JP2001117027A - マイクロ電気機械光学デバイス - Google Patents
マイクロ電気機械光学デバイスInfo
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- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 それに結合された光学デバイスの運動を制御
することができるマイクロ電気機械光学デバイスを提供
すること。 【解決手段】 それに結合された光学デバイスの運動を
制御するマイクロ電気機械構造を開示する。電気機械構
造および光学デバイスはともに基板表面上に配設され
る。電気機械構造は、光学デバイスの運動を制御する際
には、最初に光学デバイスを基板表面の平面の上方に所
定距離だけ上昇させる。その後、上昇させた光学デバイ
スを、電気機械構造と基板の間に生成された静電界に応
答して基板表面の平面に対して相対的に動作させること
ができる
することができるマイクロ電気機械光学デバイスを提供
すること。 【解決手段】 それに結合された光学デバイスの運動を
制御するマイクロ電気機械構造を開示する。電気機械構
造および光学デバイスはともに基板表面上に配設され
る。電気機械構造は、光学デバイスの運動を制御する際
には、最初に光学デバイスを基板表面の平面の上方に所
定距離だけ上昇させる。その後、上昇させた光学デバイ
スを、電気機械構造と基板の間に生成された静電界に応
答して基板表面の平面に対して相対的に動作させること
ができる
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般には光通信シス
テムに関し、さらに詳細にはマイクロ電気機械光学デバ
イスに関する。
テムに関し、さらに詳細にはマイクロ電気機械光学デバ
イスに関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムは、通常は、様々な光学
デバイス（例えば光源、光検出器、スイッチ、減衰器、
ミラー、増幅器、フィルタ）を含む。光学デバイスは、
光通信システム中の光信号を伝送、修正、または検出す
る。いくつかの光学デバイスは、マイクロ電気機械光学
デバイスを形成するマイクロ電気機械構造（例えば熱ア
クチュエータ）に結合される。本開示で使用するマイク
ロ電気機械構造という用語は、電気信号の制御下で機械
的に運動する微視的構造を指す。
デバイス（例えば光源、光検出器、スイッチ、減衰器、
ミラー、増幅器、フィルタ）を含む。光学デバイスは、
光通信システム中の光信号を伝送、修正、または検出す
る。いくつかの光学デバイスは、マイクロ電気機械光学
デバイスを形成するマイクロ電気機械構造（例えば熱ア
クチュエータ）に結合される。本開示で使用するマイク
ロ電気機械構造という用語は、電気信号の制御下で機械
的に運動する微視的構造を指す。
【０００３】Ｃｏｗａｎ、Ｗｉｌｌｉａｍ Ｄ．他によ
る「Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｔｕａｔ
ｏｒｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ」、ＳＰＩ
Ｅ、Ｖｏｌ．３２２６、１３７〜１４６ページ（１９９
７）に、光学デバイスを動作させるのに有用なマイクロ
電気機械構造が記載されている。Ｃｏｗａｎ他による文
献では、マイクロ電気機械構造は熱アクチュエータであ
る。熱アクチュエータは、光学ミラーに結合される。熱
アクチュエータおよび光学ミラーはともに基板表面上に
配設される。熱アクチュエータは複数のビームを有す
る。各ビームの第１の端部は光学ミラーに結合される。
各ビームの第２の端部は基板表面に取り付けられる。
る「Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｔｕａｔ
ｏｒｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ」、ＳＰＩ
Ｅ、Ｖｏｌ．３２２６、１３７〜１４６ページ（１９９
７）に、光学デバイスを動作させるのに有用なマイクロ
電気機械構造が記載されている。Ｃｏｗａｎ他による文
献では、マイクロ電気機械構造は熱アクチュエータであ
る。熱アクチュエータは、光学ミラーに結合される。熱
アクチュエータおよび光学ミラーはともに基板表面上に
配設される。熱アクチュエータは複数のビームを有す
る。各ビームの第１の端部は光学ミラーに結合される。
各ビームの第２の端部は基板表面に取り付けられる。
【０００４】熱アクチュエータの各ビームは、上下に積
み重ねた２つの材料層を有する。積み重ねられた材料層
は、それぞれ異なる熱膨張係数を有する。
み重ねた２つの材料層を有する。積み重ねられた材料層
は、それぞれ異なる熱膨張係数を有する。
【０００５】熱アクチュエータは、ビームに電流が流さ
れたのに応答して光学ミラーを機械的に動作させる。ビ
ームに電流を流すと、積み重ねられた材料層が加熱され
る。ビームが加熱されるにつれて、各ビームの少なくと
も一部分が、材料層の脆性−延性遷移点を超えて加熱さ
れ、冷却後も残るその永久的機械的変形を引き起こす。
ビームが変形すると、各ビームの第１の端部ならびにそ
こに結合された光学ミラーは、基板表面の平面の上方に
所定高さだけ上昇する。このようなマイクロ電気機械構
造は、そこに結合された光学デバイスの運動の範囲を限
定し、同構造を望ましくないものにする。
れたのに応答して光学ミラーを機械的に動作させる。ビ
ームに電流を流すと、積み重ねられた材料層が加熱され
る。ビームが加熱されるにつれて、各ビームの少なくと
も一部分が、材料層の脆性−延性遷移点を超えて加熱さ
れ、冷却後も残るその永久的機械的変形を引き起こす。
ビームが変形すると、各ビームの第１の端部ならびにそ
こに結合された光学ミラーは、基板表面の平面の上方に
所定高さだけ上昇する。このようなマイクロ電気機械構
造は、そこに結合された光学デバイスの運動の範囲を限
定し、同構造を望ましくないものにする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、それに結
合された光学デバイスの運動を制御することができるマ
イクロ電気機械光学デバイスが引き続き必要とされてい
る。
合された光学デバイスの運動を制御することができるマ
イクロ電気機械光学デバイスが引き続き必要とされてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、そこに結合さ
れた光学デバイスの運動を制御するマイクロ電気機械構
造を対象とする。マイクロ電気機械構造および光学デバ
イスは、ともに基板表面上に配設される。マイクロ電気
機械構造は、光学デバイスの運動を制御する際には、最
初に光学デバイスを基板表面の平面の上方に所定距離だ
け上昇させる。その後、上昇した光学デバイスを、電気
機械構造と基板の間に生成された静電界に応答して基板
表面の平面に対して相対的に動作させることができる。
れた光学デバイスの運動を制御するマイクロ電気機械構
造を対象とする。マイクロ電気機械構造および光学デバ
イスは、ともに基板表面上に配設される。マイクロ電気
機械構造は、光学デバイスの運動を制御する際には、最
初に光学デバイスを基板表面の平面の上方に所定距離だ
け上昇させる。その後、上昇した光学デバイスを、電気
機械構造と基板の間に生成された静電界に応答して基板
表面の平面に対して相対的に動作させることができる。
【０００８】マイクロ電気機械構造は、基板上に配設さ
れた１本または複数本のビームを含む。各ビームの第１
の端部は光学デバイスに結合される。各ビームの第２の
端部は基板表面に取り付けられる。
れた１本または複数本のビームを含む。各ビームの第１
の端部は光学デバイスに結合される。各ビームの第２の
端部は基板表面に取り付けられる。
【０００９】電気機械構造は、起動力が印加されたのに
応答して、基板表面の平面の上方に所定距離だけ光学デ
バイスを上昇させる。この起動力は、ほぼ円弧の形状に
してビームの第１の端部を基板表面の平面の上方に上向
きに上昇させる。ビームの第１の端部は、基板表面の平
面の上方に上昇するにつれて、それらに結合された光学
デバイスも上昇させる。
応答して、基板表面の平面の上方に所定距離だけ光学デ
バイスを上昇させる。この起動力は、ほぼ円弧の形状に
してビームの第１の端部を基板表面の平面の上方に上向
きに上昇させる。ビームの第１の端部は、基板表面の平
面の上方に上昇するにつれて、それらに結合された光学
デバイスも上昇させる。
【００１０】様々な起動力を電気機械構造に印加して、
光学デバイスを上昇させることができる。適当な例とし
ては、ビーム層の熱収縮、固有応力によるビームの収
縮、および電磁力がある。
光学デバイスを上昇させることができる。適当な例とし
ては、ビーム層の熱収縮、固有応力によるビームの収
縮、および電磁力がある。
【００１１】基板の平面の上方に配設された後で、光学
デバイスは、電気機械構造の１本または複数本のビーム
と基板との間に生成された静電界に応答して、基板表面
の平面に対して相対的に動作する。この静電界は、ビー
ムと基板の間にバイアス電圧を印加することによって生
成される。静電界は、ビームならびにそこに結合された
光学デバイスを基板表面に向かって偏向させる。ビーム
の偏向の大きさは、印加されるバイアス電圧によって決
まる。
デバイスは、電気機械構造の１本または複数本のビーム
と基板との間に生成された静電界に応答して、基板表面
の平面に対して相対的に動作する。この静電界は、ビー
ムと基板の間にバイアス電圧を印加することによって生
成される。静電界は、ビームならびにそこに結合された
光学デバイスを基板表面に向かって偏向させる。ビーム
の偏向の大きさは、印加されるバイアス電圧によって決
まる。
【００１２】各ビームと基板の間に印加されるバイアス
電圧は可変である。各ビームと基板の間に印加される電
圧を変化させることにより、光学デバイスを複数の自由
度で基板表面に対して相対的に動作させる。具体的に言
うと、複数の自由度により、光学デバイスの多軸運動お
よび並進運動がともに可能となる。
電圧は可変である。各ビームと基板の間に印加される電
圧を変化させることにより、光学デバイスを複数の自由
度で基板表面に対して相対的に動作させる。具体的に言
うと、複数の自由度により、光学デバイスの多軸運動お
よび並進運動がともに可能となる。
【００１３】基板およびビームは、バイアス電圧をそれ
らに印加することができるように、ともに導電性である
ことが好ましい。基板またはビームのいずれかの導電性
がビームを基板表面に向かって偏向させるのに不十分で
あるときには、導電層（例えば電極）をそれらの領域上
に任意選択で形成する。
らに印加することができるように、ともに導電性である
ことが好ましい。基板またはビームのいずれかの導電性
がビームを基板表面に向かって偏向させるのに不十分で
あるときには、導電層（例えば電極）をそれらの領域上
に任意選択で形成する。
【００１４】ビームは、任意選択で、その下面に絶縁領
域を含む。絶縁領域は、ビームと基板表面の間にバイア
ス電圧が印加されたときに、ビームが基板表面と短絡す
るのを防止する。
域を含む。絶縁領域は、ビームと基板表面の間にバイア
ス電圧が印加されたときに、ビームが基板表面と短絡す
るのを防止する。
【００１５】本発明のその他の目的および特徴は、添付
の図面に関連して考慮した以下の詳細な説明から明らか
になるであろう。ただし、これらの図面は単に例示のみ
を目的としたものであって、本発明を限定する働きはせ
ず、これについては添付の特許請求の範囲を参照しなけ
ればならないことを理解されたい。
の図面に関連して考慮した以下の詳細な説明から明らか
になるであろう。ただし、これらの図面は単に例示のみ
を目的としたものであって、本発明を限定する働きはせ
ず、これについては添付の特許請求の範囲を参照しなけ
ればならないことを理解されたい。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明は、光通信システム中で使
用するのに適したマイクロ電気機械光学デバイスを対象
とする。図１を参照すると、マイクロ電気機械光学デバ
イスは、基板１３の表面上に配設されたマイクロ電気機
械構造１５および光学デバイス１７を含む。マイクロ電
気機械構造１５は、光学デバイス１７に結合される。マ
イクロ電気機械構造１５は光学デバイス１７の運動を制
御する。
用するのに適したマイクロ電気機械光学デバイスを対象
とする。図１を参照すると、マイクロ電気機械光学デバ
イスは、基板１３の表面上に配設されたマイクロ電気機
械構造１５および光学デバイス１７を含む。マイクロ電
気機械構造１５は、光学デバイス１７に結合される。マ
イクロ電気機械構造１５は光学デバイス１７の運動を制
御する。
【００１７】マイクロ電気機械構造１５は、光学デバイ
ス１７の運動を制御する際には、最初にこの光学デバイ
ス１７を基板表面１３の平面の上方に上昇させる。その
後、上昇した光学デバイス１７は、マイクロ電気機械構
造１５と基板表面１３の間に生成された静電界に応答し
て動作する。
ス１７の運動を制御する際には、最初にこの光学デバイ
ス１７を基板表面１３の平面の上方に上昇させる。その
後、上昇した光学デバイス１７は、マイクロ電気機械構
造１５と基板表面１３の間に生成された静電界に応答し
て動作する。
【００１８】マイクロ電気機械構造１５は、１本または
複数本のビーム１９を含む。各ビーム１９の第１の端部
２０は、任意選択で互いにテザー（ｔｅｔｈｅｒ）２２
で結合される。各ビーム１９の第２の端部２３は基板表
面１３に取り付けられる。
複数本のビーム１９を含む。各ビーム１９の第１の端部
２０は、任意選択で互いにテザー（ｔｅｔｈｅｒ）２２
で結合される。各ビーム１９の第２の端部２３は基板表
面１３に取り付けられる。
【００１９】光学デバイス１７は、ビーム１９ならびに
基板表面１３に結合される。本発明のマイクロ電気機械
光学デバイスの一実施形態では、図１に示すように、光
学デバイス１７の１つの縁部２５は、基板１３の表面に
ヒンジで取り付けられる。あるいは、光学デバイス１７
の縁部２５は、ばね（図示せず）で基板の表面に取り付
けられる。
基板表面１３に結合される。本発明のマイクロ電気機械
光学デバイスの一実施形態では、図１に示すように、光
学デバイス１７の１つの縁部２５は、基板１３の表面に
ヒンジで取り付けられる。あるいは、光学デバイス１７
の縁部２５は、ばね（図示せず）で基板の表面に取り付
けられる。
【００２０】光学デバイス１７の反対側の縁部２７は、
テザー２２を介してビーム１９の第１の端部２０に結合
される。あるいは、光学デバイス１７は、図２に示すよ
うに、ビーム１９を介して基板表面１３に結合される。
テザー２２を介してビーム１９の第１の端部２０に結合
される。あるいは、光学デバイス１７は、図２に示すよ
うに、ビーム１９を介して基板表面１３に結合される。
【００２１】マイクロ電気機械構造１５は、起動力が印
加されたのに応答して、基板表面１３の平面の上方に所
定距離だけ光学デバイス１７を上昇させる。この起動力
は、ほぼ円弧の形状にしてビームの第１の端部を基板表
面の平面の上方に上向きに上昇させる。ビーム１９の第
１の端部は、図３の断面図に示すように、基板表面１３
の平面の上方に上昇するにつれて、それらに結合された
光学デバイス１７も上昇させる。あるいは任意選択で、
光学デバイスに結合された３本以上のビーム１７、１
８、１９が、図４に示すように基板表面に対してほぼ平
行な配向になるまでこの光学デバイス１７を上昇させ
る。
加されたのに応答して、基板表面１３の平面の上方に所
定距離だけ光学デバイス１７を上昇させる。この起動力
は、ほぼ円弧の形状にしてビームの第１の端部を基板表
面の平面の上方に上向きに上昇させる。ビーム１９の第
１の端部は、図３の断面図に示すように、基板表面１３
の平面の上方に上昇するにつれて、それらに結合された
光学デバイス１７も上昇させる。あるいは任意選択で、
光学デバイスに結合された３本以上のビーム１７、１
８、１９が、図４に示すように基板表面に対してほぼ平
行な配向になるまでこの光学デバイス１７を上昇させ
る。
【００２２】様々な起動力を電気機械構造に印加して、
ビームの第１の端部を上昇させることができる。図５を
参照すると、電気機械構造に印加された起動力がビーム
の熱収縮に基づいているときには、各ビーム１９は、上
下に積み重ねられた２つ以上の材料層３１、３２を含
む。積み重ねられた材料層３１、３２はそれぞれ異なる
熱膨張係数を有する。一実施形態では、各ビーム１９の
最上部の材料層３１は、他方の材料層３２より大きな熱
膨張係数を有する。
ビームの第１の端部を上昇させることができる。図５を
参照すると、電気機械構造に印加された起動力がビーム
の熱収縮に基づいているときには、各ビーム１９は、上
下に積み重ねられた２つ以上の材料層３１、３２を含
む。積み重ねられた材料層３１、３２はそれぞれ異なる
熱膨張係数を有する。一実施形態では、各ビーム１９の
最上部の材料層３１は、他方の材料層３２より大きな熱
膨張係数を有する。
【００２３】ビーム１９に電流を流すと、積み重ねられ
た材料層３１、３２が加熱される。電流は、電流源（図
示せず）からビーム１９に流す。図６を参照すると、積
み重ねられた材料層３１、３２は、加熱されると端から
巻き上がり（ｃｕｒｌ ｕｐ）、各ビーム１９の第１の
端部ならびにそこに結合された光学ミラー（図示せず）
を、基板表面１３の平面の上方に上昇させる。光学ミラ
ーが上昇する高さは、ビームの長さ、ならびにビームを
形成するために使用した材料層の組成によって決まる。
た材料層３１、３２が加熱される。電流は、電流源（図
示せず）からビーム１９に流す。図６を参照すると、積
み重ねられた材料層３１、３２は、加熱されると端から
巻き上がり（ｃｕｒｌ ｕｐ）、各ビーム１９の第１の
端部ならびにそこに結合された光学ミラー（図示せず）
を、基板表面１３の平面の上方に上昇させる。光学ミラ
ーが上昇する高さは、ビームの長さ、ならびにビームを
形成するために使用した材料層の組成によって決まる。
【００２４】あるいは、マイクロ電気機械構造に印加さ
れた起動力が固有応力によるビームの収縮に基づく場合
には、各ビーム１９は、図７に示すように、基板表面１
３上で上下に積み重ねられた２つ以上の材料層４１、４
２を含む。最上部の材料層４１は固有応力を有する。最
上部の材料層は、任意選択でその中に応力勾配を有す
る。底部材料層４２は犠牲層である。
れた起動力が固有応力によるビームの収縮に基づく場合
には、各ビーム１９は、図７に示すように、基板表面１
３上で上下に積み重ねられた２つ以上の材料層４１、４
２を含む。最上部の材料層４１は固有応力を有する。最
上部の材料層は、任意選択でその中に応力勾配を有す
る。底部材料層４２は犠牲層である。
【００２５】犠牲材料層４２が（例えばエッチングによ
って）除去されると、最上部の１つまたは複数の層４１
は、各ビーム１９の第１の端部ならびにそこに結合され
た光学ミラー（図示せず）を、基板表面１３の平面の上
方に上昇させる。光学ミラーが上昇する高さは、ビーム
の長さ、ならびにこれらのビームを形成するために使用
した材料層の組成によって決まる。
って）除去されると、最上部の１つまたは複数の層４１
は、各ビーム１９の第１の端部ならびにそこに結合され
た光学ミラー（図示せず）を、基板表面１３の平面の上
方に上昇させる。光学ミラーが上昇する高さは、ビーム
の長さ、ならびにこれらのビームを形成するために使用
した材料層の組成によって決まる。
【００２６】その他の適当な起動力としては、スクラッ
チ・ドライブ（ｓｃｒａｔｃｈ ｄｒｉｖｅ）および電
磁力がある。スクラッチ・ドライブに基づく例示的な電
気機械構造については、Ａｋｉｙａｍ．Ｔ他の「Ａ Ｑ
ｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｓ
ｃｒａｔｃｈ Ｄｒｉｖｅ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｕｓｉ
ｎｇ Ｂｕｃｋｌｉｎｇ Ｍｏｔｉｏｎ」Ｐｒｏｃ．８
ｔｈ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＭＥＭ
Ｓ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ、３１０〜３１５ページ（１９９
５）で論じられており、電磁力に基づく電気機械構造に
ついては、Ｂｕｓｃｈ−Ｖｉｓｈｎｉａｃ、Ｉ．Ｊ．の
「Ｔｈｅ Ｃａｓｅ ｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌ
ｙ Ｄｒｉｖｅｎ Ｍｉｃｒｏａｃｔｕａｔｏｒｓ」、
Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ａ、Ａ
３３、２０７〜２２０ページ（１９９２）で論じられて
いる。
チ・ドライブ（ｓｃｒａｔｃｈ ｄｒｉｖｅ）および電
磁力がある。スクラッチ・ドライブに基づく例示的な電
気機械構造については、Ａｋｉｙａｍ．Ｔ他の「Ａ Ｑ
ｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｓ
ｃｒａｔｃｈ Ｄｒｉｖｅ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｕｓｉ
ｎｇ Ｂｕｃｋｌｉｎｇ Ｍｏｔｉｏｎ」Ｐｒｏｃ．８
ｔｈ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＭＥＭ
Ｓ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ、３１０〜３１５ページ（１９９
５）で論じられており、電磁力に基づく電気機械構造に
ついては、Ｂｕｓｃｈ−Ｖｉｓｈｎｉａｃ、Ｉ．Ｊ．の
「Ｔｈｅ Ｃａｓｅ ｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌ
ｙ Ｄｒｉｖｅｎ Ｍｉｃｒｏａｃｔｕａｔｏｒｓ」、
Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ａ、Ａ
３３、２０７〜２２０ページ（１９９２）で論じられて
いる。
【００２７】基板表面の平面の上方に配設された後で、
光学デバイスは、電気機械構造のビームと基板の間に生
成された静電界に応答して、基板表面の平面に対して相
対的に動作する。この静電界は、ビームと基板の間にバ
イアス電圧を印加することによって生成される。
光学デバイスは、電気機械構造のビームと基板の間に生
成された静電界に応答して、基板表面の平面に対して相
対的に動作する。この静電界は、ビームと基板の間にバ
イアス電圧を印加することによって生成される。
【００２８】図３を参照すると、静電界は、電気機械構
造のビーム１９と基板１３の間で生成されたときに、ビ
ーム１９ならびにそこに結合された光学デバイス１７を
基板表面１３に向かって偏向させる。ビーム１９ならび
に光学デバイス１７が基板に向かって偏向する距離は、
電気機械構造のビームと基板の間で生成される静電界の
大きさによって決まる。ビームの偏向の大きさは、印加
されるバイアス電圧の量によって決まる。各ビームに印
加されるバイアス電圧は可変である。各ビームと基板の
間に印加される電圧を変化させることにより、光学デバ
イスを複数の自由度で基板表面に対して相対的に動作さ
せる。具体的に言うと、複数の自由度により、光学デバ
イスの多軸運動および並進運動がともに可能となる。
造のビーム１９と基板１３の間で生成されたときに、ビ
ーム１９ならびにそこに結合された光学デバイス１７を
基板表面１３に向かって偏向させる。ビーム１９ならび
に光学デバイス１７が基板に向かって偏向する距離は、
電気機械構造のビームと基板の間で生成される静電界の
大きさによって決まる。ビームの偏向の大きさは、印加
されるバイアス電圧の量によって決まる。各ビームに印
加されるバイアス電圧は可変である。各ビームと基板の
間に印加される電圧を変化させることにより、光学デバ
イスを複数の自由度で基板表面に対して相対的に動作さ
せる。具体的に言うと、複数の自由度により、光学デバ
イスの多軸運動および並進運動がともに可能となる。
【００２９】ビームがパターン形成された電極またはパ
ターン形成された応力勾配をその一部に含むときには、
このようなビームに印加するバイアス電圧を変化させる
と、パターン形成された電極または応力勾配の位置に応
じて、巻き上がったビームの各部が戻る。
ターン形成された応力勾配をその一部に含むときには、
このようなビームに印加するバイアス電圧を変化させる
と、パターン形成された電極または応力勾配の位置に応
じて、巻き上がったビームの各部が戻る。
【００３０】図２に示す電気機械光学デバイスを参照す
る。光学デバイス１７が基板表面に対してほぼ平行な配
向になるまで上昇した（図４）後、ビーム１８、１９に
印加される電圧がほぼ同じであるときには、光学デバイ
スは、これらのビーム１８、１９に対して垂直な単一の
軸（図２に５−５’で示す）の周りで傾斜する。しか
し、ビーム１８とビーム１９に印加された電圧が異なる
とき、光学デバイスは２つの軸の周りで傾斜する。５−
５’で示す一方の軸はビームに対して垂直である。７−
７’で示すもう一方の軸はビームと平行である。
る。光学デバイス１７が基板表面に対してほぼ平行な配
向になるまで上昇した（図４）後、ビーム１８、１９に
印加される電圧がほぼ同じであるときには、光学デバイ
スは、これらのビーム１８、１９に対して垂直な単一の
軸（図２に５−５’で示す）の周りで傾斜する。しか
し、ビーム１８とビーム１９に印加された電圧が異なる
とき、光学デバイスは２つの軸の周りで傾斜する。５−
５’で示す一方の軸はビームに対して垂直である。７−
７’で示すもう一方の軸はビームと平行である。
【００３１】ビームおよび基板は、静電界を生成するた
めにそれらの間にバイアス電圧を印加することができる
ように、ともに導電性であることが好ましい。ビームま
たは基板のいずれかの導電性が静電界を生成するのに不
十分であるときには、導電層（例えば電極）をそれらの
領域上に任意選択で形成する。
めにそれらの間にバイアス電圧を印加することができる
ように、ともに導電性であることが好ましい。ビームま
たは基板のいずれかの導電性が静電界を生成するのに不
十分であるときには、導電層（例えば電極）をそれらの
領域上に任意選択で形成する。
【００３２】再度図３を参照すると、ビーム１９は、任
意選択で、基板表面上の絶縁領域（図示せず）に対応す
るディンプル５０を絶縁領域をその下面に含む。この配
列により、ビームと基板表面の間で静電界が生成された
ときに、ビームが基板１３の表面と短絡するのを防止す
る。
意選択で、基板表面上の絶縁領域（図示せず）に対応す
るディンプル５０を絶縁領域をその下面に含む。この配
列により、ビームと基板表面の間で静電界が生成された
ときに、ビームが基板１３の表面と短絡するのを防止す
る。
【００３３】本発明のマイクロ電気光学機械デバイスを
製作する際には、適切に準備し（例えば好適にはドーピ
ングし）、洗浄した基板を準備する。適当な基板の材料
としては、シリコン、ガリウムヒ素、リン化インジウ
ム、ゲルマニウム、または酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）で被覆したガラスがある。
製作する際には、適切に準備し（例えば好適にはドーピ
ングし）、洗浄した基板を準備する。適当な基板の材料
としては、シリコン、ガリウムヒ素、リン化インジウ
ム、ゲルマニウム、または酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）で被覆したガラスがある。
【００３４】複数の材料層を、この基板の表面上にプレ
ーナ配列で形成する。適当な材料層の例としては、ポリ
シリコン、窒化ケイ素、および二酸化ケイ素がある。
ーナ配列で形成する。適当な材料層の例としては、ポリ
シリコン、窒化ケイ素、および二酸化ケイ素がある。
【００３５】複数の材料層の各材料層を基板上に形成し
た後で、各層をパターン形成して、マイクロ電気機械構
造ならびに光学デバイスを形成する。例えば、図１に示
すミラー１７ならびにビーム１９を含む電気光学機械デ
バイスは、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ
Ｔｒｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＣＮＣＭ
ＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏ
ｎｓ Ｃｅｎｔｅｒによって提供されたＭｕｌｔｉ−Ｕ
ｓｅｒ ＭＥＭＳ Ｐｒｏｃｅｓｓ（ＭＵＭＰＳ）を使
用して製作する（ＳｍａｒｔＭＵＭＰｓ Ｄｅｓｉｇｎ
Ｈａｎｄｂｏｏｋ ａｔ ｍｅｍｓ．ｍｃｎｃ．ｏｒ
ｇ参照）。
た後で、各層をパターン形成して、マイクロ電気機械構
造ならびに光学デバイスを形成する。例えば、図１に示
すミラー１７ならびにビーム１９を含む電気光学機械デ
バイスは、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ
Ｔｒｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＣＮＣＭ
ＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏ
ｎｓ Ｃｅｎｔｅｒによって提供されたＭｕｌｔｉ−Ｕ
ｓｅｒ ＭＥＭＳ Ｐｒｏｃｅｓｓ（ＭＵＭＰＳ）を使
用して製作する（ＳｍａｒｔＭＵＭＰｓ Ｄｅｓｉｇｎ
Ｈａｎｄｂｏｏｋ ａｔ ｍｅｍｓ．ｍｃｎｃ．ｏｒ
ｇ参照）。
【００３６】ＭＵＭＰＳプロセスでは、マイクロ電気機
械構造および光学ミラーはポリシリコン層中に形成さ
れ、酸化物層（例えばホスホシリコンガラス（ｐｈｏｓ
ｐｈｏｓｉｌｉｃｏｎ ｇｌａｓｓ））が犠牲層をもた
らし、窒化ケイ素がマイクロ電気機械構造および光学ミ
ラーを基板から電気的に分離する。マイクロ電気機械構
造および光学ミラーは、複数のフォトリソグラフィ・ス
テップでポリシリコン層中に形成される。
械構造および光学ミラーはポリシリコン層中に形成さ
れ、酸化物層（例えばホスホシリコンガラス（ｐｈｏｓ
ｐｈｏｓｉｌｉｃｏｎ ｇｌａｓｓ））が犠牲層をもた
らし、窒化ケイ素がマイクロ電気機械構造および光学ミ
ラーを基板から電気的に分離する。マイクロ電気機械構
造および光学ミラーは、複数のフォトリソグラフィ・ス
テップでポリシリコン層中に形成される。
【００３７】フォトリソグラフィは、ポリシリコン層お
よびホスホシリコンガラス層の１つまたは複数をフォト
レジスト（すなわちエネルギー感光材料）で被覆するス
テップと、適当なマスクによりフォトレジストを露光す
るステップと、露光されたフォトレジストを現像して、
後にその下にある１つまたは複数のポリシリコン層およ
びホスホシリコンガラス層中にパターン転写するのに望
ましいエッチング・マスクを生み出すステップとを含
む。フォトレジスト中に画定されるパターンは、例えば
反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）システム中でのエ
ッチングにより、その下にある１つまたは複数のポリシ
リコン層およびホスホシリコンガラス層中に転写され
る。以下の実施例は、本発明の特定の実施形態を説明す
るために与えたものである。
よびホスホシリコンガラス層の１つまたは複数をフォト
レジスト（すなわちエネルギー感光材料）で被覆するス
テップと、適当なマスクによりフォトレジストを露光す
るステップと、露光されたフォトレジストを現像して、
後にその下にある１つまたは複数のポリシリコン層およ
びホスホシリコンガラス層中にパターン転写するのに望
ましいエッチング・マスクを生み出すステップとを含
む。フォトレジスト中に画定されるパターンは、例えば
反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）システム中でのエ
ッチングにより、その下にある１つまたは複数のポリシ
リコン層およびホスホシリコンガラス層中に転写され
る。以下の実施例は、本発明の特定の実施形態を説明す
るために与えたものである。
【００３８】
【実施例】実施例１ 図１に示す構造を有するマイクロ電気機械光学デバイス
は、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｒ
ｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＥＭＳＴｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ
から得た。このマイクロ電気機械光学デバイスを、シリ
コン基板の表面上に配設した。シリコン基板は、約１〜
２Ω・ｃｍの抵抗率を有する。マイクロ電気機械光学デ
バイスは、シリコン基板上に形成した窒化ケイ素、ポリ
シリコン層、ホスホシリコンガラス層、ポリシリコン
層、ホスホシリコンガラス層、ポリシリコン層、および
クロム／金（Ｃｒ／Ａｕ）層からなる、パターン形成多
層プレーナ配列として形成した。
は、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｒ
ｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＥＭＳＴｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ
から得た。このマイクロ電気機械光学デバイスを、シリ
コン基板の表面上に配設した。シリコン基板は、約１〜
２Ω・ｃｍの抵抗率を有する。マイクロ電気機械光学デ
バイスは、シリコン基板上に形成した窒化ケイ素、ポリ
シリコン層、ホスホシリコンガラス層、ポリシリコン
層、ホスホシリコンガラス層、ポリシリコン層、および
クロム／金（Ｃｒ／Ａｕ）層からなる、パターン形成多
層プレーナ配列として形成した。
【００３９】図１を参照すると、電気機械構造１５およ
び光学デバイス１７は、フォトリソグラフィ技術を使用
して多層プレーナ配列で画定したものである。電気機械
構造は、一方の縁部がテザーによって互いに結合された
２本のビームを含む。各ビームの幅は約１００μｍ、長
さは約７００μｍである。Ｃｒ／Ａｕ層は、テザーの反
対側の端部で先細となる三角形の形状を有するようにパ
ターン形成される。テザーは、第２のポリシリコン層中
にのみ画定した。テザーの長さは約３００μｍ、幅は約
３μｍである。
び光学デバイス１７は、フォトリソグラフィ技術を使用
して多層プレーナ配列で画定したものである。電気機械
構造は、一方の縁部がテザーによって互いに結合された
２本のビームを含む。各ビームの幅は約１００μｍ、長
さは約７００μｍである。Ｃｒ／Ａｕ層は、テザーの反
対側の端部で先細となる三角形の形状を有するようにパ
ターン形成される。テザーは、第２のポリシリコン層中
にのみ画定した。テザーの長さは約３００μｍ、幅は約
３μｍである。
【００４０】光学デバイスは、約３００μｍ×３００μ
ｍの寸法を有するミラーである。光学デバイスの最上部
の縁部から突出するフィンガがテザー上に載り、光学デ
バイスを２本のビームと結合する。光学デバイスの最下
部の縁部は、ばねで基板と結合される。
ｍの寸法を有するミラーである。光学デバイスの最上部
の縁部から突出するフィンガがテザー上に載り、光学デ
バイスを２本のビームと結合する。光学デバイスの最下
部の縁部は、ばねで基板と結合される。
【００４１】ポリシリコンガラスシリコン層は、４９％
ＨＦの槽中で、室温で約１〜２分間エッチングすること
によって除去した。
ＨＦの槽中で、室温で約１〜２分間エッチングすること
によって除去した。
【００４２】ポリシリコンガラス層を除去した後で、ビ
ームが、テザーおよび光学デバイスを基板表面から上昇
させる。ビームは、Ｃｒ／Ａｕ層の歪み特性によって上
昇する。ビームは、基板表面に対して約５°の角度にな
るまで光学デバイスを上昇させる。ビームと基板上の電
極との間に約１００Ｖの電圧を印加した。ビームと電極
の間に電圧を印加した後で、光学デバイスは基板表面に
対して約０°の角度に配向された。
ームが、テザーおよび光学デバイスを基板表面から上昇
させる。ビームは、Ｃｒ／Ａｕ層の歪み特性によって上
昇する。ビームは、基板表面に対して約５°の角度にな
るまで光学デバイスを上昇させる。ビームと基板上の電
極との間に約１００Ｖの電圧を印加した。ビームと電極
の間に電圧を印加した後で、光学デバイスは基板表面に
対して約０°の角度に配向された。
【００４３】実施例２ 図２に示す構造を有するマイクロ電気機械光学デバイス
を形成した。このマイクロ電気機械デバイスは、ばねで
光学デバイスに結合された３本のビームを含む。
を形成した。このマイクロ電気機械デバイスは、ばねで
光学デバイスに結合された３本のビームを含む。
【００４４】このマイクロ電気機械光学デバイスは、実
施例１で上述したのと同じ多層構造を有する。
施例１で上述したのと同じ多層構造を有する。
【００４５】犠牲層を除去した後で、ビームが光学デバ
イスを基板表面から上昇させる。ビームは、Ｃｒ／Ａｕ
層の歪み特性によって上昇する。ビームは、基板表面に
対してほぼ平行な配向になるまで基板表面の上方に光学
デバイスを上昇させる。
イスを基板表面から上昇させる。ビームは、Ｃｒ／Ａｕ
層の歪み特性によって上昇する。ビームは、基板表面に
対してほぼ平行な配向になるまで基板表面の上方に光学
デバイスを上昇させる。
【００４６】ビーム１８、１９と基板上の電極との間に
約１００Ｖの電圧を印加した。ビーム１８、１９と電極
の間に電圧を印加した後、ビーム１８、１９に結合され
た光学デバイスの端部が、５−５’で示される軸の周り
で傾斜し、ビーム２０に結合された光学デバイスの端部
が基板表面に対して約５°の角度となった。
約１００Ｖの電圧を印加した。ビーム１８、１９と電極
の間に電圧を印加した後、ビーム１８、１９に結合され
た光学デバイスの端部が、５−５’で示される軸の周り
で傾斜し、ビーム２０に結合された光学デバイスの端部
が基板表面に対して約５°の角度となった。
【００４７】実施例３ 実施例２で述べた構造を有するマイクロ電気機械光学デ
バイスを準備した。光学デバイスは、実施例２で述べた
ように、基板表面に対してほぼ平行な配向になるまで、
基板表面の上方に上昇する。
バイスを準備した。光学デバイスは、実施例２で述べた
ように、基板表面に対してほぼ平行な配向になるまで、
基板表面の上方に上昇する。
【００４８】ビーム１９と基板上の電極との間に約１０
０Ｖの電圧を印加した。ビーム１８と電極の間には約０
Ｖの電圧を印加した。ビーム１８、１９と電極の間に電
圧を印加した後、光学デバイスが５−５’および７−
７’で示される軸の周りで傾斜し、１７で示される光学
デバイスが基板表面に対して約２°の角度だけ傾斜し
て、２０で示される角が基板表面に最も近い点となっ
た。
０Ｖの電圧を印加した。ビーム１８と電極の間には約０
Ｖの電圧を印加した。ビーム１８、１９と電極の間に電
圧を印加した後、光学デバイスが５−５’および７−
７’で示される軸の周りで傾斜し、１７で示される光学
デバイスが基板表面に対して約２°の角度だけ傾斜し
て、２０で示される角が基板表面に最も近い点となっ
た。
【図１】マイクロ電気機械構造に結合された光学デバイ
スを含む本発明のマイクロ電気機械光学デバイスがその
表面上に配設された基板を示す上面図である。
スを含む本発明のマイクロ電気機械光学デバイスがその
表面上に配設された基板を示す上面図である。
【図２】ビームを介して基板表面およびマイクロ電気機
械構造に結合された光学デバイスを示す上面図である。
械構造に結合された光学デバイスを示す上面図である。
【図３】マイクロ電気機械構造が光学デバイスを基板表
面の平面の上方に上昇させた後の、図１のマイクロ電気
機械光学デバイスの断面図である。
面の平面の上方に上昇させた後の、図１のマイクロ電気
機械光学デバイスの断面図である。
【図４】マイクロ電気機械構造が光学デバイスを基板表
面の平面の上方に上昇させた後の、図２のマイクロ電気
機械光学デバイスの断面図である。
面の平面の上方に上昇させた後の、図２のマイクロ電気
機械光学デバイスの断面図である。
【図５】起動力が印加される前のマイクロ電気機械構造
の一構成の断面図である。
の一構成の断面図である。
【図６】起動力が印加された後の図５のマイクロ電気機
械構造の断面図である。
械構造の断面図である。
【図７】起動力が印加される前のマイクロ電気機械構造
の代替構成の断面図である。
の代替構成の断面図である。
【図８】起動力が印加された後の図７のマイクロ電気機
械構造の断面図である。
械構造の断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ディビッド ジョン ビショップ アメリカ合衆国 07901 ニュージャーシ ィ，サミット，オーク クノール ロード ７
Claims (25)
- 【請求項１】 光学デバイスおよび電気機械構造がその
表面上に配設された基板を含むマイクロ電気機械光学デ
バイスであって、 電気機械構造が光学デバイスに結合され、電気機械構造
が起動力に応答して基板表面の平面の上方に光学デバイ
スを上昇させ、上昇した光学デバイスが、電気機械構造
と基板の間の電界の生成に応答して基板表面の平面に対
して相対的に可動である、マイクロ電気機械光学デバイ
ス。 - 【請求項２】 電気機械構造が複数のビームを含み、各
ビームが、光学デバイスに結合された第１の端部、およ
び基板に結合された第２の端部を有する、請求項１に記
載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項３】 各ビームが１つまたは複数の材料層を含
む、請求項２に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項４】 各ビームが第１の材料層および第２の材
料層を含み、第１の材料層が第１の熱膨張係数によって
特徴づけられ、第２の材料層が、第１の熱膨張係数とは
異なる第２の熱膨張係数によって特徴づけられる、請求
項３に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項５】 １つまたは複数の材料層の少なくとも１
つが固有応力を有する、請求項３に記載のマイクロ電気
機械光学デバイス。 - 【請求項６】 １つまたは複数の材料層が、窒化ケイ
素、ポリシリコン、二酸化ケイ素、および金属からなる
グループから選択される、請求項３に記載のマイクロ電
気機械光学デバイス。 - 【請求項７】 １つまたは複数の材料層の少なくとも１
つが応力勾配を有する、請求項３に記載のマイクロ電気
機械光学デバイス。 - 【請求項８】 ビームと基板表面の間にバイアス電圧を
印加することによって電界が生成される、請求項２に記
載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項９】 ビームと基板表面上の電極との間にバイ
アス電圧を印加することによって電界が生成される、請
求項２に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項１０】 各ビームに印加される電界がほぼ等し
い、請求項２に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項１１】 各ビームに印加される電界が異なる、
請求項２に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項１２】 光学デバイスが光学ミラーである、請
求項１に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項１３】 光学デバイスおよびマイクロ電気機械
構造を含むマイクロ電気機械光学デバイスがその表面上
に配設された基板を含む光通信システムであって、 マイクロ電気機械構造が光学デバイスに結合され、マイ
クロ電気機械構造が起動力に応答して基板表面の平面の
上方に光学デバイスを上昇させ、上昇した光学デバイス
が、マイクロ電気機械構造と基板の間での電界の生成に
応答して基板表面の平面に対して相対的に可動である光
通信システム。 - 【請求項１４】 光学デバイスを動作させる方法であっ
て、 光学デバイス、およびその光学デバイスに結合されたマ
イクロ電気機械構造がその表面上に配設された基板を設
けるステップと、 マイクロ電気機械構造に起動力を印加することによっ
て、基板表面の平面の上方に光学デバイスを上昇させる
ステップと、 マイクロ電気機械構造と基板の間で電界を生成すること
によって、上昇させた光学デバイスを基板表面の平面に
対して相対的に動作させるステップとを含む方法。 - 【請求項１５】 マイクロ電気機械構造が複数のビーム
を含み、各ビームの第１の端部が光学デバイスに結合さ
れ、第２の端部が基板に結合される、請求項１４に記載
の方法。 - 【請求項１６】 各ビームが１つまたは複数の材料層を
含む、請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 各ビームが第１の材料層および第２の
材料層を含み、第１の材料層が第１の熱膨張係数によっ
て特徴づけられ、第２の材料層が、第１の熱膨張係数と
は異なる第２の熱膨張係数によって特徴づけられる、請
求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 １つまたは複数の材料層の少なくとも
１つが固有応力を有する、請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１９】 １つまたは複数の材料層が、窒化ケイ
素、ポリシリコン、二酸化ケイ素、および金属からなる
グループから選択される、請求項１６に記載の方法。 - 【請求項２０】 １つまたは複数の材料層の少なくとも
１つが応力勾配を有する、請求項１６に記載の方法。 - 【請求項２１】 電界が、ビームと基板表面の間にバイ
アス電圧を印加することによって生成される、請求項１
５に記載の方法。 - 【請求項２２】 電界が、ビームと基板表面上の電極と
の間にバイアス電圧を印加することによって生成され
る、請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２３】 各ビームに印加される電界がほぼ等し
い、請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２４】 各ビームに印加される電界が異なる、
請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２５】 光学デバイスが光学ミラーである、請
求項１４に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/390157 | 1999-09-03 | ||
| US09/390,157 US6366414B1 (en) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | Micro-electro-mechanical optical device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001117027A true JP2001117027A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=23541318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000265135A Pending JP2001117027A (ja) | 1999-09-03 | 2000-09-01 | マイクロ電気機械光学デバイス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6366414B1 (ja) |
| EP (1) | EP1103835A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001117027A (ja) |
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| JP2009163853A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Jiaotong Univ | 微小光ピックアップ |
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| US6445841B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-09-03 | Omm, Inc. | Optomechanical matrix switches including collimator arrays |
| US6449406B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-09-10 | Omm, Inc. | Micromachined optomechanical switching devices |
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