JP2001113500A5 - - Google Patents

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JP2001113500A5
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【0007】
本発明においては、有機系のスペーサの代わりに無機系のスペーサを採用するようにしている。すなわち、本発明の製造方法は、集積回路の形成された半導体基板の上に、少なくとも1つの無機系の素材からなる犠牲層を挟み、あるいはパターニングして、少なくとも1つの構造層を形成する工程と、犠牲層を除去する工程とを有することを特徴としており、これらの工程を有する製造方法により、半導体基板上に構造物を有する装置を製造するようにしている。無機系の犠牲層であれば、半導体基板上の構造物となる構造層の少なくとも1つを有機系の素材からなるものにしても、その有機系の構造層に影響を与え、あるいは侵食することなく犠牲層をエッチングなどにより除去できる条件を容易に設定できる。したがって、本発明の製造方法により、半導体基板上に樹脂からなる構造物、あるいは樹脂と他の素材あるいは部材が組み合わされた構造物を形成した複合デバイスを実際に製造することが可能となる。また、有機材料の構造層を光学素子として機能させることが可能となり、本願出願人が開発した光スイッチング素子、あるいは空間光変調装置を実際に量産することが可能となる。

Claims (8)

  1. 集積回路の形成された半導体基板の上に、少なくとも1つの無機系の素材からなる犠牲層を挟み、あるいはパターニングして、少なくとも1つの有機系素材からなる構造層を形成する工程と、
    前記犠牲層を除去する工程とを有する、半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法。
  2. 請求項1において、前記有機系の構造層は光学素子として機能する、半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法。
  3. 請求項1において、前記半導体基板は酸化物あるいは窒化物の層が最上面に形成されており、前記犠牲層はアモルファスシリコンからなることを特徴とする、半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法。
  4. 請求項3において、前記半導体基板はCMOS基板である、半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法。
  5. 請求項1において、前記構造層の少なくとも1部によりアクチュエータを形成する、半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法。
  6. 請求項5において、前記アクチュエータは静電アクチュエータであり、前記構造層の他の1部により該アクチュエータにより駆動される有機系の素材からなる被駆動部を形成する、半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法。
  7. 請求項6において、前記被駆動部が光学素子として機能する、半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法。
  8. 請求項7において、前記半導体基板上に構造物を有する装置は、光スイッチングデバイス、映像デバイス、表示装置またはこれらを構成する部品であることを特徴とする、半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法。
JP29283799A 1999-10-14 1999-10-14 半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法 Withdrawn JP2001113500A (ja)

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