JP2001142785A - 記憶装置 - Google Patents
記憶装置Info
- Publication number
- JP2001142785A JP2001142785A JP31892899A JP31892899A JP2001142785A JP 2001142785 A JP2001142785 A JP 2001142785A JP 31892899 A JP31892899 A JP 31892899A JP 31892899 A JP31892899 A JP 31892899A JP 2001142785 A JP2001142785 A JP 2001142785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage device
- temperature
- storage
- supplied
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Storage Device Security (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 盗難等の不正なアクセスにより記憶装置が持
ち去られた場合、内部の記憶素子に記憶されている情報
を消去する記憶装置を提供する。 【解決手段】 温度によって弾性力が変化するバイメタ
ル製ばね１５、１６を筐体１１の内部と外部に互いの温
度変化による変形方向が反対になるように備え付ける。
記憶素子に記憶されている情報を消去するか否かの設定
が行われるモーメンタリースイッチ１３と、筐体１の内
部と外部の温度の差から生じるバイメタル製ばね１５と
１６の弾性力の差による力によって、スライドされ、モ
ーメンタリースイッチ１３の設定を押力によって変更す
るブロック１４とを備える。
ち去られた場合、内部の記憶素子に記憶されている情報
を消去する記憶装置を提供する。 【解決手段】 温度によって弾性力が変化するバイメタ
ル製ばね１５、１６を筐体１１の内部と外部に互いの温
度変化による変形方向が反対になるように備え付ける。
記憶素子に記憶されている情報を消去するか否かの設定
が行われるモーメンタリースイッチ１３と、筐体１の内
部と外部の温度の差から生じるバイメタル製ばね１５と
１６の弾性力の差による力によって、スライドされ、モ
ーメンタリースイッチ１３の設定を押力によって変更す
るブロック１４とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、機器に装着可能な
記憶装置に関し、特に、盗難等の不正なアクセスによっ
て機器から取り去られたときに、内部に記憶されている
情報を消去することができる記憶装置に関する。
記憶装置に関し、特に、盗難等の不正なアクセスによっ
て機器から取り去られたときに、内部に記憶されている
情報を消去することができる記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の計算機システムとして、情報処理
を実行する情報処理装置と、情報処理装置に脱着可能で
あって、ＩＣメモリ等の記憶素子から構成され、情報処
理装置で処理される情報を記憶する記憶装置とを備えた
計算機システムがある。
を実行する情報処理装置と、情報処理装置に脱着可能で
あって、ＩＣメモリ等の記憶素子から構成され、情報処
理装置で処理される情報を記憶する記憶装置とを備えた
計算機システムがある。
【０００３】記憶装置は、時として、人事情報、プライ
バシーに関する情報等の秘匿情報を記憶することがあ
る。このような場合に、計算機システムの動作中におい
て、盗難などの不正なアクセスによって、記憶装置が持
ち去られた場合、記憶装置の内部に記憶される秘匿情報
が不特定の者に対して流出してしまうおそれがある。
バシーに関する情報等の秘匿情報を記憶することがあ
る。このような場合に、計算機システムの動作中におい
て、盗難などの不正なアクセスによって、記憶装置が持
ち去られた場合、記憶装置の内部に記憶される秘匿情報
が不特定の者に対して流出してしまうおそれがある。
【０００４】そして、このような事態を防止する策とし
て、記憶装置に記憶される秘匿情報を保護するために、
計算機システムを実装している筐体に鍵をかける策や、
盗難等の不正アクセスを電気的に検出し、記憶装置の内
部に記憶されている秘匿情報を消去する策などがある。
て、記憶装置に記憶される秘匿情報を保護するために、
計算機システムを実装している筐体に鍵をかける策や、
盗難等の不正アクセスを電気的に検出し、記憶装置の内
部に記憶されている秘匿情報を消去する策などがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術で
は、以下のような課題がある。第一に、計算機システム
を実装している筐体に鍵をかける場合、計算機システム
の使用が制限されることになり、計算機システムの修理
・点検等のメンテナンスが困難となるという課題があ
る。
は、以下のような課題がある。第一に、計算機システム
を実装している筐体に鍵をかける場合、計算機システム
の使用が制限されることになり、計算機システムの修理
・点検等のメンテナンスが困難となるという課題があ
る。
【０００６】第二に、盗難等の不正なアクセスを電気的
に検出し、記憶装置の内部に記憶されている秘匿情報を
消去する場合、不正なアクセスを検知する部品等を用
い、その検知結果によって記憶素子に記憶されている秘
匿情報を消去する制御回路を記憶装置に備える必要があ
る。しかし、その制御回路の構成は複雑であり、制作に
対して、時間とコストがかかるという課題がある。
に検出し、記憶装置の内部に記憶されている秘匿情報を
消去する場合、不正なアクセスを検知する部品等を用
い、その検知結果によって記憶素子に記憶されている秘
匿情報を消去する制御回路を記憶装置に備える必要があ
る。しかし、その制御回路の構成は複雑であり、制作に
対して、時間とコストがかかるという課題がある。
【０００７】そこで、本発明は、以上のような課題を解
決するものであって、盗難等の不正なアクセスにより記
憶装置が持ち去られた場合、内部に記憶されている情報
を消去する記憶装置を提供することを目的とする。
決するものであって、盗難等の不正なアクセスにより記
憶装置が持ち去られた場合、内部に記憶されている情報
を消去する記憶装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る記憶装置は、機器に装着され、記憶素子から構成さ
れ、機器からの情報を記憶する記憶装置において、機器
から取り去られたとき、記憶素子に記憶されている情報
を消去する情報消去手段を備えた構成とした。
る記憶装置は、機器に装着され、記憶素子から構成さ
れ、機器からの情報を記憶する記憶装置において、機器
から取り去られたとき、記憶素子に記憶されている情報
を消去する情報消去手段を備えた構成とした。
【０００９】請求項２記載の発明に係る記憶装置では、
情報消去手段は、温度変化を検知することによって記憶
装置への電源供給が断たれたことを検出し、電源供給が
断たれたことを検出すると記憶装置が機器から取り外さ
れたとして記憶素子の情報を消去する。
情報消去手段は、温度変化を検知することによって記憶
装置への電源供給が断たれたことを検出し、電源供給が
断たれたことを検出すると記憶装置が機器から取り外さ
れたとして記憶素子の情報を消去する。
【００１０】請求項３記載の発明に係る記憶装置では、
情報消去手段は、記憶装置に電源が供給されている場合
の温度から記憶装置に電源が供給されていない場合の温
度に変化したことを検知すると記憶素子の情報を消去す
る状態になるスイッチ機構と、前記スイッチ機構が記憶
素子消去状態になると記憶素子に記憶されている情報を
消去する消去制御部とを備える。
情報消去手段は、記憶装置に電源が供給されている場合
の温度から記憶装置に電源が供給されていない場合の温
度に変化したことを検知すると記憶素子の情報を消去す
る状態になるスイッチ機構と、前記スイッチ機構が記憶
素子消去状態になると記憶素子に記憶されている情報を
消去する消去制御部とを備える。
【００１１】請求項４記載の発明に係る記憶装置では、
スイッチ機構は、温度変化によって変位するブロック
と、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設
定され、記憶装置に電源が供給されているときには前記
ブロックによって記憶素子非消去状態が維持され、記憶
装置に電源が供給されなくなると記憶素子消去状態とな
るモーメンタリースイッチとを備える。
スイッチ機構は、温度変化によって変位するブロック
と、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設
定され、記憶装置に電源が供給されているときには前記
ブロックによって記憶素子非消去状態が維持され、記憶
装置に電源が供給されなくなると記憶素子消去状態とな
るモーメンタリースイッチとを備える。
【００１２】請求項５記載の発明に係る記憶装置では、
ブロックは、変位部と変位部に接続されモーメンタリー
スイッチを押下する押下部とを含み、前記変位部の一部
は記憶装置内部に設置されるとともに他部は記憶装置外
部に設置され、スイッチ機構は、前記変位部における記
憶装置内の部分と記憶装置外の部分とのそれぞれに接触
するバイメタル製ばねを含み、前記各バイメタル製ばね
は、温度変化による変化方向が反対になるように設置さ
れている。
ブロックは、変位部と変位部に接続されモーメンタリー
スイッチを押下する押下部とを含み、前記変位部の一部
は記憶装置内部に設置されるとともに他部は記憶装置外
部に設置され、スイッチ機構は、前記変位部における記
憶装置内の部分と記憶装置外の部分とのそれぞれに接触
するバイメタル製ばねを含み、前記各バイメタル製ばね
は、温度変化による変化方向が反対になるように設置さ
れている。
【００１３】請求項６記載の発明に係る記憶装置では、
スイッチ機構は、所定温度になると伸延する形状記憶合
金製ばねと、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去
状態に設定され、記憶装置に電源が供給されているとき
には前記形状記憶合金製ばねによって記憶素子非消去状
態が維持され、記憶装置に電源が供給されなくなると記
憶素子消去状態に設定されるモーメンタリースイッチと
を有する。
スイッチ機構は、所定温度になると伸延する形状記憶合
金製ばねと、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去
状態に設定され、記憶装置に電源が供給されているとき
には前記形状記憶合金製ばねによって記憶素子非消去状
態が維持され、記憶装置に電源が供給されなくなると記
憶素子消去状態に設定されるモーメンタリースイッチと
を有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態に
ついて図面を参照して説明する。図１は、本発明による
記憶装置の構成を示す説明図である。図１（ａ）に示す
記憶装置において、スイッチ機構１２は、筐体１１に備
え付けられている。スイッチ機構１２は、盗難等の不正
なアクセスにより、本装置が取り外されたとき、本装置
の内部の記憶素子に記憶されている情報を消去するため
の制御装置である。
ついて図面を参照して説明する。図１は、本発明による
記憶装置の構成を示す説明図である。図１（ａ）に示す
記憶装置において、スイッチ機構１２は、筐体１１に備
え付けられている。スイッチ機構１２は、盗難等の不正
なアクセスにより、本装置が取り外されたとき、本装置
の内部の記憶素子に記憶されている情報を消去するため
の制御装置である。
【００１５】図１（ｂ）〜（ｄ）に、図１（ａ）に示す
スイッチ機構１２の内部の構成を示す。スイッチ機構１
２は、モーメンタリースイッチ１３、ブロック１４、バ
イメタル製ばね１５、１６およびケース１７を備える。
モーメンタリースイッチ１３の接点がクローズ状態にな
ると、本装置の内部の記憶素子に記憶されている情報が
消去される。モーメンタリースイッチ１３は、筐体１１
の内部に備えられる。筐体１１は、記憶装置が実装され
る筐体である。
スイッチ機構１２の内部の構成を示す。スイッチ機構１
２は、モーメンタリースイッチ１３、ブロック１４、バ
イメタル製ばね１５、１６およびケース１７を備える。
モーメンタリースイッチ１３の接点がクローズ状態にな
ると、本装置の内部の記憶素子に記憶されている情報が
消去される。モーメンタリースイッチ１３は、筐体１１
の内部に備えられる。筐体１１は、記憶装置が実装され
る筐体である。
【００１６】バイメタル製ばね１５、１６は、同一の温
度特性を持ち、それぞれ筐体１１の内部と外部に互いに
温度変化による変形方向が反対になるように備え付けら
れる。図１（ｂ）〜（ｄ）に示す例では、バイメタル製
ばね１５は、筐体１１の内部に備えられる。ケース１７
は、ケースであり、バイメタル製ばね１５，１６および
ブロック１４を収容する。ブロック１４は、バイメタル
製ばね１５および１６の間に挟まれる。筐体１１の内部
と外部の温度が同一の場合、バイメタル製ばね１５と１
６の弾性力は同一となり、ブロック１４はスライドされ
ない。一方、筐体１１の内部と外部の温度が違う場合、
バイメタル製ばね１５と１６の弾性力に差が生じ、ブロ
ック１４はその差分による力によってスライドされ、モ
ーメンタリースイッチ１３を押す。
度特性を持ち、それぞれ筐体１１の内部と外部に互いに
温度変化による変形方向が反対になるように備え付けら
れる。図１（ｂ）〜（ｄ）に示す例では、バイメタル製
ばね１５は、筐体１１の内部に備えられる。ケース１７
は、ケースであり、バイメタル製ばね１５，１６および
ブロック１４を収容する。ブロック１４は、バイメタル
製ばね１５および１６の間に挟まれる。筐体１１の内部
と外部の温度が同一の場合、バイメタル製ばね１５と１
６の弾性力は同一となり、ブロック１４はスライドされ
ない。一方、筐体１１の内部と外部の温度が違う場合、
バイメタル製ばね１５と１６の弾性力に差が生じ、ブロ
ック１４はその差分による力によってスライドされ、モ
ーメンタリースイッチ１３を押す。
【００１７】図２は、記憶素子に記憶されている情報の
消去動作を説明するための説明図である。ＩＣ２２は、
記憶装置の内部に備えられる記憶素子であり、情報の消
去のために用いられる消去端子であるＥＲＡＳＥ端子を
備える。ＥＲＡＳＥ端子は、モーメンタリースイッチ１
３およびＲ２１に接続される。ここで、Ｒ２１は、ＥＲ
ＡＳＥ端子の電位の安定化のために用いられるプルアッ
プ抵抗である。このため、モーメンタリースイッチ１３
の接点がオープン状態のとき、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端
子の電位はＶＣＣと同電位に吊られる。なお、ＩＣ２２
は、情報処理装置からの電源供給を受けられない状態で
は、記憶装置に実装されているバックアップ電源（例え
ば、蓄電池）から電源供給される。また、ＧＮＤは、接
地電位（ローレベル）である。
消去動作を説明するための説明図である。ＩＣ２２は、
記憶装置の内部に備えられる記憶素子であり、情報の消
去のために用いられる消去端子であるＥＲＡＳＥ端子を
備える。ＥＲＡＳＥ端子は、モーメンタリースイッチ１
３およびＲ２１に接続される。ここで、Ｒ２１は、ＥＲ
ＡＳＥ端子の電位の安定化のために用いられるプルアッ
プ抵抗である。このため、モーメンタリースイッチ１３
の接点がオープン状態のとき、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端
子の電位はＶＣＣと同電位に吊られる。なお、ＩＣ２２
は、情報処理装置からの電源供給を受けられない状態で
は、記憶装置に実装されているバックアップ電源（例え
ば、蓄電池）から電源供給される。また、ＧＮＤは、接
地電位（ローレベル）である。
【００１８】モーメンタリースイッチ１３の接点がオー
プン状態（オフ）のとき、ＥＲＡＳＥ端子の電圧レベル
はハイレベルとなり、内部に記憶されている情報は消去
されない。一方、モーメンタリースイッチ１３の接点が
クローズ状態（オン）のとき、ＥＲＡＳＥ端子の電位は
ＧＮＤと同電位となる。そして、内部に記憶されている
情報は消去される。
プン状態（オフ）のとき、ＥＲＡＳＥ端子の電圧レベル
はハイレベルとなり、内部に記憶されている情報は消去
されない。一方、モーメンタリースイッチ１３の接点が
クローズ状態（オン）のとき、ＥＲＡＳＥ端子の電位は
ＧＮＤと同電位となる。そして、内部に記憶されている
情報は消去される。
【００１９】次に、図１に示す記憶装置の動作につい
て、図２を参照して説明する。図１に示す記憶装置は、
パーソナルコンピュータなど情報処理装置に実装可能で
あって、情報処理装置からの情報を記憶可能である。そ
の一例として、パーソナルコンピュータなどに用いられ
る拡張ボード等がある。
て、図２を参照して説明する。図１に示す記憶装置は、
パーソナルコンピュータなど情報処理装置に実装可能で
あって、情報処理装置からの情報を記憶可能である。そ
の一例として、パーソナルコンピュータなどに用いられ
る拡張ボード等がある。
【００２０】情報処理装置に実装される前のスイッチ機
構１２の動作を、図１（ｂ）を参照して説明する。モー
メンタリースイッチ１３は、予め押された状態になって
いる。この状態では、モーメンタリースイッチ１３の接
点は、オープン状態（オフ）になるように設定される。
そのため、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電位は、ハイレ
ベルとなっている（図２参照）。ここで、モーメンタリ
ースイッチは、一回押される度に、オン、オフ、オン・
・・といったように状態が遷移するスイッチである。
構１２の動作を、図１（ｂ）を参照して説明する。モー
メンタリースイッチ１３は、予め押された状態になって
いる。この状態では、モーメンタリースイッチ１３の接
点は、オープン状態（オフ）になるように設定される。
そのため、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電位は、ハイレ
ベルとなっている（図２参照）。ここで、モーメンタリ
ースイッチは、一回押される度に、オン、オフ、オン・
・・といったように状態が遷移するスイッチである。
【００２１】ブロック１４は、筐体１１の内部と外部の
温度差によって生ずるバイメタル製ばね１５および１６
の弾性力の差分によって生ずる力によってスライドさ
れ、モーメンタリースイッチ１３の設定を、押力によっ
て変更しようとする。しかし、図１（ｂ）に示す例で
は、情報処理装置からの電力供給が無いため、筐体１１
の内部の温度は上昇しない。よって、筐体１１の内部と
外部との温度差が生じないため、バイメタル製ばね１５
と１６との間に弾性力の差が生じない。従って、ブロッ
ク１４はスライドされない。ここで、バイメタル製ばね
は、熱膨張率の違う金属板が２枚張り合わさり、温度変
化による板の反りを利用して、弾性力を生み出すばねで
ある。
温度差によって生ずるバイメタル製ばね１５および１６
の弾性力の差分によって生ずる力によってスライドさ
れ、モーメンタリースイッチ１３の設定を、押力によっ
て変更しようとする。しかし、図１（ｂ）に示す例で
は、情報処理装置からの電力供給が無いため、筐体１１
の内部の温度は上昇しない。よって、筐体１１の内部と
外部との温度差が生じないため、バイメタル製ばね１５
と１６との間に弾性力の差が生じない。従って、ブロッ
ク１４はスライドされない。ここで、バイメタル製ばね
は、熱膨張率の違う金属板が２枚張り合わさり、温度変
化による板の反りを利用して、弾性力を生み出すばねで
ある。
【００２２】次に、本発明による記憶装置が情報処理装
置に実装された場合のスイッチ機構１２の動作を図１
（ｃ）を参照して説明する。実装されることにより、情
報処理装置から電力が供給され、記憶装置内部の回路に
流れる電流は増大することになる。その電流増加によっ
て、回路内に備えられる発熱素子（例えば、ＩＣ等）か
ら発熱が生じ、筐体１１の内部の温度は上昇する。
置に実装された場合のスイッチ機構１２の動作を図１
（ｃ）を参照して説明する。実装されることにより、情
報処理装置から電力が供給され、記憶装置内部の回路に
流れる電流は増大することになる。その電流増加によっ
て、回路内に備えられる発熱素子（例えば、ＩＣ等）か
ら発熱が生じ、筐体１１の内部の温度は上昇する。
【００２３】すると、筐体１１の内部の温度上昇によっ
て、バイメタル製ばね１５の弾性力は増加する。一方、
筐体１１の外部では温度上昇が生じないので、バイメタ
ル製ばね１６の弾性力はさほど変化しない。よって、バ
イメタル製ばね１５および１６の間に、弾性力の差が生
じることになる。そして、その弾性力の差によって、ブ
ロック１４は、図１（ｃ）に示す矢印で示すようにスラ
イドされる。
て、バイメタル製ばね１５の弾性力は増加する。一方、
筐体１１の外部では温度上昇が生じないので、バイメタ
ル製ばね１６の弾性力はさほど変化しない。よって、バ
イメタル製ばね１５および１６の間に、弾性力の差が生
じることになる。そして、その弾性力の差によって、ブ
ロック１４は、図１（ｃ）に示す矢印で示すようにスラ
イドされる。
【００２４】ブロック１４のスライドにより、モーメン
タリースイッチ１３は押される。このとき、モーメンタ
リースイッチ１３は、ブロック１４を押し戻そうとす
る。しかし、ブロック１４からの押力のほうが強いた
め、モーメンタリースイッチ１３の設定は、オフ（オー
プン状態）のままとなる。よって、ＩＣ２２のＥＲＡＳ
Ｅ端子の電圧レベルはハイレベルとなる（図２参照）。
従って、ＩＣ２２は、情報処理装置からの情報を記憶す
ることができる。つまり、記憶装置は、情報処理装置か
らの情報を記憶することができる。
タリースイッチ１３は押される。このとき、モーメンタ
リースイッチ１３は、ブロック１４を押し戻そうとす
る。しかし、ブロック１４からの押力のほうが強いた
め、モーメンタリースイッチ１３の設定は、オフ（オー
プン状態）のままとなる。よって、ＩＣ２２のＥＲＡＳ
Ｅ端子の電圧レベルはハイレベルとなる（図２参照）。
従って、ＩＣ２２は、情報処理装置からの情報を記憶す
ることができる。つまり、記憶装置は、情報処理装置か
らの情報を記憶することができる。
【００２５】次に、盗難等の不正アクセスにより、記憶
装置が取り去られたときの動作について、図１（ｄ）を
参照して説明する。記憶装置が情報処理装置から取り去
られた場合、情報処理装置からの電力供給が止まり、筐
体１１の内部の温度上昇が止まる。そして、筐体１１の
内部の温度は下がり、やがて、筐体１１の内部と外部と
の温度差が生じなくなる。
装置が取り去られたときの動作について、図１（ｄ）を
参照して説明する。記憶装置が情報処理装置から取り去
られた場合、情報処理装置からの電力供給が止まり、筐
体１１の内部の温度上昇が止まる。そして、筐体１１の
内部の温度は下がり、やがて、筐体１１の内部と外部と
の温度差が生じなくなる。
【００２６】そして、バイメタル製ばね１５と１６の弾
力が等しくなり、ブロック１４は、図１（ｄ）に示す矢
印で示すようにスライドする。すると、モーメンタリー
スイッチ１３を押さえつけていた押力は生じなくなるこ
とにより、モーメンタリースイッチ１３は、押されてい
た状態から開放される。このとき、モーメンタリースイ
ッチ１３の接点はクローズ状態（オン）となる。
力が等しくなり、ブロック１４は、図１（ｄ）に示す矢
印で示すようにスライドする。すると、モーメンタリー
スイッチ１３を押さえつけていた押力は生じなくなるこ
とにより、モーメンタリースイッチ１３は、押されてい
た状態から開放される。このとき、モーメンタリースイ
ッチ１３の接点はクローズ状態（オン）となる。
【００２７】モーメンタリースイッチ１３の接点がクロ
ーズ状態になると、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電位が
ローレベルになることにより、ＩＣ２２に記憶されてい
る情報は消去される。従って、記憶装置が記憶する情報
処理装置からの情報は消去される。
ーズ状態になると、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電位が
ローレベルになることにより、ＩＣ２２に記憶されてい
る情報は消去される。従って、記憶装置が記憶する情報
処理装置からの情報は消去される。
【００２８】図３は、本発明による記憶装置の他の実施
の形態を示す構成図である。図３（ａ）に示す記憶装置
では、スイッチ機構３２は、筐体１１に備え付けられ
る。スイッチ機構３２は、図１に示すスイッチ機構１２
と同様な動作を行うが、構成が異なる。そして、その構
成を図３（ｂ）〜（ｄ）に示す。
の形態を示す構成図である。図３（ａ）に示す記憶装置
では、スイッチ機構３２は、筐体１１に備え付けられ
る。スイッチ機構３２は、図１に示すスイッチ機構１２
と同様な動作を行うが、構成が異なる。そして、その構
成を図３（ｂ）〜（ｄ）に示す。
【００２９】スイッチ機構３２は、形状記憶合金製ばね
３４、ケース３５、ブロック３６およびモーメンタリー
スイッチ１３で構成される。形状記憶合金製ばね３４
は、形状記憶合金によって構成され、一定値以上の温度
になると、伸びる性質をもっている。ブロック３６は、
形状記憶合金製ばね３４の伸縮によってスライドされ、
モーメンタリースイッチ１３を押す。ケース３５は、形
状記憶合金製ばね３４およびブロック３６を収容するケ
ースである。ブロック３６は、図１に示すブロック１４
と同様に、例えば、棒状の固体物で構成される。
３４、ケース３５、ブロック３６およびモーメンタリー
スイッチ１３で構成される。形状記憶合金製ばね３４
は、形状記憶合金によって構成され、一定値以上の温度
になると、伸びる性質をもっている。ブロック３６は、
形状記憶合金製ばね３４の伸縮によってスライドされ、
モーメンタリースイッチ１３を押す。ケース３５は、形
状記憶合金製ばね３４およびブロック３６を収容するケ
ースである。ブロック３６は、図１に示すブロック１４
と同様に、例えば、棒状の固体物で構成される。
【００３０】次に、図３に示す記憶装置の動作について
説明する。まず、記憶装置が情報処理装置に実装されて
いないときの動作を、図３（ｂ）を参照して、説明す
る。モーメンタリースイッチ１３は、予め押された状態
になっている。つまり、モーメンタリースイッチ１３の
設定はオフ（オープン状態）となっている。
説明する。まず、記憶装置が情報処理装置に実装されて
いないときの動作を、図３（ｂ）を参照して、説明す
る。モーメンタリースイッチ１３は、予め押された状態
になっている。つまり、モーメンタリースイッチ１３の
設定はオフ（オープン状態）となっている。
【００３１】このとき、情報処理装置からの電力供給が
得られないため、筐体１１の内部の温度は上昇しない。
このため、形状記憶合金製ばね３４は伸びず、ブロック
３６はスライドされない。従って、モーメンタリースイ
ッチ１３の設定はオフのままである。よって、ＩＣ２２
のＥＲＡＳＥ端子の電位は、ハイレベルとなる（図２参
照）。
得られないため、筐体１１の内部の温度は上昇しない。
このため、形状記憶合金製ばね３４は伸びず、ブロック
３６はスライドされない。従って、モーメンタリースイ
ッチ１３の設定はオフのままである。よって、ＩＣ２２
のＥＲＡＳＥ端子の電位は、ハイレベルとなる（図２参
照）。
【００３２】次に、記憶装置が情報処理装置に実装され
たときの動作について、図３（ｃ）を参照して説明す
る。記憶装置は情報処理装置から電力供給を得ることが
できるので、筐体１１の内部の回路に流れる電流が増加
する。このため、筐体１１の内部の温度が上昇する。や
がて、その温度が一定値以上となると、形状記憶合金製
ばね３４は伸びる。形状記憶合金製ばね３４が伸びるこ
とにより、ブロック３６は、図３（ｃ）に示す矢印で示
すようにスライドされる。そして、モーメンタリースイ
ッチ１３は、ブロック３６によって押される。
たときの動作について、図３（ｃ）を参照して説明す
る。記憶装置は情報処理装置から電力供給を得ることが
できるので、筐体１１の内部の回路に流れる電流が増加
する。このため、筐体１１の内部の温度が上昇する。や
がて、その温度が一定値以上となると、形状記憶合金製
ばね３４は伸びる。形状記憶合金製ばね３４が伸びるこ
とにより、ブロック３６は、図３（ｃ）に示す矢印で示
すようにスライドされる。そして、モーメンタリースイ
ッチ１３は、ブロック３６によって押される。
【００３３】このとき、モーメンタリースイッチ１３
は、オン（クローズ状態）に遷移しようとするが、ブロ
ック３６からの押力により、オフ（オープン状態）を保
持する。このため、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電圧レ
ベルは、ハイレベルとなる（図２参照）。よって、ＩＣ
２２は、情報処理装置からの情報を記憶することができ
る。従って、記憶装置は情報処理装置からの情報を記憶
することができる。
は、オン（クローズ状態）に遷移しようとするが、ブロ
ック３６からの押力により、オフ（オープン状態）を保
持する。このため、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電圧レ
ベルは、ハイレベルとなる（図２参照）。よって、ＩＣ
２２は、情報処理装置からの情報を記憶することができ
る。従って、記憶装置は情報処理装置からの情報を記憶
することができる。
【００３４】次に、盗難等の不正なアクセスにより、記
憶装置が情報処理装置から取り去られたときの動作につ
いて、図３（ｄ）を参照して説明する。情報処理装置か
ら電力供給が得られないことにより、筐体１１の内部の
温度の上昇は止まり、筐体１１の内部の温度は下降す
る。
憶装置が情報処理装置から取り去られたときの動作につ
いて、図３（ｄ）を参照して説明する。情報処理装置か
ら電力供給が得られないことにより、筐体１１の内部の
温度の上昇は止まり、筐体１１の内部の温度は下降す
る。
【００３５】筐体１１の内部の温度が一定値に満たなく
なると、形状記憶合金製ばね３４は縮む。それにより、
ブロック３６は、図３（ｄ）に示す矢印で示すように、
スライドされる。それによって、モーメンタリースイッ
チ１３は、押されていた状態から開放される。つまり、
モーメンタリースイッチ１３の状態は、オン（クローズ
状態）に遷移する。そして、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子
の電圧レベルはローレベルとなり、ＩＣ２２に記憶され
ている情報処理装置からの情報は、消去される。つま
り、記憶装置が記憶する情報処理装置からの情報は消去
される。
なると、形状記憶合金製ばね３４は縮む。それにより、
ブロック３６は、図３（ｄ）に示す矢印で示すように、
スライドされる。それによって、モーメンタリースイッ
チ１３は、押されていた状態から開放される。つまり、
モーメンタリースイッチ１３の状態は、オン（クローズ
状態）に遷移する。そして、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子
の電圧レベルはローレベルとなり、ＩＣ２２に記憶され
ている情報処理装置からの情報は、消去される。つま
り、記憶装置が記憶する情報処理装置からの情報は消去
される。
【００３６】以上のように、本発明によると、記憶装置
が情報処理装置から取り去られたことによって発生する
記憶装置の内部の温度変化によって、バイメタル製ばね
１５、１６の弾性力の変化や形状記憶合金製ばね３４に
応じて、モーメンタリースイッチ１３の状態が変更され
る。そして、モーメンタリースイッチ１３の状態変更が
生ずると、ＩＣ２２に記憶されている情報処理装置から
の情報が消去される。よって、盗難等の不正アクセスに
情報処理装置から取り去られた場合、記憶装置が記憶す
る情報処理装置からの情報は消去される。
が情報処理装置から取り去られたことによって発生する
記憶装置の内部の温度変化によって、バイメタル製ばね
１５、１６の弾性力の変化や形状記憶合金製ばね３４に
応じて、モーメンタリースイッチ１３の状態が変更され
る。そして、モーメンタリースイッチ１３の状態変更が
生ずると、ＩＣ２２に記憶されている情報処理装置から
の情報が消去される。よって、盗難等の不正アクセスに
情報処理装置から取り去られた場合、記憶装置が記憶す
る情報処理装置からの情報は消去される。
【００３７】従って、情報処理装置と記憶装置との間
に、盗難等の不正アクセスに対する機械的、電気的なイ
ンタフェースを備えることが不要となり、情報処理装置
および記憶装置の構成が容易になる。制作コストの面も
改善される。また、記憶装置の実装も簡易なものにする
ことができるので、修理・点検等のメンテナンスも容易
になる。
に、盗難等の不正アクセスに対する機械的、電気的なイ
ンタフェースを備えることが不要となり、情報処理装置
および記憶装置の構成が容易になる。制作コストの面も
改善される。また、記憶装置の実装も簡易なものにする
ことができるので、修理・点検等のメンテナンスも容易
になる。
【００３８】また、用途に応じた温度特性を持ったばね
をバイメタル製ばね１５、１６または形状記憶合金製ば
ね３４に使用することによって、記憶装置が取り去られ
た後、記憶装置の内部に記憶されている情報が削除され
るまでの時間を任意に設定することができる。それによ
って、停電等の電源の瞬断によっても、ある程度の時
間、情報処理装置からのデータを保持することができ
る。ここで、温度特性とは、温度変化によるばねの弾性
力の変化や伸縮の変化を示すものである。
をバイメタル製ばね１５、１６または形状記憶合金製ば
ね３４に使用することによって、記憶装置が取り去られ
た後、記憶装置の内部に記憶されている情報が削除され
るまでの時間を任意に設定することができる。それによ
って、停電等の電源の瞬断によっても、ある程度の時
間、情報処理装置からのデータを保持することができ
る。ここで、温度特性とは、温度変化によるばねの弾性
力の変化や伸縮の変化を示すものである。
【００３９】なお、上記の実施の形態では記憶装置が情
報処理装置に装着されたが、本発明による記憶装置は、
情報処理装置のみならず、データの秘匿が必要となる他
の機器にも装着可能である。
報処理装置に装着されたが、本発明による記憶装置は、
情報処理装置のみならず、データの秘匿が必要となる他
の機器にも装着可能である。
【００４０】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、機器に装
着され、記憶素子から構成され、機器からの情報を記憶
する記憶装置において、機器から取り去られたとき、記
憶素子に記憶されている情報を消去する情報消去手段を
備えた構成となっているので、盗難等の不正なアクセス
によって、記憶装置が機器から取り去られたとき、機器
からの情報を消去することができ、情報の安全性が保た
れるという効果を奏する。
着され、記憶素子から構成され、機器からの情報を記憶
する記憶装置において、機器から取り去られたとき、記
憶素子に記憶されている情報を消去する情報消去手段を
備えた構成となっているので、盗難等の不正なアクセス
によって、記憶装置が機器から取り去られたとき、機器
からの情報を消去することができ、情報の安全性が保た
れるという効果を奏する。
【００４１】請求項２記載の発明によれば、情報消去手
段は、温度変化を検知することによって記憶装置への電
源供給が断たれたことを検出し、電源供給が断たれたこ
とを検出すると記憶装置が機器から取り外されたとして
記憶素子の情報を消去するので、記憶装置が機器から取
り外されたときに生じる内部の温度変化によって電源供
給が断たれたことを検出することによって、記憶素子の
情報を消去することができるという効果を奏する。
段は、温度変化を検知することによって記憶装置への電
源供給が断たれたことを検出し、電源供給が断たれたこ
とを検出すると記憶装置が機器から取り外されたとして
記憶素子の情報を消去するので、記憶装置が機器から取
り外されたときに生じる内部の温度変化によって電源供
給が断たれたことを検出することによって、記憶素子の
情報を消去することができるという効果を奏する。
【００４２】請求項３記載の発明によれば、情報消去手
段は、記憶装置に電源が供給されている場合の温度から
記憶装置に電源が供給されていない場合の温度に変化し
たことを検知すると記憶素子の情報を消去する状態にな
るスイッチ機構と、前記スイッチ機構が記憶素子消去状
態になると記憶素子に記憶されている情報を消去する消
去制御部とを含む構成となっているので、スイッチ機構
の状態に応じて、消去制御部は、記憶素子の情報を消去
することができるという効果を奏する。
段は、記憶装置に電源が供給されている場合の温度から
記憶装置に電源が供給されていない場合の温度に変化し
たことを検知すると記憶素子の情報を消去する状態にな
るスイッチ機構と、前記スイッチ機構が記憶素子消去状
態になると記憶素子に記憶されている情報を消去する消
去制御部とを含む構成となっているので、スイッチ機構
の状態に応じて、消去制御部は、記憶素子の情報を消去
することができるという効果を奏する。
【００４３】請求項４記載の発明によれば、スイッチ機
構は、温度変化によって変位するブロックと、記憶装置
への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定され、記憶
装置に電源が供給されているときには前記ブロックによ
って記憶素子非消去状態が維持され、記憶装置に電源が
供給されなくなると記憶素子消去状態となるモーメンタ
リースイッチとを有する構成となっているので、記憶装
置内部の温度変化によってブロックが変位することによ
ってモーメンタリースイッチの状態が設定され、消去制
御部はモーメンタリースイッチの状態に応じて記憶素子
の情報を消去することができるという効果を奏する。
構は、温度変化によって変位するブロックと、記憶装置
への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定され、記憶
装置に電源が供給されているときには前記ブロックによ
って記憶素子非消去状態が維持され、記憶装置に電源が
供給されなくなると記憶素子消去状態となるモーメンタ
リースイッチとを有する構成となっているので、記憶装
置内部の温度変化によってブロックが変位することによ
ってモーメンタリースイッチの状態が設定され、消去制
御部はモーメンタリースイッチの状態に応じて記憶素子
の情報を消去することができるという効果を奏する。
【００４４】請求項５記載の発明によれば、ブロック
は、変位部と変位部に接続されモーメンタリースイッチ
を押下する押下部とを含み、前記変位部の一部は記憶装
置内部に設置されるとともに他部は記憶装置外部に設置
され、スイッチ機構は、前記変位部における記憶装置内
の部分と記憶装置外の部分とのそれぞれに接触するバイ
メタル製ばねを含み、前記各バイメタル製ばねは、温度
変化による変化方向が反対になるように設置されている
ので、記憶装置の内部と外部に備えられるバイメタル製
ばねの弾性力の差によって、ブロックはスライドされ、
モーメンタリースイッチを押すことができるという効果
を奏する。
は、変位部と変位部に接続されモーメンタリースイッチ
を押下する押下部とを含み、前記変位部の一部は記憶装
置内部に設置されるとともに他部は記憶装置外部に設置
され、スイッチ機構は、前記変位部における記憶装置内
の部分と記憶装置外の部分とのそれぞれに接触するバイ
メタル製ばねを含み、前記各バイメタル製ばねは、温度
変化による変化方向が反対になるように設置されている
ので、記憶装置の内部と外部に備えられるバイメタル製
ばねの弾性力の差によって、ブロックはスライドされ、
モーメンタリースイッチを押すことができるという効果
を奏する。
【００４５】請求項６記載の発明によれば、スイッチ機
構は、所定温度になると伸延する形状記憶合金製ばね
と、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設
定され、記憶装置に電源が供給されているときには前記
形状記憶合金製ばねによって記憶素子非消去状態が維持
され、記憶装置に電源が供給されなくなると記憶素子消
去状態に設定されるモーメンタリースイッチとを有する
構成となっているので、記憶装置が取り外されたときに
生ずる内部の温度変化による形状記憶合金製ばねの伸延
によって、モーメンタリースイッチの状態を設定するこ
とができるという効果を奏する。
構は、所定温度になると伸延する形状記憶合金製ばね
と、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設
定され、記憶装置に電源が供給されているときには前記
形状記憶合金製ばねによって記憶素子非消去状態が維持
され、記憶装置に電源が供給されなくなると記憶素子消
去状態に設定されるモーメンタリースイッチとを有する
構成となっているので、記憶装置が取り外されたときに
生ずる内部の温度変化による形状記憶合金製ばねの伸延
によって、モーメンタリースイッチの状態を設定するこ
とができるという効果を奏する。
【図１】 本発明による記憶装置の実施の形態を示す構
成図である。
成図である。
【図２】 記憶素子に記憶されている情報の消去動作を
説明するための説明図である。
説明するための説明図である。
【図３】 本発明による記憶装置の他の実施の形態を示
す構成図である。
す構成図である。
１１ 筐体 １２ スイッチ機構 １３ モーメンタリースイッチ １４ ブロック １５ バイメタル製ばね １６ バイメタル製ばね １７ ケース
Claims (6)
- 【請求項１】 機器に装着され、記憶素子を備え、機器
からの情報を記憶する記憶装置において、 機器から取り外されたとき、記憶素子に記憶されている
情報を消去する情報消去手段を備えた記憶装置。 - 【請求項２】 情報消去手段は、温度変化を検知するこ
とによって記憶装置への電源供給が断たれたことを検出
し、電源供給が断たれたことを検出すると記憶装置が機
器から取り外されたとして記憶素子の情報を消去する請
求項１記載の記憶装置。 - 【請求項３】 情報消去手段は、記憶装置に電源が供給
されている場合の温度から記憶装置に電源が供給されて
いない場合の温度に変化したことを検知すると記憶素子
の情報を消去する状態になるスイッチ機構と、 前記スイッチ機構が記憶素子消去状態になると記憶素子
に記憶されている情報を消去する消去制御部とを含む請
求項２記載の記憶装置。 - 【請求項４】 スイッチ機構は、 温度変化によって変位するブロックと、 記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定さ
れ、記憶装置に電源が供給されているときには前記ブロ
ックによって記憶素子非消去状態が維持され、記憶装置
に電源が供給されなくなると記憶素子消去状態となるモ
ーメンタリースイッチとを有する請求項３記載の記憶装
置。 - 【請求項５】 ブロックは、変位部と変位部に接続され
モーメンタリースイッチを押下する押下部とを含み、 前記変位部の一部は記憶装置内部に設置されるとともに
他部は記憶装置外部に設置され、 スイッチ機構は、前記変位部における記憶装置内の部分
と記憶装置外の部分とのそれぞれに接触するバイメタル
製ばねを含み、 前記各バイメタル製ばねは、温度変化による変化方向が
反対になるように設置されている請求項４記載の記憶装
置。 - 【請求項６】 スイッチ機構は、 所定温度になると伸延する形状記憶合金製ばねと、 記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定さ
れ、記憶装置に電源が供給されているときには前記形状
記憶合金製ばねによって記憶素子非消去状態が維持さ
れ、記憶装置に電源が供給されなくなると記憶素子消去
状態に設定されるモーメンタリースイッチとを有する請
求項３記載の記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31892899A JP3640152B2 (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | 記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31892899A JP3640152B2 (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | 記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001142785A true JP2001142785A (ja) | 2001-05-25 |
| JP3640152B2 JP3640152B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=18104559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31892899A Expired - Fee Related JP3640152B2 (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | 記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3640152B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003044814A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Toppan Forms Co Ltd | コンビネーション型ｉｃカード及びその製造方法 |
| JP2008520017A (ja) * | 2004-11-15 | 2008-06-12 | トムソン ライセンシング | 携帯型メモリ・デバイスに記憶された私的コンテンツを保護するための方法および携帯型メモリ・デバイス |
| WO2008068908A1 (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Eugrid Inc. | 情報処理装置および情報管理プログラム |
-
1999
- 1999-11-09 JP JP31892899A patent/JP3640152B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003044814A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Toppan Forms Co Ltd | コンビネーション型ｉｃカード及びその製造方法 |
| JP2008520017A (ja) * | 2004-11-15 | 2008-06-12 | トムソン ライセンシング | 携帯型メモリ・デバイスに記憶された私的コンテンツを保護するための方法および携帯型メモリ・デバイス |
| US8234717B2 (en) | 2006-04-12 | 2012-07-31 | Eugrid, Inc. | Accessing and checking the validity of control information stored in external storage |
| WO2008068908A1 (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Eugrid Inc. | 情報処理装置および情報管理プログラム |
| US8601282B2 (en) | 2006-12-04 | 2013-12-03 | Eugrid Inc. | Program and device for using second uncorrupted MBR data stored in an external storage |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3640152B2 (ja) | 2005-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9740638B2 (en) | Systems and methods for preventing data remanence in memory | |
| Rahmati et al. | {TARDIS}: Time and Remanence Decay in {SRAM} to Implement Secure Protocols on Embedded Devices without Clocks | |
| US7873853B2 (en) | Data storage apparatus, power control, method, and communication apparatus | |
| KR101051246B1 (ko) | 소비자 남용 검출 시스템 및 방법 | |
| CN101131678B (zh) | 数据存储装置、数据保护方法、以及通信装置 | |
| KR100341665B1 (ko) | 암호및변경검출기능을갖는기밀데이타프로세서 | |
| TW460846B (en) | Data recording media having certification information | |
| JP2000076139A (ja) | 携帯型情報記憶媒体 | |
| EP1610382A2 (en) | Semiconductor apparatus with self-security function | |
| EP1494188B1 (en) | Abnormality detection device and information apparatus using the same | |
| JP2001142785A (ja) | 記憶装置 | |
| KR101551817B1 (ko) | 메모리 삭제 방법 및 이를 위한 장치 | |
| JP2004014079A (ja) | 半導体記録媒体及びその記録装置、再生装置並びに記録方法と制御方法 | |
| JP4470048B2 (ja) | 情報記録再生機器、電子機器 | |
| JP2007175373A (ja) | 電子機器の蓋開閉検出方法および蓋固定機構 | |
| JP4674591B2 (ja) | 補助記憶装置及びそのセキュリティ確保方法とプログラム | |
| JP2000012793A (ja) | 自己破壊型半導体装置 | |
| KR100365726B1 (ko) | 암호프로세서 패키지에서의 물리적인 해킹방지 장치 | |
| US20230140967A1 (en) | Intrusion detection for an information handling system | |
| JP2018116355A (ja) | 車載機器 | |
| JP2004310405A (ja) | 情報装置および入退室管理装置 | |
| US10380385B1 (en) | Visual security device | |
| JP2005174457A (ja) | 情報記憶装置、および情報機器 | |
| JPH0640436B2 (ja) | メモリパツクを備えた電子機器 | |
| JPH10293727A (ja) | Ｉｃカードにおけるメモリ内データ機密保護方式 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041202 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041228 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050110 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |