JP2001135960A - ヒートシンク - Google Patents

ヒートシンク

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JP2001135960A
JP2001135960A JP31397799A JP31397799A JP2001135960A JP 2001135960 A JP2001135960 A JP 2001135960A JP 31397799 A JP31397799 A JP 31397799A JP 31397799 A JP31397799 A JP 31397799A JP 2001135960 A JP2001135960 A JP 2001135960A
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JP
Japan
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heat sink
power
power supply
transformer
power amplifier
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Application number
JP31397799A
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English (en)
Inventor
Niro Nakamichi
仁郎 中道
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MECHANICAL RES KK
Mechanical Research Corp
Original Assignee
MECHANICAL RES KK
Mechanical Research Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ヒートシンクがアンテナとなり、電流が流れる
ことによる磁界の発生を防止する。 【解決手段】金属で成形された放熱用のヒートシンク
と、ヒートシンクの両端を電気的にショートさせる接続
部材とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱用のヒートシ
ンクに関する。
【0002】
【従来の技術】音響機器におけるパワーアンプは、パワ
ートランジスタから発生する熱を放熱するため、複数の
フィンからなるヒートシンクをパワーアンプの外部に露
出するよう配置したものが一般的である。特にA級アン
プにおいては、その発熱量が大きいため、これに比例し
て大きなヒートシンクをパワーアンプの外部空間に露出
するよう設ける必要がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ヒートシンクは一般的
に材質がアルミからなる複数のフィンから構成される
が、その形状から高周波的にアンテナと成り得る。その
場合、両端で電位差が発生することにより、ヒートシン
クに電流が流れ、これが磁界の発生源となり、音質劣化
の原因となる。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属で成形さ
れた放熱用のヒートシンクと、ヒートシンクの両端を電
気的にショートさせる接続部材とからなる。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した一実施例
を、図面を参照して説明する。
【0006】図1はモノラルのパワーアンプ1の斜視図
を示す。円筒状の電源部2内には、100Vの交流電源
を数十Vの直流電源に変換するための電源トランス、コ
ンデンサ、チョークコイル等の電源用回路素子や電源ス
イッチが収納されている。パワーアンプ1を構成する回
路部品中、これらの電源関係のパーツが最も重いため、
パワーアンプ1の最下部にこれらのパーツを配置するこ
とにより重心位置が下がり、パワーアンプ1が安定に載
置される。
【0007】図2はトランスの取り付け方法を示すため
のトランスの垂直断面図である。トランス51はコア5
2にコイル53が所要回数巻回され、このコア52がケ
ース54の内部で充填材55により封入される。このケ
ース54に巻線端部を外部に出すための孔56が形成さ
れた板状の蓋57が取り付けられる。本実施例における
トランス51は、ケース54にネジ孔が形成され、ネジ
58によってケース54がボトムベースシャシ50に取
り付けられている。
【0008】また、ボトムベースシャシ50とケース5
4との間には断面形状が円錐であるドーナツ状の皿バネ
59が介在することにより、十分な重さを持つボトムベ
ースシャシ50に対してトランス51が軽く載置された
のと同様な状態とされる。従って、トランス51に通電
されたときにトランス51に発生する振動は、ボトムベ
ースシャシ50との間で摩擦エネルギーに変換されるた
め、ボトムベースシャシ50を介して他の部品に振動が
伝わらない。
【0009】また蓋57ではなく、充填材が充填された
ケース54がボトムベースシャシ50に取り付けられて
いるため、トランス51がボトムベースシャシ50に安
定して取り付けられる。また、蓋57に形成された孔2
6が上部に位置するため、線材66を引き出すためにト
ランス51をボトムベースシャシ50から若干浮かせて
配置したり、ボトムベースシャシ50に線材を引き出す
ための孔を開ける必要がない。
【0010】電源部2の上側には、アルミで形成され、
その水平断面が略々四角形状のセンタースリーブ3が設
けられている。センタースリーブ3内には、後述する4
枚の基板が配置されている。また、センタースリーブ3
の外側の各面に対して1枚1枚のフィンの長さを異なら
せることにより、共振を防止したヒートシンク4がそれ
ぞれ配置されている。
【0011】センタースリーブ3の水平断面図を図3
に、ヒートシンク4を下側から見た背面図を図4に、ま
たその展開図を図5に示す。センタースリーブ3にヒー
トシンク4を取り付けるべく、ヒートシンク4に孔33
が形成され、またセンタースリーブ3には、このネジ孔
33に対応する位置にネジ孔41が設けられている。ネ
ジ42とヒートシンク4との間にはコイルバネ45が介
在することにより、コイルバネ45の圧縮力によってヒ
ートシンク4がセンタースリーブ3に一定の圧力で押圧
されている。
【0012】かかる構成により、上述のトランス51と
同様、ヒートシンク4はセンタースリーブ3に対してネ
ジ42によって一体的に取り付けられていない。従っ
て、スピーカからの音圧によってヒートシンク4が振動
した場合、センタースリーブ3に対してヒートシンク4
が振動し、熱エネルギーとなって吸収されるため、振動
が直接スリーブ3に伝達されない構造とされている。
【0013】ヒートシンク4はその高さが約20cm、
フィンの長さが約10cmという比較的大きなものであ
るため、高周波的にアンテナの作用を持ち、電位差が生
じる。電位差が生じると電流が流れるため、そこに磁界
が発生し、パワーアンプ1の内部の回路に悪影響を及ぼ
す。これを防止するため、ヒートシンク4の背面に、そ
の上下方向に亘って3本の溝36を形成し、この溝に伝
導率の高い銅で形成された網線37を取り付け、ヒート
シンク4の上下端でネジ止めすることにより、ヒートシ
ンクの上下端を強制的にショートさせることにより、電
位差が生じないよう構成されている。
【0014】また、このヒートシンク4の背面には、2
個のパワートランジスタ38と温度検出用のサーミスタ
39が取り付けられ、トランジスタカバープレート48
によってシールドされている。このパワートランジスタ
38と温度検出用のサーミスタ39の端子はトランジス
タカバープレート48に形成された孔57、58を介し
てセンタースリーブ3内の後述する基板に接続されてい
る。なお、43はヒートシンク4の共振防止用の連結バ
ーであり、ネジ21によってヒートシンク4に形成され
た溝22に取り付けられている。
【0015】入力端子であるピンジャック5はセンター
スリーブ3の上面に配置されたトッププレート6上に設
けられている。また出力端子であるスピーカ端子7は、
電源部2とヒートシンク4との間に配置されたスピーカ
端子ブラケット8に設けられている。
【0016】図6はセンタースリーブ3内の基板の配置
を説明するため、センタースリーブ3を省略し、また電
源部2及びヒートシンク4の一部を切り欠いた状態を示
す参考斜視図である。センタースリーブ3の内部には、
4本のシャフト11が互いに平行に設けられている。こ
のシャフト11に取り付けられ、シリコンゴムによって
形成されたダンパ12によってプリアンプ基板13、パ
ワーステージ基板14、サーボステージ基板15、小電
力電源基板16が互いに平行になるよう支持されてい
る。なお、ダンパ12の断面図を図9に示す。
【0017】プリアンプ基板13はピンジャック5から
入力された信号を前置増幅するものであり、入力信号と
いう最も微弱な信号を処理するため、トランス51やチ
ョークコイル52等が収納された電源部2から最も離れ
た場所に位置している。前置増幅された入力信号はパワ
ーステージ基板14に入力される。パワートランジスタ
38が取り付けられたヒートシンク4はコイルバネ35
を介してセンタースリーブ3に取り付けられているた
め、パワートランジスタ38の足は銅線(図示せず)を
介してパワーステージ基板14に接続されている。
【0018】本実施例における増幅器の増幅方法はA級
であり、また熱変動によるコレクタ電流の変化を検出す
ることにより、バイアス電圧を制御している。これら制
御のための回路が、パワーステージ基板14の下に位置
するサーボステージ基板15に実装されている。
【0019】小電力電源基板16は電源部2から供給を
受けた電源電流の整流と平滑化を行っている。ここで、
サーボステージ基板15と小電力電源基板16との間に
はフェライトビーズ保持板17がダンパ12によってシ
ャフト11に支持されている。図7はフェライトビーズ
保持板17の平面図である。フェライトビーズ保持板1
7はアルミプレートに計6個の孔61が形成されたもの
であり、この孔61にフェライトで形成された高周波ノ
イズ除去用の円筒状のフェライトビーズ62がチューブ
状のダンパ63を介してはめ込まれている。このフェラ
イトビーズ62の中心孔64を電源部からの全ての電源
ラインが通っている。
【0020】従って、各基板13〜16への給電ライン
に混入する高周波ノイズがフェライトビーズ62によっ
て取り除かれ、またフェライトビーズ62がパワーアン
プ1の内部でフェライトビーズ保持板17によって固定
されているため、給電ラインの振動を防止し、またパワ
ーアンプ1の組立時に生じる品質のバラツキを少なくす
ることができる。
【0021】パワーステージ基板14の出力は他のステ
ージから出るノイズの影響を受けないように配慮する必
要がある。そのため、図3に示すごとく、センタースリ
ーブ3の内面におけるコーナー部に形成された凹溝42
内にパワーステージ基板14とスピーカ端子7とを結ぶ
線材を配置した上で、アルミのシールドプレート64に
よってこの凹溝42を閉じ、ノイズの影響を受けないよ
うにされている。
【0022】プリアンプ基板13は電源部2から最も離
れた場所にあるため、プリアンプ基板13へ供給する電
源ラインもまた他のステージからの影響を受けやすい。
そのため、プリアンプ基板13へ給電するための線材は
フェライトビーズ保持板17に配置されたフェライトビ
ーズ62を通過後、凹溝42と対向するコーナー部に形
成された凹溝46内に配置され、ノイズの影響を受けな
い配慮がなされている。
【0023】また、サーボステージ基板15からプリア
ンプ基板13へのコントロール信号を伝えるための線材
が凹溝46に隣接して形成された凹溝47の内部に配置
され、同様にアルミのシールドプレート65で凹溝4
6、47が閉鎖される。
【0024】以上のごとく、各基板13〜16は各回路
ステージ毎に分割された上で、センタースリーブ3内に
互いに平行に配置されている。従って、1枚基板で構成
した場合に生じる信号ラインとサーボ信号ライン及び電
源ラインの交差による音質劣化を避けることが可能とな
る。
【0025】また、凹溝42、46、47内にノイズの
影響を受けやすい線材を配置し、この凹溝42、46、
47をシールドプレート64、65によって閉鎖するこ
とで線材をノイズからシールドすることができる。また
線材の配置位置を固定することができるため、製造時の
線材の位置のバラツキに起因する個体間の音質の変化を
少なくすることができる。
【0026】CDプレーヤ等に代表されるデジタル機器
が広く普及したことにより、パワーアンプ1の周辺には
高周波ノイズが発生している。この高周波ノイズは周波
数が高いため、表皮効果によりパワーアンプ1の表面を
伝達し、ケーブルや端子等、パワーアンプ1の外部と内
部とを貫通する部材を介してパワーアンプ1の内部に侵
入し、音質劣化の原因となる。
【0027】この高周波ノイズの侵入を阻止するため、
本実施例においては電源ケーブルの先端に取り付けられ
た電源プラグが接続されるACソケット74が取り付け
られるACコネクタブロック71を箱状に形成してい
る。図8はACコネクタブロック71の断面図である。
ACコネクタブロック71における外壁72に露出する
面と外壁72に形成された孔73との間には約1mmの
溝78が形成されている。この結果、外壁72の表面を
伝達する高周波ノイズが溝78によってACコネクタブ
ロック71まで伝達できない。その結果、高周波ノイズ
がACコネクタブロック71に取り付けられたACソケ
ット74を介してパワーアンプ1の内部に侵入すること
を防止できる。
【0028】またこのACコネクタブロック71は、前
述の皿バネ59を介してネジ74によってトップベース
シャシ60に取り付けられている。従って、スピーカか
らの音圧等によって電源ケーブルが振動した場合、AC
コネクタブロック71にもかかる振動が伝達されるが、
皿バネ59が介在しているため、パワーアンプ1の内部
に振動が伝達しない構造とされている。
【0029】なお、パワーアンプ1においてケーブルが
接続されるのは、上述の電源ケーブルの他にピンケーブ
ルが接続されるピンジャック5及びスピーカケーブルが
接続されるスピーカ端子7であり、これらがパワーアン
プ1の外壁72を流れる高周波ノイズの侵入口となり得
る。そこで、上述の各接続端子はACコネクタブロック
71と同様、外壁72とは別部材のブロックに取り付け
られると共に、別部材の表面が外壁72に形成された孔
の周囲から約1mm離間することで、外壁72の表面を
伝達する高周波ノイズの侵入が防止される。また、各ブ
ロックは皿バネ59によってシャシ50に取り付けられ
ているため、ピンケーブルやスピーカーケーブルの振動
がパワーアンプ1の内部に直接伝達しないようになされ
ている。
【0030】ACソケット74は反対側に位置する電源
スイッチ(図示せず)と線材77によって接続される
が、かかる線材77はACコネクタブロック71から電
源スイッチまでをアルミのACラインパイプ76の内部
に配線されるため、電源ラインに混入した高周波ノイズ
が電源部2の内部に放射されないよう、配慮がなされて
いる。
【0031】なお、9はピンジャック5に接続されるピ
ンケーブル(図示せず)がヒートシンク4に触れないよ
う、ピンケーブルを支持するためのケーブルサポートで
ある。
【0032】また本発明は音響機器用のパワーアンプ用
のヒートシンクに適用するだけでなく、他の機器に使用
するヒートシンクにも適用可能である。また、ヒートシ
ンクの両端をショートさせるための部材は本実施例にお
ける網線の他、導電率の高い部材であれば適用可能であ
る。
【0033】
【発明の効果】以上のごとく、本発明によればヒートシ
ンクの両端を電気的にショートさせることにより、ヒー
トシンクが高周波的にアンテナになるのを防止すること
ができるため、磁界が発生することにより回路部品への
悪影響を防止することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】パワーアンプ1の斜視図。
【図2】トランス51の垂直断面図。
【図3】センタースリーブ3の水平断面図。
【図4】ヒートシンク4の背面から見た斜視図。
【図5】ヒートシンク4の展開図。
【図6】センタースリーブ3を省略し、また電源部2及
びヒートシンク4の一部を切り欠いた状態を示す参考斜
視図
【図7】フェライトビーズ保持板17の平面図。
【図8】ACコネクタブラケット71の断面図。
【図9】ダンパ12の断面図。
【符号の説明】
1 パワーアンプ 2 電源部 3 センタースリーブ 4 ヒートシンク 7 スピーカ端子 13 プリアンプ基板 14 パワーステージ基板 15 サーボステージ基板 16 小電力電源基板 17 フェライトビーズ保持板 37 網線 46 凹溝 47 凹溝 51 トランス 54 容器 57 蓋 58 ネジ 62 フェライトビーズ 64 シールドブロック 71 ACコネクタブロック 76 ACラインパイプ 78 溝

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属で成形された放熱用のヒートシンク
    と、 該ヒートシンクの両端を電気的にショートさせる接続部
    材とからなることを特徴とするヒートシンク。
JP31397799A 1999-11-04 1999-11-04 ヒートシンク Pending JP2001135960A (ja)

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JP31397799A JP2001135960A (ja) 1999-11-04 1999-11-04 ヒートシンク

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10847882B1 (en) 2019-09-13 2020-11-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic device and communication method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10847882B1 (en) 2019-09-13 2020-11-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic device and communication method
US11411313B2 (en) 2019-09-13 2022-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic device and communication method

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