JP2001094086A - 光電変換装置及びその製造方法 - Google Patents
光電変換装置及びその製造方法Info
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光面の微細化が進んだり、遮光パターンや
配線パターンのような各種の膜が受光面の上に多く積層
されるようになった場合の集光効率を高める。 【解決手段】 隣接する2つの光電変換素子1間の素子
分離領域2上に設けられた第1のパターン3と、該第1の
パターン3を覆う第1の絶縁膜4と、該素子分離領域2
の上方かつ該第1の絶縁膜4の上に設けられた第2のパタ
ーン5と、該第2のパターン5を覆う第2の絶縁膜6と、
該絶縁膜6の上に設けられたマイクロレンズ7と、を有
する光電変換装置において、該第1の絶縁膜4及び該第2
の絶縁膜6により第1及び第2の層内レンズ8,9が形成
されており、該第1及び第2の層内レンズ8,9が該マイ
クロレンズ7と該光電変換素子1の受光面との間の光路
中に配置されていることを特徴とする。
配線パターンのような各種の膜が受光面の上に多く積層
されるようになった場合の集光効率を高める。 【解決手段】 隣接する2つの光電変換素子1間の素子
分離領域2上に設けられた第1のパターン3と、該第1の
パターン3を覆う第1の絶縁膜4と、該素子分離領域2
の上方かつ該第1の絶縁膜4の上に設けられた第2のパタ
ーン5と、該第2のパターン5を覆う第2の絶縁膜6と、
該絶縁膜6の上に設けられたマイクロレンズ7と、を有
する光電変換装置において、該第1の絶縁膜4及び該第2
の絶縁膜6により第1及び第2の層内レンズ8,9が形成
されており、該第1及び第2の層内レンズ8,9が該マイ
クロレンズ7と該光電変換素子1の受光面との間の光路
中に配置されていることを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、デジタルカメラ、
ビデオカメラ、イメージリーダー等の画像入力装置に用
いられる光電変換装置の技術分野に属する。
ビデオカメラ、イメージリーダー等の画像入力装置に用
いられる光電変換装置の技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】デジタルカメラ、ビデオカメラ、イメー
ジリーダー等の画像入力装置にはCCDイメージセンサ
や、バイポーラトランジスタ型イメージセンサ、電界効
果トランジスタ型イメージセンサやCMOSイメージセンサ
等の非CCD型のイメージセンサと呼ばれる光電変換装
置が設けられ、ここで光学的画像情報を電気信号に変換
し、この変換された電気信号に各種の信号処理を施して
表示器に表示したり、記憶媒体に記録したりしている。
ジリーダー等の画像入力装置にはCCDイメージセンサ
や、バイポーラトランジスタ型イメージセンサ、電界効
果トランジスタ型イメージセンサやCMOSイメージセンサ
等の非CCD型のイメージセンサと呼ばれる光電変換装
置が設けられ、ここで光学的画像情報を電気信号に変換
し、この変換された電気信号に各種の信号処理を施して
表示器に表示したり、記憶媒体に記録したりしている。
【0003】高性能な光電変換装置を得るには、実際に
光電変換を行う受光部である光電変換素子の受光面の面
積(画素面積)を小さくして、配置される光電変換素子
の数を多くするとともに光電変換装置のチップサイズを
小さくすることが望まれている。
光電変換を行う受光部である光電変換素子の受光面の面
積(画素面積)を小さくして、配置される光電変換素子
の数を多くするとともに光電変換装置のチップサイズを
小さくすることが望まれている。
【0004】画素の高密度化や小チップ化を推し進める
と、画素となる一つの光電変換素子が受光できる光量も
受光面の面積の減少にともない少なくなり、装置の感度
を低くすることになる。これを改善すべく、受光面上に
設けられた保護膜の平坦化された面上にマイクロレンズ
を形成し、受光面に集光して、感度の低下を抑制する技
術が知られている。
と、画素となる一つの光電変換素子が受光できる光量も
受光面の面積の減少にともない少なくなり、装置の感度
を低くすることになる。これを改善すべく、受光面上に
設けられた保護膜の平坦化された面上にマイクロレンズ
を形成し、受光面に集光して、感度の低下を抑制する技
術が知られている。
【0005】一般的なマイクロレンズの作製方法は、周
知のとおり、平坦化された保護膜表面に一つのレンズに
対応した樹脂のパターンを形成し、これを加熱して溶融
させた後、硬化する工程からなる。この時に生じる溶融
樹脂の表面張力により上面が上に凸の曲面となり、上に
凸のレンズが形成される。
知のとおり、平坦化された保護膜表面に一つのレンズに
対応した樹脂のパターンを形成し、これを加熱して溶融
させた後、硬化する工程からなる。この時に生じる溶融
樹脂の表面張力により上面が上に凸の曲面となり、上に
凸のレンズが形成される。
【0006】一方、最近では、画素間の遮光のために遮
光パターンが隣接する光電変換素子の素子分離領域上に
必要になったり、又、非CCD型のイメージセンサ等の
ように、半導体基板上に配される配線を通して信号の読
み出しをする場合には、配線数が比較的多いために、場
合によっては素子分離領域上に複数の配線が必要になる
ことがある。
光パターンが隣接する光電変換素子の素子分離領域上に
必要になったり、又、非CCD型のイメージセンサ等の
ように、半導体基板上に配される配線を通して信号の読
み出しをする場合には、配線数が比較的多いために、場
合によっては素子分離領域上に複数の配線が必要になる
ことがある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように、更なる受
光面の微細化が進んだり、遮光パターンや配線パターン
のような各種の膜が受光面の上に多く積層されるように
なると、一つのマイクロレンズだけでは十分な集光がで
きなくなる。
光面の微細化が進んだり、遮光パターンや配線パターン
のような各種の膜が受光面の上に多く積層されるように
なると、一つのマイクロレンズだけでは十分な集光がで
きなくなる。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、層間絶
縁膜や保護用絶縁膜に層内レンズを作り込むことによ
り、微細化した場合の感度低下を抑制できる光電変換装
置を提供することにある。
縁膜や保護用絶縁膜に層内レンズを作り込むことによ
り、微細化した場合の感度低下を抑制できる光電変換装
置を提供することにある。
【0009】本発明は、隣接する2つの光電変換素子間
の素子分離領域上に設けられた第1のパターンと、該第1
のパターンを覆う第1の絶縁膜と、該素子分離領域の上
方かつ該第1の絶縁膜の上に設けられた第2のパターン
と、該第2のパターンを覆う第2の絶縁膜と、該絶縁膜の
上に設けられたマイクロレンズと、を有する光電変換装
置であって、該第1の絶縁膜及び該第2の絶縁膜により第
1及び第2の層内レンズが形成されており、該第1及び第2
の層内レンズが該マイクロレンズと該光電変換素子の受
光面との間の光路中に配置されていることを特徴とする
光電変換装置である。
の素子分離領域上に設けられた第1のパターンと、該第1
のパターンを覆う第1の絶縁膜と、該素子分離領域の上
方かつ該第1の絶縁膜の上に設けられた第2のパターン
と、該第2のパターンを覆う第2の絶縁膜と、該絶縁膜の
上に設けられたマイクロレンズと、を有する光電変換装
置であって、該第1の絶縁膜及び該第2の絶縁膜により第
1及び第2の層内レンズが形成されており、該第1及び第2
の層内レンズが該マイクロレンズと該光電変換素子の受
光面との間の光路中に配置されていることを特徴とする
光電変換装置である。
【0010】本発明によれば、素子分離領域上方のパタ
ーンを利用して、マイクロレンズと光電変換素子の受光
面との間に、複数のレンズを形成するので、マイクロレ
ンズで集光された光を受光面へ更に集光して導くことが
できる。こうして、光電変換装置の感度が向上する。
ーンを利用して、マイクロレンズと光電変換素子の受光
面との間に、複数のレンズを形成するので、マイクロレ
ンズで集光された光を受光面へ更に集光して導くことが
できる。こうして、光電変換装置の感度が向上する。
【0011】
【発明の実施の形態】(実施形態1)図1は本発明の実
施の形態による光電変換装置の模式的断面図である。
施の形態による光電変換装置の模式的断面図である。
【0012】図1においては、光電変換素子1、1’が
複数配列され、隣接する2つの光電変換素子1、1’間
の素子分離領域2上に第1のパターン3が設けられ、第1
のパターン3を覆う第1の絶縁膜4が設けられ、第1の絶
縁膜4の上に第2のパターン5が設けられ、第2のパター
ン5を覆う第2の絶縁膜6が設けられ、絶縁膜6の上に
マイクロレンズ7が設けられている。
複数配列され、隣接する2つの光電変換素子1、1’間
の素子分離領域2上に第1のパターン3が設けられ、第1
のパターン3を覆う第1の絶縁膜4が設けられ、第1の絶
縁膜4の上に第2のパターン5が設けられ、第2のパター
ン5を覆う第2の絶縁膜6が設けられ、絶縁膜6の上に
マイクロレンズ7が設けられている。
【0013】第1の絶縁膜4及び第2の絶縁膜6によりそ
れぞれ形成された第1の層内レンズ8及び第2の層内レン
ズ9が、光電変換素子1の受光面100とマイクロレン
ズ7との間の光路中に配置されている。
れぞれ形成された第1の層内レンズ8及び第2の層内レン
ズ9が、光電変換素子1の受光面100とマイクロレン
ズ7との間の光路中に配置されている。
【0014】光電変換素子1は、PN接合又はPIN接合を
有するホトダイオードやホトトランジスタなどからな
り、このような半導体接合により形成される空乏層に光
が入射し、ここで光電変換が起こるように構成される。
有するホトダイオードやホトトランジスタなどからな
り、このような半導体接合により形成される空乏層に光
が入射し、ここで光電変換が起こるように構成される。
【0015】素子分離領域2は、選択酸化によるフィー
ルド酸化膜、接合分離のための拡散層などにより形成さ
れた部分であり、好ましくは遮光パターンにより遮光さ
れていると良い。
ルド酸化膜、接合分離のための拡散層などにより形成さ
れた部分であり、好ましくは遮光パターンにより遮光さ
れていると良い。
【0016】そして、光電変換素子と素子分離領域とは
シリコン基板のような半導体部材10に作り込まれてい
る。
シリコン基板のような半導体部材10に作り込まれてい
る。
【0017】11は絶縁層、12は必要に応じて設けら
れる平坦化層である。絶縁層11と半導体部材10との
間にゲート絶縁膜とゲート電極とが介在していてもよい
が、ここでは説明を簡略化するためにこれらの図示及び
説明を省いている。
れる平坦化層である。絶縁層11と半導体部材10との
間にゲート絶縁膜とゲート電極とが介在していてもよい
が、ここでは説明を簡略化するためにこれらの図示及び
説明を省いている。
【0018】第1及び第2のパターン3,5は、その後形
成される絶縁膜に凹凸の面を形成できるものであれば、
いかなる材料からなるものでもよいが、配線や遮光層を
兼ねられるように、半導体や金属などの導電性材料を用
いるとよい。
成される絶縁膜に凹凸の面を形成できるものであれば、
いかなる材料からなるものでもよいが、配線や遮光層を
兼ねられるように、半導体や金属などの導電性材料を用
いるとよい。
【0019】第1及び第2の絶縁膜4,6を形成する材料
としては、光電変換素子にて吸収され、電気信号に変換
される光に対して透明な材料であればよい。例えば、イ
メージセンサの多くは可視光又は赤外光の検出用なの
で、これらの光に対して透明な材料であればよく、一般
的に電気的絶縁層又は保護層として用いられる無機絶縁
体や有機絶縁体が好ましく用いられる。具体的には、酸
化シリコン或いはこれにリン、ホウ素、窒素、フッ素等
をドープしもの、窒化シリコン、アクリル樹脂などであ
る。
としては、光電変換素子にて吸収され、電気信号に変換
される光に対して透明な材料であればよい。例えば、イ
メージセンサの多くは可視光又は赤外光の検出用なの
で、これらの光に対して透明な材料であればよく、一般
的に電気的絶縁層又は保護層として用いられる無機絶縁
体や有機絶縁体が好ましく用いられる。具体的には、酸
化シリコン或いはこれにリン、ホウ素、窒素、フッ素等
をドープしもの、窒化シリコン、アクリル樹脂などであ
る。
【0020】第1の層内レンズ8は、表面が平坦化され
ていない層、即ち曲面からなる上面を有する絶縁層41
と上面が平坦化された絶縁層42を含む第1の絶縁膜4
により形成されている。これらの絶縁層41,42の屈
折率を異ならしめることにより、入射光の進路を変える
ことができる。
ていない層、即ち曲面からなる上面を有する絶縁層41
と上面が平坦化された絶縁層42を含む第1の絶縁膜4
により形成されている。これらの絶縁層41,42の屈
折率を異ならしめることにより、入射光の進路を変える
ことができる。
【0021】同様に、第2の層内レンズ9は、表面が平
坦化されていない層、即ち曲面からなる上面を有する絶
縁層61と上面が平坦化された絶縁層62を含む第1の
絶縁膜6により形成されている。これらの絶縁層61,
62の屈折率を異ならしめることにより、入射光の進路
を変えることができる。
坦化されていない層、即ち曲面からなる上面を有する絶
縁層61と上面が平坦化された絶縁層62を含む第1の
絶縁膜6により形成されている。これらの絶縁層61,
62の屈折率を異ならしめることにより、入射光の進路
を変えることができる。
【0022】ここで、図2乃至図5を参照して、層内レ
ンズの集光作用について述べる。
ンズの集光作用について述べる。
【0023】図2は層内レンズのない光電変換装置の断
面を模式的に示している。光81、84はマイクロレン
ズ7において屈折し、光電変換素子に向かうが、金属配
線のような第2のパターン5によって遮られる。そし
て、そこで反射した光は絶縁層内を多重反射して迷光と
なり、ノイズの原因となることもある。よって、光電変
換素子に受光面には領域86内の光のみが入射し、領域
85,87の光は受光面に入射しない。
面を模式的に示している。光81、84はマイクロレン
ズ7において屈折し、光電変換素子に向かうが、金属配
線のような第2のパターン5によって遮られる。そし
て、そこで反射した光は絶縁層内を多重反射して迷光と
なり、ノイズの原因となることもある。よって、光電変
換素子に受光面には領域86内の光のみが入射し、領域
85,87の光は受光面に入射しない。
【0024】図3は層内レンズを有する光電変換装置の
断面を模式的に示している。
断面を模式的に示している。
【0025】絶縁層41の屈折率をn1,絶縁層42の
屈折率をn2,絶縁層61の屈折率をn3,絶縁層62
の屈折率をn4としたとき、n1<n2、n2>n3、
n3<n4の関係を、満足しているものとする。
屈折率をn2,絶縁層61の屈折率をn3,絶縁層62
の屈折率をn4としたとき、n1<n2、n2>n3、
n3<n4の関係を、満足しているものとする。
【0026】このとき、光81、84はマイクロレンズ
7において屈折した後、絶縁層61,62により形成さ
れる層内レンズ9によって集光される。その後、絶縁層
41,42により形成される層内レンズ8によって再び
集光され光電変換素子の受光面に入射する。又、層内レ
ンズ9と層内レンズ8との界面では、光が各レンズの集
光方向と逆向きに屈折して進行する。
7において屈折した後、絶縁層61,62により形成さ
れる層内レンズ9によって集光される。その後、絶縁層
41,42により形成される層内レンズ8によって再び
集光され光電変換素子の受光面に入射する。又、層内レ
ンズ9と層内レンズ8との界面では、光が各レンズの集
光方向と逆向きに屈折して進行する。
【0027】こうして、図2の場合には受光面に到達で
きなかった光81,84も光路中に配された層内レンズ
8、9の作用により受光面に到達する。
きなかった光81,84も光路中に配された層内レンズ
8、9の作用により受光面に到達する。
【0028】図4は層内レンズのない別の光電変換装置
の断面を模式的に示している。図2と異なる点はマイク
ロレンズ7とパターン5,3との相対的な位置である。
の断面を模式的に示している。図2と異なる点はマイク
ロレンズ7とパターン5,3との相対的な位置である。
【0029】マイクロレンズの設計や作製がうまくいか
ない時には、領域95,97の光91、94はマイクロ
レンズ7において屈折し、光電変換素子に向かうが、光
電変換素子の受光面外に入射してしまう。そうすると、
受光面に入射する光は領域96の光のみとなり、感度の
低下を伴うことがある。
ない時には、領域95,97の光91、94はマイクロ
レンズ7において屈折し、光電変換素子に向かうが、光
電変換素子の受光面外に入射してしまう。そうすると、
受光面に入射する光は領域96の光のみとなり、感度の
低下を伴うことがある。
【0030】これに対して、図5に示すように層内レン
ズ8,9があると、領域95,97の光91、94もま
た層内レンズ8,9により集光され、光電変換素子の受
光面に入射し、信号として取り出せる電荷を発生させる
ことができる。
ズ8,9があると、領域95,97の光91、94もま
た層内レンズ8,9により集光され、光電変換素子の受
光面に入射し、信号として取り出せる電荷を発生させる
ことができる。
【0031】以上詳述したとおり、層内レンズを複数重
ねて形成することにより、微細な受光面に光を集光して
入射させることができる。
ねて形成することにより、微細な受光面に光を集光して
入射させることができる。
【0032】(実施形態2)図6〜8は本発明の別の実
施の形態による光電変換装置の模式的断面図である。図
6はこの光電変換装置の4画素の上面を示しており、図
7は図6中のAA’線による断面を、図8は図6のBB’
線による断面をそれぞれ示している。
施の形態による光電変換装置の模式的断面図である。図
6はこの光電変換装置の4画素の上面を示しており、図
7は図6中のAA’線による断面を、図8は図6のBB’
線による断面をそれぞれ示している。
【0033】本実施の形態では、図6,7に示すように
光電変換素子1、1’1’’が複数配列され、隣接する
2つの光電変換素子1,1’間の素子分離領域2上に下
層配線となる第1のパターン3が設けられ、第1のパター
ン3を覆う第1の絶縁膜4が設けられている。
光電変換素子1、1’1’’が複数配列され、隣接する
2つの光電変換素子1,1’間の素子分離領域2上に下
層配線となる第1のパターン3が設けられ、第1のパター
ン3を覆う第1の絶縁膜4が設けられている。
【0034】図8に示すように、第1の絶縁膜4の上に
上層配線及び/又は遮光膜となる第2のパターン5が設
けられ、第2のパターン5を覆う第2の絶縁膜6が設けら
れ、絶縁膜6の上にマイクロレンズ7が設けられてい
る。
上層配線及び/又は遮光膜となる第2のパターン5が設
けられ、第2のパターン5を覆う第2の絶縁膜6が設けら
れ、絶縁膜6の上にマイクロレンズ7が設けられてい
る。
【0035】第1の絶縁膜4は、互いに屈折率の異なる
絶縁層41、42により形成されており、それらの界面
が下に凸(上に凹)の第1の層内レンズ8になってい
る。
絶縁層41、42により形成されており、それらの界面
が下に凸(上に凹)の第1の層内レンズ8になってい
る。
【0036】第2の絶縁膜6は、互いに屈折率の異なる
絶縁層61,62により形成されており、第2の層内レ
ンズ9となっている。これらの層内レンズ8,9が、光
電変換素子の受光面上に、配置されている。
絶縁層61,62により形成されており、第2の層内レ
ンズ9となっている。これらの層内レンズ8,9が、光
電変換素子の受光面上に、配置されている。
【0037】ここでも、絶縁層41の屈折率n1,絶縁
層42の屈折率n2,絶縁層61の屈折率n3,絶縁層
62の屈折率n4は、n1<n2、n2>n3、n3<
n4の関係を、満足している。
層42の屈折率n2,絶縁層61の屈折率n3,絶縁層
62の屈折率n4は、n1<n2、n2>n3、n3<
n4の関係を、満足している。
【0038】図9は、図6〜8に示した装置の層内レン
ズの配置を模式的に示したものである。
ズの配置を模式的に示したものである。
【0039】第1の層内レンズ8は、第1のパターン3と
ともに、2次元に配置された光電変換素子の行(又は
列)方向に向かって伸びるシリンドリカルレンズ状のも
のである。一方、第2の層内レンズ9は、第1のパター
ン5とともに、2次元に配置された光電変換素子の列
(又は行)方向に向かって伸びるシリンドリカルレンズ
状のものである。
ともに、2次元に配置された光電変換素子の行(又は
列)方向に向かって伸びるシリンドリカルレンズ状のも
のである。一方、第2の層内レンズ9は、第1のパター
ン5とともに、2次元に配置された光電変換素子の列
(又は行)方向に向かって伸びるシリンドリカルレンズ
状のものである。
【0040】このように、本実施の形態による装置は、
2つのシリンドリカルレンズ状の層内レンズが交差して
設けられることで、受光面上に2つのレンズを重ねて
る。因みに、図1の形態は2つのシリンドリカルレンズ
状の層内レンズを平行に重ねたものである。
2つのシリンドリカルレンズ状の層内レンズが交差して
設けられることで、受光面上に2つのレンズを重ねて
る。因みに、図1の形態は2つのシリンドリカルレンズ
状の層内レンズを平行に重ねたものである。
【0041】図10は、本発明に用いられる第1又は第
2のパターンと、第1又は第2の層内レンズの別の例を
示している。第1又は第2のパターンは、画素の4方を囲
むパターンになっている。このような形状は遮光膜の場
合に好適である。又、層内レンズはシリンドリカルレン
ズ状ではなく、半球面レンズの様な形状である。
2のパターンと、第1又は第2の層内レンズの別の例を
示している。第1又は第2のパターンは、画素の4方を囲
むパターンになっている。このような形状は遮光膜の場
合に好適である。又、層内レンズはシリンドリカルレン
ズ状ではなく、半球面レンズの様な形状である。
【0042】(回路構成)図11は、本発明に用いられ
る光電変換装置の回路図である。
る光電変換装置の回路図である。
【0043】ここでは、光電変換素子1としてホトダイ
オードを用い、ホトダイオードに蓄積された電荷を転送
MOSトランジスタT1によりMOSトランジスタT2
のゲートに転送し、MOSトランジスタT2により増幅
された信号を垂直出力線32に出力する形態の装置を例
に挙げて説明する。勿論、本発明はCCDや他のタイプ
の光電変換装置にも適用可能である。
オードを用い、ホトダイオードに蓄積された電荷を転送
MOSトランジスタT1によりMOSトランジスタT2
のゲートに転送し、MOSトランジスタT2により増幅
された信号を垂直出力線32に出力する形態の装置を例
に挙げて説明する。勿論、本発明はCCDや他のタイプ
の光電変換装置にも適用可能である。
【0044】ホトダイオードは、転送MOSトランジス
タT1のソースに接続され、転送MOSトランジスタT
1のドレインは、ソースホロワ入力MOSトランジスタ
T2のゲートに接続されている。
タT1のソースに接続され、転送MOSトランジスタT
1のドレインは、ソースホロワ入力MOSトランジスタ
T2のゲートに接続されている。
【0045】ソースホロワ入力MOSトランジスタT2
のソースは、垂直選択スイッチMOSトランジスタT3
のドレインに接続され、ソースホロワMOSトランジス
タT2のドレインは、垂直出力線32を介して負荷電流
源CSに接続されている。
のソースは、垂直選択スイッチMOSトランジスタT3
のドレインに接続され、ソースホロワMOSトランジス
タT2のドレインは、垂直出力線32を介して負荷電流
源CSに接続されている。
【0046】垂直選択スイッチMOSトランジスタT3
のソースは、電源線31を介して基準電圧源VDDに接
続されている。こうしてソースホロワ回路が構成されて
いる。
のソースは、電源線31を介して基準電圧源VDDに接
続されている。こうしてソースホロワ回路が構成されて
いる。
【0047】リセットスイッチMOSトランジスタT4
のドレインは、ソースホロワ入力MOSトランジスタT
2のゲートに接続されており、リセットスイッチMOS
トランジスタT4のソースは電源線31に接続されてい
る。
のドレインは、ソースホロワ入力MOSトランジスタT
2のゲートに接続されており、リセットスイッチMOS
トランジスタT4のソースは電源線31に接続されてい
る。
【0048】この回路では、ホトダイオードに蓄積され
た電荷に応じてソースホロワ入力MOSトランジスタT
2により電流増幅された信号を垂直出力線32から読み
出す。即ち、転送ホトダイオードに蓄積された電荷を転
送MOSトランジスタT1によりMOSトランジスタT
2のゲートに転送し、MOSトランジスタT2により増
幅された信号を垂直出力線32から読み出すのである。
た電荷に応じてソースホロワ入力MOSトランジスタT
2により電流増幅された信号を垂直出力線32から読み
出す。即ち、転送ホトダイオードに蓄積された電荷を転
送MOSトランジスタT1によりMOSトランジスタT
2のゲートに転送し、MOSトランジスタT2により増
幅された信号を垂直出力線32から読み出すのである。
【0049】転送MOSトランジスタT1のゲートは行
選択線52に、垂直選択スイッチMOSトランジスタT
3のゲートは行選択線51に接続されており、垂直走査
回路SRVにより順次パルスが出力されて行選択が行わ
れる。
選択線52に、垂直選択スイッチMOSトランジスタT
3のゲートは行選択線51に接続されており、垂直走査
回路SRVにより順次パルスが出力されて行選択が行わ
れる。
【0050】リセットスイッチMOSトランジスタT4
はリセット線15に接続され、垂直走査回路SRVによ
り順次リセットパルスが出力されて行リセットが行われ
る。
はリセット線15に接続され、垂直走査回路SRVによ
り順次リセットパルスが出力されて行リセットが行われ
る。
【0051】垂直出力線32は水平転送スイッチSWと
水平走査回路SRHにより、共通出力線VHを介して出
力アンプAMPから外部に出力される。
水平走査回路SRHにより、共通出力線VHを介して出
力アンプAMPから外部に出力される。
【0052】この装置の動作は以下のとおりである。
【0053】一行目の行選択線52とリセット線15か
ら選択パルスを出力して、転送MOSトランジスタT
1、リセットMOSトランジスタT4をともにオン状態
とした後、オフ状態に戻す。すると、浮遊状態とされた
ホトトランジスタのカソードに光電変換された電荷(電
子)が蓄積され始める。
ら選択パルスを出力して、転送MOSトランジスタT
1、リセットMOSトランジスタT4をともにオン状態
とした後、オフ状態に戻す。すると、浮遊状態とされた
ホトトランジスタのカソードに光電変換された電荷(電
子)が蓄積され始める。
【0054】電荷に蓄積に適した所定の時間経過後、再
び行選択線52から選択パルスを出力して、転送MOS
トランジスタT1をオン状態にすると、蓄積された電荷
はソースホロワ入力MOSトランジスタT2のゲートに
転送される。ソースホロワ入力MOSトランジスタT2
にはゲートの蓄積電圧に応じて増幅された電流が流れ
る。
び行選択線52から選択パルスを出力して、転送MOS
トランジスタT1をオン状態にすると、蓄積された電荷
はソースホロワ入力MOSトランジスタT2のゲートに
転送される。ソースホロワ入力MOSトランジスタT2
にはゲートの蓄積電圧に応じて増幅された電流が流れ
る。
【0055】水平走査回路により水平転送スイッチSW
をオン状態にすると、ソースホロワ入力MOSトランジ
スタT2に流れる電流に応じた出力信号が、出力アンプ
AMPを通して得られる。
をオン状態にすると、ソースホロワ入力MOSトランジ
スタT2に流れる電流に応じた出力信号が、出力アンプ
AMPを通して得られる。
【0056】こうして、一行目の画素の信号が水平走査
回路により順次取り出されると、次に2行目以降が順次
選択される。こうして、2次元画像情報が時系列に並ん
だ電気信号として取り出せるわけである。
回路により順次取り出されると、次に2行目以降が順次
選択される。こうして、2次元画像情報が時系列に並ん
だ電気信号として取り出せるわけである。
【0057】図12は、図11の回路を実現するための
回路配置の一例を示す図である。
回路配置の一例を示す図である。
【0058】G1は、転送MOSトランジスタT1のゲ
ート電極パターンであり、接続孔C1、C2を介して垂
直選択線52となる金属配線に接続されている。G2
は、入力MOSトランジスタT2のゲート電極パターン
であり、接続孔C4、C3を介して転送MOSトランジ
スタT1のドレインに接続されている。G3は、垂直選
択MOSトランジスタT3のゲート電極パターンであ
り、接続孔C7、C8を介して行選択線51に接続され
ている。
ート電極パターンであり、接続孔C1、C2を介して垂
直選択線52となる金属配線に接続されている。G2
は、入力MOSトランジスタT2のゲート電極パターン
であり、接続孔C4、C3を介して転送MOSトランジ
スタT1のドレインに接続されている。G3は、垂直選
択MOSトランジスタT3のゲート電極パターンであ
り、接続孔C7、C8を介して行選択線51に接続され
ている。
【0059】ゲート電極パターンG1、G2、G3及び
リセット線15は、最も基板よりに設けられるパターン
であり、不純物がドープされた多結晶シリコンや、シリ
サイド、金属或いはこれらの積層体からなる。電源線3
1及び垂直出力線32は、第1のパターン3となる金属
配線である。行選択線51,52は第2のパターンとな
る金属配線である。
リセット線15は、最も基板よりに設けられるパターン
であり、不純物がドープされた多結晶シリコンや、シリ
サイド、金属或いはこれらの積層体からなる。電源線3
1及び垂直出力線32は、第1のパターン3となる金属
配線である。行選択線51,52は第2のパターンとな
る金属配線である。
【0060】前述の図1は図12のAA’線による断面
にほぼ相当するものである。この部分は、ゲート電極パ
ターンG1(又はG3)と行選択線52(又は51)と
を接続するために、第2のパターンが局所的に設けられ
ている。
にほぼ相当するものである。この部分は、ゲート電極パ
ターンG1(又はG3)と行選択線52(又は51)と
を接続するために、第2のパターンが局所的に設けられ
ている。
【0061】101は選択酸化により形成されたフィー
ルド絶縁膜と半導体活性領域との境界を示しており、こ
の半導体活性領域にホトダイオードや各MOSトランジ
スタのソース、ドレイン、チャンネルが形成されてい
る。
ルド絶縁膜と半導体活性領域との境界を示しており、こ
の半導体活性領域にホトダイオードや各MOSトランジ
スタのソース、ドレイン、チャンネルが形成されてい
る。
【0062】(製造方法)次に、図13〜図16を参照
して本発明の光電変換装置の製造工程について、図1に
示した装置の製造工程を例に挙げて、説明する。
して本発明の光電変換装置の製造工程について、図1に
示した装置の製造工程を例に挙げて、説明する。
【0063】まず、シリコンウエハのような半導体部材
1を用意して、LOCOS法などにより素子分離領域を
形成する。次に、ホトレジストパターンを形成して、イ
オン注入、熱処理を行い、ホトダイオードのカソード又
はアノードとなる拡散層1を形成する。絶縁層11を熱
酸化、CVD、スパッタリング、塗布法などにより形成
する。
1を用意して、LOCOS法などにより素子分離領域を
形成する。次に、ホトレジストパターンを形成して、イ
オン注入、熱処理を行い、ホトダイオードのカソード又
はアノードとなる拡散層1を形成する。絶縁層11を熱
酸化、CVD、スパッタリング、塗布法などにより形成
する。
【0064】そして、AL、Mo、W、Ta、Ti、或
いはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパッ
タリングやCVDにより形成し、受光面上の部分をエッ
チング除去して、所望のパターン3を得る。
いはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパッ
タリングやCVDにより形成し、受光面上の部分をエッ
チング除去して、所望のパターン3を得る。
【0065】続いて、CVDによりリン及び/又はボロ
ンがドープされた酸化シリコンからなる屈折率1.40
〜1.46程度の絶縁層41を堆積し、熱処理すること
によりリフローさせる。この熱処理を行う時には、第1
のパターンとしては高融点金属を選択するとともに、窒
素雰囲気中で800℃〜950℃に加熱するとよい。こ
うして形成される絶縁層41は、堆積直後には、第1の
パターンの影響によって、図13に示すように激しい凹
凸が上面に見られる。しかし、その後のリフローによっ
て、凹凸は緩和され、レンズに好適な上面UFは図のよ
うになだらかな曲面を呈するようになる。
ンがドープされた酸化シリコンからなる屈折率1.40
〜1.46程度の絶縁層41を堆積し、熱処理すること
によりリフローさせる。この熱処理を行う時には、第1
のパターンとしては高融点金属を選択するとともに、窒
素雰囲気中で800℃〜950℃に加熱するとよい。こ
うして形成される絶縁層41は、堆積直後には、第1の
パターンの影響によって、図13に示すように激しい凹
凸が上面に見られる。しかし、その後のリフローによっ
て、凹凸は緩和され、レンズに好適な上面UFは図のよ
うになだらかな曲面を呈するようになる。
【0066】更に、CVD等により窒化シリコン(屈折
率2.0)、窒化酸化シリコン(組成比によって、屈折
率1.41〜1.99の範囲で変化する)等からなる絶
縁層42を堆積する。この絶縁層42は絶縁層41より
屈折率が大きくなるように材料を選択する。図14に示
すように、この絶縁層42の上面も下地にならって曲面
を呈する。
率2.0)、窒化酸化シリコン(組成比によって、屈折
率1.41〜1.99の範囲で変化する)等からなる絶
縁層42を堆積する。この絶縁層42は絶縁層41より
屈折率が大きくなるように材料を選択する。図14に示
すように、この絶縁層42の上面も下地にならって曲面
を呈する。
【0067】図14に示した構造体に、化学機械研磨
(CMP)を施し、絶縁層42の上面を平坦化する。こ
うして、平坦化されていない絶縁層41の屈折率が平坦
化された絶縁層42の屈折率より小さい第1の層内レン
ズ8を形成することができる。
(CMP)を施し、絶縁層42の上面を平坦化する。こ
うして、平坦化されていない絶縁層41の屈折率が平坦
化された絶縁層42の屈折率より小さい第1の層内レン
ズ8を形成することができる。
【0068】次に、再びAL、Mo、W、Ta、Ti、
或いはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパ
ッタリングやCVDにより形成し、所望のパターン5に
なるようにエッチングする。続いて、再び、CVDによ
りリン及び/又はボロンがドープされた酸化シリコンか
らなる屈折率1.40〜1.46程度の絶縁層61を堆
積し、熱処理することによりリフローさせる。更に、再
びCVDにより窒化シリコン(屈折率2.0)又は窒化
酸化シリコン(屈折率1.4〜2.0)のなかから屈折
率が1.46より大きな絶縁層62を堆積する。そし
て、化学機械研磨(CMP)を施し、絶縁層62の上面
を平坦化する。
或いはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパ
ッタリングやCVDにより形成し、所望のパターン5に
なるようにエッチングする。続いて、再び、CVDによ
りリン及び/又はボロンがドープされた酸化シリコンか
らなる屈折率1.40〜1.46程度の絶縁層61を堆
積し、熱処理することによりリフローさせる。更に、再
びCVDにより窒化シリコン(屈折率2.0)又は窒化
酸化シリコン(屈折率1.4〜2.0)のなかから屈折
率が1.46より大きな絶縁層62を堆積する。そし
て、化学機械研磨(CMP)を施し、絶縁層62の上面
を平坦化する。
【0069】こうして、図16に示すように、第1の層
内レンズ8と同じようにして、平坦化されていない絶縁
層61の屈折率が、平坦化された絶縁層62の屈折率よ
り小さい第2の層内レンズ9を形成することができる。
内レンズ8と同じようにして、平坦化されていない絶縁
層61の屈折率が、平坦化された絶縁層62の屈折率よ
り小さい第2の層内レンズ9を形成することができる。
【0070】そして、第1及び第2の層内レンズ8,9の
界面、即ち、平坦化された絶縁層42と平坦化されてい
ない絶縁層61との間の界面では、屈折率の相対的な関
係により、図3に示したように光が発散する方向に屈折
する。
界面、即ち、平坦化された絶縁層42と平坦化されてい
ない絶縁層61との間の界面では、屈折率の相対的な関
係により、図3に示したように光が発散する方向に屈折
する。
【0071】その後は、平坦化保護膜を形成した後、マ
イクロレンズ7を形成する。又、必要に応じてマイクロ
レンズ7と第2の層内レンズの間にカラーフィルターを
配置することも可能である。
イクロレンズ7を形成する。又、必要に応じてマイクロ
レンズ7と第2の層内レンズの間にカラーフィルターを
配置することも可能である。
【0072】次に、図17〜図20を参照して本発明の
光電変換装置の別の製造工程について説明する。
光電変換装置の別の製造工程について説明する。
【0073】まず、シリコンウエハのような半導体部材
1を用意して、LOCOS法などにより素子分離領域を
形成する。次に、ホトレジストパターンを形成して、イ
オン注入、熱処理を行い、ホトダイオードのカソード又
はアノードとなる拡散層1を形成する。絶縁層11を熱
酸化、CVD、スパッタリング、塗布法などにより形成
する。
1を用意して、LOCOS法などにより素子分離領域を
形成する。次に、ホトレジストパターンを形成して、イ
オン注入、熱処理を行い、ホトダイオードのカソード又
はアノードとなる拡散層1を形成する。絶縁層11を熱
酸化、CVD、スパッタリング、塗布法などにより形成
する。
【0074】そして、AL、Mo、W、Ta、Ti、或
いはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパッ
タリングやCVDにより形成し、受光面上の部分をエッ
チング除去して、所望のパターン3を得る。
いはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパッ
タリングやCVDにより形成し、受光面上の部分をエッ
チング除去して、所望のパターン3を得る。
【0075】続いて、CVDによりノンドープの酸化シ
リコンからなる屈折率1.40程度の絶縁層43を堆積
する。続いて、酸化シリコンの前駆体をスピンコートす
るSOG法によりノンドープの酸化シリコンからなる屈
折率1.40程度の絶縁層を形成する。この方法では8
00℃〜950℃といった高温処理を必要としない。こ
うして形成される絶縁層41は、図17に示すように、
凹凸が緩和された、レンズに好適ななだらかな曲面を呈
する。
リコンからなる屈折率1.40程度の絶縁層43を堆積
する。続いて、酸化シリコンの前駆体をスピンコートす
るSOG法によりノンドープの酸化シリコンからなる屈
折率1.40程度の絶縁層を形成する。この方法では8
00℃〜950℃といった高温処理を必要としない。こ
うして形成される絶縁層41は、図17に示すように、
凹凸が緩和された、レンズに好適ななだらかな曲面を呈
する。
【0076】更に、CVD等により窒化シリコン(屈折
率2.0)、窒化酸化シリコン(組成比によって、屈折
率1.41〜1.99の範囲で変化する)等からなる絶
縁層42を堆積する。この絶縁層42は絶縁層41より
屈折率が大きくなるように材料を選択する。図18に示
すように、この絶縁層42の上面も下地にならって曲面
を呈する。
率2.0)、窒化酸化シリコン(組成比によって、屈折
率1.41〜1.99の範囲で変化する)等からなる絶
縁層42を堆積する。この絶縁層42は絶縁層41より
屈折率が大きくなるように材料を選択する。図18に示
すように、この絶縁層42の上面も下地にならって曲面
を呈する。
【0077】図18に示した構造体に、化学機械研磨
(CMP)を施し、絶縁層42の上面を平坦化する。こ
うして、図19に示すように、平坦化されていない絶縁
層41の屈折率が平坦化された絶縁層42の屈折率より
小さい第1の層内レンズ8を形成することができる。
(CMP)を施し、絶縁層42の上面を平坦化する。こ
うして、図19に示すように、平坦化されていない絶縁
層41の屈折率が平坦化された絶縁層42の屈折率より
小さい第1の層内レンズ8を形成することができる。
【0078】再び、そして、AL、Mo、W、Ta、T
i、或いはこれらを主成分とする合金からなる金属膜を
スパッタリングやCVDにより形成し、受光面上の部分
をエッチング除去して、所望のパターン5を得る。
i、或いはこれらを主成分とする合金からなる金属膜を
スパッタリングやCVDにより形成し、受光面上の部分
をエッチング除去して、所望のパターン5を得る。
【0079】続いて、CVDによりノンドープの酸化シ
リコンからなる屈折率1.40程度の絶縁層63を堆積
する。続いて、酸化シリコンの前駆体をスピンコートす
るSOG法によりノンドープの酸化シリコンからなる屈
折率1.40程度の絶縁層61を形成する。こうして形
成される絶縁層61は、凹凸が緩和された、レンズに好
適ななだらかな曲面を呈する。
リコンからなる屈折率1.40程度の絶縁層63を堆積
する。続いて、酸化シリコンの前駆体をスピンコートす
るSOG法によりノンドープの酸化シリコンからなる屈
折率1.40程度の絶縁層61を形成する。こうして形
成される絶縁層61は、凹凸が緩和された、レンズに好
適ななだらかな曲面を呈する。
【0080】更に、CVD等により窒化シリコン(屈折
率2.0)、窒化酸化シリコン(組成比によって、屈折
率1.41〜1.99の範囲で変化する)等からなる絶
縁層62を堆積する。この絶縁層62は絶縁層61より
屈折率が大きくなるように材料を選択する。この絶縁層
62の上面も下地にならって曲面を呈する。
率2.0)、窒化酸化シリコン(組成比によって、屈折
率1.41〜1.99の範囲で変化する)等からなる絶
縁層62を堆積する。この絶縁層62は絶縁層61より
屈折率が大きくなるように材料を選択する。この絶縁層
62の上面も下地にならって曲面を呈する。
【0081】化学機械研磨(CMP)を施し、絶縁層4
2の上面を平坦化する。こうして、平坦化されていない
絶縁層61の屈折率が平坦化された絶縁層62の屈折率
より小さい第2の層内レンズ9を形成することができ
る。
2の上面を平坦化する。こうして、平坦化されていない
絶縁層61の屈折率が平坦化された絶縁層62の屈折率
より小さい第2の層内レンズ9を形成することができ
る。
【0082】その後は、平坦化保護膜を形成した後、マ
イクロレンズ7を形成する。又、必要に応じてマイクロ
レンズ7と第2の層内レンズの間にカラーフィルターを
配置することも可能である。
イクロレンズ7を形成する。又、必要に応じてマイクロ
レンズ7と第2の層内レンズの間にカラーフィルターを
配置することも可能である。
【0083】以上説明した実施の形態によれば、受光面
の微細化が進んだり、遮光パターンや配線パターンのよ
うな各種の膜が受光面の上に多く積層されるようになっ
た場合の集光効率を高めることができる。
の微細化が進んだり、遮光パターンや配線パターンのよ
うな各種の膜が受光面の上に多く積層されるようになっ
た場合の集光効率を高めることができる。
【0084】
【発明の効果】本発明によれば、素子分離領域上方のパ
ターンを利用して、マイクロレンズと光電変換素子の受
光面との間に、複数のレンズを形成するので、マイクロ
レンズで集光された光を受光面へ更に集光して導くこと
ができる。こうして、微細化された画素を有する光電変
換装置の感度が向上する。
ターンを利用して、マイクロレンズと光電変換素子の受
光面との間に、複数のレンズを形成するので、マイクロ
レンズで集光された光を受光面へ更に集光して導くこと
ができる。こうして、微細化された画素を有する光電変
換装置の感度が向上する。
【図1】本発明の実施の形態による光電変換装置の模式
的断面図である。
的断面図である。
【図2】層内レンズのない光電変換装置の模式的断面図
である。
である。
【図3】層内レンズを有する光電変換装置の模式的断面
図である。
図である。
【図4】層内レンズのない別の光電変換装置の模式的断
面図である。
面図である。
【図5】層内レンズを有する別の光電変換装置の模式的
断面図である。
断面図である。
【図6】本発明の別の実施の形態による光電変換装置の
模式的上面である。
模式的上面である。
【図7】図6中のAA’線による断面図である。
【図8】図6のBB’線による断面図である。
【図9】光電変換装置の層内レンズの配置の一例を示す
模式図である。
模式図である。
【図10】光電変換装置の層内レンズの配置の別の例を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図11】本発明に用いられる光電変換装置の回路図で
ある。
ある。
【図12】図11の回路を実現するための回路配置の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図13】本発明の光電変換装置の製造工程を説明する
ための模式的断面図である。
ための模式的断面図である。
【図14】本発明の光電変換装置の製造工程を説明する
ための模式的断面図である。
ための模式的断面図である。
【図15】本発明の光電変換装置の製造工程を説明する
ための模式的断面図である。
ための模式的断面図である。
【図16】本発明の光電変換装置の製造工程を説明する
ための模式的断面図である。
ための模式的断面図である。
【図17】本発明の光電変換装置の別の製造工程を説明
するための模式的断面図である。
するための模式的断面図である。
【図18】本発明の光電変換装置の別の製造工程を説明
するための模式的断面図である。
するための模式的断面図である。
【図19】本発明の光電変換装置の別の製造工程を説明
するための模式的断面図である。
するための模式的断面図である。
【図20】本発明の光電変換装置の別の製造工程を説明
するための模式的断面図である。
するための模式的断面図である。
1 光電変換素子 2 素子分離領域 3 第1のパターン 4 第1の絶縁膜 5 第2のパターン 6 第2の絶縁膜 7 マイクロレンズ 8 第1の層内レンズ 9 第2の層内レンズ 10 半導体部材 11 絶縁層 12 平坦化層 41、61 非平坦化絶縁層 42、62 平坦化絶縁層
フロントページの続き Fターム(参考) 4M118 AA10 AB01 BA14 CA03 CA05 CA09 CA33 CA34 FA06 FA26 FA28 FA33 FA42 GB03 GB07 GB11 GD04 GD05 GD06 GD07 GD20 5C024 AA01 CA12 FA01 GA11 GA31 GA51 5F049 MA01 NA20 NB05 PA04 PA07 PA20 QA20 RA06 SS03 SZ12 SZ13 SZ20 WA01 WA03
Claims (11)
- 【請求項1】 隣接する2つの光電変換素子間の素子分
離領域上に設けられた第1のパターンと、該第1のパター
ンを覆う第1の絶縁膜と、該素子分離領域の上方かつ該
第1の絶縁膜の上に設けられた第2のパターンと、該第2
のパターンを覆う第2の絶縁膜と、該絶縁膜の上に設け
られたマイクロレンズと、を有する光電変換装置であっ
て、該第1の絶縁膜及び該第2の絶縁膜により第1及び第2
の層内レンズが形成されており、該第1及び第2の層内レ
ンズが該マイクロレンズと該光電変換素子の受光面との
間の光路中に配置されていることを特徴とする光電変換
装置。 - 【請求項2】 前記第1及び第2のパターンは遮光性部材
或いは導電性部材にて形成されている請求項1に記載の
光電変換装置。 - 【請求項3】 前記第1又は第2の層内レンズは、前記第
1又は第2のパターンを覆う非平坦化絶縁層と、その上に
積層された平坦化絶縁層とにより形成されている請求項
1に記載の光電変換装置。 - 【請求項4】 前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との
界面において、前記第2の絶縁膜側の媒質の屈折率が、
前記第1の絶縁膜側の屈折率より小さい請求項1に記載
の光電変換装置。 - 【請求項5】 前記第1及び第2のパターンが、高融点金
属からなる請求項1に記載の光電変換装置。 - 【請求項6】 前記第1及び第2のレンズはそれぞれシリ
ンドリカルレンズの形状を呈している請求項1に記載の
光電変換装置。 - 【請求項7】 前記第1及び第2のレンズはそれぞれ互い
に交差するシリンドリカルレンズの形状を呈している請
求項1に記載の光電変換装置。 - 【請求項8】 前記第1又は第2の層内レンズは、前記第
1又は第2のパターンを覆う酸化シリコンからなる非平坦
化絶縁層と、その上に積層された窒素を含む酸化シリコ
ン又は窒化シリコンからなる平坦化絶縁層とにより形成
されている請求項1に記載の光電変換装置。 - 【請求項9】 前記第1又は第2の層内レンズは、前記第
1又は第2のパターンを覆う凹状の上面を有する非平坦化
絶縁層と、その上に積層され該非平坦化絶縁層より屈折
率の大きな凸状の下面を有する絶縁層と、により形成さ
れている請求項1に記載の光電変換装置。 - 【請求項10】 前記第1及び第2の層内レンズは、前記
第1及び第2のパターンをそれぞれ覆う凹状の上面を有す
る非平坦化絶縁層と、その上に積層され該非平坦化絶縁
層より屈折率の大きな凸状の下面を有する絶縁層と、に
より形成されており、前記第2の層内レンズを構成する
前記凹状の上面を有する絶縁層の屈折率が、前記第1の
層内レンズを構成する前記凸状の下面を有する絶縁層の
屈折率より小さい請求項1に記載の光電変換装置。 - 【請求項11】 請求項1に記載の光電変換装置を製造
するための製造方法において、前記第1のパターンを覆
う非平坦化絶縁層を形成した後、その上に該非平坦化絶
縁層とは異なる材料からなる絶縁体を堆積しその表面を
平坦化することにより平坦化絶縁層を形成することによ
り前記第1の絶縁膜を形成する工程、前記第2のパター
ンを覆う非平坦化絶縁層を形成した後、その上に該非平
坦化絶縁層とは異なる材料からなる絶縁体を堆積しその
表面を平坦化することにより平坦化絶縁層を形成するこ
とにより前記第2の絶縁膜を形成する工程、を含む光電
変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26872499A JP2001094086A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26872499A JP2001094086A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001094086A true JP2001094086A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17462476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26872499A Withdrawn JP2001094086A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001094086A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1999
- 1999-09-22 JP JP26872499A patent/JP2001094086A/ja not_active Withdrawn
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---|---|---|---|
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