JP2001118676A - 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 寿命の短縮を抑制することができ、配設や配
線等の手間が掛からない、有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ表
示装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 本有機ＥＬ素子は透明基板１、透明電極
２１、有機ＥＬ薄膜２２、背面電極２３、温度補償用素
子体３及び封止部材４を備える。温度補償用素子体３は
有機ＥＬ薄膜２２の表面に形成される抵抗温度計用抵抗
体である。この温度補償用素子体３は、陰極である背面
電極２３と同材料であるＡｌ膜からなり、背面電極２３
の蒸着形成と同時に形成される。このような有機ＥＬ素
子は、素子内の温度補償用素子体３の出力を用いて、駆
動電流の補正を行うことができるため、素子温度の変化
によらず、輝度が一定となるように補償を行うことがで
き、高輝度による有機ＥＬ素子の寿命の短縮を防ぐこと
ができる。
線等の手間が掛からない、有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ表
示装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 本有機ＥＬ素子は透明基板１、透明電極
２１、有機ＥＬ薄膜２２、背面電極２３、温度補償用素
子体３及び封止部材４を備える。温度補償用素子体３は
有機ＥＬ薄膜２２の表面に形成される抵抗温度計用抵抗
体である。この温度補償用素子体３は、陰極である背面
電極２３と同材料であるＡｌ膜からなり、背面電極２３
の蒸着形成と同時に形成される。このような有機ＥＬ素
子は、素子内の温度補償用素子体３の出力を用いて、駆
動電流の補正を行うことができるため、素子温度の変化
によらず、輝度が一定となるように補償を行うことがで
き、高輝度による有機ＥＬ素子の寿命の短縮を防ぐこと
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ（エレクト
ロルミネセンス）素子及び有機ＥＬ表示装置に関する。
更に詳しくは、本発明は温度変化による輝度の変化を抑
制することで、寿命の短縮を抑制することができ、ま
た、配設や配線等の手間が掛からない有機ＥＬ素子及び
有機ＥＬ表示装置に関する。
ロルミネセンス）素子及び有機ＥＬ表示装置に関する。
更に詳しくは、本発明は温度変化による輝度の変化を抑
制することで、寿命の短縮を抑制することができ、ま
た、配設や配線等の手間が掛からない有機ＥＬ素子及び
有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は有機蛍光性物質からなる
発光層に電荷を注入して発光させる電流制御型の発光素
子であるため、定電流駆動を行うことで輝度を一定にす
ることができる。しかし、単なる定電流駆動では、温度
変化によって輝度が変化する。つまり、有機ＥＬ素子を
駆動する電流が一定であっても低温では低輝度となり、
高温では高輝度になる。特に、高輝度による発光は寿命
の短縮につながる。
発光層に電荷を注入して発光させる電流制御型の発光素
子であるため、定電流駆動を行うことで輝度を一定にす
ることができる。しかし、単なる定電流駆動では、温度
変化によって輝度が変化する。つまり、有機ＥＬ素子を
駆動する電流が一定であっても低温では低輝度となり、
高温では高輝度になる。特に、高輝度による発光は寿命
の短縮につながる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この温度変化による輝
度の変化を抑制するため、発光物質等、材料面からの検
討がなされている、しかし、輝度の変化を抑制するため
の駆動回路等の検討はなされていない（文献名「有機Ｅ
Ｌ素子とその工業化最前線」、出版年月；９８年１１
月）。本発明は、このような問題点を解決するものであ
り、温度変化による輝度の変化を抑制することができる
とともに、それによる寿命の短縮を抑制することがで
き、また、配設や配線等の手間が掛からない有機ＥＬ素
子及び有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
度の変化を抑制するため、発光物質等、材料面からの検
討がなされている、しかし、輝度の変化を抑制するため
の駆動回路等の検討はなされていない（文献名「有機Ｅ
Ｌ素子とその工業化最前線」、出版年月；９８年１１
月）。本発明は、このような問題点を解決するものであ
り、温度変化による輝度の変化を抑制することができる
とともに、それによる寿命の短縮を抑制することがで
き、また、配設や配線等の手間が掛からない有機ＥＬ素
子及び有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】高温時の寿命の短縮を抑
制するには、有機ＥＬ素子の輝度を一定に保つことがで
きるように、駆動電流の補正を行うことが考えられる。
また、有機ＥＬ素子の輝度を一定に保つには、有機ＥＬ
素子の素子温度を測定する温度補償用素子体を設け、こ
の温度補償用素子体の出力による補正を行った定電流駆
動を行うことが考えられる。一方、温度補償用素子体は
有機ＥＬ素子、特に有機ＥＬ薄膜近傍の温度を求める必
要があることから、有機ＥＬ素子の近傍に貼設等の方法
によって配設する必要がある。このため、温度補償用素
子体のための配設作業や配線等が必要となり、煩雑であ
る。上記各問題点を解決するため、本発明の有機ＥＬ素
子及び有機ＥＬ表示装置は以下の構成を有するものとし
た。
制するには、有機ＥＬ素子の輝度を一定に保つことがで
きるように、駆動電流の補正を行うことが考えられる。
また、有機ＥＬ素子の輝度を一定に保つには、有機ＥＬ
素子の素子温度を測定する温度補償用素子体を設け、こ
の温度補償用素子体の出力による補正を行った定電流駆
動を行うことが考えられる。一方、温度補償用素子体は
有機ＥＬ素子、特に有機ＥＬ薄膜近傍の温度を求める必
要があることから、有機ＥＬ素子の近傍に貼設等の方法
によって配設する必要がある。このため、温度補償用素
子体のための配設作業や配線等が必要となり、煩雑であ
る。上記各問題点を解決するため、本発明の有機ＥＬ素
子及び有機ＥＬ表示装置は以下の構成を有するものとし
た。
【０００５】本第１発明の有機ＥＬ素子は、透明基板
と、該透明基板の表面に少なくとも薄膜状の透明電極、
発光膜を具備する有機ＥＬ薄膜及び背面電極が順次積層
され、形成された有機ＥＬ積層体と、温度補償用素子体
と、上記透明基板に接合され、上記有機ＥＬ積層体を封
止する封止部材と、を備える有機ＥＬ素子であって、該
温度補償用素子体は有機ＥＬ素子内に配設されているこ
とを特徴とする。
と、該透明基板の表面に少なくとも薄膜状の透明電極、
発光膜を具備する有機ＥＬ薄膜及び背面電極が順次積層
され、形成された有機ＥＬ積層体と、温度補償用素子体
と、上記透明基板に接合され、上記有機ＥＬ積層体を封
止する封止部材と、を備える有機ＥＬ素子であって、該
温度補償用素子体は有機ＥＬ素子内に配設されているこ
とを特徴とする。
【０００６】上記「有機ＥＬ薄膜」は、透明電極及び背
面電極から供給される正孔及び電子を再結合させること
で発光する部位である。この有機ＥＬ薄膜は、少なくと
も有機蛍光性物質を具備する発光層を備える。また、発
光層に加えて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び
電子注入層のうち少なくとも一層を備えることもでき
る。更に、各層を構成する材料としては、それぞれ種々
の公知材料を用いることができる。これらの各層を形成
する方法は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト
法、スパッタリング法、ＬＢ法等の方法を例示すること
ができる。
面電極から供給される正孔及び電子を再結合させること
で発光する部位である。この有機ＥＬ薄膜は、少なくと
も有機蛍光性物質を具備する発光層を備える。また、発
光層に加えて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び
電子注入層のうち少なくとも一層を備えることもでき
る。更に、各層を構成する材料としては、それぞれ種々
の公知材料を用いることができる。これらの各層を形成
する方法は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト
法、スパッタリング法、ＬＢ法等の方法を例示すること
ができる。
【０００７】上記「温度補償用素子体」は、有機ＥＬ素
子、特に有機ＥＬ薄膜の温度を計測することできる素子
体であればよい。この例として、温度変化による電気抵
抗の変化を用いる抵抗温度計用抵抗体の他、サーミスタ
及び熱電対等を挙げることができる。このうち、温度補
償用素子体としては第２発明に示すように、抵抗温度計
用抵抗体を用いるのが、安価で容易に形成することがで
きるため好ましい。また、この抵抗温度計用抵抗体の配
設方法は任意に選択することができ、例として、上記有
機ＥＬ素子内に蒸着、スパッタリング、印刷又はエッチ
ング等によって形成することを挙げることができる。
子、特に有機ＥＬ薄膜の温度を計測することできる素子
体であればよい。この例として、温度変化による電気抵
抗の変化を用いる抵抗温度計用抵抗体の他、サーミスタ
及び熱電対等を挙げることができる。このうち、温度補
償用素子体としては第２発明に示すように、抵抗温度計
用抵抗体を用いるのが、安価で容易に形成することがで
きるため好ましい。また、この抵抗温度計用抵抗体の配
設方法は任意に選択することができ、例として、上記有
機ＥＬ素子内に蒸着、スパッタリング、印刷又はエッチ
ング等によって形成することを挙げることができる。
【０００８】更に、温度補償用素子体を配設する場所は
素子内であれば任意とすることができ、透明電極、有機
ＥＬ薄膜、背面電極、及び封止部材等に配設することが
できる。このうち、第２発明に示すように、透明基板又
は有機ＥＬ薄膜の表面に形成することが好ましい。ま
た、温度補償用素子体を配設する場所は、平坦な場所で
あってもよいし、傾斜した位置や凹凸面等に配設するこ
ともできる。
素子内であれば任意とすることができ、透明電極、有機
ＥＬ薄膜、背面電極、及び封止部材等に配設することが
できる。このうち、第２発明に示すように、透明基板又
は有機ＥＬ薄膜の表面に形成することが好ましい。ま
た、温度補償用素子体を配設する場所は、平坦な場所で
あってもよいし、傾斜した位置や凹凸面等に配設するこ
ともできる。
【０００９】更に、抵抗温度計用抵抗体の材質は任意に
選択することができるが、上記透明電極（例えば、ＩＴ
Ｏ〔Indium Tin Oxide〕、酸化インジウム及び酸化スズ
等）又は上記背面電極（例えば、ＭｇＡｇ、Ａｌ等）と
同材質であることが好ましい。このように、抵抗温度計
用抵抗体を各電極と同材質とすることで、各電極と同時
形成することができる。
選択することができるが、上記透明電極（例えば、ＩＴ
Ｏ〔Indium Tin Oxide〕、酸化インジウム及び酸化スズ
等）又は上記背面電極（例えば、ＭｇＡｇ、Ａｌ等）と
同材質であることが好ましい。このように、抵抗温度計
用抵抗体を各電極と同材質とすることで、各電極と同時
形成することができる。
【００１０】また、使用する抵抗温度計用抵抗体の抵抗
温度係数は、温度補正回路を適宜選択することで係数の
正負を問わず任意とすることができる。つまり、ＭｇＡ
ｇ等の抵抗温度係数が正である抵抗温度計用抵抗体を用
いた場合は、抵抗温度計用抵抗体の抵抗が低抵抗になる
ほど有機ＥＬ素子の駆動電流が大電流となるような定電
流回路とすればよい（例えば、図３参照）。逆に、ＩＴ
Ｏ等の抵抗温度係数が負である抵抗温度計用抵抗体を用
いた場合は、抵抗温度計用抵抗体の抵抗が高抵抗になる
ほど駆動電流が大電流となるような定電流回路とすれば
よい（例えば、図４参照）。更に、温度変化による有機
ＥＬ素子の輝度の変動度と、抵抗温度計用抵抗体の抵抗
温度係数が異なる場合は、抵抗温度係数が逆である２種
の抵抗体を組合わせることによって任意の抵抗温度係数
を得ることができ、有機ＥＬ素子の輝度が一定になるよ
うに補償することができる。
温度係数は、温度補正回路を適宜選択することで係数の
正負を問わず任意とすることができる。つまり、ＭｇＡ
ｇ等の抵抗温度係数が正である抵抗温度計用抵抗体を用
いた場合は、抵抗温度計用抵抗体の抵抗が低抵抗になる
ほど有機ＥＬ素子の駆動電流が大電流となるような定電
流回路とすればよい（例えば、図３参照）。逆に、ＩＴ
Ｏ等の抵抗温度係数が負である抵抗温度計用抵抗体を用
いた場合は、抵抗温度計用抵抗体の抵抗が高抵抗になる
ほど駆動電流が大電流となるような定電流回路とすれば
よい（例えば、図４参照）。更に、温度変化による有機
ＥＬ素子の輝度の変動度と、抵抗温度計用抵抗体の抵抗
温度係数が異なる場合は、抵抗温度係数が逆である２種
の抵抗体を組合わせることによって任意の抵抗温度係数
を得ることができ、有機ＥＬ素子の輝度が一定になるよ
うに補償することができる。
【００１１】温度補償用素子体への配線方法、及び端子
の配設方法は、任意に選択することができる。例えば、
透明基板の表面等にＩＴＯ薄膜等による配線を設け、該
透明基板の末端に端子を設けることができる。また、有
機ＥＬ素子の透明電極及び背面電極に接続される端子と
隣接して配設することができる。このような位置に配設
することで有機ＥＬ素子の配線を簡素にすることがで
き、有機ＥＬ素子の取扱を容易にすることができる。
の配設方法は、任意に選択することができる。例えば、
透明基板の表面等にＩＴＯ薄膜等による配線を設け、該
透明基板の末端に端子を設けることができる。また、有
機ＥＬ素子の透明電極及び背面電極に接続される端子と
隣接して配設することができる。このような位置に配設
することで有機ＥＬ素子の配線を簡素にすることがで
き、有機ＥＬ素子の取扱を容易にすることができる。
【００１２】本第３発明の有機ＥＬ表示装置は、有機Ｅ
Ｌ素子と、該有機ＥＬ素子を定電流駆動する駆動手段と
を備える有機ＥＬ表示装置であって、該駆動手段は、温
度変化による該有機ＥＬ素子の輝度変動の補償を、上記
温度補償用素子体を用いた定電流の電流値の補正により
行うことを特徴とする。
Ｌ素子と、該有機ＥＬ素子を定電流駆動する駆動手段と
を備える有機ＥＬ表示装置であって、該駆動手段は、温
度変化による該有機ＥＬ素子の輝度変動の補償を、上記
温度補償用素子体を用いた定電流の電流値の補正により
行うことを特徴とする。
【００１３】有機ＥＬ素子を駆動する「駆動手段」、及
び駆動手段が具備する「定電流値の補正」を行うための
回路は、いずれか又は両方を有機ＥＬ素子外に設けるこ
とができるし、有機ＥＬ素子内に設けることもできる。
び駆動手段が具備する「定電流値の補正」を行うための
回路は、いずれか又は両方を有機ＥＬ素子外に設けるこ
とができるし、有機ＥＬ素子内に設けることもできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５を用いて本発明
の有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ表示装置を実施例により説
明する。 （１）有機ＥＬ素子の構成 本有機ＥＬ素子は図１及び２に示すように、ガラス製の
透明基板１、ＩＴＯ薄膜からなる陽極である透明電極２
１、有機ＥＬ薄膜２２、背面電極２３、温度補償用素子
体３、及び封止部材４を備える。有機ＥＬ薄膜２２は、
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子
注入層等の各層を順次積層して構成される薄膜である。
また、陰極である背面電極２３は、Ａｌ薄膜からなる。
更に、封止部材４は、各電極２１、２３及び有機ＥＬ薄
膜２２を酸素や水等に接触させないように密閉するため
のものであり、金属や樹脂等からなり、有機ＥＬ薄膜２
２、背面電極２３及び温度補償用素子体３を封止するた
めの凹部空間を有するキャップ状体である。また、封止
部材４は、接着層４１により透明基板１の表面に固定さ
れている。
の有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ表示装置を実施例により説
明する。 （１）有機ＥＬ素子の構成 本有機ＥＬ素子は図１及び２に示すように、ガラス製の
透明基板１、ＩＴＯ薄膜からなる陽極である透明電極２
１、有機ＥＬ薄膜２２、背面電極２３、温度補償用素子
体３、及び封止部材４を備える。有機ＥＬ薄膜２２は、
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子
注入層等の各層を順次積層して構成される薄膜である。
また、陰極である背面電極２３は、Ａｌ薄膜からなる。
更に、封止部材４は、各電極２１、２３及び有機ＥＬ薄
膜２２を酸素や水等に接触させないように密閉するため
のものであり、金属や樹脂等からなり、有機ＥＬ薄膜２
２、背面電極２３及び温度補償用素子体３を封止するた
めの凹部空間を有するキャップ状体である。また、封止
部材４は、接着層４１により透明基板１の表面に固定さ
れている。
【００１５】温度補償用素子体３は図１及び２に示すよ
うに、有機ＥＬ薄膜２２の表面に形成される抵抗温度計
用抵抗体であり、ＩＴＯ薄膜からなる配線３１によって
有機ＥＬ素子の透明基板１の表面に設けられた接続端子
３２に接続されている。また、この接続端子３２は、背
面電極２３の接続端子２３１と隣接するように設けられ
ている。更に、この温度補償用素子体３は、陰極である
背面電極２３と同材料であるＡｌ膜からなり、背面電極
２３の蒸着形成と同時に形成されている。
うに、有機ＥＬ薄膜２２の表面に形成される抵抗温度計
用抵抗体であり、ＩＴＯ薄膜からなる配線３１によって
有機ＥＬ素子の透明基板１の表面に設けられた接続端子
３２に接続されている。また、この接続端子３２は、背
面電極２３の接続端子２３１と隣接するように設けられ
ている。更に、この温度補償用素子体３は、陰極である
背面電極２３と同材料であるＡｌ膜からなり、背面電極
２３の蒸着形成と同時に形成されている。
【００１６】（２）有機ＥＬ素子の作製方法 このような有機ＥＬ素子は以下のようにして作製され
る。まず、透明基板１の表面に透明電極２１としてＩＴ
Ｏ薄膜をスパッタリング等の方法により形成した。この
際に、温度補償用素子体３のための配線３１等も同時に
形成した。次いで、透明基板１の表面に有機ＥＬ薄膜２
２の各層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送
層、及び電子注入層）を蒸着形成した。
る。まず、透明基板１の表面に透明電極２１としてＩＴ
Ｏ薄膜をスパッタリング等の方法により形成した。この
際に、温度補償用素子体３のための配線３１等も同時に
形成した。次いで、透明基板１の表面に有機ＥＬ薄膜２
２の各層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送
層、及び電子注入層）を蒸着形成した。
【００１７】その後、有機ＥＬ薄膜２２の表面に背面電
極２３としてＡｌ薄膜を蒸着形成した。また、背面電極
２３とともにＡｌ薄膜を、有機ＥＬ薄膜２２の表面に同
時に蒸着形成し、温度補償用素子体３とした。次いで、
封止部材４を接着剤によって透明基板１に接合し、透明
電極２１、有機ＥＬ薄膜２２、背面電極２３及び温度補
償用素子体３を封止した。
極２３としてＡｌ薄膜を蒸着形成した。また、背面電極
２３とともにＡｌ薄膜を、有機ＥＬ薄膜２２の表面に同
時に蒸着形成し、温度補償用素子体３とした。次いで、
封止部材４を接着剤によって透明基板１に接合し、透明
電極２１、有機ＥＬ薄膜２２、背面電極２３及び温度補
償用素子体３を封止した。
【００１８】（３）有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ表示装置
の効果 このようにして作製された温度補償用素子体３付きの有
機ＥＬ素子は、素子内の温度補償用素子体３の出力を用
いて、駆動電流の補正を行うことができるため、素子温
度の変化によらず、輝度が一定となるように補償を行う
ことができる。これによって、高輝度による有機ＥＬ素
子の寿命の短縮を防ぐことができる。また、本実施例の
有機ＥＬ素子は、素子内の各電極２１、２３及び温度補
償用素子体３を、図３に例示するような駆動回路に接続
して使用する。このような駆動回路を備える有機ＥＬ表
示装置は、駆動端子Ｄの信号により有機ＥＬ素子Ｅの発
光が制御される。更に、温度補償用素子体３によって温
度補正された定電流駆動を行うことで、有機ＥＬ素子の
素子温度が変動しても、一定の輝度を保つことができ
る。つまり、素子温度が高温となる場合は、より高輝度
になることを抑制するために、より電流を減らした定電
流駆動を行う。また、素子温度が低温となる場合は、よ
り低輝度になることを抑制するために、より電流を増や
した定電流駆動を行う。
の効果 このようにして作製された温度補償用素子体３付きの有
機ＥＬ素子は、素子内の温度補償用素子体３の出力を用
いて、駆動電流の補正を行うことができるため、素子温
度の変化によらず、輝度が一定となるように補償を行う
ことができる。これによって、高輝度による有機ＥＬ素
子の寿命の短縮を防ぐことができる。また、本実施例の
有機ＥＬ素子は、素子内の各電極２１、２３及び温度補
償用素子体３を、図３に例示するような駆動回路に接続
して使用する。このような駆動回路を備える有機ＥＬ表
示装置は、駆動端子Ｄの信号により有機ＥＬ素子Ｅの発
光が制御される。更に、温度補償用素子体３によって温
度補正された定電流駆動を行うことで、有機ＥＬ素子の
素子温度が変動しても、一定の輝度を保つことができ
る。つまり、素子温度が高温となる場合は、より高輝度
になることを抑制するために、より電流を減らした定電
流駆動を行う。また、素子温度が低温となる場合は、よ
り低輝度になることを抑制するために、より電流を増や
した定電流駆動を行う。
【００１９】また、有機ＥＬ素子内に温度補償用素子体
３を備えるため、新たに温度計測用の素子を設ける必要
がないため、素子の大きさのみの容積を確保するだけで
素子の配設を行うことができる。また、有機ＥＬ薄膜に
配設することができるため、より正確に有機ＥＬ薄膜の
温度を求めることができ、正確な温度補償を行うことが
できる。更に、温度補償用素子体３を接続する端子を、
透明電極２１及び背面電極２３の接続端子と隣接して設
けたため、配線の取り回しが容易である。また、温度補
償用素子体３は、透明電極２１及び背面電極２３を蒸着
形成するためのマスクパターンの変更のみで形成するこ
とができるため、温度補償用素子体３を備えない有機Ｅ
Ｌ素子と同様の工程で作製することができ、コスト増と
なることなく有機ＥＬ素子を作製することができる。
３を備えるため、新たに温度計測用の素子を設ける必要
がないため、素子の大きさのみの容積を確保するだけで
素子の配設を行うことができる。また、有機ＥＬ薄膜に
配設することができるため、より正確に有機ＥＬ薄膜の
温度を求めることができ、正確な温度補償を行うことが
できる。更に、温度補償用素子体３を接続する端子を、
透明電極２１及び背面電極２３の接続端子と隣接して設
けたため、配線の取り回しが容易である。また、温度補
償用素子体３は、透明電極２１及び背面電極２３を蒸着
形成するためのマスクパターンの変更のみで形成するこ
とができるため、温度補償用素子体３を備えない有機Ｅ
Ｌ素子と同様の工程で作製することができ、コスト増と
なることなく有機ＥＬ素子を作製することができる。
【００２０】尚、本発明においては、上記実施例に限ら
ず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した
実施例とすることができる。即ち、温度補償用素子体３
は、有機ＥＬ薄膜２２の表面に形成するだけではなく、
図５及び図６に示すように、透明基板１の表面に形成す
ることができる。また、温度補償用素子体３は、実施例
に示した蒸着による形成ばかりではなく、スパッタリン
グ、印刷又はエッチング等によって形成することができ
る。
ず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した
実施例とすることができる。即ち、温度補償用素子体３
は、有機ＥＬ薄膜２２の表面に形成するだけではなく、
図５及び図６に示すように、透明基板１の表面に形成す
ることができる。また、温度補償用素子体３は、実施例
に示した蒸着による形成ばかりではなく、スパッタリン
グ、印刷又はエッチング等によって形成することができ
る。
【００２１】更に、温度補償用素子体３として用いる抵
抗温度計用抵抗体は、実施例に示す陰極に用いられるＡ
ｌばかりではなく、抵抗温度係数が正である他の任意の
材質（例えば、ＭｇＡｇ等）を用いることができる。ま
た、抵抗温度係数が正の材質ばかりではなく負の材質
（例えば、陽極に用いられているＩＴＯ等）を使用する
ことができる。この場合、図４に例示される、抵抗温度
係数が負の抵抗体でも温度変化によらず輝度が一定とな
るような駆動回路とする必要がある。更に、温度補償用
素子体３として抵抗温度計用抵抗体ばかりではなく、サ
ーミスタ及び熱電対等を用いることができる。
抗温度計用抵抗体は、実施例に示す陰極に用いられるＡ
ｌばかりではなく、抵抗温度係数が正である他の任意の
材質（例えば、ＭｇＡｇ等）を用いることができる。ま
た、抵抗温度係数が正の材質ばかりではなく負の材質
（例えば、陽極に用いられているＩＴＯ等）を使用する
ことができる。この場合、図４に例示される、抵抗温度
係数が負の抵抗体でも温度変化によらず輝度が一定とな
るような駆動回路とする必要がある。更に、温度補償用
素子体３として抵抗温度計用抵抗体ばかりではなく、サ
ーミスタ及び熱電対等を用いることができる。
【００２２】
【発明の効果】本第１発明の有機ＥＬ素子では、温度変
化による輝度の変化を抑制することで寿命の短縮を抑制
することができる。また、配設や配線等の手間が掛から
ない。また、本第２発明の有機ＥＬ素子によれば、温度
補償用素子体を電極と同時に形成することができ、工程
を増やすことなく有機ＥＬ素子を作製することができ
る。本第３発明に示す有機ＥＬ表示装置は、温度変化に
よる輝度の変化を抑制することで寿命の短縮を抑制する
ことができる。
化による輝度の変化を抑制することで寿命の短縮を抑制
することができる。また、配設や配線等の手間が掛から
ない。また、本第２発明の有機ＥＬ素子によれば、温度
補償用素子体を電極と同時に形成することができ、工程
を増やすことなく有機ＥＬ素子を作製することができ
る。本第３発明に示す有機ＥＬ表示装置は、温度変化に
よる輝度の変化を抑制することで寿命の短縮を抑制する
ことができる。
【図１】本実施例の有機ＥＬ素子を説明するための断面
図である。
図である。
【図２】本実施例の有機ＥＬ素子において、素子内の構
造を説明するための平面的な模式図である。
造を説明するための平面的な模式図である。
【図３】抵抗温度係数が正の温度補償用素子体を備える
有機ＥＬ素子を駆動するための回路例を示す回路図であ
る。
有機ＥＬ素子を駆動するための回路例を示す回路図であ
る。
【図４】抵抗温度係数が負の温度補償用素子体を備える
有機ＥＬ素子を駆動するための回路例を示す回路図であ
る。
有機ＥＬ素子を駆動するための回路例を示す回路図であ
る。
【図５】実施例とは異なる配置の温度補償用素子体を備
える有機ＥＬ素子を説明するための断面図である。
える有機ＥＬ素子を説明するための断面図である。
【図６】図５に示す有機ＥＬ素子において、素子内の構
造を説明するための平面的な模式図である。
造を説明するための平面的な模式図である。
１；透明基板、２１；透明電極、２２；有機ＥＬ薄膜、
２３；背面電極、３；温度補償用素子体、４；封止部
材。
２３；背面電極、３；温度補償用素子体、４；封止部
材。
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板と、該透明基板の表面に少なく
とも薄膜状の透明電極、発光層を具備する有機ＥＬ薄膜
及び背面電極が順次積層され、形成された有機ＥＬ積層
体と、温度補償用素子体と、上記透明基板に接合され、
上記有機ＥＬ積層体を封止する封止部材と、を備える有
機ＥＬ素子であって、 該温度補償用素子体は有機ＥＬ素子内に配設されている
ことを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記温度補償用素子体は抵抗温度計用抵
抗体であり、上記透明基板又は上記有機ＥＬ積層体の表
面に形成される請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の有機ＥＬ素子と、
該有機ＥＬ素子を定電流駆動する駆動手段とを備える有
機ＥＬ表示装置であって、 該駆動手段は、温度変化による該有機ＥＬ素子の輝度変
動の補償を、上記温度補償用素子体を用いた定電流の電
流値の補正により行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29684499A JP3506326B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29684499A JP3506326B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118676A true JP2001118676A (ja) | 2001-04-27 |
| JP3506326B2 JP3506326B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=17838901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29684499A Expired - Fee Related JP3506326B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3506326B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005077824A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Sony Corp | 表示装置 |
| DE102004057379B3 (de) * | 2004-11-26 | 2006-08-10 | Schott Ag | Temperaturstabilisiertes organisches Leuchtelement |
| JP2006269284A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光表示パネル及びその製造方法 |
| CN1323381C (zh) * | 2002-12-19 | 2007-06-27 | 精工爱普生株式会社 | 有机el装置及其制造方法和电子设备 |
| JP2012186456A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光モジュール、発光パネルおよび照明装置 |
| US10008550B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-06-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06317482A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Canon Inc | 薄膜サーミスタ |
| JPH07122361A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子及び有機電界発光パネル |
| JPH07263616A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Tokai Rika Co Ltd | トランジスタ |
| JPH07321088A (ja) * | 1994-05-26 | 1995-12-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 薄膜体のエッチング方法 |
| JPH08124677A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌデバイス |
-
1999
- 1999-10-19 JP JP29684499A patent/JP3506326B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
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| JP2016187044A (ja) * | 2011-02-14 | 2016-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光モジュール |
| US9735209B2 (en) | 2011-02-14 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting module, light-emitting panel, and lighting device |
| US10008550B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-06-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3506326B2 (ja) | 2004-03-15 |
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