輪郭付きの面は、
放物線状の弧の形状のプロファイルを有していることを
特徴とする固定アノードアッセンブリ。
【請求項１１】請求項７に記載の固定アノードアッセ
ンブリにおいて、前記アノードターゲットに形成された輪郭付きの面は、
円錐形の形状のプロファイルを有していることを特徴と
する固定アノードアッセンブリ。
【請求項１２】請求項１に記載の固定アノードアッセ
ンブリにおいて、前記アノード基板は、リバウンドした電子の衝突から生
じる逸脱したＸ線の発生を減少させるための手段を備え
ていることを特徴とする固定アノードアッセンブリ。
【請求項１３】請求項１２に記載の固定アノードアッ
センブリにおいて、逸脱したＸ線の発生を減少させるための前記手段は、前
記アノード基板の外面の少なくとも一部に設けられた材
料層を備えており、前記材料層は、前記アノードターゲ
ットに用いられる材料の層に等しい原子番号を有してい
る金属を備えていることを特徴とする固定アノードアッ
センブリ。
【請求項１４】Ｘ線管であって、電子ビームの形態で電子を放出することができる、電気
的に加熱されるフィラメントを有するカソードアッセン
ブリと、前記電子ビームが衝突する面を備えた固定アノードター
ゲットを有する固定アノードアッセンブリとを備えてお
り、前記アノードアッセンブリは、前記衝突した電子ビ
ームの結果としてＸ線ビームを放出し、前記電子ビーム
の少なくとも一つの電子は、前記アノードターゲット面
に衝突したとき、当該アノードターゲット面でリバウン
ドし、前記Ｘ線管は、また、前記少なくとも一つのリバウンド
した電子を、実質的に前記アノードターゲット面の中心
に向いた方向に案内するための手段を備えていることを
特徴とするＸ線管。
【請求項１５】請求項１４に記載のＸ線管において、前記アノードターゲットは、アノード基板構造体のター
ゲット端に取り付けられていることを特徴とするＸ線
管。
【請求項１６】請求項１４に記載のＸ線管において、リバウンドした電子を案内するための前記手段は、前記
アノードターゲット面に形成された輪郭付きの面を備え
ていることを特徴とするＸ線管。
【請求項１７】請求項１６に記載のＸ線管において、前記アノードターゲット面に形成された輪郭付きの面
は、実質的に凹状の形状をしていることを特徴とするＸ
線管。
【請求項１８】請求項１６に記載のＸ線管において、前記アノードターゲット面に形成された輪郭付きの面
は、円弧の形状のプロファイルを有していることを特徴
とするＸ線管。
【請求項１９】請求項１６に記載のＸ線管において、前記アノードターゲット面に形成された輪郭付きの面
は、放物線状の弧の形状のプロファイルを有しているこ
とを特徴とするＸ線管。
【請求項２０】請求項１６に記載のＸ線管において、前記アノードターゲット面に形成された輪郭付きの面
は、円錐形の形状のプロファイルを有していることを特
徴とするＸ線管。
【請求項２１】請求項１６に記載のＸ線管において、前記アノードターゲット面に形成された輪郭付きの面
は、円筒形の形状のプロファイルを有していることを特
徴とするＸ線管。
【請求項２２】請求項１４に記載のＸ線管において、さらに、前記アノードターゲットの一部として形成され
たアノードターゲットオーバーハングを備えており、前
記アノードターゲットオーバーハングは、前記下にある
アノード基板を越えて伸長しており、それによって、前
記リバウンドした電子の少なくともいくつかが前記アノ
ード基板に衝突するのを防止できることを特徴とするＸ
線管。
【請求項２３】請求項１４に記載のＸ線管において、さらに、前記アノードターゲットの一部として形成され
たアノードターゲットオーバーハングを備えており、前
記アノードターゲットオーバーハングは、前記下にある
アノード基板を越えて伸長しており、それによって、前
記アノード基板で発生したＸ線のうちの少なくともいく
つかが、前記Ｘ線管から放出されるのを遮断できること
を特徴とするＸ線管。
【請求項２４】Ｘ線管であって、電子ビームの形態で電子を放出することができる、電気
的に加熱されるフィラメントを有するカソードアッセン
ブリと、下にあるアノード基板部に取り付けられた固定アノード
ターゲット部を有する固定アノードアッセンブリとを備
えており、前記アノードターゲット部は、前記電子ビー
ムが衝突するターゲット面を有しており、前記アノード
アッセンブリは、前記衝突した電子ビームの結果として
Ｘ線ビームを放出し、前記電子ビームの複数の電子は、
前記アノードターゲット面に衝突したとき、当該アノー
ドターゲット面でリバウンドし、前記Ｘ線管は、また、前記複数のリバウンドした電子のうちの少なくともいく
つかが、前記下にあるアノード基板に衝突するのを防止
するための防止手段と、前記複数のリバウンドした電子のうちの少なくともいく
つかを、実質的に前記アノードターゲット面の中心に向
いた方向に案内するための案内手段とを備えていること
を特徴とするＸ線管。
【請求項２５】請求項２４に記載のＸ線管において、前記防止手段は、前記アノードターゲットの一部として
形成されたアノードターゲットオーバーハングを備えて
おり、前記アノードターゲットと前記オーバーハングは、共
に、前記下にある基板の直径よりも大きな直径を有して
いることを特徴とするＸ線管。
【請求項２６】請求項２４に記載のＸ線管において、リバウンドした電子を案内するための前記案内手段は、
前記アノードターゲット面に形成された輪郭付きの面を
備えていることを特徴とするＸ線管。
【請求項２７】請求項２４に記載のＸ線管において、さらに、前記アノード基板部で発生した逸脱したＸ線ビ
ームを遮断するための手段を備えていることを特徴とす
るＸ線管。
【請求項２８】固定アノードアッセンブリであって、ターゲット端を有するアノード基板を備えており、前記
ターゲット端は、外面によって境界が付けられた第１の
直径を有しており、前記固定アノードアッセンブリは、また、前記アノード基板のターゲット端に配置されたアノード
ターゲットを備えており、前記アノードターゲットは、
前記第１の直径よりも大きな第２の直径を有しており、
それによって、前記アノードターゲットは、前記基板の
外面を越えて伸長していることを特徴とする固定アノー
ドアッセンブリ。
【請求項２９】請求項２８に記載の固定アノードアッ
センブリにおいて、前記アノード基板は、第１の原子番号を有する材料を備
えており、前記アノードターゲットは、前記第１の原子番号とは異
なる第２の原子番号を有する材料を備えていることを特
徴とする固定アノードアッセンブリ。
【請求項３０】請求項２９に記載の固定アノードアッ
センブリにおいて、前記第２の原子番号は、前記第１の原子番号よりも大き
いことを特徴とする固定アノードアッセンブリ。
【請求項３１】請求項２８に記載の固定アノードアッ
センブリにおいて、前記アノードターゲットは、さらに、凸状の輪郭を有す
るターゲット面を備えていることを特徴とする固定アノ
ードアッセンブリ。