JP2001114501A - 水素供給源、水素供給方法および水素供給装置ならびに水素供給装置を用いた液晶ディスプレイ - Google Patents

水素供給源、水素供給方法および水素供給装置ならびに水素供給装置を用いた液晶ディスプレイ

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JP2001114501A
JP2001114501A JP29069699A JP29069699A JP2001114501A JP 2001114501 A JP2001114501 A JP 2001114501A JP 29069699 A JP29069699 A JP 29069699A JP 29069699 A JP29069699 A JP 29069699A JP 2001114501 A JP2001114501 A JP 2001114501A
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JP
Japan
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hydrogen
hydrocarbon material
mixture
hydrogen supply
heating
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Eisuke Negishi
英輔 根岸
Tetsuya Morita
哲也 森田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで、かつ、簡易なプロセスにより、
温度にかかわらず、水素分圧を一定に維持することので
きる水素供給源、水素供給方法および水素供給装置なら
びに低コスト、かつ、軽量であり、簡易なプロセスによ
り、温度にかかわらず、水素分圧を一定に維持すること
のできる水素供給装置を用いた液晶ディスプレイを提供
する。 【解決手段】 加熱により水素のみを発生する炭化水素
材料２と炭化水素材料を加熱する加熱手段３を備えた水
素供給源１、炭化水素材料を加熱して、水素供給量を制
御する水素供給方法および水素供給装置ならびにこの水
素供給装置を用いた液晶ディスプレイ２０。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水素供給源、水素供給
方法および水素供給装置ならびに水素供給装置を用いた
液晶ディスプレイに関するものであり、さらに詳細に
は、低コストで、かつ、簡易なプロセスにより、温度に
かかわらず、水素分圧を一定に維持することのできる水
素供給源および水素供給方法ならびに低コスト、かつ、
軽量であり、簡易なプロセスにより、温度にかかわら
ず、水素分圧を一定に維持することのできる水素供給装
置ならびに低コスト、かつ、軽量であり、簡易なプロセ
スにより、温度にかかわらず、水素分圧を一定に維持す
ることのできる水素供給装置を用いた液晶ディスプレイ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴに代えて、プラズマ・アドレッシ
ングによって、液晶をオン・オフさせるプラズマ・スイ
ッチを用いた液晶ディスプレイが知られている。
【０００３】この液晶ディスプレイにおいては、プラズ
マ・スイッチ内を一定の水素分圧に維持することが要求
され、そのため、従来は、水素供給源として、水素吸蔵
合金が使用されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、水素吸
蔵合金は、高価で、質量が大きいという問題を有してい
るだけでなく、低温においては、水素を吸収してしまう
ため、水素分圧を温度にかかわらず、一定に維持するこ
とができないという問題があった。
【０００５】さらに、水素吸蔵合金を水素供給源として
用いる場合には、水素吸蔵合金を高温で加熱して、水素
吸蔵合金が吸着しているガスを放出させ、しかる後に、
水素を吸蔵させることが必要とされ、プロセス的に工程
が複雑になるという問題を有していた。
【０００６】したがって、本発明は、低コストで、か
つ、簡易なプロセスにより、温度にかかわらず、水素分
圧を一定に維持することのできる水素供給源および水素
供給方法ならびに低コスト、かつ、軽量であり、簡易な
プロセスにより、温度にかかわらず、水素分圧を一定に
維持することのできる水素供給装置ならびに低コスト、
かつ、軽量であり、簡易なプロセスにより、温度にかか
わらず、水素分圧を一定に維持することのできる水素供
給装置を用いた液晶ディスプレイを提供することを目的
とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
加熱により水素のみを発生する炭化水素材料と前記炭化
水素材料を加熱する加熱手段を備えた水素供給源によっ
て達成される。
【０００８】本発明によれば、炭化水素材料は、加熱に
より水素のみを発生し、水素を吸収しないから、加熱手
段によって、炭化水素材料を加熱することにより、温度
にかかわらず、水素分圧を一定に維持することが可能と
なる。
【０００９】本発明の前記目的はまた、加熱により水素
のみを発生する炭化水素材料を加熱して、水素供給量を
制御する水素供給方法によって達成される。
【００１０】本発明によれば、炭化水素材料は、加熱に
より水素のみを発生し、水素を吸収しないから、炭化水
素材料を、一定温度で加熱し、加熱時間を制御すること
により、あるいは、炭化水素材料を、一定時間にわたり
加熱し、加熱温度を制御することによって、水素供給量
を制御し、温度にかかわらず、水素分圧を一定に維持す
ることが可能となる。
【００１１】本発明の前記目的はまた、加熱により水素
のみを発生する炭化水素材料と、前記炭化水素材料を加
熱する加熱手段と、水素分圧を検出する水素センサと、
前記水素センサが検出した水素分圧に基づき、前記加熱
手段を制御する制御手段を備えた水素供給装置によって
達成される。
【００１２】本発明によれば、炭化水素材料は、加熱に
より水素のみを発生し、水素を吸収しないから、水素セ
ンサによって、水素分圧を検出し、水素分圧が一定にな
るように、加熱手段の加熱温度あるいは加熱時間を制御
することによって、温度にかかわらず、水素分圧を一定
に維持することが可能となる。
【００１３】本発明の前記目的はまた、偏光板と、信号
電極と、液晶板と、誘電体層、隔壁、カソードとアノー
ドを備えた基板および偏光板を備えたプラズマスイッチ
と、バックライトとを、この順に備えた液晶ディスプレ
イであって、前記プラズマスイッチの前記誘電体層と前
記基板との間に形成された閉空間内に、加熱により水素
のみを発生する炭化水素材料と、前記炭化水素材料を加
熱する加熱手段と、水素分圧を検出する水素センサとを
備え、さらに、前記水素センサが検出した水素分圧に基
づいて、前記加熱手段を制御する制御手段を備えた液晶
ディスプレイによって達成される。
【００１４】プラズマスイッチを用いた液晶ディスプレ
イにあっては、誘電体層と基板との間に形成された閉空
間内の水素分圧を、温度にかかわらず、一定に保つこと
が要求されているが、本発明によれば、液晶ディスプレ
イは、誘電体層と基板との間に形成された閉空間に、加
熱により水素のみを発生する炭化水素材料と、炭化水素
材料を加熱する加熱手段と、水素分圧を検出する水素セ
ンサとを備え、さらに、水素センサが検出した水素分圧
に基づき、加熱手段を制御する制御手段を備えているか
ら、水素センサによって、水素分圧を検出し、水素分圧
が一定になるように、加熱手段の加熱温度あるいは加熱
時間を制御することによって、温度にかかわらず、誘電
体層と基板との間に形成された閉空間内の水素分圧を一
定に維持することが可能となる。
【００１５】
【発明の好ましい実施の形態】本発明の好ましい実施態
様においては、前記炭化水素材料が、酸素を含まない雰
囲気下で、加熱により水素のみを発生する炭化水素材料
によって構成されている。
【００１６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記炭化水素材料が、不活性ガス雰囲気下で、加熱
によって水素のみを発生する炭化水素材料によって構成
されている。
【００１７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記炭化水素材料が、大気圧よりも低い圧力下で、
加熱により水素のみを発生する炭化水素材料によって構
成されている。
【００１８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記炭化水素材料が、フラーレンおよびアルカリ金
属ドープのカーボンナノチューブよりなる群から選ばれ
る炭素同位体に水素を添加して得られた炭化水素材料に
よって構成されている。アルカリ金属としては、リチウ
ム、カリウムなどが好ましく使用し得る。
【００１９】本明細書において、フラーレンとは、Ｃ３
６、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８
２、Ｃ８４などの球状炭素クラスター分子をいう。フラ
ーレン分子は、公知の炭素電極を用いたアーク放電法な
どにより、大量に合成することができる。
【００２０】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、フラーレンまたはアルカリ金属ドープのカーボンナ
ノチューブは、低温においても、水素を全く吸収しない
から、温度にかかわらず、水素分圧を一定に維持するこ
とが可能となる。
【００２１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記炭化水素材料が、同種または異種の水素化フラ
ーレンの混合物によって構成されている。
【００２２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記炭化水素材料が、同種または異種のアルカリ金
属ドープの水素化カーボンナノチューブの混合物によっ
て構成されている。
【００２３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記炭化水素材料が、同種または異種の水素化フラ
ーレンの混合物と同種または異種のアルカリ金属ドープ
の水素化カーボンナノチューブの混合物との混合物によ
って構成されている。
【００２４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記加熱手段が、抵抗加熱手段によって構成されて
いる。
【００２５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記加熱手段が、高周波加熱手段によって構成され
ている。
【００２６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記加熱手段が、赤外線ランプヒータによって構成
されている。
【００２７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記加熱手段が、レーザ光源によって構成されてい
る。
【００２８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、炭化水素材料を、一定温度で加熱し、加熱時間を制
御することによって、水素供給量が制御される。
【００２９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、炭化水素材料を、一定時間にわたり加熱し、加熱温
度を制御することによって、水素供給量が制御される。
【００３０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、水素センサが、ＭＯＳＦＥＴセンサ、プロトン導電
体を用いた固体電解質センサおよび熱線型半導体センサ
よりなる群から選ばれるセンサによって構成されてい
る。
【００３１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、液晶ディスプレイは、前記偏光板と前記信号電極と
の間に、さらに、カラーフィルタを備えている。
【００３２】以下、添付図面に基づいて、本発明にかか
る好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００３３】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
る水素供給源の一部破断略斜視図である。図１に示され
るように、本実施態様にかかる水素供給源１は、水素化
フラーレンの混合物２と、その内部に、水素化フラーレ
ンの混合物２と接触するように設けられた抵抗加熱ヒー
タ３を備えている。
【００３４】図２は、フラーレン（Ｃ６０）の略斜視図
である。図２に示されるように、フラーレン（Ｃ６０）
は、６０の炭素原子が互いに結合して、全体として、球
状をなしている。
【００３５】図３は、水素化フラーレン（Ｃ
６０Ｈ３６）の略斜視図である。水素化フラーレン（Ｃ
６０Ｈ３６）は、公知のように、Ｚｎ／ＨＣｌ還元法、
高温・高圧法などにより、フラーレン（Ｃ６０）から生
成することができる。
【００３６】図４は、水素化フラーレン（Ｃ
６０Ｈ３６）のマススペクトルを示すものであり、真空
中で、水素化フラーレン（Ｃ６０Ｈ３６）を４５０℃に
加熱すると、炭素原子に結合した水素が放出されて、フ
ラーレン（Ｃ６０）に戻ることがわかる。このことは、
酸素を含まない系においても同様であることが確認され
ている。したがって、酸素を含まない系において、水素
化フラーレン（Ｃ６０Ｈ３６）を加熱することによっ
て、水素のみを供給することができ、他方、水素以外の
ガスは供給されないことが判明した。
【００３７】図５は、アルゴン雰囲気下で、水素化フラ
ーレン（Ｃ６０Ｈ３６）を加熱したときの質量変化を示
すグラフである。図５に示されるように、水素化フラー
レン（Ｃ６０Ｈ３６）の質量は、４００℃を越えた付近
から、徐々に減少し、加熱温度を４５０℃で一定に保持
すると、徐々に、水素化フラーレン（Ｃ６０Ｈ３６）の
質量が減少することがわかる。したがって、加熱温度を
一定に保持すれば、加熱時間を制御することによって、
水素供給量を制御することが可能になる。
【００３８】また、図５に示されるように、加熱温度を
４００℃から４５０℃に徐々に上昇させると、水素化フ
ラーレン（Ｃ６０Ｈ３６）の質量は徐々に減少すること
がわかる。したがって、加熱時間を一定に保持して、加
熱時間を制御することによって、水素供給量を制御する
ことが可能になる。
【００３９】図６は、本発明の好ましい実施態様にかか
る水素供給装置のブロックダイアグラムである。図６に
示されるように、実施態様にかかる水素供給装置５は、
図１に示される水素化フラーレンの混合物２と抵抗加熱
ヒータ３を備えた水素供給源１と、抵抗加熱ヒータ３に
電流を供給する電源６と、容器７内の水素分圧を検出す
る水素センサ８と、水素センサ８によって検出された容
器７内の水素分圧にしたがって、電源６を制御するコン
トローラ９を備えている。
【００４０】本実施態様において、水素センサ８として
は、ＭＯＳＦＥＴセンサが用いられ、また、コントロー
ラ９は、電源６から抵抗加熱ヒータ３に供給される電流
を制御するように構成されている。
【００４１】本実施態様によれば、容器７内の水素分圧
を水素センサ８によって検出し、水素分圧が所定の範囲
の下限値より低下したときは、コントローラ９は電源６
に信号を送り、抵抗加熱ヒータ３に電流を供給させる。
その結果、水素化フラーレンの混合物２が加熱され、水
素を放出し、容器７内の水素分圧が上昇する。こうし
て、容器７内の水素分圧を所定の範囲内に保持すること
が可能になる。
【００４２】また、水素吸蔵合金とは異なり、水素化フ
ラーレンは、低温においても、水素の再吸収が全くない
から、本実施態様によれば、温度にかかわらず、容器７
内の水素分圧を一定に維持することが可能となる。
【００４３】さらに、水素化フラーレンは、酸素を含ま
ない系において、加熱により、水素のみを発生するの
で、本実施態様によれば、容器７内に、水素ガス以外の
ガス、たとえば、分子量の小さい炭化水素分子が混入す
ることを防止することができる。
【００４４】また、水素化フラーレンは、水素供給量が
同等の水素吸蔵合金に比して、質量が小さいので、本実
施態様によれば、水素供給源１の軽量化を実現すること
が可能になる。
【００４５】さらに、水素化フラーレンの原料であるフ
ラーレンは、近年、その価格が急速に低下しているの
で、水素供給源１として、水素吸蔵合金を用いる場合に
比して、本実施態様によれば、水素供給源１のコストを
大幅に低下させることができる。
【００４６】図７は、本発明の別の好ましい実施態様に
かかる水素供給源１の略縦断面図である。図７に示され
るように、本実施態様にかかる水素供給源１は、水素化
フラーレンの混合物２と、その周囲に接して設けられた
高周波誘導コイル１０からなる高周波誘導加熱手段１１
を備えている。
【００４７】図８は、本発明の他の好ましい実施態様に
かかる水素供給源１の略縦断面図である。図８に示され
るように、本実施態様にかかる水素供給源１は、水素化
フラーレンの混合物２と、水素化フラーレンの混合物２
を加熱可能な赤外線ランプ１２を備えている。赤外線ラ
ンプ１２は、水素化フラーレンの混合物２と離間させて
設けることができる。
【００４８】図９は、本発明の他の好ましい実施態様に
かかる液晶ディスプレイの内部構造を示す液晶ディスプ
レイの一部の略斜視図である。図９に示されるように、
液晶ディスプレイ２０は、偏光板２１と、カラーフィル
タ２２と、信号電極２３と、液晶板２４と、薄板ガラス
からなる誘電体層２５と、隔壁２６と、カソード２７と
アノード２８とが交互に形成された基板２９と、偏光板
３０と、バックライト３１とを、この順に備えている。
誘電体層２５、隔壁２６および基板２９によって、プラ
ズマスイッチ２９が形成されている。
【００４９】図１０は、バックライト３１、偏光板３０
および基板２９を取り去った液晶ディスプレイの略背面
図であり、水素供給源と水素センサの配置を示す図面で
ある。図１０に示されるように、プラズマスイッチ３２
の誘電体層２５と基板２９との間に形成された閉空間内
には、水素化フラーレンの混合物２と抵抗加熱ヒータ３
を備えた水素供給源１と、水素分圧を検出する水素セン
サ８が、薄板ガラスからなる誘電体層２５上に、対角関
係に設けられており、抵抗加熱ヒータ３には電源（図示
せず）から電流が供給されるように構成されている。図
６に示された実施態様と全く同様に、電源はコントロー
ラ（図示せず）によって制御されている。
【００５０】ＴＦＴに代えて、プラズマスイッチ３２を
用いた液晶ディスプレイ２０にあっては、誘電体層２５
と基板２９との間に形成された閉空間内の水素分圧を、
温度にかかわらず、一定に保つことが要求されている
が、本実施態様によれば、液晶ディスプレイ２０は、誘
電体層２５と基板２９との間に形成された閉空間内に、
加熱により水素のみを発生する水素化フラーレンの混合
物２と水素化フラーレンの混合物２を加熱する抵抗加熱
ヒータ３を備えた水素供給源１および水素センサ８が設
けられ、水素センサ８が検出した水素分圧に基づき、コ
ントローラ（図示せず）が、電源（図示せず）から抵抗
加熱ヒータ３に供給される電流を制御して、水素化フラ
ーレンの混合物２の加熱温度および加熱時間を制御可能
に構成されているから、誘電体層２５と基板２９との間
に形成された閉空間内の水素分圧を、所定の範囲内に保
持することができる。
【００５１】また、水素化フラーレンは、低温において
も、水素の再吸収が全くないから、本実施態様によれ
ば、温度にかかわらず、誘電体層２５と基板２９との間
に形成された閉空間内の水素分圧を一定に維持すること
が可能となる。
【００５２】さらに、水素供給源１として、水素吸蔵合
金を用いているプラズマスイッチ３２を用いた従来の液
晶ディスプレイ２０にあっては、誘電体層２５と基板２
９との間に形成された閉空間内に、水素吸蔵合金を配置
した後、水素吸蔵合金が吸着している水素以外のガスを
放出させるため、水素吸蔵合金を所定温度以上に加熱し
て、ベーキングし、水素吸蔵合金が吸着しているガスを
放出させ、放出されたガスを抜き取り、さらに、水素を
供給して、水素吸蔵合金に吸着させることが必要であっ
たが、本実施態様においては、水素供給源１として、酸
素を含まない系において、加熱によって、水素のみを供
給する水素化フラーレンの混合物２を用いているので、
このようなベーキングプロセスが不要になり、プロセス
的に工程を簡易化することが可能になる。
【００５３】さらに、水素化フラーレンは、水素供給量
が同等の水素吸蔵合金に比して、質量が小さいので、本
実施態様によれば、水素供給源１の軽量化、したがっ
て、液晶ディスプレイ２０の軽量化を実現することが可
能になる。
【００５４】また、水素化フラーレンの原料であるフラ
ーレンは、近年、その価格が急速に低下しているので、
水素供給源１として、水素吸蔵合金を用いる場合に比し
て、本実施態様によれば、水素供給源１、したがって、
液晶ディスプレイ２０のコストを大幅に低下させること
ができる。
【００５５】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
【００５６】たとえば、前記実施態様においては、水素
供給源１に、水素化フラーレンの混合物２を用いている
が、水素供給源１に用いられる材料は、水素化フラーレ
ンの混合物２に限定されるものではなく、たとえば、水
素化フラーレンに代えて、アルカリ金属ドープのカーボ
ンナノチューブの水素化物を用いてもよく、同種または
異種の水素化フラーレンの混合物、同種または異種のア
ルカリ金属ドープの水素化カーボンナノチューブの混合
物、同種または異種のアルカリ金属ドープの水素化カー
ボンナノチューブの混合物、同種または異種の水素化フ
ラーレンの混合物と同種または異種のアルカリ金属ドー
プの水素化カーボンナノチューブの混合物との混合物な
ども好ましく使用することができ、さらには、加熱によ
り水素のみを発生する炭化水素材料であれば、これらに
限定されるものではない。
【００５７】また、図６に示された実施態様において
は、水素センサ８として、ＭＯＳＦＥＴセンサが用いら
れているが、ＭＯＳＦＥＴセンサに代えて、プロトン導
電体を用いた固体電解質センサや熱線型半導体センサを
用いることもできる。
【００５８】さらに、図８に示された実施態様において
は、水素化フラーレンの混合物２を加熱する手段とし
て、赤外線ランプ１２が用いられているが、赤外線ラン
プ１２に代えて、レーザ光源を用いることもできる。
【００５９】また、図９および図１０に示された実施態
様においては、水素センサ８によって、プラズマスイッ
チ３２の誘電体層２５と基板２９との間に形成された閉
空間内の水素分圧を検出しているが、閉空間内で、プラ
ズマを発生させる場合には、水素分圧がある圧力よりも
低くなると、ディケイタイムが大きくなるので、水素セ
ンサ８に代えて、ディケイタイムを検出して、検出され
たディケイタイムに基づき、抵抗加熱ヒータ３に供給さ
れる電流を制御し、閉空間内の水素分圧うを所定範囲内
に保持するようにしてもよい。
【００６０】さらに、図９および図１０に示された実施
態様においては、水素化フラーレンの混合物２と抵抗加
熱ヒータ３を備えた水素供給源１と、水素分圧を検出す
る水素センサ８とを、対角関係に設けているが、水素供
給源１と水素センサ８を、対角関係に設けることは必ず
しも必要でなく、表示された画像と干渉しない位置であ
れば、任意の位置に設けることができる。
【００６１】また、図９および図１０に示された実施態
様においては、水素供給源１と水素センサ８を、薄板ガ
ラスからなる誘電体層２５に設けているが、水素供給源
１と水素センサ８は、プラズマスイッチ３２の誘電体層
２５と基板２９との間に形成された閉空間内に設けられ
ていればよく、水素供給源１および水素センサ８の双方
または一方を、基板２９に設けるようにしてもよい。
【００６２】さらに、図９および図１０に示された実施
態様においては、液晶ディスプレイ２０は、カラーフィ
ルタ２２を備えているが、液晶ディスプレイ２０をモノ
クロ専用に使用するときは、液晶ディスプレイ２０がカ
ラーフィルタ２２を備えていることは必要ではない。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば、低コストで、かつ、簡
易なプロセスによって、温度にかかわらず、水素分圧を
一定に維持することのできる水素供給源および水素供給
方法ならびに低コスト、かつ、軽量であり、簡易なプロ
セスにより、温度にかかわらず、水素分圧を一定に維持
することのできる水素供給装置ならびに低コスト、か
つ、軽量であり、簡易なプロセスにより、温度にかかわ
らず、水素分圧を一定に維持することのできる水素供給
装置を用いた液晶ディスプレイを提供することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる水
素供給源の一部破断略斜視図である。
【図２】図２は、フラーレン（Ｃ６０）の略斜視図であ
る。
【図３】図３は、水素化フラーレン（Ｃ６０Ｈ３６）の
略斜視図である。
【図４】図４は、水素化フラーレン（Ｃ６０Ｈ３６）の
マススペクトルである。
【図５】図５は、アルゴン雰囲気下で、水素化フラーレ
ン（Ｃ６０Ｈ３６）を加熱したときの質量変化を示すグ
ラフである。
【図６】図６は、本発明の好ましい実施態様にかかる水
素供給装置のブロックダイアグラムである。
【図７】図７は、本発明の別の好ましい実施態様にかか
る水素供給源の略縦断面図である。
【図８】図８は、本発明の他の好ましい実施態様にかか
る水素供給源の略縦断面図である。
【図９】図９は、本発明の他の好ましい実施態様にかか
る液晶ディスプレイの内部構造を示す略斜視図である。
【図１０】図１０は、バックライト、偏光板および基板
を取り去った液晶ディスプレイの略背面図である。
【符号の説明】
１ 水素供給源 ２ 水素化フラーレンの混合物 ３ 抵抗加熱ヒータ ５ 水素供給装置 ６ 電源 ７ 容器 ８ 水素センサ ９ コントローラ １０ 高周波誘導コイル １１ 高周波誘導加熱手段 １２ 赤外線ランプ ２０ 液晶ディスプレイ ２１ 偏光板 ２２ カラーフィルタ ２３ 信号電極 ２４ 液晶板 ２５ 誘電体層 ２６ 隔壁 ２７ カソード ２８ アノード ２９ 基板 ３０ 偏光板 ３１ バックライト ３２ プラズマスイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 HA36 QA12 TA12 TA15 TA18 2H093 NA20 NE10 4G040 BA03 BB03 4G046 CA00 CB01 CB08 CC02 CC09

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 加熱により水素のみを発生する炭化水素
    材料と前記炭化水素材料を加熱する加熱手段を備えたこ
    とを特徴とする水素供給源。
  2. 【請求項２】 前記炭化水素材料が、酸素を含まない雰
    囲気下で、加熱により水素のみを発生する炭化水素材料
    によって構成されたことを特徴とする請求項１に記載の
    水素供給源。
  3. 【請求項３】 前記炭化水素材料が、不活性ガス雰囲気
    下で、加熱により水素のみを発生する炭化水素材料によ
    って構成されたことを特徴とする請求項１または２に記
    載の水素供給源。
  4. 【請求項４】 前記炭化水素材料が、大気圧よりも低い
    圧力下で、加熱により水素のみを発生する炭化水素材料
    によって構成されたことを特徴とする請求項１ないし３
    のいずれか１項に記載の水素供給源。
  5. 【請求項５】 前記炭化水素材料が、フラーレンおよび
    アルカリ金属ドープのカーボンナノチューブよりなる群
    から選ばれる炭素同位体に水素を添加して得られた炭化
    水素材料によって構成されたことを特徴とする請求項１
    ないし４のいずれか１項に記載の水素供給源。
  6. 【請求項６】 前記炭化水素材料が、同種または異種の
    水素化フラーレンの混合物によって構成されたことを特
    徴とする請求項５に記載の水素供給源。
  7. 【請求項７】 前記炭化水素材料が、同種または異種の
    アルカリ金属ドープの水素化カーボンナノチューブの混
    合物によって構成されたことを特徴とする請求項５に記
    載の水素供給源。
  8. 【請求項８】 前記炭化水素材料が、同種または異種の
    水素化フラーレンの混合物と同種または異種のアルカリ
    金属ドープの水素化カーボンナノチューブの混合物との
    混合物によって構成されたことを特徴とする請求項５に
    記載の水素供給源。
  9. 【請求項９】 前記加熱手段が、抵抗加熱手段によって
    構成されたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれ
    か１項に記載の水素供給源。
  10. 【請求項１０】 前記加熱手段が、高周波加熱手段によ
    って構成されたことを特徴とする請求項１ないし８のい
    ずれか１項に記載の水素供給源。
  11. 【請求項１１】 前記加熱手段が、赤外線ランプヒータ
    によって構成されたことを特徴とする請求項１ないし８
    のいずれか１項に記載の水素供給源。
  12. 【請求項１２】 前記加熱手段が、レーザ光源によって
    構成されたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれ
    か１項に記載の水素供給源。
  13. 【請求項１３】 加熱により水素のみを発生する炭化水
    素材料を加熱して、水素供給量を制御することを特徴と
    する水素供給方法。
  14. 【請求項１４】 前記炭化水素材料を、一定温度で加熱
    し、加熱時間を制御することによって、水素供給量を制
    御することを特徴とする請求項１３に記載の水素供給方
    法。
  15. 【請求項１５】 炭化水素材料を、一定時間にわたり加
    熱し、加熱温度を制御することによって、水素供給量を
    制御することを特徴とする請求項１３に記載の水素供給
    方法。
  16. 【請求項１６】 前記炭化水素材料が、フラーレンおよ
    びアルカリ金属ドープのカーボンナノチューブよりなる
    群から選ばれる炭素同位体に水素を添加して得られた炭
    化水素材料によって構成されたことを特徴とする請求項
    １３ないし１５に記載の水素供給方法。
  17. 【請求項１７】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    の水素化フラーレンの混合物によって構成されたことを
    特徴とする請求項１６に記載の水素供給方法。
  18. 【請求項１８】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    のアルカリ金属ドープの水素化カーボンナノチューブの
    混合物によって構成されたことを特徴とする請求項１６
    に記載の水素供給方法。
  19. 【請求項１９】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    の水素化フラーレンの混合物と同種または異種のアルカ
    リ金属ドープの水素化カーボンナノチューブの混合物と
    の混合物によって構成されたことを特徴とする請求項１
    ６に記載の水素供給方法。
  20. 【請求項２０】 加熱により水素のみを発生する炭化水
    素材料と、前記炭化水素材料を加熱する加熱手段と、水
    素分圧を検出する水素センサと、前記水素センサが検出
    した水素分圧に基づき、前記加熱手段を制御する制御手
    段を備えたことを特徴とする水素供給装置。
  21. 【請求項２１】 前記炭化水素材料が、フラーレンおよ
    びアルカリ金属ドープのカーボンナノチューブよりなる
    群から選ばれる炭素同位体に水素を添加して得られた炭
    化水素材料によって構成されたことを特徴とする請求項
    ２０に記載の水素供給装置。
  22. 【請求項２２】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    の水素化フラーレンの混合物によって構成されたことを
    特徴とする請求項２１に記載の水素供給装置。
  23. 【請求項２３】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    のアルカリ金属ドープの水素化カーボンナノチューブの
    混合物によって構成されたことを特徴とする請求項２１
    に記載の水素供給装置。
  24. 【請求項２４】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    の水素化フラーレンの混合物と同種または異種のアルカ
    リ金属ドープの水素化カーボンナノチューブの混合物と
    の混合物によって構成されたことを特徴とする請求項２
    １に記載の水素供給装置。
  25. 【請求項２５】 前記加熱手段が、抵抗加熱手段によっ
    て構成されたことを特徴とする請求項２０ないし２４に
    記載の水素供給装置。
  26. 【請求項２６】 前記加熱手段が、高周波加熱手段によ
    って構成されされたことを特徴とする請求項２０ないし
    ２４に記載の水素供給装置。
  27. 【請求項２７】 前記加熱手段が、赤外線ランプヒータ
    によって構成されたことを特徴とする請求項２０ないし
    ２４に記載の水素供給装置。
  28. 【請求項２８】 前記加熱手段が、レーザ光源によって
    構成されたことを特徴とする請求項２０ないし２４に記
    載の水素供給装置。
  29. 【請求項２９】 偏光板と、信号電極と、液晶板と、誘
    電体層、隔壁、カソードとアノードを備えた基板および
    偏光板を備えたプラズマスイッチと、バックライトと
    を、この順に備えた液晶ディスプレイであって、前記プ
    ラズマスイッチの前記誘電体層と前記基板との間に形成
    された閉空間内に、加熱により水素のみを発生する炭化
    水素材料と、前記炭化水素材料を加熱する加熱手段と、
    水素分圧を検出する水素センサとを備え、さらに、前記
    水素センサが検出した水素分圧に基づいて、前記加熱手
    段を制御する制御手段を備えたことを特徴とする液晶デ
    ィスプレイ。
  30. 【請求項３０】 前記偏光板と前記信号電極との間に、
    さらに、カラーフィルタを備えたことを特徴とする請求
    項２９に記載の液晶ディスプレイ。
  31. 【請求項３１】 前記炭化水素材料が、フラーレンおよ
    びアルカリ金属ドープのカーボンナノチューブよりなる
    群から選ばれる炭素同位体に水素を添加して得られた炭
    化水素材料によって構成されたことを特徴とする請求項
    ２９または３０に記載の液晶ディスプレイ。
  32. 【請求項３２】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    の水素化フラーレンの混合物によって構成されたことを
    特徴とする請求項３１に記載の液晶ディスプレイ。
  33. 【請求項３３】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    のアルカリ金属ドープの水素化カーボンナノチューブの
    混合物によって構成されたことを特徴とする請求項３１
    に記載の液晶ディスプレイ。
  34. 【請求項３４】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    のアルカリ金属ドープの水素化カーボンナノチューブの
    混合物によって構成されたことを特徴とする請求項３１
    に記載の液晶ディスプレイ。
  35. 【請求項３５】 前記炭化水素材料が、同種または異種
    の水素化フラーレンの混合物と同種または異種のアルカ
    リ金属ドープの水素化カーボンナノチューブの混合物と
    の混合物によって構成されたことを特徴とする請求項３
    １に記載の液晶ディスプレイ。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003034514A (ja) * 2001-07-17 2003-02-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 同位体比率を制御した炭素材料及びその製造方法
JP2004189722A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Mitsubishi Chemicals Corp 水素化フラーレンの精製方法及びその方法により得られる水素化フラーレン
JP2006035174A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Toyota Motor Corp 水素吸蔵物及びその製造と利用
CN107253698A (zh) * 2017-07-01 2017-10-17 北京石油化工学院 一种等离子体制氢的方法

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