JP2001104771A - 薄膜および薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 疎水性物質の薄膜層と電極との密着性を改善
し、実用デバイスへの応用可能な均一な薄膜の製造方法
および該薄膜の提供。 【解決手段】 疎水性物質を水性媒体中で界面活性剤に
よりミセル化して可溶化、または分散し、得られたミセ
ル化液を電気化学的に酸化または還元し、電極上に薄膜
を形成する製造方法おいて、該電極の表面粗さが、中心
線平均粗さＲａが０．００５〜０．０５μｍであること
を特徴とする薄膜の製造方法、および中心線平均粗さＲ
ａが０．００５〜０．０５μｍである表面粗さを有する
電極上に電気化学的に酸化または還元して形成された薄
膜。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は疎水性物質の各種製
品の着色、光導電体デバイス、表示デバイス、感光デバ
イスなどに応用が期待される均一な薄膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、疎水性物質の薄膜は、蒸着法、Ｃ
ＶＤ法などの乾式成膜法、スピンコート法、スプレー塗
布法、浸漬塗布法などの湿式成膜法により作製されてい
る。しかし、乾式成膜法は１μｍ以下の極薄い膜が均一
に生成可能であるが、大規模な装置が必要であり、生産
性、経済性が低かったり、成膜する疎水性物質によって
は、成膜工程で分解してしまい目的物質の薄膜が得られ
ないなどの問題がある。また、前記有機溶媒を用いた湿
式成膜法は工業的には広く用いられているが、疎水性物
質の分散液を作製するのが難しかったり、有機溶媒を用
いることから環境面への問題が無視できない状況であ
る。

【０００３】前記のような問題点を解決するため、水性
媒体中に疎水性物質を界面活性剤によって可溶化して、
電気化学的に酸化または還元し、導電性電極上に薄膜を
形成する方法が提案された（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．１９９１，１１３，４５０−４５６、特許公報１８
１２０５７、特開平２−１６４４３５、特開平３−２３
２２７）。このような方法は有機溶媒を用いることによ
るデメリットはなく、さらにバインダー樹脂等のマトリ
クスを用いずにも成膜可能であることから、種々の特性
面において有利であるため、前述のように種々のデバイ
スに応用が期待されている。しかし、成膜後の洗浄工程
において成膜した薄膜の剥離による膜の不均一化が起き
やすく、これは１μｍ以下の薄膜になると顕著であると
いう問題があった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、生産性、経済性に優れ、また環境面にも配慮され、
かつ、目的の特性の薄膜が得られる電気化学的薄膜の製
造方法、すなわち、水性媒体中に疎水性物質を界面活性
剤によってミセル化して可溶化、または分散して、得ら
れたミセル化液を電気化学的に酸化または還元し、電極
上に薄膜を形成する製造方法において、疎水性物質の薄
膜層と電極との密着性を改善し、実用デバイスへの応用
可能な均一な薄膜の製造方法および該薄膜を提供するこ
とにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、水性媒体
中に疎水性物質を界面活性剤によってミセル化して可溶
化、または分散して、該ミセル化液を電気化学的に酸化
または還元し、電極上に薄膜を形成する製造方法におい
て、疎水性物質の堆積する電極上を粗面化し、該表面粗
さをある特定範囲に限定すること、すなわち、電極の中
心線平均粗さＲａが０．００５〜０．０５μｍとするこ
とによって、形成される疎水性物質の薄膜層と電極の密
着性が向上することを見出し、本発明に到達することが
できた。本発明においては、薄膜の膜厚が薄いほど、す
なわち１μｍ、好ましくは５０００Å以下、さらに好ま
しくは１０００〜５０００Åである場合、界面活性剤が
フェロセン誘導体である場合、疎水性物質がフタロシア
ニン化合物である場合、および疎水性物質が炭素材料、
特に疎水性物質がＣＮＴである場合に効果的である。

【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。 成膜 本発明の成膜に用いる水性媒体中に疎水性物質を界面活
性剤によって可溶化して、電気化学的に酸化または還元
し導電性電極上に薄膜を形成する方法について説明す
る。これらには、（１）いわゆるミセル電解法と呼ばれ
る方法（特許公報１８１２０５７など）、（２）電解以
外の酸化還元反応を用いる方法（特開平３−２３２２７
など）、（３）その他の電解処理法（特開平２−１６４
４３５など）が挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。

【０００７】（１）のミセル電解法では、疎水性物質を
フェロセン誘導体からなる界面活性剤によりミセル化し
て水性媒体に可溶化、または分散して、この分散液に必
要に応じて支持塩を添加して電解すると、陽極近傍でフ
ェロセン誘導体中のＦｅイオンが酸化されることにより
ミセルが分解し、ミセル内の疎水性物質の分散粒子が陽
極上に堆積するものである。これら疎水性物質をミセル
化する際に用いるフェロセン誘導体界面活性剤は、電解
反応に必要なフェロセン部位と非イオン性、カチオン
性、アニオン性の界面活性部位を合わせ持ち、特開昭６
３−２４３２９８、特開平１−２２６８９４、特開平１
−４５３７０、特開平２−８８３８７、特開平２−９６
５８５、特開平２−２５０８９２に開示されているが、
特に限定される物ではない。ミセル電解液の水性媒体と
しては、水を初め、これにアルコール、アセトンなどを
必要に応じて混合して用いる。また、ミセル電解液中に
は、水性媒体の電気伝導度を調節するために、必要に応
じて支持電解質を添加する。この支持電解質としては、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、などの硫酸塩、ハロ
ゲン化物、酢酸塩、水溶性酸化物など、一般に広く用い
られているものが用いられる。

【０００８】上記材料を用いて、ミセル電解液を調製す
るには、上記水性媒体中に疎水性物質、酸化還元可能な
界面活性剤、必要に応じて、導電性粒子、支持電解質な
どを入れて、ホモジナイザー、三本ロールミル、サンド
ミル、パールミル、スターラーなどの分散方法で、均一
に分散、あるいは可溶化する。ここで、界面活性剤濃度
は０．１ｍｍｏｌ／ｌ〜１．０ｍｏｌ／ｌが好ましく、
分散粒子濃度は１〜５００ｇ／ｌが好ましい。このよう
にして調製したミセル電解液を用いて薄膜を作製するに
は、電極を電解液中に浸漬し通電処理するわけだが、こ
の時の電解条件としては、用いる界面活性剤の酸化還元
電位以上で、水素発生電位以下の電圧で行なう。具体的
には、０．１〜１．５Ｖ、電流密度は１ｍＡ／ｃｍ^２以
下が好ましく、定電位、定電流などの電解方法にて行な
う。このような条件で電解するとミセル電解法の原理に
従って、所望の薄膜が形成する。

【０００９】（２）の電解以外の酸化還元反応を用いる
方法では、ミセル化までは（１）と同様であるが、界面
活性剤としてフェロセン誘導体を使用する場合、薄膜を
形成する電極上にフェロセン誘導体の酸化電位よりも貴
な金属化合物を付着させたものを用いてミセル分散液中
で半電池電極を形成させる。すると、ミセル分散液中に
浸漬するだけで、金属化合物中の金属イオンが還元さ
れ、フェロセン誘導体のＦｅが酸化されるため、ミセル
が分解して、分散粒子の疎水性物質が陽極上に堆積す
る。ここで用いるフェロセン誘導体は（１）と同様なも
のが用いられる。

【００１０】（３）のその他の電解処理法は、界面活性
剤としてフェロセン誘導体以外のＨＬＢ値１０．０〜２
０．０のものを用いて陰極上に分散粒子の疎水性物質が
堆積するものである。界面活性剤としてはポリオキシエ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エ
ステル、ポリエキシエチレンアルキルフェニルエーテル
などの非イオン性の界面活性剤が用いられ、陽極、陰極
間を３．０〜５．０Ｖに設定し、電流密度１０〜１００
μＡ／ｃｍ^２として行う。薄膜の膜厚は薄いほど、すな
わち、１μｍ以下、好ましくは５０００Å以下、さらに
好ましくは１０００〜５０００Åである場合、膜厚むら
の問題が大きく低減して、均一な薄膜が作製できる。

【００１１】電極基板 電極基板に関しては、前記（１）の場合には、フェロセ
ン化合物の酸化電位よりも貴な導電体、たとえば、金・
銀・白金・カーボン・ＩＴＯなどの導電性金属酸化物、
導電性高分子などが挙げられる。これらは、単体で用い
ても、各種金属、セラミックス、ガラス、ポリマーフィ
ルム等の支持体基板上にスパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の物理的方法、
印刷法、塗布法、化学蒸着法などの化学的方法などによ
り形成して用いてもよい。

【００１２】前記（２）の場合には、各種金属、カーボ
ン、導電性金属酸化物、導電性高分子などの上に、フェ
ロセン化合物の酸化電位よりも貴な金属化合物を付着さ
せたものを用いる。金属化合物としてはＰｂＯ、ＭｎＯ
_２、ＣｕＯ_２、ＷＯ_２、ＷＯ _３、ＺｎＯ_２、Ｃｕ_２Ｓ、
ＨｇＳ、Ａｇ_２Ｓなどが挙げられ、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の物
理的方法、印刷法、塗布法、化学蒸着法などの化学的方
法などによって付着させることができる。また、鉛、マ
ンガン、アルミニウム、亜鉛などの金属単体を酸化して
使用することもできる。

【００１３】前記（３）の場合には、前記（１）で挙げ
たもの以外に、アルミニウム、鉄、亜鉛、錫、ニッケル
などの金属、合金、結晶シリコン、アモルファスシリコ
ンなどの半導体などを用いることができる。

【００１４】電極の表面粗さを制御する方法 電極の表面粗さを制御する方法としては、上記電極の材
料、作製条件により制御する方法、電極を表面処理する
方法が挙げられる。前者の方法としては種々考えられる
が、特に支持体基板上に導電性の粗面化層を設けて電極
としたものが効果的である。導電性の粗面化層とは、た
とえば、ＩＴＯなどの導電性粒子をフィラーとして分散
した樹脂分散層などが挙げられる。後者の方法の表面処
理法としては、前述の塩酸、硫酸、りん酸等の酸性溶液
等に浸漬したり、スプレー散布したりする化学的研磨に
よる方法やサンドブラスト、ショットブラスト、ブラシ
研磨、バフ研磨等による機械的粗面化方法、プラズマ中
に暴露する方法等が挙げられる。

【００１５】本発明は前記課題の解決のために、電極表
面を中心線平均粗さＲａが０．００５〜０．０５μｍと
することを一つの特徴点とするものであるが、ここで、
中心線平均粗さＲａとは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１記載の方
法であり、凹凸の中心線から各凹凸までの偏差の平均値
を表している。本発明では、ＤＥＫＴＡＫ触針式表面粗
さ計を用いて、測定長さ５００μｍ、カットオフ値０．
０８μｍでの測定を行なった。前記中心線平均粗さＲａ
が０．００５μｍ未満では効果がほとんど認められず、
また０．０５μｍを超えると効果が大きく低下したり、
薄膜表面にその凹凸が現れてしまうなどの不具合が生じ
る。

【００１６】本発明で用いられる疎水性物質とは、有
機、無機問わず様々なものが挙げられ、たとえば、ペリ
レン顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔
料、アントラキノン系、金属置換フタロシアニン系顔
料、ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料などのように
表示デバイス用カラーフィルター材料、光メモリー用材
料、その他エレクトロニクスデバイス用材料として用い
れらるものが挙げられる。無機物質としては、Ｔｉ
Ｏ_２、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ａｌ
_２Ｏ_３、ＷＯ_２、ＣｕＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｃなどが挙
げられる。本発明では、これらの中で、フタロシアニン
化合物、そしてＣＮＴを中心とした炭素材料の場合が、
薄膜の応用用途は多いが、基板との密着性の優れた薄膜
が得られていないため、効果的である。ここで炭素材料
とは、ＣＮＴ以外にも、以前から、導電性付与剤、電池
電極、触媒、構造強化剤等に用いられていたグラファイ
ト（黒鉛）、ピッチコークス、合成高分子、天然高分子
の焼成体、各種炭素繊維等が挙げられる。ＣＮＴについ
てさらに詳細に説明すると、厚さ数原子層のグラファイ
ト状炭素原子面を丸めた円筒が、複数個入れ子構造にな
ったものであり、ｎｍオーダーの外径の極めて微小な物
質であり、１９９１年に発見され（Ｎａｔｕｒｅ，３５
４，１９９１，Ｐ５６）、その化学的特性、電子的特
性、力学的特性などにより大きな注目を集めた。特に、
化学的安定性、金属的、半導体的な電気伝導性、高い電
子放出能、高い機械的強度、高い熱伝導性など様々な物
性が観測、および期待されている。

【００１７】ＣＮＴの製造方法は、黒鉛などのアーク放
電（Ｎａｔｕｒｅ，３５４，Ｐ５６，１９９１：Ｎａｔ
ｕｒｅ，３５８，Ｐ２２０，１９９２）による方法、触
媒を用いた熱分解法（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｌ
ｉｄｓ，５４，Ｐ１８４１，１９９３）、レーザー蒸発
法（Ｓｃｉｅｎｃｅ，２７３，Ｐ４８３，１９９６）、
ＣＶＤ法（Ｓｃｉｅｎｃｅ，２７４，Ｐ１７０１，１９
９６）などが挙げられる。さらに、遠心分離法、ろ過
法、酸化法、クロマトグラフ法等の種々の精製法が検討
され、より高純度なＣＮＴが生成可能となってきた。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を示す。

【００１９】実施例１ ＩＴＯを成膜したガラス基板（ジオマテック社製 面抵
抗２０Ω／□、厚さ１２００Å，ガラス；コーニング社
製＃７０５９）を２ＮＦｅＣｌ_３／６ＮＨＣｌに１分間
浸漬した後、水洗、ブローを行ない、薄膜作製用の電極
基板とした。なお、この電極の中心線平均粗さＲａを触
針法（ＤＥＫＴＡＫ）にて測定したところ、０．００５
１μｍであった。次に、α型銅フタロシアニン１．４
ｇ、フェロセン誘導体としてＦＰＥＧ（同仁化学製）
０．２ｇ、支持塩としてＬｉＢｒ１．０ｇを水１００ｍ
ｌに加えて１０分間超音波分散し、３日間マグネチック
スターラーにて攪拌後、遠心分離（２０００ｒｐｍ６０
分）により凝集成分を分離して、電解用の分散液を作製
した。陽極に前記電極、陰極に白金板、参照電極に飽和
カロメル電極電極（ＳＣＥ）を用いて、２５℃、０．５
Ｖの定電位電解を２．０ｍＣ／ｃｍ^２行ない、陽極上に
薄膜を形成した。これを電解液から取り出し、純水で洗
浄、乾燥後の膜厚を触針法（ＤＥＫＴＡＫ）にて測定し
た。なお、膜厚は９点測定し平均値を求め、また、膜厚
のばらつきとして、９点の測定点の最大値と最小値の差
を平均値で割った値（％）を求めて表１に示した。

【００２０】実施例２ 実施例１において、電解条件を２５℃、０．５Ｖの定電
位電解を１．０ｍＣ／ｃｍ^２とした以外は同様である。

【００２１】実施例３ ガラス基板（コーニング社製＃７０５９）上に、以下の
ようにして、高周波（ＲＦ）イオンプレーティング法に
て透明導電薄膜を形成し、Ａｒスパッタエッチングにて
表面処理を行なった。すなわち、蒸発材にＩＴＯ焼結タ
ブレット（ＳｎＯ_２５％含有）とし、Ｏ_２圧力７×１０
^−４ｔｏｒｒ、高周波電力２００Ｗ、直流バイアス５０
０Ｖ、基板温度２００℃にて、ＲＦイオンプレーティン
グを行なった後、Ａｒ圧力５×１０^−４ｔｏｒｒ、高周
波電力１００Ｗにて１分間スパッタエッチングを行な
い、中心線平均粗さＲａ０．００６５μｍの薄膜作製用
電極を作製した。以下、実施例２と同様な条件で薄膜を
作製し、膜厚を評価した。

【００２２】実施例４ ポリビニルブチラール（ユニオンカーバイドＸＹＨＬ）
１重量部をメチルエチルケトン／シクロヘキサノン（７
／３ｖｏｌ）５重量部に溶解して、導電性ＴｉＯ_２４重
量部を加えて三本ロールミルにて分散し、Ａｌ板上に浸
漬塗布し１２０℃１時間乾燥して、中心線平均粗さＲａ
０．０４５μｍの薄膜作製用電極とした。以下、実施例
１において、疎水性物質をα型銅フタロシアニンの代わ
りにＸ型無金属フタロシアニンとした以外は同様であ
る。

【００２３】実施例５ アニリン０．１ｍｏｌ／ｌ、支持電解質としてＬｉＣｌ
Ｏ_４０．２ｍｏｌ／ｌ水溶液に、実施例４と同様なＡｌ
板を浸漬して、０．５Ｖ（ｖｓ Ｓ．Ｃ．Ｅ）の定電位
電解を２分間行ない、ポリアニリンを電解重合し、中心
線平均粗さＲａ０．０１４μｍの薄膜作製用電極とし
た。以下、実施例４と同様な条件で薄膜を作製し、膜厚
を評価した。

【００２４】実施例６ Ａｌ板を１Ｎ希硫酸中に浸して、酸化アルミニウム層を
形成し、コーニング社製＃８００カーボランダ粒を用い
てブラスト処理し、中心線平均粗さＲａ０．０１９μｍ
の薄膜作製用電極とした。次に、カーボンブラック１．
５ｇ、フェロセン誘導体としてＦＰＥＧ（同仁化学製）
０．２ｇ、支持塩としてＬｉＢｒ １ｇを水１００ｍｌ
に加えて１０分間超音波分散し、３日間マグネチックス
ターラーにて攪拌後、遠心分離（２０００ｒｐｍ６０
分）により凝集成分を分離して分散液を作製した。陽極
に前記電極、陰極に白金板、参照電極に飽和カロメル電
極電極（ＳＣＥ）を用いて、２５℃、０．５Ｖの定電位
電解を３．０ｍＣ／ｃｍ^２行ない、陽極上に薄膜を形成
し、評価した。

【００２５】実施例７ 実施例６において、電界条件を２５℃、０．５Ｖの定電
位電解を２．０ｍＣ／ｃｍ^２とした以外は同様である。

【００２６】実施例８ Ａｌ板に、コーニング社製＃８００カーボランダ粒を用
いてブラスト処理し、中心線平均粗さＲａ０．０２７μ
ｍの薄膜作製用電極とした。カーボンブラック１．２
ｇ、フェロセン誘導体としてＦＰＥＧ（同仁化学製）
０．４ｇ、支持塩としてＬｉＢｒ１ｇを水１００ｍｌに
加えて１０分間超音波分散し、３日間マグネチックスタ
ーラーにて攪拌後、遠心分離（２０００ｒｐｍ６０分）
により凝集成分を分離して分散液を作製した。陽極に前
記電極、陰極に白金板、参照電極に飽和カロメル電極電
極（ＳＣＥ）を用いて、２５℃、０．５Ｖの定電位電解
を２．０ｍＣ／ｃｍ^２行ない、陽極上に薄膜を形成し、
評価した。

【００２７】実施例９ Ｂｕｃｋｙ ＵＳＡ社製ＣＮＴ（ＢＵ−２００）１．２
ｇ、フェロセン誘導体としてＦＰＥＧ（同仁化学製）
０．４ｇ、支持塩としてＬｉＢｒ１ｇを水１００ｍｌに
加えて１０分間超音波分散し、３日間マグネチックスタ
ーラーにて攪拌後、遠心分離（２０００ｒｐｍ６０分）
により凝集成分を分離して分散液を作製した。陽極に実
施例６と同じ電極、陰極に白金板、参照電極に飽和カロ
メル電極電極（ＳＣＥ）を用いて、２５℃、０．５Ｖの
定電位電解を２．０ｍＣ／ｃｍ^２行ない、陽極上に薄膜
を形成し、評価した。

【００２８】比較例１ 実施例１において、ＩＴＯを成膜したガラス基板（ジオ
マテック社製 面抵抗２０Ω／□、厚さ１２００Å，ガ
ラス；コーニング社製＃７０５９）に、２ＮＦｅＣｌ_３
／６ＮＨＣｌによる処理を行なわなわなかった以外は同
様である。なお、電極表面の中心線平均粗さＲａ０．０
００９μｍであった。

【００２９】比較例２ 実施例２において、ＩＴＯを成膜したガラス基板（ジオ
マテック社製 面抵抗２０Ω／□、厚さ１２００Å，ガ
ラス；コーニング社製＃７０５９）に、２ＮＦｅＣｌ_３
／６ＮＨＣｌによる処理を行なわなわなかった以外は同
様である。なお、電極表面の中心線平均粗さＲａ０．０
００９μｍであった。

【００３０】比較例３ 実施例３において、Ａｌ板上に中心線平均粗さＲａ０．
００１６μｍのインジウム−錫酸化物層をスパッタリン
グ法により形成し電極として用いた以外は同様である。
なお、スパッタリングターゲットにはインジウム：錫＝
９：１（重量比）で充填密度９５％のインジウム−錫タ
ーゲットを用いて、真空装置内を１×１０^−６ｔｏｒｒ
以下に減圧しＡｒ：Ｏ_２＝９６：４（体積比）混合ガス
を導入し、真空装置内の圧力を５×１０^−３ｔｏｒｒと
し、Ａｌ基板温度を１５０℃に加熱し、ターゲット印加
電圧１４０Ｖにて行なった。

【００３１】比較例４ 実施例４において、Ａｌ板上にポリビニルブチラール／
ＴｉＯ_２の粗面化層を設けなかった以外は同様である。
この際、電極の表面の酸化アルミニウム層の中心線平均
粗さＲａは０．００３８μｍであった。

【００３２】比較例５ 実施例６において、ブラスト処理を行なわなかった以外
は同様である。この際、電極の表面の酸化アルミニウム
層の中心線平均粗さＲａは０．００３８μｍであった。

【００３３】比較例６ 実施例８において、ブラスト処理を行なわなかった以外
は同様である。この際、電極表面のＡｌの中心線平均粗
さＲａは０．００２６μｍであった。

【００３４】比較例７ 実施例９において、比較例５のブラスト処理を行なわな
かった基板を用いた以外は同様である。この際、電極の
表面の酸化アルミニウム層の中心線平均粗さＲａは０．
００３８μｍであった。

【００３５】比較例８ 実施例４で成形したＡｌ板上のポリビニルブチラール／
ＴｉＯ_２の粗面化層をさらにコーニング社製＃８００カ
ーボランダ粒を用いてブラスト処理し、中心線平均粗さ
Ｒａは０．０６６μｍとした以外は実施例４と同様であ
る。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【効果】１．請求項１ 電極の中心線平均粗さＲａが０．００５〜０．０５μｍ
とすることによって、疎水性物質の薄膜層と電極の密着
性が向上し、洗浄後の膜厚むらの少ない均一な薄膜が得
られることができた。 ２．請求項２ 特に膜厚むらの少ない均一な薄膜が得られた。 ３．請求項３ 膜厚むらの問題を大きく低減して、均一な薄膜が作製で
きた。 ４．請求項４ 電解条件での制御が行い易く高成膜効率で薄膜が作製で
きた。 ５．請求項５ 密着性の問題が大きく改善され、膜厚の均一性の点で優
れた薄膜が作製できた。 ６．請求項６〜７ 密着性の問題が大きく改善され、膜厚の均一性の点で優
れた薄膜が作製できた。 ７．請求項８〜１０ 電極との密着性が向上し、膜厚むらの少ない均一な薄
膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 文直 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 金本 明彦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 4G046 CB03 CC05 4G075 AA24 AA27 AA62 BA06 BC02 BC03 CA20 CA57 FB03 FC11

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 疎水性物質を水性媒体中で界面活性剤に
   よりミセル化して可溶化、または分散し、得られたミセ
   ル化液を電気化学的に酸化または還元し、電極上に薄膜
   を形成する製造方法おいて、該電極の表面粗さが、中心
   線平均粗さＲａが０．００５〜０．０５μｍであること
   を特徴とする薄膜の製造方法。
2. 【請求項２】 電極が支持体基板上に設けた導電性の粗
   面化層である請求項１記載の薄膜の製造方法。
3. 【請求項３】 導電性の粗面化層の膜厚が１μｍ以下で
   ある請求項２記載の薄膜の製造方法。
4. 【請求項４】 界面活性剤がフェロセン誘導体である請
   求項１〜３のいずれかに記載の薄膜の製造方法。
5. 【請求項５】 疎水性物質がフタロシアニン化合物であ
   る請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜の製造方法。
6. 【請求項６】 疎水性物質が炭素材料である請求項１〜
   ４のいずれかに記載の薄膜の製造方法。
7. 【請求項７】 疎水性物質がカーボンナノチューブ（Ｃ
   ＮＴ）である請求項６記載の薄膜の製造方法。
8. 【請求項８】 中心線平均粗さＲａが０．００５〜０．
   ０５μｍである表面粗さを有する電極上に疎水性物質を
   水性媒体中で界面活性剤によりミセル化して可溶化、ま
   たは分散して得られた分散液を電気化学的に酸化または
   還元して形成された薄膜。
9. 【請求項９】 電極が支持体基板上に設けた導電性の粗
   面化層である請求項８記載の薄膜
10. 【請求項１０】 請求項１〜７のいずれかに記載の薄膜
    の製造方法で作製された請求項８〜９のいずれかに記載
    の薄膜。