JP2001142050A - 調光装置及び撮像装置、並びにこれらの駆動方法 - Google Patents
調光装置及び撮像装置、並びにこれらの駆動方法Info
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Abstract
行える調光装置及びこれを用いた撮像装置、並びにこれ
らの駆動方法を提供すること。 【解決手段】 調光装置は、GHセル12と偏光板11
とからなり、GHセル12に入射する光の透過光の透過
光強度又は素子環境温度を検出する検出部(CCD撮像
素子55c又はサーミスタ65)と、この検出部による
検出値を受けて素子環境温度に応じた目標透過光強度を
設定する制御回路部62と、この制御回路部による制御
で前記目標透過光強度を生ぜしめる駆動信号を発生する
駆動信号発生部63とを有する調光装置、及びこの調光
装置が撮像系の光路中に配されている撮像装置。
Description
節して出射するための調光装置、並びにこれらの駆動方
法、及びこれを用いた撮像装置に関するものである。
偏光板が使用される。この液晶セルには、例えばTN
(Twisted Nematic)型液晶セルやゲスト−ホスト型液晶
セル(GH(Guest Host) セル)が用いられる。
す概略図である。この調光装置は、主に偏光板1とGH
セル2とで構成される。GHセル2は、図示せぬ2枚の
ガラス基板の間に封入され、また動作電極や液晶配向膜
も図示省略している(以下、同様)。GHセル2には、
液晶分子3と二色性染料分子4とが封入されている。二
色性染料分子4は、光の吸収に異方性を有し、例えば分
子長軸方向の光を吸収するポジ型(p型)色素分子であ
る。また、液晶分子3は、誘電率異方性が正のポジ型
(正型)である。
(電圧無印加)時のGHセル2の状態を示す。入射光5
は、偏光板1を透過することにより直線偏光にされる。
図26(a)では、この偏光方向と二色性染料分子4の
分子長軸方向とが一致するので、光は、二色性染料分子
4に吸収され、GHセル2の透過率が低下する。
セル2に電圧印加を行なうと、二色性染料分子4の分子
長軸方向は、直線偏光の偏光方向と直角になる。このた
め、光はGHセル2によりほとんど吸収されずに透過す
る。
(n型)の二色性染料分子を用いる場合は、上記ポジ型
の二色性染料分子4の場合と逆になり、電圧無印加時に
は光が吸収されず、電圧印加時に光が吸収される。
時と電圧無印加時との吸光度の比、即ち、光学濃度の比
が約10である。これは、偏光板1を使用せずにGHセ
ルのみで構成される調光装置に比べて約2倍の光学濃度
比を有する。
置の駆動において、一定の制御波形で駆動パルスを印加
した状態でも、調光素子が置かれる環境温度の変化によ
って、透過率の変動を生じていた。
れたものであり、その目的は、安定した透過率制御を行
える調光装置及びこれを用いた撮像装置、並びにこれら
の駆動方法を提供することにある。
子と、この液晶素子に入射する光の透過光の透過光強度
又は素子環境温度を検出する検出部と、この検出部によ
る検出値を受けて素子環境温度に応じた目標透過光強度
を設定する制御回路部と、この制御回路部による制御で
前記目標透過光強度を生ぜしめる駆動信号を発生する駆
動信号発生部とを有する調光装置、及びこの調光装置が
撮像系の光路中に配されている撮像装置に係るものであ
る。
調光用の液晶素子の透過光強度又は素子環境温度を検出
し、この検出値に基づいて素子環境温度に応じた透過光
強度を設定し、所定の駆動信号を発生させているので、
環境温度に影響されにくい液晶素子の駆動を実現でき、
かつ透過率制御と温度補償とを独立に制御して常に目標
とする透過率が得られるように駆動することができる。
像装置を制御性良く駆動する方法として、液晶素子を駆
動するに際し、前記液晶素子に入射する光の透過光の透
過光強度又は素子環境温度を検出し、この検出値に基づ
いて素子環境温度に応じた目標透過光強度を設定し、こ
の目標透過光強度を生ぜしめる駆動信号を発生させる、
調光装置及び撮像装置の駆動方法も提供するものであ
る。
並びにこれらの駆動方法においては、前記光をモニター
してその検出情報を前記制御回路部にフィードバック
し、透過光強度が一定となるように制御されるか、或い
は、素子環境温度をモニターしてその検出情報を前記制
御回路部にフィードバックし、予め測定された特性値と
比較して透過率が一定となるように制御されるのがよ
い。
変調された交流波形、或いは、パルス幅変調又はパルス
密度変調された駆動パルスが得られるのがよい。
れ、前記素子環境温度に応じてパルス電圧が制御される
か、或いは、駆動時の基本波形がパルス電圧制御され、
前記素子環境温度に応じてパルス幅が変調されるのがよ
い。
と同期して得られるようにしてよい。
前記液晶素子の駆動電極が少なくとも有効光透過部の全
域に亘って形成されている場合に好適であり、そのよう
に形成された駆動電極への駆動パルスの制御によって有
効光路幅全体に亘って透過率の一括制御を高精度に行う
ことができる。
液晶素子であること、即ち、前記液晶素子のホスト材料
は、誘電率異方性が負又は正のネガ型又はポジ型液晶で
あり、前記液晶素子のゲスト材料は、光吸収異方性が正
又は負のポジ型又はネガ型の二色性染料分子からなるの
がよい。
方性(Δε)が負)の液晶を用いると、ポジ型(即ち、
Δεが正)の液晶を用いる場合に比べて光透過(特に透
明)時の光透過率が向上し、撮像光学系中にそのまま位
置固定しておくことができる。
に偏光板を配すると、電圧無印加時と電圧印加時の吸光
度の比(即ち光学濃度の比)が向上し、調光装置のコン
トラスト比が大きくなり、明るい場所から暗い場所まで
において、調光を正常に行うことができる。
可動部などに設置されることにより前記光路に対して出
し入れ可能とされることが望ましい。
y)フィルタ及びカメラシステムに適用した好ましい実施
の形態を図面の参照下に説明する。
セル)2において、ホスト材料3として、誘電率異方性
(Δε)が正のポジ型の汎用液晶であるMerck社製
のMLC−6849を用い、ゲスト材料4には二色性を
有する光吸収異方性(ΔA)が正のポジ型染料であるB
DH社製のD5を用い、偏光板1をGHセル2の入射側
に配し、矩形波を駆動波形で動作電圧印加時の光透過率
の変化を計測した。
印加に伴なって、可視光の平均光透過率(空気中。液晶
セルに加えて偏光板を足したときの透過率を参照(=1
00%)とした:以下、同様)が増加するが、電圧を2
0Vにまで上昇させると最大透過率は60%程度とな
り、しかも光透過率の変化が緩やかであることが分かっ
た。
合、電圧無印加時に液晶セルの液晶配向膜との界面での
液晶分子の相互作用(interaction)が強いため、電圧を
印加してもダイレクタの向きが変化しない(或いは、変
化し難い)液晶分子が残ってしまうからであると考えら
れる。
ホスト型液晶セル(GHセル)12において、ホスト材
料13として、誘電率異方性(Δε)が負のネガ型の液
晶であるMerck社製のMLC−6608を用い、ゲ
スト材料4には二色性を有する上記と同じポジ型染料で
あるBDH社製のD5を用い、偏光板11をGHセル1
2の入射側に配し、矩形波を駆動波形で動作電圧印加時
の光透過率の変化を計測した。この場合の光透過率は、
図26の場合と逆であり、電圧無印加時に透過するが、
電圧印加に伴って非透過となる。
印加に伴って、可視光の平均光透過率(空気中)が最大
透過率約75%から数%にまで減少し、しかも光透過率
の変化が急峻となることが分かった。
合、電圧無印加時に液晶セルの液晶配向膜との界面での
液晶分子の相互作用(interaction)が非常に弱いため、
電圧無印加時に光が透過し易く、また電圧印加と共に液
晶分子のダイレクタの向きが変化し易くなるからである
と考えられる。
GHセル12では、光透過率が向上し、光透過率の高い
領域での設計が可能となる。また、光透過率の変化が急
峻であるため、動作電圧による光透過率の制御を特有に
行える調光装置を提供できる。
ゲスト材料の組み合せは種々であってよく、ネガ型(Δ
ε<0)−ポジ型(ΔA>0)、ネガ型(Δε<0)−
ネガ型(ΔA<0)、ポジ型(Δε>0)−ポジ型(Δ
A>0)、ポジ型(Δε>0)−ネガ型(ΔA<0)の
いずれでもよい。
えばITO(indium tin oxide: インジウム酸化物にス
ズをドープしたもの) 電極は基板面上にべた付けされて
いるが、これを分割してセグメント方式又はマトリクス
方式としてもよい。
使用可能な誘電率異方性(Δε)が負のネガ型のホスト
材料は、下記に例示することができる。但し、実際の使
用の場合は、実使用温度範囲でネマチック性を示すよう
に、下記の化合物から選択し、ブレンドした組成物を用
いる(以下、同様)。
使用可能な誘電率異方性が正のポジ型のホスト材料とし
ては、下記に例示することができる。
使用可能な二色性染料分子は、下記に例示することがで
きる。
圧特性の温度依存性 図4に示した交流波形(1kHz)によって、ネガ型の
ネマチック液晶を用いたGH液晶素子12を駆動し、そ
の印加電圧に対する透過率の特性(V−T特性)を測定
したところ、図2の如くとなった(図中の温度は素子が
設置されている環境温度である。)。23.5℃では、
0〜1.5Vの印加では透過率は80%近傍と明るく、
2V以上で透過率は制御電圧の増大に伴って低下し、5
V以上では次第にその変化率も飽和する。
題ないが、実際に測定すると、素子環境温度の上昇によ
り、0〜約4Vの領域では透過率は低下し、逆に約4V
以上の領域では透過率が上昇する結果となった。この温
度変化による透過率変化は、GH液晶のホスト液晶及び
ゲスト色素分子の熱揺らぎによって生じているものであ
り、分子が基板面に対して垂直方向に配向している場合
には、分子の揺らぎにより色素の吸収軸(色素分子の長
軸方向に平行)の基板面への投影成分が増加し、吸収が
増える。逆に分子が基板面に平行方向に配向している場
合には、色素吸収軸の基板への投影成分が揺らぎによっ
て減少することによって、遮光性が低下する。
制御 上記した温度に対する透過率変動を避けるための方法と
して、透過率制御された光をモニターし、これを環境温
度に応じて予め設定されている透過率の値と比較し、透
過率が一定になるように、制御波形へ補正情報をフィー
ドバックすることにより、環境温度をモニターすること
無しに、温度の影響を避けることができた。例えば、温
度上昇によって透過率が設定値よりも実測値の方が大き
くなった場合には、設定値となるように駆動パルス電圧
を上昇させればよい(図2参照)。モニター光検出の手
段としては、フォトダイオードなどの検出器の他、撮像
素子であるCCD(Charge coupled device)などを用い
ることも可能である。
加しても得られる透過率は異なる。しかし、この素子の
環境温度に対するV−T特性の再現性は良好であり、例
えば23.5℃で得られた各電圧に対する透過率を65
℃で再現するための電圧への変換グラフが図3である。
3の関係を表す予め計測した特性、又は図3から求めら
れる図1に示す差分データをルックアップテーブルから
読み込み、制御することにより(即ち、温度が変化して
も対応する電圧にパルス電圧を制御することにより)、
常に同一の透過率を維持できる。これにより、環境温度
に影響されにくい特性を得ることができる。
調方式が適用可能である。この場合、フィードバックの
制御信号として、パルス幅制御は通常の制御に使用し
て、環境温度の補正情報をフィードバックしてパルス電
圧を制御するか、或いはその逆に、パルス電圧を一定に
してパルス幅を制御することもできる。このように、制
御と補償を独立して行うためには有効である。次に、パ
ルス幅制御について詳細に説明する。
リッカ 図4に示したように、例えばGHセル12の駆動波形は
矩形波であるが、台形波、正弦波のいずれでも駆動可能
であり、両電極間の電位差に応じて液晶のダイレクタの
傾きが変化し、光透過率が制御される。従って、通常は
この波高値(パルス電圧)により透過率制御を行う。
基本的にはアナログ信号に置き換えて行うD/A変換が
必要であり、また、電圧を高精度に制御することは難し
く、回路コスト増大の要因となる。
は速いものでもミリ秒であり、遅いものでは数100ミ
リ秒にも及んでいる。ここで、本発明者は、このような
応答特性を持った材料系に駆動パルス幅変調方式を適用
する場合の周波数として、何が適当かを検討した。
0V→−5V→0V……の順に各駆動パルスを印加し
た。パルス(特に休止パルス0V)の幅を変えることに
よる、透過率変動を観察した。
上では、透過率にフリッカが見られ、光学的な安定性に
欠けることが分かった。200μs以下の休止期間で
は、透過率のフリッカが見られないことが分かった。
調による駆動時に、休止期間を約200μs以上にしな
いように設定すればよいことが分かる。液晶の種類が変
わったり、環境温度により、液晶の応答速度は変わるた
め、使用条件内でフリッカのない設定を選択することが
必要である。また、環境温度をフィードバックしてパル
ス幅を制御することも、安定な素子光学特性を得るため
には有効である。
0μsとして、この基本周期内で、パルス幅(PW)を
制御した。図7はパルス波高値が5V及び10Vと一定
とした場合を示している。
過率を容易に制御できた。(印加電圧ゼロ時の偏光板を
含めた場合の透過率を100%とする)これは、パルス
電圧の幅に対応した電界エネルギーにより液晶分子のダ
イレクタの向きが変化し、配向制御されるためである。
また、パルス波高値とパルス幅との組み合わせにより、
自由に透過率が制御可能なことがわかる。このことは、
最小クロック限界による階調制限も、電圧をデジタルに
制御して下位ビットとし、上位ビットとしてパルス幅変
調を付加することにより、階調制御の分解能が増大する
(上位、下位ビットの設定は逆でも可能)。また、コス
トの面からも、調光素子を実装する周辺回路のクロック
を加工して作られた波形を用いることにメリットがあ
る。
(A)と(B)を示すが、(A)の波形が基本周期の開
始時にパルスを入れるのに対し、(B)では基本周期の
開始時から一定の遅延時間後にパルスを印加する例であ
り、(A)の場合と効果は同等である。このような遅延
時間後のパルス印加は、基本周期毎に行ってもよいし、
(A)のような波形と任意に組み合わせてもよい。な
お、駆動パルスは基本周期内に必要個数印加してよい。
(C)には、パルスの数密度を変調するパルス密度変調
を示す。
ネガ型液晶をホスト材料に用いたときの液晶緩和過程を
示す。これによれば、パルス電圧の大きさによって電圧
印加→オフ後の緩和時間が変化し、高電圧印加時ほど緩
和時間が長くなることが分かる。
いて、調光素子の透過光強度(A)とその変動(B)、
(C)を示すが、緩和がリニアに生じる領域(0〜5m
s)での変動を比較すると、次のことが判明した。
下のオフ時間が必要。2%以内の変動とするには、42
0μs以下のオフ時間が必要。
リッカを無くすための条件に対応しており、2%以内の
変動が許容されるという条件で上記基本周期を設定する
(例えば100μsとする)ことができる。
ている後述のCCDの撮像スペックと同等であることを
基準としている。
期内に蓄積された受光量の平均となるため、通常動作時
にはフリッカとしては現れることは少ないと予想される
が、透過率制御のダイナミックレンジは低下してしま
う。また、シャッタ機能などを用いた場合に、シャッタ
の開放時間と光量の関係がリニアにならず、制御上問題
となる。従って、上記した2%以内の変動量は望ましい
ものと考えられる。
用いた場合には、フリッカとして撮像されるため、基本
周期をフィールド周期内とすることは、パルス幅制御で
の限界基本周期となる。
較 図12は、従来のパルス電圧変調(PHM)とパルス幅
変調(PWM)との特性を比較したものである(この図
の横軸は、電極間に印加されている電位差の絶対値の時
間平均であり、これを相当電圧として表現した)。
電圧が低く、全体的に低電圧側にシフトするため、低電
圧制御が可能で、消費電力の低減も図れる。また、透過
率変化は比較的緩やかとなるため、電圧により透過率を
制御し易く、階調性が向上する。
次の利点がある。 (1)パルス幅変調の駆動により、低しきい値の特性を
得ることができる。 (2)透過率レベルの階調数を多くとることができ、ま
た高精度の透過率制御が可能である。 (3)D/A変換しないため、回路コストを低減でき
る。
ルス密度を変調(PDM)し、パルス幅変調(PWM)
と比較した。パルス密度変調とは、ある単位時間内に発
生するパルスの数を可変することであり、ひとつのパル
ス幅は非常に短く、高周波成分を多く含んでいる。
動特性は互いに類似している。しかし、低消費電力を考
えれば、パルス密度変調では単位時間当りの液晶セルへ
の充放電電流量は大きく、パルス幅変調のほうが有利で
あることが分かる。また、インピーダンス整合の観点か
らも、パルス幅変調の方が有利である。
される電位差の時間平均がほぼゼロとなるように駆動す
る(換言すれば、DC成分が0Vとなる)ことにより、
調光素子内のイオンなどの分極の偏りをなくし、精度の
高い透過率制御が可能となった。
波形に対し、(B)のように正極性及び負極性をそれぞ
れ2パルスずつ交互に印加すると、正、負両極性のパル
ス数の時間平均が同一である場合に、常に同一の透過率
駆動特性を得ることができた。
m=1,2,……と正の整数で変化させて測定したが、
図示した透過率vsパルス幅特性に変化が無かった。
異なっても、正と負のパルス数が同じであれば、同一特
性を示した。さらに、パルスの時間幅を個々に変調した
場合も、時間平均で等価であれば、問題ないことは予想
できる。
合(負極性パルスが正極性パルスよりもk倍大きい場
合)には、k=1の時が対称駆動時の透過率であるが、
kが大きくなって非対称性が増すと、図15に示すよう
に透過率は所定の透過率よりも大きくなり、制御性を困
難にしている。これは、mの値には依存せず、kに対し
て同様の変動を示す。
と、透過率は一時的に低下し、数秒で直前の透過率に再
び戻る(長周期のフリッカとして観察される)。この秒
オーダの過度的変動は、時間平均でのバイアス電圧のた
めに生じた液晶セル中の可動イオンの偏りに起因すると
考えられる。
パルス数の対称(正、負の両極性パルス数が同数)は安
定した駆動には望ましい。
圧特性の温度依存性 上述した例とは異なり、図4において、ホスト材料とし
てポジ型の液晶(Merck社製のMLC−6849)
を用い、他は上述したものと同様にしてGHセルを作製
した。
z)によって、このポジ型のネマチック液晶を用いたG
H液晶素子を駆動した結果、図26と同様に低電圧側で
水平配向であって吸収が大きく、図17及び図18に示
すように、温度上昇により吸収が減少するが、高電圧側
では吸収が少なく、温度上昇により吸収は増大する。従
って、この場合にも、上述した例と同様にして透過率制
御を行うことができる。
一の電圧を印加しても得られる透過率は異なる。しか
し、この素子の環境温度に対するV−T特性の再現性は
良好であり、例えば23.5℃で得られた各電圧に対す
る透過率を65℃で再現するための電圧への変換グラフ
が図19である。
19の関係を表す予め計測した特性、又は図19から求
められる図16に示す差分データをルックアップテーブ
ルから読み込み、制御することにより(即ち、温度が変
化しても対応する電圧にパルス電圧を制御することによ
り)、常に同一の透過率を維持できる。これにより、環
境温度に影響されにくい特性を得るとができる。
用いる調光装置の一例を図20〜図22について説明す
る。
に、GHセル12と偏光板11aとからなる。GHセル
12は、図示せぬ2枚のガラス基板の間に封入される。
GHセル12には、ネガ型の液晶分子(ホスト材料)と
ポジ型又はネガ型の二色性染料分子(ゲスト材料)とが
封入されている。液晶分子は、例えば誘電率異方性が負
であり、また二色性染料分子は、光の吸収に異方性を有
し、例えば分子長軸方向の光を吸収するp型である。偏
光板11の光吸収軸は、GHセルに電圧を印加したとき
の光吸収軸と直交させた。
のように複数のレンズで構成されるレンズ前群15とレ
ンズ後群16との間に配置される。レンズ前群15を透
過した光は、偏光板11を介して直線偏光にされた後、
GHセル12に入射する。GHセル12を透過した光
は、レンズ後群16で集光され、撮像面17に映像とし
て映し出される。
は、GHセル12に入射する光の有効光路に対して出し
入れ可能である。具体的には、偏光板11を仮想線で示
される位置に移動させることにより、光の有効光路の外
へ出すことができる。この偏光板11を出し入れする手
段として、図21に示す機械式アイリスが用いられてよ
い。
チルカメラやビデオカメラ等に用いられる機械式絞り装
置であり、主として2枚のアイリス羽根18、19と、
アイリス羽根18に貼付された偏光板11とからなる。
アイリス羽根18、19は、上下方向に移動させること
ができる。矢印21で示される方向に、図示せぬ駆動モ
ーターを用いてアイリス羽根18、19を相対的に移動
させる。
ス羽根18、19は部分的に重ねられ、この重なりが大
きくなると、アイリス羽根18、19の中央付近に位置
する有効光路20上の開口部22が偏光板11により覆
われる。
リスを示す部分拡大図である。アイリス羽根18が下方
に移動すると同時に、アイリス羽根19が上方に移動す
る。これに伴って、図22(a)に示すように、アイリ
ス羽根18に貼付された偏光板11も有効光路20の外
へと移動する。逆に、アイリス羽根18を上方に、また
アイリス羽根19を下方に移動させることにより、互い
のアイリス羽根18、19が重なる。これに従って、図
22(b)に示すように、偏光板11は有効光路20上
に移動し、開口部22を次第に覆う。アイリス羽根1
8、19は互いの重なりが大きくなると、図22(c)
に示すように、偏光板11は開口部20を覆う。
置23の調光動作について説明する。
22(a)で示したように、上下方向に開いたアイリス
羽根18、19は、図示せぬモーターにより駆動され、
重なり始める。これによって、アイリス羽根18に貼付
されている偏光板11は、有効光路20に入り始め、開
口部22の一部を覆う(図22(b))。
状態にある(なお、熱的揺らぎ、または表面反射などの
ため、GHセル12による若干の吸収はある)。このた
め、偏光板11を通過した光と開口部22を通過した光
とは、ほぼ強度分布が同等となる。
を覆った状態になる(図22(c))。さらに、被写体
の明るさが増す場合は、GHセル12への電圧を上昇
し、GHセル12で光を吸収することにより調光を行
う。
まず、GHセル12への電圧を減少又は無印加とするこ
とにより、GHセル12による光の吸収効果を無くす
る。さらに、被写体が暗くなった場合は、図示せぬモー
ターを駆動することにより、アイリス羽根18を下方
へ、またアイリス羽根19を上方へ移動させる。こうし
て、偏光板11を有効光路20の外へ移動させる(図2
2(a))。
過率例えば40%〜50%)を光の有効光路20から外
に出すことができるので、偏光板11に光が吸収されな
い。従って、調光装置の最大透過率を例えば2倍以上に
高めることができる。具体的には、この調光装置を、従
来の固定されて設置される偏光板及びGHセルからなる
調光装置と比較すると、最大透過率は例えば約2倍にな
る。なお、最低透過率は両者で等しい。
れている機械式アイリスを用いて、偏光板11の出し入
れが行われるので、調光装置は容易に実現可能となる。
11による調光に加えて、GHセル12自体が光を吸収
することにより、調光を行うことができる。
明、暗のコントラスト比を高めると共に、光量分布をほ
ぼ均一に保つことができるものとなる。
ル12として、液晶分子の誘電率異方性が負であるとい
う条件下で、二色性染料分子がネガ型(n型)のものを
用いてもよい。
では、偏光板1が常に光の有効光路中に固定されて設置
されている。従って、偏光板によって例えば50%の光
は常に吸収され、また偏光板の表面反射等の影響もあ
る。このため、偏光板を透過する光の最大透過率は、例
えば50%を超えることができず、光量低下が著しくな
る。この光量低下は、液晶セルを用いた調光装置の実用
化を困難にしている要因の一つになっている。
が提案されている。偏光板を使用しない調光装置の例と
して、2層のGHセルを用いる場合がある。このGHセ
ルでは、1層目は、ある偏光と同一方向の偏光成分を吸
収し、また2層目は、該偏光と直角方向の偏光成分を吸
収する。また、コレステリック−ネマティック液晶セル
の相転移を利用するものがある。さらには、液晶の散乱
を利用する高分子散乱型のものがある。
装置では、電圧無印加時と電圧印加時の吸光度の比、即
ち光学濃度の比は、前述したことから約5にしかならな
い。このため、調光装置のコントラスト比が小さく、明
るい場所から暗い場所までにおいて、調光を正常に行う
には不十分である。また、高分子散乱型の調光装置で
は、撮像光学系の結像性能が大幅に劣化する。
の光透過率が暗くなることがあるため、このような光量
で撮像する場合には、撮像光学系から調光装置を外す必
要がある。
1を用い、これを有効光路に対して出し入れ可能となし
ているので、光量を増大させ、コントラスト比を高めか
つ光量を均一に保つことを可能とする。
arge coupled device)カメラに組み込んだ例を示すもの
である。
線で示す光軸に沿って、前記レンズ前群15に相当する
1群レンズ51及び2群レンズ(ズーム用)52、前記
レンズ後群16に相当する3群レンズ53及び4群レン
ズ(フォーカス用)54、CCDパッケージ55が適宜
の間隔をおいてこの順に配設されており、CCDパッケ
ージ55には赤外カットフィルタ55a、光学ローパス
フィルタ系55b、CCD撮像素子55cが収納されて
いる。2群レンズ52と3群レンズ53との間には、3
群レンズ53寄りに、上記した本発明に基づくGHセル
12と偏光板11からなる調光装置23が光量調節(光
量絞り)のために同じ光路上に取付けられている。な
お、フォーカス用の4群レンズ54は、リニアモータ5
7により光路に沿って3群レンズ53とCCDパッケー
ジ55との間を移動可能に配設され、またズーム用の2
群レンズ52は、光路に沿って1群レンズ51と調光装
置23との間を移動可能に配設されている。
調光装置23による光透過率制御のシーケンスのアルゴ
リズムを示す。
と3群レンズ53の間にセットされた本発明に基づく調
光装置23は、上述したように電界の印加によって光量
を調節できるので、システムが小型化でき、実質的に光
路の有効範囲の大きさまで小型化できる。従って、CC
Dカメラの小型化を達成することが可能である。また、
パターン化された電極への印加電圧の大きさによって光
量を適切に制御できるので、従来のような回折現象を防
止し、撮像素子へ十分な光量を入射させ、像のぼやけを
なくせる。
ある。これによれば、調光装置23の光出射側に配され
たCCD撮像素子55cの駆動回路部60を有し、CC
D撮像素子55cの出力信号がY/C信号処理部61で
処理され、輝度情報(Y信号)としてGHセル駆動制御
回路部62にフィードバックされ、またGHセル12の
環境温度をサーミスタ65で検出し、この検出温度情報
を制御回路部62にフィードバックする。そして、この
制御回路部からの制御信号により、駆動回路部60の基
本クロックと同期して、上述した如くにパルス電圧又は
パルス幅が制御された駆動パルスがパルス発生回路部6
3から得られるようになっている。制御回路部62と、
パルス発生回路部63とで、パルス電圧又はパルス幅の
制御のためのGH液晶駆動制御部64が構成されてい
る。
ムにおいても、調光装置23の出射光をフォトディテク
タ(又はフォトマル)で受け、ここから出射光の輝度情
報をサーミスタ65による温度情報と共に制御回路部6
2へフィードバックし、GHセル駆動回路部(図示せ
ず)のクロックと同期して、パルス発生回路部からパル
ス電圧又はパルス幅が制御された駆動パルスを得ること
ができる。
て説明したが、上述の実施の形態は、本発明の技術的思
想に基づき種々に変形が可能である。
や材質、その駆動機構、駆動回路や制御回路の構成など
は種々に変更が可能である。また、駆動波形は矩形波、
台形波、正弦波のいずれでも駆動可能であり、両電極間
の電位差に応じて液晶の傾きが変化し、光透過率が制御
される。また、素子温度を検出する手段は、サーミスタ
に限ることはなく、他のセンサを用いてもよい。
に、2層構造等のGHセルも使用可能である。偏光板1
1のGHセル12に対する位置は、レンズ前群15とレ
ンズ後群16との間としたが、この配置に限らず、撮像
レンズの設定条件から最適となる位置に配置されればよ
い。即ち、位相差フィルム等の偏光状態が変化する光学
素子を用いない限り、偏光板11は、例えば撮像面17
とレンズ後群16との間等、被写体側又は撮像素子側の
任意の位置に置くことができる。さらにまた、偏光板1
1は、レンズ前群15又はレンズ後群16に代わる単一
のレンズ(単レンズ)の前又は後に配置されてもよい。
られず、より多くの枚数を用いることにしてもよいし、
逆に1枚でもよい。また、アイリス羽根18、19は、
上下方向に移動することにより重ねられるが、他の方向
に移動してもよく、周囲から中央に向けて絞り込むこと
にしてもよい。
貼付されているが、アイリス羽根19の方に貼付されて
もよい。
偏光板11の出し入れによる調光を行なった後、GHセ
ル12による光の吸収を行なったが、逆に、先にGHセ
ル12の光吸収による調光を行なうことにしても良い。
この場合、GHセル12の透過率が所定の値まで低下し
た後に、偏光板11の出し入れによる調光を行なう。
入れする手段として、機械式アイリスを用いたが、これ
に限られない。例えば、偏光板11が貼付されたフィル
ムを駆動モーターに直接設置することにより、偏光板1
1を出し入れしてもよい。
20に対し出し入れしたが、有効光路中に位置固定する
ことも勿論可能である。
ィルター材(例えば、有機系のエレクトロクロミック
材、液晶、エレクトロルミネッセンス材等)と組み合わ
せて用いることも可能である。
Dカメラ等の撮像装置の光学絞り以外にも、各種光学
系、例えば、電子写真複写機や光通信機器等の光量調節
用としても広く適用が可能である。更に、本発明の調光
装置は、光学フィルター以外に、キャラクターやイメー
ジを表示する各種の画像表示素子に適用することができ
る。
れば、調光用の液晶素子に入射する光の透過光の透過光
強度又は素子環境温度を検出し、この検出値を受けて素
子環境温度に応じた目標透過光強度を設定し、駆動信号
を発生させているので、環境温度に影響されにくい液晶
素子の駆動を実現でき、かつ透過率制御と温度補償とを
独立に制御して常に目標とする透過率が得られるように
駆動することができる。
度間での補償電圧を示すグラフである。
パルスのパルス電圧との関係を示すグラフである。
ルス電圧の関係を示すグラフである。
印加電圧との関係を0〜10V(A)及び0〜20V
(B)の範囲で示すグラフである。
印加電圧との関係を0〜10V(A)及び0〜20V
(B)の範囲で示すグラフである。
幅との関係を示すグラフである。
ッカとの関係を種々のパルス休止時間毎に示す波形図で
ある。
形図である。
明するためのグラフである。
を示すグラフである。
びパルス電圧変調における光透過率と電圧との関係を比
較して示すグラフである。
びパルス密度変調における光透過率とデューティ比との
関係を比較して示すグラフである。
おける各種パルス波形図とその光透過率特性図である。
パルス数による光透過率特性図である。
圧を示すグラフである。
動パルスのパルス電圧との関係を示すグラフである。
動パルス電圧との関係を示すグラフである。
パルス電圧の関係を示すグラフである。
る。
スの動作を示す概略部分拡大図である。
概略断面図である。
アルゴリズムである。
ク図である。
る。
晶、4…ポジ型染料分子、5…入射光、13…ネガ型液
晶、15、16…レンズ群、17…撮像面、18、19
…アイリス羽根、20…有効光路、22…開口部、23
…調光装置、50…CCDカメラ、51…1群レンズ、
52…2群レンズ、53…3群レンズ、54…4群レン
ズ、55…CCDパッケージ、55b…光学ローパスフ
ィルタ、55c…CCD撮像素子、60…CCD駆動回
路部、61…Y/C信号処理部、62…制御回路部、6
3…パルス発生回路部、64…パルス電圧又はパルス幅
の制御部(GH液晶駆動制御装置)、65…サーミスタ
Claims (48)
- 【請求項1】 液晶素子と、この液晶素子に入射する光
の透過光の透過光強度又は素子環境温度を検出する検出
部と、この検出部による検出値を受けて素子環境温度に
応じた目標透過光強度を設定する制御回路部と、この制
御回路部による制御で前記目標透過光強度を生ぜしめる
駆動信号を発生する駆動信号発生部とを有する調光装
置。 - 【請求項2】 前記透過光をモニターしてその検出情報
を前記制御回路部にフィードバックし、透過光強度が一
定となるように制御されるか、或いは、素子環境温度を
モニターしてその検出情報を前記制御回路部にフィード
バックし、予め測定された特性値と比較して透過率が一
定となるように制御される、請求項1に記載した調光装
置。 - 【請求項3】 前記制御回路部による制御で、電圧変調
された交流波形、或いは、パルス幅変調又はパルス密度
変調された駆動パルスが得られる、請求項1に記載した
調光装置。 - 【請求項4】 駆動時の基本波形がパルス幅変調され、
前記素子環境温度に応じてパルス電圧が制御されるか、
或いは、駆動時の基本波形がパルス電圧制御され、前記
素子環境温度に応じてパルス幅が変調される、請求項2
に記載した調光装置。 - 【請求項5】 駆動パルスが、駆動回路部のクロックと
同期して取り出される、請求項1に記載した調光装置。 - 【請求項6】 前記液晶素子はゲスト−ホスト型液晶素
子である、請求項1に記載した調光装置。 - 【請求項7】 前記液晶素子のホスト材料は、誘電率異
方性が負又は正のネガ型又はポジ型液晶である、請求項
6に記載した調光装置。 - 【請求項8】 前記液晶素子のゲスト材料は、光吸収異
方性が正又は負のポジ型又はネガ型の二色性染料分子か
らなる、請求項6に記載した調光装置。 - 【請求項9】 前記液晶素子に入射する光の光路中に偏
光板が配されている、請求項4に記載した調光装置。 - 【請求項10】 前記偏光板が前記光路に対して出し入
れ可能に配される、請求項9に記載した調光装置。 - 【請求項11】 前記偏光板は、機械式アイリスの可動
部に設置されることにより前記光路に対して出し入れ可
能とされる、請求項10に記載した調光装置。 - 【請求項12】 前記液晶素子の駆動電極が少なくとも
有効光路透過部の全域に亘って形成されている、請求項
1に記載した調光装置。 - 【請求項13】 液晶素子と、この液晶素子に入射する
光の透過光の透過光強度又は素子環境温度を検出する検
出部と、この検出部による検出値を受けて素子環境温度
に応じた目標透過光強度を設定する制御回路部と、この
制御回路部による制御で前記目標透過光強度を生ぜしめ
る駆動信号を発生する駆動信号発生部とを有する調光装
置が撮像系の光路中に配されている撮像装置。 - 【請求項14】 前記透過光をモニターしてその検出情
報を前記制御回路部にフィードバックし、透過光強度が
一定となるように制御されるか、或いは、素子環境温度
をモニターしてその検出情報を前記制御回路部にフィー
ドバックし、予め測定された特性値と比較して透過率が
一定となるように制御される、請求項13に記載した撮
像装置。 - 【請求項15】 前記制御回路部による制御で、電圧変
調された交流波形、或いは、パルス幅変調又はパルス密
度変調された駆動パルスが得られる、請求項12に記載
した撮像装置。 - 【請求項16】 駆動時の基本波形がパルス幅変調さ
れ、前記素子環境温度に応じてパルス電圧が制御される
か、或いは、駆動時の基本波形がパルス電圧制御され、
前記素子環境温度に応じてパルス幅が変調される、請求
項14に記載した撮像装置。 - 【請求項17】 駆動パルスが、駆動回路部のクロック
と同期して取り出される、請求項13に記載した撮像装
置。 - 【請求項18】 前記液晶素子はゲスト−ホスト型液晶
素子である、請求項13に記載した撮像装置。 - 【請求項19】 前記液晶素子のホスト材料は、誘電率
異方性が負又は正のネガ型又はポジ型液晶である、請求
項18に記載した撮像装置。 - 【請求項20】 前記液晶素子のゲスト材料は、光吸収
異方性が正又は負のポジ型又はネガ型の二色性染料分子
からなる、請求項18に記載した撮像装置。 - 【請求項21】 前記液晶素子に入射する光の光路中に
偏光板が配されている、請求項13に記載した撮像装
置。 - 【請求項22】 前記偏光板が前記光路に対して出し入
れ可能に配される、請求項21に記載した撮像装置。 - 【請求項23】 前記偏光板は、機械式アイリスの可動
部に設置されることにより前記光路に対して出し入れ可
能とされる、請求項22に記載した撮像装置。 - 【請求項24】 前記液晶素子の駆動電極が少なくとも
有効光路透過部の全域に亘って形成されている、請求項
13に記載した撮像装置。 - 【請求項25】 液晶素子を駆動するに際し、前記液晶
素子に入射する光の透過光の透過光強度又は素子環境温
度を検出し、この検出値に基づいて素子環境温度に応じ
た目標透過光強度を設定し、この目標透過光強度を生ぜ
しめる駆動信号を発生させる、調光装置の駆動方法。 - 【請求項26】 前記透過光をモニターしてその検出情
報を前記制御回路部にフィードバックし、透過光強度が
一定となるように制御するか、或いは、素子環境温度を
モニターしてその検出情報を前記制御回路部にフィード
バックし、予め測定された特性値と比較して透過率が一
定となるように制御する、請求項25に記載した調光装
置の駆動方法。 - 【請求項27】 前記制御で、電圧変調された交流波
形、或いは、パルス幅変調又はパルス密度変調された駆
動パルスを得る、請求項25に記載した調光装置の駆動
方法。 - 【請求項28】 駆動時の基本波形をパルス幅変調し、
前記素子環境温度に応じてパルス電圧を制御するか、或
いは、駆動時の基本波形をパルス電圧制御し、前記素子
環境温度に応じてパルス幅を変調する、請求項26に記
載した調光装置の駆動方法。 - 【請求項29】 駆動パルスを、駆動回路部のクロック
と同期して取り出す、請求項25に記載した調光装置の
駆動方法。 - 【請求項30】 前記液晶素子として、ゲスト−ホスト
型液晶素子を用いる、請求項25に記載した調光装置の
駆動方法。 - 【請求項31】 前記液晶素子のホスト材料を、誘電率
異方性が負又は正のネガ型又はポジ型液晶とする、請求
項30に記載した調光装置の駆動方法。 - 【請求項32】 前記液晶素子のゲスト材料を、光吸収
異方性が正又は負のポジ型又はネガ型の二色性染料分子
とする、請求項30に記載した調光装置の駆動方法。 - 【請求項33】 前記液晶素子に入射する光の光路中に
偏光板を配する、請求項25に記載した調光装置の駆動
方法。 - 【請求項34】 前記偏光板を前記光路に対して出し入
れ可能に配する、請求項33に記載した調光装置の駆動
方法。 - 【請求項35】 前記偏光板は、機械式アイリスの可動
部に設置されることにより前記光路に対して出し入れ可
能とする、請求項34に記載した調光装置の駆動方法。 - 【請求項36】 前記液晶素子の駆動電極を少なくとも
有効光路透過部の全域に亘って形成する、請求項25に
記載した調光装置の駆動方法。 - 【請求項37】 液晶素子を撮像系の光路中に配した撮
像装置を駆動するに際し、前記液晶素子に入射する光の
透過光の透過光強度又は素子環境温度を検出し、この検
出値に基づいて素子環境温度に応じた目標透過光強度を
設定し、この目標透過光強度を生ぜしめる駆動信号を発
生させる、撮像装置の駆動方法。 - 【請求項38】 前記透過光をモニターしてその検出情
報を前記制御回路部にフィードバックし、透過光強度が
一定となるように制御するか、或いは、素子環境温度を
モニターしてその検出情報を前記制御回路部にフィード
バックし、予め測定された特性値と比較して透過率が一
定となるように制御する、請求項37に記載した撮像装
置の駆動方法。 - 【請求項39】 前記制御で、電圧変調された交流波
形、或いは、パルス幅変調又はパルス密度変調された駆
動パルスを得る、請求項37に記載した撮像装置の駆動
方法。 - 【請求項40】 駆動時の基本波形をパルス幅変調し、
前記素子環境温度に応じてパルス電圧を制御するか、或
いは、駆動時の基本波形をパルス電圧制御し、前記素子
環境温度に応じてパルス幅を変調する、請求項38に記
載した撮像装置の駆動方法。 - 【請求項41】 駆動パルスを、駆動回路部のクロック
と同期して取り出す、請求項37に記載した撮像装置の
駆動方法。 - 【請求項42】 前記液晶素子としてゲスト−ホスト型
液晶素子を用いる、請求項37に記載した撮像装置の駆
動方法。 - 【請求項43】 前記液晶素子のホスト材料を、誘電率
異方性が負又は正のネガ型又はポジ型液晶とする、請求
項42に記載した撮像装置の駆動方法。 - 【請求項44】 前記液晶素子のゲスト材料を、光吸収
異方性が正又は負のポジ型又はネガ型の二色性染料分子
とする、請求項42に記載した撮像装置の駆動方法。 - 【請求項45】 前記液晶素子に入射する光の光路中に
偏光板を配する、請求項37に記載した撮像装置の駆動
方法。 - 【請求項46】 前記偏光板を前記光路に対して出し入
れ可能に配する、請求項37に記載した撮像装置の駆動
方法。 - 【請求項47】 前記偏光板は、機械式アイリスの可動
部に設置されることにより前記光路に対して出し入れ可
能とする、請求項46に記載した撮像装置の駆動方法。 - 【請求項48】 前記液晶素子の駆動電極を少なくとも
有効光路透過部の全域に亘って形成する、請求項37に
記載した撮像装置の駆動方法。
Priority Applications (8)
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EP05014383A EP1607933B1 (en) | 1999-11-12 | 2000-11-10 | Light modulation apparatus, image pickup apparatus, and drive methods for exposure time control thereof |
DE60035075T DE60035075T2 (de) | 1999-11-12 | 2000-11-10 | Lichtmodulationsvorrichtung, Bildaufnahmevorrichtung und Verfahren zu deren Belichtungszeitsteuerung |
EP00124646A EP1099976A3 (en) | 1999-11-12 | 2000-11-10 | Light modulation apparatus and image pickup apparatus, and drive methods thereof |
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