JP3640152B2

JP3640152B2 - 記憶装置

Info

Publication number: JP3640152B2
Application number: JP31892899A
Authority: JP
Inventors: 昌花井
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-11-09
Filing date: 1999-11-09
Publication date: 2005-04-20
Anticipated expiration: 2019-11-09
Also published as: JP2001142785A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、機器に装着可能な記憶装置に関し、特に、盗難等の不正なアクセスによって機器から取り去られたときに、内部に記憶されている情報を消去することができる記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の計算機システムとして、情報処理を実行する情報処理装置と、情報処理装置に脱着可能であって、ＩＣメモリ等の記憶素子から構成され、情報処理装置で処理される情報を記憶する記憶装置とを備えた計算機システムがある。
【０００３】
記憶装置は、時として、人事情報、プライバシーに関する情報等の秘匿情報を記憶することがある。このような場合に、計算機システムの動作中において、盗難などの不正なアクセスによって、記憶装置が持ち去られた場合、記憶装置の内部に記憶される秘匿情報が不特定の者に対して流出してしまうおそれがある。
【０００４】
そして、このような事態を防止する策として、記憶装置に記憶される秘匿情報を保護するために、計算機システムを実装している筐体に鍵をかける策や、盗難等の不正アクセスを電気的に検出し、記憶装置の内部に記憶されている秘匿情報を消去する策などがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の技術では、以下のような課題がある。第一に、計算機システムを実装している筐体に鍵をかける場合、計算機システムの使用が制限されることになり、計算機システムの修理・点検等のメンテナンスが困難となるという課題がある。
【０００６】
第二に、盗難等の不正なアクセスを電気的に検出し、記憶装置の内部に記憶されている秘匿情報を消去する場合、不正なアクセスを検知する部品等を用い、その検知結果によって記憶素子に記憶されている秘匿情報を消去する制御回路を記憶装置に備える必要がある。しかし、その制御回路の構成は複雑であり、制作に対して、時間とコストがかかるという課題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、以上のような課題を解決するものであって、盗難等の不正なアクセスにより記憶装置が持ち去られた場合、内部に記憶されている情報を消去する記憶装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明に係る記憶装置は、機器に装着され、記憶素子から構成され、機器からの情報を記憶する記憶装置において、記憶装置が機器から取り去られると、所定の温度変化を検知して記憶素子に記憶されている情報を消去する情報消去手段を備え、情報消去手段は、機器から記憶装置に電源が供給されている場合の温度から記憶装置に電源が供給されていない場合の温度に変化したことを検知すると、記憶素子の情報を消去する状態になるスイッチ機構と、スイッチ機構が記憶素子消去状態になると記憶素子に記憶されている情報を消去する消去制御部とを含み、スイッチ機構は、温度変化によって変位するブロックと、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定され、記憶装置に電源が供給されているときにはブロックによって記憶素子非消去状態が維持され、記憶装置に電源が供給されなくなると記憶素子消去状態となるモーメンタリースイッチとを有する構成とした。
【０００９】
請求項２記載の発明に係る記憶装置では、情報消去手段は、温度変化を検知することによって記憶装置への電源供給が断たれたことを検出し、電源供給が断たれたことを検出すると記憶装置が機器から取り外されたとして記憶素子の情報を消去する。
【００１２】
請求項３記載の発明に係る記憶装置では、ブロックは、変位部と変位部に接続されモーメンタリースイッチを押下する押下部とを含み、前記変位部の一部は記憶装置内部に設置されるとともに他部は記憶装置外部に設置され、スイッチ機構は、前記変位部における記憶装置内の部分と記憶装置外の部分とのそれぞれに接触するバイメタル製ばねを含み、前記各バイメタル製ばねは、温度変化による変化方向が反対になるように設置されている。
【００１３】
請求項４記載の発明に係る記憶装置では、スイッチ機構は、所定温度になると伸延する形状記憶合金製ばねと、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定され、記憶装置に電源が供給されているときには前記形状記憶合金製ばねによって記憶素子非消去状態が維持され、記憶装置に電源が供給されなくなると記憶素子消去状態に設定されるモーメンタリースイッチとを有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明による記憶装置の構成を示す説明図である。図１（ａ）に示す記憶装置において、スイッチ機構１２は、筐体１１に備え付けられている。スイッチ機構１２は、盗難等の不正なアクセスにより、本装置が取り外されたとき、本装置の内部の記憶素子に記憶されている情報を消去するための制御装置である。
【００１５】
図１（ｂ）〜（ｄ）に、図１（ａ）に示すスイッチ機構１２の内部の構成を示す。スイッチ機構１２は、モーメンタリースイッチ１３、ブロック１４、バイメタル製ばね１５、１６およびケース１７を備える。モーメンタリースイッチ１３の接点がクローズ状態になると、本装置の内部の記憶素子に記憶されている情報が消去される。モーメンタリースイッチ１３は、筐体１１の内部に備えられる。筐体１１は、記憶装置が実装される筐体である。
【００１６】
バイメタル製ばね１５、１６は、同一の温度特性を持ち、それぞれ筐体１１の内部と外部に互いに温度変化による変形方向が反対になるように備え付けられる。図１（ｂ）〜（ｄ）に示す例では、バイメタル製ばね１５は、筐体１１の内部に備えられる。ケース１７は、ケースであり、バイメタル製ばね１５，１６およびブロック１４を収容する。ブロック１４は、バイメタル製ばね１５および１６の間に挟まれる。筐体１１の内部と外部の温度が同一の場合、バイメタル製ばね１５と１６の弾性力は同一となり、ブロック１４はスライドされない。一方、筐体１１の内部と外部の温度が違う場合、バイメタル製ばね１５と１６の弾性力に差が生じ、ブロック１４はその差分による力によってスライドされ、モーメンタリースイッチ１３を押す。
【００１７】
図２は、記憶素子に記憶されている情報の消去動作を説明するための説明図である。ＩＣ２２は、記憶装置の内部に備えられる記憶素子であり、情報の消去のために用いられる消去端子であるＥＲＡＳＥ端子を備える。ＥＲＡＳＥ端子は、モーメンタリースイッチ１３およびＲ２１に接続される。ここで、Ｒ２１は、ＥＲＡＳＥ端子の電位の安定化のために用いられるプルアップ抵抗である。このため、モーメンタリースイッチ１３の接点がオープン状態のとき、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電位はＶＣＣと同電位に吊られる。なお、ＩＣ２２は、情報処理装置からの電源供給を受けられない状態では、記憶装置に実装されているバックアップ電源（例えば、蓄電池）から電源供給される。また、ＧＮＤは、接地電位（ローレベル）である。
【００１８】
モーメンタリースイッチ１３の接点がオープン状態（オフ）のとき、ＥＲＡＳＥ端子の電圧レベルはハイレベルとなり、内部に記憶されている情報は消去されない。一方、モーメンタリースイッチ１３の接点がクローズ状態（オン）のとき、ＥＲＡＳＥ端子の電位はＧＮＤと同電位となる。そして、内部に記憶されている情報は消去される。
【００１９】
次に、図１に示す記憶装置の動作について、図２を参照して説明する。図１に示す記憶装置は、パーソナルコンピュータなど情報処理装置に実装可能であって、情報処理装置からの情報を記憶可能である。その一例として、パーソナルコンピュータなどに用いられる拡張ボード等がある。
【００２０】
情報処理装置に実装される前のスイッチ機構１２の動作を、図１（ｂ）を参照して説明する。モーメンタリースイッチ１３は、予め押された状態になっている。この状態では、モーメンタリースイッチ１３の接点は、オープン状態（オフ）になるように設定される。そのため、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電位は、ハイレベルとなっている（図２参照）。ここで、モーメンタリースイッチは、一回押される度に、オン、オフ、オン・・・といったように状態が遷移するスイッチである。
【００２１】
ブロック１４は、筐体１１の内部と外部の温度差によって生ずるバイメタル製ばね１５および１６の弾性力の差分によって生ずる力によってスライドされ、モーメンタリースイッチ１３の設定を、押力によって変更しようとする。しかし、図１（ｂ）に示す例では、情報処理装置からの電力供給が無いため、筐体１１の内部の温度は上昇しない。よって、筐体１１の内部と外部との温度差が生じないため、バイメタル製ばね１５と１６との間に弾性力の差が生じない。従って、ブロック１４はスライドされない。ここで、バイメタル製ばねは、熱膨張率の違う金属板が２枚張り合わさり、温度変化による板の反りを利用して、弾性力を生み出すばねである。
【００２２】
次に、本発明による記憶装置が情報処理装置に実装された場合のスイッチ機構１２の動作を図１（ｃ）を参照して説明する。実装されることにより、情報処理装置から電力が供給され、記憶装置内部の回路に流れる電流は増大することになる。その電流増加によって、回路内に備えられる発熱素子（例えば、ＩＣ等）から発熱が生じ、筐体１１の内部の温度は上昇する。
【００２３】
すると、筐体１１の内部の温度上昇によって、バイメタル製ばね１５の弾性力は増加する。一方、筐体１１の外部では温度上昇が生じないので、バイメタル製ばね１６の弾性力はさほど変化しない。よって、バイメタル製ばね１５および１６の間に、弾性力の差が生じることになる。そして、その弾性力の差によって、ブロック１４は、図１（ｃ）に示す矢印で示すようにスライドされる。
【００２４】
ブロック１４のスライドにより、モーメンタリースイッチ１３は押される。このとき、モーメンタリースイッチ１３は、ブロック１４を押し戻そうとする。しかし、ブロック１４からの押力のほうが強いため、モーメンタリースイッチ１３の設定は、オフ（オープン状態）のままとなる。よって、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電圧レベルはハイレベルとなる（図２参照）。従って、ＩＣ２２は、情報処理装置からの情報を記憶することができる。つまり、記憶装置は、情報処理装置からの情報を記憶することができる。
【００２５】
次に、盗難等の不正アクセスにより、記憶装置が取り去られたときの動作について、図１（ｄ）を参照して説明する。記憶装置が情報処理装置から取り去られた場合、情報処理装置からの電力供給が止まり、筐体１１の内部の温度上昇が止まる。そして、筐体１１の内部の温度は下がり、やがて、筐体１１の内部と外部との温度差が生じなくなる。
【００２６】
そして、バイメタル製ばね１５と１６の弾力が等しくなり、ブロック１４は、図１（ｄ）に示す矢印で示すようにスライドする。すると、モーメンタリースイッチ１３を押さえつけていた押力は生じなくなることにより、モーメンタリースイッチ１３は、押されていた状態から開放される。このとき、モーメンタリースイッチ１３の接点はクローズ状態（オン）となる。
【００２７】
モーメンタリースイッチ１３の接点がクローズ状態になると、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電位がローレベルになることにより、ＩＣ２２に記憶されている情報は消去される。従って、記憶装置が記憶する情報処理装置からの情報は消去される。
【００２８】
図３は、本発明による記憶装置の他の実施の形態を示す構成図である。図３（ａ）に示す記憶装置では、スイッチ機構３２は、筐体１１に備え付けられる。スイッチ機構３２は、図１に示すスイッチ機構１２と同様な動作を行うが、構成が異なる。そして、その構成を図３（ｂ）〜（ｄ）に示す。
【００２９】
スイッチ機構３２は、形状記憶合金製ばね３４、ケース３５、ブロック３６およびモーメンタリースイッチ１３で構成される。形状記憶合金製ばね３４は、形状記憶合金によって構成され、一定値以上の温度になると、伸びる性質をもっている。ブロック３６は、形状記憶合金製ばね３４の伸縮によってスライドされ、モーメンタリースイッチ１３を押す。ケース３５は、形状記憶合金製ばね３４およびブロック３６を収容するケースである。ブロック３６は、図１に示すブロック１４と同様に、例えば、棒状の固体物で構成される。
【００３０】
次に、図３に示す記憶装置の動作について説明する。まず、記憶装置が情報処理装置に実装されていないときの動作を、図３（ｂ）を参照して、説明する。モーメンタリースイッチ１３は、予め押された状態になっている。つまり、モーメンタリースイッチ１３の設定はオフ（オープン状態）となっている。
【００３１】
このとき、情報処理装置からの電力供給が得られないため、筐体１１の内部の温度は上昇しない。このため、形状記憶合金製ばね３４は伸びず、ブロック３６はスライドされない。従って、モーメンタリースイッチ１３の設定はオフのままである。よって、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電位は、ハイレベルとなる（図２参照）。
【００３２】
次に、記憶装置が情報処理装置に実装されたときの動作について、図３（ｃ）を参照して説明する。記憶装置は情報処理装置から電力供給を得ることができるので、筐体１１の内部の回路に流れる電流が増加する。このため、筐体１１の内部の温度が上昇する。やがて、その温度が一定値以上となると、形状記憶合金製ばね３４は伸びる。形状記憶合金製ばね３４が伸びることにより、ブロック３６は、図３（ｃ）に示す矢印で示すようにスライドされる。そして、モーメンタリースイッチ１３は、ブロック３６によって押される。
【００３３】
このとき、モーメンタリースイッチ１３は、オン（クローズ状態）に遷移しようとするが、ブロック３６からの押力により、オフ（オープン状態）を保持する。このため、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電圧レベルは、ハイレベルとなる（図２参照）。よって、ＩＣ２２は、情報処理装置からの情報を記憶することができる。従って、記憶装置は情報処理装置からの情報を記憶することができる。
【００３４】
次に、盗難等の不正なアクセスにより、記憶装置が情報処理装置から取り去られたときの動作について、図３（ｄ）を参照して説明する。情報処理装置から電力供給が得られないことにより、筐体１１の内部の温度の上昇は止まり、筐体１１の内部の温度は下降する。
【００３５】
筐体１１の内部の温度が一定値に満たなくなると、形状記憶合金製ばね３４は縮む。それにより、ブロック３６は、図３（ｄ）に示す矢印で示すように、スライドされる。それによって、モーメンタリースイッチ１３は、押されていた状態から開放される。つまり、モーメンタリースイッチ１３の状態は、オン（クローズ状態）に遷移する。そして、ＩＣ２２のＥＲＡＳＥ端子の電圧レベルはローレベルとなり、ＩＣ２２に記憶されている情報処理装置からの情報は、消去される。つまり、記憶装置が記憶する情報処理装置からの情報は消去される。
【００３６】
以上のように、本発明によると、記憶装置が情報処理装置から取り去られたことによって発生する記憶装置の内部の温度変化によって、バイメタル製ばね１５、１６の弾性力の変化や形状記憶合金製ばね３４に応じて、モーメンタリースイッチ１３の状態が変更される。そして、モーメンタリースイッチ１３の状態変更が生ずると、ＩＣ２２に記憶されている情報処理装置からの情報が消去される。よって、盗難等の不正アクセスに情報処理装置から取り去られた場合、記憶装置が記憶する情報処理装置からの情報は消去される。
【００３７】
従って、情報処理装置と記憶装置との間に、盗難等の不正アクセスに対する機械的、電気的なインタフェースを備えることが不要となり、情報処理装置および記憶装置の構成が容易になる。制作コストの面も改善される。また、記憶装置の実装も簡易なものにすることができるので、修理・点検等のメンテナンスも容易になる。
【００３８】
また、用途に応じた温度特性を持ったばねをバイメタル製ばね１５、１６または形状記憶合金製ばね３４に使用することによって、記憶装置が取り去られた後、記憶装置の内部に記憶されている情報が削除されるまでの時間を任意に設定することができる。それによって、停電等の電源の瞬断によっても、ある程度の時間、情報処理装置からのデータを保持することができる。ここで、温度特性とは、温度変化によるばねの弾性力の変化や伸縮の変化を示すものである。
【００３９】
なお、上記の実施の形態では記憶装置が情報処理装置に装着されたが、本発明による記憶装置は、情報処理装置のみならず、データの秘匿が必要となる他の機器にも装着可能である。
【００４０】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、機器に装着され、記憶素子から構成され、機器からの情報を記憶する記憶装置において、記憶装置が機器から取り去られると、所定の温度変化を検知して記憶素子に記憶されている情報を消去する情報消去手段を備え、情報消去手段は、機器から記憶装置に電源が供給されている場合の温度から記憶装置に電源が供給されていない場合の温度に変化したことを検知すると、記憶素子の情報を消去する状態になるスイッチ機構と、スイッチ機構が記憶素子消去状態になると記憶素子に記憶されている情報を消去する消去制御部とを含み、スイッチ機構は、温度変化によって変位するブロックと、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定され、記憶装置に電源が供給されているときにはブロックによって記憶素子非消去状態が維持され、記憶装置に電源が供給されなくなると記憶素子消去状態となるモーメンタリースイッチとを有する構成となっているので、盗難等の不正なアクセスによって、記憶装置が機器から取り去られたとき、機器からの情報を消去することができ、情報の安全性が保たれるという効果を奏する。
【００４１】
請求項２記載の発明によれば、情報消去手段は、温度変化を検知することによって記憶装置への電源供給が断たれたことを検出し、電源供給が断たれたことを検出すると記憶装置が機器から取り外されたとして記憶素子の情報を消去するので、記憶装置が機器から取り外されたときに生じる内部の温度変化によって電源供給が断たれたことを検出することによって、記憶素子の情報を消去することができるという効果を奏する。
【００４４】
請求項３記載の発明によれば、ブロックは、変位部と変位部に接続されモーメンタリースイッチを押下する押下部とを含み、前記変位部の一部は記憶装置内部に設置されるとともに他部は記憶装置外部に設置され、スイッチ機構は、前記変位部における記憶装置内の部分と記憶装置外の部分とのそれぞれに接触するバイメタル製ばねを含み、前記各バイメタル製ばねは、温度変化による変化方向が反対になるように設置されているので、記憶装置の内部と外部に備えられるバイメタル製ばねの弾性力の差によって、ブロックはスライドされ、モーメンタリースイッチを押すことができるという効果を奏する。
【００４５】
請求項４記載の発明によれば、スイッチ機構は、所定温度になると伸延する形状記憶合金製ばねと、記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定され、記憶装置に電源が供給されているときには前記形状記憶合金製ばねによって記憶素子非消去状態が維持され、記憶装置に電源が供給されなくなると記憶素子消去状態に設定されるモーメンタリースイッチとを有する構成となっているので、記憶装置が取り外されたときに生ずる内部の温度変化による形状記憶合金製ばねの伸延によって、モーメンタリースイッチの状態を設定することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による記憶装置の実施の形態を示す構成図である。
【図２】記憶素子に記憶されている情報の消去動作を説明するための説明図である。
【図３】本発明による記憶装置の他の実施の形態を示す構成図である。
【符号の説明】
１１筐体
１２スイッチ機構
１３モーメンタリースイッチ
１４ブロック
１５バイメタル製ばね
１６バイメタル製ばね
１７ケース

Claims

機器に装着され、記憶素子を備え、機器からの情報を記憶する記憶装置において、
当該記憶装置が機器から取り外されると、所定の温度変化を検知して記憶素子に記憶されている情報を消去する情報消去手段を備え、
情報消去手段は、前記機器から記憶装置に電源が供給されている場合の温度から記憶装置に電源が供給されていない場合の温度に変化したことを検知すると、記憶素子の情報を消去する状態になるスイッチ機構と、
前記スイッチ機構が記憶素子消去状態になると記憶素子に記憶されている情報を消去する消去制御部とを含み、
前記スイッチ機構は、
温度変化によって変位するブロックと、
記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定され、記憶装置に電源が供給されているときには前記ブロックによって記憶素子非消去状態が維持され、記憶装置に電源が供給されなくなると記憶素子消去状態となるモーメンタリースイッチとを有する
ことを特徴とする記憶装置。
情報消去手段は、温度変化を検知することによって記憶装置への電源供給が断たれたことを検出し、電源供給が断たれたことを検出すると記憶装置が機器から取り外されたとして記憶素子の情報を消去する
請求項１記載の記憶装置。
ブロックは、変位部と変位部に接続されモーメンタリースイッチを押下する押下部とを含み、
前記変位部の一部は記憶装置内部に設置されるとともに他部は記憶装置外部に設置され、
スイッチ機構は、前記変位部における記憶装置内の部分と記憶装置外の部分とのそれぞれに接触するバイメタル製ばねを含み、
前記各バイメタル製ばねは、温度変化による変化方向が反対になるように設置されている
請求項１又は請求項２記載の記憶装置。
スイッチ機構は、
所定温度になると伸延する形状記憶合金製ばねと、
記憶装置への電源供給前に記憶素子非消去状態に設定され、記憶装置に電源が供給されているときには前記形状記憶合金製ばねによって記憶素子非消去状態が維持され、記憶装置に電源が供給されなくなると記憶素子消去状態に設定されるモーメンタリースイッチとを有する
請求項１又は請求項２記載の記憶装置。