JP2001124822A - テストバーンイン装置及びバーンイン試験方法 - Google Patents

テストバーンイン装置及びバーンイン試験方法

Info

Publication number
JP2001124822A
JP2001124822A JP31003299A JP31003299A JP2001124822A JP 2001124822 A JP2001124822 A JP 2001124822A JP 31003299 A JP31003299 A JP 31003299A JP 31003299 A JP31003299 A JP 31003299A JP 2001124822 A JP2001124822 A JP 2001124822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
burn
test
semiconductor integrated
scan
measured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31003299A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Ishikawa
貴之 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ando Electric Co Ltd filed Critical Ando Electric Co Ltd
Priority to JP31003299A priority Critical patent/JP2001124822A/ja
Publication of JP2001124822A publication Critical patent/JP2001124822A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題は、(1)各ICに2種類のス
キャン信号を接続することによってIC毎のアクセスス
トップを制御して、IC毎にバーンイン試験を実施可能
であり、(2)ICの良否の判定結果に基づいてスキャ
ン信号を制御してリアルタイムでアクセスストップを制
御するテストバーンイン装置及びバーンイン試験方法を
提供する。 【解決手段】 テストバーンインボード7に装着され
た複数の被測定ICに試験用パターン信号をパターン発
生器2から出力し、これら複数の被測定ICの中からS
CAN制御回路A(6a)及びSCAN制御回路B(6
b)によって択一にICを選択し、複数の判定レジスタ
回路4によって各ICの出力信号と、パターン信号とを
比較して該ICの良否を判定し、この判定結果に基づい
てSCAN制御回路B(6b)によって被測定ICが選
択される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
バーンイン試験を行うためのテストバーンイン装置及び
バーンイン試験方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体集積回路の信頼性を確保す
るために、テストバーンイン装置において、バーンイン
ボード上の半導体集積回路に電源電圧を印加し、測定す
る半導体集積回路を選択するスキャン信号を印加し、更
に半導体集積回路の種類に応じた試験用パターン信号を
印加して所定の温度環境下での動作(パス/フェイル)
を検証するバーンイン試験が実施されている。
【0003】図3〜図4を参照して、従来のテストバー
ンイン装置100及びバーンインボード107について
説明する。図3は、従来のテストバーンイン装置100
の配線構成を示す回路図であり、図4は、図3に示した
テストバーンイン装置100内のバーンインボード10
7の配線構成を示す回路図である。
【0004】図3に示すように、従来のテストバーンイ
ン装置100は、パターン発生器102、タイミング発
生器103、複数の判定レジスタ回路104,104,
…、SCAN制御回路106、テストバーンインボード
107、及び複数のI/O108,108,…によって
概略構成されている。
【0005】パターン発生器102は、Address端子とD
ata端子とを備えており、タイミング発生器103から
サイクル信号が入力されると、Address端子からIC内
の試験位置を示すアドレス信号をバッファDrを介して
テストバーンインボード107上の各ICのAddress端
子に出力し、Data端子からバーンイン試験を行うための
I/Oデータ(例えば、試験用パターン信号等)を判定
レジスタ回路104と、I/O108を介してテストバ
ーンインボード107上の各ICのDQn端子とに出力す
る。
【0006】タイミング発生器103は、Cycle-Rate端
子、汎用Clock端子、判定Strob端子、及びSCAN-Clock端
子を備えている。タイミング発生器103は、Cycle-Ra
te端子からサイクル信号をパターン発生器102に出力
してバーンイン試験を開始し、汎用Clock端子からクロ
ック信号をバッファDrを介してテストバーンインボー
ド107上の各ICのWE,OE端子に出力し、SCAN-Clock
端子からスキャンクロック信号をSCAN制御回路10
6に出力する。
【0007】また、タイミング発生器103は、判定レ
ジスタ回路104から判定Strob端子にICの良否に関
する判定結果が入力されると、SCAN-Clock端子から次の
スキャンクロック信号をSCAN制御回路106に出力
する。
【0008】判定レジスタ回路104は、パターン発生
器102から入力されるI/Oデータ(試験用パターン
信号)と、I/O108を介してテストバーンインボー
ド107上の各ICのDQn端子から入力されるI/Oデ
ータとを比較することによってICの良否を判定し、そ
の判定結果を内部のフリップフロップF/Fに格納する
と共に、タイミング発生器103の判定Strob端子に出
力する。
【0009】SCAN制御回路106は、複数のスキャ
ン信号(SCAN1、SCAN2、…)をテストバーン
インボード107上のICのCS端子にバッファDrを介
して接続している。ここで、図4に示すように、テスト
バーンインボード107においてIC1〜IC7を1つ
のブロックとして、このブロック(IC1〜IC7)に
スキャン信号(SCAN1)が接続されている。同様に
して、ブロック毎に別のスキャン信号(SCAN2、S
CAN3、…)がそれぞれ接続されている。これら複数
のスキャン信号(SCAN1、SCAN2、…)は、2
値(イネーブル/ディセーブル)によって制御される。
【0010】また、タイミング発生器103からスキャ
ンクロック信号が入力されると、SCAN制御回路10
6は、このスキャンクロック信号に基づいて特定のスキ
ャン信号をイネーブル選択して、このイネーブル選択さ
れたスキャン信号に対応するブロックのICをバーンイ
ン試験可能にする。
【0011】テストバーンインボード107は、図示し
ない複数のICソケットを備えており、各ICソケット
上にIC1,IC2,…,IC(m+1)を実装してい
る。各ICは、半導体メモリ等の被測定デバイスであ
り、Address端子、WE,OE端子、DQn端子、及びCS端子を
備えている。各ICのAddress端子にはパターン発生器
102からアドレス信号が入力され、WE(Write Enabl
e),OE(Output Enable)端子にはタイミング発生器103
からクロック信号が入力され、DQn端子にはパターン発
生器102からI/Oデータ(試験用パターン信号)が
入力され、CS(ChipSelect)端子にはSCAN制御回路1
06からスキャン信号が接続されている。また、各IC
は、DQn端子にI/O(試験用パターン信号)データが
入力されると、DQn端子からI/O108を介して判定
レジスタ回路104にI/Oデータを出力する。
【0012】I/O108は、パターン発生器102の
Data端子から入力されるI/Oデータを整形してテスト
バーンインボード107上の各ICのDQn端子に出力す
るバッファDrと、各ICのDQn端子から入力されるI
/Oデータを整形して判定レジスタ回路104に出力す
るバッファCoとを備えている。
【0013】次に、従来のバーンイン試験におけるテス
トシーケンスについて説明する。タイミング発生器10
3からSCAN制御回路106にスキャンクロック信号
が入力されると、図4に示すテストバーンインボード1
07において、SCAN制御回路106(図3参照)
は、最初に任意の1スキャン(例えば、SCAN1)を
イネーブル選択して、このSCAN1が接続されている
IC1〜IC6に試験用パターン信号が印加される。そ
して、各判定レジスタ回路104,104,…は、IC
1〜IC6から入力されるI/Oデータと、パターン発
生器102から入力されるI/Oデータ(試験用パター
ン信号)とを比較して各ICの良否を判定し、その判定
結果を内部のフリップフロップF/Fに格納するととも
に、タイミング発生器2に出力する。
【0014】次に、SCAN制御回路106によって別
の1スキャン(例えば、SCAN2)がイネーブル選択
されると、このSCAN2が接続されたIC7〜IC1
2にテストパターンが印可される。そして、各判定レジ
スタ回路104,104,…は、IC7〜IC12から
入力されるI/Oデータと、パターン発生器102から
入力されるI/Oデータ(試験用パターン信号)とを比
較して各ICの良否を判定し、その判定結果を内部のフ
リップフロップF/Fに格納するとともに、タイミング
発生器2に出力する。
【0015】同様に、SCAN制御回路106によって
スキャン信号のイネーブル選択を順番に切り換えること
で、テストバーンインボード107上の試験対象ブロッ
クを切り換えて、テストバーンインボード107上の全
てのICに対してバーンイン試験を実施する。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のテストバーンイン装置100では、スキャン信号を
ブロック毎(例えば、IC1〜IC6)に接続し、スキ
ャン信号がイネーブル選択されたブロック内のICに対
してテストパターンを印加してICの良否を判定してい
たため、各IC毎にバーンイン試験を実行することがで
きなかった。
【0017】そのため、不良のICがあった場合には、
次のバーンイン試験において、ブロック内の不良ICと
共通配線された他の良品ICに対して悪影響を及ぼす可
能性があった。例えば、ICがフラッシュメモリの場合
には、書き込み時のオーバーライト防止制御や、消去時
のオーバーイレース防止制御の実施が困難であった。
【0018】本発明の課題は、(1)各ICに2種類の
スキャン信号を接続することによってIC毎のアクセス
ストップを制御して、IC毎にバーンイン試験を実施可
能であり、(2)ICの良否の判定結果に基づいてスキ
ャン信号を制御してリアルタイムでアクセスストップを
制御するテストバーンイン装置及びバーンイン試験方法
を提供することである。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、複数の被測定半導体集積回
路を装着するバーンインボード(例えば、図1に示すテ
ストバーンインボード7に対応する。)と、前記バーン
インボードに装着された複数の被測定半導体集積回路
(例えば、図2に示すIC1,IC2,…に対応す
る。)にバーンイン試験用のパターン信号を出力するパ
ターン信号出力手段(例えば、図1に示すパターン発生
器2に対応する。)と、前記バーンインボードに装着さ
れた複数の被測定半導体集積回路の中から、択一に被測
定半導体集積回路を選択する選択手段(例えば、図1に
示すSCAN制御回路A(6a)、SCAN制御回路B
(6b)に対応する。)と、前記選択手段により選択さ
れた被測定半導体集積回路から出力される出力信号と、
前記パターン信号出力手段により出力されるパターン信
号とを比較して該半導体集積回路の良否を判定し、その
判定結果を出力する判定手段(例えば、図1に示す判定
レジスタ回路4に対応する。)と、を備えるテストバー
ンイン装置であって、前記選択手段は、前記判定手段に
より出力された判定結果に基づいて被測定半導体集積回
路を選択することを特徴としている。
【0020】この請求項1記載の発明のテストバーンイ
ン装置によれば、パターン信号出力手段により、バーン
インボードに装着された複数の被測定半導体集積回路に
バーンイン試験用のパターン信号を出力し、選択手段に
より、バーンインボードに装着された複数の被測定半導
体集積回路の中から、択一に被測定半導体集積回路を選
択し、判定手段により、選択手段によって選択された被
測定半導体集積回路から出力される出力信号と、パター
ン信号出力手段によって出力されたパターン信号とを比
較して該半導体集積回路の良否を判定し、選択手段によ
り、判定手段の判定結果に基づいて被測定半導体集積回
路を選択する。
【0021】請求項4記載の発明は、バーンインボード
に装着された複数の被測定半導体集積回路にバーンイン
試験用のパターン信号を出力する工程と、前記バーンイ
ンボードに装着された複数の被測定半導体集積回路の中
から、択一に被測定半導体集積回路を選択する工程と、
この選択された被測定半導体集積回路から出力される出
力信号と、前記パターン信号とを比較して該半導体集積
回路の良否を判定し、その判定結果を出力する工程と、
を有するバーンイン試験方法であって、前記判定結果に
基づいて被測定半導体集積回路を選択する工程を有する
ことを特徴としている。
【0022】この請求項4記載の発明のバーンイン試験
方法によれば、バーンインボードに装着された複数の被
測定半導体集積回路にバーンイン試験用のパターン信号
を出力し、バーンインボードに装着された複数の被測定
半導体集積回路の中から、択一に被測定半導体集積回路
を選択し、この選択された被測定半導体集積回路から出
力される出力信号と、パターン信号とを比較して該半導
体集積回路の良否を判定して、その判定結果を出力し、
この判定結果に基づいて被測定半導体集積回路を選択す
る。
【0023】したがって、請求項1記載の発明のテスト
バーンイン装置、及び請求項4記載の発明のバーンイン
試験方法において、判定回路の判定結果に基づいて半導
体集積回路を選択するため、不良の半導体集積回路への
アクセスをリアルタイムでストップ制御することができ
る。
【0024】更に、半導体集積回路が不良であると判定
された場合、リアルタイムでアクセスがストップ制御さ
れるので、次のバーンイン試験において、不良の半導体
集積回路と共通に配線された他の半導体集積回路への影
響を防止することができる。
【0025】請求項2記載の発明は、前記バーンインボ
ードは、複数の被測定半導体集積回路をマトリックス状
に装着し、前記選択手段は、列方向の被測定半導体集積
回路を選択する列選択信号を出力する列選択信号出力手
段(例えば、図1に示すSCAN制御回路A(6a)に
対応する。)と、行方向の被測定半導体集積回路を選択
する行選択信号を出力する行選択信号出力手段(例え
ば、図1に示すSCAN制御回路B(6b)に対応す
る。)と、を備え、前記列選択信号出力手段から出力さ
れる列選択信号、及び前記行選択信号出力手段から出力
される行選択信号によって、択一に被測定半導体集積回
路を選択することを特徴としている。
【0026】この請求項2記載の発明のテストバーンイ
ン装置によれば、バーンインボードにマトリックス状に
装着された複数の被測定半導体集積回路を測定する際
に、選択手段に備えた列選択信号出力手段により、列方
向の被測定半導体集積回路を選択する列選択信号を出力
し、選択手段に備えた行選択信号出力手段により、行方
向の被測定半導体集積回路を選択し、択一に被測定半導
体集積回路を選択する。
【0027】請求項5記載の発明は、バーンインボード
にマトリックス状に装着された複数の被測定半導体集積
回路のバーンイン試験方法であって、列方向の被測定半
導体集積回路を選択する列選択信号を出力する工程と、
行方向の被測定半導体集積回路を選択する行選択信号を
出力する工程と、出力された前記列選択信号及び前記行
選択信号によって択一に被測定半導体集積回路を選択す
る工程と、を有することを特徴としている。
【0028】この請求項5記載の発明のバーンイン試験
方法によれば、バーンインボードにマトリックス状に装
着された複数の被測定半導体集積回路のバーンイン試験
方法であって、列方向の被測定半導体集積回路を選択す
る列選択信号を出力し、行方向の被測定半導体集積回路
を選択する行選択信号を出力し、出力された列選択信号
及び行選択信号によって択一に被測定半導体集積回路を
選択する。
【0029】したがって、請求項2記載の発明のテスト
バーンイン装置、及び請求項5記載の発明のバーンイン
試験方法において、2種類の選択信号をバーンインボー
ドにマトリックス状に装着された各被測定半導体集積回
路に出力することによって、択一に被測定半導体集積回
路を選択することができるため、半導体集積回路毎にバ
ーンイン試験を実施することができる。
【0030】請求項3記載の発明は、請求項1記載のテ
ストバーンイン装置において、前記判定手段は、複数の
判定条件(例えば、図1に示すPass-AND,Fail-OR回路5
に対応する。)を選択可能に備えることを特徴としてい
る。
【0031】この請求項3記載の発明のテストバーンイ
ン装置によれば、判定手段に備えた複数の判定条件の中
から、ユーザによって所望の判定条件を選択することが
できる。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図2を参照して、本
発明を適用したテストバーンイン装置の一実施の形態に
ついて説明する。
【0033】詳細については後述するが、本実施の形態
においては、テストバーンイン装置内にSCAN制御回
路を2系統設け、各SCAN制御回路から出力される2
種類のスキャン信号をバーンインボード上の複数の半導
体メモリ等のICにマトリックス状に接続することによ
って、IC毎にバーンイン試験を実施することを特徴と
している。また、ICの良否の判定結果をSCAN制御
回路にフィードバックすることによって、不良ICへの
アクセスのストップ制御をリアルタイムで実施すること
を特徴としている。
【0034】図1は、本発明を適用したテストバーンイ
ン装置1の配線構成を示した回路図であり、図2は、図
1に示したテストバーンイン装置1内のバーンインボー
ド7の配線構成を示した回路図である。
【0035】図1に示すように、テストバーンイン装置
1は、パターン発生器2、タイミング発生器3、複数の
判定レジスタ回路4,4,…、Pass-AND,Fail-OR回路
5、SCAN制御回路A(6a)、SCAN制御回路B
(6b)、テストバーンインボード7、及び複数のI/
O8,8,…によって概略構成されている。
【0036】パターン発生器2は、Address端子、Data
端子、及びPFCLR端子を備えており、タイミング発生器
103からサイクル信号が入力されると、Address端子
からIC内の試験位置を示すアドレス信号をバッファD
rを介してテストバーンインボード7上の各ICのAddr
ess端子に出力し、Data端子からバーンイン試験を実施
するためのI/Oデータ(例えば、試験用パターン信号
等)を判定レジスタ回路4と、I/O8を介してテスト
バーンインボード7上の各ICのDQn端子とに出力す
る。また、パターン発生器2は、PFCLR(Pass/Fail Clea
r)端子からパス/フェイルクリア信号を複数の判定レジ
スタ回路4,4,…に出力する。
【0037】タイミング発生器3は、Cycle-Rate端子、
汎用Clock端子、判定Strob端子、SCAN-ClockA端子、SCA
N-ClockB端子を備えている。タイミング発生器3は、Cy
cle-Rate端子からサイクル信号をパターン発生器2に出
力してバーンイン試験を開始し、汎用Clock端子からク
ロック信号をバッファDrを介してテストバーンインボ
ード7上の各ICのWE端子に出力し、SCAN-ClockA端子
からスキャンクロックA信号をSCAN制御回路A(6
a)に出力し、SCAN-ClockB端子からスキャンクロック
B信号をSCAN制御回路B(6b)に出力する。
【0038】また、タイミング発生器3は、判定レジス
タ回路4から判定Strob端子にICの良否に関する判定
結果が入力されると、SCAN-ClockA端子から次のスキャ
ンクロックA信号をSCAN制御回路A(6a)に出力
し、SCAN-ClockB端子から次のスキャンクロックB信号
をSCAN制御回路B(6b)に出力する。
【0039】判定レジスタ回路4は、パターン発生器2
から入力されるI/Oデータと、I/O8を介してテス
トバーンインボード7上の各ICのDQn端子から入力さ
れるI/Oデータとを比較することによって各ICの良
否を判定し、その判定結果(パス/フェイル信号)を内
部のフリップフロップF/Fに格納すると共に、タイミ
ング発生器3、及びPass-AND,Fail-OR回路5に出力す
る。また、判定レジスタ回路4は、パターン発生器2か
らパス/フェイルクリア信号が入力されると、前記フリ
ップフロップF/Fに格納した判定結果(パス/フェイ
ル信号)をクリアする。
【0040】Pass-AND,Fail-OR回路5は、複数の判定レ
ジスタ回路4から入力されるパス信号のAND回路であ
るPass-AND回路と、複数の判定レジスタ回路4から入力
されるフェイル信号のOR回路であるFail-OR回路と、
を備え、何れか一方の論理回路がユーザによって予め選
択される。そして、Pass-AND,Fail-OR回路5は、該選択
された回路(Pass-AND回路、またはFail-OR回路)の出
力信号をSCAN制御回路B(6b)に出力する。
【0041】SCAN制御回路A(6a)は、タイミン
グ発生器3からスキャンクロックA信号が入力される
と、スキャンA信号(SCAN−A1,SCAN−A
2,…)をテストバーンインボード7上のICのOE端子
にバッファDrを介して接続している。ここで、図2に
示すように、テストバーンインボード7において、IC
1〜IC7を1つのブロックとして、このブロック(I
C1〜IC7)にSCAN−A1が接続されている。同
様にして、ブロック毎に別のスキャン信号(SCAN−
A2,SCAN−A3,…)がそれぞれ接続されてい
る。また、タイミング発生器3からスキャンクロックA
信号が入力されると、SCAN制御回路A(6a)は、
このスキャンクロックA信号に基づいて特定のスキャン
A信号をイネーブル選択する。
【0042】SCAN制御回路B(6b)は、スキャン
B信号(SCAN−B1,SCAN−B2,…,SCA
N−B6)をテストバーンインボード7上のICのCS端
子にバッファDrを介して接続している。ここで、図2
に示すように、テストバーンインボード7において、I
C1,IC7,IC13,…に対してSCAN−B1が
接続され、IC2,IC8,IC14,…に対してSC
AN−B2が接続されている。同様にして、SCAN−
B3〜B6がそれぞれ接続されている。また、タイミン
グ発生器3からスキャンクロックB信号が入力される
と、SCAN制御回路B(6b)は、このこのスキャン
クロックB信号に基づいて特定のスキャンB信号をイネ
ーブル選択する。
【0043】上述したように、テストバーンインボード
7上の各ICに対して、スキャンA信号とスキャンB信
号を、マトリックス状に配線している。そして、イネー
ブル選択されたスキャンA信号とスキャンB信号によっ
て、特定のICをバーンイン試験可能にする。
【0044】テストバーンインボード7は、図示しない
複数のICソケットを備えており、各ICソケット上に
複数のIC1,IC2,…,IC(m+1)を実装して
いる。各ICは、半導体メモリ等の被測定デバイスであ
り、Address端子、WE端子、CS端子、DQn端子、及びOE端
子を備えている。ICのAddress端子にはパターン発生
器2からアドレス信号が入力され、WE(Write Enable)端
子にはタイミング発生器3からクロック信号が入力さ
れ、CS(Chip Select)端子にはSCAN制御回路B(6
b)からスキャンB信号が入力され、DQn端子にはパタ
ーン発生器2からI/Oデータが入力され、OE(Output
Enable)端子にはSCAN制御回路A(6a)からスキ
ャンA信号が入力される。また、各ICは、DQn端子に
I/Oデータが入力されると、DQn端子からI/O8を
介して判定レジスタ回路4にI/Oデータを出力する。
【0045】I/O8は、パターン発生器2のData端子
から入力されるI/Oデータを整形してテストバーンイ
ンボード7上の各ICのDQn端子に出力するバッファD
rと、各ICのDQn端子から入力されるI/Oデータを
整形して判定レジスタ回路4に出力するバッファCoと
を備えている。
【0046】次に、本実施の形態のバーンイン試験にお
けるテストシーケンスについて説明する。
【0047】タイミング発生器3からSCAN制御回路
A(6a)にスキャンクロック信号Aが入力され、SC
AN制御回路B(6b)にスキャンクロック信号Bが入
力されると、図2に示すテストバーンインボード7にお
いて、SCAN制御回路A(6a)は最初にSCAN−
A1をイネーブル選択にし、SCAN制御回路B(6
b)はSCAN−B1〜B6をイネーブル選択にする。
そして、IC1〜IC6に試験パターン信号が印加され
る。
【0048】各判定レジスタ回路4,4,…は、IC1
〜IC6から入力されるI/Oデータと、パターン発生
器2から入力されるI/Oデータ(試験パターン信号)
とを比較して各ICの良否を判定し、その判定結果を内
部のフリップフロップF/Fに格納すると共に、タイミ
ング発生器2及びPass-AND,Fail-OR回路5に判定結果を
出力する。
【0049】次に、SCAN制御回路A(6a)によっ
てSCAN−A2がイネーブル選択され、SCAN制御
回路B(6b)によってSCAN−B1〜B6がイネー
ブル選択されると、IC7〜IC12に試験パターン信
号が印加される。そして、各判定レジスタ回路4,4,
…は、IC7〜IC12から入力されるI/Oデータ
と、パターン発生器2から入力されるI/Oデータ(試
験パターン信号)とを比較して各ICの良否を判定し、
その判定結果を内部のフリップフロップF/Fに格納す
ると共に、タイミング発生器2及びPass-AND,Fail-OR回
路5に判定結果を出力する。
【0050】同様に、スキャンA信号と、スキャンB信
号のイネーブル選択を順に切り換えることで、テストバ
ーンインボード7上の全てのICに対してバーンイン試
験を実施する。
【0051】また、例えば、上述したバーンイン試験に
おいて、判定レジスタ回路4が、IC2から入力される
I/Oデータにフェイルがある、即ちIC2は不良デバ
イスであると判定した場合、判定レジスタ回路4は、こ
の判定結果を内部のフリップフロップF/Fに格納する
と共に、Pass-AND,Fail-OR回路5にフェイル信号を出力
する。そして、Pass-AND,Fail-OR回路5は、判定レジス
タ回路4から入力されたフェイル信号をFail-OR回路に
よって演算し、その演算結果をSCAN制御回路B(6
b)に出力する。
【0052】そして、次回のIC2のバーンイン試験時
には、SCAN制御回路B(6b)がIC2に出力する
SCAN−B2をディセーブル選択にして、IC2への
アクセスをストップ制御する。
【0053】以上のように、本実施の形態においては、
テストバーンイン装置1内に2つのSCAN制御回路A
(6a),SCAN制御回路B(6b)を備え、テスト
バーンインボード7上の各ICに対して、SCAN制御
回路A(6a)から出力される時系列的なスキャンA信
号(SCAN−A1,SCAN−A2,…)と、SCA
N制御回路B(6b)から出力されるデバイス個別制御
用のスキャンB信号(SCAN−B1,SCAN−B
2,…)をマトリックス状に配線し、この2種類のスキ
ャン信号によって特定のICをバーンイン試験可能に制
御している。したがって、テストバーンインボード7上
のIC毎に、バーンイン試験を実施することができる。
【0054】また、判定レジスタ回路4はICの良否を
判定し、その判定結果をPass-AND,Fail-OR回路5に出力
し、Pass-AND,Fail-OR回路5は内部に備えたPass-AND回
路またはFail-OR回路によって演算し、その演算結果を
SCAN制御回路B(6b)に出力する。そして、SC
AN制御回路B(6b)は該演算結果に基づいてスキャ
ン信号Bをディセーブル選択することによって、不良の
ICへのアクセスをリアルタイムでストップ制御するこ
とができる。
【0055】したがって、ICが不良であると判定され
た場合、リアルタイムで該ICに対してアクセスがスト
ップ制御されるので、次のバーンイン試験において、不
良品のICと共通に配線された他の良品デバイスへの悪
影響を防止することができる。
【0056】また、不良品デバイスへのアクセスをスト
ップ制御できるため、例えば、被測定ICがフラッシュ
メモリの場合に、書き込み時のオーバーライト防止制御
や、消去時のオーバーイレース防止制御を実行すること
ができる。
【0057】なお、本実施の形態の詳細な部分について
は、上記実施の形態の内容に限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、テストバーンインボード7において、IC1〜
IC7を1つのブロックとして、このブロック(IC1
〜IC7)にSCAN−A1を接続しているが、1つの
ブロックを構成するICの数については任意であっても
よい。
【0058】また、Pass-AND,Fail-OR回路5の内部に
は、Pass-AND回路と、Fail-OR回路を備え、何れか一方
の論理回路を選択するようにしているが、Pass-AND,Fai
l-OR回路5の内部に何れか1つの論理回路だけを備える
構成としてもよい。
【0059】
【発明の効果】請求項1記載の発明のテストバーンイン
装置、及び請求項4記載の発明のバーンイン試験方法に
よれば、判定回路の判定結果に基づいて半導体集積回路
を選択するため、不良の半導体集積回路へのアクセスを
リアルタイムでストップ制御することができる。
【0060】更に、半導体集積回路が不良であると判定
された場合、リアルタイムでアクセスがストップ制御さ
れるので、次のバーンイン試験において、不良の半導体
集積回路と共通に配線された他の半導体集積回路への影
響を防止することができる。
【0061】請求項2記載の発明のテストバーンイン装
置、及び請求項5記載の発明のバーンイン試験方法によ
れば、2種類の選択信号をバーンインボードにマトリッ
クス状に装着された各被測定半導体集積回路に出力する
ことによって、択一に被測定半導体集積回路を選択する
ことができるため、半導体集積回路毎にバーンイン試験
を実施することができる。
【0062】請求項3記載の発明のテストバーンイン装
置によれば、判定手段に備えた複数の判定条件の中か
ら、ユーザによって所望の判定条件を選択することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したテストバーンイン装置1の内
部の要部構成を示した回路図である。
【図2】図1に示したテストバーンイン装置1内のバー
ンインボード7の配線構成を示す回路図である。
【図3】従来のテストバーンイン装置100の内部の要
部構成を示した回路図である。
【図4】図3に示したテストバーンイン装置100内の
バーンインボード107の配線構成を示す回路図であ
る。
【符号の説明】
1 テストバーンイン装置 2 パターン発生器 3 タイミング発生器 4 判定レジスタ回路 5 Pass-AND,Fail-OR回路 6a SCAN制御回路A 6b SCAN制御回路B 7 テストバーンインボード 8 I/O Co バッファ Dr バッファ F/F フリップフロップ IC 半導体集積回路

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の被測定半導体集積回路を装着するバ
    ーンインボードと、 前記バーンインボードに装着された複数の被測定半導体
    集積回路にバーンイン試験用のパターン信号を出力する
    パターン信号出力手段と、 前記バーンインボードに装着された複数の被測定半導体
    集積回路の中から、択一に被測定半導体集積回路を選択
    する選択手段と、 前記選択手段により選択された被測定半導体集積回路か
    ら出力される出力信号と、前記パターン信号出力手段に
    より出力されるパターン信号とを比較して該半導体集積
    回路の良否を判定し、その判定結果を出力する判定手段
    と、 を備えるテストバーンイン装置であって、 前記選択手段は、前記判定手段により出力された判定結
    果に基づいて被測定半導体集積回路を選択することを特
    徴とするテストバーンイン装置。
  2. 【請求項2】前記バーンインボードは、 複数の被測定半導体集積回路をマトリックス状に装着
    し、 前記選択手段は、 列方向の被測定半導体集積回路を選択する列選択信号を
    出力する列選択信号出力手段と、 行方向の被測定半導体集積回路を選択する行選択信号を
    出力する行選択信号出力手段と、 を備え、 前記列選択信号出力手段から出力される列選択信号、及
    び前記行選択信号出力手段から出力される行選択信号に
    よって、択一に被測定半導体集積回路を選択することを
    特徴とする請求項1記載のテストバーンイン装置。
  3. 【請求項3】前記判定手段は、 複数の判定条件を選択可能に備えることを特徴とする請
    求項1記載のテストバーンイン装置。
  4. 【請求項4】バーンインボードに装着された複数の被測
    定半導体集積回路にバーンイン試験用のパターン信号を
    出力する工程と、 前記バーンインボードに装着された複数の被測定半導体
    集積回路の中から、択一に被測定半導体集積回路を選択
    する工程と、 この選択された被測定半導体集積回路から出力される出
    力信号と、前記パターン信号とを比較して該半導体集積
    回路の良否を判定し、その判定結果を出力する工程と、
    を有するバーンイン試験方法であって、 前記判定結果に基づいて被測定半導体集積回路を選択す
    る工程を有することを特徴とするバーンイン試験方法。
  5. 【請求項5】バーンインボードにマトリックス状に装着
    された複数の被測定半導体集積回路のバーンイン試験方
    法であって、 列方向の被測定半導体集積回路を選択する列選択信号を
    出力する工程と、 行方向の被測定半導体集積回路を選択する行選択信号を
    出力する工程と、 出力された前記列選択信号及び前記行選択信号によって
    択一に被測定半導体集積回路を選択する工程と、 を有することを特徴とするバーンイン試験方法。
JP31003299A 1999-10-29 1999-10-29 テストバーンイン装置及びバーンイン試験方法 Pending JP2001124822A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31003299A JP2001124822A (ja) 1999-10-29 1999-10-29 テストバーンイン装置及びバーンイン試験方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31003299A JP2001124822A (ja) 1999-10-29 1999-10-29 テストバーンイン装置及びバーンイン試験方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001124822A true JP2001124822A (ja) 2001-05-11

Family

ID=18000348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31003299A Pending JP2001124822A (ja) 1999-10-29 1999-10-29 テストバーンイン装置及びバーンイン試験方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001124822A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100842909B1 (ko) 2006-11-07 2008-07-02 주식회사 하이닉스반도체 번-인 테스트의 스캔 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100842909B1 (ko) 2006-11-07 2008-07-02 주식회사 하이닉스반도체 번-인 테스트의 스캔 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7356435B2 (en) Semiconductor test apparatus and control method therefor
US6587979B1 (en) Partitionable embedded circuit test system for integrated circuit
US5461310A (en) Automatic test equipment system using pin slice architecture
US5604756A (en) Testing device for concurrently testing a plurality of semiconductor memories
US20070271059A1 (en) Memory test engine
US5422892A (en) Integrated circuit test arrangement and method for maximizing the use of tester comparator circuitry to economically test wide data I/O memory devices
JP2000187999A (ja) ストレス用電圧を用いてメモリをテストする機能を有する集積回路及びそのメモリテスト方法
KR100545440B1 (ko) 반도체 시험장치
KR100295546B1 (ko) 반도체디바이스시험장치
JP2001520780A (ja) 相互接続部テストユニットを有する回路及び第1電子回路と第2電子回路との間の相互接続部をテストする方法
US5889786A (en) Memory testing device
JP2988380B2 (ja) 半導体試験装置およびこの試験装置を用いた試験方法
JP2001124822A (ja) テストバーンイン装置及びバーンイン試験方法
US5978945A (en) Tester arrangement comprising a connection module for testing, by way of the boundary scan test method, a carrier provided with a first number of digital ICS with BST logic and a second number of digital ICS without BST logic
US20050169072A1 (en) Pattern generator, memory controller, and test device
US6118294A (en) Integrated circuit testing device
JP2000137996A (ja) メモリicテストシステム
JP2720761B2 (ja) 半導体集積回路試験装置
JP2000040390A (ja) バーンイン装置
JPH09304486A (ja) Ic試験装置
JP2001084156A (ja) 半導体試験装置
JPH0829491A (ja) Lsiテスト装置
JPS6132757B2 (ja)
JPH10213629A (ja) Lsi試験装置
JPS59178697A (ja) メモリテスタ

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20041001