JP2001127528A - アンテナ装置 - Google Patents
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- JP2001127528A JP2001127528A JP31091999A JP31091999A JP2001127528A JP 2001127528 A JP2001127528 A JP 2001127528A JP 31091999 A JP31091999 A JP 31091999A JP 31091999 A JP31091999 A JP 31091999A JP 2001127528 A JP2001127528 A JP 2001127528A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 4線巻ヘリカルアンテナの隣合う素子間の結
合度を変化させ，インピーダンス特性を改善すること。 【解決手段】 アンテナの素子２−ａ〜２−ｄの電流分
布が大きい範囲の素子幅をより太くすることで，電流分
布の大きい部分での素子間の磁界結合を強め，と同時に
電流分布の小さい範囲での素子間の電界結合を強めて，
相殺して結果として素子間結合を弱め，インピーダンス
特性を改善する。
合度を変化させ，インピーダンス特性を改善すること。 【解決手段】 アンテナの素子２−ａ〜２−ｄの電流分
布が大きい範囲の素子幅をより太くすることで，電流分
布の大きい部分での素子間の磁界結合を強め，と同時に
電流分布の小さい範囲での素子間の電界結合を強めて，
相殺して結果として素子間結合を弱め，インピーダンス
特性を改善する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，多線巻ヘリカル
アンテナに関するものである。
アンテナに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来，この種のアンテナ装置として，例
えば，Microwave Journal, Dec．,1970,pp49-53に掲載
された， C． Kilgus，”Resonant Quadrifilar Heli
x Design”のFig6 1/4 turn volute with split sheath
balunに開示されたものがある。図１５は，Microwave
Journalに掲載された1/4 turn volute with split shea
th balunの概観図である。１０１は素子長が半波長の第
１のヘリカルアンテナ，１０２は素子長が半波長の第２
のヘリカルアンテナ，１０３は給電用の同軸ケーブル，
１０４は同軸ケーブル１０３の外導体に切られた1/4波
長のスリット，１０５は同軸ケーブル１０３の内導体に
設けられたインピーダンス変換部，１０６は第１，第２
のヘリカルアンテナ１０１，１０２の給電点である。
えば，Microwave Journal, Dec．,1970,pp49-53に掲載
された， C． Kilgus，”Resonant Quadrifilar Heli
x Design”のFig6 1/4 turn volute with split sheath
balunに開示されたものがある。図１５は，Microwave
Journalに掲載された1/4 turn volute with split shea
th balunの概観図である。１０１は素子長が半波長の第
１のヘリカルアンテナ，１０２は素子長が半波長の第２
のヘリカルアンテナ，１０３は給電用の同軸ケーブル，
１０４は同軸ケーブル１０３の外導体に切られた1/4波
長のスリット，１０５は同軸ケーブル１０３の内導体に
設けられたインピーダンス変換部，１０６は第１，第２
のヘリカルアンテナ１０１，１０２の給電点である。
【０００３】このような素子長が波長程度の４線巻ヘリ
カルアンテナは一般に入力インピーダンスは低インピー
ダンスであり,前述の文献にも素子長が半波長で最低で
２５Ω程度，１／４波長のときは５Ω程度であると記さ
れている。
カルアンテナは一般に入力インピーダンスは低インピー
ダンスであり,前述の文献にも素子長が半波長で最低で
２５Ω程度，１／４波長のときは５Ω程度であると記さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなアンテナが
接続される無線機の端子は50Ωになっており，アンテナ
を接続するためにはインピーダンス変成器等を設けてイ
ンピーダンス整合をとる必要があり，アンテナ側のイン
ピーダンスが5Ωというように極端に低い場合は，整合
回路の損失が無視できなくなるという問題がある。この
発明は、多巻き線ヘリカルアンテナのインピーダンス特
性を改善しインピーダンス整合を容易にすることを目的
とする。
接続される無線機の端子は50Ωになっており，アンテナ
を接続するためにはインピーダンス変成器等を設けてイ
ンピーダンス整合をとる必要があり，アンテナ側のイン
ピーダンスが5Ωというように極端に低い場合は，整合
回路の損失が無視できなくなるという問題がある。この
発明は、多巻き線ヘリカルアンテナのインピーダンス特
性を改善しインピーダンス整合を容易にすることを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明におけるアンテ
ナ装置は，円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で配置され
た４つの導体をアンテナ素子とし下部に給電回路を有す
る４線巻ヘリカルアンテナにおいて，上記４線巻ヘリカ
ルアンテナの各素子は、長さ方向で素子幅を変化させた
ものである。
ナ装置は，円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で配置され
た４つの導体をアンテナ素子とし下部に給電回路を有す
る４線巻ヘリカルアンテナにおいて，上記４線巻ヘリカ
ルアンテナの各素子は、長さ方向で素子幅を変化させた
ものである。
【０００６】また、この発明におけるアンテナ装置は，
円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で配置された４つの約
１／４波長の長さを有する導体を素子として，下部に給
電点を有する１／４波長４線巻ヘリカルアンテナにおい
て，上記４線巻ヘリカルアンテナの各素子は、長さ方向
で中間点を境にして下部が上部に比べ素子幅を太くした
ものである。
円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で配置された４つの約
１／４波長の長さを有する導体を素子として，下部に給
電点を有する１／４波長４線巻ヘリカルアンテナにおい
て，上記４線巻ヘリカルアンテナの各素子は、長さ方向
で中間点を境にして下部が上部に比べ素子幅を太くした
ものである。
【０００７】また，円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で
配置された４つの約１／４波長の長さを有する導体を素
子として，下部に給電点を有する１／４波長４線巻ヘリ
カルアンテナにおいて，その素子幅が下部から上部にか
けて漸次細くしたものである。
配置された４つの約１／４波長の長さを有する導体を素
子として，下部に給電点を有する１／４波長４線巻ヘリ
カルアンテナにおいて，その素子幅が下部から上部にか
けて漸次細くしたものである。
【０００８】また，円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で
配置された４つの約半波長の長さを有する導体を素子と
し，上部で各素子を電気的に接続し，下部に給電点を有
する半波長４線巻ヘリカルアンテナについて，上記半波
長４線巻ヘリカルアンテナの各素子の長さ方向で，下部
から第１の中間点までの第１の領域の素子幅を太く，上
記第１の中間点から第２の中間点までの第２の領域の素
子幅を第１の領域よりも細くし，上記第２の中間点上部
の位置までの第３の領域の素子幅を第２の領域の素子幅
よりも太くしたものである。
配置された４つの約半波長の長さを有する導体を素子と
し，上部で各素子を電気的に接続し，下部に給電点を有
する半波長４線巻ヘリカルアンテナについて，上記半波
長４線巻ヘリカルアンテナの各素子の長さ方向で，下部
から第１の中間点までの第１の領域の素子幅を太く，上
記第１の中間点から第２の中間点までの第２の領域の素
子幅を第１の領域よりも細くし，上記第２の中間点上部
の位置までの第３の領域の素子幅を第２の領域の素子幅
よりも太くしたものである。
【０００９】また、円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で
配置された４つの約半波長の長さを有する導体を素子と
し，上部で各素子を電気的に接続し，下部に給電点を有
する半波長４線巻ヘリカルアンテナにおいて，各素子の
長さ方向で，下部から中間点にかけて素子幅を漸次細く
し，中間点から上部までは漸次太くしたものである。
配置された４つの約半波長の長さを有する導体を素子と
し，上部で各素子を電気的に接続し，下部に給電点を有
する半波長４線巻ヘリカルアンテナにおいて，各素子の
長さ方向で，下部から中間点にかけて素子幅を漸次細く
し，中間点から上部までは漸次太くしたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下，図面を参照しながらこの発
明の実施の形態を説明する。
明の実施の形態を説明する。
【００１１】実施の形態１．図1はこの発明の実施の形
態１を示す構成概略図であり，図において，１は誘電体
からなる円筒であり，上記円筒１の外壁側面上に約１／
４波長の長さを有する導体２−a、２−ｂ、２−ｃ、２
−dの４本を，同間隔，同傾斜角で素子として配置し,給
電回路部３を円筒１の最下部に持つ４線巻ヘリカルアン
テナの構造を成す。給電回路部３は円筒側面の最下部ま
たは円筒底面に設けられる。給電回路３は外部からの励
振電力を受ける給電点および４本の素子を互いに９０°
位相差で励振するための位相回路を含んでいる。導体は
ストリップ導体である。
態１を示す構成概略図であり，図において，１は誘電体
からなる円筒であり，上記円筒１の外壁側面上に約１／
４波長の長さを有する導体２−a、２−ｂ、２−ｃ、２
−dの４本を，同間隔，同傾斜角で素子として配置し,給
電回路部３を円筒１の最下部に持つ４線巻ヘリカルアン
テナの構造を成す。給電回路部３は円筒側面の最下部ま
たは円筒底面に設けられる。給電回路３は外部からの励
振電力を受ける給電点および４本の素子を互いに９０°
位相差で励振するための位相回路を含んでいる。導体は
ストリップ導体である。
【００１２】円筒１の側面の展開図を図２に示す。各導
体２−a、２−ｂ、２−ｃ、２−dは長さ方向のほぼ中間
点４−４’，すなわち約１／８波長の位置を境にして，
アンテナ素子の下部６が，アンテナ素子の上部５に対し
素子幅が広くなっている。中間点は、１／８波長の位置
に限られずアンテナ素子の長さ方向で最下部から１／４
〜３／４の範囲内、好ましくは７／１６〜９／１６の範
囲内に設けられる。
体２−a、２−ｂ、２−ｃ、２−dは長さ方向のほぼ中間
点４−４’，すなわち約１／８波長の位置を境にして，
アンテナ素子の下部６が，アンテナ素子の上部５に対し
素子幅が広くなっている。中間点は、１／８波長の位置
に限られずアンテナ素子の長さ方向で最下部から１／４
〜３／４の範囲内、好ましくは７／１６〜９／１６の範
囲内に設けられる。
【００１３】次に動作原理について説明する。アンテナ
素子の電流分布が大きい範囲の素子幅をより太くするこ
とで、電流分布の大きい部分での素子間の磁界結合を強
め、と同時に電流分布の小さい範囲での素子間の電界結
合を強めて、相殺して結果として素子間結合を弱め、イ
ンピーダンス特性を改善する。図３は素子幅が等しいい
ときの，図４は素子幅が異なるときの，それぞれアンテ
ナ動作時の隣り合う素子の電流分布と素子周辺の電界，
磁界の様子を平面に展開して示している。 図中で電流
分布は７，磁界分布は８，電界分布は９で示されてい
る。
素子の電流分布が大きい範囲の素子幅をより太くするこ
とで、電流分布の大きい部分での素子間の磁界結合を強
め、と同時に電流分布の小さい範囲での素子間の電界結
合を強めて、相殺して結果として素子間結合を弱め、イ
ンピーダンス特性を改善する。図３は素子幅が等しいい
ときの，図４は素子幅が異なるときの，それぞれアンテ
ナ動作時の隣り合う素子の電流分布と素子周辺の電界，
磁界の様子を平面に展開して示している。 図中で電流
分布は７，磁界分布は８，電界分布は９で示されてい
る。
【００１４】図３のときに比べ，図４のときの方が，素
子の下部に電流が集中し，下部では磁界分布が，上部で
は電界分布がより大きくなっている。従って，図４のと
きの方が，磁界，電界のそれぞれの結合が大きくなるの
であるが，両者は相対する結合で，結局相殺されて，結
合度は小さくなることになる。結果，アンテナの入力イ
ンピーダンスの実部が大きくなる。入力インピーダンス
の実測値を従来例については図５に，本発明については
図６にスミスチャートで示す。それぞれの図中の周波数
ポイントf1〜f4までの測定値を表１に示す。
子の下部に電流が集中し，下部では磁界分布が，上部で
は電界分布がより大きくなっている。従って，図４のと
きの方が，磁界，電界のそれぞれの結合が大きくなるの
であるが，両者は相対する結合で，結局相殺されて，結
合度は小さくなることになる。結果，アンテナの入力イ
ンピーダンスの実部が大きくなる。入力インピーダンス
の実測値を従来例については図５に，本発明については
図６にスミスチャートで示す。それぞれの図中の周波数
ポイントf1〜f4までの測定値を表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】なお，このとき細いほうの素子幅は0.04波
長，太い方の素子幅が0.06波長である。表１からもわか
るように下部の素子幅を広くした方がインピーダンスの
実部が大きくなっている。それに対応して従来例（図
５）に比べ本発明（図６）の場合、図中の曲線の半径が
小さくなっている。アンテナが接続される送受信機の端
子は50Ωでインピーダンスが設定されているので，アン
テナのインピーダンスの実部が大きく，50Ωに近いほど
インピーダンス変成器等によるインピーダンス整合が容
易になる。円筒１は中が充填された円柱であっても良
い。
長，太い方の素子幅が0.06波長である。表１からもわか
るように下部の素子幅を広くした方がインピーダンスの
実部が大きくなっている。それに対応して従来例（図
５）に比べ本発明（図６）の場合、図中の曲線の半径が
小さくなっている。アンテナが接続される送受信機の端
子は50Ωでインピーダンスが設定されているので，アン
テナのインピーダンスの実部が大きく，50Ωに近いほど
インピーダンス変成器等によるインピーダンス整合が容
易になる。円筒１は中が充填された円柱であっても良
い。
【００１７】実施の形態２．図７はこの発明の実施の形
態２を示す構成概略図であり，図において，１は円筒で
あり，上記円筒１の外壁側面上に約１／４波長の長さを
有する導体１０−a１０−ｂ、１０−ｃ、１０−ｄの４
本を，同間隔，同傾斜角で配置し,給電回路部３を円筒
１の最下部に持つ４線巻ヘリカルアンテナの構造を成
す。その側面の展開図を図８に示す。各導体１０−a〜
１０−dは長さ方向の下部から上部にかけてアンテナ素
子幅が狭くなっている。
態２を示す構成概略図であり，図において，１は円筒で
あり，上記円筒１の外壁側面上に約１／４波長の長さを
有する導体１０−a１０−ｂ、１０−ｃ、１０−ｄの４
本を，同間隔，同傾斜角で配置し,給電回路部３を円筒
１の最下部に持つ４線巻ヘリカルアンテナの構造を成
す。その側面の展開図を図８に示す。各導体１０−a〜
１０−dは長さ方向の下部から上部にかけてアンテナ素
子幅が狭くなっている。
【００１８】次に動作原理を説明する。動作原理は実施
の形態１と同様で，素子の下部に電流が集中して，下部
では磁界の結合が，上部では電界の結合が強く，相殺し
て素子間結合を弱めインピーダンス特性が改善できる。
の形態１と同様で，素子の下部に電流が集中して，下部
では磁界の結合が，上部では電界の結合が強く，相殺し
て素子間結合を弱めインピーダンス特性が改善できる。
【００１９】実施の形態３．図９はこの発明の実施の形
態３を示す構成概略図であり，図において，１は円筒で
あり，上記円筒１の外壁側面上に約半波長の長さを有す
る導体１１−a〜１１−dの４本を，同間隔，同傾斜角で
配置し, 最上部で各素子を電気的に接続し，給電回路部
３を円筒１の最下部に持つ４線巻ヘリカルアンテナの構
造を成す。その側面の展開図を図１０に示す。各導体１
１−a〜１１−dは，最下部から長さ方向のほぼ約１／４
の位置１２−１２’，すなわち約１／８波長の位置の第
１の中間点までの第１の領域１３と，第１の中間点１２
−１２’から長さ方向でほぼ３／４の位置の第２の中間
点１４−１４’までの第２の領域１５，そして第２の中
間点１４−１４’から最上部までの第３の領域１６に分
けられ，第２の領域１５が他の領域１３，１６に比べて
素子幅が細くなっている。第１の中間点は、長手方向に
最下部から１／８〜３／８の範囲内、好ましくは３／１
６〜５／１６の範囲内に設けられる。第２の中間点は、
最下部から５／８〜７／８の範囲内、好ましくは１１／
１６〜１３／１６の範囲内に設けられる。
態３を示す構成概略図であり，図において，１は円筒で
あり，上記円筒１の外壁側面上に約半波長の長さを有す
る導体１１−a〜１１−dの４本を，同間隔，同傾斜角で
配置し, 最上部で各素子を電気的に接続し，給電回路部
３を円筒１の最下部に持つ４線巻ヘリカルアンテナの構
造を成す。その側面の展開図を図１０に示す。各導体１
１−a〜１１−dは，最下部から長さ方向のほぼ約１／４
の位置１２−１２’，すなわち約１／８波長の位置の第
１の中間点までの第１の領域１３と，第１の中間点１２
−１２’から長さ方向でほぼ３／４の位置の第２の中間
点１４−１４’までの第２の領域１５，そして第２の中
間点１４−１４’から最上部までの第３の領域１６に分
けられ，第２の領域１５が他の領域１３，１６に比べて
素子幅が細くなっている。第１の中間点は、長手方向に
最下部から１／８〜３／８の範囲内、好ましくは３／１
６〜５／１６の範囲内に設けられる。第２の中間点は、
最下部から５／８〜７／８の範囲内、好ましくは１１／
１６〜１３／１６の範囲内に設けられる。
【００２０】次に動作原理を説明する。図１１は素子幅
が等しいいときの，図１２は素子幅が異なるときの，そ
れぞれアンテナ動作時の隣り合う素子の電流分布と素子
周辺の電界，磁界の様子を平面に展開して示している。
図中で電流分布は１７，磁界分布は１８，電界分布は
１９で示されている。
が等しいいときの，図１２は素子幅が異なるときの，そ
れぞれアンテナ動作時の隣り合う素子の電流分布と素子
周辺の電界，磁界の様子を平面に展開して示している。
図中で電流分布は１７，磁界分布は１８，電界分布は
１９で示されている。
【００２１】図１１のときに比べ，図１２のときの方
が，素子の第１の領域１３及び，第３の領域１６に電流
が集中し，第１の領域１３及び，第３の領域１６では磁
界分布が，第２の領域１５では電界分布がより大きくな
っている。従って，図１２のときの方が，磁界，電界の
それぞれの結合が大きくなるのであるが，両者は相対す
る結合で，結局相殺されて，結合度は小さくなることに
なる。その結果，実施の形態１と同様な原理で，アンテ
ナの入力インピーダンスの実部が大きくなる。
が，素子の第１の領域１３及び，第３の領域１６に電流
が集中し，第１の領域１３及び，第３の領域１６では磁
界分布が，第２の領域１５では電界分布がより大きくな
っている。従って，図１２のときの方が，磁界，電界の
それぞれの結合が大きくなるのであるが，両者は相対す
る結合で，結局相殺されて，結合度は小さくなることに
なる。その結果，実施の形態１と同様な原理で，アンテ
ナの入力インピーダンスの実部が大きくなる。
【００２２】実施の形態４．図１３はこの発明の実施の
形態４を示す構成概略図であり，図において，１は円筒
であり，上記円筒１の外壁側面上に約半波長の長さを有
する導体２０−a〜２０−dの４本を，同間隔，同傾斜角
で配置し, 最上部で各素子を電気的に接続し，給電回路
部３を円筒１の最下部に持つ４線巻ヘリカルアンテナの
構造を成す．その展開図を図１４に示す．各導体２０−
a〜２０−dは長さ方向の最下部から中間点にかけて漸
次，アンテナの素子幅が狭くなっていき，中間点から最
上部にかけて広くなっている。
形態４を示す構成概略図であり，図において，１は円筒
であり，上記円筒１の外壁側面上に約半波長の長さを有
する導体２０−a〜２０−dの４本を，同間隔，同傾斜角
で配置し, 最上部で各素子を電気的に接続し，給電回路
部３を円筒１の最下部に持つ４線巻ヘリカルアンテナの
構造を成す．その展開図を図１４に示す．各導体２０−
a〜２０−dは長さ方向の最下部から中間点にかけて漸
次，アンテナの素子幅が狭くなっていき，中間点から最
上部にかけて広くなっている。
【００２３】次に動作原理を説明する．動作原理は実施
の形態３と同様で，最上部と最下部の磁界の結合と中間
点の電界の結合が相殺されて結合度が小さくなり，その
結果，実施の形態１と同様な原理で，アンテナの入力イ
ンピーダンスの実部が大きくなる。
の形態３と同様で，最上部と最下部の磁界の結合と中間
点の電界の結合が相殺されて結合度が小さくなり，その
結果，実施の形態１と同様な原理で，アンテナの入力イ
ンピーダンスの実部が大きくなる。
【００２４】
【発明の効果】本発明のアンテナ装置では，アンテナ素
子導体の幅を長手方向で変化させることにより、隣合う
素子間の結合度を抑え，インピーダンス特性を改善しイ
ンピーダンス整合を容易にすることができる。
子導体の幅を長手方向で変化させることにより、隣合う
素子間の結合度を抑え，インピーダンス特性を改善しイ
ンピーダンス整合を容易にすることができる。
【図１】 この発明に係るアンテナ装置の実施の形態１
を示す構成概略図である。
を示す構成概略図である。
【図２】 この発明に係るアンテナ装置の実施の形態１
における導体の展開図である。
における導体の展開図である。
【図３】 この発明に係るアンテナ装置の実施の形態１
における動作原理説明の図である。
における動作原理説明の図である。
【図４】 この発明に係るアンテナ装置の実施の形態１
における動作原理説明の図である。
における動作原理説明の図である。
【図５】 従来のアンテナ装置の動作原理説明のための
スミスチャートである。
スミスチャートである。
【図６】 この発明に係るアンテナ装置の実施の形態１
を示す動作原理説明のためのスミスチャートである。
を示す動作原理説明のためのスミスチャートである。
【図７】 この発明に係るアンテナ装置の実施の形態２
を示す構成概略図である。
を示す構成概略図である。
【図８】 この発明に係るアンテナ装置に係るアンテナ
装置の実施の形態２における導体の展開図である。
装置の実施の形態２における導体の展開図である。
【図９】 この発明に係るアンテナ装置に係るアンテナ
装置の実施の形態３を示す構成概略図である。
装置の実施の形態３を示す構成概略図である。
【図１０】 この発明に係るアンテナ装置の実施の形態
３における導体の展開図である。
３における導体の展開図である。
【図１１】 この発明の実施に係るアンテナ装置の形態
３における動作原理説明の図である。
３における動作原理説明の図である。
【図１２】 この発明の実施に係るアンテナ装置の形態
３における動作原理説明の図である。
３における動作原理説明の図である。
【図１３】 この発明に係るアンテナ装置の実施の形態
４を示す構成概略図である。
４を示す構成概略図である。
【図１４】 この発明に係るアンテナ装置の実施の形態
４を示す構成概略図である。
４を示す構成概略図である。
【図１５】 従来のアンテナ装置の構成図である。
１ 円筒 ２−a〜２−d １／４波長導体 ３ 給電回路 ４，４’ 中間点 ５ アンテナ素子の上部 ６ アンテナ素子の下部 ７ 電流分布 ８ 電界分布 ９ 磁界分布 １０−a〜１０−d １／４波長導体 １１―a〜１１−d 半波長導体 １２，１２’ 第１の中間点 １３ 第１の領域 １４，１４’ 第２の中間点 １５ 第２の領域 １６ 第３の領域 １７ 電流分布 １８ 磁界分布 １９ 電界分布 ２０−a〜２０−d 半波長導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西野 有 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 宮▲ざき▼ 守▲やす▼ 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5J046 AA02 AA03 AB12 PA01
Claims (5)
- 【請求項１】 円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で配置
された４つの導体をアンテナ素子とし下部に給電回路を
有する４線巻ヘリカルアンテナにおいて，上記４線巻ヘ
リカルアンテナの各素子は、長さ方向で素子幅を変化さ
せたことを特徴とするアンテナ装置。 - 【請求項２】 円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で配置
された４つの約１／４波長の長さを有する導体を素子と
して，下部に給電回路を有する１／４波長４線巻ヘリカ
ルアンテナにおいて，上記４線巻ヘリカルアンテナの各
素子は、長さ方向で中間点を境にして下部が上部に比べ
素子幅を太くしたことを特徴とするアンテナ装置。 - 【請求項３】 円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で配置
された４つの約１／４波長の長さを有する導体を素子と
して，下部に給電回路を有する１／４波長４線巻ヘリカ
ルアンテナにおいて，各素子の幅を下部から上部にかけ
て漸次細くしたこと特徴とするアンテナ装置。 - 【請求項４】 円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で配置
された４つの約半波長の長さを有する導体を素子とし，
上部で各素子を電気的に接続し，下部に給電回路を有す
る半波長４線巻ヘリカルアンテナについて，上記半波長
４線巻ヘリカルアンテナの各素子の長さ方向で，下部か
ら第１の中間点までの第１の領域の素子幅を太く，上記
第１の中間点から第２の中間点までの第２の領域の素子
幅を第１の領域よりも細くし，上記第２の中間点から上
部の位置までの第３の領域の素子幅を第２の領域の素子
幅よりも太くしたことを特徴とするアンテナ装置。 - 【請求項５】 円筒側面上に等間隔かつ同傾斜角で配置
された４つの約半波長の長さを有する導体を素子とし，
上部で各素子を電気的に接続し，下部に給電回路を有す
る半波長４線巻ヘリカルアンテナにおいて，各素子の長
さ方向で，下部から中間点にかけて素子幅を漸次細く
し，中間点から上部までは漸次太くしたことを特徴とす
るアンテナ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31091999A JP3654094B2 (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | アンテナ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31091999A JP3654094B2 (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | アンテナ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127528A true JP2001127528A (ja) | 2001-05-11 |
| JP3654094B2 JP3654094B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=18010974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31091999A Expired - Lifetime JP3654094B2 (ja) | 1999-11-01 | 1999-11-01 | アンテナ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3654094B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005159725A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Japan Radio Co Ltd | ヘリカルアンテナ及びそのアレイアンテナ |
| JP2010511339A (ja) * | 2006-11-28 | 2010-04-08 | サランテル リミテッド | 誘電体装荷アンテナ及びアンテナアセンブリ |
-
1999
- 1999-11-01 JP JP31091999A patent/JP3654094B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005159725A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Japan Radio Co Ltd | ヘリカルアンテナ及びそのアレイアンテナ |
| JP4533619B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2010-09-01 | 日本無線株式会社 | ヘリカルアンテナ及びそのアレイアンテナ |
| JP2010511339A (ja) * | 2006-11-28 | 2010-04-08 | サランテル リミテッド | 誘電体装荷アンテナ及びアンテナアセンブリ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3654094B2 (ja) | 2005-06-02 |
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