JP2001095474A - トマトの殺菌方法 - Google Patents
トマトの殺菌方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】乾式の簡便な殺菌処理でトマト表面に付着して
いる雑菌を充分に殺菌でき、したがってそれだけ殺菌処
理後のトマトの日持ちを良くでき、また殺菌処理後のト
マトをそのまま流通に供することができるトマトの殺菌
方法を提供する。 【解決手段】トマトの表面に、下記の式１又は式２を満
足するＸ及びＹの条件下で、低エネルギの電子線を照射
した。 【式１】９５０Ｘ-1.25≦Ｙ≦１２４２Ｘ-0.85 【式２】 ２４２２０８１Ｘ-2.27≦Ｙ≦１２４２Ｘ-0.85 ｛式１，式２において、 Ｘ：照射した電子線によるトマト表面でのエネルギ量
（ｋｅＶ）で、１０００未満 Ｙ：照射した電子線によるトマト表面での吸収線量（ｋ
Ｇｙ）で、７以下｝
いる雑菌を充分に殺菌でき、したがってそれだけ殺菌処
理後のトマトの日持ちを良くでき、また殺菌処理後のト
マトをそのまま流通に供することができるトマトの殺菌
方法を提供する。 【解決手段】トマトの表面に、下記の式１又は式２を満
足するＸ及びＹの条件下で、低エネルギの電子線を照射
した。 【式１】９５０Ｘ-1.25≦Ｙ≦１２４２Ｘ-0.85 【式２】 ２４２２０８１Ｘ-2.27≦Ｙ≦１２４２Ｘ-0.85 ｛式１，式２において、 Ｘ：照射した電子線によるトマト表面でのエネルギ量
（ｋｅＶ）で、１０００未満 Ｙ：照射した電子線によるトマト表面での吸収線量（ｋ
Ｇｙ）で、７以下｝
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はトマトの殺菌方法に
関する。収穫したトマトの表面には各種の雑菌が付着し
ている。収穫したトマトの保管、運搬、陳列等、その流
通過程では、主にかかる雑菌に起因して、トマトが腐敗
する。本発明は、トマトの日持ちを良くする、トマトの
殺菌方法に関する。
関する。収穫したトマトの表面には各種の雑菌が付着し
ている。収穫したトマトの保管、運搬、陳列等、その流
通過程では、主にかかる雑菌に起因して、トマトが腐敗
する。本発明は、トマトの日持ちを良くする、トマトの
殺菌方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、トマトの殺菌方法として、低温オ
ゾン水を用いる方法（特開平６−１６５６３７）、重金
属イオンを溶解したオゾン水を用いる方法（特開平８−
２２８６０３）、電解水を用いる方法（特開平１０−１
５１４６０）等が提案されている。ところが、これらの
従来法には、殺菌処理に長い時間がかかり、それでもな
お実際には殺菌が不充分という問題があり、またいずれ
も水を用いる湿式の殺菌処理であるため、殺菌処理後の
トマトの表面に水が付着残存し、そのままでは流通に供
し難いという問題がある。従来法では、手間がかかる割
には実際のところ殺菌が不充分で、したがって殺菌処理
後のトマトの日持ちが悪く、また殺菌処理後のトマトを
そのままでは流通に供し難いのである。
ゾン水を用いる方法（特開平６−１６５６３７）、重金
属イオンを溶解したオゾン水を用いる方法（特開平８−
２２８６０３）、電解水を用いる方法（特開平１０−１
５１４６０）等が提案されている。ところが、これらの
従来法には、殺菌処理に長い時間がかかり、それでもな
お実際には殺菌が不充分という問題があり、またいずれ
も水を用いる湿式の殺菌処理であるため、殺菌処理後の
トマトの表面に水が付着残存し、そのままでは流通に供
し難いという問題がある。従来法では、手間がかかる割
には実際のところ殺菌が不充分で、したがって殺菌処理
後のトマトの日持ちが悪く、また殺菌処理後のトマトを
そのままでは流通に供し難いのである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、従来法では、手間がかかる割には実際のと
ころ殺菌が不充分で、したがって殺菌処理後のトマトの
日持ちが悪く、また殺菌処理後のトマトをそのままでは
流通に供し難い点である。
する課題は、従来法では、手間がかかる割には実際のと
ころ殺菌が不充分で、したがって殺菌処理後のトマトの
日持ちが悪く、また殺菌処理後のトマトをそのままでは
流通に供し難い点である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】しかして本発明者らは、
上記の課題を解決するべく研究した結果、トマトの表面
に、所定の条件下で、低エネルギの電子線を照射するこ
とが正しく好適であることを見出した。
上記の課題を解決するべく研究した結果、トマトの表面
に、所定の条件下で、低エネルギの電子線を照射するこ
とが正しく好適であることを見出した。
【０００５】すなわち本発明は、トマトの表面に、下記
の式１、好ましくは下記の式２を満足するＸ及びＹの条
件下で、低エネルギの電子線を照射することを特徴とす
るトマトの殺菌方法に係る。
の式１、好ましくは下記の式２を満足するＸ及びＹの条
件下で、低エネルギの電子線を照射することを特徴とす
るトマトの殺菌方法に係る。
【０００６】
【式１】９５０Ｘ-1.25≦Ｙ≦１２４２Ｘ-0.85
【式２】 ２４２２０８１Ｘ-2.27≦Ｙ≦１２４２Ｘ-0.85
【０００７】式１及び式２において、 Ｘ：照射した電子線によるトマト表面でのエネルギ量
（ｋｅＶ）で、１０００未満 Ｙ：照射した電子線によるトマト表面での吸収線量（ｋ
Ｇｙ）で、７以下
（ｋｅＶ）で、１０００未満 Ｙ：照射した電子線によるトマト表面での吸収線量（ｋ
Ｇｙ）で、７以下
【０００８】本発明では、トマトの表面に低エネルギの
電子線を照射する。電子線は式１、好ましくは式２を満
足する条件下で照射する。式１のＹ＝９５０Ｘ
-1.25は、収穫した実質的に乾燥状態（表面が濡れてい
ない状態、以下同じ）にあるトマトの表面に付着してい
る雑菌の９０％以上を殺菌するためのＸ及びＹの下限の
条件を示している。詳しくは後述するが、トマトの表面
に付着している雑菌の９０％以上を殺菌すると、処理し
たトマトの全数を少なくとも２日間は日持ちさせること
ができる。また式２のＹ＝２４２２０８１Ｘ-2.27は、
収穫した実質的に乾燥状態にあるトマトの表面に付着し
ている雑菌を完全殺菌するためのＸ及びＹの下限の条件
を示している。詳しくは後述するが、トマトの表面に付
着している雑菌を完全殺菌すると、処理したトマトの全
数を少なくとも７日間は日持ちさせることができる。更
に式１及び式２のＹ＝１２４２Ｘ-0.85は、トマトの表
面にき裂の生じないＸ及びＹの上限の条件を示してい
る。詳しくは後述するが、トマト表面での吸収線量Ｙ
（ｋＧｙ）がエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）との関係で１２４
２Ｘ-0.8 5を超えると、処理したトマトの表面に商品価
値を損なうき裂が生じる。
電子線を照射する。電子線は式１、好ましくは式２を満
足する条件下で照射する。式１のＹ＝９５０Ｘ
-1.25は、収穫した実質的に乾燥状態（表面が濡れてい
ない状態、以下同じ）にあるトマトの表面に付着してい
る雑菌の９０％以上を殺菌するためのＸ及びＹの下限の
条件を示している。詳しくは後述するが、トマトの表面
に付着している雑菌の９０％以上を殺菌すると、処理し
たトマトの全数を少なくとも２日間は日持ちさせること
ができる。また式２のＹ＝２４２２０８１Ｘ-2.27は、
収穫した実質的に乾燥状態にあるトマトの表面に付着し
ている雑菌を完全殺菌するためのＸ及びＹの下限の条件
を示している。詳しくは後述するが、トマトの表面に付
着している雑菌を完全殺菌すると、処理したトマトの全
数を少なくとも７日間は日持ちさせることができる。更
に式１及び式２のＹ＝１２４２Ｘ-0.85は、トマトの表
面にき裂の生じないＸ及びＹの上限の条件を示してい
る。詳しくは後述するが、トマト表面での吸収線量Ｙ
（ｋＧｙ）がエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）との関係で１２４
２Ｘ-0.8 5を超えると、処理したトマトの表面に商品価
値を損なうき裂が生じる。
【０００９】トマトの表面に付着している雑菌の９０％
以上を殺菌するための条件である式１は、へたの付いて
いないトマトに適用できることはいうまでもないが、へ
たの付いているトマトにも適用できる。トマトの表面に
付着している雑菌を完全殺菌するための条件である式２
は、へたの付いていないトマトにのみ適用できる。へた
の付いているトマトの場合、低エネルギの電子線の照射
により、その表面に付着していた雑菌の９０％以上は殺
菌できるが、かかる雑菌を完全殺菌するのは実際のとこ
ろ著しく難しい。
以上を殺菌するための条件である式１は、へたの付いて
いないトマトに適用できることはいうまでもないが、へ
たの付いているトマトにも適用できる。トマトの表面に
付着している雑菌を完全殺菌するための条件である式２
は、へたの付いていないトマトにのみ適用できる。へた
の付いているトマトの場合、低エネルギの電子線の照射
により、その表面に付着していた雑菌の９０％以上は殺
菌できるが、かかる雑菌を完全殺菌するのは実際のとこ
ろ著しく難しい。
【００１０】式１及び式２において、Ｘは照射した電子
線によるトマト表面でのエネルギ量（ｋｅＶ）である。
電子線発生装置の線源から発生させた電子線のエネルギ
量は、その出口（照射口）に到るまでの間で、該装置を
構成する主として窓箔（通常はチタン）により減衰さ
れ、また出口からトマト表面に到るまでの間で、双方の
間の距離に応じた雰囲気により減衰される。Ｘは、用い
る電子線発生装置の構成及びその出口からトマト表面に
到るまでの間の距離に応じた雰囲気に基づいて計算でき
るのであり、かくして計算した値である。
線によるトマト表面でのエネルギ量（ｋｅＶ）である。
電子線発生装置の線源から発生させた電子線のエネルギ
量は、その出口（照射口）に到るまでの間で、該装置を
構成する主として窓箔（通常はチタン）により減衰さ
れ、また出口からトマト表面に到るまでの間で、双方の
間の距離に応じた雰囲気により減衰される。Ｘは、用い
る電子線発生装置の構成及びその出口からトマト表面に
到るまでの間の距離に応じた雰囲気に基づいて計算でき
るのであり、かくして計算した値である。
【００１１】例えば、電子線発生装置の線源から発生さ
せた電子線のエネルギ量が１６０ｋｅＶであり、その窓
箔が厚さ０．００５cmで比重４．５４ｇ／cm3のチタン
の場合、チタンの電子線阻止能（減衰能）は２２８７ｋ
ｅＶ・cm2／ｇであるから｛ＩＣＲＵ Ｒｅｐｏｒｔ
３７（１９８４）から引用、以下電子線阻止能の引用は
同じ｝、出口における電子線のエネルギ量は、１６０−
２２８７×０．００５×４．５４で計算される１０８．
１ｋｅＶになる。そして出口からトマト表面に到るまで
の距離が５cmで、雰囲気が比重１．２０×１０-3ｇ／cm
3の空気の場合、空気の電子線阻止能は３６３７ｋｅＶ
・cm2／ｇであるから、トマト表面に当たる時の電子線
のエネルギ量Ｘは、１０８．１−３６３７×５×１．２
０×１０ -3で計算される８６．３ｋｅＶになる。
せた電子線のエネルギ量が１６０ｋｅＶであり、その窓
箔が厚さ０．００５cmで比重４．５４ｇ／cm3のチタン
の場合、チタンの電子線阻止能（減衰能）は２２８７ｋ
ｅＶ・cm2／ｇであるから｛ＩＣＲＵ Ｒｅｐｏｒｔ
３７（１９８４）から引用、以下電子線阻止能の引用は
同じ｝、出口における電子線のエネルギ量は、１６０−
２２８７×０．００５×４．５４で計算される１０８．
１ｋｅＶになる。そして出口からトマト表面に到るまで
の距離が５cmで、雰囲気が比重１．２０×１０-3ｇ／cm
3の空気の場合、空気の電子線阻止能は３６３７ｋｅＶ
・cm2／ｇであるから、トマト表面に当たる時の電子線
のエネルギ量Ｘは、１０８．１−３６３７×５×１．２
０×１０ -3で計算される８６．３ｋｅＶになる。
【００１２】電子線発生装置の線源から発生させた電子
線のエネルギ量すなわち照射した電子線のエネルギ量か
ら以上のように計算されるトマト表面でのエネルギ量Ｘ
（ｋｅＶ）は、１０００未満とする。原子力基本法によ
れば、エネルギ量が１０００ｋｅＶ以上の電子線は放射
線と定義されており、食品衛生法によれば、食品への放
射線の照射は禁止されているからである。トマト表面で
のエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）は、操作上、通常１００〜９
００とするが、２００〜７００とするのが好ましい。
線のエネルギ量すなわち照射した電子線のエネルギ量か
ら以上のように計算されるトマト表面でのエネルギ量Ｘ
（ｋｅＶ）は、１０００未満とする。原子力基本法によ
れば、エネルギ量が１０００ｋｅＶ以上の電子線は放射
線と定義されており、食品衛生法によれば、食品への放
射線の照射は禁止されているからである。トマト表面で
のエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）は、操作上、通常１００〜９
００とするが、２００〜７００とするのが好ましい。
【００１３】式１及び式２において、Ｙは照射した電子
線によるトマト表面での吸収線量（ｋＧｙ）である。前
述したように、トマト表面に所定エネルギ量の電子線を
当てるが、これによりトマト表面に吸収される吸収線量
を測定するのである。トマト表面での吸収線量Ｙ（ｋＧ
ｙ）は、ラジオクロミックフィルム線量計で測定でき
る。かかるトマト表面での吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）は、７
以下とする。トマト表面での吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）が７
を超えると、処理したトマトの表面に商品価値を損なう
火傷が生じる。トマト表面での吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）
は、操作上、通常１〜６とするが、２〜５とするのが好
ましい。
線によるトマト表面での吸収線量（ｋＧｙ）である。前
述したように、トマト表面に所定エネルギ量の電子線を
当てるが、これによりトマト表面に吸収される吸収線量
を測定するのである。トマト表面での吸収線量Ｙ（ｋＧ
ｙ）は、ラジオクロミックフィルム線量計で測定でき
る。かかるトマト表面での吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）は、７
以下とする。トマト表面での吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）が７
を超えると、処理したトマトの表面に商品価値を損なう
火傷が生じる。トマト表面での吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）
は、操作上、通常１〜６とするが、２〜５とするのが好
ましい。
【００１４】へたの有無を問わず、トマトの表面に、式
１を満足する条件下で、低エネルギの電子線を照射する
ことにより初めて、収穫した実質的に乾燥状態にあるト
マトの表面に付着している雑菌の９０％以上を殺菌で
き、かくして電子線を照射したトマトの全数を少なくと
も２日間は日持ちさせることができる。またへたの付い
ていないトマトの場合には、トマトの表面に、式２を満
足する条件下で、低エネルギの電子線を照射することに
より初めて、収穫した実質的に乾燥状態にあるトマトの
表面に付着している雑菌を完全殺菌でき、かくして電子
線を照射したトマトの全数を少なくとも７日間は日持ち
させることができる。
１を満足する条件下で、低エネルギの電子線を照射する
ことにより初めて、収穫した実質的に乾燥状態にあるト
マトの表面に付着している雑菌の９０％以上を殺菌で
き、かくして電子線を照射したトマトの全数を少なくと
も２日間は日持ちさせることができる。またへたの付い
ていないトマトの場合には、トマトの表面に、式２を満
足する条件下で、低エネルギの電子線を照射することに
より初めて、収穫した実質的に乾燥状態にあるトマトの
表面に付着している雑菌を完全殺菌でき、かくして電子
線を照射したトマトの全数を少なくとも７日間は日持ち
させることができる。
【００１５】図１は、収穫した実質的に乾燥状態にある
トマトの表面に、低エネルギの電子線を照射し、トマト
表面に付着している雑菌の９０％以上を殺菌するため
の、或はトマト表面に付着している雑菌を完全殺菌する
ための、トマト表面におけるエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）と
吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）との関係を示すグラフである。図
１において、１はＹ＝９５０Ｘ-1.25を示す曲線であ
り、２はＹ＝２４２２０８１Ｘ-2.27を示す曲線であっ
て、３はＹ＝１２４２Ｘ-0.85を示す曲線である。
トマトの表面に、低エネルギの電子線を照射し、トマト
表面に付着している雑菌の９０％以上を殺菌するため
の、或はトマト表面に付着している雑菌を完全殺菌する
ための、トマト表面におけるエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）と
吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）との関係を示すグラフである。図
１において、１はＹ＝９５０Ｘ-1.25を示す曲線であ
り、２はＹ＝２４２２０８１Ｘ-2.27を示す曲線であっ
て、３はＹ＝１２４２Ｘ-0.85を示す曲線である。
【００１６】図１中、曲線１、曲線３及びＹ＝７の点線
で囲まれる斜線部が、トマト表面にき裂や火傷を生じる
ことなく、トマト表面に付着していた雑菌の９０％以上
を殺菌し、殺菌処理したトマトの全数を少なくとも２日
間は日持ちさせることができる領域を示している。この
領域は、前述したように、へたの付いていないトマトは
いうまでもなく、へたの付いているトマトにも適用でき
る。また図１中、曲線２、曲線３及びＹ＝７の点線で囲
まれる点付部が、トマト表面にき裂や火傷を生じること
なく、トマト表面に付着していた雑菌を完全殺菌し、殺
菌処理したトマトの全数を少なくとも７日間は日持ちさ
せることができる領域を示している。この領域は、前述
したように、へたの付いていないトマトにのみ適用でき
る。
で囲まれる斜線部が、トマト表面にき裂や火傷を生じる
ことなく、トマト表面に付着していた雑菌の９０％以上
を殺菌し、殺菌処理したトマトの全数を少なくとも２日
間は日持ちさせることができる領域を示している。この
領域は、前述したように、へたの付いていないトマトは
いうまでもなく、へたの付いているトマトにも適用でき
る。また図１中、曲線２、曲線３及びＹ＝７の点線で囲
まれる点付部が、トマト表面にき裂や火傷を生じること
なく、トマト表面に付着していた雑菌を完全殺菌し、殺
菌処理したトマトの全数を少なくとも７日間は日持ちさ
せることができる領域を示している。この領域は、前述
したように、へたの付いていないトマトにのみ適用でき
る。
【００１７】トマトの表面に、式１、好ましくは式２を
満足する条件下で低エネルギの電子線を照射するに際し
ては、トマトを転動させるのが有利である。トマトを振
動網或は回転ローラ上に載置し、転動させながら、その
表面に電子線を照射すると、トマトの全表面に万遍なく
電子線が当たり、その表面に付着していた雑菌を効率的
に殺菌できる。
満足する条件下で低エネルギの電子線を照射するに際し
ては、トマトを転動させるのが有利である。トマトを振
動網或は回転ローラ上に載置し、転動させながら、その
表面に電子線を照射すると、トマトの全表面に万遍なく
電子線が当たり、その表面に付着していた雑菌を効率的
に殺菌できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態としては、下記
の１）〜８）が挙げられる。下記の１）〜８）はいずれ
も、式１を満足するトマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅ
Ｖ）及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）の条件下でトマト表面に
低エネルギの電子線を照射する場合であり、これらのう
ちで５）〜８）は、式２を満足するトマト表面でのエネ
ルギ量Ｘ（ｋｅＶ）及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）の条件下
でトマト表面に低エネルギの電子線を照射する場合であ
る。
の１）〜８）が挙げられる。下記の１）〜８）はいずれ
も、式１を満足するトマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅ
Ｖ）及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）の条件下でトマト表面に
低エネルギの電子線を照射する場合であり、これらのう
ちで５）〜８）は、式２を満足するトマト表面でのエネ
ルギ量Ｘ（ｋｅＶ）及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）の条件下
でトマト表面に低エネルギの電子線を照射する場合であ
る。
【００１９】１）収穫した実質的に乾燥状態にあるへた
の付いていないトマト或はへたのついているトマトを間
欠的に反転する回転ローラ上に載置し、転動させながら
その表面に、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝
２２４及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝３の条件下で、低エ
ネルギの電子線を照射し、トマトの表面に付着していた
雑菌の９０％以上を殺菌する方法。
の付いていないトマト或はへたのついているトマトを間
欠的に反転する回転ローラ上に載置し、転動させながら
その表面に、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝
２２４及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝３の条件下で、低エ
ネルギの電子線を照射し、トマトの表面に付着していた
雑菌の９０％以上を殺菌する方法。
【００２０】２）収穫した実質的に乾燥状態にあるへた
の付いていないトマト或はへたのついているトマトを間
欠的に反転する回転ローラ上に載置し、転動させながら
その表面に、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝
２２４及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝５の条件下で、低エ
ネルギの電子線を照射し、トマトの表面に付着していた
雑菌の９０％以上を殺菌する方法。
の付いていないトマト或はへたのついているトマトを間
欠的に反転する回転ローラ上に載置し、転動させながら
その表面に、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝
２２４及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝５の条件下で、低エ
ネルギの電子線を照射し、トマトの表面に付着していた
雑菌の９０％以上を殺菌する方法。
【００２１】３）収穫した実質的に乾燥状態にあるへた
の付いていないトマト或はへたのついているトマトを振
動網上に載置し、転動させながらその表面に、トマト表
面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝３３２及び吸収線量Ｙ
（ｋＧｙ）＝２の条件下で、低エネルギの電子線を照射
し、トマトの表面に付着していた雑菌の９０％以上を殺
菌する方法。
の付いていないトマト或はへたのついているトマトを振
動網上に載置し、転動させながらその表面に、トマト表
面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝３３２及び吸収線量Ｙ
（ｋＧｙ）＝２の条件下で、低エネルギの電子線を照射
し、トマトの表面に付着していた雑菌の９０％以上を殺
菌する方法。
【００２２】４）収穫した実質的に乾燥状態にあるへた
の付いていないトマト或はへたのついているトマトを振
動網上に載置し、転動させながらその表面に、トマト表
面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝３３２及び吸収線量Ｙ
（ｋＧｙ）＝３の条件下で、低エネルギの電子線を照射
し、トマトの表面に付着していた雑菌の９０％以上を殺
菌する方法。
の付いていないトマト或はへたのついているトマトを振
動網上に載置し、転動させながらその表面に、トマト表
面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝３３２及び吸収線量Ｙ
（ｋＧｙ）＝３の条件下で、低エネルギの電子線を照射
し、トマトの表面に付着していた雑菌の９０％以上を殺
菌する方法。
【００２３】５）収穫した実質的に乾燥状態にあるへた
の付いていないトマトを間欠的に反転する回転ローラ上
に載置し、転動させながらその表面に、トマト表面での
エネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝４３６及び吸収線量Ｙ（ｋＧ
ｙ）＝３の条件下で、低エネルギの電子線を照射し、ト
マトの表面に付着していた雑菌を完全殺菌する方法。
の付いていないトマトを間欠的に反転する回転ローラ上
に載置し、転動させながらその表面に、トマト表面での
エネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝４３６及び吸収線量Ｙ（ｋＧ
ｙ）＝３の条件下で、低エネルギの電子線を照射し、ト
マトの表面に付着していた雑菌を完全殺菌する方法。
【００２４】６）収穫した実質的に乾燥状態にあるへた
の付いていないトマトを間欠的に反転する回転ローラ上
に載置し、転動させながらその表面に、トマト表面での
エネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝４３６及び吸収線量Ｙ（ｋＧ
ｙ）＝５の条件下で、低エネルギの電子線を照射し、ト
マトの表面に付着していた雑菌を完全殺菌する方法。
の付いていないトマトを間欠的に反転する回転ローラ上
に載置し、転動させながらその表面に、トマト表面での
エネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝４３６及び吸収線量Ｙ（ｋＧ
ｙ）＝５の条件下で、低エネルギの電子線を照射し、ト
マトの表面に付着していた雑菌を完全殺菌する方法。
【００２５】７）収穫した実質的に乾燥状態にあるへた
の付いていないトマトを振動網上に載置し、転動させな
がらその表面に、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅ
Ｖ）＝６３９及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝２の条件下
で、低エネルギの電子線を照射し、トマトの表面に付着
していた雑菌を完全殺菌する方法。
の付いていないトマトを振動網上に載置し、転動させな
がらその表面に、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅ
Ｖ）＝６３９及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝２の条件下
で、低エネルギの電子線を照射し、トマトの表面に付着
していた雑菌を完全殺菌する方法。
【００２６】８）収穫した実質的に乾燥状態にあるへた
の付いていないトマトを振動網上に載置し、転動させな
がらその表面に、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅ
Ｖ）＝６３９及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝４の条件下
で、低エネルギの電子線を照射し、トマトの表面に付着
していた雑菌を完全殺菌する方法。
の付いていないトマトを振動網上に載置し、転動させな
がらその表面に、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅ
Ｖ）＝６３９及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝４の条件下
で、低エネルギの電子線を照射し、トマトの表面に付着
していた雑菌を完全殺菌する方法。
【００２７】
【実施例】実施例１ 収穫した実質的に乾燥状態にあるへたの付いているトマ
ト２０個を、間欠的に反転する回転ローラ上に載置し、
転動させながらその表面に、バンデグラーフ型電子加速
器を線源とする電子線発生装置を用いて、トマト表面で
のエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝１０７及び吸収線量Ｙ（ｋ
Ｇｙ）＝６の条件下で、低エネルギの電子線を照射し
た。
ト２０個を、間欠的に反転する回転ローラ上に載置し、
転動させながらその表面に、バンデグラーフ型電子加速
器を線源とする電子線発生装置を用いて、トマト表面で
のエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）＝１０７及び吸収線量Ｙ（ｋ
Ｇｙ）＝６の条件下で、低エネルギの電子線を照射し
た。
【００２８】実施例２〜１３及び比較例２〜７ トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）及び吸収線量Ｙ
（ｋＧｙ）を表１記載のように変え、その他は実施例１
と同様にして、へたの付いているトマトの表面に低エネ
ルギの電子線を照射した。
（ｋＧｙ）を表１記載のように変え、その他は実施例１
と同様にして、へたの付いているトマトの表面に低エネ
ルギの電子線を照射した。
【００２９】実施例１４ 収穫した実質的に乾燥状態にあるへたの付いていないト
マト２０個を、振動網上に載置し、転動させながらその
表面に、バンデグラーフ型電子加速器を線源とする電子
線発生装置を用いて、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋ
ｅＶ）＝１０７及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝６の条件下
で、低エネルギの電子線を照射した。
マト２０個を、振動網上に載置し、転動させながらその
表面に、バンデグラーフ型電子加速器を線源とする電子
線発生装置を用いて、トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋ
ｅＶ）＝１０７及び吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）＝６の条件下
で、低エネルギの電子線を照射した。
【００３０】実施例１５〜２６及び比較例９〜１４ トマト表面でのエネルギ量Ｘ（ｋｅＶ）及び吸収線量Ｙ
（ｋＧｙ）を表１記載のように変え、その他は実施例１
と同様にして、へたの付いていないトマトの表面に低エ
ネルギの電子線を照射した。
（ｋＧｙ）を表１記載のように変え、その他は実施例１
と同様にして、へたの付いていないトマトの表面に低エ
ネルギの電子線を照射した。
【００３１】殺菌についての評価 各例のトマト表面から、１個当たり１００mlの０．１重
量％ペプトン水を用いて雑菌を回収し、回収液或はその
希釈液０．５mlを普通寒天培地上に塗布して、３０℃で
９６時間培養した後、培地上に生成したコロニー数を計
数した。希釈液を塗布した場合にはその希釈倍率を換算
した。比較例１はへたの付いているトマトについてのブ
ランクであり、低エネルギの電子線を照射しない場合で
あるが、この場合のコロニー数を１００としたときの、
実施例１〜１３及び比較例２〜７のコロニー数の割合
（％）を表１に示した。また比較例８はへたの付いてい
ないトマトについてのブランクであり、低エネルギの電
子線を照射しない場合であるが、この場合のコロニー数
を１００としたときの、実施例１４〜２６及び比較例９
〜１４のコロニー数の割合（％）を表１に示した。
量％ペプトン水を用いて雑菌を回収し、回収液或はその
希釈液０．５mlを普通寒天培地上に塗布して、３０℃で
９６時間培養した後、培地上に生成したコロニー数を計
数した。希釈液を塗布した場合にはその希釈倍率を換算
した。比較例１はへたの付いているトマトについてのブ
ランクであり、低エネルギの電子線を照射しない場合で
あるが、この場合のコロニー数を１００としたときの、
実施例１〜１３及び比較例２〜７のコロニー数の割合
（％）を表１に示した。また比較例８はへたの付いてい
ないトマトについてのブランクであり、低エネルギの電
子線を照射しない場合であるが、この場合のコロニー数
を１００としたときの、実施例１４〜２６及び比較例９
〜１４のコロニー数の割合（％）を表１に示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】日持ちについての評価 各例のトマトを２５℃の恒温室内に設定したプラスチッ
ク容器内に７日間保存し、その間に腐敗が認められたト
マトの個数割合（％）を経日的に求めて表２及び表３に
示した。
ク容器内に７日間保存し、その間に腐敗が認められたト
マトの個数割合（％）を経日的に求めて表２及び表３に
示した。
【００３４】
【表２】
【００３５】表２において、 ＊１：腐敗は認められなかったが、全数の１０％に火傷
が生じた ＊２：全数の５％に腐敗が認められ、全数の７０％に火
傷が生じた ＊３：全数の５％に腐敗が認められ、すべてに火傷が生
じた ＊４：全数の６０％以上にき裂が生じた
が生じた ＊２：全数の５％に腐敗が認められ、全数の７０％に火
傷が生じた ＊３：全数の５％に腐敗が認められ、すべてに火傷が生
じた ＊４：全数の６０％以上にき裂が生じた
【００３６】
【表３】
【００３７】表３において、 ＊５：腐敗は認められなかったが、全数の８０％に火傷
が生じた ＊６：腐敗は認められなかったが、すべてに火傷が生じ
た ＊７：全数の６０％以上にき裂が生じた
が生じた ＊６：腐敗は認められなかったが、すべてに火傷が生じ
た ＊７：全数の６０％以上にき裂が生じた
【００３８】
【発明の効果】既に明らかなように、以上説明した本発
明には、乾式の簡便な殺菌処理でトマト表面に付着して
いる雑菌を充分に殺菌でき、したがってそれだけ殺菌処
理後のトマトの日持ちを良くでき、また殺菌処理後のト
マトをそのまま流通に供することができるという効果が
ある。
明には、乾式の簡便な殺菌処理でトマト表面に付着して
いる雑菌を充分に殺菌でき、したがってそれだけ殺菌処
理後のトマトの日持ちを良くでき、また殺菌処理後のト
マトをそのまま流通に供することができるという効果が
ある。
【図１】本発明において、トマト表面にき裂や火傷を生
じることなく、トマト表面に付着している雑菌の９０％
以上を殺菌するための、或はトマト表面に付着している
雑菌を完全殺菌するための、トマト表面におけるエネル
ギ量Ｘ（ｋｅＶ）と吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）との関係を示
すグラフ。
じることなく、トマト表面に付着している雑菌の９０％
以上を殺菌するための、或はトマト表面に付着している
雑菌を完全殺菌するための、トマト表面におけるエネル
ギ量Ｘ（ｋｅＶ）と吸収線量Ｙ（ｋＧｙ）との関係を示
すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 聰 栃木県那須郡西那須野町大字西富山17番地 カゴメ株式会社総合研究所内 (72)発明者 磐田 洋明 栃木県那須郡西那須野町大字西富山17番地 カゴメ株式会社総合研究所内 (72)発明者 早川 喜郎 栃木県那須郡西那須野町大字西富山17番地 カゴメ株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4B069 AA02 HA07
Claims (3)
- 【請求項１】 トマトの表面に、下記の式１を満足する
Ｘ及びＹの条件下で、低エネルギの電子線を照射するこ
とを特徴とするトマトの殺菌方法。 【式１】９５０Ｘ-1.25≦Ｙ≦１２４２Ｘ-0.85 ｛式１において、 Ｘ：照射した電子線によるトマト表面でのエネルギ量
（ｋｅＶ）で、１０００未満 Ｙ：照射した電子線によるトマト表面での吸収線量（ｋ
Ｇｙ）で、７以下｝ - 【請求項２】 トマトの表面に、下記の式２を満足する
Ｘ及びＹの条件下で、低エネルギの電子線を照射するこ
とを特徴とするトマトの殺菌方法。 【式２】 ２４２２０８１Ｘ-2.27≦Ｙ≦１２４２Ｘ-0.85 ｛式２において、 Ｘ：照射した電子線によるトマト表面でのエネルギ量
（ｋｅＶ）で、１０００未満 Ｙ：照射した電子線によるトマト表面での吸収線量（ｋ
Ｇｙ）で、７以下｝ - 【請求項３】 トマトの表面に、該トマトを転動させな
がら、低エネルギの電子線を照射する請求項１又は２記
載のトマトの殺菌方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27827099A JP4097241B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | トマトの殺菌方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27827099A JP4097241B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | トマトの殺菌方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001095474A true JP2001095474A (ja) | 2001-04-10 |
| JP4097241B2 JP4097241B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=17595017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27827099A Expired - Fee Related JP4097241B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | トマトの殺菌方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4097241B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016036257A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 澁谷工業株式会社 | 果菜の殺菌方法およびその装置 |
-
1999
- 1999-09-30 JP JP27827099A patent/JP4097241B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016036257A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 澁谷工業株式会社 | 果菜の殺菌方法およびその装置 |
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|---|---|
| JP4097241B2 (ja) | 2008-06-11 |
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