JP2001148173A - ヘッドのロード／アンロード制御方法及び記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 記憶媒体を読み取るヘッドを、記憶媒体の外
に退避するヘッドのロード／アンロード制御方法及び記
憶装置に関し、最適なアンロード動作を実現する。 【解決手段】 記憶媒体６と、ヘッド４と、アクチュエ
ータ３と、制御回路とを有する記憶装置において、アク
セスが無い状態の継続時間が、アンロード開始時間に到
達した時に、ヘッド４を記憶媒体６外に退避する。この
アンロード開始時間を、可変にし、装置の状況に応じ
て、変更する。このため、装置の状況に応じて、最適な
アンロード動作が可能となり、装置寿命、アクセスタイ
ム、耐衝撃性のバランスのとれたアンロード動作が可能
となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記憶媒体を読み取
るヘッドを、不必要な時に、記憶媒体外に退避するため
のヘッドのロード／アンロード制御方法及び記憶装置に
関する。

【０００２】記憶媒体を読み取るヘッドを有する記憶装
置は、広く利用されている。例えば、コンピュータの記
憶装置として、利用されている磁気ディスクドライブ
は、磁気ディスクと、磁気ディスクをリード／ライトす
るヘッドと、磁気ディスクのトラックにヘッドを位置つ
けるＶＣＭアクチュエータとを備えている。このディス
クドライブの記録密度が飛躍的に増大している。このた
めの小型のディスクドライブが開発されている。小型の
ディスクドライブは、単独で携帯可能であり、又、携帯
可能なハンドヘルドコンピュータの外部記憶装置にも利
用されている。

【０００３】

【従来の技術】ハードディスク装置は、磁気ディスク
と、磁気ヘッドと、ＶＣＭアクチュエータと、フレクチ
ャ（サスペンション）とを備えている。このハードディ
スク装置では、近年の磁気ディスクの高密度化に伴い、
磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上量が小さくなっ
ている。このため、若干の振動でも、磁気ヘッドと磁気
ディスクが接触し、両者を損傷する。

【０００４】これを防止するため、磁気ディスクの外側
の位置に、ランプ部材を設け、非動作時に、ヘッドをこ
のランプ部材の位置に、退避する動作（これをアンロー
ド動作という）を行うハードディスク装置が提案されて
いる（例えば、特開平６ー６０５７８号公報等）。

【０００５】近年のハードディスク装置や、これを内蔵
する電子装置（コンピュータ等）は、携帯されるように
なっている。このため、ハードディスク装置は、外部か
ら振動を受けやすい環境で使用される。又、電子装置
は、電池駆動されるため、電源容量が限られている。こ
のため、消費電力を低減することが望まれている。

【０００６】この要求に応じて、従来のかかる記憶装置
では、アクセス（入出力コマンド）が継続して到来しな
い継続時間を計数し、継続時間が所定時間に到達した時
に、前述のアンロード動作を行い、ヘッドを磁気ディス
クから退避することが行われていた。この方法は、アク
セスが所定時間ない時に、ヘッドを磁気ディスクから退
避するため、外部から振動が与えられても、損傷を防止
できる。又、ランプ部材で機械的に支持されているた
め、ＶＣＭに駆動電流を流す必要がないので、消費電力
を低減できる。又、アクセスが到来した時は、ヘッドを
ランプ部材から磁気ディスクに復帰する（これをロード
という）ことにより、使用時のみヘッドをロードする。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術では、次の問題があった。 (1) 従来の技術では、アクセスがなくなってからアンロ
ードを開始するまでの所定時間は、固定であった。この
所定時間は、できるだけ不必要な時は、アンロードして
おくとの要請から、短時間（例えば、３秒間）であっ
た。このため、アンロード動作は頻繁に行われる。この
アンロード及びロード動作は、ランプ部材と、ヘッド部
分が慴動するため、ランプ部材が磨耗し易く、寿命が短
いという問題があった。一般に、ランプ部材は、ヘッド
等の金属部材を磨耗しないように、合成樹脂等の非金属
部材で形成されるため、慴動により削られる。ランプ部
材は、初期には表面が平滑であるため、慴動によるチリ
の発生は少ないが、慴動により削れてくると、表面が凸
凹となり、慴動により比較的大きな固まりが削りとられ
る。この大きなチリが、ディスクやヘッドに付着して、
データエラーを頻発する。このような状態になる前に、
ランプ部材の寿命を設定する必要がある。例えば、約３
０万回と言われている。前述の如く、耐衝撃性を向上す
るため、ロード／アンロードが頻繁に行うと、ランプ部
材の寿命に速く到達する。ハードディスク装置等の小型
の記憶装置では、部品が極めて微細なため、ランプ部材
のみの交換は、殆ど不可能である。このため、ランプ部
材が寿命に到達すると、装置自体も寿命とせざる得ず、
ランプ部材が速く寿命に到達することにより、装置の寿
命が短くなるという問題があった。 (2) 又、所定時間が固定値のため、使用環境やアクセス
状況によっては、アクセスタイムが低下するという問題
もあった。 (3) 更に、所定時間が固定値のため、使用環境やアクセ
ス状況によっては、消費電力の低下の効果が得られない
という問題もあった。

【０００８】本発明の目的は、装置の状況に応じて、適
切なアンロード動作を行うためのヘッドのロード／アン
ロード制御方法及び記憶装置を提供するにある。

【０００９】本発明の他の目的は、アンロード動作して
も、装置の寿命を長くするためのヘッドのロード／アン
ロード制御方法及び記憶装置を提供するにある。

【００１０】本発明の更に他の目的は、アンロード動作
しても、アクセスタイムの低下を防止するためのヘッド
のロード／アンロード制御方法及び記憶装置を提供する
にある。

【００１１】本発明の更に他の目的は、アンロード動作
しても、消費電力を更に低減するためのヘッドのロード
／アンロード制御方法及び記憶装置を提供するにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この目的の達成のため、
本発明のヘッドのロード／アンロード制御方法は、アク
セスコマンドが到来しない時間が所定時間継続した時
に、ヘッドを、記憶媒体外の位置にアンロードするステ
ップと、前記アクセスコマンドの到来により、前記ヘッ
ドを前記記憶媒体にロードするステップと、装置の状況
に応じて、前記所定時間を変更するステップとを有す
る。

【００１３】この態様では、従来固定値であった所定時
間（アンロード開始時間）を、可変にし、装置の状況に
応じて、変更するようにした。このため、装置の状況に
応じて、最適なアンロード動作が可能となる。即ち、装
置寿命、アクセスタイム、耐衝撃性のバランスのとれた
アンロード動作が可能となる。

【００１４】本発明の他の態様は、変更するステップ
は、アンロード回数を計数するステップと、アンロード
回数が所定値を越えた時に、前記所定時間を変更するス
テップとを有する。この態様では、アンロード回数に応
じて、所定時間を変更するため、アンロード動作して
も、耐衝撃性を保持しつつ、装置寿命を長くすることが
できる。

【００１５】本発明の他の態様は、以下の通りである。

【００１６】変更するステップは、装置へのアクセスの
状況に応じて、前記所定時間を変更するステップからな
る。この態様では、アクセス状況に応じて、所定時間を
変更するため、アンロード動作しても、アクセスタイム
の低下を最小とすることができ、且つ消費電力も低減で
きる。

【００１７】変更するステップは、装置の環境に応じ
て、前記所定時間を変更するステップからなる。装置の
環境、例えば、装置の置かれた場所、温度、衝撃の頻
度、バッテリーの残量等に応じて、所定時間を変更する
ため、耐衝撃性の向上、温度上昇の低下、消費電力の低
減等の効果を増加できる。

【００１８】本発明の記憶装置は、記憶媒体を少なくと
も読み取るヘッドと、前記ヘッドを位置つけるアクチュ
ータと、前記記憶媒体外の位置に設けられ、前記ヘッド
を支持するランプ機構と、アクセスコマンドが到来しな
い時間が所定時間継続した時に、前記ヘッドを、前記記
憶媒体外のランプの位置にアンロードし、且つ前記アク
セスコマンドの到来により、前記ヘッドを前記記憶媒体
にロードする制御手段とを有し、前記制御手段は、前記
装置の状況に応じて、前記所定時間を変更する。

【００１９】この態様では、従来固定値であった所定時
間（アンロード開始時間）を、可変にし、装置の状況に
応じて、変更するようにした。このため、装置の状況に
応じて、最適なアンロード動作が可能となる。即ち、ア
クセスタイムと耐衝撃性との両立が可能なアンロード動
作が可能となる。

【００２０】記憶媒体を少なくとも読み取るヘッドと、
前記ヘッドを位置づけるアクチュエータと、前記記憶媒
体以外の位置に設けられ、前記ヘッドを支持するランプ
部材と、アクセスコマンドが到来しない時間が所定時間
継続したとき、前記ヘッドを前記ランプ部材の位置にア
ンロードする制御手段と、前記アンロードの回数を計数
するカウンタと、を有することを特徴とする記憶装置。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、記憶装置、ロー
ド／アンロード処理に分けて、説明する。

【００２２】・・記憶装置・・ 図１は、本発明の一実施の態様の記憶装置の上面図、図
２は、その記憶装置の断面図、図３及び図４は、そのラ
ンプ部材の構成図、図５は、記憶装置のブロック図であ
る。この例では、記憶装置として、ハードディスク装置
を例にしてある。

【００２３】図１及び図２に示すように、磁気ディスク
６は、基板（円板）に磁気記録層を設けて構成される。
磁気ディスク６は、２．５インチの大きさであり、ドラ
イブ内に、３枚設けられている。スピンドルモータ５
は、磁気ディスク６を支持し、且つ回転する。磁気ヘッ
ド４は、アクチュエータに設けられている。アクチュエ
ータは、回転型ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）３と、ア
ーム８と、フレクチャー（サスペンション）９を有す
る。フレクチャー９の先端に、磁気ヘッド４が取り付け
られている。

【００２４】磁気ヘッド４は、磁気ディスク６のデータ
を読み取り、データを書き込む。アクチュエータ３は、
磁気ヘッド４を磁気ディスク６の所望のトラックに位置
付ける。アクチュエータ３及びスピンドルモータ５は、
ドライブベース２に設けられる。カバー１は、ドライブ
ベース２を覆い、ドライブ内部を外部から隔離する。プ
リント板７は、ドライブベース２の下に設けられ、ドラ
イブの制御回路を搭載する。コネクタ１０は、ドライブ
ベース２の下に設けられ、制御回路と外部とを接続す
る。

【００２５】このドライブは、小型であり、横、９０ｍ
ｍ、縦、６３ｍｍ、幅、１０ｍｍ程度である。従って、
ノートパソコンの内蔵ディスクとして使用される。

【００２６】図１に示すように、ドライブベース２内の
磁気ディスク６の外に、ランプ部材１１が設けられてい
る。ランプ部材１１は、合成樹脂で形成され、ヘッドの
アンロード時に、ヘッドを支持するものである。図４に
示すように、磁気ヘッド４を支持するサスペンション９
の先端に、リフトタブ１２が設けられている。リフトタ
ブ１２が、ランプ部材１１に接触する。図３に示すよう
に、ランプ部材１１は、斜面１１ー１と、凹み１１ー２
とを有する。この斜面１１ー１は、磁気ディスク６から
ヘッド４を滑らかにランプ部材１１に移動するために設
けられている。凹み１１ー２は、アンロード時に、リフ
トタブ１２を機械的に固定するために、設けられてい
る。

【００２７】図５は、プリント板７及びドライブ内に設
けられた制御回路のブロック図である。

【００２８】ＨＤＣ（ハードディスクコントローラ）１
８は、ホストＣＰＵの各種コマンドの授受、データの授
受等のホストＣＰＵとのインターフェース制御及び磁気
ディスク媒体上の記録再生フォーマットを制御するため
の磁気ディスク装置内部の制御信号の発生等を行う。バ
ッファ１７は、ホストＣＰＵよりのライトデータの一時
的な記憶及び磁気ディスク媒体よりのリードデータの一
時的な記憶に使用される。

【００２９】ＭＣＵ（マイクロコントローラ）１９は、
マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）等で構成されている。Ｍ
ＣＵ（以下、ＭＰＵという）１９は、磁気ヘッドの位置
決めのためのサーボ制御等を行う。ＭＰＵ１９は、メモ
リに記憶されたプログラムを実行して、サーボ復調回路
１６よりの位置信号の認識、ＶＣＭ駆動回路１３のＶＣ
Ｍ制御電流の制御、ＳＰＭ駆動回路１４の駆動電流の制
御を行う。

【００３０】ＶＣＭ駆動回路１３は、ＶＣＭ（ボイスコ
イルモータ）３に駆動電流を流すためのパワーアンプで
構成される。ＳＰＭ駆動回路１４は、磁気ディスクを回
転するスピンドルモータ（ＳＰＭ）５に駆動電流を流す
ためのパワーアンプで構成される。

【００３１】リードチャネル１５は、記録再生を行うた
めの回路である。リードチャネル１５は、ホストＣＰＵ
よりのライトデータを磁気ディスク媒体６に記録するた
めの変調回路、パラレルシリアル変換回路、磁気ディス
ク媒体６よりデータを再生するための復調回路、シリア
ルパラレル変換回路等を有する。サーボ復調回路１６
は、磁気ディスク媒体６に記録されたサーボパターンを
復調する回路であり、ピークホールド回路、積分回路等
を有する。

【００３２】尚、図示されていないが、ドライブＨＤＡ
内には、磁気ヘッド４に記録電流を供給するライトアン
プと、磁気ヘッド４よりの再生電圧を増幅するプリアン
プとを内蔵したヘッドＩＣが設けられている。

【００３３】図１に示すように、ロード／アンロード制
御は、ＭＰＵ１９が行う。即ち、ロード時は、磁気ヘッ
ド４は、磁気ディスク６上に位置する。アンロード指令
を受けると、ＶＣＭ３は、アウターストッパー位置まで
速度制御される。速度は、ＶＣＭ３の逆起電圧から検出
される。これにより、リフトタブ１２は、ランプ部材１
１の斜面１１ー１にガイドされ、凹み１１ー２に向か
い、慴動移動し、凹み１１ー２に収容される。このた
め、図１の位置Ｐ０に示すように、ヘッド４は、磁気デ
ィスク６の外の位置で保持される。

【００３４】この位置では、ヘッド４は、磁気ディスク
６と対向しないため、衝撃が与えられても、磁気ヘッド
４と、磁気ディスク６とが衝突することがない。又、磁
気ヘッド４は、機械的に保持されているため、衝撃によ
り、磁気ヘッド４が振動することもない。これにより、
衝撃耐久性を向上できる。又、機械的に保持しているた
め、ＶＣＭ３に電流を流す必要がない。これにより、消
費電力を低減できる。

【００３５】更に、超小型の記憶装置では、各部品が高
密度で配置されているため、放熱が難しい。この位置で
は、ＶＣＭ３に電流を流さないため、装置の温度上昇を
防止できる。

【００３６】一方、ロードコマンドが到来すると、ＶＣ
Ｍ３は、ヘッド４を磁気ディスク６の方向に駆動する。
このため、リフトタブ１２は、ランプ部材１１の凹み１
１ー２から斜面１１ー１を慴動して、磁気ディスク６方
向に移動する。これにより、磁気ヘッド４は、磁気ディ
スク６上に復帰する。このため、磁気ヘッド４による磁
気ディスク６のリード／ライトが可能となる。尚、図１
の位置Ｐ１は、ドライブの組立て時のアクチュエータの
位置である。

【００３７】ここでは、記憶装置として、磁気ディスク
装置を例に説明しているが、ＤＶＤ、ＭＯ等の光ディス
ク装置や、磁気カード装置、光カード装置等を用いても
良く、リード／ライト可能な装置で示しているが、リー
ドオンリーの装置（再生装置）を用いても良い。

【００３８】・・ロード／アンロード処理・・ 図６は、本発明の一実施の形態のロード／アンロード処
理フロー図、図７は、その動作説明図である。

【００３９】（Ｓ１）ＭＰＵ１９は、入出力コマンド処
理が終了すると、アンロード開始タイミングカウンタＣ
ｎｔを「０」に初期化する。

【００４０】（Ｓ２）ＭＰＵ１９は、ホストから入出力
コマンド（リードコマンド、ライトコマンド）が到来し
たかを判定する。ＭＰＵ１９は、入出力コマンドが到来
したと判断すると、ステップＳ１０のコマンド実行処理
に進む。

【００４１】（Ｓ３）ＭＰＵ１９は、ホストから入出力
コマンド（リードコマンド、ライトコマンド）が到来し
ていないと判断すると、カウンタＣｎｔを「１」インク
リメントする。このカウンタＣｎｔは、入出力コマンド
が到来しない継続時間を示す。

【００４２】（Ｓ４）ＭＰＵ１９は、カウンタＣｎｔ
が、アンロード開始時間Ｂより大きいかを判定する。カ
ウンタＣｎｔが、アンロード開始時間Ｂより大きくない
場合は、継続時間が、開始時間に到達していないため、
ステップＳ２に戻る。

【００４３】（Ｓ５）ＭＰＵ１９は、カウンタＣｎｔ
が、アンロード開始時間Ｂより大きい場合は、継続時間
が、開始時間に到達しているため、アンロードを実行す
る。前述のように、ＶＣＭ３の逆起電圧を検出して、速
度制御し、アウター位置に、駆動する。これにより、前
述したように、リフトタブ１２が、ランプ部材１１の凹
み１１ー２に位置つけられ、ヘッド４は、磁気ディスク
６の外の図１のＰ０の位置に位置する。リフトタブ１２
が、ランプ部材１１の凹み１１ー２に位置するため、機
械的に保持され、ＶＣＭ３に駆動電流を流す必要がな
い。

【００４４】（Ｓ６）次に、ＭＰＵ１９は、アンロード
実行回数Ｃを「１」インクリメントする。更に、アンロ
ード実行回数Ｃが、設定変更回数Ｄを越えているかを判
定する。

【００４５】（Ｓ７）アンロード実行回数Ｃが、設定変
更回数Ｄを越えている場合には、アンロード開始時間Ｂ
をＢ（Ｌ）に変更する。

【００４６】（Ｓ８）このアンロード状態において、Ｍ
ＰＵ１９は、ホストから入出力コマンド（リードコマン
ド、ライトコマンド）が到来していないかを判定する。
到来していない時は、ホストからのコマンド待ちとな
る。

【００４７】（Ｓ９）アンロード状態において、ＭＰＵ
１９は、入出力コマンドが到来したと判断すると、ロー
ド処理を実行する。即ち、ＭＰＵ１９は、ＶＣＭ３によ
り、ヘッド４を磁気ディスク６の方向に駆動する。ＭＰ
Ｕ１９は、ＶＣＭ３の逆起電圧から速度を検出して、Ｖ
ＣＭ３を速度制御する。このため、リフトタブ１２は、
ランプ部材１１の凹み１１ー２から斜面１１ー１を経
て、磁気ディスク６方向に移動する。これにより、磁気
ヘッド４は、磁気ディスク６上に復帰する。

【００４８】（Ｓ１０）ＭＰＵ１９は、到来した入出力
コマンドを実行する。即ち、ＭＰＵ１９は、サーボ復調
回路１６よりの位置信号の認識し、ＶＣＭ駆動回路１３
のＶＣＭ制御電流を制御し、磁気ヘッド４を磁気ディス
ク６の指定されたトラックに位置つけする。ＨＤＣ１８
は、磁気ヘッド４を介して磁気ディスク６にリード／ラ
イト動作を行う。そして、ステップＳ１に戻る。

【００４９】図７に示すように、アンロード回数が、設
定変更回数Ｄまでは、アンロード開始時間は、短い
「Ｂ」に設定されている。このため、コマンドがないと
直ちに、アンロードするため、衝撃耐久性が大きく、消
費電力は低減する。又、このように頻繁にアンロードし
ても、前述のように、ランプ部材１１からのチリの発生
は少なく、安定したリード／ライト動作が可能である。

【００５０】一方、アンロード回数が、設定変更回数Ｄ
を越えると、アンロード開始時間は、長い「Ｂ（Ｌ）」
に変更される。長い時間、コマンド無し状態が継続しな
いと、アンロードを開始しない。このため、アンロード
動作が頻繁に起きることを防止できる。前述の如く、ラ
ンプ部材１１が磨耗すると、ちりが発生し、リード／ラ
イトが困難となるため、ちりが発生する程度に磨耗する
前に、アンロード頻度を低下し、装置の寿命を長くす
る。この場合でも、アンロード動作は行われるため、衝
撃耐久性、低消費電力を維持することができる。

【００５１】以上の説明では、アンロード開始時間を、
２段階の変更を示しているが、３段階以上であってもよ
い。又、ランプ部材１１の磨耗の程度を、アンロード回
数により、測定しているが、ロード回数であっても、ロ
ード及びアンロード回数であっても良い。

【００５２】図８は、本発明の他の実施の態様のロード
／アンロード処理フロー図、図９は、その動作説明図で
ある。

【００５３】（Ｓ１１）ＭＰＵ１９は、入出力コマンド
処理が終了すると、コマンド無し測定用タイマーＡを起
動する。タイマーＡは、入出力コマンドが到来しない継
続時間を示す。

【００５４】（Ｓ１２）ＭＰＵ１９は、ホストから入出
力コマンド（リードコマンド、ライトコマンド）が到来
したかを判定する。ＭＰＵ１９は、入出力コマンドが到
来したと判断すると、ステップＳ２０のコマンド実行処
理に進む。

【００５５】（Ｓ１３）ＭＰＵ１９は、ホストから入出
力コマンド（リードコマンド、ライトコマンド）が到来
していないと判断すると、タイマーＡの値が、アンロー
ド強制開始時間ｔｆ（固定値）を越えたかを判定する。
アンロード強制開始時間ｔｆについては、後述する図９
により説明する。タイマーＡの値が、アンロード強制開
始時間ｔｆ（固定値）を越えた場合には、ステップＳ１
５に進む。

【００５６】（Ｓ１４）ＭＰＵ１９は、タイマーＡの値
が、アンロード開始設定時間ｔｓより大きいかを判定す
る。タイマーＡの値が、アンロード開始設定時間ｔｓよ
り大きくない場合は、継続時間が、アンロード開始設定
時間に到達していないため、ステップＳ１２に戻る。

【００５７】（Ｓ１５）ＭＰＵ１９は、タイマーＡの値
が、アンロード開始設定時間ｔｓより大きい場合は、継
続時間が、開始時間に到達しているため、アンロードを
実行する。前述のように、ＶＣＭ３を速度制御して、ア
ウター位置に、駆動する。これにより、前述したよう
に、リフトタブ１２が、ランプ部材１１の凹み１１ー２
に位置つけられ、ヘッド４は、磁気ディスク６の外の図
１のＰ０の位置に位置する。リフトタブ１２が、ランプ
部材１１の凹み１１ー２に位置するため、機械的に保持
され、ＶＣＭ３に駆動電流を流す必要がない。

【００５８】（Ｓ１６）次に、ＭＰＵ１９は、タイマー
Ａを停止する。そして、今回の継続時間Ａを加えて、下
記式により、アクセス無し継続時間の平均値ｔａ（Ｎ）
を計算する。尚、下記式において、Ｌｓは、前回までの
アンロード回数の総和であり、ｔａ（Ｎー１）は、前回
のアクセス無し継続時間の平均値である。

【００５９】ｔａ（Ｎ）＝（ｔａ（Ｎー１）×Ｌｓ＋
Ａ）／（Ｌｓ＋１） 次に、この平均値ｔａ（Ｎ）から、アンロード開始設定
時間ｔｓを下記式により、演算し、アンロード開始設定
時間ｔｓを更新する。

【００６０】ｔｓ＝ｔａ（Ｎ）ーα 又はｔｓ＝ｔａ（Ｎ）＋β この式の意味は、後述する図９により説明する。

【００６１】（Ｓ１７）このアンロード状態において、
ＭＰＵ１９は、ホストから入出力コマンド（リードコマ
ンド、ライトコマンド）が到来していないかを判定す
る。到来していない時は、ホストからのコマンド待ちと
なる。

【００６２】（Ｓ１８）アンロード状態において、ＭＰ
Ｕ１９は、入出力コマンドが到来したと判断すると、ロ
ードを実行する。即ち、ＭＰＵ１９は、ＶＣＭ３によ
り、ヘッド４を磁気ディスク６の方向に駆動する。この
ため、リフトタブ１２は、ランプ部材１１の凹み１１ー
２から斜面１１ー１を経て、磁気ディスク６方向に移動
する。これにより、磁気ヘッド４は、磁気ディスク６上
に復帰する。

【００６３】（Ｓ１９）ＭＰＵ１９は、到来した入出力
コマンドを実行する。即ち、ＭＰＵ１９は、サーボ復調
回路１６よりの位置信号の認識し、ＶＣＭ駆動回路１３
のＶＣＭ制御電流を制御し、磁気ヘッド４を磁気ディス
ク６の指定されたトラックに位置つけする。ＨＤＣ１８
は、磁気ヘッド４を介し磁気ディスク６のリード／ライ
ト動作を行う。そして、ステップＳ１１に戻る。

【００６４】この実施例では、アクセス無し継続時間の
平均値に応じて、アンロード開始時間を変更している。
このため、アンロード動作は、アクセスの状況に応じ
て、制御される。これにより、アンロード動作をして
も、アクセスタイムを向上し、又消費電力を低減でき
る。図９に示すように、ステップＳ１６で、設定時間ｔ
ｓを、「ｔａ（Ｎ）ーα」で計算すると、次に予想され
る入出力コマンド時間（平均値）ｔｓより前に、アンロ
ード開始時間が設定される。このため、アクセスのいか
んに係わらず、アンロードされる確率が上昇するため、
消費電力は低減し、ＶＣＭの発熱も防止できる。

【００６５】一方、図９に示すように、ステップＳ１６
で、設定時間ｔｓを、「ｔａ（Ｎ）＋β」で計算する
と、次に予想される入出力コマンド時間（平均値）ｔｓ
を越えないと、アンロードは実行されない。このため、
次に予想される入出力コマンド時間（平均値）ｔｓまで
は、ヘッドが媒体上にオントラックしており、アクセス
タイムの短縮が可能となる。

【００６６】ステップＳ１３で説明したアンロード強制
開始時間ｔｆ（固定値）の意味を説明する。前述のよう
に、アクセス無し継続時間の平均値に応じて、アンロー
ド開始時間を決定すると、継続時間の平均値が長くなる
と、長い期間、アンロードが行われない可能性がある。
このため、固定値のアンロード強制開始時間ｔｆを設
け、アクセス無し継続時間の平均値の値に係わらず、強
制的にアンロードすることにより、長い期間アンロード
が実行されないことを防止する。

【００６７】又、この強制開始時間の代わりに、アクセ
ス無し継続時間の平均値により決定されるアンロード開
始時間の上限を設け、上限内で、アンロード開始時間を
決定することもできる。

【００６８】図１０は、本発明の更に他の実施の形態の
アンロード開始時間の説明図である。図１０は、実線の
パソコン等のバッテリー残量Ｌに応じて、点線のよう
に、アンロード開始時間ｔを変化する様子を示す。

【００６９】バッテリー容量が減少するに従い、各部の
消費電力を低減することが、バッテリー容量を長持ちす
る上で、都合が良い。このため、バッテリー残量に応じ
て、アンロード開始時間ｔを短くする。このため、アン
ロードが頻繁に行われ、アンロードにより、ディスクド
ライブのバッテリーの消費が小さくなる。このため、よ
りバッテリーを長持ちすることができる。

【００７０】この方法としては、ＭＰＵ１９が、パソコ
ンの電源を監視している制御ユニットから、電源の容量
情報を受け、前述と同様に、アンロード開始時間を変更
すると良い。又、アンロードするため、磁気ディスクの
回転を停止しても、磁気ヘッドの吸着を防止できる。こ
のため、磁気ディスクを停止させることにより、ドライ
ブの消費電力を更に低減することができる。

【００７１】又、耐衝撃性をより向上するためには、装
置の衝撃を受ける環境により、アンロード時間を変更す
ることが望ましい。例えば、加速度センサ又は衝撃セン
サーを、ドライブに設け、かかるセンサで衝撃を感知
し、規定値を上回る衝撃が頻繁に検出された時に、アン
ロード開始時間を短くする。これにより、衝撃の多い環
境を検出して、アンロードを頻繁に行い、耐衝撃性を向
上する。

【００７２】同様に、机上で使用されている時は、衝撃
を受ける可能性が少なく、机上以外で使用されている時
（例えば、移動中に使用される場合）は、衝撃を受ける
可能性が少ない。このような設置状況に応じて、アンロ
ード開始時間を変更する。この方法として、例えば、机
上で使用される時は、ＡＣ電源が使用され、机上以外で
使用される場合は、ＤＣ電源が使用される。このため、
ＡＣ電源で使用された場合には、アンロード開始時間を
長くし、ＤＣ電源で使用された場合には、アンロード開
始時間を短くする。ＭＰＵ１９は、パソコンの電源を監
視している制御ユニットから、電源の種類の情報を受
け、前述と同様に、アンロード開始時間を変更する。こ
れにより、耐衝撃性を向上できる。

【００７３】更に、前述のように、ＶＣＭの温度が問題
となる装置では、装置の環境として、ドライブの温度を
検出する温度センサを設け、温度センサの出力に応じ
て、アンロード開始時間を制御することもできる。この
ようにすると、ＶＣＭの温度上昇を防止でき、耐衝撃性
を保ちつつ、リード／ライト性能を一定に維持できる。

【００７４】その他、装置の環境状況に応じて、アンロ
ード開始時間を制御することにより、状況に応じて、要
求される性能を発揮できるアンロード制御が可能とな
る。

【００７５】上述の実施の態様の他に、本発明は、次の
ような変形が可能である。

【００７６】(1) 前述の実施の態様では、磁気ディスク
ドライブのヘッドのアンロード制御について説明した
が、光ディスクドライブのヘッドのヘッドのアンロード
制御等他の記憶装置に適用できる。

【００７７】(2) 同様に、ランプ部材も他の形状のもの
を使用できる。

【００７８】以上、本発明を実施の形態により説明した
が、本発明の主旨の範囲内で種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。

【００７９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次の効果を奏する。

【００８０】(1) 従来固定値であったアンロード開始時
間を、可変にし、装置の状況に応じて、変更するように
したため、装置の状況に応じて、最適なアンロード動作
が可能となる。

【００８１】(2) 即ち、装置寿命、アクセスタイム、耐
衝撃性のバランスのとれたアンロード動作が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の記憶装置の上面図であ
る。

【図２】図１の記憶装置の断面図である。

【図３】図１のランプ部材の断面図である。

【図４】図１のランプ部材の正面図である。

【図５】図１の記憶装置のブロック図である。

【図６】本発明の一実施の形態のロード／アンロード処
理フロー図である。

【図７】図６の処理の動作説明図である。

【図８】本発明の他の実施の形態のロード／アンロード
処理フロー図である。

【図９】図８の処理の動作説明図である。

【図１０】本発明の更に他の実施の形態のアンロード開
始時間の説明図である。

【符号の説明】

３ アクチュエータ ４ 磁気ヘッド ５ スピンドルモータ ６ 磁気ディスク １１ ランプ部材 １９ ＭＰＵ

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D042 AA07 5D076 AA01 BB01 CC05 DD03 EE01 FF05 GG12 5D117 AA02 JJ20

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アクセスコマンドに応じて、記憶媒体か
   らヘッドが少なくともデータを読みだす記憶装置のヘッ
   ドのロード／アンロード制御方法において、 前記アクセスコマンドが到来しない時間が所定時間継続
   した時に、前記ヘッドを、前記記憶媒体外の位置にアン
   ロードするステップと、 前記アクセスコマンドの到来により、前記ヘッドを前記
   記憶媒体にロードするステップと、 前記装置の状況に応じて、前記所定時間を変更するステ
   ップとを有することを特徴とするヘッドのロード／アン
   ロード制御方法。
2. 【請求項２】 請求項１のヘッドのロード／アンロード
   制御方法において、 前記変更するステップは、 前記アンロード回数を計数するステップと、 前記アンロード回数が所定値を越えた時に、前記所定時
   間を変更するステップとを有することを特徴とするヘッ
   ドのロード／アンロード制御方法。
3. 【請求項３】 記憶媒体を少なくとも読み取るヘッド
   と、 前記ヘッドを位置づけるアクチュエータと、 前記記憶媒体以外の位置に設けられ、前記ヘッドを支持
   するランプ部材と、 アクセスコマンドが到来しない時間が所定時間継続した
   とき、前記ヘッドを前記ランプ部材の位置にアンロード
   する制御手段と、 前記アンロードの回数を計数するカウンタと、を有する
   ことを特徴とする記憶装置。
4. 【請求項４】 記憶媒体を少なくとも読み取るヘッド
   と、 前記ヘッドを位置つけるアクチュエータと、 前記記憶媒体外の位置に設けられ、前記ヘッドを支持す
   るランプ部材と、 アクセスコマンドが到来しない時間が所定時間継続した
   時に、前記ヘッドを、前記記憶媒体外の前記ランプ部材
   の位置にアンロードし、且つ前記アクセスコマンドの到
   来により、前記ヘッドを前記記憶媒体にロードする制御
   手段とを有し、 前記制御手段は、 前記装置の状況に応じて、前記所定時間を変更すること
   を特徴とする記憶装置。