JP2001102171A - エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/18—Tiled displays
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きな面積で形成することが困難な回路を用
いたＥＬ表示装置であっても大型化することができるＥ
Ｌ表示装置の製造方法を得る。 【解決手段】 各画素領域に回路基板が形成された小型
パネル１，２を大型基板５に複数枚貼り合わせて大型化
した後、画素領域の上にエレクトロルミネッセンス素子
１４を形成し、次いでエレクトロルミネッセンス素子１
４全体を封止用密閉部材１６を用いて封止することを特
徴としている。
いたＥＬ表示装置であっても大型化することができるＥ
Ｌ表示装置の製造方法を得る。 【解決手段】 各画素領域に回路基板が形成された小型
パネル１，２を大型基板５に複数枚貼り合わせて大型化
した後、画素領域の上にエレクトロルミネッセンス素子
１４を形成し、次いでエレクトロルミネッセンス素子１
４全体を封止用密閉部材１６を用いて封止することを特
徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス（以下、ＥＬという）表示装置の製造方法に関
するものであり、特に大面積化されたＥＬ表示装置の製
造方法に関するものである。
ッセンス（以下、ＥＬという）表示装置の製造方法に関
するものであり、特に大面積化されたＥＬ表示装置の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
情報機器の多様化等に伴い、一般に使用されているＣＲ
Ｔに比べて消費電力が少なく軽量化された平面表示素子
のニーズが高まっている。このような平面表示素子の１
つとして、ＥＬ素子が注目されている。ＥＬ素子は、使
用する材料によって無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子に大別
される。
情報機器の多様化等に伴い、一般に使用されているＣＲ
Ｔに比べて消費電力が少なく軽量化された平面表示素子
のニーズが高まっている。このような平面表示素子の１
つとして、ＥＬ素子が注目されている。ＥＬ素子は、使
用する材料によって無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子に大別
される。
【０００３】無機ＥＬ素子は、一般に発光部に高電界を
作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光中心に衝
突させ、これにより発光中心を励起させて発光させてい
る。これに対し、有機ＥＬ素子は、電子注入電極とホー
ル注入電極からそれぞれ電子とホールを発光中心で再結
合させて、有機分子を励起状態にし、この有機分子が励
起状態から基底状態に戻るときに蛍光を発光することを
利用している。
作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光中心に衝
突させ、これにより発光中心を励起させて発光させてい
る。これに対し、有機ＥＬ素子は、電子注入電極とホー
ル注入電極からそれぞれ電子とホールを発光中心で再結
合させて、有機分子を励起状態にし、この有機分子が励
起状態から基底状態に戻るときに蛍光を発光することを
利用している。
【０００４】無機ＥＬ素子の場合、高電界を必要とする
ため、駆動電圧として１００Ｖ〜２００Ｖの高い電圧を
必要とするのに対し、有機ＥＬ素子の場合、５Ｖ〜２０
Ｖ程度の低い電圧で駆動できるという利点を有してい
る。また、有機ＥＬ素子の場合には、発光材料である蛍
光物質を選択することにより、適当な色彩に発光する発
光素子を得ることができ、マルチカラーやフルカラーの
表示装置としても利用できるという利点がある。
ため、駆動電圧として１００Ｖ〜２００Ｖの高い電圧を
必要とするのに対し、有機ＥＬ素子の場合、５Ｖ〜２０
Ｖ程度の低い電圧で駆動できるという利点を有してい
る。また、有機ＥＬ素子の場合には、発光材料である蛍
光物質を選択することにより、適当な色彩に発光する発
光素子を得ることができ、マルチカラーやフルカラーの
表示装置としても利用できるという利点がある。
【０００５】これらのＥＬ素子は、自発光であること、
視野角に依存しないこと、液晶ディスプレイのようにバ
ックライトを必要としないため薄型が可能である等の液
晶ディスプレイにはない優れた特徴を有しており、大面
積ディスプレイとしての研究開発が活発に進められてい
る。
視野角に依存しないこと、液晶ディスプレイのようにバ
ックライトを必要としないため薄型が可能である等の液
晶ディスプレイにはない優れた特徴を有しており、大面
積ディスプレイとしての研究開発が活発に進められてい
る。
【０００６】このようなＥＬ素子を用いた表示装置にお
いては、液晶ディスプレイと同様に種々の駆動方式が検
討されているが、高いコントラスト比及び中間調表示な
どの点から、ＴＦＴなどのスイッチング素子を各画素に
配置した駆動方式が注目されている。有機ＥＬ素子の場
合は、電流駆動型の発光素子であるため、２０〜３０ｍ
Ａ程度の電流を各画素に供給する必要がある。このよう
な電流値を、非晶質シリコンのＴＦＴによるセルアレイ
及びドライバ回路で実現することは困難であり、多結晶
シリコンを用いたＴＦＴによるセルアレイ及びドライバ
回路が必要となる。ガラス基板等を用いる場合には、低
温で結晶化することが必要となり、低温多結晶シリコン
を用いたＴＦＴをスイッチング素子として用いることが
必要になる。
いては、液晶ディスプレイと同様に種々の駆動方式が検
討されているが、高いコントラスト比及び中間調表示な
どの点から、ＴＦＴなどのスイッチング素子を各画素に
配置した駆動方式が注目されている。有機ＥＬ素子の場
合は、電流駆動型の発光素子であるため、２０〜３０ｍ
Ａ程度の電流を各画素に供給する必要がある。このよう
な電流値を、非晶質シリコンのＴＦＴによるセルアレイ
及びドライバ回路で実現することは困難であり、多結晶
シリコンを用いたＴＦＴによるセルアレイ及びドライバ
回路が必要となる。ガラス基板等を用いる場合には、低
温で結晶化することが必要となり、低温多結晶シリコン
を用いたＴＦＴをスイッチング素子として用いることが
必要になる。
【０００７】しかしながら、低温多結晶シリコンを大面
積の基板の上に、均一に成膜することは困難であり、有
機ＥＬ表示装置の大面積化の障害の１つとなっていた。
本発明の目的は、大きな面積で形成することが困難な回
路（例えばスイッチング素子）を用いたＥＬ表示装置で
あっても大型化することができるＥＬ表示装置の製造方
法を提供することにある。
積の基板の上に、均一に成膜することは困難であり、有
機ＥＬ表示装置の大面積化の障害の１つとなっていた。
本発明の目的は、大きな面積で形成することが困難な回
路（例えばスイッチング素子）を用いたＥＬ表示装置で
あっても大型化することができるＥＬ表示装置の製造方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＥＬ表示装置の
製造方法は、各画素領域に回路基板が形成された小型パ
ネルを大型基板に複数枚貼り合わせて大型化した後、画
素領域の上にエレクトロルミネッセンス素子を形成し、
次いでエレクトロルミネッセンス素子全体を封止するこ
とを特徴としている。
製造方法は、各画素領域に回路基板が形成された小型パ
ネルを大型基板に複数枚貼り合わせて大型化した後、画
素領域の上にエレクトロルミネッセンス素子を形成し、
次いでエレクトロルミネッセンス素子全体を封止するこ
とを特徴としている。
【０００９】本発明によれば、回路（例えばＴＦＴなど
のスイッチング素子）が形成された小型パネルを大型基
板に複数枚貼り合わせて大型化している。このため、各
画素領域に形成される回路は、小型パネル上で形成され
る均一なものにすることができる。従って、大型基板に
回路を形成する場合に比べ、回路における欠陥の発生等
を著しく低減することができる。
のスイッチング素子）が形成された小型パネルを大型基
板に複数枚貼り合わせて大型化している。このため、各
画素領域に形成される回路は、小型パネル上で形成され
る均一なものにすることができる。従って、大型基板に
回路を形成する場合に比べ、回路における欠陥の発生等
を著しく低減することができる。
【００１０】本発明によれば、小型パネル上で回路を形
成することができるので、例えば、非晶質シリコンを結
晶化した低温多結晶シリコンからＴＦＴなどのスイッチ
ング素子の回路を形成することができる。特に、非晶質
シリコンをレーザーアニーリングして結晶化する場合に
適している。
成することができるので、例えば、非晶質シリコンを結
晶化した低温多結晶シリコンからＴＦＴなどのスイッチ
ング素子の回路を形成することができる。特に、非晶質
シリコンをレーザーアニーリングして結晶化する場合に
適している。
【００１１】本発明においては、小型パネルを大型基板
に貼り合わせた後、この貼り合わせにより形成される小
型パネル間の隙間に埋め込み部を形成することが好まし
い。このような埋め込み部を形成することにより、封止
した内部に水分が侵入するのを防ぐことができ、ＥＬ素
子が水分を含んで劣化するのを抑制することができる。
に貼り合わせた後、この貼り合わせにより形成される小
型パネル間の隙間に埋め込み部を形成することが好まし
い。このような埋め込み部を形成することにより、封止
した内部に水分が侵入するのを防ぐことができ、ＥＬ素
子が水分を含んで劣化するのを抑制することができる。
【００１２】本発明においては、小型パネルを大型基板
に複数枚貼り合わせて大型化した後、ＥＬ素子を形成
し、次いでＥＬ素子全体を封止する。封止の方法は特に
限定されるものではないが、封止用密閉部材を取り付け
ることにより行うことができる。このような封止用密閉
部材を取り付ける場合、封止用密閉部材が取り付けられ
る領域部の高さが、埋め込み部の高さと同じになるよう
に、封止用密閉部材が取り付けられる領域部に台座部を
形成することが好ましい。
に複数枚貼り合わせて大型化した後、ＥＬ素子を形成
し、次いでＥＬ素子全体を封止する。封止の方法は特に
限定されるものではないが、封止用密閉部材を取り付け
ることにより行うことができる。このような封止用密閉
部材を取り付ける場合、封止用密閉部材が取り付けられ
る領域部の高さが、埋め込み部の高さと同じになるよう
に、封止用密閉部材が取り付けられる領域部に台座部を
形成することが好ましい。
【００１３】ここで、封止用密閉部材としては、アルミ
ニウムまたはステンレス等の金属成形体や、ＳｉＯ2、
ＡｌＯ3等の無機セラミック成形体、さらにプラスチッ
ク等を含有した撥水性成形体等も使用することができ
る。
ニウムまたはステンレス等の金属成形体や、ＳｉＯ2、
ＡｌＯ3等の無機セラミック成形体、さらにプラスチッ
ク等を含有した撥水性成形体等も使用することができ
る。
【００１４】上記埋め込み部及び上記台座部は、例えば
ネガ型感光性材料からフォトリソグラフィー法により形
成することができる。さらに、埋め込み部または台座部
の上には、これらの部分から封止した内部に水分が浸透
するのを防ぐため、パッシベーション膜を設けることが
好ましい。このようなパッシベーション膜としては、例
えば、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＡｌＮ膜な
どを用いることができ、これらの膜は例えばスパッタリ
ング法により形成することができる。
ネガ型感光性材料からフォトリソグラフィー法により形
成することができる。さらに、埋め込み部または台座部
の上には、これらの部分から封止した内部に水分が浸透
するのを防ぐため、パッシベーション膜を設けることが
好ましい。このようなパッシベーション膜としては、例
えば、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＡｌＮ膜な
どを用いることができ、これらの膜は例えばスパッタリ
ング法により形成することができる。
【００１５】また、小型パネル内のスイッチング素子を
駆動するための駆動回路または外部駆動回路との接続部
を同じ小型パネル内に設けておくことにより、小型パネ
ル間で画素電極を電気的に接続する必要がなくなる。従
って、より簡易にＥＬ表示装置を大型化することができ
る。
駆動するための駆動回路または外部駆動回路との接続部
を同じ小型パネル内に設けておくことにより、小型パネ
ル間で画素電極を電気的に接続する必要がなくなる。従
って、より簡易にＥＬ表示装置を大型化することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に従う一実施例の
製造工程を示す断面図である。図１（ａ）は、小型パネ
ルを大型基板に貼り合わせた状態を示している。図４
は、この状態を示す斜視図である。図４に示すように、
小型パネル１〜４の４枚を、大型基板５に貼り合わせて
いる。本実施例では、大型基板５としてガラス基板を用
いている。小型パネル１〜４には画素領域が設定されて
おり、各画素領域にはスイッチング素子が既に形成され
ている。スイッチング素子は、小型パネルの基板上に非
晶質シリコン膜を形成し、これをレーザーアニーリング
により結晶化させて低温多結晶シリコン膜とした後、こ
れを用いてＴＦＴを形成することにより形成されてい
る。また、このスイッチング素子と接続されたＩＴＯな
どからなる透明電極が形成されており、この透明電極
は、垂直方向に延びる信号画素電極に接続されている。
小型パネル１，２，３，４内の信号画素電極は、それぞ
れの駆動回路または外部駆動回路との接続部１ａ，２
ａ，３ａ，４ａに接続されている。また、図４に示すよ
うに、各小型パネル１，２，３，４には、水平方向に延
びる走査画素電極を駆動するための駆動回路または外部
駆動回路との接続部１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂが予め形成
されている。
製造工程を示す断面図である。図１（ａ）は、小型パネ
ルを大型基板に貼り合わせた状態を示している。図４
は、この状態を示す斜視図である。図４に示すように、
小型パネル１〜４の４枚を、大型基板５に貼り合わせて
いる。本実施例では、大型基板５としてガラス基板を用
いている。小型パネル１〜４には画素領域が設定されて
おり、各画素領域にはスイッチング素子が既に形成され
ている。スイッチング素子は、小型パネルの基板上に非
晶質シリコン膜を形成し、これをレーザーアニーリング
により結晶化させて低温多結晶シリコン膜とした後、こ
れを用いてＴＦＴを形成することにより形成されてい
る。また、このスイッチング素子と接続されたＩＴＯな
どからなる透明電極が形成されており、この透明電極
は、垂直方向に延びる信号画素電極に接続されている。
小型パネル１，２，３，４内の信号画素電極は、それぞ
れの駆動回路または外部駆動回路との接続部１ａ，２
ａ，３ａ，４ａに接続されている。また、図４に示すよ
うに、各小型パネル１，２，３，４には、水平方向に延
びる走査画素電極を駆動するための駆動回路または外部
駆動回路との接続部１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂが予め形成
されている。
【００１７】図１（ａ）は、図４に示す小型パネル１と
小型パネル２を通る水平方向の線で切断した断面図であ
る。なお、図４に示す駆動回路または接続部は図示省略
している。大型基板５と小型パネル１，２は、接着剤を
用いて貼り合わせている。ここでは、大型基板５に粘性
の低いアクリル系接着剤を均一に塗布した後、アライメ
ント位置を確認しながら、小型パネルを貼り合わせてい
る。貼り合わせ終了後、例えばホットプレート上で２０
０℃１時間ベーキングを行うことにより接着剤を硬化さ
せている。本実施例では、駆動回路または外部駆動回路
との接続部１ａ〜４ａ及び１ｂ〜４ｂ（図４に図示）よ
り内側の部分で貼り合わせている。これは、外部回路と
の接続との関係を考慮したものであるが、本発明はこの
ような貼り合わせに限定されるものではなく、小型パネ
ルの全面を大型基板５と貼り合わせてもよい。図１
（ａ）及び図４に示すように、大型基板５に貼り合わせ
た際、小型パネル間には隙間１０が形成される。
小型パネル２を通る水平方向の線で切断した断面図であ
る。なお、図４に示す駆動回路または接続部は図示省略
している。大型基板５と小型パネル１，２は、接着剤を
用いて貼り合わせている。ここでは、大型基板５に粘性
の低いアクリル系接着剤を均一に塗布した後、アライメ
ント位置を確認しながら、小型パネルを貼り合わせてい
る。貼り合わせ終了後、例えばホットプレート上で２０
０℃１時間ベーキングを行うことにより接着剤を硬化さ
せている。本実施例では、駆動回路または外部駆動回路
との接続部１ａ〜４ａ及び１ｂ〜４ｂ（図４に図示）よ
り内側の部分で貼り合わせている。これは、外部回路と
の接続との関係を考慮したものであるが、本発明はこの
ような貼り合わせに限定されるものではなく、小型パネ
ルの全面を大型基板５と貼り合わせてもよい。図１
（ａ）及び図４に示すように、大型基板５に貼り合わせ
た際、小型パネル間には隙間１０が形成される。
【００１８】次に、図１（ｂ）に示すように、隙間１０
を埋めるように埋め込み部１１を形成するとともに、後
工程において封止用密閉部材を取り付ける領域部に台座
部１２を形成する。このような埋め込み部１１及び台座
部１２は、例えばネガ型レジスト材料から形成すること
ができる。例えば、ネガ型レジスト材料をスピンコート
法により全体に塗布した後、埋め込み部１１及び台座部
１２を形成する部分が露光されるマスクパターンを用い
て露光する。このようにして露光し現像した後、ポスト
ベークを行い、さらに真空中（５Ｔｏｒｒ）で２００℃
２時間ベーキングを行いレジスト材料を硬化させる。
を埋めるように埋め込み部１１を形成するとともに、後
工程において封止用密閉部材を取り付ける領域部に台座
部１２を形成する。このような埋め込み部１１及び台座
部１２は、例えばネガ型レジスト材料から形成すること
ができる。例えば、ネガ型レジスト材料をスピンコート
法により全体に塗布した後、埋め込み部１１及び台座部
１２を形成する部分が露光されるマスクパターンを用い
て露光する。このようにして露光し現像した後、ポスト
ベークを行い、さらに真空中（５Ｔｏｒｒ）で２００℃
２時間ベーキングを行いレジスト材料を硬化させる。
【００１９】図２は、このようにして形成した埋め込み
部１１及び台座部１２のパターン形状を示す平面図であ
る。図２に示すように埋め込み部１１は小型パネル間の
隙間１０に沿って十字状となるように形成され、台座部
１２は封止用密閉部材が取り付けられる領域部に形成さ
れる。
部１１及び台座部１２のパターン形状を示す平面図であ
る。図２に示すように埋め込み部１１は小型パネル間の
隙間１０に沿って十字状となるように形成され、台座部
１２は封止用密閉部材が取り付けられる領域部に形成さ
れる。
【００２０】本実施例のように、埋め込み部１１及び台
座部１２をネガ型レジスト材料を用いて形成した場合、
ＴＦＴなどのスイッチング素子が形成された部分に紫外
線を照射しなくともよい。このため、スイッチング素子
などの駆動部分の損傷を抑えることができる。
座部１２をネガ型レジスト材料を用いて形成した場合、
ＴＦＴなどのスイッチング素子が形成された部分に紫外
線を照射しなくともよい。このため、スイッチング素子
などの駆動部分の損傷を抑えることができる。
【００２１】また、本実施例では、真空中２００℃でベ
ーキングすることによりレジスト材料を硬化させている
が、窒素雰囲気でベーキングしても同様にレジスト材料
を硬化させることができる。
ーキングすることによりレジスト材料を硬化させている
が、窒素雰囲気でベーキングしても同様にレジスト材料
を硬化させることができる。
【００２２】次に、図１（ｃ）に示すように、埋め込み
部１１及び台座部１２の上に、パッシベーション膜１３
を形成する。パッシベーション膜１３の形成は、例え
ば、ポジ型レジスト材料をスピンコート法により全面に
塗布し、プリベークした後、上記埋め込み部１１及び台
座部１２を形成したときに使用したマスクパターンと同
じものを用いて露光し現像する。これにより、埋め込み
部１１及び台座部１２の上以外の領域にレジスト膜を形
成することができる。その後、ＳｉＯ2膜をスパッタリ
ング法により、例えば厚み２０００Åとなるように成膜
し、次にレジスト膜を有機系剥離液で除去する。これに
より、埋め込み部１１及び台座部１２の上にのみＳｉＯ
2膜からなるパッシベーション膜１３を形成することが
できる。
部１１及び台座部１２の上に、パッシベーション膜１３
を形成する。パッシベーション膜１３の形成は、例え
ば、ポジ型レジスト材料をスピンコート法により全面に
塗布し、プリベークした後、上記埋め込み部１１及び台
座部１２を形成したときに使用したマスクパターンと同
じものを用いて露光し現像する。これにより、埋め込み
部１１及び台座部１２の上以外の領域にレジスト膜を形
成することができる。その後、ＳｉＯ2膜をスパッタリ
ング法により、例えば厚み２０００Åとなるように成膜
し、次にレジスト膜を有機系剥離液で除去する。これに
より、埋め込み部１１及び台座部１２の上にのみＳｉＯ
2膜からなるパッシベーション膜１３を形成することが
できる。
【００２３】本実施例では、パッシベーション膜として
ＳｉＯ2膜を用いているが、ＳｉＮ膜やＡｌ2Ｏ3膜、Ａ
ｌＮ膜を用いてもよい。また、ケイ素を含有したネガ型
のスピンコート剤を用いても同様にパッシベーション膜
を形成することができる。
ＳｉＯ2膜を用いているが、ＳｉＮ膜やＡｌ2Ｏ3膜、Ａ
ｌＮ膜を用いてもよい。また、ケイ素を含有したネガ型
のスピンコート剤を用いても同様にパッシベーション膜
を形成することができる。
【００２４】次に、図１（ｄ）に示すように、小型パネ
ルの台座部１２の内側の領域に、有機ＥＬ層１４を形成
し、さらにその上に走査画素電極１５を形成する。図３
は、有機ＥＬ層１４を含む有機ＥＬ素子を示す断面図で
ある。有機ＥＬ層１４は、ＩＴＯ（インジウム−スス酸
化物）膜などからなる透明電極１８の上に形成される。
この透明電極１８は、本実施例のように予め小型パネル
に形成されていてもよいし、小型パネルを貼り合わせた
後に形成してもよい。この透明電極１８は、小型パネル
に予め形成されたＴＦＴなどのスイッチング素子に接続
されている。透明電極１８の上には、ホール輸送層１４
ａが形成されており、ホール輸送層１４ａの上には、発
光層１４ｂが形成されており、発光層１４ｂの上には、
電子輸送層１４ｃが形成されている。電子輸送層１４ｃ
の上にＭｇＩｎ膜などからなる走査画素電極１５が形成
されている。
ルの台座部１２の内側の領域に、有機ＥＬ層１４を形成
し、さらにその上に走査画素電極１５を形成する。図３
は、有機ＥＬ層１４を含む有機ＥＬ素子を示す断面図で
ある。有機ＥＬ層１４は、ＩＴＯ（インジウム−スス酸
化物）膜などからなる透明電極１８の上に形成される。
この透明電極１８は、本実施例のように予め小型パネル
に形成されていてもよいし、小型パネルを貼り合わせた
後に形成してもよい。この透明電極１８は、小型パネル
に予め形成されたＴＦＴなどのスイッチング素子に接続
されている。透明電極１８の上には、ホール輸送層１４
ａが形成されており、ホール輸送層１４ａの上には、発
光層１４ｂが形成されており、発光層１４ｂの上には、
電子輸送層１４ｃが形成されている。電子輸送層１４ｃ
の上にＭｇＩｎ膜などからなる走査画素電極１５が形成
されている。
【００２５】次に、図１（ｅ）に示すように、台座部１
２のパッシベーション膜１３の上に、接着剤を介して封
止用密閉部材１６のフランジ部１６ａを取り付けること
により封止する。封止用密閉部材１６の内側空間内に
は、乾燥剤１７が保持されている。乾燥剤１７は、例え
ば多孔質フィルムによりＣａＯなどの乾燥剤を保持する
ことにより封止用密閉部材１６の内側に取り付けられて
いる。乾燥剤１７を封止した空間内に配置することによ
り、有機ＥＬ層の劣化を防止することができる。また、
上記の封止工程は、乾燥した窒素雰囲気中で行うことが
好ましい。
２のパッシベーション膜１３の上に、接着剤を介して封
止用密閉部材１６のフランジ部１６ａを取り付けること
により封止する。封止用密閉部材１６の内側空間内に
は、乾燥剤１７が保持されている。乾燥剤１７は、例え
ば多孔質フィルムによりＣａＯなどの乾燥剤を保持する
ことにより封止用密閉部材１６の内側に取り付けられて
いる。乾燥剤１７を封止した空間内に配置することによ
り、有機ＥＬ層の劣化を防止することができる。また、
上記の封止工程は、乾燥した窒素雰囲気中で行うことが
好ましい。
【００２６】図５は、封止用密閉部材１６を用いて封止
した後の状態を示す斜視図である。本実施例では、上述
のように、埋め込み部１１及び台座部１２の高さが同じ
になるように形成されているので、封止用密閉部材を取
り付ける際の接着部分の高さをほぼ一定にすることがで
き、隙間を生じないようにして封止することできる。ま
た、有機ＥＬ素子全体を１つの封止用密閉部材で封止し
ているので、フランジ部１６ａの幅を広くし、接着部分
の幅（封止幅）を広くすることができる。このような封
止幅を広くすることによる効果を以下に説明する。
した後の状態を示す斜視図である。本実施例では、上述
のように、埋め込み部１１及び台座部１２の高さが同じ
になるように形成されているので、封止用密閉部材を取
り付ける際の接着部分の高さをほぼ一定にすることがで
き、隙間を生じないようにして封止することできる。ま
た、有機ＥＬ素子全体を１つの封止用密閉部材で封止し
ているので、フランジ部１６ａの幅を広くし、接着部分
の幅（封止幅）を広くすることができる。このような封
止幅を広くすることによる効果を以下に説明する。
【００２７】図６は、比較のための有機ＥＬ表示装置を
示す斜視図である。この比較例では、各小型パネル１，
２，３，４毎に、封止用密閉部材６，７，８，９を用い
て封止している。図７は、小型パネル３の部分を拡大し
た斜視図である。図７に示すように、封止用密閉部材８
のフランジ部８ａの部分で接着することにより封止がな
されている。
示す斜視図である。この比較例では、各小型パネル１，
２，３，４毎に、封止用密閉部材６，７，８，９を用い
て封止している。図７は、小型パネル３の部分を拡大し
た斜視図である。図７に示すように、封止用密閉部材８
のフランジ部８ａの部分で接着することにより封止がな
されている。
【００２８】図６に示すように各小型パネルにおいて封
止用密閉部材を用いて封止すると、それぞれの封止用密
閉部材においてフランジ部が必要となり、各フランジ部
の幅が狭くなる。図８は、封止用密閉部材のフランジ部
の幅、すなわち封止幅と、有機ＥＬディスプレイの発光
強度が５０％劣化する指標としての信頼性との関係を示
す図である。図８に示されるように、封止幅が広くなる
につれて、有機ＥＬディスプレイの信頼性が高くなって
いることがわかる。これは、封止部分の幅を広くするこ
とにより、封止した内部空間への水分の侵入を有効に防
止することができるからである。図６に示すように、小
型パネル毎に封止を行うと、この封止幅が狭くなる。こ
れに対し、上記実施例のように、有機ＥＬ素子全体に１
つの封止用密閉部材を用いて封止すれば、封止幅を広く
することができ、有機ＥＬ表示装置の信頼性を高めるこ
とができる。
止用密閉部材を用いて封止すると、それぞれの封止用密
閉部材においてフランジ部が必要となり、各フランジ部
の幅が狭くなる。図８は、封止用密閉部材のフランジ部
の幅、すなわち封止幅と、有機ＥＬディスプレイの発光
強度が５０％劣化する指標としての信頼性との関係を示
す図である。図８に示されるように、封止幅が広くなる
につれて、有機ＥＬディスプレイの信頼性が高くなって
いることがわかる。これは、封止部分の幅を広くするこ
とにより、封止した内部空間への水分の侵入を有効に防
止することができるからである。図６に示すように、小
型パネル毎に封止を行うと、この封止幅が狭くなる。こ
れに対し、上記実施例のように、有機ＥＬ素子全体に１
つの封止用密閉部材を用いて封止すれば、封止幅を広く
することができ、有機ＥＬ表示装置の信頼性を高めるこ
とができる。
【００２９】本実施例では、スイッチング素子からなる
ＴＦＴを用いたアクティブ型の有機ＥＬ表示装置の例を
示したが、ＴＦＴを使わないパッシブ型の有機ＥＬ表示
装置とすることもできる。さらに、有機ＥＬ素子を用い
た例を示したが、無機ＥＬ素子を用いて表示装置とする
こともできる。
ＴＦＴを用いたアクティブ型の有機ＥＬ表示装置の例を
示したが、ＴＦＴを使わないパッシブ型の有機ＥＬ表示
装置とすることもできる。さらに、有機ＥＬ素子を用い
た例を示したが、無機ＥＬ素子を用いて表示装置とする
こともできる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、大きな面積で形成する
ことが困難な回路を用いたＥＬ表示装置を大型化して製
造することができる。従って、低温多結晶シリコンを用
いたＴＦＴをスイッチング素子とするＥＬ表示装置の大
型化に適している。
ことが困難な回路を用いたＥＬ表示装置を大型化して製
造することができる。従って、低温多結晶シリコンを用
いたＴＦＴをスイッチング素子とするＥＬ表示装置の大
型化に適している。
【図１】本発明に従う一実施例の有機ＥＬ表示装置の製
造工程を示す断面図。
造工程を示す断面図。
【図２】図１に示す実施例における埋め込み部及び台座
部のパターン形状を示す平面図。
部のパターン形状を示す平面図。
【図３】図１に示す実施例における有機ＥＬ素子を示す
断面図。
断面図。
【図４】図１（ａ）に示す小型パネルの貼り合わせ状態
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図５】図１（ｅ）に示す封止用密閉部材により封止し
た後の状態を示す斜視図。
た後の状態を示す斜視図。
【図６】比較の有機ＥＬ表示装置を示す斜視図。
【図７】図６に示す比較の有機ＥＬ表示装置における１
つの小型パネルを示す拡大斜視図。
つの小型パネルを示す拡大斜視図。
【図８】封止用密閉部材による封止幅（封止幅）と有機
ＥＬ表示装置の信頼性との関係を示す図。
ＥＬ表示装置の信頼性との関係を示す図。
１，２，３，４…小型パネル １ａ，２ａ，３ａ，４ａ…駆動回路または外部駆動回路
との接続部 １ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂ…駆動回路または外部駆動回路
との接続部 ５…大型基板 １０…小型パネル間の隙間 １１…埋め込み部 １２…台座部 １３…パッシベーション膜 １４…有機ＥＬ層 １５…走査画素電極 １６…封止用密閉部材 １６ａ…封止用密閉部材のフランジ部 １７…乾燥剤 １８…透明電極
との接続部 １ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂ…駆動回路または外部駆動回路
との接続部 ５…大型基板 １０…小型パネル間の隙間 １１…埋め込み部 １２…台座部 １３…パッシベーション膜 １４…有機ＥＬ層 １５…走査画素電極 １６…封止用密閉部材 １６ａ…封止用密閉部材のフランジ部 １７…乾燥剤 １８…透明電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/40 ３０１ Ｇ０９Ｆ 9/40 ３０１ Ｈ０５Ｂ 33/04 Ｈ０５Ｂ 33/04 33/10 33/10 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB13 BB01 BB05 BB07 CB01 DA00 DB03 FA02 FA03 GA00 5C094 AA14 AA60 BA27 DA02 DA07 DA09 EA05 GB10 5G435 AA00 AA13 BB05 EE13 EE41 GG25 GG26 KK05 KK09
Claims (11)
- 【請求項１】 各画素領域に回路が形成された小型パネ
ルを大型基板に複数枚貼り合わせて大型化した後、前記
画素領域の上にエレクトロルミネッセンス素子を形成
し、次いでエレクトロルミネッセンス素子全体を封止す
ることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記回路がスイッチング素子である請求
項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造
方法。 - 【請求項３】 前記スイッチング素子がＴＦＴにより形
成されている請求項２に記載のエレクトロルミネッセン
ス表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記ＴＦＴが非晶質シリコンを結晶化し
た低温多結晶シリコンから形成されている請求項３に記
載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記小型パネルを大型基板に貼り合わせ
た際に形成される小型パネル間の隙間に埋め込み部を形
成した後、前記エレクトロルミネッセンス素子を形成す
る請求項１〜４のいずれか１項に記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記エレクトロルミネッセンス素子の封
止を、封止用密閉部材の取り付けにより行う請求項５に
記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記封止用密閉部材が取り付けられる領
域部の高さが前記埋め込み部の高さと同じになるように
前記領域部に台座部を形成する請求項６に記載のエレク
トロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記埋め込み部または前記台座部をネガ
型感光性材料から形成する請求項５または７に記載のエ
レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記埋め込み部または前記台座部の上に
パッシベーション膜を形成する請求項５、７または８に
記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 小型パネル内のスイッチング素子を駆
動するための駆動回路または外部駆動回路との接続部が
同じ小型パネル内に設けられている請求項１〜９のいず
れか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の
製造方法。 - 【請求項１１】 前記エレクトロルミネッセンス素子が
有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１〜１
０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセン
ス表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27721399A JP3676142B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| US09/677,051 US6624570B1 (en) | 1999-09-29 | 2000-09-29 | Electroluminescent display device and method for its fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27721399A JP3676142B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001102171A true JP2001102171A (ja) | 2001-04-13 |
| JP3676142B2 JP3676142B2 (ja) | 2005-07-27 |
Family
ID=17580398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27721399A Expired - Fee Related JP3676142B2 (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3676142B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1244146A2 (en) * | 2001-03-22 | 2002-09-25 | Eastman Kodak Company | A method of making a tiled emissive display |
| JP2005266755A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| JP2005302440A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイ |
| JP2006047945A (ja) * | 2004-02-19 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| KR100709941B1 (ko) | 2003-11-25 | 2007-04-25 | 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 | 발광셀, 발광셀을 갖는 발광장치, 발광유닛, 발광유닛을갖는 발광장치, 발광장치용 프레임, 및 발광셀의 제조 방법 |
| JP2012525685A (ja) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 充填された間隙を有するタイル状エレクトロルミネッセンスデバイス |
| JP2018515901A (ja) * | 2015-05-01 | 2018-06-14 | イマジン・コーポレイション | 大面積ｏｌｅｄマイクロディスプレイおよびその製造方法 |
| WO2021133003A1 (en) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode transfer system and control method thereof |
-
1999
- 1999-09-29 JP JP27721399A patent/JP3676142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1244146A3 (en) * | 2001-03-22 | 2007-01-17 | Eastman Kodak Company | A method of making a tiled emissive display |
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| US7397178B2 (en) | 2003-11-25 | 2008-07-08 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Luminescence cell, luminescence device with luminescence cell, luminescence unit, luminescence device with luminescence unit, frame for luminescence device, and method for manufacturing luminescence cell |
| KR100709941B1 (ko) | 2003-11-25 | 2007-04-25 | 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 | 발광셀, 발광셀을 갖는 발광장치, 발광유닛, 발광유닛을갖는 발광장치, 발광장치용 프레임, 및 발광셀의 제조 방법 |
| US7282385B2 (en) | 2004-02-19 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus |
| JP2006047945A (ja) * | 2004-02-19 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| JP2005266755A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| CN100454607C (zh) * | 2004-02-19 | 2009-01-21 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置的制造方法、电光学装置及电子器械 |
| JP2005302440A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイ |
| JP2012525685A (ja) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 充填された間隙を有するタイル状エレクトロルミネッセンスデバイス |
| JP2018515901A (ja) * | 2015-05-01 | 2018-06-14 | イマジン・コーポレイション | 大面積ｏｌｅｄマイクロディスプレイおよびその製造方法 |
| WO2021133003A1 (en) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode transfer system and control method thereof |
| US11715811B2 (en) | 2019-12-26 | 2023-08-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode transfer system and control method thereof |
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|---|---|
| JP3676142B2 (ja) | 2005-07-27 |
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