JP2001108954A - Heating device for glass substrate for liquid crystal display board - Google Patents
Heating device for glass substrate for liquid crystal display boardInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【技術分野】本発明は，液晶表示板の製造工程において
上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持すると共に
加熱するための加熱装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heating apparatus for supporting and heating a glass substrate constituting a liquid crystal display panel in a process of manufacturing the liquid crystal display panel.
【０００２】[0002]
【従来技術】液晶表示板はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
を形成したガラス基板とカラーフィルタを形成したガラ
ス基板とを貼り合せることにより製造する。上記ガラス
基板（ＴＦＴ側基板）にＴＦＴを形成する際には，プラ
ズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用いる。例え
ば，上記プラズマＣＶＤ装置によって，シリコン窒化
膜，シリコン酸化膜，シリコンオキシナイトライド膜等
からなる絶縁膜や，アモルファスシリコン，Ｐドープア
モルファスシリコン等からなる半導体層を形成する。2. Description of the Related Art A liquid crystal display panel is a TFT (thin film transistor).
It is manufactured by laminating a glass substrate on which a color filter is formed and a glass substrate on which a color filter is formed. When a TFT is formed on the glass substrate (TFT side substrate), a plasma CVD device or a sputtering device is used. For example, an insulating film made of a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, or the like, or a semiconductor layer made of amorphous silicon, P-doped amorphous silicon, or the like is formed by the plasma CVD apparatus.
【０００３】また，上記スパッタリング装置により，Ａ
ｌ，Ｍｏ，Ｔａ等の金属膜からなる導体配線や，ゲート
電極，ソース電極，ドレイン電極，或いはＩＴＯ膜等か
らなる透明電極層を形成する。また，上記ガラス基板
（カラーフィルタ側基板）にカラーフィルタを形成する
際にも，プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用
いる。例えば，上記スパッタリング装置により，Ｃｒ／
ＣｒＯX膜等からなるブラックマトリックスや，ＩＴＯ
膜等からなる透明電極層を形成する。更に，上記ＴＦＴ
側基板とカラーフィルタ側基板を貼り合せる際には，貼
り合せ装置を用いる。即ち，該貼り合せ装置により，上
記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを貼り合せ，
加圧，加熱することにより，所定の間隔をもって両者を
接合する。[0003] In addition, A
A conductor wiring made of a metal film such as l, Mo, Ta, etc., and a transparent electrode layer made of a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, an ITO film or the like are formed. Also, when forming a color filter on the glass substrate (color filter side substrate), a plasma CVD apparatus or a sputtering apparatus is used. For example, Cr /
And a black matrix consisting of CrO X film or the like, ITO
A transparent electrode layer made of a film or the like is formed. Furthermore, the above TFT
When bonding the side substrate and the color filter side substrate, a bonding apparatus is used. That is, the TFT side substrate and the color filter side substrate are bonded by the bonding device.
By pressing and heating, the two are joined at a predetermined interval.
【０００４】ところで，上記スパッタリング装置，プラ
ズマＣＶＤ装置，及び貼り合せ装置には，上記ガラス基
板を支持すると共に加熱する加熱装置が配設されている
（図４〜図６参照）。該加熱装置は，ガラス基板を支持
するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させ
ることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段
とを有する。[0004] A heating device that supports and heats the glass substrate is provided in the sputtering device, the plasma CVD device, and the bonding device (see FIGS. 4 to 6). The heating device has a support plate for supporting the glass substrate, and a heating means for heating the glass substrate by causing the support plate to generate heat.
【０００５】例えば，上記貼り合せ装置には，一対の定
盤が配設されており，該一対の定盤によって上記ＴＦＴ
側基板とカラーフィルタ側基板をそれぞれ支持して貼り
合せ，その両面から加圧すると共に加熱する。これによ
り，両者を接合する。以上のごとく，液晶表示板の製造
工程において使用される各装置には，ガラス基板を加熱
するための加熱装置が設けてある。[0005] For example, the bonding apparatus is provided with a pair of surface plates, and the pair of surface plates provide the TFT.
The side substrate and the color filter side substrate are respectively supported and bonded, and both sides are pressed and heated. Thereby, both are joined. As described above, each device used in the manufacturing process of the liquid crystal display panel is provided with a heating device for heating the glass substrate.
【０００６】[0006]
【解決しようとする課題】しかしながら，上記従来の液
晶表示板用のガラス基板の加熱装置には，以下の問題が
ある。即ち，上記加熱装置の支持プレートは，ステンレ
ス鋼，アルミニウム，鉄等の金属からなる。金属は熱膨
張率が大きいため，上記支持プレートを発熱させると，
歪みが生じるおそれがある。そのため，上記支持プレー
トに支持されたガラス基板に反りが発生するおそれがあ
る。However, the above-described conventional glass substrate heating apparatus for a liquid crystal display panel has the following problems. That is, the support plate of the heating device is made of a metal such as stainless steel, aluminum, and iron. Since metal has a large coefficient of thermal expansion, when the above support plate is heated,
Distortion may occur. Therefore, the glass substrate supported by the support plate may be warped.
【０００７】また，反った状態のガラス基板に成膜され
ると，ガラス基板表面における位置によって膜厚が不均
一となるおそれがある。また，歪みの生じた支持プレー
トによって押圧された一対のガラス基板は，その押圧力
が不均一となり，ガラス基板間のスペースの厚みが不均
一となる。それ故，高品質の液晶表示板を得ることがで
きないおそれがある。When a film is formed on a warped glass substrate, the film thickness may become non-uniform depending on the position on the surface of the glass substrate. In addition, the pair of glass substrates pressed by the distorted support plate has uneven pressing force, and the thickness of the space between the glass substrates becomes uneven. Therefore, there is a possibility that a high quality liquid crystal display panel cannot be obtained.
【０００８】また，金属は比重が大きいため，特に大型
の液晶表示板製造用の支持プレートをプラズマＣＶＤ装
置等へ据え付ける際に，据え付け作業が困難となるとい
う問題もある。Further, since the metal has a large specific gravity, there is a problem that the installation work becomes difficult particularly when the support plate for manufacturing a large liquid crystal display panel is installed in a plasma CVD apparatus or the like.
【０００９】本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので，支持プレートに歪みを生ずることがな
く，かつ安価で軽量な，液晶表示板用のガラス基板の加
熱装置を提供しようとするものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an inexpensive and lightweight apparatus for heating a glass substrate for a liquid crystal display panel without causing distortion of a support plate. Is what you do.
【００１０】[0010]
【課題の解決手段】請求項１に記載の発明は，液晶表示
板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス
基板を支持するための支持プレートと，該支持プレート
を発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するため
の発熱手段とを有する加熱装置において，上記支持プレ
ートは，その一部又は全部がカーボン材料からなること
を特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置にあ
る。According to a first aspect of the present invention, in a manufacturing process of a liquid crystal display panel, a support plate for supporting a glass substrate constituting the liquid crystal display panel, and the glass plate is heated by causing the support plate to generate heat. In a heating apparatus having a heating means for heating a substrate, the support plate is partially or entirely made of a carbon material, and is a device for heating a glass substrate for a liquid crystal display panel.
【００１１】本発明において最も注目すべきことは，上
記支持プレートの一部又は全部がカーボン材料からなる
ことである。上記カーボン材料としては，例えば黒鉛質
のもの，炭素質のもの，或いはＣ／Ｃコンポジット（炭
素結合炭素繊維複合材料）等がある。また，上記発熱手
段としては，上記支持プレートに埋め込まれたニクロム
線等がある。また，上記液晶表示板を構成するガラス基
板としては，例えばその表面にＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）を形成するもの（ＴＦＴ側基板）や，カラーフィル
タを形成するもの（カラーフィルタ側基板）がある。What is most notable in the present invention is that part or all of the support plate is made of a carbon material. Examples of the carbon material include a graphite material, a carbon material, and a C / C composite (carbon-bonded carbon fiber composite material). The heat generating means includes a nichrome wire or the like embedded in the support plate. Examples of the glass substrate that constitutes the liquid crystal display panel include a substrate on which a TFT (thin film transistor) is formed (TFT side substrate) and a substrate on which a color filter is formed (color filter side substrate).
【００１２】次に，本発明の作用効果につき説明する。
本発明の加熱装置は，上記液晶表示板を製造する際の種
々の工程において，種々の装置に組み込まれて使用され
る。このとき，上記加熱装置は，上記支持プレートによ
り上記ガラス基板を支持する。そして，上記発熱手段を
発熱させ，その熱を上記支持プレートに伝える。これに
より，該支持プレートを発熱させ，該支持プレートに支
持されたガラス基板を加熱する。Next, the operation and effect of the present invention will be described.
The heating device of the present invention is used by being incorporated in various devices in various processes when manufacturing the liquid crystal display panel. At this time, the heating device supports the glass substrate with the support plate. Then, the heat generating means generates heat and transfers the heat to the support plate. As a result, the support plate is heated, and the glass substrate supported by the support plate is heated.
【００１３】ここで，上述のごとく，上記支持プレート
は，その一部又は全部がカーボン材料からなる。カーボ
ン材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレートを発
熱させて高温とした場合にも，熱膨張が殆ど起こらな
い。そのため，上記加熱装置は，上記支持プレートに歪
みを生ずるおそれがない。それ故，上記加熱装置により
上記ガラス基板を加熱しながら成膜したり貼り合せを行
なったりする際に，ガラス基板が反ったり，押圧力が不
均一となったりするおそれがない。また，上記支持プレ
ートからガラス基板への熱伝導を均一に行なうことがで
きる。従って，高品質の液晶表示板を製造することがで
きる。Here, as described above, the support plate is partially or entirely made of a carbon material. Since the carbon material has a small coefficient of thermal expansion, even when the support plate is heated to a high temperature, almost no thermal expansion occurs. Therefore, the heating device has no possibility of causing distortion in the support plate. Therefore, when film formation and bonding are performed while heating the glass substrate by the heating device, there is no possibility that the glass substrate warps or the pressing force becomes uneven. Further, heat conduction from the support plate to the glass substrate can be performed uniformly. Therefore, a high quality liquid crystal display panel can be manufactured.
【００１４】また，上記支持プレートはカーボン材料に
より形成されているため，加工が容易である。そのた
め，例えば上記ガラス基板の形状や寸法に容易に合せる
ことができるなど，所望の支持プレートを容易に製造す
ることができる。そのため，安価な加熱装置を得ること
ができる。Further, since the support plate is formed of a carbon material, it is easy to process. Therefore, a desired support plate can be easily manufactured, for example, it can be easily adjusted to the shape and dimensions of the glass substrate. Therefore, an inexpensive heating device can be obtained.
【００１５】また，上記支持プレートを構成するカーボ
ン材料は軽量であるため，軽量な加熱装置を得ることが
できる。それ故，例えば大型の液晶表示板用のガラス基
板を製造する際に必要な，大型の加熱装置の取扱い等が
容易となる。Further, since the carbon material constituting the support plate is lightweight, a lightweight heating device can be obtained. Therefore, for example, handling of a large-sized heating device necessary for manufacturing a glass substrate for a large-sized liquid crystal display panel becomes easy.
【００１６】以上のごとく，本発明によれば，支持プレ
ートに歪みを生ずることがなく，かつ安価で軽量な，液
晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供することがで
きる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide an inexpensive and lightweight apparatus for heating a glass substrate for a liquid crystal display panel without causing distortion of the support plate.
【００１７】次に，請求項２に記載の発明のように，上
記カーボン材料は，異方比が１．２５以下の等方性カー
ボンであることが好ましい。上記等方性カーボンは，例
えば静水圧加圧のラバープレス機を用いて得ることがで
きる。上記等方性カーボンは，機械的性質，熱的性質等
の諸特性がどの方向においても略一定である。そのた
め，上記支持プレートを作製する際の材料取りが効率的
に行なえる。Next, as in the second aspect of the present invention, the carbon material is preferably isotropic carbon having an anisotropic ratio of 1.25 or less. The above isotropic carbon can be obtained, for example, by using a rubber press machine under hydrostatic pressure. The above-mentioned isotropic carbon has substantially constant properties such as mechanical properties and thermal properties in any direction. Therefore, material can be efficiently removed when the support plate is manufactured.
【００１８】また，上記等方性カーボンは，緻密で強度
も高い。そのため，強度の高い支持プレートを有する加
熱装置を得ることができる。また，これにより，上記支
持プレートの薄板化，軽量化を図ることもできる。上記
カーボン材料の異方比，例えば曲げ強度や熱膨張係数の
異方比が１．２５を超える場合には，上記支持プレート
の強度が不充分となるおそれがある。また，熱特性のば
らつきが大きくなり，均一な加熱を行なうことが困難と
なるおそれがある。The isotropic carbon is dense and has high strength. Therefore, a heating device having a high-strength support plate can be obtained. This also makes it possible to reduce the thickness and weight of the support plate. If the anisotropic ratio of the carbon material, for example, the bending strength or the coefficient of thermal expansion, exceeds 1.25, the strength of the support plate may be insufficient. In addition, variations in thermal characteristics may increase, and it may be difficult to perform uniform heating.
【００１９】なお，上記異方比が１．２５とは，方向に
よって物性の違いが最大で１．２５倍であることをい
う。例えば，カーボン材料の熱膨張係数が方向によって
異なる場合に，最も熱膨張係数が高い方向におけるその
値が，最も熱膨張係数が小さい方向におけるその値の
１．２５倍であることを示す。Note that the anisotropic ratio of 1.25 means that the difference in physical properties is 1.25 times at the maximum depending on the direction. For example, when the thermal expansion coefficient of the carbon material varies depending on the direction, the value in the direction with the highest thermal expansion coefficient is 1.25 times the value in the direction with the lowest thermal expansion coefficient.
【００２０】次に，請求項３に記載の発明のように，上
記カーボン材料は，圧縮強度が７８ＭＰａ以上で，かつ
曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上であることが好ましい。こ
れにより，一層歪みの生じ難い支持プレートを有する加
熱装置を得ることができる。上記圧縮強度が７８ＭＰａ
未満の場合には，例えば上記支持プレートにより上記ガ
ラス基板を加圧する際に，該支持プレートが変形するお
それがある。また，上記曲げ弾性率が１０ＧＰａ未満の
場合にも，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれがあ
る。Next, it is preferable that the carbon material has a compressive strength of 78 MPa or more and a flexural modulus of 10 GPa or more. This makes it possible to obtain a heating device having a support plate in which distortion is less likely to occur. The compressive strength is 78 MPa
If it is less than, for example, when the glass plate is pressed by the support plate, the support plate may be deformed. Also, when the bending elastic modulus is less than 10 GPa, the support plate may be distorted.
【００２１】次に，請求項４に記載の発明のように，上
記カーボン材料は，ショアー硬度（ＨＳ）が４０〜９０
であることが好ましい。これにより，上記支持プレート
に一層歪みが生じ難く，かつ一層安価な加熱装置を得る
ことができる。上記ショアー硬度が４０未満の場合に
は，上記支持プレートに傷がつく割合が増え，歪みが生
ずるおそれがある。一方，上記ショアー硬度が９０を超
える場合には，上記支持プレートの加工が困難となり，
安価な加熱装置を得ることが困難となるおそれがある。Next, the carbon material has a Shore hardness (HS) of 40 to 90.
It is preferable that This makes it possible to obtain a more inexpensive heating device in which distortion is less likely to occur in the support plate. If the Shore hardness is less than 40, the rate at which the support plate is damaged is increased, and distortion may occur. On the other hand, when the Shore hardness exceeds 90, it becomes difficult to process the support plate,
It may be difficult to obtain an inexpensive heating device.
【００２２】次に，請求項５に記載の発明のように，上
記カーボン材料は，７．５×１０-9ｍ〜７．５×１０-6
ｍの半径を有する微細気孔の占める容積が２×１０-8ｍ
3／ｇ〜２．５×１０-7ｍ3／ｇであることが好ましい。
これにより，強度が高く一層軽量な支持プレートを有す
る加熱装置を得ることができる。Next, as in the invention according to claim 5, the carbon material is 7.5 × 10 −9 m to 7.5 × 10 −6.
The volume occupied by micropores having a radius of m is 2 × 10 −8 m
3 is preferably a /g~2.5×10 -7 m 3 / g.
As a result, a heating device having a stronger and lighter supporting plate can be obtained.
【００２３】上記微細気孔の占める容積が２×１０-8ｍ
3／ｇ未満の場合には，上記支持プレートの重量が大き
くなるおそれがある。一方，上記容積が２．５×１０-7
ｍ3／ｇを超える場合には，上記支持プレートの強度が
不充分となるおそれがある。また，上記支持プレート全
体に均一に熱が伝わらないおそれがある。なお，上記微
細気孔の半径の値は，水銀圧入法により測定される値で
ある。The volume occupied by the fine pores is 2 × 10 −8 m
If it is less than 3 / g, the weight of the support plate may increase. On the other hand, when the volume is 2.5 × 10 -7
If it exceeds m 3 / g, the strength of the support plate may be insufficient. In addition, heat may not be uniformly transmitted to the entire support plate. The value of the radius of the fine pore is a value measured by a mercury intrusion method.
【００２４】次に，請求項６に記載の発明のように，上
記カーボン材料は，２０℃〜４００℃における平均熱膨
張係数が３．０×１０-6℃-1〜６．０×１０-6℃-1であ
ることが好ましい。これにより，加熱時において一層歪
みの生じ難い支持プレートを有する加熱装置を得ること
ができる。Next, as in the invention according to claim 6, the carbon material has an average coefficient of thermal expansion at 20 ° C. to 400 ° C. of 3.0 × 10 −6 ° C. −1 to 6.0 × 10 −. It is preferably 6 ° C.- 1 . This makes it possible to obtain a heating device having a support plate that is less likely to generate distortion during heating.
【００２５】上記平均熱膨張係数が６．０×１０-6℃-1
を超える場合には，上記支持プレートを発熱させて高温
としたとき，歪みを生ずるおそれがある。一方，上記平
均熱膨張係数が３．０×１０-6℃-1未満の場合には，材
料費が高くなり，安価な加熱装置を得ることが困難とな
るおそれがある。The above average thermal expansion coefficient is 6.0 × 10 -6 ° C -1
When the temperature exceeds the above range, there is a possibility that distortion occurs when the support plate is heated to a high temperature. On the other hand, if the average coefficient of thermal expansion is less than 3.0 × 10 −6 ° C. −1 , the material cost increases, and it may be difficult to obtain an inexpensive heating device.
【００２６】次に，請求項７に記載の発明のように，上
記加熱装置の支持プレートは，スパッタリング装置にお
いて上記ガラス基板を支持するものとすることができ
る。上記液晶表示板の製造工程の一例につき簡単に説明
すると，まず，上記ＴＦＴ側基板であるガラス基板の表
面にＴＦＴを形成する。次いで，該ＴＦＴの上面から透
明電極層を形成し，次いでその上から配向膜を形成す
る。Next, as in the invention according to claim 7, the support plate of the heating device may support the glass substrate in a sputtering device. To briefly explain an example of the manufacturing process of the liquid crystal display panel, first, a TFT is formed on a surface of a glass substrate which is the TFT side substrate. Next, a transparent electrode layer is formed from the upper surface of the TFT, and then an alignment film is formed thereon.
【００２７】一方，上記カラーフィルタ側基板であるガ
ラス基板の表面に，カラーフィルタを形成する。次い
で，該カラーフィルタの上面から透明電極層を形成し，
次いでその上から配向膜を形成する。上記のごとく表面
に成膜したＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを，
成膜された面同士を対向させて貼り合せる（図２参
照）。On the other hand, a color filter is formed on the surface of the glass substrate which is the color filter side substrate. Next, a transparent electrode layer is formed from the upper surface of the color filter,
Next, an alignment film is formed thereon. The TFT-side substrate and the color filter-side substrate formed on the surface as described above are
The surfaces on which the films are formed are attached to each other so as to face each other (see FIG. 2).
【００２８】そして，上記ガラス基板へのＴＦＴの形成
やカラーフィルタの形成には，上記スパッタリング装置
を用いることができる（実施形態例２参照）。上記スパ
ッタリング装置には，本発明にかかる加熱装置が配設さ
れている。そして，該加熱装置により上記ガラス基板を
加熱しながら成膜を行なう。この場合に，上記加熱装置
により該ガラス基板を加熱しても，上記支持プレートに
歪みを生ずるおそれがない。そのため，上記ガラス基板
が反ったりするおそれもない。それ故，均一な成膜を実
現することができる。そのため，品質の高い液晶表示板
を製造することができるスパッタリング装置が得られ
る。The above-described sputtering apparatus can be used for forming TFTs and color filters on the glass substrate (see Embodiment 2). The heating apparatus according to the present invention is provided in the sputtering apparatus. Then, a film is formed while the glass substrate is heated by the heating device. In this case, even if the glass substrate is heated by the heating device, there is no possibility that the support plate is distorted. Therefore, there is no possibility that the glass substrate warps. Therefore, uniform film formation can be realized. Therefore, a sputtering device capable of manufacturing a high-quality liquid crystal display panel can be obtained.
【００２９】次に，請求項８に記載の発明のように，上
記加熱装置の支持プレートは，プラズマＣＶＤ装置にお
いて上記ガラス基板を支持するものとすることもでき
る。即ち，上述したＴＦＴやカラーフィルタの形成に
は，上記プラズマＣＶＤ装置を用いることもできる。Next, the supporting plate of the heating device may support the glass substrate in the plasma CVD device. That is, the above-described plasma CVD apparatus can be used for forming the above-described TFT and color filter.
【００３０】この場合，上記プラズマＣＶＤ装置により
上記ガラス基板に成膜する際に，上記加熱装置により該
ガラス基板を加熱しても，上記支持プレートに歪みを生
ずるおそれがない。そのため，上記ガラス基板が反った
りするおそれもなく，均一な成膜を実現することができ
る。そのため，品質の高い液晶表示板を製造することが
できるプラズマＣＶＤ装置が得られる。In this case, even when the glass substrate is heated by the heating device when forming the film on the glass substrate by the plasma CVD device, there is no possibility that the support plate is distorted. Therefore, uniform film formation can be realized without the possibility that the glass substrate warps. Therefore, a plasma CVD apparatus capable of manufacturing a high-quality liquid crystal display panel can be obtained.
【００３１】次に，請求項９に記載の発明のように，上
記加熱装置の支持プレートは，貼り合せ装置において一
対の上記ガラス基板を支持して貼り合せる定盤とするこ
ともできる。即ち，上述した上記ＴＦＴ側基板とカラー
フィルタ側基板との貼り合せには，上記貼り合せ装置を
用いることができる。Next, as in the ninth aspect of the present invention, the support plate of the heating device may be a platen for supporting and bonding the pair of glass substrates in a bonding device. That is, the above-described bonding apparatus can be used for bonding the above-described TFT side substrate and the color filter side substrate.
【００３２】この場合，上記張り合わせ装置により一対
の上記ガラス基板を貼り合せる際に，上記加熱装置によ
り該ガラス基板を加熱しても，上記定盤に歪みを生ずる
おそれがない。そのため，上記ガラス基板の全面におい
て押圧力が均一となり，貼り合された一対のガラス基板
の間に形成される隙間の厚みが均一となる。それ故，品
質の高い液晶表示板を得ることができる。In this case, when the glass substrates are heated by the heating device when the pair of glass substrates are bonded by the bonding device, there is no possibility that the platen will be distorted. Therefore, the pressing force becomes uniform over the entire surface of the glass substrate, and the thickness of the gap formed between the pair of bonded glass substrates becomes uniform. Therefore, a high quality liquid crystal display panel can be obtained.
【００３３】次に，請求項１０に記載の発明のように，
上記ガラス基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基板を
含めることもできる。この場合には，ＴＦＴを構成する
絶縁膜や半導体膜等を，ガラス基板の位置に関わらず均
一の膜厚に形成することができる。Next, according to the tenth aspect of the present invention,
The glass substrate may include a TFT-side substrate of the liquid crystal display panel. In this case, the insulating film, the semiconductor film, and the like constituting the TFT can be formed to have a uniform thickness regardless of the position of the glass substrate.
【００３４】次に，請求項１１に記載の発明のように，
上記ガラス基板には，上記液晶表示板のカラーフィルタ
側基板を含めることもできる。この場合には，カラーフ
ィルタを構成するブラックマトリックス等を，ガラス基
板の位置に関わらず均一の膜厚に形成することができ
る。Next, as in the invention according to claim 11,
The glass substrate may include the color filter-side substrate of the liquid crystal display panel. In this case, the black matrix or the like constituting the color filter can be formed with a uniform film thickness regardless of the position of the glass substrate.
【００３５】[0035]
【発明の実施の形態】実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかる液晶表示板用のガラス基板
の加熱装置につき，図１〜図３を用いて説明する。即
ち，図１に示すごとく，上記加熱装置１は，液晶表示板
の製造工程において，図２に示す液晶表示板２０を構成
するガラス基板２を支持するための支持プレート１１を
有する。更に，上記加熱装置１は，図１に示すごとく，
上記支持プレート１１を発熱させることにより上記ガラ
ス基板２を加熱するための発熱手段１２を有する。そし
て，上記支持プレート１１はカーボン材料からなる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 An apparatus for heating a glass substrate for a liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. That is, as shown in FIG. 1, the heating device 1 has a support plate 11 for supporting the glass substrate 2 constituting the liquid crystal display panel 20 shown in FIG. Furthermore, as shown in FIG.
Heat generating means 12 is provided for heating the glass substrate 2 by causing the support plate 11 to generate heat. The support plate 11 is made of a carbon material.
【００３６】また，上記発熱手段１２はニクロム線であ
り，上記支持プレート１１の内部に埋め込まれいる。な
お，上記支持プレート１１にコイルを取付けることによ
り誘導加熱を発熱手段とすることもできる。また，上記
液晶表示板２０を構成するガラス基板２としては，その
表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３を形成するもの
（ＴＦＴ側基板２１）とカラーフィルタ４を形成するも
の（カラーフィルタ側基板２２）がある。The heat generating means 12 is a nichrome wire and is embedded in the support plate 11. In addition, by attaching a coil to the support plate 11, induction heating can be used as a heating means. The glass substrate 2 constituting the liquid crystal display panel 20 includes a substrate on which a TFT (thin film transistor) 3 is formed (TFT side substrate 21) and a substrate on which a color filter 4 is formed (color filter side substrate 22). is there.
【００３７】上記加熱装置１は，後述する上記液晶表示
板２０の製造工程において用いられるスパッタリング装
置，プラズマＣＶＤ装置，或いは貼り合せ装置に配設さ
れている。なお，上記各装置についての詳細は，実施形
態例２〜４において説明する。The heating device 1 is provided in a sputtering device, a plasma CVD device, or a bonding device used in a later-described manufacturing process of the liquid crystal display panel 20. The details of each of the above devices will be described in Embodiments 2 to 4.
【００３８】また，上記支持プレート１１の材料である
カーボン材料は，異方比が１．０５の等方性カーボンで
ある。また，上記カーボン材料は，圧縮強度が９０ＭＰ
ａ，曲げ弾性率が１０．５ＧＰａ，ショアー硬度（Ｈ
Ｓ）が５２，７．５×１０-9ｍ〜７．５×１０-6ｍの半
径を有する微細気孔の占める容積が８×１０-8ｍ3／
ｇ，２０℃〜４００℃における平均熱膨張係数が４．０
×１０-6℃-1である。なお，上記微細気孔の半径や容積
の値は，水銀圧入法（水銀ポロシメーター）により測定
される値である。The carbon material as the material of the support plate 11 is isotropic carbon having an anisotropic ratio of 1.05. The carbon material has a compressive strength of 90MP.
a, flexural modulus 10.5 GPa, Shore hardness (H
S) The volume occupied by micropores having a radius of 52,7.5 × 10 −9 m to 7.5 × 10 −6 m is 8 × 10 −8 m 3 /
g, average coefficient of thermal expansion at 20 ° C. to 400 ° C. is 4.0.
× 10 -6 ° C -1 . The values of the radius and the volume of the fine pores are values measured by a mercury porosimetry (mercury porosimeter).
【００３９】次に，上記液晶表示板２０の製造工程につ
き，図２，図３を用いて説明する。まず，上記ＴＦＴ側
基板２１の表面にＴＦＴ３を形成する（ステップＴ
１）。即ち，上記ＴＦＴ側基板２１の表面に絶縁層，半
導体層，導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイン
電極等を形成することによりＴＦＴ３を形成する。次い
で，該ＴＦＴ３の上面から透明電極層３１を形成する
（ステップＴ２）。次いで，該透明電極層３１の上から
配向膜３２を形成し（ステップＴ３），該配向膜３２に
ラビング処理を施す（ステップＴ４）。Next, a manufacturing process of the liquid crystal display panel 20 will be described with reference to FIGS. First, the TFT 3 is formed on the surface of the TFT-side substrate 21 (Step T).
1). That is, the TFT 3 is formed by forming an insulating layer, a semiconductor layer, a conductor wiring, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and the like on the surface of the TFT-side substrate 21. Next, a transparent electrode layer 31 is formed from the upper surface of the TFT 3 (Step T2). Next, an alignment film 32 is formed on the transparent electrode layer 31 (Step T3), and a rubbing process is performed on the alignment film 32 (Step T4).
【００４０】一方，上記カラーフィルタ側基板２２の表
面に，カラーフィルタ４を形成する（ステップＣ１）。
即ち，上記カラーフィルタ側基板２２の表面にブラック
マトリックス等を形成することにより，上記カラーフィ
ルタ４を形成する。次いで，該カラーフィルタ４の上面
から透明電極層４１を形成する（ステップＣ２）。次い
で，該透明電極層４１の上から配向膜４２を形成し（ス
テップＣ３），該配向膜４２にラビング処理を施す（ス
テップＣ４）。On the other hand, the color filter 4 is formed on the surface of the color filter side substrate 22 (step C1).
That is, the color filter 4 is formed by forming a black matrix or the like on the surface of the color filter side substrate 22. Next, a transparent electrode layer 41 is formed from the upper surface of the color filter 4 (Step C2). Next, an alignment film 42 is formed from above the transparent electrode layer 41 (step C3), and a rubbing process is performed on the alignment film 42 (step C4).
【００４１】上記のごとく表面に成膜したＴＦＴ側基板
２１とカラーフィルタ側基板２２とを，成膜された面同
士を対向させて貼り合せる。即ち，上記ＴＦＴ側基板の
配向膜上にシール材２５を印刷すると共にプラスチック
ビーズ２６を撒布した後（ステップＳ５，Ｓ６），上記
カラーフィルタ側基板２２を貼り合せる（ステップＳ
７）。The TFT-side substrate 21 and the color filter-side substrate 22 formed on the surface as described above are bonded together with the formed surfaces facing each other. That is, after printing the sealing material 25 on the alignment film of the TFT-side substrate and dispersing the plastic beads 26 (steps S5 and S6), the color filter-side substrate 22 is bonded (step S5).
7).
【００４２】次いで，両ガラス基板２を両面から加圧し
て，該ガラス基板２間の間隔（図２の符号Ｄ）が上記プ
ラスチックビーズ２６の直径（１０μｍ程度）に等しく
なるまで押圧する（ステップＳ８）。次いで，加熱する
ことにより上記シール材２５を両ガラス基板２に融着さ
せると共に硬化させる（ステップＳ９）。その後，上記
２枚のガラス基板２間に液晶２７を注入する（ステップ
Ｓ１０）。次いで，上記２枚のガラス基板２の両面に，
偏向板２８を貼り付けることにより（ステップＳ１
１），液晶表示板２０を製造する（図２）。Then, both glass substrates 2 are pressed from both sides, and pressed until the distance between the glass substrates 2 (D in FIG. 2) becomes equal to the diameter (about 10 μm) of the plastic beads 26 (step S8). ). Next, the sealing material 25 is melted and cured on both glass substrates 2 by heating (step S9). Thereafter, a liquid crystal 27 is injected between the two glass substrates 2 (step S10). Next, on both surfaces of the two glass substrates 2,
By attaching the deflection plate 28 (Step S1)
1) The liquid crystal display panel 20 is manufactured (FIG. 2).
【００４３】上述したガラス基板２へのＴＦＴ３の形成
やカラーフィルタ４の形成には，実施形態例２において
説明するスパッタリング装置５（図４），或いは実施形
態例３において説明するプラズマＣＶＤ装置６（図５）
を用いる。また，上記ＴＦＴ側基板２１と上記カラーフ
ィルタ側基板２２との貼り合せには，実施形態例４にお
いて説明する貼り合せ装置７（図６）を用いる。そし
て，上記各装置には，上記ガラス基板２を支持すると共
に加熱する加熱装置１が配設されている。そして，上記
各装置は，上記加熱装置１によりガラス基板２を加熱し
ながら成膜あるいは加圧する。For forming the TFT 3 and the color filter 4 on the glass substrate 2 described above, the sputtering apparatus 5 (FIG. 4) described in the second embodiment or the plasma CVD apparatus 6 (FIG. 4) described in the third embodiment. (Fig. 5)
Is used. The bonding device 7 (FIG. 6) described in the fourth embodiment is used for bonding the TFT-side substrate 21 and the color filter-side substrate 22 to each other. A heating device 1 for supporting and heating the glass substrate 2 is provided in each of the above devices. Then, each of the above-described devices forms a film or pressurizes the glass substrate 2 while heating the glass substrate 2 with the heating device 1.
【００４４】次に，本例の作用効果につき説明する。上
記加熱装置１は，図１に示すごとく，上記支持プレート
により上記ガラス基板２を支持する。そして，上記発熱
手段１２であるニクロム線に通電して発熱させ，その熱
を上記支持プレート１１に伝える。これにより，該支持
プレートを発熱させ，該支持プレート１１に支持された
ガラス基板２を加熱する。Next, the operation and effect of this embodiment will be described. As shown in FIG. 1, the heating device 1 supports the glass substrate 2 with the support plate. Then, the Nichrome wire as the heat generating means 12 is energized to generate heat, and the heat is transmitted to the support plate 11. This causes the support plate to generate heat and heat the glass substrate 2 supported by the support plate 11.
【００４５】ところで，上述のごとく，上記加熱装置１
における支持プレート１１は，カーボン材料からなる。
カーボン材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレー
ト１１を上記発熱手段１２により発熱させて高温とした
場合にも，熱膨張が殆ど起こらない。そのため，上記加
熱装置１は，上記支持プレート１１に歪みを生ずるおそ
れがない。それ故，上記加熱装置１により上記ガラス基
板２を加熱しながら成膜したり貼り合せを行なったりす
る際に，ガラス基板２が反ったり，押圧力が不均一とな
ったりするおそれがない。また，上記支持プレート１１
からガラス基板２への熱伝導を均一に行なうことができ
る。従って，高品質の液晶表示板２０を製造することが
できる。As described above, the heating device 1
Is made of a carbon material.
Since the carbon material has a small coefficient of thermal expansion, even when the support plate 11 is heated by the heating means 12 to a high temperature, almost no thermal expansion occurs. Therefore, the heating device 1 has no possibility that the support plate 11 is distorted. Therefore, when film formation and bonding are performed while heating the glass substrate 2 by the heating device 1, there is no possibility that the glass substrate 2 warps or the pressing force becomes non-uniform. The support plate 11
From the substrate to the glass substrate 2. Accordingly, a high quality liquid crystal display panel 20 can be manufactured.
【００４６】また，上記支持プレート１１はカーボン材
料により形成されているため，加工が容易である。その
ため，上記ガラス基板２の形状や寸法に容易に合せるこ
とができるなど，所望の上記支持プレート１１を容易に
製造することができる。そのため，安価な加熱装置１を
得ることができる。Further, since the support plate 11 is formed of a carbon material, it can be easily processed. Therefore, the desired support plate 11 can be easily manufactured, for example, it can be easily adjusted to the shape and dimensions of the glass substrate 2. Therefore, an inexpensive heating device 1 can be obtained.
【００４７】また，上記支持プレート１１を構成するカ
ーボン材料は軽量であるため，軽量な加熱装置１を得る
ことができる。それ故，例えば大型の液晶表示板用のガ
ラス基板を製造する際に必要な，大型の加熱装置１の取
扱いが容易となる。Since the carbon material forming the support plate 11 is lightweight, the heating device 1 can be lightweight. Therefore, for example, handling of the large-sized heating device 1 required for manufacturing a glass substrate for a large-sized liquid crystal display panel becomes easy.
【００４８】また，上記カーボン材料は，異方比が１．
０５の等方性カーボンであるため，上記支持プレート１
１を作製する際の材料取りが効率的に行なえる。それ
故，安価な加熱装置１を得ることができる。また，上記
等方性カーボンは，緻密で強度も高い。そのため，強度
の高い支持プレート１１を有する加熱装置１を得ること
ができる。また，これにより，上記支持プレート１１の
薄板化，軽量化を図ることもできる。The carbon material has an anisotropic ratio of 1.
05 is the isotropic carbon, the support plate 1
1 can be efficiently removed. Therefore, an inexpensive heating device 1 can be obtained. The isotropic carbon is dense and has high strength. Therefore, the heating device 1 having the support plate 11 with high strength can be obtained. This also makes it possible to make the support plate 11 thinner and lighter.
【００４９】また，上記カーボン材料の圧縮強度は９０
ＭＰａで，かつ曲げ弾性率は１０．５ＧＰａであるた
め，一層歪みの生じ難い支持プレート１１を得ることが
できる。また，上記カーボン材料のショアー硬度（Ｈ
Ｓ）は５２であるため，上記支持プレート１１に一層歪
みが生じ難く，かつ一層安価な加熱装置１を得ることが
できる。The compressive strength of the carbon material is 90
Since the pressure is MPa and the flexural modulus is 10.5 GPa, it is possible to obtain the support plate 11 in which distortion is less likely to occur. In addition, the Shore hardness (H
Since S) is 52, it is possible to obtain the heating device 1 in which the support plate 11 is less likely to be distorted and more inexpensive.
【００５０】また，上記カーボン材料は，７．５×１０
-9ｍ〜７．５×１０-6ｍの半径を有する微細気孔の占め
る容積が８×１０-8ｍ3／ｇであるため，強度が高く一
層軽量な支持プレート１１を得ることができる。また，
上記カーボン材料は，２０℃〜４００℃における平均熱
膨張係数が４．０×１０-6℃-1であるため，加熱時にお
いて一層歪みの生じ難い支持プレート１１を得ることが
できる。The carbon material is 7.5 × 10
Since the volume occupied by the fine pores having a radius of −9 m to 7.5 × 10 −6 m is 8 × 10 −8 m 3 / g, the support plate 11 having high strength and lighter weight can be obtained. Also,
Since the carbon material has an average coefficient of thermal expansion of 4.0 × 10 −6 ° C. −1 at 20 ° C. to 400 ° C., it is possible to obtain the support plate 11 in which distortion is less likely to occur during heating.
【００５１】以上のごとく，本例によれば，支持プレー
トに歪みを生ずることがなく，かつ安価で軽量な，液晶
表示板用のガラス基板の加熱装置を提供することができ
る。As described above, according to this embodiment, it is possible to provide an inexpensive and lightweight apparatus for heating a glass substrate for a liquid crystal display panel without causing distortion in the support plate.
【００５２】実施形態例２ 本例は，図４に示すごとく，スパッタリング装置５に配
設した加熱装置１の例である。即ち，上記スパッタリン
グ装置５においてガラス基板２を支持すると共に加熱す
る基板電極治具５１が，上記加熱装置１の支持プレート
１１となる。Embodiment 2 As shown in FIG. 4, this embodiment is an example of a heating device 1 disposed in a sputtering device 5. That is, the substrate electrode jig 51 that supports and heats the glass substrate 2 in the sputtering device 5 becomes the support plate 11 of the heating device 1.
【００５３】まず，上記スパッタリング装置５の構成に
つき説明する。上記スパッタリング装置５は，図４に示
すごとく，上記基板電極治具５１と該基板電極治具５１
に対向配置されたカソード板５２を，チャンバー５０内
に配設している。上記カソード板５２における上記基板
電極治具５１に対向する面には，Ａｌなど上記ガラス基
板２に成膜するための材料からなるターゲット５３が保
持されている。また，上記チャンバー５０には，Ａｒガ
スを導入するためのガス導入管５４と，チャンバー５０
内を真空引きするための排気管５５が配設されている。First, the structure of the sputtering apparatus 5 will be described. As shown in FIG. 4, the sputtering apparatus 5 includes the substrate electrode jig 51 and the substrate electrode jig 51.
The cathode plate 52 is disposed in the chamber 50 so as to be opposed to the cathode plate 52. On the surface of the cathode plate 52 facing the substrate electrode jig 51, a target 53 made of a material such as Al for forming a film on the glass substrate 2 is held. Further, a gas introduction pipe 54 for introducing Ar gas is provided in the chamber 50, and a chamber 50 is provided.
An exhaust pipe 55 for evacuating the inside is provided.
【００５４】上記スパッタリング装置５によりスパッタ
リングを行なうに当っては，排気管５５から上記チャン
バー５０内を真空引きした後，上記ガス導入管５４から
Ａｒガスを導入する。次いで，電源５６を用いて上記カ
ソード板５２に電圧を印加することにより，Ａｒイオン
を，上記カソード板５２に保持されたターゲット５３に
衝突させる。これにより，ターゲット５３のＡｌがはじ
き出され，上記基板電極治具５１に支持されているガラ
ス基板２の表面に付着する。これにより，上記ガラス基
板２の表面にＡｌ膜を成膜する。When sputtering is performed by the sputtering apparatus 5, the inside of the chamber 50 is evacuated from the exhaust pipe 55, and then Ar gas is introduced from the gas introduction pipe 54. Next, by applying a voltage to the cathode plate 52 using a power supply 56, Ar ions collide with the target 53 held on the cathode plate 52. As a result, Al of the target 53 is repelled and adheres to the surface of the glass substrate 2 supported by the substrate electrode jig 51. Thus, an Al film is formed on the surface of the glass substrate 2.
【００５５】上記スパッタリング装置５は，実施形態例
１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴ３の
形成（図３のステップＴ１），カラーフィルタ４の形成
（ステップＣ１），あるいは透明電極層３１，４１の形
成（ステップＴ２，Ｃ２）に用いられる。即ち，ＴＦＴ
３における導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイ
ン電極等を形成する際には，例えばＡｌ金属をスパッタ
リング装置５により上記ガラス基板２にスパッタリング
して成膜する。そして，その上にレジストによりパター
ン形成してエッチングした後，レジストを剥離すること
により，各配線，電極を形成する。In the manufacturing process of the liquid crystal display panel shown in the first embodiment, the sputtering apparatus 5 forms the TFT 3 (step T1 in FIG. 3), forms the color filter 4 (step C1), or forms the transparent electrode layer 31. , 41 (steps T2 and C2). That is, TFT
In forming the conductor wiring, the gate electrode, the source electrode, the drain electrode and the like in 3, for example, an Al metal is sputtered on the glass substrate 2 by a sputtering device 5 to form a film. Then, after forming a pattern with a resist thereon and etching the resist, the resist is peeled off to form each wiring and electrode.
【００５６】同様に，上記透明電極層の形成において
は，ＩＴＯをスパッタリングする。また，カラーフィル
ターの形成においては，Ｃｒ／ＣｒＯXをスパッタリン
グしてブラックマトリックスを形成する。Similarly, in forming the transparent electrode layer, ITO is sputtered. In forming a color filter, Cr / CrO X is sputtered to form a black matrix.
【００５７】上記のごとくスパッタリングを行なうに当
っては，発熱手段１２により上記基板電極治具５１であ
る支持プレート１１を発熱させて，上記ガラス基板２を
約３００℃に加熱する。その他は，実施形態例１と同様
である。In performing the sputtering as described above, the supporting plate 11 which is the substrate electrode jig 51 is heated by the heating means 12 to heat the glass substrate 2 to about 300.degree. Other configurations are the same as those of the first embodiment.
【００５８】上記支持プレート１１は，上述のごとくカ
ーボン材料からなるため，歪みを生ずることがない。そ
のため，スパッタリングによりＡｌ等を成膜する際に，
ガラス基板２が反ったりすることがない。それ故，ガラ
ス基板２の全体に均一に成膜を行なうことができる。そ
の他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。Since the support plate 11 is made of a carbon material as described above, no distortion occurs. Therefore, when depositing Al or the like by sputtering,
The glass substrate 2 does not warp. Therefore, a film can be uniformly formed on the entire glass substrate 2. In addition, the third embodiment has the same functions and effects as the first embodiment.
【００５９】実施形態例３ 本例は，図５に示すごとく，プラズマＣＶＤ装置６に配
設した加熱装置１の例である。即ち，上記プラズマＣＶ
Ｄ装置６においてガラス基板２を支持すると共に加熱す
るサセプター６１が，上記加熱装置１の支持プレート１
１となる。Embodiment 3 As shown in FIG. 5, this embodiment is an example of the heating apparatus 1 provided in the plasma CVD apparatus 6. That is, the plasma CV
A susceptor 61 that supports and heats the glass substrate 2 in the D device 6 is provided on the support plate 1 of the heating device 1.
It becomes 1.
【００６０】まず，上記プラズマＣＶＤ装置６の構成に
つき説明する。上記プラズマＣＶＤ装置６は，上記サセ
プター６１と，該サセプター６１に対向配置された高周
波電極６２とをチャンバー６０内に配設している。上記
高周波電極６２には，原料ガスを導入するためのガス導
入管６３，及び原料ガスを通過させるスリット６４１を
多数有するシャワーヘッド６４が設けてある。また，上
記チャンバー６０には，チャンバー内を真空引きするた
めの排気管６５が設けてある。First, the configuration of the plasma CVD apparatus 6 will be described. The plasma CVD apparatus 6 has the susceptor 61 and a high-frequency electrode 62 disposed opposite to the susceptor 61 in a chamber 60. The high-frequency electrode 62 is provided with a gas introduction pipe 63 for introducing a source gas, and a shower head 64 having a number of slits 641 for passing the source gas. The chamber 60 is provided with an exhaust pipe 65 for evacuating the inside of the chamber.
【００６１】上記プラズマＣＶＤ装置６により成膜を行
なうに当っては，成膜する材料の構成元素を含む原料ガ
ス６９を，上記ガス導入管６３，シャワーヘッド６４を
通じて上記チャンバー内に導入する。このとき，上記高
周波電極６２における電圧により，シャワーヘッド６４
を通過する原料ガス６９をプラズマ状態にする。プラズ
マ状態となった上記原料ガス６９は，上記サセプター６
１に支持されたガラス基板２の表面に供給され，該ガラ
ス基板２上において化学反応が起こり，成膜が行われ
る。When a film is formed by the plasma CVD apparatus 6, a source gas 69 containing constituent elements of a material to be formed is introduced into the chamber through the gas introduction pipe 63 and the shower head 64. At this time, the voltage at the high-frequency electrode 62 causes the shower head 64
Is turned into a plasma state. The source gas 69 in the plasma state is supplied to the susceptor 6.
The glass substrate 2 is supplied to the surface of the glass substrate 2 supported by 1 and a chemical reaction occurs on the glass substrate 2 to form a film.
【００６２】上記プラズマＣＶＤ装置６は，実施形態例
１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴの形
成（図３のステップＴ１），カラーフィルタの形成（ス
テップＣ１）に用いられる。The plasma CVD apparatus 6 is used for forming a TFT (step T1 in FIG. 3) and forming a color filter (step C1) in the manufacturing process of the liquid crystal display panel shown in the first embodiment.
【００６３】即ち，上記ＴＦＴ３における絶縁膜や半導
体層は，例えばシリコン窒化膜や，アモルファスシリコ
ンをプラズマＣＶＤ装置６により上記ガラス基板２の表
面に成膜する。そして，その上にレジストによりパター
ン形成してエッチングした後，レジストを剥離すること
により，絶縁膜や半導体層を形成する。That is, as the insulating film and the semiconductor layer in the TFT 3, for example, a silicon nitride film or amorphous silicon is formed on the surface of the glass substrate 2 by the plasma CVD device 6. Then, after a pattern is formed thereon by a resist and etched, the resist is peeled off to form an insulating film and a semiconductor layer.
【００６４】上記のごとく成膜を行なうに当っては，発
熱手段１２により上記基板電極治具６１である支持プレ
ート１１を発熱させて，上記ガラス基板２を約３００℃
に加熱する。その他は，実施形態例１と同様である。In forming a film as described above, the supporting plate 11 which is the substrate electrode jig 61 is heated by the heating means 12 so that the glass substrate 2 is heated to about 300 ° C.
Heat to Other configurations are the same as those of the first embodiment.
【００６５】上記支持プレート１１は，上述のごとくカ
ーボン材料からなるため，歪みを生ずることがない。そ
のため，プラズマＣＶＤ装置６によりシリコン窒化膜等
を成膜する際に，ガラス基板２が反ったりすることがな
い。それ故，ガラス基板２の全体に均一に成膜を行なう
ことができる。その他，実施形態例１と同様の作用効果
を有する。Since the support plate 11 is made of a carbon material as described above, no distortion occurs. Therefore, when the silicon nitride film or the like is formed by the plasma CVD device 6, the glass substrate 2 does not warp. Therefore, a film can be uniformly formed on the entire glass substrate 2. In addition, the third embodiment has the same functions and effects as the first embodiment.
【００６６】実施形態例４ 本例は，図６に示すごとく，貼り合せ装置７に配設した
加熱装置１の例である。即ち，上記貼り合せ装置７にお
いて一対の上記ガラス基板２を各１枚支持して貼り合
せ，その両面から加圧すると共に加熱する一対の定盤
が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。Embodiment 4 As shown in FIG. 6, this embodiment is an example of the heating device 1 disposed in the bonding device 7. That is, the pair of glass substrates 2 are supported and bonded in the bonding device 7, and a pair of platens that pressurize and heat both surfaces thereof become the support plate 11 of the heating device 1.
【００６７】まず，上記貼り合せ装置７の構成につき説
明する。即ち，図６に示すごとく，上記貼り合せ装置７
は，機枠７０と，該機枠７０の下枠７０１に固定された
固定定盤７１と，該固定定盤７１に対向配置されると共
に上記機枠の上枠７０２に上下動可能に取付けられた可
動定盤７２とからなる。上記可動定盤７２の上下動は，
上記上枠７０２に固定されたエアシリンダー７３によっ
て行なう。First, the configuration of the bonding device 7 will be described. That is, as shown in FIG.
Are mounted on a machine frame 70, a fixed surface plate 71 fixed to a lower frame 701 of the machine frame 70, and opposed to the fixed surface plate 71 and mounted on the upper frame 702 of the machine frame so as to be vertically movable. And a movable platen 72. The vertical movement of the movable platen 72 is
This is performed by the air cylinder 73 fixed to the upper frame 702.
【００６８】上記貼り合せ装置７は，実施形態例１で示
した液晶表示板２０の製造工程において，一対のガラス
基板２の貼り合せ（図３のステップＳ７）に用いられ
る。上記貼り合せ装置７により，一対のガラス基板２を
貼り合せるに当っては，ＴＦＴ側基板２１を上記固定定
盤７１にセットすると共に，カラーフィルム側基板２２
を上記可動定盤７２にセットする。次いで，上記可動定
盤７２を下降させ（図６の矢印Ｚ），上記ＴＦＴ側基板
２１上に上記カラーフィルム側基板２２を貼り合せる。The bonding apparatus 7 is used for bonding the pair of glass substrates 2 (step S7 in FIG. 3) in the manufacturing process of the liquid crystal display panel 20 shown in the first embodiment. In bonding the pair of glass substrates 2 by the bonding device 7, the TFT-side substrate 21 is set on the fixed surface plate 71 and the color film-side substrate 22 is set.
Is set on the movable platen 72. Next, the movable platen 72 is lowered (arrow Z in FIG. 6), and the color film-side substrate 22 is bonded onto the TFT-side substrate 21.
【００６９】次いで，上記エアシリンダ７３によって，
両ガラス基板２の間隔が１０μｍ程度になるまで加圧す
る。次いで，上記固定定盤７１及び可動定盤７２に設け
られた発熱手段１２によって，上記固定定盤７１及び可
動定盤７２を発熱させて上記ガラス基板２を約３００℃
に加熱する。これにより，上記一対のガラス基板２の間
のシール材を融着すると共に硬化させて，貼り合せを完
了する。その他は，実施形態例１と同様である。Next, the air cylinder 73
Pressure is applied until the distance between the two glass substrates 2 becomes about 10 μm. Next, the fixed platen 71 and the movable platen 72 are heated by the heat generating means 12 provided on the fixed platen 71 and the movable platen 72, and the glass substrate 2 is heated to about 300 ° C.
Heat to As a result, the sealing material between the pair of glass substrates 2 is fused and hardened to complete the bonding. Other configurations are the same as those of the first embodiment.
【００７０】上記支持プレート１１は，上述のごとくカ
ーボン材料からなるため，熱によって歪みを生ずること
がない。そのため，貼り合せ装置７により一対のガラス
基板２を両面から加圧する際に，上記ガラス基板２の全
面において押圧力が均一となり，貼り合された一対のガ
ラス基板２の間に形成される隙間が均一となる。それ
故，品質の高い液晶表示板を得ることができる。その
他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。Since the support plate 11 is made of a carbon material as described above, no distortion occurs due to heat. Therefore, when the pair of glass substrates 2 are pressed from both sides by the bonding device 7, the pressing force becomes uniform over the entire surface of the glass substrates 2, and a gap formed between the pair of bonded glass substrates 2 is formed. Become uniform. Therefore, a high quality liquid crystal display panel can be obtained. In addition, the third embodiment has the same functions and effects as the first embodiment.
【００７１】[0071]
【発明の効果】上述のごとく，本発明によれば，支持プ
レートに歪みを生ずることがなく，かつ安価で軽量な，
液晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供することが
できる。As described above, according to the present invention, the support plate is free from distortion and is inexpensive and lightweight.
A heating device for a glass substrate for a liquid crystal display panel can be provided.
【図１】実施形態例１における，加熱装置の説明図。FIG. 1 is an explanatory diagram of a heating device according to a first embodiment.
【図２】実施形態例１における，液晶表示板の断面説明
図。FIG. 2 is an explanatory cross-sectional view of a liquid crystal display panel according to the first embodiment.
【図３】実施形態例１における，液晶表示板の製造工程
のフロー図。FIG. 3 is a flowchart of a manufacturing process of the liquid crystal display panel according to the first embodiment.
【図４】実施形態例２における，スパッタリング装置の
説明図。FIG. 4 is an explanatory view of a sputtering apparatus according to a second embodiment.
【図５】実施形態例３における，プラズマＣＶＤ装置の
説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram of a plasma CVD apparatus according to a third embodiment.
【図６】実施形態例４における，貼り合せ装置の説明
図。FIG. 6 is an explanatory diagram of a bonding device according to a fourth embodiment.
１．．．加熱装置， １１．．．支持プレート， １２．．．発熱手段， ２．．．ガラス基板， ２１．．．ＴＦＴ側基板， ２２．．．カラーフィルム側基板， ３．．．ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）， ３１，４１．．．透明電極層， ３２，４２．．．配向膜， ４．．．カラーフィルタ， ５．．．スパッタリング装置， ６．．．プラズマＣＶＤ装置， ７．．．貼り合せ装置， 1. . . Heating device, 11. . . 11. support plate; . . 1. heating means; . . Glass substrate, 21. . . 21. TFT side substrate, . . 2. color film side substrate, . . TFT (thin film transistor), 31, 41. . . Transparent electrode layer, 32, 42. . . 3. alignment film; . . Color filters, 5. . . 5. sputtering equipment, . . 6. Plasma CVD equipment, . . Laminating equipment,
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野呂 匡志 岐阜県大垣市青柳町300番地 イビデン株 式会社青柳工場内 Ｆターム(参考） 2H088 FA18 FA30 HA01 HA08 MA20 2H090 JB02 JC08 LA04 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Tadashi Noro 300 Aoyanagi-cho, Ogaki-shi, Gifu IBIDEN Co., Ltd. Inside the Aoyagi Plant F-term (reference) 2H088 FA18 FA30 HA01 HA08 MA20 2H090 JB02 JC08 LA04
Claims (11)
表示板を構成するガラス基板を支持するための支持プレ
ートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガ
ラス基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置
において，上記支持プレートは，その一部又は全部がカ
ーボン材料からなることを特徴とする液晶表示板用のガ
ラス基板の加熱装置。In a manufacturing process of a liquid crystal display panel, a support plate for supporting a glass substrate constituting the liquid crystal display panel, and a heat generating means for heating the glass substrate by causing the support plate to generate heat. A heating apparatus for a glass substrate for a liquid crystal display panel, wherein a part or all of the support plate is made of a carbon material.
は，異方比が１．２５以下の等方性カーボンであること
を特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。2. An apparatus according to claim 1, wherein said carbon material is isotropic carbon having an anisotropic ratio of 1.25 or less.
材料は，圧縮強度が７８ＭＰａ以上で，かつ曲げ弾性率
が１０ＧＰａ以上であることを特徴とする液晶表示板用
のガラス基板の加熱装置。3. The apparatus for heating a glass substrate for a liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the carbon material has a compressive strength of 78 MPa or more and a flexural modulus of 10 GPa or more.
上記カーボン材料は，ショアー硬度（ＨＳ）が４０〜９
０であることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の
加熱装置。4. The method according to claim 1, wherein:
The carbon material has a Shore hardness (HS) of 40-9.
A heating apparatus for a glass substrate for a liquid crystal display panel, wherein the heating temperature is 0.
上記カーボン材料は，７．５×１０-9ｍ〜７．５×１０
-6ｍの半径を有する微細気孔の占める容積が２×１０-8
ｍ3／ｇ〜２．５×１０-7ｍ3／ｇであることを特徴とす
る液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。5. The method according to claim 1, wherein:
The carbon material is 7.5 × 10 −9 m to 7.5 × 10 9
The volume occupied by micropores having a radius of -6 m is 2 × 10 -8
m 3 /g~2.5×10 -7 m 3 / heating apparatus for a glass substrate for a liquid crystal display panel, characterized in that g is.
上記カーボン材料は，２０℃〜４００℃における平均熱
膨張係数が３．０×１０-6℃-1〜６．０×１０-6℃-1で
あることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱
装置。6. The method according to claim 1, wherein:
The glass for a liquid crystal display panel, wherein the carbon material has an average thermal expansion coefficient at 20 ° C to 400 ° C of 3.0 × 10 -6 ° C -1 to 6.0 × 10 -6 ° C -1. Substrate heating device.
上記加熱装置の支持プレートは，スパッタリング装置に
おいて上記ガラス基板を支持するものであることを特徴
とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。7. The method according to claim 1, wherein:
The supporting plate of the heating device supports the glass substrate in a sputtering device. The heating device for a glass substrate for a liquid crystal display panel.
上記加熱装置の支持プレートは，プラズマＣＶＤ装置に
おいて上記ガラス基板を支持するものであることを特徴
とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。8. The method according to claim 1, wherein:
The support plate of the heating device supports the glass substrate in a plasma CVD device, the device for heating a glass substrate for a liquid crystal display panel.
上記加熱装置の支持プレートは，貼り合せ装置において
一対の上記ガラス基板を支持して貼り合せる定盤である
ことを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装
置。9. The method according to claim 1, wherein:
A glass substrate heating device for a liquid crystal display panel, wherein the support plate of the heating device is a surface plate for supporting and bonding the pair of glass substrates in a bonding device.
て，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基
板が含まれることを特徴とする液晶表示板用のガラス基
板の加熱装置。10. The apparatus for heating a glass substrate for a liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the glass substrate includes a TFT-side substrate of the liquid crystal display panel.
て，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のカラーフィ
ルタ側基板が含まれることを特徴とする液晶表示板用の
ガラス基板の加熱装置。11. The apparatus for heating a glass substrate for a liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the glass substrate includes a color filter side substrate of the liquid crystal display panel. .
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|---|---|---|---|
| JP28411999A JP4757969B2 (en) | 1999-10-05 | 1999-10-05 | Glass substrate heating device for LCD panels |
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| JP (1) | JP4757969B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013129129A1 (en) * | 2012-02-27 | 2013-09-06 | ウシオ電機株式会社 | Method and device for bonding workpieces each produced from glass substrate or quartz substrate |
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| JPH10239653A (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Kyocera Corp | Press bonding device |
-
1999
- 1999-10-05 JP JP28411999A patent/JP4757969B2/en not_active Expired - Lifetime
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