JP2001099792A - サンプルを蛍光ｘ線分析するための方法及び装置 - Google Patents
サンプルを蛍光ｘ線分析するための方法及び装置Info
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】既知の蛍光Ｘ線分析するたの方法は、制限され
た数のＸ線ラインの組合せしかサンプルを分析するのに
使用されないので、分析の可能性が厳しく制限されると
いう欠点を有している。これらの欠点を軽減した方法及
び装置を提供する。 【解決手段】サンプル４，５から放出する蛍光Ｘ線は、
ダイヤフラム１２を介して長形の管１１に進入し、長形
の管１１に配される分析クリスタル１３によって曲げら
れ、長形の管１１に隣接する管１４の方向に進行し、管
１４には検出器１５が配されている。このようなチャネ
ルの実施例は、低い検出限界で達成すべき良好な信号／
雑音比を可能にする。その上、このチャネルの長さは従
来使用される長さに比べかなり小さくなっている。結果
的に、蛍光Ｘ線は、チャネルの制限された距離だけを進
む必要があるので、信号／雑音比が更に改善される。
た数のＸ線ラインの組合せしかサンプルを分析するのに
使用されないので、分析の可能性が厳しく制限されると
いう欠点を有している。これらの欠点を軽減した方法及
び装置を提供する。 【解決手段】サンプル４，５から放出する蛍光Ｘ線は、
ダイヤフラム１２を介して長形の管１１に進入し、長形
の管１１に配される分析クリスタル１３によって曲げら
れ、長形の管１１に隣接する管１４の方向に進行し、管
１４には検出器１５が配されている。このようなチャネ
ルの実施例は、低い検出限界で達成すべき良好な信号／
雑音比を可能にする。その上、このチャネルの長さは従
来使用される長さに比べかなり小さくなっている。結果
的に、蛍光Ｘ線は、チャネルの制限された距離だけを進
む必要があるので、信号／雑音比が更に改善される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、 −化学要素ｂを含む基板と、 −この基板上に置かれ、同じ化学要素ｂと化学要素ａと
を含む薄層と、を含むサンプルを分析する方法であり、
この方法は、 −一次Ｘ線によってこのサンプルを照射するステップ、
及び −この一次Ｘ線による照射によってこのサンプルに共に
生成される、比較的硬い蛍光Ｘ線と比較的軟らかい蛍光
Ｘ線とのＸ線ラインの強度を検出するステップ、を含む
方法に関する。
を含む薄層と、を含むサンプルを分析する方法であり、
この方法は、 −一次Ｘ線によってこのサンプルを照射するステップ、
及び −この一次Ｘ線による照射によってこのサンプルに共に
生成される、比較的硬い蛍光Ｘ線と比較的軟らかい蛍光
Ｘ線とのＸ線ラインの強度を検出するステップ、を含む
方法に関する。
【０００２】本発明は、上記方法を実行するための装置
にも関する。
にも関する。
【０００３】この種類の方法及び装置は、日本国特許番
号第２７０６６０１号から既知である。この引用された
日本特許は、基板上の薄層の厚さを決定し、蛍光Ｘ線分
析によってこの薄層の化学要素の濃度を決定する方法を
記載している。このために、サンプルはＸ線源から生じ
るＸ線（一次Ｘ線）によって照射される。このサンプル
は、本事例においてシリコンである第１化学要素からな
る基板によって形成され、この要素の上に第１化学要素
（シリコン）と本事例においてタングステンである第２
化学要素とからなる薄層が設けられる。前記一次放射線
は、このサンプルにおいて蛍光Ｘ線を生成し、この蛍光
Ｘ線は、このサンプルに存在する化学要素、つまりシリ
コン及びタングステンの特性放射線を含む。この特性放
射線は、（例えば約０．０２ｎｍから１ｎｍの大きさの
波長を持つ）比較的硬いＸ線と（例えば約２ｎｍから１
５ｎｍの大きさの波長を持つ）比較的軟らかいＸ線とを
含む。
号第２７０６６０１号から既知である。この引用された
日本特許は、基板上の薄層の厚さを決定し、蛍光Ｘ線分
析によってこの薄層の化学要素の濃度を決定する方法を
記載している。このために、サンプルはＸ線源から生じ
るＸ線（一次Ｘ線）によって照射される。このサンプル
は、本事例においてシリコンである第１化学要素からな
る基板によって形成され、この要素の上に第１化学要素
（シリコン）と本事例においてタングステンである第２
化学要素とからなる薄層が設けられる。前記一次放射線
は、このサンプルにおいて蛍光Ｘ線を生成し、この蛍光
Ｘ線は、このサンプルに存在する化学要素、つまりシリ
コン及びタングステンの特性放射線を含む。この特性放
射線は、（例えば約０．０２ｎｍから１ｎｍの大きさの
波長を持つ）比較的硬いＸ線と（例えば約２ｎｍから１
５ｎｍの大きさの波長を持つ）比較的軟らかいＸ線とを
含む。
【０００４】既知の方法に従って、装置応答が、既知の
基準サンプルにより決定される。このような装置応答を
使用することで、前記層の厚さ及びこの層の一方の化学
要素、例えばタングステンの濃度が比較的硬い蛍光放射
線と比較的軟らかい蛍光放射線との両方の測定強度に基
づいて決定される。このような決定は、蛍光Ｘ線の強度
を統計的に計算する既知の方法により実行される。すな
わちこの計算方法は「基礎パラメタ方法」(fundamental
parameter method)として知られている。このような統
計的に計算された蛍光Ｘ線の強度は、サンプルから射出
された直後に起こる強度であり、サンプルから検出器ま
でを含む全体の測定チャネルの影響は、ここでは考慮さ
れない。引用される日本特許において、２つの型式の蛍
光Ｘ線（すなわち比較的硬い蛍光Ｘ線及び比較的軟らか
い蛍光Ｘ線）の組合せは、タングステンのＸ線ラインＫ
とＭ、ＫとＮ及びＬとＮの組合せの１つ又はシリコンの
Ｘ線ラインＫとＭ、ＫとＮ及びＬとＮの組合せの１つに
より形成される。
基準サンプルにより決定される。このような装置応答を
使用することで、前記層の厚さ及びこの層の一方の化学
要素、例えばタングステンの濃度が比較的硬い蛍光放射
線と比較的軟らかい蛍光放射線との両方の測定強度に基
づいて決定される。このような決定は、蛍光Ｘ線の強度
を統計的に計算する既知の方法により実行される。すな
わちこの計算方法は「基礎パラメタ方法」(fundamental
parameter method)として知られている。このような統
計的に計算された蛍光Ｘ線の強度は、サンプルから射出
された直後に起こる強度であり、サンプルから検出器ま
でを含む全体の測定チャネルの影響は、ここでは考慮さ
れない。引用される日本特許において、２つの型式の蛍
光Ｘ線（すなわち比較的硬い蛍光Ｘ線及び比較的軟らか
い蛍光Ｘ線）の組合せは、タングステンのＸ線ラインＫ
とＭ、ＫとＮ及びＬとＮの組合せの１つ又はシリコンの
Ｘ線ラインＫとＭ、ＫとＮ及びＬとＮの組合せの１つに
より形成される。
【０００５】しかしながら、この既知の方法は、制限さ
れた数のＸ線ラインの組合せしか前記サンプルを分析す
るのに使用されないので、分析の可能性が厳しく制限さ
れるという欠点を有している。例えば、珪化コバルト(c
obalt silicide)の薄層は前記方法ではカバーされな
い。
れた数のＸ線ラインの組合せしか前記サンプルを分析す
るのに使用されないので、分析の可能性が厳しく制限さ
れるという欠点を有している。例えば、珪化コバルト(c
obalt silicide)の薄層は前記方法ではカバーされな
い。
【０００６】本発明の目的は、前記欠点を軽減した方法
及び装置を提供することである。
及び装置を提供することである。
【０００７】このために、本発明に従い、化学要素ａ及
びｂのＸ線ラインの以下の組合せ、 − ｂ−Ｌ／ｂ−Ｋ； − ｂ−Ｋ／ａ−Ｌ； − ｂ−Ｌ／ａ−Ｌ； − ｂ−Ｌ／ａ−Ｍ； − ａ−Ｍ／ａ−Ｌ； − ａ−Ｍ／ａ−Ｎ； − ａ−Ｋ／ｂ−Ｋ； − ａ−Ｋ／ｂ−Ｌ； − ａ−Ｋ／ａ−Ｌ； が１つ以上検出され、前記薄層の厚さ及び／又は第１又
は第２の化学要素の濃度は、比較的硬い蛍光Ｘ線と比較
的軟らかい蛍光Ｘ線とを決定するＸ線ラインに基づいて
決定される。
びｂのＸ線ラインの以下の組合せ、 − ｂ−Ｌ／ｂ−Ｋ； − ｂ−Ｋ／ａ−Ｌ； − ｂ−Ｌ／ａ−Ｌ； − ｂ−Ｌ／ａ−Ｍ； − ａ−Ｍ／ａ−Ｌ； − ａ−Ｍ／ａ−Ｎ； − ａ−Ｋ／ｂ−Ｋ； − ａ−Ｋ／ｂ−Ｌ； − ａ−Ｋ／ａ−Ｌ； が１つ以上検出され、前記薄層の厚さ及び／又は第１又
は第２の化学要素の濃度は、比較的硬い蛍光Ｘ線と比較
的軟らかい蛍光Ｘ線とを決定するＸ線ラインに基づいて
決定される。
【０００８】本発明の更なる見地によると、本発明は上
述された方法を実行する装置を提供し、この方法は、 −分析すべきサンプルを受け止めるサンプルホルダ、 −一次Ｘ線を生成するＸ線源、 −少なくとも比較的硬いＸ線と比較的軟らかいＸ線とを
随意に選択する選択手段、 −前記サンプルにより放出される蛍光Ｘ線のＸ線ライン
の強度を検出する検出手段、を含み、 −前記選択手段は、前記比較的軟らかい蛍光Ｘ線を選択
するために第１チャネルに配された第１選択器と、前記
比較的硬い蛍光Ｘ線を選択するために第２チャネルに配
された第２選択器とを含み、 −前記検出手段は、第１チャネルに配された第１検出器
と、第２チャネルに配された第２検出器とを含み、前記
検出器は、前記比較的硬い蛍光Ｘ線と比較的軟らかい蛍
光Ｘ線とを同時に検出する、方法である。
述された方法を実行する装置を提供し、この方法は、 −分析すべきサンプルを受け止めるサンプルホルダ、 −一次Ｘ線を生成するＸ線源、 −少なくとも比較的硬いＸ線と比較的軟らかいＸ線とを
随意に選択する選択手段、 −前記サンプルにより放出される蛍光Ｘ線のＸ線ライン
の強度を検出する検出手段、を含み、 −前記選択手段は、前記比較的軟らかい蛍光Ｘ線を選択
するために第１チャネルに配された第１選択器と、前記
比較的硬い蛍光Ｘ線を選択するために第２チャネルに配
された第２選択器とを含み、 −前記検出手段は、第１チャネルに配された第１検出器
と、第２チャネルに配された第２検出器とを含み、前記
検出器は、前記比較的硬い蛍光Ｘ線と比較的軟らかい蛍
光Ｘ線とを同時に検出する、方法である。
【０００９】別個のチャネルにおいて前記比較的硬い蛍
光Ｘ線と比較的軟らかい蛍光Ｘ線とを同時に検出するた
めに、検出に必要な時間が減少可能である。その上、選
択手段、検出手段及び焦点手段は、各チャネルにおける
検出感度を最適にするように選択される。
光Ｘ線と比較的軟らかい蛍光Ｘ線とを同時に検出するた
めに、検出に必要な時間が減少可能である。その上、選
択手段、検出手段及び焦点手段は、各チャネルにおける
検出感度を最適にするように選択される。
【００１０】他の好ましい実施例において、チャネルの
各々における圧力は１０−６ｂａｒ以下であり、これに
より比較的軽量な要素の分析を可能にする。
各々における圧力は１０−６ｂａｒ以下であり、これに
より比較的軽量な要素の分析を可能にする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の更なる利点、特徴及び詳
細は、好ましい実施例の記述で以下に説明されるであろ
う。
細は、好ましい実施例の記述で以下に説明されるであろ
う。
【００１２】図１は、蛍光Ｘ線分光計１を概略的に示
す。ハウジング３に収容されているＸ線管２は、ホルダ
４に取り付けられたサンプル５，６の方向に一次Ｘ線を
放射する。このサンプルはシリコンから成る基板５を含
み、この基板上にコバルトから成る薄層６が設けられ
る。一次Ｘ線によるサンプルの物質への照射によって、
光電子がこのサンプルの原子により放出される。これ
は、関連する原子の一つ以上の殻に電子空孔を作り、こ
れによりこれら原子を不安定にさせる。これら原子の安
定を取り戻すために、内側の殻にある空孔は、外側の殻
の電子により満たされる。このような遷移は、二次Ｘ線
又は蛍光放射線(fluorescent radiation)の形式のエネ
ルギー放射が伴う。様々な電子殻は、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ等
と呼ばれ、各殻は所与のエネルギーレベルに対応してい
る。この結果、蛍光放射線のエネルギーレベルは、原子
の様々な殻の間を遷移する時のエネルギー差によって決
定される。放射された蛍光放射線のエネルギーレベル
は、この放射線の周波数に比例するので、どの遷移が起
こったかを決めるために、周波数分析が前記蛍光Ｘ線に
対し実行される。この情報は、原子の型式及び故に照射
されたサンプルの化学成分を決定するのに使用される。
蛍光放射線の強度も測定することは、このサンプル内の
様々な要素の各々の濃度の測定をもたらす。
す。ハウジング３に収容されているＸ線管２は、ホルダ
４に取り付けられたサンプル５，６の方向に一次Ｘ線を
放射する。このサンプルはシリコンから成る基板５を含
み、この基板上にコバルトから成る薄層６が設けられ
る。一次Ｘ線によるサンプルの物質への照射によって、
光電子がこのサンプルの原子により放出される。これ
は、関連する原子の一つ以上の殻に電子空孔を作り、こ
れによりこれら原子を不安定にさせる。これら原子の安
定を取り戻すために、内側の殻にある空孔は、外側の殻
の電子により満たされる。このような遷移は、二次Ｘ線
又は蛍光放射線(fluorescent radiation)の形式のエネ
ルギー放射が伴う。様々な電子殻は、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ等
と呼ばれ、各殻は所与のエネルギーレベルに対応してい
る。この結果、蛍光放射線のエネルギーレベルは、原子
の様々な殻の間を遷移する時のエネルギー差によって決
定される。放射された蛍光放射線のエネルギーレベル
は、この放射線の周波数に比例するので、どの遷移が起
こったかを決めるために、周波数分析が前記蛍光Ｘ線に
対し実行される。この情報は、原子の型式及び故に照射
されたサンプルの化学成分を決定するのに使用される。
蛍光放射線の強度も測定することは、このサンプル内の
様々な要素の各々の濃度の測定をもたらす。
【００１３】この蛍光放射線は、分析用クリスタル７及
び８によってこの放射線を遮断することで検出され、こ
れらクリスタルの各々は、既定波長の放射線のみを反射
する。この反射された放射線は、それぞれの検出器９及
び１０により集められる。従って、検出器９及び１０に
より集められる放射線の波長は、分析用クリスタル７及
び８を適切に位置決めすることにより調節される。
び８によってこの放射線を遮断することで検出され、こ
れらクリスタルの各々は、既定波長の放射線のみを反射
する。この反射された放射線は、それぞれの検出器９及
び１０により集められる。従って、検出器９及び１０に
より集められる放射線の波長は、分析用クリスタル７及
び８を適切に位置決めすることにより調節される。
【００１４】これら検出器９及び１０は、検出された蛍
光Ｘ線をこの検出された蛍光Ｘ線の強度を表す出力信号
に変換する電子手段を具備する。
光Ｘ線をこの検出された蛍光Ｘ線の強度を表す出力信号
に変換する電子手段を具備する。
【００１５】前記分析用クリスタルの一方、例えば分析
用クリスタル７は、（例えば約０．０２から２ｎｍの大
きさの波長を持つ放射線である）比較的硬い蛍光放射線
を選択するように構成される。本事例において分析用ク
リスタル８である他方の分析用クリスタルは、（例えば
約２から１５ｎｍの大きさの波長を持つ放射線である）
比較的軟らかい蛍光放射線を選択するように構成され
る。
用クリスタル７は、（例えば約０．０２から２ｎｍの大
きさの波長を持つ放射線である）比較的硬い蛍光放射線
を選択するように構成される。本事例において分析用ク
リスタル８である他方の分析用クリスタルは、（例えば
約２から１５ｎｍの大きさの波長を持つ放射線である）
比較的軟らかい蛍光放射線を選択するように構成され
る。
【００１６】図２は、蛍光Ｘ線を検出するチャネルの好
ましい実施例を示す。サンプル４，５から放出する蛍光
Ｘ線は、ダイヤフラム１２を介して長形の管１１に進入
し、長形の管１１に配される分析クリスタル１３によっ
て曲げられ、長形の管１１に隣接する管１４の方向に進
行し、前記管１４には検出器１５が配されている。この
ようなチャネルの実施例は、低い検出限界で達成すべき
良好な信号／雑音比を可能にする。
ましい実施例を示す。サンプル４，５から放出する蛍光
Ｘ線は、ダイヤフラム１２を介して長形の管１１に進入
し、長形の管１１に配される分析クリスタル１３によっ
て曲げられ、長形の管１１に隣接する管１４の方向に進
行し、前記管１４には検出器１５が配されている。この
ようなチャネルの実施例は、低い検出限界で達成すべき
良好な信号／雑音比を可能にする。
【００１７】比較的低い圧力１０−６ｂａｒが上記チャ
ネル１１，１４において達成され、よって既知のチャネ
ルと比較して、検出器１５により検出された蛍光Ｘ線の
高められた信号／雑音比を提供する。その上、このチャ
ネルの長さは従来使用される長さに比べかなり小さくな
っている。結果的に、蛍光Ｘ線は、前記チャネルの制限
された距離だけを進む必要があるので、信号／雑音比が
更に改善される。
ネル１１，１４において達成され、よって既知のチャネ
ルと比較して、検出器１５により検出された蛍光Ｘ線の
高められた信号／雑音比を提供する。その上、このチャ
ネルの長さは従来使用される長さに比べかなり小さくな
っている。結果的に、蛍光Ｘ線は、前記チャネルの制限
された距離だけを進む必要があるので、信号／雑音比が
更に改善される。
【００１８】比較的硬い蛍光Ｘ線及び比較的軟らかい蛍
光Ｘ線の測定された強度に基づいて前記薄層の化学要素
の濃度及びこの薄層の厚さを決定することが以下に詳細
に述べられている。
光Ｘ線の測定された強度に基づいて前記薄層の化学要素
の濃度及びこの薄層の厚さを決定することが以下に詳細
に述べられている。
【００１９】既知のサンプル（すなわち、既知の成分及
び大きさのサンプル）が既知のＸ線源（すなわち、この
スペクトル成分が十分に知られているＸ線源）からのＸ
線に曝されるとき、所与の波長の蛍光放射線の強度が計
算可能となる。この計算のアルゴリズムは、「基礎パラ
メタ方法」と一般的に呼ばれている。これにより計算さ
れる強度は、ここでは計算理論強度すなわちＩ
ｃａｌｃ，ｔｈと呼ばれる。従って、後者の量は、様々
な波長に対し別々の値を持つ。既知であり、互いに異な
る成分からなる多数のサンプルは、（基準サンプル）を
取ることができ、これらサンプルの理論強度Ｉ
ｃａｌｃ，ｔｈは、別々の波長で決められる。これらサ
ンプルは、本発明に従う測定法にも用いることもでき、
よってこの強度は前記波長で測定される。この強度は、
以下、測定強度すなわちＩｍと呼ばれる。前記計算理論
強度Ｉｃａｌｃ，ｔｈ及び測定強度Ｉｍは、よって各サ
ンプル及び前記波長の各々に対して決定される。従っ
て、蛍光放射線の前記波長の各々に対し、（例えば図に
よる）関係がＩｃａｌｃ，ｔｈとＩｍとの間に確立され
る。この関係は、以下検量線(calibration curve)と呼
ばれる。
び大きさのサンプル）が既知のＸ線源（すなわち、この
スペクトル成分が十分に知られているＸ線源）からのＸ
線に曝されるとき、所与の波長の蛍光放射線の強度が計
算可能となる。この計算のアルゴリズムは、「基礎パラ
メタ方法」と一般的に呼ばれている。これにより計算さ
れる強度は、ここでは計算理論強度すなわちＩ
ｃａｌｃ，ｔｈと呼ばれる。従って、後者の量は、様々
な波長に対し別々の値を持つ。既知であり、互いに異な
る成分からなる多数のサンプルは、（基準サンプル）を
取ることができ、これらサンプルの理論強度Ｉ
ｃａｌｃ，ｔｈは、別々の波長で決められる。これらサ
ンプルは、本発明に従う測定法にも用いることもでき、
よってこの強度は前記波長で測定される。この強度は、
以下、測定強度すなわちＩｍと呼ばれる。前記計算理論
強度Ｉｃａｌｃ，ｔｈ及び測定強度Ｉｍは、よって各サ
ンプル及び前記波長の各々に対して決定される。従っ
て、蛍光放射線の前記波長の各々に対し、（例えば図に
よる）関係がＩｃａｌｃ，ｔｈとＩｍとの間に確立され
る。この関係は、以下検量線(calibration curve)と呼
ばれる。
【００２０】図３は、本発明に従う計算を説明するフロ
ーチャートを示す。この計算は、測定されたＸ線ライン
の波長λ１，λ２を決定することで開始される。その
上、薄層において関連する化学要素に対して計算すべき
濃度と薄層の厚さとに関する任意の開始値ｃ０及びｄ０
（２０）に関し、計算されることを仮定する。理論強度
Ｉｃａｌｃ，ｔｈは、基礎パラメタ方法（ＦＰＭ）（２
１）によって２つの波長の各々に対し決定される。
ーチャートを示す。この計算は、測定されたＸ線ライン
の波長λ１，λ２を決定することで開始される。その
上、薄層において関連する化学要素に対して計算すべき
濃度と薄層の厚さとに関する任意の開始値ｃ０及びｄ０
（２０）に関し、計算されることを仮定する。理論強度
Ｉｃａｌｃ，ｔｈは、基礎パラメタ方法（ＦＰＭ）（２
１）によって２つの波長の各々に対し決定される。
【００２１】続いて、分光器の構造と関連し、理論的に
計算された蛍光強度と関連する測定された蛍光強度との
間の関係を示す検量線は、この計算された理論強度Ｉ
ｃａｌ ｃ，ｔｈから関連する計算された測定強度Ｉ
ｍ，ｔｈ（２２）を読み取るのに使用される。続いて、
計算された測定強度と実際の測定強度との差が決められ
る、すなわち、差Δ１＝Ｉｍ，ｔｈ−Ｉｍ及びΔ２＝Ｉ
ｍ，ｔｈ−Ｉｍ２が決められる（２３）。Δ１及びΔ２
は、計算すべき濃度及び薄層の厚さの任意の開始値ｃ ０
及びｄ０の実際の濃度ｃ及び実際の厚さｄからの偏差を
測定したものであり、χ２＝Δ１ ２＋Δ２ ２（２４）に
従う既知のカイ２乗（χ２）検定(chi-squaretest)が全
体の偏差の測定を得るために用いられる。
計算された蛍光強度と関連する測定された蛍光強度との
間の関係を示す検量線は、この計算された理論強度Ｉ
ｃａｌ ｃ，ｔｈから関連する計算された測定強度Ｉ
ｍ，ｔｈ（２２）を読み取るのに使用される。続いて、
計算された測定強度と実際の測定強度との差が決められ
る、すなわち、差Δ１＝Ｉｍ，ｔｈ−Ｉｍ及びΔ２＝Ｉ
ｍ，ｔｈ−Ｉｍ２が決められる（２３）。Δ１及びΔ２
は、計算すべき濃度及び薄層の厚さの任意の開始値ｃ ０
及びｄ０の実際の濃度ｃ及び実際の厚さｄからの偏差を
測定したものであり、χ２＝Δ１ ２＋Δ２ ２（２４）に
従う既知のカイ２乗（χ２）検定(chi-squaretest)が全
体の偏差の測定を得るために用いられる。
【００２２】続いて、ｃ０及びｄ０の値は、前記偏差が
統計的測定に従い最小となるまで、既知の反復方法、例
えば、最小２乗最小化アルゴリズム（最小２乗法又はＬ
ＳＭ）に従う毎に適応される（２５）。このような統計
的測定が最小となる濃度及び厚さの値は、調査濃度ｃ＊
及び厚さｄ＊を構成する（２６）。上記最適化工程は、
統計において既知である多数の方法で実行可能であるこ
とに注意すべきである。
統計的測定に従い最小となるまで、既知の反復方法、例
えば、最小２乗最小化アルゴリズム（最小２乗法又はＬ
ＳＭ）に従う毎に適応される（２５）。このような統計
的測定が最小となる濃度及び厚さの値は、調査濃度ｃ＊
及び厚さｄ＊を構成する（２６）。上記最適化工程は、
統計において既知である多数の方法で実行可能であるこ
とに注意すべきである。
【図１】 図１は、本発明に係る蛍光Ｘ線分光器を示
す。
す。
【図２】 図２は、本発明に係るチャネルの好ましい実
施例の部分的に分解された透視図である。
施例の部分的に分解された透視図である。
【図３】 図３は、薄層の厚さ及び／又はサンプルの化
学的要素の濃度の決定を説明するフローチャートを示
す。
学的要素の濃度の決定を説明するフローチャートを示
す。
１ 蛍光Ｘ線分光計 ２ Ｘ線管 ３ ハウジング ４ ホルダ ５ 基板 ６ 薄層 ７ 分析用クリスタル ８ 分析用クリスタル ９ 検出器 １０ 検出器 １１ 長形の管 １２ ダイヤフラム １３ 分析用クリスタル １４ 管 １５ 検出器
フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ
Claims (6)
- 【請求項１】 −化学要素ｂを含む基板と、 −前記基板上に置かれ、前記同じ化学要素ｂ及び化学要
素ａを含む薄層と、を含むサンプルを分析する方法にお
いて、前記方法は、 −一次Ｘ線によって前記サンプルを照射するステップ、
及び −前記一次Ｘ線による照射によって前記サンプルに共に
生成される、比較的硬い蛍光Ｘ線と比較的軟らかい蛍光
Ｘ線とのＸ線ラインの強度を検出するステップであっ
て、前記化学要素ａ及びｂのＸ線ラインの以下の組合
せ、 − ｂ−Ｌ／ｂ−Ｋ； − ｂ−Ｋ／ａ−Ｌ； − ｂ−Ｌ／ａ−Ｌ； − ｂ−Ｌ／ａ−Ｍ； − ａ−Ｍ／ａ−Ｌ； − ａ−Ｍ／ａ−Ｎ； − ａ−Ｋ／ｂ−Ｋ； − ａ−Ｋ／ｂ−Ｌ； − ａ−Ｋ／ａ−Ｌ； が１つ以上検出され、前記薄層の厚さ及び／又は前記第
１又は第２の化学要素の濃度が、前記比較的硬い蛍光Ｘ
線と前記比較的軟らかい蛍光Ｘ線とを決定する前記Ｘ線
ラインに基づいて決定されるステップ、を含む方法。 - 【請求項２】 前記化学要素ｂがシリコンを含んでいる
請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記化学要素ａがコバルトを含んでいる
請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】 −分析すべき前記サンプルを受け止める
サンプルホルダ、 −前記一次Ｘ線を生成するＸ線源、 −少なくとも比較的硬いＸ線と比較的軟らかいＸ線とを
随意に選択する選択手段、及び −前記サンプルにより放出される前記蛍光Ｘ線の前記Ｘ
線ラインの強度を検出する検出手段、を含み、 −前記選択手段は、前記比較的軟らかい蛍光Ｘ線を選択
するために第１チャネルに配された第１選択器と、前記
比較的硬い蛍光Ｘ線を選択するために第２チャネルに配
された第２選択器とを含み、 −前記検出手段は、第１チャネルに配された第１検出器
と、第２チャネルに配された第２検出器とを含み、前記
検出器は、前記比較的硬い蛍光Ｘ線及び前記比較的軟ら
かい蛍光Ｘ線を同時に検出する、先行する請求項の何れ
か１項に記載の方法を実行する装置。 - 【請求項５】 前記チャネルの各々における圧力が１０
−６ｂａｒ以下である請求項４に記載の装置。 - 【請求項６】 前記化学要素は、タングステン、シリコ
ン及び／又はタンタルを含む請求項４又は５に記載の装
置。
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|---|---|---|---|
| EP99203450.4 | 1999-10-21 | ||
| EP99203450 | 1999-10-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001099792A true JP2001099792A (ja) | 2001-04-13 |
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ID=8240762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000318459A Pending JP2001099792A (ja) | 1999-10-21 | 2000-10-18 | サンプルを蛍光ｘ線分析するための方法及び装置 |
Country Status (3)
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|---|---|
| US (1) | US6370220B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001099792A (ja) |
| DE (1) | DE10050116A1 (ja) |
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| DE10159828B4 (de) * | 2001-12-06 | 2007-09-20 | Rigaku Industrial Corporation, Takatsuki | Röntgenfluoreszenzspektrometer |
| JP2006132945A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Sii Nanotechnology Inc | 蛍光ｘ線分析装置の検出下限モニタ |
| US7796726B1 (en) * | 2006-02-14 | 2010-09-14 | University Of Maryland, Baltimore County | Instrument and method for X-ray diffraction, fluorescence, and crystal texture analysis without sample preparation |
| US8532256B1 (en) * | 2012-03-05 | 2013-09-10 | Bobby D. Jeter | Method and apparatus for the automated assay and valuation of precious metal objects |
| JP6081260B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-02-15 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 蛍光ｘ線分析装置 |
| AU2019268796A1 (en) * | 2018-05-18 | 2020-12-17 | Enersoft Inc. | Systems, devices, and methods for analysis of geological samples |
| JP7394464B2 (ja) * | 2018-07-04 | 2023-12-08 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置 |
| BR112023016981A2 (pt) * | 2021-02-26 | 2023-10-10 | Bekaert Sa Nv | Método de medição do conteúdo de um elemento químico em um revestimento |
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| US5396529A (en) * | 1992-04-07 | 1995-03-07 | Grodzins; Lee | X-ray fluorescence detector |
| JP3820049B2 (ja) * | 1998-07-16 | 2006-09-13 | パナリティカル ビー ヴィ | 薄膜の蛍光ｘ線分析方法及び装置 |
-
2000
- 2000-10-11 DE DE10050116A patent/DE10050116A1/de not_active Ceased
- 2000-10-18 JP JP2000318459A patent/JP2001099792A/ja active Pending
- 2000-10-19 US US09/691,809 patent/US6370220B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10050116A1 (de) | 2001-04-26 |
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