JP2001110975A - 半導体装置とその複合体、半導体装置の製造方法、回路基板、電子機器 - Google Patents

半導体装置とその複合体、半導体装置の製造方法、回路基板、電子機器

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JP2001110975A
JP2001110975A JP29162499A JP29162499A JP2001110975A JP 2001110975 A JP2001110975 A JP 2001110975A JP 29162499 A JP29162499 A JP 29162499A JP 29162499 A JP29162499 A JP 29162499A JP 2001110975 A JP2001110975 A JP 2001110975A
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昭仁 津田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フレキシブル基板上に配置した配線パターン
の断線を防止して高密度に実装可能な半導体装置及びそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 フレキシブル基板に複数の半導体チップ
を配置して、前記フレキシブル基板を渦巻き状に巻いて
多層化し、前記フレキシブル基板の層間を接着部材にて
接着した構成とした。このため、フレキシブル基板に一
定の屈曲角度を確保させることができ、屈曲角度が18
0度近くになることはない。従って、フレキシブル基板
上の配線パターンにかかる負荷を低減することができ、
配線パターンの断線を防止することができる。またこの
ような半導体装置においては、実装基板に接続する電極
部(例えば半田ボール)と半導体チップとをフレキシブ
ル基板の同一面上に配置することが好ましい。同一面上
に一度に配置することで処理の手間を低減できるからで
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法、回路基板、電子機器に関し、特に複数の半導
体チップを1つの基板に配置して実装するMCM(Mu
lti ChipModule)である半導体装置及び
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の小型化、高機能化に伴う回
路規模の増大や高速化、LSIの大規模化に対応するた
めに、複数の半導体チップを一つの基板に配置して実装
したMCM技術が開発されている。このMCM技術によ
り複数の半導体チップを有した半導体装置が製造されて
いる。以下、従来の代表的な半導体装置について図7を
用いて説明する。
【0003】図7(a)は従来の半導体装置1の平面
図、図7(b)は断面図である。図7(a)に示すよう
に前記半導体装置1のフレキシブル基板3は長方形状で
あり、当該フレキシブル基板3の長手方向に一定間隔を
有して複数の半導体チップ2が配置されている。それぞ
れの半導体チップ2は、フレキシブル基板3上に配置さ
れた配線パターン4により電気的接続がなされている。
そして、フレキシブル基板3の一端部側には半田ボール
7が配置され、隣接する半導体チップ2と配線パターン
4により接続されている。
【0004】上記のように半導体チップ2が配置された
フレキシブル基板3を、図7(b)に示すように半導体
チップ2が対向するように交互に屈曲させて、多層構造
とする。そして、前記フレキシブル基板3の層間を接着
部材5にて接着して、上記形状を保持する。それから、
前記フレキシブル基板3を実装基板6上に配置して、半
田ボール7により電気的接続を行わせ、半導体装置1と
するのである。
【0005】従来は以上のようにして半導体装置1の製
造を行っていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置においては、以下のような問題があった。図8は、
従来の半導体装置の問題点を示す説明図である。従来の
半導体装置1においては、フレキシブル基板3を屈曲さ
せるときに、半導体チップ2が対向するように屈曲させ
ていたため、屈曲角度8が非常に大きくなっていた(ほ
ぼ180度)。このため、図8に示したようにフレキシ
ブル基板3の屈曲部分に配置した配線パターン4に過大
な負荷が生じてしまい、配線パターン4が屈曲部分にて
断線箇所9を生じることがあった。このように配線パタ
ーン4が断線すると、半導体装置1としての機能が発揮
できないため、半導体装置の製造上大きな問題となって
いた。
【0007】また、上記したように半導体装置は、一つ
の基板上に複数の半導体チップを有しているため、処理
効率を向上させることができる。しかし、さらに半導体
装置の小型化、高機能化を行うために、新たな半導体装
置の実装方式が求められていた。
【0008】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、フレキシブル基板上に配置した
配線パターンの断線を防止して高密度に実装可能な半導
体装置及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
【0009】また、本発明は、半導体装置の高性能化を
図ることができる半導体装置の複合体を提供することも
目的としている。
【0010】また、本発明は、上記半導体装置またはそ
の複合体を用いて、回路基板、電子機器の小型化、高機
能化を図ることも目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置においては、フレキシブル
基板に複数の半導体チップを配置して、前記フレキシブ
ル基板を渦巻き状に巻いて多層化し、前記フレキシブル
基板の層間を接着部材にて接着した構成とした。前記渦
巻き形状には、曲率半径を漸次大きくした渦巻き曲線の
形状や、多角形状に屈曲させて渦巻きを形成させた形状
とすることができる。
【0012】前記フレキシブル基板の渦巻き形状を渦巻
き曲線状にした場合には、フレキシブル基板を漸次湾曲
させて曲率半径を大きくしている。このため、屈曲箇所
が無く、フレキシブル基板上に配置した配線パターンの
応力が全体的に緩和されて、断線を防止することができ
る。
【0013】前記フレキシブル基板の渦巻き形状を多角
形状にした場合には、屈曲箇所の角度を一定内に保持さ
せることができる。このため、フレキシブル基板上の配
線パターンにかかる応力を一定内に収めることができ
る。従って、応力過剰による配線パターンの断線を防止
することができる。
【0014】前記半導体装置の外形部を3角形状、4角
形状、6角形状のいずれかとすることができる。上記形
状の半導体装置においては、それぞれ半導体装置間に隙
間なく実装することができる。このため、実装空間を密
に充填することができ、半導体装置の実装密度を高める
ことができる。
【0015】なお、このような半導体装置においては、
実装基板に接続する電極部(例えば半田ボール)と半導
体チップとをフレキシブル基板の同一面上に配置するこ
とが好ましい。同一面上に一度に配置することで処理の
手間を低減できるからである。
【0016】本発明に係る半導体装置の製造方法におい
ては、複数の半導体チップを配置したフレキシブル基板
を、予め定めた半導体チップ間隔において渦巻き形状に
巻いて多層化し、前記フレキシブル基板の層間を接着部
材にて接着した構成とした。このように、複数の半導体
チップの間において屈曲させるため、半導体チップに余
計な応力がかからず、半導体チップに破損を生じるおそ
れがない。また、前記半導体チップの間隔は、出来るだ
け小さくすることが実装面積の観点から望ましい。ま
た、前記フレキシブル基板に同一形状の半導体チップを
一定間隔で配置しておくことがのぞましい。同一形状の
半導体チップを実装させることができるため、大量生産
を行うのに好適に用いることができる。
【0017】本発明に係る半導体装置の複合体について
は、本発明に係る半導体装置の複数を電気的に接続して
実装基板上に複合配置した構成とした。これにより、半
導体装置の高性能化、多機能化を図ることができる。
【0018】また、前記半導体装置の外形部を多角形状
にすることができる。このため、半導体装置の製造処理
が容易となり、複合体の製造処理を容易とすることがで
きる。
【0019】前記半導体装置の外形部を3角形状、4角
形状、6角形状のいずれかとすることができる。これに
より、複合体を構成する半導体装置どうしを隙間なく密
に配置することができる。従って、実装密度の大きな半
導体装置の複合体とすることができる。
【0020】本発明に係る回路基板においては、前記半
導体装置を実装した構成とした。また、本発明に係る電
子機器においては、前記回路基板を搭載した構成とし
た。このため、それぞれの高機能化、小型化等を図るこ
とができる。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を添付した図面
に従って詳細に説明する。図1は本発明の第1実施形態
におけるMCMである半導体装置20の説明図である。
本実施形態における、フレキシブル基板26に複数の半
導体チップ24を配置して、前記フレキシブル基板26
を渦巻き状に巻いて多層化し、前記フレキシブル基板2
6の層間を接着部材30にて接着した半導体装置20に
ついて説明する。また、本実施形態においては、フレキ
シブル基板26を渦巻き曲線状に形成させた場合につい
て説明する。
【0022】本発明の第1実施形態における半導体装置
20について図1を用いて説明する。図1(a)、図1
(b)はそれぞれ本実施形態における半導体装置20の
平面図、断面図である。図1(a)に示すように、半導
体装置20のフレキシブル基板26は細長の長方形状を
なしており、屈曲可能な可撓性を有している。前記フレ
キシブル基板26の材料には、ポリイミド等の樹脂を好
ましく用いることができる。
【0023】前記フレキシブル基板26上の長手方向に
は、前記フレキシブル基板26の基端側より複数の半導
体チップ24を配置している。本実施形態においては、
半導体チップ24の形状を同一としており、隣接する半
導体チップ24との間隔をそれぞれ等しくしている。こ
のため、フレキシブル基板26上に半導体チップ24を
配置する際に、大量生産に好適に用いることができる。
また、半導体チップ24としては、実装密度を高める観
点から、携帯電話等で使用する細長形状のものを好まし
く用いることができる。
【0024】また、それぞれの半導体チップ24は配線
パターン28により接続され、当該配線パターン28に
より半導体チップ24の電気的導通がなされている。前
記配線パターン28の材料としては、導電性金属の銅な
どが好ましく用いられる。
【0025】前記フレキシブル基板26の先端部には、
後述する実装基板32と電気的に接続される半田ボール
34が設けられ、隣接する半導体チップ24に配線パタ
ーン28を介して接続されている。このようにして、フ
レキシブル基板26上の半導体チップ24の電気的導通
がなされている。また、本実施形態においては、フレキ
シブル基板26の同一面上に半導体チップ24や半田ボ
ール34を形成している。このため、フレキシブル基板
26の両面に形成させる場合に比して、製造処理を容易
にすることができる。なお、フレキシブル基板26上の
半田ボール34を配置した箇所には電極端子が設けられ
ている。
【0026】本実施形態における半導体装置20の製造
方法について図1(b)を用いて説明する。本実施形態
においては、前記フレキシブル基板26上に接着部材3
0を塗布し、図1(b)に示すようにフレキシブル基板
26を渦巻き曲線形状に湾曲する。本実施形態において
は、図1(b)に示すようにフレキシブル基板26を円
柱形状の心材(図示せず)に巻き付けるように、曲率半
径を漸次大きくして湾曲させ、多層構造を形成させる。
本実施形態においては、半導体チップ24が外向きとな
るようにフレキシブル基板26を湾曲させて、フレキシ
ブル基板26の半田バンプ34を配置した部分を底面部
としている。ここで、上記した接着部材30がフレキシ
ブル基板26の層間に配置して、当該接着部材30によ
り半導体装置20形状を固定保持させることができる。
前記接着部材30としては、エポキシ系の樹脂を好まし
く用いることができる。
【0027】本実施形態においては、上記したようにフ
レキシブル基板26を渦巻き曲線形状に湾曲させてい
る。従って本実施形態における半導体装置20において
は、フレキシブル基板26は全体として屈曲箇所が無い
ため、フレキシブル基板26上に配置される配線パター
ン28にかかる応力が緩和され、配線パターン28が断
線し半導体装置20の機能を損なうといった事態を防止
することができる。
【0028】次に、本発明の半導体装置20の第2実施
形態について図2を用いて説明する。なお、以下前実施
形態と同様の部分には、同一の番号を付してその説明を
省略する。図2(a)は、本発明の第2実施形態におけ
る半導体装置20の展開断面図である。本実施形態にお
いては、フレキシブル基板26上に配置する半導体チッ
プ24の大きさを基端側から先端側に従って大きくして
いき、半田ボール34に隣接する半導体チップ24の大
きさを最大としている。
【0029】そして、図2(b)に示すように半田ボー
ル34を配置したフレキシブル基板26の部分を半導体
装置20の下面とし、フレキシブル基板26を半導体チ
ップ24間にて屈曲させて、外形部が三角形状の半導体
装置20を形成させている。このため、半導体装置20
を形成したフレキシブル基板26の各層に配置した半導
体チップ24の占有率を高めることができ、実装密度を
向上させることができる。本実施形態においては、フレ
キシブル基板26の渦巻き形状を多角形状としている。
このため、フレキシブル基板26における屈曲角度を一
定角度以内に収めることができ、フレキシブル基板26
上の配線パターン28にかかる応力を一定以内に収める
ことができる。このため、配線パターン28の応力過剰
による断線の発生を防止することができる。本実施形態
においては、外形が3角形状のものについて説明した
が、これに限らず4角形状や6角形状にものを用いても
よい。本実施形態においては、フレキシブル基板26の
基端側から半導体チップ24の大きさを大きくしていっ
た形状としたが、半導体装置20を形成するフレキシブ
ル基板26の各層の大きさに応じて半導体チップ24の
大きさを調整することができる。例えば、断面長方形状
の半導体装置20の場合、長手方向に形成する半導体チ
ップ24の大きさは、他の半導体チップ24の大きさよ
り大きくなる。
【0030】図3は、本発明の第3実施形態における半
導体装置20の説明図である。図3(a)は本実施形態
における半導体装置20の展開断面図、図3(b)は本
実施形態における断面図である。本実施形態において
は、図3(a)に示すようにフレキシブル基板26上に
配置する半導体チップ24の大きさを同一とし、隣接す
る半導体チップ24の間隔も同一としている。そして、
前記フレキシブル基板26を同じ大きさの半導体チップ
24をフレキシブル基板26に巻き付けて3角形状にす
るものである。本実施形態においては、フレキシブル基
板26を所定の半導体チップ24間隔において屈曲させ
て、3角形状の半導体装置20を形成させている。本実
施形態においては、同一形状の半導体チップ24を用い
ることができるため、大量生産に好適に用いることがで
きる。また、本実施形態においては、3角形状の半導体
装置について説明したが、これに限らず4角形状、6角
形状など他の多角形状においても用いることができる。
フレキシブル基板26のいずれかの部位において他より
も大きい半導体チップ24を設けてもよい。
【0031】また、以上の第1から第3実施形態におけ
る半導体装置の製造方法において、は、フレキシブル基
板26を半導体チップ24間の部分にて屈曲もしくは湾
曲するため、半導体チップに余計な応力がかからず、半
導体チップに破損を生じるおそれがない。
【0032】本発明の半導体装置の複合体22につい
て、図2(c)を用いて説明する。図2(c)は、前記
3角形状の半導体装置20により形成した複合体22の
説明図である。本実施形態においては、実装基板32に
一定間隔で配置した半導体装置20を組み合わせて、半
導体装置20の複合体22となしている。本実施形態に
おいては、半導体装置20の外形を3角形状としている
ため、半導体装置20を隙間なく複合配置することがで
きる。従って、実装面積の高い半導体装置の複合体22
を形成することができるため、従来に比して高性能、高
機能な半導体装置の複合体とすることができる。なお、
本実施形態においては、複合配置する半導体装置の外形
が3角形状の場合を説明したが、隙間なく半導体装置を
実装することができる形状である4角形状や6角形状の
半導体装置にて複合配置してもよい。
【0033】また、図4には、本発明の実施の形態に係
る半導体装置20を実装した回路基板1000を示して
いる。回路基板1000には、例えばガラスエポキシ基
板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基
板1000には、例えば銅からなるボンディング部が所
望の回路となるように形成されている。そして、ボンデ
ィング部と半導体装置20の外部電極とを機械的に接続
することでそれらの電気的導通が図られる。
【0034】なお、半導体装置20は、実装面積をベア
半導体チップにて実装する面積にまで小さくすることが
できるので、この回路基板1000を電子機器に用いれ
ば電気機器自体の小型化が図れる。また、同一面積内に
おいては、より実装スペースを確保することができ、高
機能化を図ることも可能である。
【0035】そして、この回路基板1000を備える電
子機器として、図5にノート型パーソナルコンピュータ
1200を示している。前記ノート型パーソナルコンピ
ュータ1200は、高機能化を図った回路基板1000
を備えているため、性能を向上させることができる。な
お、回路基板1000を備える電子機器としては上記し
たノート型パーソナルコンピュータ1200に限らず、
例えば図6に示した携帯電話1300を好ましく用いる
ことができる。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明における半
導体装置においては、フレキシブル基板上に配置した配
線パターンにかかる負荷を一定以内にすることができ、
配線パターンの応力過剰による断線を防止することがで
きる。
【0037】本発明における半導体装置の製造方法にお
いては、フレキシブル基板を半導体チップ間にて屈曲さ
せるため、半導体チップに負荷をかけることなく半導体
装置を製造することができる。
【0038】本発明の半導体装置の複合体においては、
本発明に係る半導体装置を複合配置することにより、高
性能、多機能な半導体装置の複合体とすることができ
る。
【0039】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態における半導体装置の説
明図である。
【図2】本発明の第2実施形態における半導体装置及び
半導体装置の説明図である。
【図3】本発明における半導体装置の製造方法を示す説
明図である。
【図4】本発明における半導体装置を実装した回路基板
の説明図である。
【図5】本発明における半導体装置を備えたノート型パ
ーソナルコンピュータの説明図である。
【図6】本発明における半導体装置を備えた携帯電話の
説明図である。
【図7】従来における半導体装置の説明図である。
【図8】従来における半導体装置の問題点を示す説明図
である。
【符号の説明】
1 半導体装置 2 半導体チップ 3 フレキシブル基板 4 配線パターン 5 樹脂 6 実装基板 7 半田ボール 8 屈曲角度 9 断線部 20 半導体装置 22 半導体装置の複合体 24 半導体チップ 26 フレキシブル基板 28 配線パターン 30 樹脂 32 実装基板 34 半田ボール 1000 回路基板 1200 パーソナルコンピュータ 1300 携帯電話

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フレキシブル基板に複数の半導体チップ
    を配置して、前記フレキシブル基板を渦巻き状に巻いて
    多層化し、前記フレキシブル基板の層間を接着部材にて
    接着したことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記フレキシブル基板の渦巻き形状を多
    角形状にしたことを特徴とする請求項1に記載の半導体
    装置。
  3. 【請求項3】 前記半導体装置の外形部を3角形状、4
    角形状、6角形状のいずれかとしたことを特徴とする請
    求項1または2に記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 複数の半導体チップを配置したフレキシ
    ブル基板を、予め定めた半導体チップ間隔において渦巻
    き形状に巻いて多層化し、前記フレキシブル基板の層間
    を接着部材にて接着したことを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし3のいずれかに記載の半
    導体装置の複数を電気的に接続して、実装基板上に複合
    配置して一体化したことを特徴とする半導体装置の複合
    体。
  6. 【請求項6】 前記半導体装置の外形部を多角形状にし
    たことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の複合
    体。
  7. 【請求項7】 前記半導体装置の外形部を3角形状、4
    角形状、6角形状のいずれかとしたことを特徴とする請
    求項5または6に記載の半導体装置の複合体。
  8. 【請求項8】 請求項1ないし3のいずれかに記載の半
    導体装置、または請求項5ないし7のいずかに記載の半
    導体装置の複合体、のいずれかを実装したことを特徴と
    する回路基板。
  9. 【請求項9】 請求項8に記載の回路基板を搭載したこ
    とを特徴とする電子機器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7815226B2 (en) 2001-02-06 2010-10-19 Swagelok Company Fitting for metal pipe and tubing
JP5382229B1 (ja) * 2011-12-09 2014-01-08 トヨタ自動車株式会社 電動パワーステアリング装置
WO2021199341A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 太陽誘電株式会社 部品モジュール

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7815226B2 (en) 2001-02-06 2010-10-19 Swagelok Company Fitting for metal pipe and tubing
JP5382229B1 (ja) * 2011-12-09 2014-01-08 トヨタ自動車株式会社 電動パワーステアリング装置
WO2021199341A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 太陽誘電株式会社 部品モジュール

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