JP2001122984A - ポリプロピレン系フィルム - Google Patents

ポリプロピレン系フィルム

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JP2001122984A
JP2001122984A JP30352299A JP30352299A JP2001122984A JP 2001122984 A JP2001122984 A JP 2001122984A JP 30352299 A JP30352299 A JP 30352299A JP 30352299 A JP30352299 A JP 30352299A JP 2001122984 A JP2001122984 A JP 2001122984A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 弾性率とヒートシール温度のバランスに優
れかつべたつきがなく、成形性、透明性、耐衝撃性にも
優れるポリプロピレン系フィルムを提供する。 【解決手段】引張り弾性率TMとヒートシール温度HS
TがTM≧12.5×HST−900関係を満たすポリ
プロピレン系フィルム。具体的には(1)25℃のへキ
サンに溶出する成分量0〜80重量%、(2)DSC測
定において、融点Tm(℃)を示さないか、或いはTm
を示す場合はTmと融解吸熱量ΔH(J/g)がΔH≧
6×(Tm−140)の関係を見たし、(3)テトラリ
ン溶媒中135℃にて測定した極限粘度 [η] (dl/
g)が1〜3であるポリプロピレンからなるフィルム。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、軟質塩化ビニルを
代替することが可能な新規なポリプロピレン系フィルム
に関し、さらに詳しくはべたつきがなく、引張り弾性率
とヒートシール温度のバランスに優れかつ成形性、透明
性、耐衝撃性にも優れる新規なポリプロピレン系フィル
ムに関する。
【0002】
【従来の技術】軟質樹脂として塩化ビニル樹脂が広く用
いられているが、塩化ビニル樹脂は、その燃焼過程にお
いて有害な物質を発生させることが知られており、代替
樹脂の開発が強く望まれている。代替樹脂として、近
年、メタロセン触媒を用いて製造されたオレフィン系重
合体が提案されている。例えば、エチレンとα−オレフ
ィンの共重合体等が挙げられる。しかしながら、この共
重合体は軟質にすると、べたつき成分が多くなってしま
う欠点がある。さらに、フィルム等の成形体の透明性、
剛性、低温ヒートシール性が低下し、表面特性にも劣る
という問題があり充分ではなった。また、成形性にも劣
るものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、引張り弾性
率とヒートシール温度とバランスに優れかつべたつきが
なく、成形性、透明性、耐衝撃性にも優れるポリプロピ
レン系フィルムを提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、引張り弾性率
TM(MPa)とヒートシール温度HST(℃)が特定
の関係を満たすポリプロピレン系フィルムが本目的を達
成できることを見出し、これに基づき本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、以下のポリプロピレン系フ
ィルムを提供するものでる。 1. 引張り弾性率TM(MPa)とヒートシール温度
HST(℃)が以下の関係を満たすポリプロピレン系フ
ィルム。
【0005】TM≧12.5×HST−900 2. 下記(1)、(2)及び(3)で示される性状を
有するプロピレン系重合体[A]からなる上記1記載の
ポリプロピレン系フィルム。 (1)25℃のへキサンに溶出する成分量(H25)が
0〜80重量%であり、 (2)DSC測定において、融点Tm(℃)を示さない
か、或いはTmを示す場合はTmと融解吸熱量ΔH(J
/g)が以下の関係を満たし、 ΔH≧6×(Tm−140) (3)テトラリン溶媒中135℃にて測定した極限粘度
[η] (dl/g)が1〜3である 3. プロピレン系重合体[A]が下記(1)及び
(2)で示される性状を有するプロピレン単独重合体
[A−1]である上記2記載のポリプロピレン系フィル
ム。 (1)メソペンタッド分率[mmmm]が20〜80モ
ル%であり、(2)ラセミペンタッド分率[rrrr]
と[1−mmmm]が下記の関係を満たす。
【0006】 〔[rrrr]/[1−mmmm]〕≦0.1 4. 下記(1)、(2)、(3)及び(4)で示され
る性状を有するプロピレン系重合体[B]からなる上記
1記載のポリプロピレン系フィルム。 (1)DSCにより測定した融点Tm(℃)が120≦
Tm≦135であり、(2)DSCにより測定した融解
熱吸熱量ΔH(J/g)とTm(℃)が ΔH≧0.45×Tm+22 の関係を満たし、(3)昇温分別法により測定した溶出
曲線のピークトップの半値幅Th(℃)が Th≦5 の関係を満たし、(4)テトラリン溶媒中135℃にて
測定した極限粘度 [η] (dl/g)が1〜3である。 5. プロピレン系重合体[B]が下記(1)及び
(2)で示される性状を有するプロピレン単独重合体
[B−1]である上記4記載のポリプロピレン系フィル
ム。 (1)メソペンタッド分率[mmmm]が70〜80モ
ル%であり、(2)ラセミペンタッド分率[rrrr]
と[1−mmmm]が下記の関係を満たす 〔[rrrr]/[1−mmmm]〕≦0.1 6. プロピレン系重合体[A]、プロピレン単独重合
体[A−1]、プロピレン系重合体[B]及びプロピレ
ン単独重合体[B−1]が、(A)下記一般式(I)で
表される遷移金属化合物、及び(B)(B−1)該
(A)成分の遷移金属化合物又はその派生物と反応して
イオン性の錯体を形成しうる化合物及び(B−2)アル
ミノキサンから選ばれる成分を含有する重合用触媒の存
在下、プロピレン又はプロピレンとエチレン及び/又は
炭素数4〜20のα−オレフィンを重合させることによ
り製造されたものである上記2〜5のいずれかに記載の
ポリプロピレン系フィルム。
【0007】
【化3】 〔式中、Mは周期律表第3〜10族又はランタノイド系
列の金属元素を示し、E 1及びE2はそれぞれ置換シクロ
ペンタジエニル基,インデニル基,置換インデニル基,
ヘテロシクロペンタジエニル基,置換ヘテロシクロペン
タジエニル基,アミド基,ホスフィド基,炭化水素基及
び珪素含有基の中から選ばれた配位子であって、A1
びA2を介して架橋構造を形成しており、またそれらは
たがいに同一でも異なっていてもよく、Xはσ結合性の
配位子を示し、Xが複数ある場合、複数のXは同じでも
異なっていてもよく、他のX,E1,E2又はYと架橋し
ていてもよい。Yはルイス塩基を示し、Yが複数ある場
合、複数のYは同じでも異なっていてもよく、他のY,
1,E2又はXと架橋していてもよく、A1及びA2は二
つの配位子を結合する二価の架橋基であって、炭素数1
〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭
化水素基、珪素含有基、ゲルマニウム含有基、スズ含有
基、−O−、−CO−、−S−、−SO2−、−Se
−、−NR−、−PR−、−P(O)R−、−BR−又
は−AlR−を示し、Rは水素原子、ハロゲン原子、炭
素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン
含有炭化水素基を示し、それらはたがいに同一でも異な
っていてもよい。qは1〜5の整数で〔(Mの原子価)
−2〕を示し、rは0〜3の整数を示す。〕 7. プロピレン系重合体[A]、プロピレン単独重合
体[A−1]、プロピレン系重合体[B]及びプロピレ
ン単独重合体[B−1]が、(A)下記一般式(II)
で表される周期律表4族の遷移金属化合物、(B)(B
−1)アルミニウムオキシ化合物及び(B−2)上記遷
移金属化合物と反応してカチオンに変換しうるイオン性
化合物の中から選ばれた少なくとも一種とを含有してな
るオレフィン重合触媒の存在下、プロピレン又はプロピ
レンとエチレン及び/又は炭素数4〜20のα−オレフ
ィンを重合させることにより製造されたものである上記
2〜5のいずれかに記載のポリプロピレン系フィルム。
【0008】
【化4】 〔式中、R1〜R11,X1及びX2は、それぞれ独立に水
素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基、
炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基、珪素含有
基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基又はリン含
有基を示し、R3とR4及びR7とR9はたがいに結合して
環を形成してもよい。Y1は二つの配位子を結合する二
価の架橋基であって、炭素数1〜20の炭化水素基、炭
素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基、珪素含有基、
ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−O−、−CO−、
−S−、−SO2−、−NR−、−PR−、−P(O)
R−、−BR−又は−AlR−を示し、Rは水素原子、
ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1
〜20のハロゲン含有炭化水素基を示す。M1はチタ
ン,ジルコニウム又はハフニウムを示す。〕 8. 内部ヘイズが5%以下である上記1〜7のいずれ
かに記載のポリプロピレン系フィルム。 9. 上記1〜8のいずれかに記載のポリプロピレン系
フィルムであって、キャスト成形法により得られるキャ
ストフィルム。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明のポリプロピレン系
フィルムについて詳しく説明する。
【0010】本発明のポリプロピレン系フィルムは、引
張り弾性率TM(MPa)とヒートシール温度HST
(℃)が以下の関係を満たすポリプロピレン系フィルム
である。
【0011】TM≧12.5×HST−900 好ましくは、 TM≧12.5×HST−800 かつ、 HST≦130 さらに好ましくは、 TM≧12.5×HST−750 かつ、 HST≦130 の関係を満たす。なお、引張り弾性率TM(MPa)と
ヒートシール温度HST(℃)の測定方法については、
実施例において詳しく述べる。
【0012】本発明のポリプロピレン系フィルムは、上
記のように引張り弾性率とヒートシール温度のバランス
に優れるフィルム、すなわち剛性が高く低温ヒートシー
ル性に優れるフィルムであり、食品包装フィルムや農業
用フィルム(例えば、ビニールハウス等)、シーラント
フィルム等に好適に用いられる。前記の関係を満たさな
いと、引張り弾性率とヒートシール温度のバランスがく
ずれ、満足のいくフィルムが得られない。
【0013】さらに本発明のポリプロピレン系フィルム
は、具体的には後に述べるようにH25が特定の範囲に
あり、分子量分布(Mw/Mn)が狭く、沸騰ジエチル
エーテル抽出量も小さいプロピレン系重合体を用いるこ
とにより、表面のべたつき成分のブリードが抑えられる
ので、べたつきが少ない。また、べたつきが少ないの
で、表面特性のみならず成形性にも優れるフィルムであ
る。さらに、本発明のポリプロピレン系フィルムは、J
IS K−7105に準拠して測定したヘイズが通常5
%以下、好ましくは3%以下であり透明性にも優れる。
さらに、本発明のポリプロピレン系フィルムは、東洋精
機製作所フィルムインパクトテスターにおいて、1/2
インチ衝撃ヘッドを用いる測定法法により得られる耐衝
撃性が通常10000J/m2 以上、好ましくは150
00J/m2 以上であり耐衝撃性にも優れる。
【0014】本発明のポリプロピレン系フィルムとして
は、具体的には以下に述べるプロピレン系重合体[A]
またはプロピレン系重合体[B]からなるフィルムが挙
げられる。プロピレン系重合体[A] プロピレン系重合体[A]は、下記の(1)、(2)及
び(3)で示される性状を有する重合体である。 (1)25℃のへキサンに溶出する成分量(H25)が
0〜80重量%であり、 (2)DSC測定において、融点Tm(℃)を示さない
か、或いはTmを示す場合はTmと融解吸熱量ΔH(J
/g)が以下の関係を満たし、ΔH≧6×(Tm−14
0) (3)テトラリン溶媒中135℃にて測定した極限粘度
[η] (dl/g)が1〜3である プロピレン系重合体[A]が、上記の関係を満たすこと
により、引張り弾性率とヒートシール温度のバランスに
優れかつべたつきが少なく、成形性、透明性、耐衝撃性
にも優れるフィルムが得られる。
【0015】本発明におけるプロピレン系重合体[A]
は、25℃のヘキサンに溶出する成分量(H25)が0
〜80重量%である。好ましくは、0〜50重量%、よ
り好ましくは、0〜25重量%、さらに好ましくは、0
〜10重量%、特に好ましくは、0〜5重量%である。
H25は、べたつき、透明性低下等の原因となるいわゆ
るべたつき成分の量が多いか少ないかを表す指標であ
り、この値が高いほどべたつき成分の量が多いことを意
味する。H25が80重量%を超えると、べたつき成分
の量が多く、フィルムの耐ブロッキング性の低下や透明
性の低下が起こることがある。
【0016】なお、H25とは、プロピレン系重合体
[A]の重量(W0 )と該重合体を200mLのヘキサ
ン中に、25℃、3日間以上静置後、乾燥した後の重量
(W1)を測定し、次式により計算して求めた重量減少
率である。 H25=〔(W0−W1)/W0〕×100(%) さらに、本発明におけるプロピレン系重合体[A]は、
DSC測定において、融点Tm(℃)を示さないか、或
いはTmを示す場合はTmと融解吸熱量ΔH(J/g)
が下記の関係を満たす。
【0017】ΔH≧6×(Tm−140) さらに好ましくは、 ΔH≧3×(Tm−120) 特に好ましくは、 ΔH≧2×(Tm−100) DSC測定において、融点Tm(℃)を示さないことは
ヒートシール温度を低下できることを示唆し低温ヒート
シール性が優れていることを示す。また、Tmを示しT
mと融解吸熱量ΔH(J/g)が上記の関係を満たすこ
とは融点のわりに融解吸熱量が高いことを示し、フィル
ム等の成形品の引張り弾性率や耐衝撃性等の剛性が優れ
ていることを示す。
【0018】なお、Tm及びΔHは、DSC測定により
求める。すなわち、示差走査型熱量計(パーキン・エル
マー社製, DSC−7)を用い、試料10mgを窒素雰
囲気下230℃で3分間溶融した後、10℃/分で0℃
まで降温する。さらに、0℃で3分間保持した後、10
℃/分で昇温させることにより得られた融解吸熱カーブ
の最大ピークのピークトップが融点:Tmであり、この
場合の融解吸熱量がΔH(J/g)である。
【0019】さらに、本発明のプロピレン系重合体
[A]は、テトラリン溶媒中135℃にて測定した極限
粘度 [η] が1〜3(dl/g)である。好ましくは、
[η] が1〜2.5(dl/g)、特に好ましくは、
[η] が1.5〜2.0(dl/g)である。極限粘度
[η] が1(dl/g)未満では、べたつきが発生す
る。また3(dl/g)を超えると、溶融流動性が低下
するため成形性が不良となることがある。
【0020】さらに、本発明のプロピレン系重合体
[A]は、ゲルパーミエイションクロマトグラフ(GP
C)法により測定した分子量分布(Mw/Mn)が2.
5〜4.0であることが好ましく、さらに好ましくは、
2.5〜3.5であり、特に好ましくは、2.5〜3.
0である。分子量分布(Mw/Mn)が2.5未満では
成形性が低下し、4.0を超えると、べたつきが発生す
ることがある。なお、GPC法における装置及び条件に
関しては実施例にて述べる。
【0021】本発明におけるプロピレン系重合体[A]
としては、プロピレンの単独重合体が好ましいが、プロ
ピレンの単独重合体には、少量のエチレン及び/又は炭
素数4〜20のα−オレフィンが含有されていてもよ
い。炭素数4〜20のα−オレフィンとしては、1−ブ
テン,1−ペンテン,4−メチル−1−ペンテン,1−
ヘキセン,1−オクテン,1−デセン,1−ドデセン,
1−テトラデセン,1−ヘキサデセン,1−オクタデセ
ン,1−エイコセンなどが挙げられ、本発明において
は、これらのうち一種又は二種以上を用いることができ
る。
【0022】プロピレン単独重合体としては、下記の
(1)及び(2)で示される性状を有するプロピレン単
独重合体[A−1]が好ましい。 (1)メソペンタッド分率[mmmm]が20〜80モ
ル%であり、(2)ラセミペンタッド分率[rrrr]
と[1−mmmm]が下記の関係を満たす 〔[rrrr]/[1−mmmm]〕≦0.1 本発明におけるメソペンダッド分率[mmmm]とは、
エイ・ザンベリ(A.Zambelli)等により「M
acromolecules,,925(197
3)」で提案された方法に準拠し、13C−NMRスペク
トルのメチル基のシグナルにより測定されるポリプロピ
レン分子鎖中のペンタッド単位でのメソ分率である。こ
れが大きくなると、立体規則性が高くなることを意味す
る。本発明におけるプロピレン単独重合体[A−1]と
しては、メソペンダッド分率[mmmm]が30〜80
%であることが好ましく、40〜80%が特に好まし
く、60〜80%が最も好ましい。メソペンタッド分率
[mmmm]が20モル%未満では、結晶性が低下しす
ぎるため引張り弾性率や耐衝撃性が低下したり、成形性
が不良となることがあり、また80%を超えると軟質で
なくなり、ヒートシール温度が高くなり低温ヒートシー
ル性が損なわれることがある。同じくラセミペンダッド
分率[rrrr]とは、ポリプロピレン分子鎖中のペン
タッド単位でのラセミ分率である。〔[rrrr]/
[1−mmmm]〕は、上記のペンタッド単位の分率か
ら求められ、プロピレン単独重合体[A−1]の規則性
分布の均一さを表わす指標である。この値が大きくなる
と規則性分布が広がり、既存触媒系を用いて製造される
従来のポリプロピレンのように高規則性PPとAPPの
混合物となり、べたつきが増し、透明性が低下すること
を意味する。本発明におけるプロピレン単独重合体[A
−1]としては〔[rrrr]/[1−mmmm]〕≦
0.08が好ましく、〔[rrrr]/[1−mmm
m]〕≦0.06がさらに好ましい。〔[rrrr]/
[1−mmmm]〕≦0.04が特に好ましい。〔[r
rrr]/[1−mmmm]〕が0.1を超えるとべた
つきの原因となることがある。なお、13C−NMRスペ
クトルによる測定方法については、実施例において詳し
く述べる。
【0023】ところで、一般にプロピレンの重合時にお
いては、プロピレンモノマーのメチレン側の炭素原子が
触媒の活性点と結合し、順次同じようにプロピレンモノ
マ−が配位して重合してゆくいわゆる1,2挿入の重合
が通常行われるが、まれに2,1挿入又は1,3挿入す
ること(異常挿入とも言う)がある。本発明におけるプ
ロピレン単独重合体[A−1]としては、この2,1挿
入又は1,3挿入が少ないと好ましい。また、これらの
挿入の割合が、下記の関係式(1) 〔(m−2,1)+(r−2,1)+(1,3)〕≦5.0(%)…(1) [式中、(m−2,1)は13C−NMRで測定したメソ
−2,1挿入含有率(%)、(r−2,1)は13C−N
MRで測定したラセミ−2,1挿入含有率(%)、
(1,3)は13C−NMRで測定した1,3挿入含有率
(%)を示す。〕を満足するものが好ましく、さらに関
係式(2) 〔(m−2,1)+(r−2,1)+(1,3)〕≦1.0(%)…(2) を満足するものがより好ましい。特に関係式(3) 〔(m−2,1)+(r−2,1)+(1,3)〕≦0.1(%)…(3) を満足するするものが最も好ましい。この関係式(1)
を満足しないと、予想以上に結晶性が低下し、べたつき
の原因となる場合がある。
【0024】なお、(m−2,1)、(r−2,1)及
び(1,3)はGrassiらの報告(Macromolecule
s,21,p .617 (1988))及びBusicoらの報告
(Macromolecules,27,p .7538(1994))に基づいて
13C−NMRスペクトルのピークの帰属を決定し、各ピ
ークの積分強度から求めた各挿入含有率である。すなわ
ち、(m−2,1)は、全メチル炭素領域における積分
強度に対する17.2ppm付近に現れるPα,γthre
o に帰属するピークの積分強度の比から算出されるメソ
−2,1挿入含有率(%)である。(r−2,1)は、
全メチル炭素領域における積分強度に対する15.0p
pm付近に現れるPα,γthreo に帰属するピークの積
分強度の比から算出されるラセミ−2,1挿入含有率
(%)である。(1,3)は、全メチン炭素領域におけ
る積分強度に対する31.0ppm付近に現れるTβ,
γ+に帰属するピークの積分強度の比から算出される
1,3挿入含有率(%)である。
【0025】さらに、本発明におけるプロピレン単独重
合体[A−1]としては13C−NMRスペクトルの測定
において、2,1挿入に由来する分子鎖未端(n−ブチ
ル基)に帰属するピークが実質的に観測されないものが
より好ましい。この2,1挿入に由来する分子鎖末端に
関しては、Junglingらの報告(J .Poly
m.Sci.:Part A:Po1ym .Chem. ,33,p1305 (19
95))に基づいて13C−NMRスペクトルのピークの帰
属を決定し、各ピークの積分強度から各挿入含有率を算
出する。なお、アイソタクチックポリプロピレンでは、
18.9ppm付近に現れるピークがn−ブチル基の未
端メチル基炭素に帰属される。また、異常挿入又は分子
鎖末端測定に関する13C−NMRの測定は、前記のメソ
ペンタッド分率[mmmm]の測定と同様に行えばよ
い。
【0026】プロピレン系重合体[B] 本発明におけるプロピレン系重合体[B]は、下記
(1)、(2)、(3)及び(4)で示される性状を有
する重合体である。 (1)DSCにより測定した融点Tm(℃)が120≦
Tm≦135であり、(2)DSCにより測定した融解
熱ΔH(J/g)とTm(℃)が ΔH≧0.45×Tm+22 の関係を満たし、(3)昇温分別法により測定した溶出
曲線のピークトップの半値幅Th(℃)が Th≦5.0 の関係を満たし、(4)テトラリン溶媒中135℃にて
測定した極限粘度[η](dl/g)が1〜3である。
【0027】プロピレン系重合体[B]が、上記の関係
を満たすことにより、引張り弾性率とヒートシール温度
のバランスに優れかつべたつきが少なく、成形性、透明
性、耐衝撃性にも優れるフィルムが得られる。なお、T
m及びΔHの意味・測定方法等については前記したとお
りである。Th及び[η]の測定方法については実施例
にて詳しく述べる。以下、前記の要件について説明す
る。(1)の融点Tmが120℃未満では、医療分野や
食品分野の用途において、煮沸消毒時に製品が融着する
などの不都合が生じることがある。また、融点が135
℃を超えると軟質塩化ビニル代替材料として十分でない
ことがある。また、(2)の要件を満たすと、融点と融
解吸熱量のバランスが優れ低温ヒートシール性と機械的
強度(例えば弾性率、耐衝撃性、剛性等)のバランスが
優れる。更に、 ΔH≧0.45×Tm+25 の関係を満たすとより好ましい。この関係を満たさない
場合、低温での成形性や加工性と機械的強度のバランス
がくずれることがある。すなわち、フィルムの低温ヒー
トシール性とフィルムの機械的強度のバランスが低下し
好ましくないことがある。(3)の要件を満たすと、ヒ
ートシール特性が優れたものとなる。さらに昇温分別ク
ロマトグラフの主溶出ピーク半値幅(Th)が4.0以
下であることが好ましい。Thが5.0を超えるとべと
つき成分が増える傾向となりフィルムにとっては好まし
くなく、ヒートシール特性が不充分となることがある。
(4)テトラリン溶媒中135℃にて測定した極限粘度
[η] が1〜3(dl/g)である。好ましくは、
[η] が1〜2.5(dl/g)、特に好ましくは、
[η] が1.5〜2.0(dl/g)である。極限粘度
[η] が1(dl/g)未満では、べたつきが発生した
り、フィルムの機械的強度が低く好ましくない。また3
(dl/g)を超えると、流動性が低下するため成形性
が不良となる。
【0028】さらに、本発明のプロピレン系重合体
[B]は、ゲルパーミエイションクロマトグラフ(GP
C)法により測定した分子量分布(Mw/Mn)が2.
5〜4.0であることが好ましく、さらに好ましくは、
2.5〜3.5であり、特に好ましくは、2.5〜3.
0である。分子量分布(Mw/Mn)が2.5未満では
成形性が低下し、4.0を超えると、べたつきが発生す
ることがある。なお、GPC法におる装置及び条件に関
しては実施例にて述べる。
【0029】本発明におけるプロピレン系重合体[B]
としては、上記に加えてさらに、べたつき成分の指標で
ある沸騰ジエチルエーテル抽出量が0〜10重量%であ
ることが好ましく、成形体の表面のべたつき成分のブリ
ードを抑える点から、0〜5重量%であることがより好
ましい。
【0030】本発明におけるプロピレン系重合体[B]
としては、引張り弾性率が、600〜1600MPa,
好ましくは700〜1200MPa、特に好ましくは8
00〜1100MPaである。
【0031】なお、本発明におけるプロピレン系重合体
[B]としては、プロピレン単独重合体が好ましいが、
プロピレン単独重合体には、少量のエチレン及び/又は
炭素数4〜20のα−オレフィンが含まれていてもよ
い。炭素数4〜20のα−オレフィンとしては、前記の
ものが挙げられる。
【0032】プロピレンの単独重合体としては、下記
(1)及び(2)で示される性状を有するプロピレン単
独重合体[B−1]が好ましい。 (1)メソペンタッド分率[mmmm]が70〜80モ
ル%であり、(2)ラセミペンタッド分率[rrrr]
と[1−mmmm]が下記の関係を満たす 〔[rrrr]/[1−mmmm]〕≦0.1 さらに〔[rrrr]/[1−mmmm]〕が0.06
以下であることが好ましく、0.02以下が特に好まし
い。0.1を超えるとべたつきの原因となることがあ
る。
【0033】プロピレン単独重合体[B−1]として
は、前記のプロピレン単独重合体[A−1]と同様に
2,1挿入又は1,3挿入(異常挿入とも言う)が少な
いことが好ましい。また、これらの挿入割合の関係につ
いても前記と同様なことが言える。
【0034】本発明のポリプロピレン系フィルムとして
は、前記重合体[A]、[B]のいずれからなるフィル
ムであってもよいが、好ましくは前記重合体[B]から
なるフィルムである。
【0035】本発明におけるプロピレン系共重合体
[A]及び、[B]としては、下記の製造方法1又は製
造方法2により得られたものであることが好ましい。製造方法1 (A)下記一般式(I)で表される遷移金属化合物、及
び(B)(B−1)該(A)成分の遷移金属化合物又は
その派生物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合
物及び(B−2)アルミノキサンから選ばれる成分を含
有する重合用触媒の存在下、プロピレン又はプロピレン
とエチレン及び/又は炭素数4〜20のα−オレフィン
を重合させる製造方法である。
【0036】
【化5】 〔式中、Mは周期律表第3〜10族又はランタノイド系
列の金属元素を示し、E 1及びE2はそれぞれ置換シクロ
ペンタジエニル基,インデニル基,置換インデニル基,
ヘテロシクロペンタジエニル基,置換ヘテロシクロペン
タジエニル基,アミド基,ホスフィド基,炭化水素基及
び珪素含有基の中から選ばれた配位子であって、A1
びA2を介して架橋構造を形成しており、またそれらは
たがいに同一でも異なっていてもよく、Xはσ結合性の
配位子を示し、Xが複数ある場合、複数のXは同じでも
異なっていてもよく、他のX,E1,E2又はYと架橋し
ていてもよい。Yはルイス塩基を示し、Yが複数ある場
合、複数のYは同じでも異なっていてもよく、他のY,
1,E2又はXと架橋していてもよく、A1及びA2は二
つの配位子を結合する二価の架橋基であって、炭素数1
〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭
化水素基、珪素含有基、ゲルマニウム含有基、スズ含有
基、−O−、−CO−、−S−、−SO2−、−Se
−、−NR−、−PR−、−P(O)R−、−BR−又
は−AlR−を示し、Rは水素原子、ハロゲン原子、炭
素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲン
含有炭化水素基を示し、それらはたがいに同一でも異な
っていてもよい。qは1〜5の整数で〔(Mの原子価)
−2〕を示し、rは0〜3の整数を示す。〕 上記一般式(I)において、Mは周期律表第3〜10族
又はランタノイド系列の金属元素を示し、具体例として
はチタン,ジルコニウム,ハフニウム,イットリウム,
バナジウム,クロム,マンガン,ニッケル,コバルト,
パラジウム及びランタノイド系金属などが挙げられる
が、これらの中ではオレフィン重合活性などの点からチ
タン,ジルコニウム及びハフニウムが好適である。E1
及びE2はそれぞれ、置換シクロペンタジエニル基,イ
ンデニル基,置換インデニル基,ヘテロシクロペンタジ
エニル基,置換ヘテロシクロペンタジエニル基,アミド
基(−N<),ホスフィド基(−P<),π結合性の炭
化水素基〔>CR12−,>C<〕及び珪素含有基〔>S
iR12−,>Si<〕(但し、R12は水素または炭素数
1〜20の炭化水素基あるいはヘテロ原子含有基であ
る)の中から選ばれた配位子を示し、A1及びA2を介し
て架橋構造を形成している。π結合性の炭化水素基〔>
CR12−,>C<〕としては、ペンタジエニル基、ボラ
タベンゼン基等が挙げられる。珪素含有基〔>SiR12
−,>Si<〕としては、−CH2−Si(CH3)<,
−Si(CH3)<,等が挙げられる。また、E1及びE
2はたがいに同一でも異なっていてもよい。このE1及び
2としては、置換シクロペンタジエニル基,インデニ
ル基及び置換インデニル基が好ましい。
【0037】また、Xはσ結合性の配位子を示し、Xが
複数ある場合、複数のXは同じでも異なっていてもよ
く、他のX,E1,E2又はYと架橋していてもよい。該
Xの具体例としては、ハロゲン原子,炭素数1〜20の
炭化水素基,炭素数1〜20のアルコキシ基,炭素数6
〜20のアリールオキシ基,炭素数1〜20のアミド
基,炭素数1〜20の珪素含有基,炭素数1〜20のホ
スフィド基,炭素数1〜20のスルフィド基,炭素数1
〜20のアシル基などが挙げられる。ハロゲン原子とし
ては、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子が
挙げられる。炭素数1〜20の炭化水素基としては、具
体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などの
アルキル基や、ビニル基、プロペニル基、シクロヘキセ
ニル基などのアルケニル基;ベンジル基、フェニルエチ
ル基、フェニルプロピル基などのアリールアルキル基;
フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、トリメチ
ルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル
基、ビフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、ア
ントラセニル基、フェナントニル基などのアリール基が
挙げられる。なかでもメチル基、エチル基、プロピル基
などのアルキル基やフェニル基などのアリール基が好ま
しい。炭素数1〜20のアルコキシ基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアル
コキシ基、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基等
が挙げられる。炭素数6〜20のアリールオキシ基とし
ては、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフ
ェノキシ基等が挙げられる。炭素数1〜20のアミド基
としては、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプ
ロピルアミド基、ジブチルアミド基、ジシクロヘキシル
アミド基、メチルエチルアミド基等のアルキルアミド基
や、ジビニルアミド基、ジプロペニルアミド基、ジシク
ロヘキセニルアミド基などのアルケニルアミド基;ジベ
ンジルアミド基、フェニルエチルアミド基、フェニルプ
ロピルアミド基などのアリールアルキルアミド基;ジフ
ェニルアミド基、ジナフチルアミド基などのアリールア
ミド基が挙げられる。炭素数1〜20の珪素含有基とし
ては、メチルシリル基、フェニルシリル基などのモノ炭
化水素置換シリル基;ジメチルシリル基、ジフェニルシ
リル基などのジ炭化水素置換シリル基;トリメチルシリ
ル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、ト
リシクロヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基、ジ
メチルフェニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、
トリトリルシリル基、トリナフチルシリル基などのトリ
炭化水素置換シリル基;トリメチルシリルエーテル基な
どの炭化水素置換シリルエーテル基;トリメチルシリル
メチル基などのケイ素置換アルキル基;トリメチルシリ
ルフェニル基などのケイ素置換アリール基などが挙げら
れる。なかでもトリメチルシリル基、フェニルジメチル
シリルエチル基などが好ましい。炭素数1〜20のスル
フィド基としては、メチルスルフィド基、エチルスルフ
ィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、
ヘキシルスルフィド基、シクロヘキシルスルフィド基、
オクチルスルフィド基などのアルキルスルフィド基や、
ビニルスルフィド基、プロペニルスルフィド基、シクロ
ヘキセニルスルフィド基などのアルケニルスルフィド
基;ベンジルスルフィド基、フェニルエチルスルフィド
基、フェニルプロピルスルフィド基などのアリールアル
キルスルフィド基;フェニルスルフィド基、トリルスル
フィド基、ジメチルフェニルスルフィド基、トリメチル
フェニルスルフィド基、エチルフェニルスルフィド基、
プロピルフェニルスルフィド基、ビフェニルスルフィド
基、ナフチルスルフィド基、メチルナフチルスルフィド
基、アントラセニルスルフィド基、フェナントニルスル
フィド基などのアリールスルフィド基が挙げられる。炭
素数1〜20のスルホキシド基としては、メチルスルホ
キシド基、メチルスルホキシド基、プロピルスルホキシ
ド基、ブチルスルホキシド基、ヘキシルスルホキシド
基、シクロヘキシルスルホキシド基、オクチルスルホキ
シド基などのアルキルスルホキシド基や、ビニルスルホ
キシド基、プロペニルスルホキシド基、シクロヘキセニ
ルスルホキシド基などのアルケニルスルホキシド基;ベ
ンジルスルホキシド基、フェニルエチルスルホキシド
基、フェニルプロピルスルホキシド基などのアリールア
ルキルスルホキシド基;フェニルスルホキシド基、トリ
ルスルホキシド基、ジメチルフェニルスルホキシド基、
トリメチルフェニルスルホキシド基、エチルフェニルス
ルホキシド基、プロピルフェニルスルホキシド基、ビフ
ェニルスルホキシド基、ナフチルスルホキシド基、メチ
ルナフチルスルホキシド基、アントラセニルスルホキシ
ド基、フェナントニルスルホキシド基などのアリールス
ルホキシド基が挙げられる。炭素数1〜20のアシル基
としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、
ブチリル基、バレリル基、パルミトイル基、テアロイル
基、オレオイル基等のアルキルアシル基、ベンゾイル
基、トルオイル基、サリチロイル基、シンナモイル基、
ナフトイル基、フタロイル基等のアリールアシル基、シ
ュウ酸、マロン酸、コハク酸等のジカルボン酸からそれ
ぞれ誘導されるオキサリル基、マロニル基、スクシニル
基等が挙げられる。
【0038】一方、Yはルイス塩基を示し、Yが複数あ
る場合、複数のYは同じでも異なっていてもよく、他の
YやE1,E2又はXと架橋していてもよい。該Yのルイ
ス塩基の具体例としては、アミン類,エーテル類,ホス
フィン類,チオエーテル類などを挙げることができる。
アミン類としては、炭素数1〜20のアミンが挙げら
れ、具体的には、メチルアミン、エチルアミン、プロピ
ルアミン、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、メチ
ルエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ
プロピルアミン、ジブチルアミン、ジシクロヘキシルア
ミン、メチルエチルアミン等のアルキルアミンや、ビニ
ルアミン、プロペニルアミン、シクロヘキセニルアミ
ン、ジビニルアミン、ジプロペニルアミン、ジシクロヘ
キセニルアミンなどのアルケニルアミン;フェニルアミ
ン、フェニルエチルアミン、フェニルプロピルアミンな
どのアリールアルキルアミン;ジフェニルアミン、ジナ
フチルアミンなどのアリールアミンが挙げられる。エー
テル類としては、メチルエーテル、エチルエーテル、プ
ロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチルエーテ
ル、イソブチルエーテル、n−アミルエーテル、イソア
ミルエーテル等の脂肪族単一エーテル化合物;メチルエ
チルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルイソプ
ロピルエーテル、メチル−n−アミルエーテル、メチル
イソアミルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチル
イソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、エチル
イソブチルエーテル、エチル−n−アミルエーテル、エ
チルイソアミルエーテル等の脂肪族混成エーテル化合
物;ビニルエーテル、アリルエーテル、メチルビニルエ
ーテル、メチルアリルエーテル、エチルビニルエーテ
ル、エチルアリルエーテル等の脂肪族不飽和エーテル化
合物;アニソール、フェネトール、フェニルエーテル、
ベンジルエーテル、フェニルベンジルエーテル、α−ナ
フチルエーテル、β−ナフチルエーテル等の芳香族エー
テル化合物、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリ
メチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、
ジオキサン等の環式エーテル化合物が挙げられる。ホス
フィン類としては、炭素数1〜20のホスフィンが挙げ
られる。具体的には、メチルホスフィン、エチルホスフ
ィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、ヘキシ
ルホスフィン、シクロヘキシルホスフィン、オクチルホ
スフィンなどのモノ炭化水素置換ホスフィン;ジメチル
ホスフィン、ジエチルホスフィン、ジプロピルホスフィ
ン、ジブチルホスフィン、ジヘキシルホスフィン、ジシ
クロヘキシルホスフィン、ジオクチルホスフィンなどの
ジ炭化水素置換ホスフィン;トリメチルホスフィン、ト
リエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリシクロ
ヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィンなどのト
リ炭化水素置換ホスフィン等のアルキルホスフィンや、
ビニルホスフィン、プロペニルホスフィン、シクロヘキ
セニルホスフィンなどのモノアルケニルホスフィンやリ
ンの水素原子をアルケニルが2個置換したジアルケニル
ホスフィン;ホスフィンの水素原子をアルケニルが3個
置換したトリアルケニルホスフィン;ベンジルホスフィ
ン、フェニルエチルホスフィン、フェニルプロピルホス
フィンなどのアリールアルキルホスフィン;ホスフィン
の水素原子をアリールまたはアルケニルが3個置換した
ジアリールアルキルホスフィンまたはアリールジアルキ
ルホスフィン;フェニルホスフィン、トリルホスフィ
ン、ジメチルフェニルホスフィン、トリメチルフェニル
ホスフィン、エチルフェニルホスフィン、プロピルフェ
ニルホスフィン、ビフェニルホスフィン、ナフチルホス
フィン、メチルナフチルホスフィン、アントラセニルホ
スフィン、フェナントニルホスフィン;ホスフィンの水
素原子をアルキルアリールが2個置換したジ(アルキル
アリール)ホスフィン;ホスフィンの水素原子をアルキ
ルアリールが3個置換したトリ(アルキルアリール)ホ
スフィンなどのアリールホスフィンが挙げられる。チオ
エーテル類としては、前記のスルフィドが挙げられる。
【0039】次に、A1及びA2は二つの配位子を結合す
る二価の架橋基であって、炭素数1〜20の炭化水素
基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基、珪素含
有基、ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−O−、−C
O−、−S−、−SO2−、−Se−、−NR−、−P
R−、−P(O)R−、−BR−又は−AlR−を示
し、Rは水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭
化水素基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基を
示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよい。
このような架橋基のうち、少なくとも一つは炭素数1以
上の炭化水素基からなる架橋基であることが好ましい。
このような架橋基としては、例えば一般式
【0040】
【化6】 (R13及びR14はそれぞれ水素原子又は炭素数1〜20
の炭化水素基で、それらはたがいに同一でも異なってい
てもよく、またたがいに結合して環構造を形成していて
もよい。eは1〜4の整数を示す。)で表されるものが
挙げられ、その具体例としては、メチレン基,エチレン
基,エチリデン基,プロピリデン基,イソプロピリデン
基,シクロヘキシリデン基,1,2−シクロヘキシレン
基,ビニリデン基(CH2 =C=),ジメチルシリレン
基,ジフェニルシリレン基,メチルフェニルシリレン
基,ジメチルゲルミレン基,ジメチルスタニレン基,テ
トラメチルジシリレン基,ジフェニルジシリレン基など
を挙げることができる。これらの中で、エチレン基,イ
ソプロピリデン基及びジメチルシリレン基が好適であ
る。qは1〜5の整数で〔(Mの原子価)−2〕を示
し、rは0〜3の整数を示す。
【0041】この一般式(I)で表される遷移金属化合
物において、E1及びE2が置換シクロペンタジエニル
基,インデニル基又は置換インデニル基である場合、A
1及びA2の架橋基の結合は、(1,2’)(2,1’)
二重架橋型が好ましい。このような一般式(I)で表さ
れる遷移金属化合物の中では、一般式(I−a)
【0042】
【化7】 で表される二重架橋型ビスシクロペンタジエニル誘導体
を配位子とする遷移金属化合物が好ましい。
【0043】上記一般式(I−a)において、M,
1,A2,q及びrは上記と同じである。Xはσ結合性
の配位子を示し、Xが複数ある場合、複数のXは同じで
も異なっていてもよく、他のX又はYと架橋していても
よい。このXの具体例としては、一般式(I)のXの説
明で例示したものと同じものを挙げることができる。Y
はルイス塩基を示し、Yが複数ある場合、複数のYは同
じでも異なっていてもよく、他のY又はXと架橋してい
てもよい。このYの具体例としては、一般式(I)のY
の説明で例示したものと同じものを挙げることができ
る。R15〜R20はそれぞれ水素原子,ハロゲン原子,炭
素数1〜20の炭化水素基,炭素数1〜20のハロゲン
含有炭化水素基,珪素含有基又はヘテロ原子含有基を示
すが、その少なくとも一つは水素原子でないことが必要
である。また、R15〜R20はたがいに同一でも異なって
いてもよく、隣接する基同士がたがいに結合して環を形
成していてもよい。なかでも、R16とR17は環を形成し
ていていること及びR19とR20は環を形成していている
ことが好ましい。R15とR18としては、酸素、ハロゲ
ン、珪素等のヘテロ原子を含有する基が高重合活性とな
り好ましい。
【0044】この二重架橋型ビスシクロペンタジエニル
誘導体を配位子とする遷移金属化合物は、配位子が
(1,2’)(2,1’)二重架橋型が好ましい。
【0045】一般式(I)で表される遷移金属化合物の
具体例としては、(1,2’−エチレン)(2,1’−
エチレン)−ビス(インデニル)ジルコニウムジクロリ
ド,(1,2’−メチレン)(2,1’−メチレン)−
ビス(インデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,
2’−イソプロピリデン)(2,1’−イソプロピリデ
ン)−ビス(インデニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−エチレン)(2,1’−エチレン)−ビス
(3−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−エチレン)(2,1’−エチレン)−ビス
(4,5−ベンゾインデニル)ジルコニウムジクロリ
ド,(1,2’−エチレン)(2,1’−エチレン)−
ビス(4−イソプロピルインデニル)ジルコニウムジク
ロリド,(1,2’−エチレン)(2,1’−エチレ
ン)−ビス(5,6−ジメチルインデニル)ジルコニウ
ムジクロリド,(1,2’−エチレン)(2,1’−エ
チレン)−ビス(4,7−ジイソプロピルインデニル)
ジルコニウムジクロリド,(1,2’−エチレン)
(2,1’−エチレン)−ビス(4−フェニルインデニ
ル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−エチレン)
(2,1’−エチレン)−ビス(3−メチル−4−イソ
プロピルインデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,
2’−エチレン)(2,1’−エチレン)−ビス(5,
6−ベンゾインデニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−エチレン)(2,1’−イソプロピリデ
ン)−ビス(インデニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−メチレン)(2,1’−エチレン)−ビス
(インデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−
メチレン)(2,1’−イソプロピリデン)−ビス(イ
ンデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメ
チルシリレン)(2,1’−ジメチルシリレン)ビス
(インデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−
ジメチルシリレン)(2,1’−ジメチルシリレン)ビ
ス(3−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−ジメチル
シリレン)ビス(3−n−ブチルインデニル)ジルコニ
ウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)
(2,1’−ジメチルシリレン)ビス(3−i−プロピ
ルインデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−
ジメチルシリレン)(2,1’−ジメチルシリレン)ビ
ス(3−トリメチルシリルメチルインデニル)ジルコニ
ウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)
(2,1’−ジメチルシリレン)ビス(3−フェニルイ
ンデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメ
チルシリレン)(2,1’−ジメチルシリレン)ビス
(4,5−ベンゾインデニル)ジルコニウムジクロリ
ド,(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−ジメ
チルシリレン)ビス(4−イソプロピルインデニル)ジ
ルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレ
ン)(2,1’−ジメチルシリレン)ビス(5,6−ジ
メチルインデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,
2’−ジメチルシリレン)(2,1’−ジメチルシリレ
ン)ビス(4,7−ジ−i−プロピルインデニル)ジル
コニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)
(2,1’−ジメチルシリレン)ビス(4−フェニルイ
ンデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメ
チルシリレン)(2,1’−ジメチルシリレン)ビス
(3−メチル−4−i−プロピルインデニル)ジルコニ
ウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)
(2,1’−ジメチルシリレン)ビス(5,6−ベンゾ
インデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジ
メチルシリレン)(2,1’−イソプロピリデン)−ビ
ス(インデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’
−ジメチルシリレン)(2,1’−イソプロピリデン)
−ビス(3−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリ
ド,(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−イソ
プロピリデン)−ビス(3−i−プロピルインデニル)
ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレ
ン)(2,1’−イソプロピリデン)−ビス(3−n−
ブチルインデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,
2’−ジメチルシリレン)(2,1’−イソプロピリデ
ン)−ビス(3−トリメチルシリルメチルインデニル)
ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレ
ン)(2,1’−イソプロピリデン)−ビス(3−トリ
メチルシリルインデニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−イソプロ
ピリデン)−ビス(3−フェニルインデニル)ジルコニ
ウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)
(2,1’−メチレン)−ビス(インデニル)ジルコニ
ウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)
(2,1’−メチレン)−ビス(3−メチルインデニ
ル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシ
リレン)(2,1’−メチレン)−ビス(3−i−プロ
ピルインデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’
−ジメチルシリレン)(2,1’−メチレン)−ビス
(3−n−ブチルインデニル)ジルコニウムジクロリ
ド,(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−メチ
レン)−ビス(3−トリメチルシリルメチルインデニ
ル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシ
リレン)(2,1’−メチレン)−ビス(3−トリメチ
ルシリルインデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,
2’−ジフェニルシリレン)(2,1’−メチレン)−
ビス(インデニル)ジルコニウムジクロリド,(1,
2’−ジフェニルシリレン)(2,1’−メチレン)−
ビス(3−メチルインデニル)ジルコニウムジクロリ
ド,(1,2’−ジフェニルシリレン)(2,1’−メ
チレン)−ビス(3−i−プロピルインデニル)ジルコ
ニウムジクロリド,(1,2’−ジフェニルシリレン)
(2,1’−メチレン)−ビス(3−n−ブチルインデ
ニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジフェニ
ルシリレン)(2,1’−メチレン)−ビス(3−トリ
メチルシリルメチルインデニル)ジルコニウムジクロリ
ド,(1,2’−ジフェニルシリレン)(2,1’−メ
チレン)−ビス(3−トリメチルシリルインデニル)ジ
ルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレ
ン)(2,1’−ジメチルシリレン)(3−メチルシク
ロペンタジエニル)(3’−メチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシ
リレン)(2,1’−イソプロピリデン)(3−メチル
シクロペンタジエニル)(3’−メチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチ
ルシリレン)(2,1’−エチレン)(3−メチルシク
ロペンタジエニル)(3’−メチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−エチレン)
(2,1’−メチレン)(3−メチルシクロペンタジエ
ニル)(3’−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムジクロリド,(1,2’−エチレン)(2,1’−
イソプロピリデン)(3−メチルシクロペンタジエニ
ル)(3’−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジクロリド,(1,2’−メチレン)(2,1’−メ
チレン)(3−メチルシクロペンタジエニル)(3’−
メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリ
ド,(1,2’−メチレン)(2,1’−イソプロピリ
デン)(3−メチルシクロペンタジエニル)(3’−メ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−イソプロピリデン)(2,1’−イソプロ
ピリデン)(3−メチルシクロペンタジエニル)(3’
−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリ
ド,(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−ジメ
チルシリレン)(3,4−ジメチルシクロペンタジエニ
ル)(3’,4’−ジメチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレ
ン)(2,1’−イソプロピリデン)(3,4−ジメチ
ルシクロペンタジエニル)(3’,4’−ジメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド,(1,
2’−ジメチルシリレン)(2,1’−エチレン)
(3,4−ジメチルシクロペンタジエニル)(3’,
4’−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
クロリド,(1,2’−エチレン)(2,1’−メチレ
ン)(3,4−ジメチルシクロペンタジエニル)
(3’,4’−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロリド,(1,2’−エチレン)(2,1’
−イソプロピリデン)(3,4−ジメチルシクロペンタ
ジエニル)(3’,4’−ジメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−メチレン)
(2,1’−メチレン)(3,4−ジメチルシクロペン
タジエニル)(3’,4’−ジメチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−メチレ
ン)(2,1’−イソプロピリデン)(3,4−ジメチ
ルシクロペンタジエニル)(3’,4’−ジメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド,(1,
2’−イソプロピリデン)(2,1’−イソプロピリデ
ン)(3,4−ジメチルシクロペンタジエニル)
(3’,4’−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)
(2,1’−ジメチルシリレン)(3−メチル−5−エ
チルシクロペンタジエニル)(3’−メチル−5’−エ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−ジメチル
シリレン)(3−メチル−5−エチルシクロペンタジエ
ニル)(3’−メチル−5’−エチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチル
シリレン)(2,1’−ジメチルシリレン)(3−メチ
ル−5−イソプロピルシクロペンタジエニル)(3’−
メチル−5’−イソプロピルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジクロリド、(1,2’−ジメチルシリレ
ン)(2,1’−ジメチルシリレン)(3−メチル−5
−n−ブチルシクロペンタジエニル)(3’−メチル−
5’−n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)(2,
1’−ジメチルシリレン)(3−メチル−5−フェニル
シクロペンジエニル)(3’−メチル−5’−フェニル
シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−イソプロ
ピリデン)(3−メチル−5−エチルシクロペンタジエ
ニル)(3’−メチル−5’−エチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチル
シリレン)(2,1’−イソプロピリデン)(3−メチ
ル−5−i−プロピルシクロペンタジエニル)(3’−
メチル−5’−i−プロピルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレ
ン)(2,1’−イソプロピリデン)(3−メチル−5
−n−ブチルシクロペンタジエニル)(3’−メチル−
5’−n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)(2,
1’−イソプロピリデン)(3−メチル−5−フェニル
シクロペンタジエニル)(3’−メチル−5’−フェニ
ルシクロペンジエニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−エチレ
ン)(3−メチル−5−エチルシクロペンタジエニル)
(3’−メチル−5’−エチルシクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレ
ン)(2,1’−エチレン)(3−メチル−5−i−プ
ロピルシクロペンタジエニル)(3’−メチル−5’−
i−プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジク
ロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−
エチレン)(3−メチル−5−n−ブチルシクロペンタ
ジエニル)(3’−メチル−5’−n−ブチルシクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−
ジメチルシリレン)(2,1’−エチレン)(3−メチ
ル−5−フェニルシクロペンタジエニル)(3’−メチ
ル−5’−フェニルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)(2,
1’−メチレン)(3−メチル−5−エチルシクロペン
タジエニル)(3’−メチル−5’−エチルシクロペン
ジエニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−ジメ
チルシリレン)(2,1’−メチレン)(3−メチル−
5−i−プロピルシクロペンタジエニル)(3’−メチ
ル−5’−i−プロピルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロリド,(1,2’−ジメチルシリレン)
(2,1’−メチレン)(3−メチル−5−n−ブチル
シクロペンタジエニル)(3’−メチル−5’−n−ブ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド,
(1,2’−ジメチルシリレン)(2,1’−メチレ
ン)(3−メチル−5−フェニルシクロペンタジエニ
ル)(3’−メチル−5’−フェニルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロリド,(1,2’−エチレ
ン)(2,1’−メチレン)(3−メチル−5−i−プ
ロピルシクロペンタジエニル)(3’−メチル−5’−
i−プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジク
ロリド,(1,2’−エチレン)(2,1’−イソプロ
ピリデン)(3−メチル−5−i−プロピルシクロペン
タジエニル)(3’−メチル−5’−i−プロピルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド,(1,
2’−メチレン)(2,1’−メチレン)(3−メチル
−5−i−プロピルシクロペンタジエニル)(3’−メ
チル−5’−i−プロピルシクロペンタジエニル)ジル
コニウムジクロリド,(1,2’−メチレン)(2,
1’−イソプロピリデン)(3−メチル−5−i−プロ
ピルシクロペンタジエニル)(3’−メチル−5’−i
−プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロ
リドなど及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチ
タン又はハフニウムに置換したものを挙げることができ
る。もちろんこれらに限定されるものではない。また、
他の族又はランタノイド系列の金属元素の類似化合物で
あってもよい。
【0046】次に、(B)成分のうちの(B−1)成分
としては、上記(A)成分の遷移金属化合物と反応し
て、イオン性の錯体を形成しうる化合物であれば、いず
れのものでも使用できるが、次の一般式(III),(IV) (〔L1−R21k+a(〔Z〕-b ・・・(III) (〔L2k+a(〔Z〕-b ・・・(IV) (ただし、L2はM2、R22233、R24 3C又はR25
3である。) 〔(III),(IV)式中、L1はルイス塩基、〔Z〕-は、非
配位性アニオン〔Z1-及び〔Z2-、ここで〔Z1-
は複数の基が元素に結合したアニオンすなわち〔M41
2・・・Gf-(ここで、M4は周期律表第5〜15族
元素、好ましくは周期律表第13〜15族元素を示す。
1〜Gfはそれぞれ水素原子,ハロゲン原子,炭素数1
〜20のアルキル基,炭素数2〜40のジアルキルアミ
ノ基,炭素数1〜20のアルコキシ基,炭素数6〜20
のアリール基,炭素数6〜20のアリールオキシ基,炭
素数7〜40のアルキルアリール基,炭素数7〜40の
アリールアルキル基,炭素数1〜20のハロゲン置換炭
化水素基,炭素数1〜20のアシルオキシ基,有機メタ
ロイド基、又は炭素数2〜20のヘテロ原子含有炭化水
素基を示す。G1〜Gfのうち2つ以上が環を形成してい
てもよい。fは〔(中心金属M4の原子価)+1〕の整
数を示す。)、〔Z2-は、酸解離定数の逆数の対数
(pKa)が−10以下のブレンステッド酸単独又はブ
レンステッド酸及びルイス酸を組合わせた共役塩基、あ
るいは一般的に超強酸と定義される酸の共役塩基を示
す。また、ルイス塩基が配位していてもよい。また、R
21は水素原子,炭素数1〜20のアルキル基,炭素数6
〜20のアリール基,アルキルアリール基又はアリール
アルキル基を示し、R22及びR23はそれぞれシクロペン
タジエニル基,置換シクロペンタジエニル基,インデニ
ル基又はフルオレニル基、R24は炭素数1〜20のアル
キル基,アリール基,アルキルアリール基又はアリール
アルキル基を示す。R25はテトラフェニルポルフィリ
ン,フタロシアニン等の大環状配位子を示す。kは〔L
1−R21〕,〔L2〕のイオン価数で1〜3の整数、aは
1以上の整数、b=(k×a)である。M2 は、周期律
表第1〜3、11〜13、17族元素を含むものであ
り、M3 は、周期律表第7〜12族元素を示す。〕で表
されるものを好適に使用することができる。
【0047】ここで、L1の具体例としては、アンモニ
ア,メチルアミン,アニリン,ジメチルアミン,ジエチ
ルアミン,N−メチルアニリン,ジフェニルアミン,
N,N−ジメチルアニリン,トリメチルアミン,トリエ
チルアミン,トリ−n−ブチルアミン,メチルジフェニ
ルアミン,ピリジン,p−ブロモ−N,N−ジメチルア
ニリン,p−ニトロ−N,N−ジメチルアニリンなどの
アミン類、トリエチルホスフィン,トリフェニルホスフ
ィン,ジフェニルホスフィンなどのホスフィン類、テト
ラヒドロチオフェンなどのチオエーテル類、安息香酸エ
チルなどのエステル類、アセトニトリル,ベンゾニトリ
ルなどのニトリル類などを挙げることができる。
【0048】R21の具体例としては水素,メチル基,エ
チル基,ベンジル基,トリチル基などを挙げることがで
き、R22,R23の具体例としては、シクロペンタジエニ
ル基,メチルシクロペンタジエニル基,エチルシクロペ
ンタジエニル基,ペンタメチルシクロペンタジエニル基
などを挙げることができる。R24の具体例としては、フ
ェニル基,p−トリル基,p−メトキシフェニル基など
を挙げることができ、R25の具体例としてはテトラフェ
ニルポルフィン,フタロシアニン,アリル,メタリルな
どを挙げることができる。また、M2 の具体例として
は、Li,Na,K,Ag,Cu,Br,I,I3 など
を挙げることができ、M3 の具体例としては、Mn,F
e,Co,Ni,Znなどを挙げることができる。
【0049】また、〔Z1-、すなわち〔M412
・・Gf〕において、M4の具体例としてはB,Al,S
i ,P,As,Sbなど、好ましくはB及びAlが挙げ
られる。また、G1,G2〜Gfの具体例としては、ジア
ルキルアミノ基としてジメチルアミノ基,ジエチルアミ
ノ基など、アルコキシ基若しくはアリールオキシ基とし
てメトキシ基,エトキシ基,n−ブトキシ基,フェノキ
シ基など、炭化水素基としてメチル基,エチル基,n−
プロピル基,イソプロピル基,n−ブチル基,イソブチ
ル基,n−オクチル基,n−エイコシル基,フェニル
基,p−トリル基,ベンジル基,4−t−ブチルフェニ
ル基,3,5−ジメチルフェニル基など、ハロゲン原子
としてフッ素,塩素,臭素,ヨウ素,ヘテロ原子含有炭
化水素基としてp−フルオロフェニル基,3,5−ジフ
ルオロフェニル基,ペンタクロロフェニル基,3,4,
5−トリフルオロフェニル基,ペンタフルオロフェニル
基,3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル基,
ビス(トリメチルシリル)メチル基など、有機メタロイ
ド基としてペンタメチルアンチモン基、トリメチルシリ
ル基,トリメチルゲルミル基,ジフェニルアルシン基,
ジシクロヘキシルアンチモン基,ジフェニル硼素などが
挙げられる。
【0050】また、非配位性のアニオンすなわちpKa
が−10以下のブレンステッド酸単独又はブレンステッ
ド酸及びルイス酸の組合わせの共役塩基〔Z2 - の具
体例としてはトリフルオロメタンスルホン酸アニオン
(CF3 SO3 - ,ビス(トリフルオロメタンスルホ
ニル)メチルアニオン,ビス(トリフルオロメタンスル
ホニル)ベンジルアニオン,ビス(トリフルオロメタン
スルホニル)アミド,過塩素酸アニオン(Cl
4 - ,トリフルオロ酢酸アニオン(CF3 CO2
-,ヘキサフルオロアンチモンアニオン(Sb
6 - ,フルオロスルホン酸アニオン(FS
3 - ,クロロスルホン酸アニオン(ClS
3 - ,フルオロスルホン酸アニオン/5−フッ化ア
ンチモン(FSO3 /SbF5 - ,フルオロスルホン
酸アニオン/5−フッ化砒素(FSO3 /As
5 - ,トリフルオロメタンスルホン酸/5−フッ化
アンチモン(CF3 SO3 /SbF5 - などを挙げる
ことができる。
【0051】このような前記(A)成分の遷移金属化合
物と反応してイオン性の錯体を形成するイオン性化合
物、すなわち(B−1)成分化合物の具体例としては、
テトラフェニル硼酸トリエチルアンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸トリ−n−ブチルアンモニウム,テトラフェ
ニル硼酸トリメチルアンモニウム,テトラフェニル硼酸
テトラエチルアンモニウム,テトラフェニル硼酸メチル
(トリ−n−ブチル)アンモニウム,テトラフェニル硼
酸ベンジル(トリ−n−ブチル)アンモニウム,テトラ
フェニル硼酸ジメチルジフェニルアンモニウム,テトラ
フェニル硼酸トリフェニル(メチル)アンモニウム,テ
トラフェニル硼酸トリメチルアニリニウム,テトラフェ
ニル硼酸メチルピリジニウム,テトラフェニル硼酸ベン
ジルピリジニウム,テトラフェニル硼酸メチル(2−シ
アノピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェ
ニル)硼酸トリエチルアンモニウム,テトラキス(ペン
タフルオロフェニル)硼酸トリ−n−ブチルアンモニウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリフ
ェニルアンモニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェ
ニル)硼酸テトラ−n−ブチルアンモニウム,テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸テトラエチルアンモ
ニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ベ
ンジル(トリ−n−ブチル)アンモニウム,テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチルジフェニルアン
モニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸
トリフェニル(メチル)アンモニウム,テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)硼酸メチルアニリニウム,テト
ラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチルアニリ
ニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ト
リメチルアニリニウム,テトラキス(ペンタフルオロフ
ェニル)硼酸メチルピリジニウム,テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸ベンジルピリジニウム,テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチル(2−シア
ノピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸ベンジル(2−シアノピリジニウム),テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチル(4−シア
ノピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸トリフェニルホスホニウム,テトラキス〔ビス
(3,5−ジトリフルオロメチル)フェニル〕硼酸ジメ
チルアニリニウム,テトラフェニル硼酸フェロセニウ
ム,テトラフェニル硼酸銀,テトラフェニル硼酸トリチ
ル,テトラフェニル硼酸テトラフェニルポルフィリンマ
ンガン,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸フ
ェロセニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)
硼酸(1,1’−ジメチルフェロセニウム),テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸デカメチルフェロセ
ニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸
銀、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリチ
ル,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸リチウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ナトリ
ウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸テオ
ラフェニルポルフィリンマンガン,テトラフルオロ硼酸
銀,ヘキサフルオロ燐酸銀,ヘキサフルオロ砒素酸銀,
過塩素酸銀,トリフルオロ酢酸銀,トリフルオロメタン
スルホン酸銀などを挙げることができる。
【0052】この(B−1)成分である、該(A)成分
の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しう
る化合物は一種用いてもよく、また二種以上を組み合わ
せて用いてもよい。
【0053】一方、(B−2)成分のアルミノキサンと
しては、一般式(V)
【0054】
【化8】 (式中、R26は炭素数1〜20、好ましくは1〜12の
アルキル基,アルケニル基,アリール基,アリールアル
キル基などの炭化水素基あるいはハロゲン原子を示し、
wは平均重合度を示し、通常2〜50、好ましくは2〜
40の整数である。なお、各R26は同じでも異なってい
てもよい。)で示される鎖状アルミノキサン、及び一般
式(VI)
【0055】
【化9】 ( 式中、R26及びwは前記一般式(V) におけるものと
同じである。)で示される環状アルミノキサンを挙げる
ことができる。
【0056】前記アルミノキサンの製造法としては、ア
ルキルアルミニウムと水などの縮合剤とを接触させる方
法が挙げられるが、その手段については特に限定はな
く、公知の方法に準じて反応させればよい。例えば、
有機アルミニウム化合物を有機溶剤に溶解しておき、こ
れを水と接触させる方法、重合時に当初有機アルミニ
ウム化合物を加えておき、後に水を添加する方法、金
属塩などに含有されている結晶水、無機物や有機物への
吸着水を有機アルミニウム化合物と反応させる方法、
テトラアルキルジアルミノキサンにトリアルキルアルミ
ニウムを反応させ、さらに水を反応させる方法などがあ
る。なお、アルミノキサンとしては、トルエン不溶性の
ものであってもよい。
【0057】これらのアルミノキサンは一種用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。(A)触媒
成分と(B)触媒成分との使用割合は、(B)触媒成分
として(B−1)化合物を用いた場合には、モル比で好
ましくは10:1〜1:100、より好ましくは2:1
〜1:10の範囲が望ましく、上記範囲を逸脱する場合
は、単位重量ポリマーあたりの触媒コストが高くなり、
実用的でない。また(B−2)化合物を用いた場合に
は、モル比で好ましくは1:1〜1:1000000、
より好ましくは1:10〜1:10000の範囲が望ま
しい。この範囲を逸脱する場合は単位重量ポリマーあた
りの触媒コストが高くなり、実用的でない。また、触媒
成分(B)としては(B−1),(B−2)を単独また
は二種以上組み合わせて用いることもできる。
【0058】本発明の製造方法における重合用触媒は、
上記(A)成分及び(B)成分に加えて(C)成分とし
て有機アルミニウム化合物を用いることができる。
【0059】ここで、(C)成分の有機アルミニウム化
合物としては、一般式(VII) R27 v AlJ3-v ・・・(VII) 〔式中、R27は炭素数1〜10のアルキル基、Jは水素
原子、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数6〜20
のアリール基又はハロゲン原子を示し、vは1〜3の整
数である〕で示される化合物が用いられる。
【0060】前記一般式(VII)で示される化合物の具体
例としては、トリメチルアルミニウム,トリエチルアル
ミニウム,トリイソプロピルアルミニウム,トリイソブ
チルアルミニウム,ジメチルアルミニウムクロリド,ジ
エチルアルミニウムクロリド,メチルアルミニウムジク
ロリド,エチルアルミニウムジクロリド,ジメチルアル
ミニウムフルオリド,ジイソブチルアルミニウムヒドリ
ド,ジエチルアルミニウムヒドリド,エチルアルミニウ
ムセスキクロリド等が挙げられる。
【0061】これらの有機アルミニウム化合物は一種用
いてもよく、二種以上を組合せて用いてもよい。
【0062】本発明の製造方法においては、上述した
(A)成分、(B)成分及び(C)成分を用いて予備接
触を行なう事もできる。予備接触は、(A)成分に、例
えば、(B)成分を接触させる事により行なう事ができ
るが、その方法に特に制限はなく、公知の方法を用いる
ことができる。これら予備接触により触媒活性の向上
や、助触媒である(B)使用割合の低減など、触媒コス
トの低減に効果的である。また、さらに、(A)成分と
(B−2)成分を接触させる事により、上記効果と伴
に、分子量向上効果も見られる。また、予備接触温度
は、通常−20℃〜200℃、好ましくは−10℃〜1
50℃、より好ましくは、0℃〜80℃である。予備接
触においては、溶媒として不活性炭化水素、脂肪族炭化
水素、芳香族炭化水素、などを用いる事ができる。これ
らの中で特に好ましいものは、脂肪族炭化水素である。
【0063】前記(A)触媒成分と(C)触媒成分との
使用割合は、モル比で好ましくは1:1〜1:1000
0、より好ましくは1:5〜1:2000、さらに好ま
しくは1:10ないし1:1000の範囲が望ましい。
該(C)触媒成分を用いることにより、遷移金属当たり
の重合活性を向上させることができるが、あまり多いと
有機アルミニウム化合物が無駄になるとともに、重合体
中に多量に残存し、好ましくない。
【0064】本発明においては、触媒成分の少なくとも
一種を適当な担体に担持して用いることができる。該担
体の種類については特に制限はなく、無機酸化物担体、
それ以外の無機担体及び有機担体のいずれも用いること
ができるが、特に無機酸化物担体あるいはそれ以外の無
機担体が好ましい。
【0065】無機酸化物担体としては、具体的には、S
iO2 ,Al2 3 ,MgO,ZrO2 ,TiO2 ,F
2 3 ,B2 3 ,CaO,ZnO,BaO,ThO
2 やこれらの混合物、例えばシリカアルミナ,ゼオライ
ト,フェライト,グラスファイバーなどが挙げられる。
これらの中では、特にSiO2 ,Al2 3 が好まし
い。なお、上記無機酸化物担体は、少量の炭酸塩,硝酸
塩,硫酸塩などを含有してもよい。
【0066】一方、上記以外の担体として、MgC
2,Mg(OC25)2などで代表される一般式MgR
28 X 1 yで表されるマグネシウム化合物やその錯塩など
を挙げることができる。ここで、R28は炭素数1〜20
のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基又は炭素
数6〜20のアリール基、X1はハロゲン原子又は炭素
数1〜20のアルキル基を示し、xは0〜2の整数、y
は0〜2の整数であり、かつx+y=2である。各R28
及び各X1はそれぞれ同一でもよく、また異なってもい
てもよい。
【0067】また、有機担体としては、ポリスチレン,
スチレン−ジビニルベンゼン共重合体,ポリエチレン,
ポリプロピレン,置換ポリスチレン,ポリアリレートな
どの重合体やスターチ,カーボンなどを挙げることがで
きる。
【0068】本発明において用いられる担体としては、
MgCl2 ,MgCl(OC25),Mg(OC
25)2,SiO2,Al23などが好ましい。また担体
の性状は、その種類及び製法により異なるが、平均粒径
は通常1〜300μm、好ましくは10〜200μm、
より好ましくは20〜100μmである。
【0069】粒径が小さいと重合体中の微粉が増大し、
粒径が大きいと重合体中の粗大粒子が増大し嵩密度の低
下やホッパーの詰まりの原因になる。
【0070】また、担体の比表面積は、通常1〜100
0m2/g、好ましくは50〜500m2/g、細孔容積
は通常0.1〜5cm3/g、好ましくは0.3〜3c
3/gである。
【0071】比表面積又は細孔容積のいずれかが上記範
囲を逸脱すると、触媒活性が低下することがある。な
お、比表面積及び細孔容積は、例えばBET法に従って
吸着された窒素ガスの体積から求めることができる(ジ
ャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサィエ
ティ,第60巻,第309ページ(1983年)参
照)。
【0072】さらに、上記担体は、通常150〜100
0℃、好ましくは200〜800℃で焼成して用いるこ
とが望ましい。
【0073】触媒成分の少なくとも一種を前記担体に担
持させる場合、(A)触媒成分及び(B)触媒成分の少
なくとも一方を、好ましくは(A)触媒成分及び(B)
触媒成分の両方を担持させるのが望ましい。
【0074】該担体に、(A)成分及び(B)成分の少
なくとも一方を担持させる方法については、特に制限さ
れないが、例えば(A)成分及び(B)成分の少なく
とも一方と担体とを混合する方法、担体を有機アルミ
ニウム化合物又はハロゲン含有ケイ素化合物で処理した
のち、不活性溶媒中で(A)成分及び(B)成分の少な
くとも一方と混合する方法、担体と(A)成分及び/
又は(B)成分と有機アルミニウム化合物又はハロゲン
含有ケイ素化合物とを反応させる方法、(A)成分又
は(B)成分を担体に担持させたのち、(B)成分又は
(A)成分と混合する方法、(A)成分と(B)成分
との接触反応物を担体と混合する方法、(A)成分と
(B)成分との接触反応に際して、担体を共存させる方
法などを用いることができる。
【0075】なお、上記、及びの反応において、
(C)成分の有機アルミニウム化合物を添加することも
できる。
【0076】本発明においては、前記(A),(B),
(C)を接触させる際に、弾性波を照射させて触媒を調
製してもよい。弾性波としては、通常音波、特に好まし
くは超音波が挙げられる。具体的には、周波数が1〜1
000kHzの超音波、好ましくは10〜500kHz
の超音波が挙げられる。
【0077】このようにして得られた触媒は、いったん
溶媒留去を行って固体として取り出してから重合に用い
てもよいし、そのまま重合に用いてもよい。
【0078】また、本発明においては、(A)成分及び
(B)成分の少なくとも一方の担体への担持操作を重合
系内で行うことにより触媒を生成させることができる。
例えば(A)成分及び(B)成分の少なくとも一方と担
体とさらに必要により前記(C)成分の有機アルミニウ
ム化合物を加え、エチレンなどのオレフィンを常圧〜2
MPa加えて、−20〜200℃で1分〜2時間程度予
備重合を行い触媒粒子を生成させる方法を用いることが
できる。
【0079】本発明においては、(B−1)成分と担体
との使用割合は、重量比で好ましくは1:5〜1:10
000、より好ましくは1:10〜1:500とするの
が望ましく、(B−2)成分と担体との使用割合は、重
量比で好ましくは1:0.5〜1:1000、より好まし
くは1:1〜1:50とするのが望ましい。(B)成分
として二種以上を混合して用いる場合は、各(B)成分
と担体との使用割合が重量比で上記範囲内にあることが
望ましい。また、(A)成分と担体との使用割合は、重
量比で、好ましくは1:5〜1:10000、より好ま
しくは1:10〜1:500とするのが望ましい。
【0080】(B)成分〔(B−1)成分又は(B−
2)成分〕と担体との使用割合、又は(A)成分と担体
との使用割合が上記範囲を逸脱すると、活性が低下する
ことある。このようにして調製された本発明における重
合用触媒の平均粒径は、通常2〜200μm、好ましく
は10〜150μm、特に好ましくは20〜100μm
であり、比表面積は、通常20〜1000m2 /g、好
ましくは50〜500m 2 /gである。平均粒径が2μ
m未満であると重合体中の微粉が増大することがあり、
200μmを超えると重合体中の粗大粒子が増大するこ
とがある。比表面積が20m2 /g未満であると活性が
低下することがあり、1000m2 /gを超えると重合
体の嵩密度が低下することがある。また、本発明におけ
る触媒において、担体100g中の遷移金属量は、通常
0.05〜10g、特に0.1〜2gであることが好まし
い。遷移金属量が上記範囲外であると、活性が低くなる
ことがある。
【0081】このように担体に担持することによって工
業的に有利な高い嵩密度と優れた粒径分布を有する重合
体を得ることができる。製造方法2 (A)下記一般式(II)で表される周期律表4族の遷
移金属化合物、(B)(B−1)アルミニウムオキシ化
合物及び(B−2)上記遷移金属化合物と反応してカチ
オンに変換しうるイオン性化合物の中から選ばれた少な
くとも一種とを含有してなるオレフィン重合触媒の存在
下、プロピレン又はプロピレンとエチレン及び/又は炭
素数4〜20のα−オレフィンを重合させる製造方法で
ある。
【0082】
【化10】 〔式中、R1〜R11,X1及びX2は、それぞれ独立に水
素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基、
炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基、珪素含有
基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基又はリン含
有基を示し、R3とR4及びR8とR9はたがいに結合して
環を形成してもよい。Y1は二つの配位子を結合する二
価の架橋基であって、炭素数1〜20の炭化水素基、炭
素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基、珪素含有基、
ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−O−、−CO−、
−S−、−SO2−、−NR−、−PR−、−P(O)
R−、−BR−又は−AlR−を示し、Rは水素原子、
ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1
〜20のハロゲン含有炭化水素基を示す。M1はチタ
ン,ジルコニウム又はハフニウムを示す。〕 この遷移金属化合物は、単架橋型錯体である。
【0083】前記一般式(II)において、R1
11,X1及びX2のうちのハロゲン原子としては、塩
素,臭素,フッ素,ヨウ素原子が挙げられる。炭素数1
〜20の炭化水素基としては、例えばメチル基,エチル
基,n−プロピル基,イソプロピル基,n−ブチル基,
イソブチル基,tert−ブチル基,n−ヘキシル基,
n−デシル基などのアルキル基、フェニル基,1−ナフ
チル基,2−ナフチル基などのアリール基、ベンジル基
などのアラルキル基などが挙げられ、また炭素数1〜2
0のハロゲン含有炭化水素基としては、トリフルオロメ
チルなどの上記炭化水素基の水素原子の1個以上が適当
なハロゲン原子で置換された基が挙げられる。珪素含有
基としては、トリメチルシリル基,ジメチル(t−ブチ
ル)シリル基などが挙げられ、酸素含有基としては、メ
トキシ基,エトキシ基などが挙げられ、イオウ含有基と
しては、チオール基,スルホン酸基などが挙げられ、窒
素含有基としては、ジメチルアミノ基などが挙げられ、
リン含有基としては、フェニルホスフィン基などが挙げ
られる。また、R3 とR4 及びR8 とR9 はたがいに結
合してフルオレンなどの環を形成してもよい。R3 とR
4 及びR8 とR9 の具体例としては、上記R1〜R11
において挙げたものから水素原子を除く基が挙げられ
る。R3 ,R9 としては、水素原子及び炭素数6以下の
アルキル基が好ましく、水素原子、メチル基、エチル
基、イソプロピル基、シクロヘキシル基がより好まし
く、水素原子がさらに好ましい。また、R3,R4,R8
及びR9としては、炭素数6以下のアルキル基が好まし
く、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキ
シル基がより好ましく、イソプロピル基がさらに好まし
い。R4,R5,R7,R9及びR10としては水素原子が好
ましい。特に好ましい組合せとしては、R1が水素以外
のアルキル基であり、R7が水素原子の場合である。
1,X2としては、ハロゲン原子,メチル基,エチル
基,プロピル基が好ましい。Y1の具体例としては、メ
チレン、エチレン、エチリデン、イソプロピリデン、シ
クロヘキシリデン、1,2−シクロヘキシレン、ジメチ
ルシリレン、テトラメチルジシリレン、ジメチルゲルミ
レン、メチルボリリデン(CH3−B=)、メチルアル
ミリデン(CH3−Al=)、フェニルホスフィリデン
(Ph−P=)、フェニルホスホリデン(PhPO
=)、1,2−フェニレン、ビニレン(−CH=CH
−)、ビニリデン(CH2 =C=)、メチルイミド、酸
素(−O−)、硫黄(−S−)などがあり、これらの中
でも、メチレン、エチレン、エチリデン、イソプロピリ
デンが、本発明の目的達成の点で好ましい。
【0084】M1はチタン,ジルコニウム又はハフニウ
ムを示すが、特にハフニウムが好適である。
【0085】前記一般式(II)で表される遷移金属化
合物の具体例としては、1,2−エタンジイル(1−
(2−イソブチルインデニル))(2−インデニル)ハ
フニウムジクロリド、1,2−エタンジイル(1−(2
−ブチルインデニル))(2−インデニル)ハフニウム
ジクロリド、1,2−エタンジイル(1−(2−ブチル
インデニル))(2−(4,7−ジメチルインデニ
ル))ハフニウムジクロリド、1,2−エタンジイル
(1−(2−イソプロピルインデニル))(2−(4,
7−ジメチルインデニル))ハフニウムジクロリド、
1,2−エタンジイル(1−(2−イソプロピルインデ
ニル))(2−(4,7−ジイソプロピルインデニ
ル))ハフニウムジクロリド等、ジメチルシリレン(1
−(2−イソブチルインデニル))(2−インデニル)
ハフニウムジクロリド、ジメチルシリレン(1−(2−
ブチルインデニル))(2−インデニル)ハフニウムジ
クロリド、ジメチルシリレン(1−(2−ブチルインデ
ニル))(2−(4,7−ジメチルインデニル))ハフ
ニウムジクロリド、メチルシリレン(1−(2−イソプ
ロピルインデニル))(2−(4,7−ジメチルインデ
ニル))ハフニウムジクロリド、メチルシリレン(1−
(2−イソプロピルインデニル))(2−(4,7−ジ
イソプロピルインデニル))ハフニウムジクロリド等、
1,3−プロパンジイル(1−(2−イソプロピルイン
デニル))(2−インデニル)ハフニウムジクロリド、
1,3−プロパンジイル(1−(2−イソブチルインデ
ニル))(2−インデニル)ハフニウムジクロリド、
1,3−プロパンジイル(1−(2−ブチルインデニ
ル))(2−インデニル)ハフニウムジクロリド、1,
3−プロパンジイル(1−(2−ブチルインデニル))
(2−(4,7−ジメチルインデニル))ハフニウムジ
クロリド、1,3−プロパンジイル(1−(2−イソプ
ロピルインデニル))(2−(4,7−ジメチルインデ
ニル))ハフニウムジクロリド、1,3−プロパンジイ
ル(1−(2−イソプロピルインデニル))(2−
(4,7−ジイソプロピルインデニル))ハフニウムジ
クロリド等、1,2−エタンジイル(1−(4,7−ジ
イソプロピルインデニル))(2−(4,7−ジイソプ
ロピルインデニル)ハフニウムジクロリド、1,2−エ
タンジイル(9−フルオレニル)(2−(4,7−ジイ
ソプロピルインデニル)ハフニウムジクロリド、イソプ
ロピリデン(1−(4,7−ジイソプロピルインデニ
ル))(2−(4,7−ジイソプロピルインデニル)ハ
フニウムジクロリド、1,2−エタンジイル(1−
(4,7−ジメチルインデニル))(2−(4,7−ジ
イソプロピルインデニル)ハフニウムジクロリド、1,
2−エタンジイル(9−フルオレニル)(2−(4,7
−ジメチルインデニル))ハフニウムジクロリド、イソ
プロピリデン(1−(4,7−ジメチルインデニル))
(2−(4,7−ジイソプロピルインデニル)ハフニウ
ムジクロリド、1,2−エタンジイル(2−インデニ
ル)(1−(2−イソプロピルインデニル))ハフニウ
ムジクロリド、ジメチルシリレン−(2−インデニル)
(1−(2−イソプロピルインデニル))ハフニウムジ
クロリドなど、及びこれらの化合物におけるハフニウム
をジルコニウム又はチタンに置換したものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。
【0086】なお、前記一般式(II)で表される遷移
金属化合物は、例えば本出願人が先に出願した特願平9
−296612号に記載された方法により製造すること
ができる。(A−1)成分としては、これらの遷移金属
化合物の中から2種類以上を組み合わせて用いてもよ
い。
【0087】次に(B)成分について説明する。本発明
における(B)成分は、前記の(B)成分と同じであ
る。また、本発明におけるオレフィン重合触媒として
は、前記のオレフィン重合触媒と同様に、担体に担持し
たものであってもよく、予備重合を行ったものであって
もよく或いは必要に応じて(C)有機アルミニウム化合
物を用いてもよい。
【0088】本発明における前記重合体[A]および、
[B]の製造方法については、重合方法は特に制限され
ず、スラリー重合法,気相重合法,塊状重合法,溶液重
合法,懸濁重合法などのいずれの方法を用いてもよい
が、スラリー重合法,気相重合法が好ましい。炭素数4
〜20のα−オレフィンとしては、エチレン,1−ブテ
ン,1−ペンテン,4−メチル−1−ペンテン,1−ヘ
キセン,1−オクテン,1−デセン,1−ドデセン,1
−テトラデセン,1−ヘキサデセン,1−オクタデセ
ン,1−エイコセンなどが挙げられ、本発明において
は、これらのうち一種又は二種以上を用いることができ
る。
【0089】重合条件については、重合温度は通常−1
00〜250℃、好ましくは−50〜200℃、より好
ましくは0〜130℃である。また、反応原料に対する
触媒の使用割合は、原料モノマー/上記(A)成分(モ
ル比)が好ましくは1〜10 8 、特に100〜105
なることが好ましい。さらに、重合時間としては通常5
分〜10時間、反応圧力としては常圧〜20MPa、好
ましくは常圧〜10MPaである。
【0090】重合体の分子量の調節方法としては、各触
媒成分の種類,使用量,重合温度の選択、さらには連鎖
移動剤存在下での重合などがある。連鎖移動剤として
は、水素;フェニルシラン、フェニルジメチルシラン等
のシラン化合物;トリメチルアルミニウム等の有機アル
ミニウム化合物が挙げられる。なかでも、水素が好まし
い。連鎖移動剤の添加量としては、用いる触媒の遷移金
属成分に対して10倍モル以上、好ましくは50倍モル
以上である。
【0091】重合溶媒を用いる場合、例えば、ベンゼ
ン,トルエン,キシレン,エチルベンゼンなどの芳香族
炭化水素、シクロペンタン,シクロヘキサン,メチルシ
クロヘキサンなどの脂環式炭化水素、ペンタン,ヘキサ
ン,ヘプタン,オクタンなどの脂肪族炭化水素、クロロ
ホルム,ジクロロメタンなどのハロゲン化炭化水素など
を用いることができる。これらの溶媒は一種を単独で用
いてもよく、二種以上のものを組み合わせてもよい。ま
た、α−オレフィンなどのモノマーを溶媒として用いて
もよい。なお、重合方法によっては無溶媒で行うことが
できる。
【0092】重合に際しては、前記重合用触媒を用いて
予備重合を行うことができる。予備重合は、固体触媒成
分に、例えば、少量のオレフィンを接触させることによ
り行うことができるが、その方法に特に制限はなく、公
知の方法を用いることができる。予備重合に用いるオレ
フィンについては特に制限はなく、前記に例示したもの
と同様のもの、例えばエチレン、炭素数3〜20のα−
オレフィン、あるいはこれらの混合物などを挙げること
ができるが、該重合において用いるオレフィンと同じオ
レフィンを用いることが有利である。
【0093】また、予備重合温度は、通常−20〜20
0℃、好ましくは−10〜130℃、より好ましくは0
〜80℃である。予備重合においては、溶媒として、不
活性炭化水素,脂肪族炭化水素,芳香族炭化水素,モノ
マーなどを用いることができる。これらの中で特に好ま
しいのは脂肪族炭化水素である。また、予備重合は無溶
媒で行ってもよい。
【0094】予備重合においては、予備重合生成物の極
限粘度 [η] (135℃デカリン中で測定)が0.2
(dl/g)以上、特に0.5(dl/g)以上、触媒
中の遷移金属成分1ミリモル当たりに対する予備重合生
成物の量が1〜10000g、特に10〜1000gと
なるように条件を調整することが望ましい。
【0095】本発明におけるプロピレン系重合体[A]
及び、[B]には必要に応じて造核剤を添加してもよ
い。造核剤としては、特に制限はなく、結晶核生成過程
の進行速度を向上させる効果があるものであればよい。
結晶核生成過程の進行速度を向上させる効果があるもの
としては、重合体の分子鎖の吸着過程を経て分子鎖配向
を助長する効果のある物質が挙げられる。
【0096】造核剤の具体例としては、高融点ポリマ
ー、カルボン酸若しくはその金属塩、芳香族スルホン酸
塩若しくはその金属塩、有機リン酸化合物若しくはその
金属塩、ジベンジリデンソルビトール若しくはその誘導
体、ロジン酸部分金属塩、無機微粒子、イミド類、アミ
ド類、キナクリドン類、キノン類又はこれらの混合物が
挙げられる。
【0097】高融点ポリマーとしては、ポリエチレン、
ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリビニルシクロ
ヘキサン、ポリビニルシクロペンタン等のポリビニルシ
クロアルカン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリ
3−メチルペンテン−1、ポリ3−メチルブテン−1、
ポリアルケニルシラン等が挙げられる。
【0098】金属塩としては、安息香酸アルミニウム
塩、p−t−ブチル安息香酸アルミニウム塩、アジピン
酸ナトリウム、チオフェネカルボン酸ナトリウム、ピロ
ーレカルボン酸ナトリウム等が挙げられる。
【0099】ジベンジリデンソルビトール又はその誘導
体としては、ジベンジリデンソルビトール、1,3:
2,4−ビス(o−3,4−ジメチルベンジリデン)ソ
ルビトール、1,3:2,4−ビス(o−2,4−ジメ
チルベンジリデン)ソルビトール、1,3:2,4−ビ
ス(o−4−エチルベンジリデン)ソルビトール、1,
3:2,4−ビス(o−4−クロロベンジリデン)ソル
ビトール、1,3:2,4−ジベンジリデンソルビトー
ル等が挙げられる。また、具体的には、新日本理化
(製)のゲルオールMDやゲルオールMD−R(商品
名)等も挙げられる。
【0100】ロジン酸部分金属塩としては、荒川化学工
業(製)のパインクリスタルKM1600、パインクリ
スタルKM1500、パインクリスタルKM1300
(商品名)等が挙げられる。
【0101】無機微粒子としては、タルク、クレー、マ
イカ、アスベスト、ガラス繊維、ガラスフレーク、ガラ
スビーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベン
トナイト、グラファィト、アルミニウム粉末、アルミ
ナ、シリカ、ケイ藻土、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、軽石粉末、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水
酸化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、ドロマイ
ト、硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウ
ム、亜硫酸カルシウム、硫化モリブデン等が挙げられ
る。
【0102】アミド化合物としては、アジピン酸ジアニ
リド、スペリン酸ジアニリド等が挙げられる。
【0103】これらの造核剤は、一種類を用いてもよ
く、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0104】本発明においては、造核剤として下記一般
式で示される有機リン酸金属塩及び/又はタルク等の無
機微粒子を用いることが臭いの発生が少なく好ましく、
食品向けの用途に好適である。
【0105】
【化11】 (式中、R29は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基
を示し、R30及びR31はそれぞれ水素原子、炭素数1〜
12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は
アラルキル基を示す。M5 はアルカリ金属、アルカリ土
類金属、アルミニウム及び亜鉛のうちのいずれかを示
し、M5 がアルカリ金属のときmは0を、nは1を示
し、M5 がアルカリ土類金属又は亜鉛のときnは1又は
2を示し、nが1のときmは1を、nが2のときmは0
を示し、M5 がアルミニウムのときmは1を、nは2を
示す。) 有機リン酸金属塩の具体例としては、アデカスタブNA
−11やアデカスタブNA−21(旭電化株式会社
(製))が挙げられる。
【0106】さらに、本発明においては、造核剤として
前記のタルク等の無機微粒子を用いると、フィルムに成
形した場合、スリップ性にも優れ、印刷特性などの特性
が向上するので好ましい。さらには、造核剤として前記
のジベンジリデンソルビトール又はその誘導体を用いる
と、透明性に優れるので好ましい。さらには、造核剤と
して前記のアミド化合物を用いると、剛性に優れので好
ましい。
【0107】本発明においては、造核剤、及び所望に応
じて用いられる各種添加剤とをヘンシェルミキサー等を
用いてドライブレンドしたものであってもよい。また
は、単軸又は2軸押出機、バンバリーミキサー等を用い
て、溶融混練したものであってもよい。或いは、造核剤
として高融点ポリマーを用いる場合は、プロピレン系重
合体製造時に、リアクター内で高融点ポリマーを同時又
は逐次的に添加して製造したものであってもよい。所望
に応じて用いられる各種添加剤としては、酸化防止剤、
中和剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、
又は帯電防止剤等が挙げられる。
【0108】本発明における造核剤の添加量は通常、前
記のプロピレン系共重合体[A]及び[B]に対して1
0ppm以上であり、好ましくは10〜10000pp
mの範囲であり、より好ましくは10〜5000ppm
の範囲であり、さらに好ましくは10〜2500ppm
である。10ppm未満ではフィルムの成形性の改善が
みられず、一方、10000ppmを超える量を添加し
ても好ましい効果が増大しないことがある。
【0109】フィルムの成形方法としては、一般的な圧
縮成形法、押し出し成形法、ブロー成形法、キャスト成
形法等が挙げられる。なかでも、キャスト成形法により
製造されたキャストフィルムが好ましい。また、フィル
ムは必要に応じてその表面を処理し、表面エネルギーを
大きくしたり、表面を極性にしたりしてもよい。例えば
処理方法としては、コロナ放電処理、クロム酸処理、火
炎処理、熱風処理、オゾンや紫外線照射処理等が挙げら
れる。表面の凹凸化方法としては、例えば、サンドブラ
スト法、溶剤処理法等が挙げられる。
【0110】フィルムには、常用される酸化防止剤、中
和剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、又
は帯電防止剤等を必要に応じて配合することができる。
【0111】更に、タルク等の無機微粒子を含むフィル
ムは、スリップ性にも優れるため、製袋、印刷等の二次
加工性が向上し、各種自動充填包装ラミネート等の高速
製造装置でのあらゆる汎用包装フィルムに好適である。
【0112】造核剤として前記のジベンジリデンソルビ
トール又はその誘導体を含むプロピレン系重合体等を成
形してなるフィルムは、特に透明性に優れディスプレー
効果が大きいため、玩具、文具等の包装に好適である。
【0113】造核剤として前記のアミド化合物を含むプ
ロピレン系重合体等を成形してなるフィルムは、特に剛
性に優れ、高速製袋における巻き皺等の問題が起こりに
くいため、高速製袋機でのあらゆる汎用包装フィルムと
して好適である。
【0114】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例により何ら制限される
ものではない。
【0115】まず、本発明の重合体における樹脂特性及
び物性の評価方法について説明する。 (1)[η] の測定 (株) 離合社のVMR−053型自動粘度計を用い、テ
トラリン溶媒中135℃において測定した。 (2)ペンタッド分率、トリアッド分率および異常挿入
分率の測定13 C核磁気共鳴スペクトルの測定は、エイ・ザンベリ
(A.Zambelli)等により「Macromol
ecules,,687(1975)」で提案された
ピークの帰属に従い、下記の装置及び条件にて行った。
【0116】装置:日本電子(株)製JNM−EX40
0型13C−NMR装置 方法:プロトン完全デカップリング法 濃度:220mg/ミリリットル 溶媒:1,2,4−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの
90:10(容量比)混合溶媒 温度:130℃ パルス幅:45° パルス繰り返し時間:4秒 積算:10000回 (3)分子量分布(Mw/Mn)の測定 Mw/Mnは、GPC法により、下記の装置及び条件で
測定したポリエチレン換算の重量平均分子量Mw及び数
平均分子量Mnより算出した値である。 GPC測定装置 カラム :TOSO GMHHR−H(S)HT 検出器 :液体クロマトグラム用RI検出器 WATERS 150C 測定条件 溶媒 :1,2,4−トリクロロベンゼン 測定温度 :145℃ 流速 :1.0ミリリットル/分 試料濃度 :2.2mg/ミリリットル 注入量 :160マイクロリットル 検量線 :Universal Calibration 解析プログラム:HT−GPC(Ver.1.0) (4)DSC測定 示差走査型熱量計(パーキン・エルマー社製, DSC−
7)を用い、試料10mgを窒素雰囲気下230℃で3
分間溶融した後、10℃/分で0℃まで降温後、さら
に、0℃で3分間保持した後、10℃/分で昇温させる
ことにより得られる融解吸熱量をΔHとした。また、こ
のときに得られる融解吸熱カーブの最大ピークのピーク
トップを融点:Tm(℃)とした。 (5)昇温分別クロマトグラフ 以下のようにして、溶出曲線、溶出曲線のピーク位置の
半値幅をTh(℃)を求めた。 (a)操作法 試料溶液を温度135℃に調節したTREFカラムに導
入し、次いで降温速度5℃/時間にて徐々に0℃まで降
温し、30分間ホールドし、試料を充填剤に吸着させ
る。その後、昇温速度40℃/時間にてカラムを135
℃まで昇温し、溶出曲線を得た。溶出曲線のピーク位置
の温度をTpとし、これよりTp±5℃の温度範囲にて
溶出する成分量を求めた。また、溶出曲線のピーク位置
の半値幅をTh(℃)として求めた。 (b)装置構成 TREFカラム :GLサイエンス社製 シリカゲルカラム (4.6φ×150mm) フローセル :GLサイエンス社製 光路長1mm KBrセル 送液ポンプ :センシュウ科学社製 SSC−3100ポンプ バルブオーブン :GLサイエンス社製 MODEL554オーブン (高温型) TREFオーブン:GLサイエンス社製 二系列温調器 :理学工業社製 REX−C100温調器 検出器 :液体クロマトグラフィー用赤外検出器 FOXBORO社製 MIRAN 1A CVF 10方バルブ :バルコ社製 電動バルブ ループ :バルコ社製 500マイクロリットルループ (c)測定条件 溶媒 :o−ジクロロベンゼン 試料濃度 :7.5g/リットル 注入量 :500マイクロリットル ポンプ流量 :2.0ミリリットル/分 検出波数 :3.41μm カラム充填剤 :クロモソルブP(30〜60メッシュ) カラム温度分布 :±0.2℃以内 (6)沸騰ジエチルエーテル抽出量の測定 ソックスレー抽出器を用い、以下の条件で測定する。
【0117】試料 :1〜2g 試料形状:パウダー状(ペレット化したものは粉砕し、
パウダー化して用いる) 抽出溶媒:ジエチルエーテル 抽出時間:10時間 抽出回数:180回以上 抽出量の算出方法:以下の式により算出する。 〔ジエチルエーテルへの抽出量(g)/仕込みパウダー
重量(g)〕×100 (7)ヘキサンに溶出する成分量(H25) H25は、下記の測定条件にて測定して求めた。
【0118】 試料 :0.1〜5g 試料形状:パウダー状(ペレット化したものは粉砕し、
パウダー化して用いる) 溶媒 :ヘキサン 溶出条件:25℃、3日間以上静置 溶出量の算出方法:以下の式により算出する。
【0119】 H25=〔(W0 −W1 )/W0 〕×100(%) 「フィルムの品質の評価方法」フィルムの品質は製膜
後、40℃×24時間のエージング処理を行った後、温
度23±2℃、湿度50±10%で、16時間以上状態
調節した後、同じ温度、同じ湿度条件下にて測定を行っ
た。 (1)引張り弾性率 JIS K−7127に準拠し、以下に示す条件で引張
り試験により測定した。
【0120】クロスヘッド速度:500mm/分 ロードセル:15kg 測定方向:マシン方向(MD方向) (2)耐衝撃性 東洋精機製作所製フィルムインパクトテスターにおい
て、1/2インチ衝撃ヘッドを用いた衝撃破壊強度によ
り評価した。 (3)ヘイズ JIS K−7105に準拠した試験により評価した。 (4)ヒートシール温度 JIS Z−1707に準拠して測定した。融着条件を
以下に記す。なおヒートシールバーの温度は表面温度計
により較正されている。シール後、室温で一昼夜放置
し、その後室温で剥離速度を200mm/分にしてT型
剥離法で剥離強度を測定した。ヒートシール温度は剥離
強度が300g/15mmになる温度をシール温度−剥
離強度曲線から計算して求めた。
【0121】 シール時間:2秒間 シール面積:15×10mm シール圧力:0.52MPa シール温度:ヒートシール温度を内挿できるように数点
を測定 (5)アンチブロッキング性 二枚のフィルムについて、一枚の金属ロール面ともう一
枚の反金属ロールとを以下の密着条件にて密着させ、1
0cm×10cmの治具にそれぞれを固定し、10cm
×10cm面積における剥離強度を、以下の引剥試験に
より測定した。剥離強度が小さいほど、アンチブロッキ
ング性が優れている。 密着条件:温度60℃、7日間、荷重15g/cm2
面積10cm×10cm 引剥試験:テストスピード:20mm/min、ロード
セル:2kg 〔製造例1〕 触媒の調製 (1) (1,2’−エチレン)(2,1’−エチレン)−
ビス(3−メチルインデン)の製造 窒素気流下、(1,2’−エチレン)(2,1’−エチ
レン)−ビス(インデン)1.12g(3.94ミリモ
ル)を脱水エーテル50ミリリットルに溶かした。−7
8℃に冷却し、n−ブチルリチウム1.57モル/リッ
トル濃度のヘキサン溶液5.01ミリリットル(n−ブチ
ルリチウム:7.87ミリモル)を、30分かけて滴下
した後、室温まで温度を上げ8時間攪拌した。エーテル
溶媒を減圧留去し、残査をヘキサン洗浄することによ
り、ジリチウム塩をエーテル付加物として、1.12g
(3.02ミリモル)を得た。このジリチウム塩を脱水
テトラヒドロフラン50ミリリットルに溶かし、−78
℃に冷却した。この溶液へ、ヨウ化メチル0.42ミリ
リットル(6.74ミリモル)を含むテトラヒドロフラ
ン溶液10ミリリットルを20分で滴下した後、室温ま
で上昇させたのち、8時間攪拌を行った。減圧下溶媒を
留去した後、残査を酢酸エチルで抽出した。この抽出溶
液を水洗し、有機層を、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、ろ別しろ液を減圧乾固することにより、目的物で
ある(1,2’−エチレン)(2,1’−エチレン)−
ビス(3−メチルインデン)を0.87g(2.78ミ
リモル)を得た(收率70.5%)。このものは五員環
部分の二重結合の異性体混合物として存在した。
【0122】(2)(1,2’−エチレン)(2,1’−
エチレン)−ビス(3−メチルインデン)のジリチウム
塩の製造 窒素気流下、(1,2’−エチレン)(2,1’−エチ
レン)−ビス(3−メチルインデン)0.78g(2.
78ミリモル)をエーテル35ミリリットルに溶かし−
78℃に冷却した。この溶液へ、n−ブチルリチウム
1.57モル/リットル濃度のヘキサン溶液3.7ミリ
リットル(n−ブチルリチウム:5.81ミリモル)
を、30分かけて滴下した後、室温まで昇温し8時間攪
拌した。減圧下に溶媒を留去した後、残査をヘキサン洗
浄することにより、ジリチウム塩をエーテル付加物とし
て、1.03g(2.58ミリモル)を得た(收率9
2.8%)。
【0123】このものの1H−NMRを求めたところ、
次の結果が得られた。1H−NMR(THF−d8)
(δ,ppm) :2.20(6H,s),3.25(8H,
s),6.0〜7.4(8H,m) (3)(1,2’−エチレン)(2,1’−エチレン)−
ビス(3−メチルインデニル)ジルコニウムジクロライ
ドの製造 (1,2’−エチレン)(2,1’−エチレン)−ビス
(3−メチルインデン)ジリチウム塩のエーテル付加体
1.03g(2.58ミリモル)をトルエン25ミリリ
ットルに懸濁させ、−78℃に冷却した。これに、四塩
化ジルコニウム0.60g(2.58ミリモル)のトル
エン(20ミリリットル)懸濁液を、20分かけて加
え、室温まで昇温し8時間攪拌した後、トルエン上澄み
をろ別した。残査をジクロロメタン50ミリリットルで
2回抽出した。減圧下に溶媒を留去したのち、残査をジ
クロロメタン/ヘキサンで再結晶することにより、
(1,2’−エチレン)(2,1’−エチレン)−ビス
(3−メチルインデニル)ジルコニウムジクロライド
0.21gを得た(收率17.3%)。
【0124】このものの1H−NMRを求めたところ、
次の結果が得られた。1H−NMR(CDCl3) :2.4
8(6H,s),3.33〜3.85(8H,m),6.9〜
7(8H,m) 〔実施例1〕内容積10リットルのステンレス鋼製オー
トクレーブにヘプタン5リットル、トリイソブチルアル
ミニウム5ミリモル、さらにメチルアルミノキサン(ア
ルベマール社製)をアルミニウム換算で19ミリモルと
上記で調製した(1,2’−エチレン)(2,1’−
エチレン)−ビス(3−メチルインデニル)ジルコニウ
ムジクロライド19マイクロモルをトルエン中30分間
予備接触させた触媒成分を投入し、40℃に昇温し、全
圧で0.8MPa(Gauge)までプロピレンガスを
導入した。重合中、圧力が一定になるように調圧器によ
りプロピレンガスを供給し、1時間後、内容物を取り出
し、減圧下、乾燥することにより、ポリプロピレンを得
た。得られたポリプロピレンについて、前記の「樹脂特
性」の評価を行った。また、得られたポリプロピレンに
以下の添加剤を処方し、単軸押出機(塚田樹機製作所
製:TLC35−20型)にて押出し造粒し、ペレット
を得た。
【0125】 酸化防止剤 チバスペシャルティケミカルズ社製のイルガノックス1010 :1000ppm 及びチバスペシャルティケミカルズ社製のイルガフォス168 :1000ppm 中和剤・・・・・・・・・・ステアリン酸カルシウム:1000ppm アンチブロッキング剤・・・・・・・・・・シリカ系:2300ppm スリップ剤・・・・・・・・・・・・エルカ酸アミド:2500ppm 得られたペレットを用い塚田樹機製作所製:TLC35
−20型20mmφ成形機を用い、膜厚50μmのフィ
ルムを以下の成形条件にて成膜した。
【0126】 Tダイ出口温度:190℃ 引き取り速度 :6.0m/分 チルロール温度:30℃ チルロール :鏡面 得られたフィルムについて、前記「フィルム品質の評価
方法」に従い測定した。得られた結果を表1に示した。 〔製造例2〕 1,2−エタンジイル(2−インデニル)(1−(2−
イソプロピルインデニル))ハフニウムジクロリドの製
造 100ml三つ口フラスコに窒素気流下で、THF(2
0ml)および2−イソプロピルインデニルリチウム
(1.69g,9.9mmol)を投入し、−78℃に
冷却した。そして、ヘキサメチルホスホラスアミド
(1.74ml,10mmol)を投入した。その後、
滴下ロートより、THF(20ml)および1−ブロモ
−2−(2−インデニル)エタン(2g,8.96mm
ol)の混合溶液を滴下した。そして、室温下8時間攪
拌した後、水(5ml)を投入した。エーテル(100
ml)を投入し分液ロートを用いて、有機相を硫酸銅水
溶液(50ml)で3回洗浄した。有機相を分離後、溶
媒を留去し残留物を溶媒としてヘキサンを用いたカラム
精製により、1−(2−インデニル)−2−(1−(2
−イソプロピルインデニル))エタン(2g)を得た。
【0127】次に、200mlシュレンクに窒素気流下
で、ジエチルエーテル(20ml)および1−(2−イ
ンデニル)−2−(1−(2−イソプロピルインデニ
ル))エタン(2g)を投入し−78℃に冷却した。そ
して、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.61
M,10ml,16.1mmol)を投入し、室温下、
8時間攪拌した。その後、溶媒を留去し残留物をヘキサ
ンで洗浄することにより、1−(2−インデニル)−2
−(1−(2−イソプロピルインデニル))エタンのリ
チウム塩を得た(2.14g)。
【0128】得られたリチウム塩(1.15g,3.1
8mmol)にトルエン(10ml)を投入し、−78
℃に冷却した。そして、あらかじめ、−78℃に冷却し
ておいた四塩化ハフニウム(1.02g,3.18mm
ol)およびトルエン(10ml)のスラリーをカヌラ
ーにより先の1−(2−インデニル)−2−(1−(2
−イソプロピルインデニル))エタンのリチウム塩に投
入した。そして、室温で8時間攪拌し、上澄みをろ別し
た。ろ液を濃縮した後、塩化メチレン/ヘキサン混合溶
媒より再結晶することにより、1,2−エタンジイル
(2−インデニル)(1−(2−イソプロピルインデニ
ル))ハフニウムジクロリドを得た(0.45g,0.
83mmol)。1H−NMRで測定した結果は、以下
のとおりである。1 H−NMR(δppm):7.8−7.0(m,8
H),6.50(s,1H),5.92(d,1H),
3.65(s,4H),3.30(m,1H),1.5
0(d,3H),1.25(d,3H) 〔実施例2〕攪拌装置付き1Lステレンレス製耐圧オー
トクレーブを80℃に加熱し、充分減圧乾燥した後、乾
燥窒素で大気圧に戻し室温まで冷却した。乾燥窒素気流
下、乾燥脱酸素ヘプタン400ml、トリイソブチルア
ルミニウムのヘプタン溶液(2.0M)を0.5ml
(1.0mmol)投入し、350r.p.mでしばら
く攪拌した。一方、十分に窒素置換された50mlシュ
レンクに窒素気流下でトルエン(10ml)およびトリ
イソブチルアルミニウムヘプタン溶液(2M,0.5m
l,1.0mmol)を投入し、MAOのトルエン溶液
(2.0M,1.0ml,2.0mmol)および1,
2−エタンジイル(2−インデニル)(1−(2−イソ
プロピルインデニル))ハフニウムジクロリドのヘプタ
ンスラリー(10μmol/l,0.2ml,2.0μ
mol)を加え、室温で3分間攪拌した。そして、触媒
スラリーをオートクレーブに素早く投入した。その後、
1200r.p.mで攪拌を開始した。次に、プロピレ
ンを全圧0.8MPa(Gauge)にゆっくりと昇圧
し、同時にゆっくりと温度を50℃まで昇温した。60
分間重合を実施した。反応終了後、未反応のプロピレン
を脱圧により除去した。そして、反応混合物を2Lのメ
タノールに投入してポリプロピレンを沈殿させ、ろ過乾
燥することによりポリプロピレンを得た。実施例1と同
様に行い、得られた結果を表1に示した。 〔比較例1〕プロピレン系重合体として、非メタロセン
触媒(チタン/マグネシウム系触媒)を用いて得られた
出光石油化学社製ポリプロピレンF744NP用いて、
実施例1と同様に評価し、得られた結果を表1に示し
た。
【0129】
【表1】
【0130】
【発明の効果】本発明のポリプロピレン系フィルムは引
張り弾性率とヒートシール温度とバランスに優れかつべ
たつきがなく、成形性、透明性、耐衝撃性にも優れ、食
品包装分野や医療分野に好適に使用できる。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 引張り弾性率TM(MPa)とヒートシ
    ール温度HST(℃)が以下の関係を満たすポリプロピ
    レン系フィルム。 TM≧12.5×HST−900
  2. 【請求項2】 下記(1)、(2)及び(3)で示され
    る性状を有するプロピレン系重合体[A]からなる請求
    項1記載のポリプロピレン系フィルム。 (1)25℃のへキサンに溶出する成分量(H25)が
    0〜80重量%であり、 (2)DSC測定において、融点Tm(℃)を示さない
    か、或いはTmを示す場合はTmと融解吸熱量ΔH(J
    /g)が以下の関係を満たし、 ΔH≧6×(Tm−140) (3)テトラリン溶媒中135℃にて測定した極限粘度
    [η] (dl/g)が1〜3である
  3. 【請求項3】 プロピレン系重合体[A]が下記(1)
    及び(2)で示される性状を有するプロピレン単独重合
    体[A−1]である請求項2記載のポリプロピレン系フ
    ィルム。 (1)メソペンタッド分率[mmmm]が20〜80モ
    ル%であり、(2)ラセミペンタッド分率[rrrr]
    と[1−mmmm]が下記の関係を満たす。 〔[rrrr]/[1−mmmm]〕≦0.1
  4. 【請求項4】 下記(1)、(2)、(3)及び(4)
    で示される性状を有するプロピレン系重合体[B]から
    なる請求項1記載のポリプロピレン系フィルム。 (1)DSCにより測定した融点Tm(℃)が120≦
    Tm≦135であり、(2)DSCにより測定した融解
    熱吸熱量ΔH(J/g)とTm(℃)が ΔH≧0.45×Tm+22 の関係を満たし、(3)昇温分別法により測定した溶出
    曲線のピークトップの半値幅Th(℃)が Th≦5 の関係を満たし、(4)テトラリン溶媒中135℃にて
    測定した極限粘度 [η] (dl/g)が1〜3である。
  5. 【請求項5】 プロピレン系重合体[B]が下記(1)
    及び(2)で示される性状を有するプロピレン単独重合
    体[B−1]である請求項4記載のポリプロピレン系フ
    ィルム。 (1)メソペンタッド分率[mmmm]が70〜80モ
    ル%であり、(2)ラセミペンタッド分率[rrrr]
    と[1−mmmm]が下記の関係を満たす 〔[rrrr]/[1−mmmm]〕≦0.1
  6. 【請求項6】 プロピレン系重合体[A]、プロピレン
    単独重合体[A−1]、プロピレン系重合体[B]及び
    プロピレン単独重合体[B−1]が、(A)下記一般式
    (I)で表される遷移金属化合物、及び(B)(B−
    1)該(A)成分の遷移金属化合物又はその派生物と反
    応してイオン性の錯体を形成しうる化合物及び(B−
    2)アルミノキサンから選ばれる成分を含有する重合用
    触媒の存在下、プロピレン又はプロピレンとエチレン及
    び/又は炭素数4〜20のα−オレフィンを重合させる
    ことにより製造されたものである請求項2〜5のいずれ
    かに記載のポリプロピレン系フィルム。 【化1】 〔式中、Mは周期律表第3〜10族又はランタノイド系
    列の金属元素を示し、E 1及びE2はそれぞれ置換シクロ
    ペンタジエニル基,インデニル基,置換インデニル基,
    ヘテロシクロペンタジエニル基,置換ヘテロシクロペン
    タジエニル基,アミド基,ホスフィド基,炭化水素基及
    び珪素含有基の中から選ばれた配位子であって、A1
    びA2 を介して架橋構造を形成しており、またそれらは
    たがいに同一でも異なっていてもよく、Xはσ結合性の
    配位子を示し、Xが複数ある場合、複数のXは同じでも
    異なっていてもよく、他のX,E1 ,E2 又はYと架橋
    していてもよい。Yはルイス塩基を示し、Yが複数ある
    場合、複数のYは同じでも異なっていてもよく、他の
    Y,E1,E2 又はXと架橋していてもよく、A1 及び
    2 は二つの配位子を結合する二価の架橋基であって、
    炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のハロゲ
    ン含有炭化水素基、珪素含有基、ゲルマニウム含有基、
    スズ含有基、−O−、−CO−、−S−、−SO2 −、
    −Se−、−NR−、−PR−、−P(O)R−、−B
    R−又は−AlR−を示し、Rは水素原子、ハロゲン原
    子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜20のハ
    ロゲン含有炭化水素基を示し、それらはたがいに同一で
    も異なっていてもよい。qは1〜5の整数で〔(Mの原
    子価)−2〕を示し、rは0〜3の整数を示す。〕
  7. 【請求項7】 プロピレン系重合体[A]、プロピレン
    単独重合体[A−1]、プロピレン系重合体[B]及び
    プロピレン単独重合体[B−1]が、(A)下記一般式
    (II)で表される周期律表4族の遷移金属化合物、
    (B)(B−1)アルミニウムオキシ化合物及び(B−
    2)上記遷移金属化合物と反応してカチオンに変換しう
    るイオン性化合物の中から選ばれた少なくとも一種とを
    含有してなるオレフィン重合触媒の存在下、プロピレン
    又はプロピレンとエチレン及び/又は炭素数4〜20の
    α−オレフィンを重合させることにより製造されたもの
    である請求項2〜5のいずれかに記載のポリプロピレン
    系フィルム。 【化2】 〔式中、R1 〜R11,X1 及びX2 は、それぞれ独立に
    水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素
    基、炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基、珪素含
    有基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基又はリン
    含有基を示し、R3とR4及びR7とR9はたがいに結合し
    て環を形成してもよい。Y1は二つの配位子を結合する
    二価の架橋基であって、炭素数1〜20の炭化水素基、
    炭素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基、珪素含有
    基、ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−O−、−CO
    −、−S−、−SO2−、−NR−、−PR−、−P
    (O)R−、−BR−又は−AlR−を示し、Rは水素
    原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭
    素数1〜20のハロゲン含有炭化水素基を示す。M1
    チタン,ジルコニウム又はハフニウムを示す。〕
  8. 【請求項8】 内部ヘイズが5%以下である請求項1〜
    7のいずれかに記載のポリプロピレン系フィルム。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8のいずれかに記載のポリプ
    ロピレン系フィルムであって、キャスト成形法により得
    られるキャストフィルム。
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