JP2001122610A - シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 - Google Patents
シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法Info
- Publication number
- JP2001122610A JP2001122610A JP30548699A JP30548699A JP2001122610A JP 2001122610 A JP2001122610 A JP 2001122610A JP 30548699 A JP30548699 A JP 30548699A JP 30548699 A JP30548699 A JP 30548699A JP 2001122610 A JP2001122610 A JP 2001122610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- catalyst
- silane
- disproportionation reaction
- disproportionation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
て、析出した金属ケイ素による表面被覆を防ぎ、触媒活
性を長時間持続させる方法を開発し、該反応を効率良く
行うこと。 【解決手段】塩化水素等のハロゲン化水素とトリクロロ
シラン等の水素化ハロゲン化シランとの混合物を触媒に
接触させて、不均化反応を起こしシラン化合物の不均化
反応生成物を製造する。
Description
の不均化反応生成物の製造方法に関する。さらに詳しく
は、ハロゲン化水素の共存下で、ジクロロシラン等の水
素化ハロゲン化シランを不均化反応させることにより、
モノシラン等のシラン化合物の不均化反応生成物を安定
的に製造する方法に関する。
化合物は、シリコン単結晶の原料、シリコンのエピタキ
シャル成長等の半導体工業において重要な物質であり、
近年急激に需要が増大している。
な方法が知られているが、水素化ハロゲン化シランを不
均化して目的とするシラン化合物を含む多くの不均化反
応生成物を得て、その中から目的の化合物を蒸留等の手
段により分別して得る方法が、最も経済的であるとされ
る。
は、該水素化ハロゲン化シランの分子間で、水素とハロ
ゲンを交換することにより、原料の水素化ハロゲン化シ
ランとは各々異なるシラン化合物を生成させる反応であ
る。新しく生成した化合物が、更に同様の交換反応を繰
り返すので、反応系は数種類のシラン化合物からなる混
合組成となる。
する。ある適当な触媒の存在下では、下式のように、ま
ずトリクロロシラン同士が水素と塩素を交換し合い、ジ
クロロシランと四塩化ケイ素を生成する。ジクロロシラ
ンは同様にモノクロロシランとトリクロロシランを生成
する。モノクロロシランも同様に、モノシランとジクロ
ロシランを生成する。これらの反応が繰り返され、系は
モノシラン、モノクロロシラン、ジクロロシラン、トリ
クロロシラン、四塩化ケイ素の5成分からなる混合組成
となる。
ら蒸留などの方法によって分別すれば良い。なお、この
不均化反応は平衡反応であり、十分な反応時間(接触時
間)をとると、反応系は平衡組成に達する。但し、目的
物を分別して得る際に、必ずしも系が平衡に達している
必要はない。
用する触媒については、多くの技術が特許等に開示され
ている。例えば、特開昭47−12569号公報には陰
イオン交換樹脂を固体不均一系触媒として使用する方法
が示されおり、特開平1−122914号公報には、金
属ロジウムを触媒として使用する方法が述べられてい
る。また、特開昭60−96518号公報には、第四級
ホスホニウム化合物を、そのまま反応系に添加して液相
均一系触媒として使用する方法が示されている。
ハロゲン化シランの不均化反応で生成するモノシランや
モノクロロシランは比較的不安定な化合物であり、熱分
解により金属ケイ素を容易に析出する。たとえば、モノ
シランは無触媒の条件下で、約300℃から熱分解を始
めることが知られている。また、モノクロロシランはモ
ノシランより、さらに不安定である。
反応において、析出した金属ケイ素で触媒表面が被覆さ
れ、活性低下をきたすという問題点があった。
の不均化反応において、析出した金属ケイ素による表面
被覆を防ぎ、触媒活性を長時間持続させて、該反応を効
率良く行うことが課題であった。
について鋭意研究を重ねた結果、水素化ハロゲン化シラ
ンにハロゲン化水素を共存させて不均化反応を行うこと
によって、析出金属ケイ素の表面被覆を防ぐことができ
ることを見い出し、本発明を完成するに至った。
の不均化反応において、ハロゲン化水素を共存させるこ
とを特徴とするシラン化合物の不均化反応生成物の製造
方法である。
ロゲン化水素の共存下で水素化ハロゲン化シランの不均
化反応を行うことである。
と共存させるハロゲン化水素は、前記ハロゲンが塩素の
場合、式(1)に示すように、析出した金属ケイ素と反応
し、トリクロロシランと水素を生成する。この反応によ
り、析出ケイ素の表面被覆を防止できる。
損失したケイ素分をトリクロロシランとすることができ
る。また、副生水素と塩化水素は、水素化ハロゲン化シ
ランの不均化反応には関わらず、生成物との分離が容易
であり、非常に有効な反応である。
ゲン化水素の量は、析出した金属ケイ素を除くのに充分
な量であれば、特に制限されないが、あまり多すぎる
と、反応ガス中の水素化ハロゲン化シランの濃度が減少
し、単位時間当たりの目的物の収量が低下するので、好
適には、0.01〜20vol%、より好適には、0.1
〜5vol%の範囲であることが望ましい。
は、特に限定されず、たとえば、フッ化水素、塩化水
素、臭化水素等を用いることができるが、析出したケイ
素との反応により得られる水素化ハロゲン化シランを原
料として再使用することを勘案すると、不均化反応に用
いられる水素化ハロゲン化シランの同種のハロゲンから
なるハロゲン化水素であることが好ましい。
化シランは、ケイ素に結合した水素原子およびハロゲン
原子をそれぞれ少なくとも一つ有するシラン化合物であ
る。かかる水素化ハロゲン化シランとしては、一般に
は、下記の一般式(2)で表わされる化合物が使用され
る。
はハロゲン原子、好ましくは塩素原子を表わす。また、
mおよびnは1以上3以下の整数で、かつm+nは4以
下である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、およびブチル基等の炭素数1〜4のものが
好ましく、アリール基としては、フェニル基等が好まし
い。
ロロシラン、モノクロロシラン、メチルジクロロシラ
ン、メチルモノクロロシラン、ジメチルモノクロロシラ
ン、エチルジクロロシラン、エチルモノクロロシラン、
ジエチルモノクロロシラン、フェニルジクロロシラン、
フェニルモノクロロシラン、ジフェニルモノクロロシラ
ンおよびこれらの混合物等が挙げられる。
n=4の化合物、すなわち下記の一般式(3) SiHnClm (3) で表わされるトリクロロシラン、ジクロロシラン、モノ
クロロシランから選ばれるクロロシラン化合物、または
これらの混合物がより好適である。
ゲン化シランとして、上記したように一般式(3)で表
されるトリクロロシラン、ジクロロシラン、モノクロロ
シランから選ばれるクロロシラン化合物、またはこれら
の混合物を用い、ハロゲン化水素として、塩化水素を用
いる態様が特に好ましい。
ケイ素原子に結合したハロゲン原子を有さない水素化シ
ランおよび、四塩化ケイ素やメチルトリクロロシランの
ようなケイ素原子に結合した水素原子を有さないハロゲ
ン化シランは、それ単独では不均化反応を起こさない。
しかし、上記の水素化ハロゲン化シランと共存する場合
は、不均化反応に関与し、対応した混合物を与える。
化ハロゲン化シランを用いる他に、これらと上記ハロゲ
ン化シランや水素化シランとを混合して用いても良い。
の効果を阻害しない公知のものが何ら制限なく使用され
る。本発明の効果を阻害する触媒系としては、反応ガス
中のハロゲン化水素と触媒成分が反応することにより、
触媒が組成変化を起こし性能が低下するような触媒系
や、ハロゲン化水素が触媒の活性点に吸着し、被毒を起
こすような触媒系が挙げられる。例示すると、ハロゲン
化水素と反応して揮発しやすい化合物に変化するクロム
やバナジウム等の触媒が前者の例であり、酸性物質であ
るハロゲン化水素によって被毒されるマグネシア等の塩
基触媒が後者の例である。
ければ、均一系触媒でも、不均一系触媒でも良い。ま
た、アンモニウム塩やイオン交換樹脂等の有機系触媒で
も、金属や金属酸化物等の無機系触媒でも良い。
素化ハロゲン化シランとハロゲン化水素の混合物を、触
媒と接触させることにより実施される。接触の方法は特
に制限されない。回分式でも、流通式でも良い。また、
気相でも液相でも良い。
ためには、触媒を固定床とする流通式反応が望ましい。
この反応は、減圧から加圧まで幅広い反応条件で行うこ
とができるが、反応の効率と安全性を考慮すれば、0.
5〜100気圧で行うことが望ましく、より好適には、
常圧〜60気圧で行うことが望ましい。また、反応温度
に関しても、幅広い範囲で反応が可能であるが、反応を
速やかに進行させるためには、0℃以上であることが望
ましく、モノシランやモノクロロシランの熱分解を考慮
すれば、400℃以下が望ましい。より好ましくは、4
0〜300℃の範囲で反応を行うことが望ましい。
する程度に設定することが望ましい。接触時間が短すぎ
る場合、十分に不均化反応が進行しないため、目的物の
収率が低くなる。接触時間が必要以上に長い場合、平衡
組成に十分達しているため、原料に対する目的物の収率
は変わらないが、平衡組成以上に目的物の割合が増加す
ることは有り得ず、結果として単位時間当たりの目的物
の収量が少なくなる。適当な接触時間は、反応温度や圧
力、原料、触媒、およびその他の要素によって異なる
が、一般には原料が気体の場合で0.01〜300秒、
原料が液体の場合で0.05〜60分から採択される。
属ケイ素とハロゲン化水素が十分に反応する時間も必要
であるが、通常析出する金属ケイ素は微量であり、か
つ、ハロゲン化水素との反応速度も比較的大きいので、
十分に不均化反応が進行する接触時間を採用すれば、特
に考慮する必要はない。
ハロゲン化シランは、上記不均化反応により、多くの不
均化反応生成物を与える。したがって、必要な成分を、
その混合物中から蒸留などの一般的な方法を用いて分別
し、取得すれば良い。
素を用い、水素化ハロゲン化シランとして、トリクロロ
シラン、ジクロロシラン、およびモノクロロシランから
選ばれる少なくとも一種を、必要により四塩化ケイ素と
混合して用い、不均化反応生成物として、上記水素化ハ
ロゲン化シランよりも高次に水素化されたシラン化合物
を取得するのに適用するのが好ましい。
クロロシラン、ハロゲン化水素として塩化水素を用い、
2段の不均化反応を実施してモノシランを取得するのに
適用するのが、より好適であり、その工程の例を図1に
示す。
を、ドラム7より不均化反応器1に供給し、触媒と接触
させる。それにより、各種のクロロシラン化合物、主に
ジクロロシラン、トリクロロシランおよび四塩化ケイ素
の混合系が生成する。この時点では目的物であるモノシ
ランの割合は低い。不均化反応器1で生成した混合物
は、次工程の分別装置である蒸留塔3へと送られる。蒸
留塔3からは、ジクロロシランとトリクロロシランを中
心とする低沸点成分がパイプライン9より、蒸留塔4へ
と送られ、蒸留塔3の低部からは四塩化ケイ素が排出さ
れる。蒸留塔4では、ジクロロシランを中心とする低沸
点成分がパイプライン10より不均化反応器2に供給さ
れる。蒸留塔4の低部からはトリクロロシランがドラム
7へと回収され、不均化反応に供される。不均化反応器
2では、同様に触媒と接触させて、各種のクロロシラン
化合物、主にモノシラン、モノクロロシラン、ジクロロ
シランおよびトリクロロシランの混合系が生成する。こ
の時点では、目的物のモノシランが十分分別可能な割合
で含まれていることが好ましい。この混合物は蒸留塔5
へと送られ、モノシラン、生成した水素および未反応塩
化水素を中心とする低沸点成分がパイプライン11より
精製塔6、例えば吸着塔へと送られる。精製塔で水素と
塩化水素を除き、モノシランのみをパイプライン12か
ら取得する。蒸留塔5の低部からは主に、モノクロロシ
ラン、ジクロロシランおよびトリクロロシランがドラム
8へと回収され、さらに蒸留塔4でモノクロロシランと
ジクロロシランを中心とする低沸点成分とトリクロロシ
ランを中心とする高沸点成分に分けられる。この低沸点
成分と高沸点成分は、それぞれ不均化反応器2と不均化
反応器1へと送られ、再び不均化反応に供される。この
ようにして、トリクロロシランを原料に用いて、モノシ
ランを得ることが可能となる。
物、例えばジクロロシランを目的物とする場合には、例
えば分別工程として蒸留を採択する場合であれば、蒸留
条件を変更することにより目的物であるジクロロシラン
のみを分取し、より高沸点または低沸点のクロロシラン
化合物を不均化反応器へ循環する。このようにして、不
均化反応生成物のいずれかの一種、または二種以上のク
ロロシラン化合物をも、目的物として取得することが可
能となる。
明はこれら実施例に限定されるものではない。
に溶解し、そこに触媒担体であるNaY型ゼオライト1
0gを加え、3時間攪拌した。その後、ゼオライトをろ
別し、臭化物イオンが検出されなくなるまで、よく水洗
した。200℃で乾燥させ、テトラブチルホスホニウム
イオンでイオン交換されたゼオライトを得た。内径4m
mのガラス製反応管に、調製したゼオライト触媒を0.
1ml充填し、200℃に加熱した。ここに、トリクロ
ロシラン、塩化水素、ヘリウムの49: 1:50(vo
l)混合ガスを、120ml/分で200時間連続的に
流通させた。この時の接触時間は、0.05秒であっ
た。反応は常圧で行った。
ラフィーで分析し、各反応時間のトリクロロシランの転
化率を求め、その値を200℃でのトリクロロシランの
平衡転化率29.9%で除した。この値を平衡到達率と
した。結果を表1に示した。200時間後でも平衡到達
率は、初期の値とほぼ同等で大きな触媒活性の低下はな
かった。
に、フッ素系樹脂であるナフィオン(NR50)5.0g
を加え、2時間攪拌した。樹脂を水洗後、200℃で乾
燥させ、テトラブチルホスホニウムイオンでイオン交換
されたナフィオン触媒を得た。この触媒を用いた以外
は、実施例1に準じて反応を行った。結果を表1に示し
た。 実施例3 内径4mmのガラス製反応管に、実施例1で調製した触
媒を0.1ml充填し、200℃に加熱した。ここに、
ジクロロシラン、塩化水素、ヘリウムの49:1:50
(vol)混合ガスを、120ml/分で200時間連
続的に流通させた。この時の接触時間は、0.05秒で
あった。反応は常圧で行った。
ラフィーで分析し、各反応時間のジクロロシランの転化
率を求め、その値を200℃でのジクロロシランの平衡
転化率62.0%で除した。この値を平衡到達率とし
た。結果を表1に示した。原料にジクロロシランを用い
た場合でも、大きな触媒活性の低下はなかった。
じて反応を行った。結果を表1に示した。
し、そこに触媒担体であるアルミナ17.4gを加え、
110℃で乾燥させた。次に、空気中、520℃で5時
間焼成し、さらに、水素気流中、415℃で3時間活性
化処理を行い、酸化モリブデン(VI)/アルミナ触媒を得
た。内径4mmのガラス製反応管に、調製した触媒を
0.5ml充填し、200℃に加熱した。ここに、トリ
クロロシラン、塩化水素、ヘリウムの49:1:50(v
ol)混合ガスを、60ml/分で200時間連続的に
流通させた。この時の接触時間は、0.5秒であった。
反応は常圧で行った。結果を表1に示した。
そこに触媒担体であるアルミナ9.3gを加え、110
℃で乾燥させた。次に、窒素気流中、415℃で1時間
焼成し、酸化ニッケル(II)/アルミナ触媒を得た。この
触媒を用いた以外は、実施例5に準じて反応を行った。
結果を表1に示した。
媒を0.5ml充填し、200℃に加熱した。ここに、
ジクロロシラン、塩化水素、ヘリウムの49:1:50
(vol)混合ガスを、60ml/分で200時間連続
的に流通させた。この時の接触時間は、0.5秒であっ
た。反応は常圧で行った。結果を表1に示した。
じて反応を行った。結果を表1に示した。
媒を0.1ml充填し、200℃に加熱した。ここに、
トリクロロシラン、ヘリウムの1:1(vol)混合ガ
スを、120ml/分で200時間連続的に流通させ
た。この時の接触時間は、0.05秒であった。反応は
常圧で行った。結果を表2に示した。塩化水素を系中に
共存させないと、触媒の活性低下は大きく、50時間で
初期活性の半分以下にまで低下した。
以外は、比較例1に準じて反応を行った。結果を表2に
示した。原料にジクロロシランを用いた場合でも、大き
な触媒活性の低下があった。
媒を0.5ml充填し、200℃に加熱した。ここに、
トリクロロシラン、ヘリウムの1:1(vol)混合ガ
スを、60ml/分で200時間連続的に流通させた。
この時の接触時間は、0.5秒であった。反応は常圧で
行った。結果を表2に示した。塩化水素を系中に共存さ
せないと、触媒の活性低下は大きく、50時間で初期活
性の約1/3にまで低下した。
以外は、比較例3に準じて反応を行った。結果を表2に
示した。原料にジクロロシランを用いた場合でも、大き
な触媒活性の低下があった。
フェニルホスホニウムを用いた以外は、実施例1に準じ
てテトラフェニルホスホニウムイオンでイオン交換され
たゼオライトを調製した。
触媒を0.1ml充填し、200℃に加熱した。ここ
に、原料ガスを120ml/分で200時間連続的に流
通させた。この時の接触時間は、0.05秒であった。
ここでは塩化水素濃度の異なる4つの原料ガスを用い
た。組成はトリクロロシランとヘリウムが1:1(vo
l)であり、塩化水素濃度がそれぞれ10000ppm
(1%)、100ppm、10ppm、0ppmに調整
した。反応は常圧で行った。結果を表3に示した。
下をおこすが、10ppmという極めて低濃度の塩化水
素で触媒活性低下を低減することができ、100ppm
という非常に低濃度の塩化水素で触媒の活性低下を大き
く防ぐことができた。
に比べ、長時間安定な運転を行うことができる。即ち、
水素化ハロゲン化シランの不均化反応において、ハロゲ
ン化水素を共存させることにより、触媒の活性低下を防
ぎ、長時間一定の活性で反応を行うことができる。従っ
て、触媒活性の低下に伴って、温度、圧力等の運転条件
を変化させる必要がなくなる。
の代表的形態を示す概略図である。
Claims (1)
- 【請求項1】水素化ハロゲン化シランの不均化反応にお
いて、ハロゲン化水素を共存させることを特徴とするシ
ラン化合物の不均化反応生成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30548699A JP4256998B2 (ja) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30548699A JP4256998B2 (ja) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001122610A true JP2001122610A (ja) | 2001-05-08 |
JP4256998B2 JP4256998B2 (ja) | 2009-04-22 |
Family
ID=17945750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30548699A Expired - Fee Related JP4256998B2 (ja) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4256998B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006003803A1 (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | 変性イオン交換樹脂およびビスフェノール類の製造方法 |
JP2010248067A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Air Products & Chemicals Inc | クロロシランの製造方法 |
US8436055B2 (en) | 2003-09-30 | 2013-05-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | Modified acidic ion-exchange resin and method for preparing bisphenol |
US8821825B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-09-02 | Sunedison, Inc. | Methods for producing silane |
JP2015504838A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-02-16 | アールイーシー シリコン インコーポレイテッド | シランおよびヒドロハロシランの製造方法 |
US9011803B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-04-21 | Sunedison, Inc. | Systems for producing silane |
TWI486307B (zh) * | 2010-12-23 | 2015-06-01 | Memc Electronic Materials | 用於製造矽烷之方法及系統 |
-
1999
- 1999-10-27 JP JP30548699A patent/JP4256998B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8436055B2 (en) | 2003-09-30 | 2013-05-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | Modified acidic ion-exchange resin and method for preparing bisphenol |
WO2006003803A1 (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | 変性イオン交換樹脂およびビスフェノール類の製造方法 |
KR100845507B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2008-07-10 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 변성 산성 이온교환수지 및 비스페놀류의 제조방법 |
US7968612B2 (en) | 2004-07-02 | 2011-06-28 | Mitsui Chemicals, Inc. | Modified ion exchange resin and process for producing bisphenols |
US8426479B2 (en) | 2004-07-02 | 2013-04-23 | Mitsui Chemicals, Inc. | Modified ion exchange resin and process for producing bisphenols |
JP2010248067A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Air Products & Chemicals Inc | クロロシランの製造方法 |
US8821825B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-09-02 | Sunedison, Inc. | Methods for producing silane |
US8974761B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-03-10 | Sunedison, Inc. | Methods for producing silane |
US9011803B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-04-21 | Sunedison, Inc. | Systems for producing silane |
TWI486307B (zh) * | 2010-12-23 | 2015-06-01 | Memc Electronic Materials | 用於製造矽烷之方法及系統 |
US9487406B2 (en) | 2010-12-23 | 2016-11-08 | Sunedison, Inc. | Systems for producing silane |
JP2015504838A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-02-16 | アールイーシー シリコン インコーポレイテッド | シランおよびヒドロハロシランの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4256998B2 (ja) | 2009-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101176088B1 (ko) | 하이드로클로로실란의 제조방법 | |
CN102844322B (zh) | 制备二有机二卤代硅烷的方法 | |
US8765090B2 (en) | Method for preparing a trihalosilane | |
KR19980024696A (ko) | 삼염화 규소의 제조 방법 | |
TWI755148B (zh) | 從氯矽烷混合物中除去雜質的方法 | |
JP4256998B2 (ja) | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 | |
JP3853894B2 (ja) | 塩化水素の減少した混合物の製造方法 | |
JP5914240B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
EP2780347B1 (en) | A method for preparing a diorganodihalosilane | |
US5869017A (en) | Method of producing trichlorosilane having a reduced content of dichlorosilane | |
JP3990029B2 (ja) | ジクロロシラン含量の減少したトリクロロシランの製造方法 | |
JP3362632B2 (ja) | シラン類含有ガスの処理方法 | |
JP2001122609A (ja) | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 | |
WO2014116341A1 (en) | Mehtod for preparing a trihalosilane | |
JP2000169131A (ja) | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 | |
US5051248A (en) | Silane products from reaction of silicon monoxide with hydrogen halides | |
JP3821922B2 (ja) | 四塩化珪素の製造方法 | |
JP3676515B2 (ja) | 三塩化珪素の製造方法 | |
JP4663079B2 (ja) | トリアルコキシシランからシランの製造方法およびテトラアルコキシシランからトリアルコキシシランの製造方法 | |
JP2523123B2 (ja) | シランガスの製造法 | |
JP2000178019A (ja) | シラン化合物の不均化反応生成物の製造方法 | |
JPH06179640A (ja) | メチルアミン類の製造方法 | |
KR100495988B1 (ko) | 사염화규소의제조방법 | |
JPH0829927B2 (ja) | シランガスの製造法 | |
JP2001131188A (ja) | クロロシラン類の不均化反応方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090119 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090202 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150206 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |