JP2001127316A - 薄膜光電変換装置 - Google Patents
薄膜光電変換装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜光電変換ユニットと裏面透明導電膜との
界面抵抗を下げることにより、光電変換特性が改善され
た薄膜光電変換装置を提供する。 【解決手段】 基板（１）上に、透明導電膜（２）、ｐ
ｉｎ接合を有する薄膜光電変換ユニット（３）、裏面透
明導電膜（４１）、裏面金属電極（４２）を順次形成し
た薄膜光電変換装置であって、前記薄膜光電変換ユニッ
ト（３）を構成するｎ型層（３３）が不純物としてリン
を原子比で２〜８％含有するシリコンからなり、前記裏
面透明導電膜（４１）がＡｌを１〜５ｗｔ％含有するＺ
ｎＯからなる。
界面抵抗を下げることにより、光電変換特性が改善され
た薄膜光電変換装置を提供する。 【解決手段】 基板（１）上に、透明導電膜（２）、ｐ
ｉｎ接合を有する薄膜光電変換ユニット（３）、裏面透
明導電膜（４１）、裏面金属電極（４２）を順次形成し
た薄膜光電変換装置であって、前記薄膜光電変換ユニッ
ト（３）を構成するｎ型層（３３）が不純物としてリン
を原子比で２〜８％含有するシリコンからなり、前記裏
面透明導電膜（４１）がＡｌを１〜５ｗｔ％含有するＺ
ｎＯからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜光電変換装置に
関し、特に光電変換特性が改善された薄膜光電変換装置
に関する。
関し、特に光電変換特性が改善された薄膜光電変換装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体薄膜を利用した光電変換装
置の開発が精力的に行なわれている。これらの光電変換
装置の開発では、安価な基板上に低温プロセスで良質の
半導体薄膜を形成することによる低コスト化と高性能化
の両立が目標となっている。こうした光電変換装置は、
太陽電池、光センサなど、さまざまな用途への応用が期
待されている。
置の開発が精力的に行なわれている。これらの光電変換
装置の開発では、安価な基板上に低温プロセスで良質の
半導体薄膜を形成することによる低コスト化と高性能化
の両立が目標となっている。こうした光電変換装置は、
太陽電池、光センサなど、さまざまな用途への応用が期
待されている。
【０００３】光電変換装置の一例として、基板上に、透
明導電膜、ｐｉｎ接合を有する薄膜光電変換ユニット、
裏面透明導電膜、裏面金属電極を順次積層した構造を有
するものが知られている。薄膜光電変換ユニットと裏面
金属電極との間の裏面透明導電膜は、半導体薄膜と金属
電極との熱膨張係数の相違による熱歪みを緩和して付着
性を高め、かつ金属電極の金属原子が光電変換ユニット
へ拡散するのを防止するために設けられる。この裏面透
明導電膜としてはＺｎＯが用いられることが多く、一般
的に１０ｎｍ〜１μｍの厚さで高い透過率を有し、しか
も１．５×１０ -3Ωｃｍ以下の低い抵抗率を有すること
が要求される。このようにＺｎＯの抵抗率を下げるため
に、通常Ａｌなどの金属元素がドープされる。
明導電膜、ｐｉｎ接合を有する薄膜光電変換ユニット、
裏面透明導電膜、裏面金属電極を順次積層した構造を有
するものが知られている。薄膜光電変換ユニットと裏面
金属電極との間の裏面透明導電膜は、半導体薄膜と金属
電極との熱膨張係数の相違による熱歪みを緩和して付着
性を高め、かつ金属電極の金属原子が光電変換ユニット
へ拡散するのを防止するために設けられる。この裏面透
明導電膜としてはＺｎＯが用いられることが多く、一般
的に１０ｎｍ〜１μｍの厚さで高い透過率を有し、しか
も１．５×１０ -3Ωｃｍ以下の低い抵抗率を有すること
が要求される。このようにＺｎＯの抵抗率を下げるため
に、通常Ａｌなどの金属元素がドープされる。
【０００４】しかし、裏面透明導電膜の抵抗率を下げる
だけでは、光電変換装置の光電変換特性を十分に改善す
ることができない。たとえば、光電変換装置の光電変換
特性を低下させる原因として、薄膜光電変換ユニットと
裏面透明導電膜との界面抵抗が挙げられ、この界面抵抗
を下げることが要望されている。
だけでは、光電変換装置の光電変換特性を十分に改善す
ることができない。たとえば、光電変換装置の光電変換
特性を低下させる原因として、薄膜光電変換ユニットと
裏面透明導電膜との界面抵抗が挙げられ、この界面抵抗
を下げることが要望されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、薄膜
光電変換ユニットと裏面透明導電膜との界面抵抗を下げ
ることにより、光電変換特性が改善された薄膜光電変換
装置を提供することにある。
光電変換ユニットと裏面透明導電膜との界面抵抗を下げ
ることにより、光電変換特性が改善された薄膜光電変換
装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜光電変換装
置は、基板上に、透明導電膜、ｐｉｎ接合を有する薄膜
光電変換ユニット、裏面透明導電膜、裏面金属電極を順
次形成して薄膜光電変換装置において、前記薄膜光電変
換ユニットを構成するｎ型層が不純物としてリンを原子
比で２〜８％含有するシリコンからなり、前記裏面透明
導電膜がＡｌを１〜５ｗｔ％含有するＺｎＯからなるこ
とを特徴とする。
置は、基板上に、透明導電膜、ｐｉｎ接合を有する薄膜
光電変換ユニット、裏面透明導電膜、裏面金属電極を順
次形成して薄膜光電変換装置において、前記薄膜光電変
換ユニットを構成するｎ型層が不純物としてリンを原子
比で２〜８％含有するシリコンからなり、前記裏面透明
導電膜がＡｌを１〜５ｗｔ％含有するＺｎＯからなるこ
とを特徴とする。
【０００７】本発明の薄膜光電変換装置においては、例
えばアモルファスシリコンからなる薄膜光電変換ユニッ
トが用いられる。この薄膜光電変換ユニットを構成する
ｎ型層は、微結晶を含むアモルファスシリコンであるこ
とが好ましい。
えばアモルファスシリコンからなる薄膜光電変換ユニッ
トが用いられる。この薄膜光電変換ユニットを構成する
ｎ型層は、微結晶を含むアモルファスシリコンであるこ
とが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１に示す断面図を参照して、本
発明に係るシリコン系薄膜光電変換装置の一例を説明す
る。このシリコン系薄膜光電変換装置は、基板１上に、
透明導電膜２と、ｐ型層３１、実質的に真性半導体から
なるｉ型層３２およびｎ型層３３を含むシリコン系光電
変換ユニット３と、ＺｎＯからなる裏面透明導電膜４１
および裏面金属電極４２を含む裏面電極４とを順次積層
した構造を有する。この光電変換装置に対しては、光電
変換されるべき光ｈνは基板１側から入射される。
発明に係るシリコン系薄膜光電変換装置の一例を説明す
る。このシリコン系薄膜光電変換装置は、基板１上に、
透明導電膜２と、ｐ型層３１、実質的に真性半導体から
なるｉ型層３２およびｎ型層３３を含むシリコン系光電
変換ユニット３と、ＺｎＯからなる裏面透明導電膜４１
および裏面金属電極４２を含む裏面電極４とを順次積層
した構造を有する。この光電変換装置に対しては、光電
変換されるべき光ｈνは基板１側から入射される。
【０００９】基板１としては、有機フィルム、セラミッ
クス、または低融点の安価なガラスなどの透明基板を用
いることができる。
クス、または低融点の安価なガラスなどの透明基板を用
いることができる。
【００１０】基板１上に配置される透明導電膜２の材料
としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ2およびＺｎＯから選択され
る１以上の層を含む裏面透明導電膜が用いられる。これ
らの材料のうち、透過率、導電率および化学安定性の観
点からはＳｎＯ2が特に好適であり、加工性、導電率お
よび透過率の観点からはＩＴＯも好適である。透明導電
膜は真空蒸着、熱ＣＶＤまたはスパッタなどの方法によ
って基板１上に形成される。
としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ2およびＺｎＯから選択され
る１以上の層を含む裏面透明導電膜が用いられる。これ
らの材料のうち、透過率、導電率および化学安定性の観
点からはＳｎＯ2が特に好適であり、加工性、導電率お
よび透過率の観点からはＩＴＯも好適である。透明導電
膜は真空蒸着、熱ＣＶＤまたはスパッタなどの方法によ
って基板１上に形成される。
【００１１】透明導電膜２上に光電変換ユニット３が形
成される。光電変換ユニット３は、アモルファスシリコ
ン系、微結晶を含むアモルファスシリコン系、結晶質
（多結晶または微結晶）シリコン系のいずれでもよい。
この光電変換ユニット３に含まれるすべての半導体層
は、下地温度を４００℃以下に設定してプラズマＣＶＤ
法によって堆積される。プラズマＣＶＤ法としては、一
般によく知られている平行平板型のＲＦプラズマＣＶＤ
を用いてもよいし、周波数１５０ＭＨｚ以下のＲＦ帯か
らＶＨＦ帯までの高周波電源を利用するプラズマＣＶＤ
法を用いてもよい。この光電変換ユニット３にはｐ型層
３１、ｉ型層３２およびｎ型層３３が含まれる。
成される。光電変換ユニット３は、アモルファスシリコ
ン系、微結晶を含むアモルファスシリコン系、結晶質
（多結晶または微結晶）シリコン系のいずれでもよい。
この光電変換ユニット３に含まれるすべての半導体層
は、下地温度を４００℃以下に設定してプラズマＣＶＤ
法によって堆積される。プラズマＣＶＤ法としては、一
般によく知られている平行平板型のＲＦプラズマＣＶＤ
を用いてもよいし、周波数１５０ＭＨｚ以下のＲＦ帯か
らＶＨＦ帯までの高周波電源を利用するプラズマＣＶＤ
法を用いてもよい。この光電変換ユニット３にはｐ型層
３１、ｉ型層３２およびｎ型層３３が含まれる。
【００１２】ｐ型層３１は、たとえば導電型決定不純物
原子としてボロンをドープしたｐ型シリコン系薄膜から
なる。ただし、不純物原子は特に限定されず、アルミニ
ウムなどでもよい。なお、必要に応じて、堆積されたｐ
型層３１にパルスレーザ光を照射（レーザーアニール）
することにより、結晶化分率やキャリア濃度を制御する
こともできる。
原子としてボロンをドープしたｐ型シリコン系薄膜から
なる。ただし、不純物原子は特に限定されず、アルミニ
ウムなどでもよい。なお、必要に応じて、堆積されたｐ
型層３１にパルスレーザ光を照射（レーザーアニール）
することにより、結晶化分率やキャリア濃度を制御する
こともできる。
【００１３】ｐ型層３１上にｉ型層３２が堆積される。
このｉ型層３２は、実質的にノンドープの真性半導体か
らなる。ｉ型層３２の厚さは、必要かつ十分な光電変換
が可能なように、アモルファスシリコン系の場合には一
般的に０．３〜０．４μｍ、結晶質シリコン系の場合に
は一般的に０．５〜２０μｍの範囲に形成される。この
うち結晶質（多結晶または微結晶）シリコン系の光電変
換層としては、体積結晶化分率が８０％以上である、多
結晶シリコン膜もしくは微結晶シリコン膜または微量の
不純物を含む弱ｐ型もしくは弱ｎ型で光電変換機能を十
分に備えたシリコン系薄膜材料を用いることができる。
このｉ型層３２は、実質的にノンドープの真性半導体か
らなる。ｉ型層３２の厚さは、必要かつ十分な光電変換
が可能なように、アモルファスシリコン系の場合には一
般的に０．３〜０．４μｍ、結晶質シリコン系の場合に
は一般的に０．５〜２０μｍの範囲に形成される。この
うち結晶質（多結晶または微結晶）シリコン系の光電変
換層としては、体積結晶化分率が８０％以上である、多
結晶シリコン膜もしくは微結晶シリコン膜または微量の
不純物を含む弱ｐ型もしくは弱ｎ型で光電変換機能を十
分に備えたシリコン系薄膜材料を用いることができる。
【００１４】ｉ型層３２上にはｎ型層３３が形成され
る。このｎ型層３３は、たとえば導電型決定不純物原子
としてリンがドープされたｎ型シリコン系薄膜からな
る。ただし、不純物原子は特に限定されず、窒素などで
もよい。本発明の薄膜光電変換装置においては、不純物
としてリンを原子比で２〜８％含有するｎ型シリコン系
薄膜が用いられる。リンの含有量は原子比で５〜７％で
あることがより好ましい。本発明におけるｎ型層のリン
含有量は、通常よりも多くなっている。このｎ型層は、
微結晶を含むアモルファスシリコンからなることが好ま
しい。このｎ型層はＳｉＨ4とＰＨ3を１００：２〜８の
流量比で供給しながらプラズマＣＶＤにより形成され
る。
る。このｎ型層３３は、たとえば導電型決定不純物原子
としてリンがドープされたｎ型シリコン系薄膜からな
る。ただし、不純物原子は特に限定されず、窒素などで
もよい。本発明の薄膜光電変換装置においては、不純物
としてリンを原子比で２〜８％含有するｎ型シリコン系
薄膜が用いられる。リンの含有量は原子比で５〜７％で
あることがより好ましい。本発明におけるｎ型層のリン
含有量は、通常よりも多くなっている。このｎ型層は、
微結晶を含むアモルファスシリコンからなることが好ま
しい。このｎ型層はＳｉＨ4とＰＨ3を１００：２〜８の
流量比で供給しながらプラズマＣＶＤにより形成され
る。
【００１５】光電変換ユニット３上には裏面透明導電膜
４１と裏面金属電極４２とを含む裏面電極４が形成され
る。
４１と裏面金属電極４２とを含む裏面電極４が形成され
る。
【００１６】裏面透明導電膜４１は、光電変換ユニット
３と裏面金属電極４２との付着性を高め、裏面金属電極
４２による反射効率を高め、光電変換ユニット３を化学
変化から防止する機能を有する。本発明においては、裏
面透明導電膜４１としてＡｌを１〜５ｗｔ％含有するＺ
ｎＯが用いられる。ＺｎＯ中のＡｌ含有量は３〜５ｗｔ
％であることがより好ましい。光電変換ユニット３に隣
接する裏面透明導電膜４１の平均結晶粒径は１００ｎｍ
以上であることが好ましい。また、ＺｎＯを主成分とす
る裏面透明導電膜４１の膜厚は１０ｎｍ〜１μｍである
ことが好ましく、比抵抗は１．５×１０-3Ωｃｍ以下で
あることが好ましい。このような裏面透明導電膜は、タ
ーゲットとしてＡｌ2Ｏ3を１〜５ｗｔ％ドープしたＺｎ
Ｏを用いてスパッタ法により形成される。
３と裏面金属電極４２との付着性を高め、裏面金属電極
４２による反射効率を高め、光電変換ユニット３を化学
変化から防止する機能を有する。本発明においては、裏
面透明導電膜４１としてＡｌを１〜５ｗｔ％含有するＺ
ｎＯが用いられる。ＺｎＯ中のＡｌ含有量は３〜５ｗｔ
％であることがより好ましい。光電変換ユニット３に隣
接する裏面透明導電膜４１の平均結晶粒径は１００ｎｍ
以上であることが好ましい。また、ＺｎＯを主成分とす
る裏面透明導電膜４１の膜厚は１０ｎｍ〜１μｍである
ことが好ましく、比抵抗は１．５×１０-3Ωｃｍ以下で
あることが好ましい。このような裏面透明導電膜は、タ
ーゲットとしてＡｌ2Ｏ3を１〜５ｗｔ％ドープしたＺｎ
Ｏを用いてスパッタ法により形成される。
【００１７】裏面透明導電膜４１上の裏面金属電極４２
は真空蒸着またはスパッタなどの方法によって形成する
ことができる。裏面金属電極４２は、Ａｇ、Ａｕ、Ａ
ｌ、ＣｕおよびＰｔから選択される１種、またはこれら
を含む合金で形成することが好ましい。たとえば、光反
射性の高いＡｇを１００〜３３０℃、より好ましくは２
００〜３００℃の温度で真空蒸着によって形成すること
が好ましい。また、Ａｇ上にＴｉなどを形成してもよ
い。
は真空蒸着またはスパッタなどの方法によって形成する
ことができる。裏面金属電極４２は、Ａｇ、Ａｕ、Ａ
ｌ、ＣｕおよびＰｔから選択される１種、またはこれら
を含む合金で形成することが好ましい。たとえば、光反
射性の高いＡｇを１００〜３３０℃、より好ましくは２
００〜３００℃の温度で真空蒸着によって形成すること
が好ましい。また、Ａｇ上にＴｉなどを形成してもよ
い。
【００１８】本発明によれば、薄膜光電変換ユニットを
構成するｎ型シリコン層中のリン含有量を原子比で２〜
８％に設定するとともに、裏面透明導電膜であるＺｎＯ
中のＡｌ含有量を１〜５ｗｔ％に設定することにより、
両者の間の界面抵抗を下げることができ、光電変換特性
の改善された薄膜光電変換装置を提供することができ
る。
構成するｎ型シリコン層中のリン含有量を原子比で２〜
８％に設定するとともに、裏面透明導電膜であるＺｎＯ
中のＡｌ含有量を１〜５ｗｔ％に設定することにより、
両者の間の界面抵抗を下げることができ、光電変換特性
の改善された薄膜光電変換装置を提供することができ
る。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２０】（実施例１）図１に示されるアモルファス
シリコン系光電変換装置を製造した。まず、ガラス基板
１上にＳｎＯ2からなる透明導電膜２を形成した。この
透明導電膜２上に、プラズマＣＶＤ法により、ｐ型層３
１、ｉ型層３２、ｎ型層３３を含むアモルファスシリコ
ン系光電変換ユニット３を形成した。このうちｎ型層３
３は、水素希釈されたＳｉＨ4とＰＨ3を１００：６の流
量比で供給しながらプラズマＣＶＤにより形成した。こ
の光電変換ユニット３上に、厚さ９０ｎｍのＡｌドープ
ＺｎＯからなる裏面透明導電膜４１を形成した。この裏
面透明導電膜４１は、ターゲットとしてＡｌ2Ｏ3を３ｗ
ｔ％ドープしたＺｎＯを用いてスパッタ法により形成し
た。さらに、裏面透明導電膜４１上に、スパッタ法によ
りＡｇからなる裏面金属電極４２を形成し、光電変換装
置を製造した。
シリコン系光電変換装置を製造した。まず、ガラス基板
１上にＳｎＯ2からなる透明導電膜２を形成した。この
透明導電膜２上に、プラズマＣＶＤ法により、ｐ型層３
１、ｉ型層３２、ｎ型層３３を含むアモルファスシリコ
ン系光電変換ユニット３を形成した。このうちｎ型層３
３は、水素希釈されたＳｉＨ4とＰＨ3を１００：６の流
量比で供給しながらプラズマＣＶＤにより形成した。こ
の光電変換ユニット３上に、厚さ９０ｎｍのＡｌドープ
ＺｎＯからなる裏面透明導電膜４１を形成した。この裏
面透明導電膜４１は、ターゲットとしてＡｌ2Ｏ3を３ｗ
ｔ％ドープしたＺｎＯを用いてスパッタ法により形成し
た。さらに、裏面透明導電膜４１上に、スパッタ法によ
りＡｇからなる裏面金属電極４２を形成し、光電変換装
置を製造した。
【００２１】得られた光電変換装置に、ＡＭ１．５の光
を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で入射したときの光電変換
効率は１０．８％であった。
を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で入射したときの光電変換
効率は１０．８％であった。
【００２２】（比較例１）以下の条件を用いた以外は実
施例１と同様にして光電変換装置を製造した。すなわ
ち、水素希釈されたＳｉＨ4とＰＨ3を１００：１の流量
比で供給しながらプラズマＣＶＤによりｎ型層３３を形
成した。また、ターゲットとしてＡｌ2Ｏ3を２ｗｔ％ド
ープしたＺｎＯを用いてスパッタ法によりＡｌドープＺ
ｎＯからなる裏面透明導電膜４１を形成した。
施例１と同様にして光電変換装置を製造した。すなわ
ち、水素希釈されたＳｉＨ4とＰＨ3を１００：１の流量
比で供給しながらプラズマＣＶＤによりｎ型層３３を形
成した。また、ターゲットとしてＡｌ2Ｏ3を２ｗｔ％ド
ープしたＺｎＯを用いてスパッタ法によりＡｌドープＺ
ｎＯからなる裏面透明導電膜４１を形成した。
【００２３】得られた光電変換装置に、ＡＭ１．５の光
を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で入射したときの光電変換
効率は１０．２％であり、実施例１よりも低かった。
を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量で入射したときの光電変換
効率は１０．２％であり、実施例１よりも低かった。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、薄
膜光電変換ユニットと裏面透明導電膜との界面抵抗を下
げることにより、光電変換特性が改善された薄膜光電変
換装置を提供することができる。
膜光電変換ユニットと裏面透明導電膜との界面抵抗を下
げることにより、光電変換特性が改善された薄膜光電変
換装置を提供することができる。
【図１】本発明に係るシリコン系薄膜光電変換装置の一
例を示す断面図。
例を示す断面図。
１…基板 ２…透明導電膜 ３…光電変換ユニット ３１…ｐ型層 ３２…ｉ型層 ３３…ｎ型層 ４…裏面電極 ４１…裏面透明導電膜 ４２…裏面金属電極
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、透明導電膜、ｐｉｎ接合を有
する薄膜光電変換ユニット、裏面透明導電膜、裏面金属
電極を順次形成した薄膜光電変換装置において、前記薄
膜光電変換ユニットを構成するｎ型層が不純物としてリ
ンを原子比で２〜８％含有するシリコンからなり、前記
裏面透明導電膜がＡｌを１〜５ｗｔ％含有するＺｎＯか
らなることを特徴とする薄膜光電変換装置。 - 【請求項２】 前記薄膜光電変換ユニットがアモルファ
スシリコンからなることを特徴とする請求項１記載の薄
膜光電変換装置。 - 【請求項３】 前記薄膜光電変換ユニットを構成するｎ
型層が微結晶を含むアモルファスシリコンからなること
を特徴とする請求項２記載の薄膜光電変換装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30553299A JP2001127316A (ja) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | 薄膜光電変換装置 |
| EP00105962.5A EP1096577B9 (en) | 1999-10-27 | 2000-03-24 | Method of producing a thin-film photovoltaic device |
| AU22572/00A AU777360B2 (en) | 1999-10-27 | 2000-03-24 | Method of producing a thin-film photovoltaic device |
| US09/536,092 US6500690B1 (en) | 1999-10-27 | 2000-03-24 | Method of producing a thin-film photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30553299A JP2001127316A (ja) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | 薄膜光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127316A true JP2001127316A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17946297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30553299A Pending JP2001127316A (ja) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | 薄膜光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001127316A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7012739B2 (en) | 2003-04-10 | 2006-03-14 | Agilent Technologies, Inc. | Double-pass polarization-independent signal processor and on-axis processing method |
| JP2010219084A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | （Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系スパッタリングターゲット |
| JP2010238893A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | （Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３−Ａｌ系スパッタリングターゲット |
-
1999
- 1999-10-27 JP JP30553299A patent/JP2001127316A/ja active Pending
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