JP2001119257A - マイクロエレクトロメカニカルシステムを用いた超高周波可変フィルター - Google Patents

マイクロエレクトロメカニカルシステムを用いた超高周波可変フィルター

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JP2001119257A
JP2001119257A JP35162299A JP35162299A JP2001119257A JP 2001119257 A JP2001119257 A JP 2001119257A JP 35162299 A JP35162299 A JP 35162299A JP 35162299 A JP35162299 A JP 35162299A JP 2001119257 A JP2001119257 A JP 2001119257A
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JP35162299A
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Uu Kuwon Yan
ヤン・ウー・クウォン
Kueon Kimu Yan
ヤン・クェオン・キム
Teu Kimu Hon
ホン・テウ・キム
Hyon Paku Ja
ジャ・ヒョン・パク
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LG Electronics Inc
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LG Electronics Inc
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 能動素子及び半導体の集積化が可能であり、
外部の制御信号によって周波数の変化量が大きく、線形
に近い特性を有する超高周波可変フィルターを提供す
る。 【解決手段】 多数の共振セルを用いた周波数可変フィ
ルターであり、共振セル部１００，２００は、高周波チ
ョーク部４６，４７と連結されたインダクタ３９，４０
と、インダクタ３９，４０の両端と接地部との間にそれ
ぞれ形成されたマイクロエレクトロニクスメカニカルシ
ステムによる可変キャパシタ４１，４２，４３，４４と
で構成される。共振周波数は、電圧ソース４８，４９に
より高周波チョーク４６，４７を介して可変キャパシタ
４１，４２，４３，４４を制御して変更することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は超高周波可変フィル
ターに関するもので、特にマイクロエレクトロメカニカ
ルシステム（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical Sys
tems）を用いたミリメートル帯域の超高周波可変フィル
ターに関する。なお、本明細書における第１、第２・・
・などは同じ要素を同じ文脈で複数用いた場合の単なる
区別のためだけであって、それぞれの要素の絶対的な名
称を意味しない。
【０００２】以下、従来技術による超高周波可変フィル
ターについて添付の図面を参照して説明する。図１は従
来技術による多重チャネルフィルターとスイッチを用い
た超高周波可変フィルターの構成図である。この例で
は、多重チャネルの数だけのフィルター１、２、３を並
列に連結しておき、スイッチ４、５を用いて所望のチャ
ネルの信号のみを通過させ、信号を処理する方法を示し
ている。すなわち、周波数を変える必要があるときには
スイッチで切り換える。この様な場合、チャネル数だけ
のフィルターが必要となるため、マルチフレキシングシ
ステムの大きさが増加し、高費用がかかるだけでなく、
フィルターのスイッチング時に各スイッチによる損失が
発生する。
【０００３】これを解決するために、図２では従来の共
振セルを複数用いた周波数可変フィルターの例を示し
た。図２を見ると、一つの共振セル１２はインダクタ
６、キャパシタ７、伝送線８、そして、バラクタ９によ
り構成される。バラクタ９は可変容量ダイオドの一種
で、ｐｎ接合に逆方向の電圧を加えたとき生じる静電容
量を逆方向電圧の大きさに反比例するように制御する部
品として超高周波回路に使用される。このように構成さ
れた共振セル１２、１３、１４は適切なカップリングを
形成することでフィルターが実現される。ここで、伝送
線８はマイクロストリップライン（microstripline）や
コプラナーウェーブガイド（coplanar waveguide）など
で実現される。
【０００４】共振セル１２、１３、１４の中心周波数は
バラクタ９、１０、１１の容量で変わるが、そのバラク
タ９、１０、１１の容量は外部から加えられるバイアス
電圧により変化する。従って、バラクタ９、１０、１１
の容量が変化すると、共振セル１２、１３、１４の中心
周波数が変わり、それに従いフィルター全体の中心周波
数も変わる。ここで、バラクタ９、１０、１１の代わり
に、トランジスタやＹＩＧ（Yttrium Iron Garnet)を用
いることもできるが、これらのトランジスタやＹＩＧを
用いる場合にもフィルターの基本構成図は図２と同様で
ある。
【０００５】しかし、以上のような従来技術による超高
周波可変フィルターは次のような問題点があった。第一
に、バラクタを用いる場合、フィルターはバラクタのＱ
値が低いため、周波数が高くなるほど、バラクタによる
フィルターの損失が大きくなる。第二に、バラクタを動
作させるためにＤＣ電力の損失が発生し、また、ＤＣ電
流による劣化によって、高周波の特性が低下する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
問題点を解決するために成されたもので、能動素子及び
半導体の集積化が可能であって、信号伝達損失が少なく
且つ分散特性が優れており、外部の制御信号によって周
波数の変化量が大きく、線形の特性を有した超高周波可
変フィルターを提供することにその目的がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達するため
の本発明のマイクロエレクトロメカニカルシステム（Ｍ
ＥＭＳ）を用いた超高周波可変フィルターは、多数の共
振セルを用いた周波数可変フィルターであって、共振セ
ルがインダクタ、キャパシタ、伝送線、そして、ＭＥＭ
Ｓによる可変キャパシタの多様な直列、並列の組合で構
成され、共振セルにおける可変キャパシタの容量の変化
によって、共振セルの共振周波数を変換させ、それによ
りフィルターの中心周波数を変化させることが特徴であ
る。
【０００８】本発明の他の特徴は可変キャパシタの容量
を変化させるバイアス電圧は電圧ソースから高周波電流
を抑える高周波チョーク部を介して印加されることにあ
る。
【０００９】本発明のさらに他の特徴は、周波数の変化
のための可変キャパシタを含む個々の共振セルが、超高
周波帯域通過の特性のために、他の共振セルと適切にカ
ップリングされ、そのカップリングされた全体の共振セ
ルの入出力端がそれぞれバイアス電圧ソースに連結さ
れ、低周波バイアス電圧が共振セルの可変キャパシタに
印加されるようにして、フィルター入力端から入力した
超高周波信号が電圧ソース部にリークするの抑えるため
に超高周波チョーク部をソースと可変キャパシタとの間
に接続したことである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明のマイクロエレクト
ロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）を用いた超高周波可
変フィルターの好適な実施形態について添付の図面を参
照して説明する。図３ａ、３ｂ、３ｃは本発明によるＭ
ＥＭＳによる可変キャパシタの構成図である。
【００１１】図３ａは、基板に第１金属板１７と第２金
属板１８の２枚の金属板が取り付けられており、その内
の一方（ここでは第２金属板１８とする）の上に高さｈ
の間隔をおいて第３金属板１５を配置した。第３金属板
１５は若干傾斜した第４金属板１６で第１金属板１７に
連結している。すなわち、カンチレバーの状態に形成さ
せている。この第１、第４、第３金属板は１枚の金属板
で、第１金属板１７から第４金属板１６が立ち上がり、
その先端で第３金属板１５を基板と平行になるように折
り曲げた形状とすればよい。第２金属板１８はこれらか
らは絶縁され、面が向き合っている第３金属板１５との
間を間隔ｈとしている。この間隔ｈの間は空間を保って
いる。したがって、外部から第３金属板１５と第２金属
板１８との間に電圧を印加すると、第３金属板１５と第
２金属板１８との間の間隔ｈが変化し、それに従い第
３、第２金属板１５、１８との間の容量が変化する。
【００１２】これらの板の配置は上記例に限定されるも
のではなく、要するに２枚の板が一定の空間ｈを保って
向き合っていればよい。例えば、図３ｂに示すように、
２枚の傾いた第１、第２金属板２０、２２が、基板に固
定した第４、第５金属板２３、１９から立ち上がり、そ
れぞれの先端で第３金属板２１を基板に平行に支える形
状とし、その第３金属板２１を基板に固定した第６金属
板２４に向き合わせても良い。その際、第３金属板２１
と第６金属板２４の間隔をｈに保つ。このような形状で
も第３金属板２１に電圧を加えることによって第６金属
板２４との間の間隔ｈを変化させ、その間に形成されて
いる容量を変えることができる。
【００１３】上記二つの例は金属板を一定の距離を置い
て平行に配置し、一方の金属板に電圧を加えてその間隔
を変えるようにしたが、互いに向かい合う２枚の金属板
の向き合う面積を変えるようにしても良いのは理解でき
るであろう。例えば、図３ｃに示すように、基板上に固
定した第２金属板２７の上に一定の間隔をおいて形成さ
れ、外部から印加される電圧により左右に移動する第１
金属板２５と、第１金属板２５の一端に連結され、第１
金属板２５を支持する半導体スプリング２６とで構成さ
せることもできる。図３ａ、ｂの例とは異なって、この
例の場合、第１金属板２５と第２金属板２７との間の間
隔ｈは一定であり、半導体スプリング２６の弾性によっ
て第１金属板２５と第２金属板２７との重なる部分（Ｌ
−△Ｌ）の面積を変え、第１金属板２５と第２金属板２
７との間の容量を変化させる。半導体スプリング２６の
弾性は外部から半導体スプリング２６に印加した電流に
より変化する。
【００１４】図４は本発明によるＭＥＭＳを用いた超高
周波可変フィルターの構成図であって、図に示すよう
に、超高周波可変フィルターは多数の共振セル３４、３
５、３６より構成される。そして、第１共振セル３４は
インダクタ２８、キャパシタ２９、伝送線３０、そし
て、ＭＥＭＳによる可変キャパシタ３１の多様な直列、
並列の組合せで構成されている。共振セルにおける可変
キャパシタの容量変化で共振セルの共振周波数を変え、
それに従いフィルターの中心周波数を変化させる。
【００１５】このように構成された全ての共振セル３
４、３５、３６が適切なカップリングを介して連結され
ると、全体のフィルターが形成される。第１共振セル３
４はインダクタ２８、キャパシタ２９、伝送線３０、そ
して、可変キャパシタ３１の多様な直列、並列の組合で
構成され、その他の共振セル３５、３６も第１共振セル
３４と類似に形成される。伝送線３０は従来同様マイク
ロストリップラインやコプラナーウェーブガイドなどで
実現される。
【００１６】この際、可変キャパシタ３１、３２、３３
の容量は、図３ａ、３ｂ、３ｃで説明したように、外部
から加えられるバイアス電圧、電流により変化し、それ
に従い共振セル３４、３５、３６の共振周波数が変わ
り、フィルター全体の中心周波数もまた変化する。ここ
で、外部からのバイアス電圧、電流は高周波チョークを
通して加えられる。高周波チョークは高周波の電流を抑
え、直流または比較的低周波数の電流のみを通過させる
ことを目的とする素子である。
【００１７】図５は図３，４の可変キャパシタを用いた
超高周波可変フィルターの基本概念に基づいて設計され
た２極構造の帯域通過フィルターの構成図である。図に
示すように、本帯域通過フィルターはバイアス電圧を印
加してキャパシタンスを変化させる電圧ソース部４８、
４９、（６２、６３）と、超高周波帯域通過の特性のた
めに、隣り合う共振セルと入力及び出力とに適切にカッ
プリングされた共振セル部１００、２００、（３００、
４００）と、両先端がそれぞれバイアス電圧ソース部４
８、４９、（６２、６３）と共振セル部１００、２０
０、（３００、４００）とに連結され、高周波電流を抑
える高周波チョーク部４６、４７、（６０、６１）とで
構成される。電圧ソース部からバイアス電圧が可変キャ
パシタ４１、４２、４３、４４、（５８、５９、５６、
５７）へ加えられる。
【００１８】このように、電圧ソース部を共振セル部１
００，２００に接続すると、フィルターに入力された超
高周波信号が共振セル１００、２００、（３００、４０
０）から電圧ソース部４８、４９、（６２、６３）にリ
ークすることがあるが、超高周波チョーク部４６、４
７、（６０、６１）がこれを抑える。
【００１９】図５ａの共振セル部１００、２００は、高
周波チョーク部４６、４７と連結されたインダクタ３
９、４０と、インダクタ３９、４０の両端と接地部との
間にそれぞれ形成された第１、２ＭＥＭＳによる可変キ
ャパシタ４１、４２、４３、４４とで構成される。そし
て、図５ｂの共振セル部３００、４００は高周波チョー
ク部６０、６１と連結され、他の共振セルとカップリン
グする第１伝送線５４、５５と、第１伝送線５４、５５
の一端と接地との間に形成されたＭＥＭＳによる第１可
変キャパシタ５８、５９と、第１伝送線５４、５５の他
方の一端に連結され、入力及び出力とカップリングされ
る第２伝送線５１、５２と、第２伝送線５１、５２の他
方の一端と接地との間の形成されたＭＥＭＳによる第２
可変キャパシタ５６、５７とで構成される。
【００２０】図５ａに示すように、ＭＥＭＳによる可変
キャパシタ４１、インダクタ３９、ＭＥＭＳによる可変
キャパシタ４２より構成された共振セル１００と、また
半導体ＭＥＭＳ構造を有する可変キャパシタ４３、イン
ダクタ４０、ＭＥＭＳによる可変キャパシタ４４より構
成された他の共振セル２００との２極集中素子フィルタ
ーである。ここで、各共振セル１００、２００の共振周
波数は共振セル１００、２００を構成するインダクタ３
９、４０とＭＥＭＳによる可変キャパシタ４１、４２、
４３、４４により決定される。
【００２１】二つの共振セル１００、２００はキャパシ
タ４５と相互インダクタンスＭによりカップリングさ
れ、フィルターの入力及び出力と二つの共振セルはキャ
パシタ３７、３８によりカップリングされる。この際、
ＭＥＭＳによる可変キャパシタ４１、４２、４３、４４
の構造は図３ａ、３ｂ、３ｃなどで構成される。ＭＥＭ
Ｓによる可変キャパシタの容量を変化させるバイアス電
圧は電圧ソース４８、４９及び高周波電流を抑える高周
波チョーク部４６、４７を介してＭＥＭＳを有する可変
キャパシタ４１、４２、４３、４４と接地との間に印加
される。
【００２２】図５ｂに示すように、可変キャパシタ５
６、第１伝送線５１、第２伝送線５４、可変キャパシタ
５８より構成された共振セル３００と、他の共振セル４
００、すなわち可変キャパシタ５７、第３伝送線５２、
第４伝送線５５、可変キャパシタ５９より構成される共
振セルとの２極共振フィルターである。ここで、各共振
セル３００、４００は共振周波数波長の半波長に当たる
伝送線の長さをもつ効果を有する。
【００２３】二つの共振セル３００、４００は第２伝送
線５４と第４伝送線５５とによりカップリングされ、フ
ィルターの入力及び出力と二つの共振セル３００、４０
０は第１伝送線５１と第５伝送線５０によりカップリン
グされ、第３伝送線５２と第６伝送線５３によりカップ
リングされる。このとき、ＭＥＭＳによる可変キャパシ
タ５６、５７、５８、５９の構造は図３、図４などで実
現される。 ＭＥＭＳを有する可変キャパシタの容量を
変化させるバイアス電圧は、電圧ソース６２、６３及び
高周波電流を抑える高周波チョーク部６０、６１を介し
て可変キャパシタ５６、５７、５８、５９と接地との間
に印加される。
【００２４】図６ａは図５ａのシミュレーション状態図
であり、図６ｂは図５ｂのシミュレーション状態図であ
る。図６に示すＤgap は図３ａに示す第１金属板１８と
第２金属板１５との間の高さｈである。この高さＤgap
の変化によって二つの金属板１８、１５の間の容量が変
化し、これに従い共振セルの共振周波数が変化する。こ
のように、共振セルの可変キャパシタの容量を変化させ
るので、フィルターの中心周波数を調節することができ
る。
【００２５】図７ａ、７ｂは図５ａ、５ｂの実際の測定
値を示した状態図である。フィルターの反応はＨＰ８５
１０Ｃネットワーク分析器を用いて測定された。１５０
μｍピッチピコプローブ（pitch Picoprobes)及びＧＧ
Ｂインダストリース（industries）の校訂基板と共に短
絡−開放−負荷−貫通（short−open−load−through)
校訂が用いられた。直流プローブを使用して、上下に移
動可能な可変キャパシタのカンチレバービーム及び一般
のＧＣＰＷトップグランドプレートの間に直流バイアス
電圧を印加した。
【００２６】図７ａに示す２極集中素子フィルターの中
心周波数は０Ｖバイアスでの２６．６ＧＨｚから６５Ｖ
バイアス（４．２％変化）での２５．５ＧＨｚに変化す
る。図７ｂに示す２極共振器フィルターの中心周波数は
０Ｖバイアスでの３２ＧＨｚから５０Ｖバイアス（２．
５％変化）での３１．２ＧＨｚに変化する。そして、集
中素子及び共振器フィルターにより測定された４．９ｄ
Ｂ及び３．８ｄＢの最小の通過帯域の挿入損失はそれぞ
れ図６ａ、６ｂに示すシミュレーション結果より２ｄＢ
高かった。この損失は信号が通過する金属での導電損失
と使用基板の誘電体損失と放射損失のためである。した
がって、物質的補完によってこのような損失を減らすこ
とができる。
【００２７】そして、図６ａ、６ｂと図７ａ、７ｂとを
比較すると、最大に測定された変化の範囲４．２％がシ
ミュレーションでの変化範囲６．４より小さいことが分
かる。 これは電圧印加時、可変キャパシタのカンチレ
バーの部分的な屈折のためである。しかし、挿入の損失
が高いことを除けば、測定の結果はシミュレーションの
結果と一致することが分かる。このように、二つのフィ
ルターはそれぞれ２６．６ＧＨｚ及び３２ＧＨｚで４．
２％及び２．５％の変化を表す。
【００２８】
【発明の効果】したがって、本発明は送受信システムの
能動素子回路の設計、工程誤差、劣化などによる周波数
の変化が必要なとき、フィルターを交替しないで外部の
バイアス電圧によりフィルターの中心周波数を変化させ
ることができるので、送受信システムの周波数の誤差を
補償できるだけでなく、周波数固定フィルターと違って
フィルターを交替する必要がないため、システム補償機
能やコストの節減に有利である。
【００２９】また、本発明によるＭＥＭＳを用いた超高
周波可変フィルタは、特に、素子の小さいミリメートル
波多重帯域通信システム用であって、安価の高集積送受
信のための新たなマイクロマシーン可変フィルターとし
て実行することができる。
【００３０】以上、本発明は、特定の実施形態に関連し
て説明されてきたが、このほか多数の変形例及び修正例
が可能であるということは当業者にとっては自明なこと
であろう。それゆえ、本発明は、このような実施形態に
よって限定されるものではなく、添付のクレームによっ
て限定されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による多重チャネルフィルターとスイ
ッチを用いた超高周波可変フィルターの構成図。
【図２】従来技術による共振セルを用いた超高周波可変
フィルターの構成図。
【図３】本発明によるＭＥＭＳによる可変キャパシタの
構成図。
【図４】本発明によるＭＥＭＳを用いた超高周波可変フ
ィルターの構成図。
【図５】本発明によるＭＥＭＳを用いた集中素子形態の
超高周波可変フィルターの構成図。
【図６】図５のシミュレーション状態図。
【図７】図５の実際の測定値を示す状態図。
【符号の説明】
１００、２００ 共振セル、４１，４２，４３，４４
可変フィルタ部、４６，４７ チョーク部、４８，４９
電圧ソース部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ホン・テウ・キム 大韓民国・ソウル・クワナ−ク・シリム− ドン・サン56−１ (72)発明者 ジャ・ヒョン・パク 大韓民国・ソウル・クワナ−ク・シリム− ドン・サン56−１ Ｆターム(参考） 5E082 AB01 AB10 BB05 BC11 BC40 DD07 EE02 FF01 GG08 5J006 HB01 HB03 HB12 JA01 LA02 NA01 5J024 AA02 CA09 DA00 DA01 DA25 DA35 EA03 KA02

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多数の共振セルを有する超高周波可変フ
    ィルターにおいて、 前記共振セルは容量を変化させ、フィルターの中心周波
    数を変化させるマイクロエレクトロメカニカルシステム
    の可変キャパシタと、 インダクタまたは伝送線のうち一つ以上を含む組合で構
    成されることを特徴とする超高周波可変フィルター。
  2. 【請求項２】 前記可変キャパシタは 基板に形成された第１電導板と、 前記第１電導板上に一定の高さに形成され、外部から印
    加される電圧によって上下または左右に移動する第２電
    導板と、 前記第２電導板の側面に電気的に連結し、前記第２電導
    板を支持する弾性体とを含むことを特徴とする超高周波
    可変フィルター。
  3. 【請求項３】 それぞれ電圧を加えられることで容量を
    変化させる可変キャパシタを含み、超高周波帯域の通過
    のために、隣り合う各共振セルと互いにカップリングさ
    れた多数の共振セルからなる共振セル部と、 前記可変キャパシタの容量を変化させるため、前記各共
    振セル部の一端にバイアス電圧を印加するバイアス電圧
    ソース部と、 両先端がそれぞれバイアス電圧ソース部と共振セルとに
    連結され、低周波バイアス電圧が共振セルのマイクロエ
    レクトロメカニカルシステムの可変キャパシタと接地と
    の間に印加されるようするとともに、フィルターの入力
    端から入力する超高周波信号が前記電圧ソース部にリー
    クするのを抑える超高周波チョーク部とを含むことを特
    徴とする超高周波可変フィルター。
  4. 【請求項４】 前記共振セル部とフィルターの入力及び
    出力との間にそれぞれ形成される多数のキャパシタまた
    は伝送線をさらに含むことを特徴とする請求項３記載の
    超高周波可変フィルター。
  5. 【請求項５】 前記共振セル部は前記高周波チョーク部
    と連結されたインダクタと、 前記インダクタの両端と接地部との間にそれぞれ形成さ
    れた第１，２可変キャパシタで構成される共振セルとが
    多数形成されることを特徴とする請求項４記載の超高周
    波可変フィルター。
  6. 【請求項６】 一先端が接地と連結された、第１、第２
    可変キャパシタと、前記可変キャパシタの他方の一端に
    それぞれ連結される第１インダクタとで構成された第１
    共振セルと、 一先端が接地と連結された、第３及び第４可変キャパシ
    タと、それぞれの可変キャパシタの他方の一端にそれぞ
    れ連結される第２インダクタとで構成された第２共振セ
    ルと、 前記第１及び第２共振セルにバイアス電圧を印加して、
    可変キャパシタの容量を可変させる第１及び第２バイア
    ス電圧ソース部と、 両端がそれぞれ第１及び第２バイアス電圧ソース部と前
    記第１及び第２共振セルとに連結され、フィルター入力
    端から入力した超高周波信号が前記第１及び第２バイア
    ス電圧ソース部にリークするのを抑える超高周波チョー
    ク部とを含むことを特徴とする超高周波可変フィルタ
    ー。
  7. 【請求項７】 一先端が接地と連結された、第１及び第
    ２可変キャパシタと、前記可変キャパシタの他方の一端
    にそれぞれ連結される第１及び第２伝送線とで構成され
    た第１共振セルと、 一端が接地と連結された、第３及び第４可変キャパシタ
    と、前記可変キャパシタの他方の一端にそれぞれ連結さ
    れる第３及び第４伝送線とで構成された第２共振セル
    と、 前記可変キャパシタの容量を可変させるために、前記第
    １及び第２共振セルにバイアス電圧を印加する第１及び
    第２バイアス電圧ソース部と、 両先端がそれぞれ第１及び第２バイアス電圧ソース部と
    前記第１及び第２共振セルとに連結され、フィルター入
    力端から入力した超高周波信号が前記第１及び第２バイ
    アス電圧ソース部にリークするのを抑える超高周波チョ
    ーク部とを含むことを特徴とする超高周波可変フィルタ
    ー。
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