JP2001104860A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 現像処理等の基板処理において、処理液の物
性に影響を与えることなく、且つ基板を傷めることな
く、基板面上に均一に処理液を供給できる基板処理装置
を提供すること。 【解決手段】 基板の表面を処理液によって処理する基
板処理装置であって、基板1を水平に配置すると共に、
該基板1の上方に回転羽根2を対向して配置し、基板1
の面上に処理液を供給し、回転羽根2を処理液に非接触
状態を維持して回転させて気流6を発生させ、気流6に
より回転羽根2の下方で基板1の面上に内部に循環流を
有する処理液集団5を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基板の処理面を処理
液で処理する基板処理装置に関し、特に半導体製造工程
で基板に薄膜を形成するためのコーティングや基板表面
を薄く削るエッチングに好適な基板処理装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては基
板の処理面に種々の処理が行なわれる。例えば、レジス
トを均一に塗布し、露光後の現像を均一に処理するため
には、それぞれの処理液を基板面上に均一に供給するこ
とが必要となる。特に現像処理においては、露光パター
ンによって、基板単位面積当りの現像処理面積が、場所
によって大きく異なるため(現像面積の大きいところ
は、現像液の濃度が薄まりやすく、現像面積の小さいと
ころと濃度差が広まる)、均等に処理することが難しい
という問題がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、現像処理等の基板処理において、
処理液の物性に影響を与えることなく、且つ基板を傷め
ることなく、基板面上に均一に処理液を供給できる基板
処理装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1に記載の発明は、基板の表面を処理液によって
処理する基板処理装置であって、基板を水平に配置する
と共に、基板の上方に回転羽根を対向して配置し、基板
の面上に処理液を供給し、回転羽根を処理液に非接触状
態を維持して回転させて気流を発生させ、気流により基
板面上に内部循環流を有する処理液集団を形成すること
を特徴とする。
【0005】上記のように基板に対向して配置された回
転羽根を処理液に非接触状態を維持して回転させること
により、気流が発生し、該気流により回転羽根下方の基
板面上に表面流れを有する処理液集団が形成され、この
表面流れにより該処理液集団内に循環流が起き、その結
果基板面上に処理液を均一に供給できる。更にこの循環
流で処理液は攪拌されるから、処理の進行に伴う処理液
内部の濃度差も解消でき濃度を均一化することができ
る。また、基板は静止状態で回転羽根は処理液に非接触
で回転するから、基板に何ら衝撃やストレスを与えるこ
とがなく、基板を損傷させる恐れはない。
【0006】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の基板処理装置において、回転羽根の回転軸及び
該回転羽根を駆動するモータのロータは磁気軸受で支持
されることを特徴とする。
【0007】上記のように回転羽根の回転軸及び該回転
羽根を駆動するモータのロータは磁気軸受で磁気浮上支
持されるから、摩擦による粉塵等により基板や処理空間
を汚染することがない。
【0008】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
又は2に記載の基板処理装置において、回転羽根を基板
に対して平行に移動させる移動手段を具備することを特
徴とする。
【0009】上記のように回転羽根を基板に対して平行
に移動させる移動手段を具備するので、回転羽根を該移
動手段で移動させることにより、回転羽根の下方で基板
面上に形成される処理液集団も該回転羽根の移動に伴っ
て基板面上を移動するから、大きなサイズの基板でも全
面を均一に処理することができる。
【0010】また、請求項4に記載の発明は、請求項1
又は2又は3に記載の基板処理装置において、回転羽根
は平面円板であることを特徴とする。
【0011】上記のように回転羽根を平面円板とするこ
とにより、回転羽根の下方で基板面上に内部に循環流を
有する処理液集団が形成され易い。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図1は本発明に係る基板処理装
置の概略構成例を示す図である。図1において、1は半
導体ウエハ等の基板であり、該基板1は水平に配置され
ている。該基板1に対向して回転羽根2が配置され、該
回転羽根2はモータ4の回転軸3に取り付けられ回転さ
れるようになっている。
【0013】上記構成の基板処理装置において、回転羽
根2を回転すると、図示するように、基板1の外周から
中心に向かい、中心部で上昇し、更に回転羽根2の外周
に向かって流れる気流6が発生する。この状態で基板1
の上面に処理液を供給すると、該処理液は気流6に誘導
され略円錐状の処理液集団5を形成する。
【0014】この円錐状の処理液集団5には図2に示す
ように、気流6に誘引されて中心部に向かう渦状の表面
流れ7ができる。この表面流れ7により図3に示すよう
に、処理液集団5の内部に外周方向から中心部に向か
い、該中心部で下降し、更に基板1の上面で中心部から
外周に向かって流れる循環流8が発生する。この循環流
8により基板1の上面に均一に処理液が供給されると共
に、その攪拌作用により処理液は攪拌され処理の進行に
伴う処理液内部の濃度差も解消される。
【0015】上記円錐状の処理液集団5の直径は、回転
羽根2と回転数、回転羽根2と基板1の距離によって任
意に制御が可能であり、処理液集団5を図4に示すよう
に、基板1の直径と同じ直径に形成することができる。
これにより、基板1の全面に均一に処理液を供給でき、
基板1の全面を均一に処理することができる。
【0016】回転羽根2は、下面に翼状のブレードが並
んだ一般的な構造としても良いが、平面円板形状とする
ことにより、処理液集団5を図1乃至図3に示すように
誘導し易くなる。
【0017】図5は回転羽根2を駆動するモータの構成
例を示す図である。図示するように、モータ4の回転軸
3と回転羽根2の回転軸は一体的に構成され、該回転軸
3にはロータ4−1が固定され、該ロータ4−1の外周
にステータ4−2が対向して配置されケーシング11に
固定されている。また、回転軸3にはラジアル磁気軸受
12、13のロータ12−1、13−1が固定され、そ
の外周にステータ12−2、13−2が配置されケーシ
ング11に固定されている。また、ケーシング11には
ラジアル方向の間隙センサ14、15が取り付けられ、
そのターゲット14−1、15−1が回転軸3に固定さ
れている。
【0018】回転軸3の上端にはアキシャル磁気軸受1
6の円板状のロータ16−1が固定され、該ロータ16
−1に対向してステータ16−2、16−2がケーシン
グに固定されている。また、ケーシング11にはアキシ
ャル方向の間隙センサ17が取り付けられロータ16−
1の中心部にそのターゲット17−1が固定されてい
る。
【0019】回転軸3は上下2個のラジアル磁気軸受1
2、13と1個のアキシャル磁気軸受16により非接触
で磁気浮上支持されている。ラジアル方向の間隙センサ
14、15、アキシャル方向の間隙センサ17の出力に
より、図示しない制御部はラジアル磁気軸受12、13
のステータ12−2、13−2及びアキシャル磁気軸受
16のステータ16−2に供給する励磁電流を制御し
て、回転軸3が所定の適正な位置になるように制御す
る。
【0020】上記のように回転軸3をラジアル磁気軸受
12、13及びアキシャル磁気軸受16で磁気浮上支持
するから、摩擦による粉塵等により基板1や処理空間を
汚染することがない。なお、図5に示す回転羽根2を駆
動するモータ4の構成例は一例であり、これに限定され
るものではなく、要は回転羽根の回転軸及びモータのロ
ータを磁気軸受により非接触で支持する構成であればよ
い。
【0021】図6は本発明に係る基板処理装置の概略構
成例を示す図である。本基板処理装置は基板1のサイズ
が大きい場合に適用されるもので、回転羽根2を基板1
に対して平行に移動させる移動手段(図示せず)、即
ち、該移動手段で回転羽根2を矢印A方向に基板1対し
て平行に移動できるようになっている。回転羽根2を矢
印A方向に移動させることにより、それに伴って回転羽
根2の下方で基板1上面に形成される円錐状の処理液集
団5も矢印B方向に移動する。これにより、基板1のサ
イズが大きくても基板1の全面に処理液を均一に供給す
ることができる。従って、基板全面の均一処理が可能と
なる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば下記のような優れた効果が期待できる。
【0023】請求項1に記載の発明によれば、基板に対
向して配置された回転羽根を処理液に非接触状態を維持
し回転させることにより、気流が発生し、該気流により
回転羽根下方の基板面上に表面流れを有する処理液集団
が形成され、この表面流れにより該処理液集団内に循環
流が起き、その結果基板面上に処理液を均一に供給でき
る。更にこの循環流で処理液は攪拌されるから、処理の
進行に伴う処理液内部の濃度差も解消でき濃度を均一化
することができる。また、基板は静止状態で回転羽根は
処理液に非接触で回転するから、基板に何ら衝撃やスト
レスを与えることがなく、基板を損傷させる恐れはな
い。
【0024】また、請求項2に記載の発明によれば、回
転羽根の回転軸及び該回転羽根を駆動するモータのロー
タは磁気軸受で磁気浮上支持するから、摩擦による粉塵
等により基板や処理空間を汚染することがない。
【0025】また、請求項3に記載の発明によれば、回
転羽根を基板に対して平行に移動させる移動手段を具備
するので、回転羽根を該移動手段で移動させることによ
り、回転羽根の下方で基板面上に形成される処理液集団
も該回転羽根の移動に伴って基板面上を移動するから、
大きなサイズの基板でも全面を均一に処理することがで
きる。
【0026】また、請求項4に記載の発明によれば、回
転羽根は平面円板とすることにより、回転羽根の下方で
基板面上に内部に循環流を有する処理液集団が形成され
易い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の概略構成例を示す
図である。
【図2】本発明に係る基板処理装置で形成される処理液
集団の表面流れを説明するための図である。
【図3】本発明に係る基板処理装置で形成される処理液
集団の内部循環流を説明するための図である。
【図4】本発明に係る基板処理装置で基板サイズと同じ
サイズの処理液集団を形成した場合を示す図である。
【図5】本発明に係る基板処理装置のモータの構成例を
示す図である。
【図6】本発明に係る基板処理装置の概略構成例を示す
図である。
【符号の説明】 1 基板 2 回転羽根 3 回転軸 4 モータ 5 処理液集団 6 気流 7 表面流れ 8 循環流 11 ケーシング 12 ラジアル磁気軸受 13 ラジアル磁気軸受 14 間隙センサ 15 間隙センサ 16 アキシャル磁気軸受 17 間隙センサ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の表面を処理液によって処理する基
    板処理装置であって、 前記基板を水平に配置すると共に、該基板の上方に回転
    羽根を対向して配置し、該基板の面上に処理液を供給
    し、前記回転羽根を該処理液に非接触状態を維持して回
    転させて気流を発生させ、該気流により該基板面上に内
    部循環流を有する処理液集団を形成することを特徴とす
    る基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記回転羽根の回転軸及び該回転羽根を駆動するモータ
    のロータは磁気軸受で支持されることを特徴とする基板
    処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の基板処理装置に
    おいて、 前記回転羽根を前記基板に対して平行に移動させる移動
    手段を具備することを特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1又は2又は3に記載の基板処理
    装置において、 前記回転羽根は平面円板であることを特徴とする基板処
    理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015508570A (ja) * 2011-12-23 2015-03-19 ラム・リサーチ・アーゲーLam Research Ag ウエハ状物品の表面を処理するための装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6588437B1 (en) * 1999-11-15 2003-07-08 Agere Systems Inc. System and method for removal of material
US8794896B2 (en) * 2005-12-14 2014-08-05 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
KR101958874B1 (ko) 2008-06-04 2019-03-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
JPH0758036A (ja) 1993-08-16 1995-03-03 Ebara Corp 薄膜形成装置
JPH08316190A (ja) * 1995-05-18 1996-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015508570A (ja) * 2011-12-23 2015-03-19 ラム・リサーチ・アーゲーLam Research Ag ウエハ状物品の表面を処理するための装置

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