JP2001088451A - 画像記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザー照射することにより有機化合物の色
相変化を引き起こし画像形成を行う画像記録材料に対し
て半導体レーザーを用いて面積変調画像を形成する際
に、副走査方向に対する画像むらを抑え、高画質な画像
を形成する方法を提供する。 【解決手段】 レーザー照射することにより有機化合物
の色相変化を引き起こし画像形成を行う画像記録材料に
対して、半導体レーザーから出射され、副走査方向に対
して略方形状の強度分布を示すように整形されたレーザ
ービームを主走査することにより、前記画像記録材料に
面積変調による画像を記録することを特徴とする画像記
録方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー照射する
ことにより有機化合物の色相変化を引き起こし画像形成
を行う画像記録材料に対して半導体レーザーを用いて面
積変調画像を記録する新規な画像記録方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】感熱記録材料は画像部と非画像部とを温
度差分布として表現するもので、着色剤の溶融転写や昇
華転写、加熱溶融やカプセル破壊による２成分間の発色
反応、相転位による光学特性の変化等、多くの方式が考
案されてきた。この種の熱記録媒体においては、乾式で
かつ簡単なシステムで記録像が得られ、しかもメンテナ
ンスフリーという利点があるため各種プリンター、ワー
ドプロセッサー、ファクシミリ等の出力材料として広く
利用されている。また近年、レーザー記録装置の進歩に
伴い光ディスクや製版材料にも応用が検討されている。

【０００３】従来、製版材料としては、湿式処理を必要
とするハロゲン化銀感光材料が使用されてきたが、処理
工程の簡易化に対する要求、および処理液による環境汚
染の問題から乾式工程の開発が望まれ、近年感熱記録方
式によるいくつかの技術的な提案がなされてきた。解像
度の観点からレーザーを用いた画像記録が好ましく、例
えば、高出力レーザーを用いた色素アブレ−ションと呼
ばれる方式が開発されており、その記録材料が特開平７
ー１６４７５５号、同ー１４９０６３号、同７ー１４９
０６５号等の各公報に、画像形成装置が特開平８ー４８
０５３号、同８ー７２４００号等の各公報に開示されて
いる。このシステムでは支持体上に塗布された画像色
素、レーザー波長域に吸収を有する物質（赤外吸収物
質）およびバインダ−からなる色素組成物を有する記録
材料を、色素層側からレーザー照射することによって画
像記録が行われる。レーザーによって与えられたエネル
ギーは、レーザービームが材料に当たったスポット（レ
ーザー露光部位）で画像形成層に急激な局部変化を起こ
し、それによって物質を層から追い出す。この様な色素
アブレーション方式では、レーザー露光部位における色
素の除去効率を高めるためには高出力のレーザーが不可
欠であり、また除去された色素を集めるために集塵機の
併設が必要であるといった問題点があった。

【０００４】集塵機を必要としない方式として、レーザ
ーを熱源とするアブレーション転写式画像記録法に関す
る記載が米国特許第５，１７１，６５０号明細書等に開
示されている。この方式では、アブレイティブキャリア
ートップコートを上塗りした動的剥離層を含有する色素
ドナーシートが用いられており、画像は、隣接して位置
合わせをした別の受容シートへと転写される。このため
画像記録後に不用となったシートが廃材になるという問
題点があった。またこの場合も転写効率を高めるために
は高出力のレーザーが不可欠であった。以上のように、
レーザーによるアブレーションを利用した従来の感熱記
録方式では、いずれの方式でも高出力のレーザーが必要
であり、ゴミや廃材が避けられないという問題点があっ
た。

【０００５】一方、レーザーを利用したアブレーション
を伴わない感熱記録方式として、「ドライシルバー」と
称されるシステムを発展させたものが特開平６−１９４
７８１号公報等に記載されている。このシステムでは、
熱的に還元されうる銀源、銀イオンの還元剤、および光
熱変換色素を含有する記録材料に対してレーザーで記録
が行われるが、非画像部の保存性、および熱感度の点で
実用性能には不十分であった。

【０００６】また、レーザーを利用したその他の感熱記
録方式として米国特許第４，６０２，２６３号、同第
４，８２６，９７６号の各明細書にはカルバメ−トの熱
分解によって吸収の変化する化合物が記載されており、
同第５，２４３，０５２号明細書には水酸基に導入した
ｔーブトキシカルボニル基の熱分解によってイエロー発
色する化合物が記載されている。これらの方式は不可逆
な単分子反応を利用したもので、レーザーを利用した極
短時間の画像記録に対して好ましい方式ではあるが、感
度が不十分であり、更なる高感化が望まれていた。その
解決策の一つとして、酸触媒を共存させることによって
高感化できるが、保存安定性が問題であった。その他、
製版材料用途に共するＵＶマスク像（３６０ｎｍ〜４２
０ｎｍ；ＰＳ版への露光光源に対応）の形成方法とし
て、レーザーを利用したヒートモード方式があるが、実
用的な提案はなされていない。

【０００７】また、米国特許第５，２８６，６１２号、
同第５，３９５，７３６号、同第５，４４１，８５０号
の各明細書、特表平８ー５０３０８１号、同８ー５０３
０８２号の各公報には化学線の作用でｐＫａ＜０の超強
酸を発生する化合物、超強酸の存在下で２次酸を発生す
る２次酸発生剤、および２次酸との接触によって色の変
化する化合物を含有する画像記録材料に関して記載があ
る。これらの方式は記録材料の高感度化という意味で有
効な方法であるが、これらの明細書または公報に記載さ
れた２次酸発生剤からの２次酸の発生は超強酸前駆体か
ら発生した超強酸によってのみ触媒されるものであり、
これらの明細書または公報によれば超強酸１分子に対し
て２０分子程度の２次酸前駆体の分解が触媒されるとの
ことであるが、生成した２次酸には触媒能力がないた
め、いわゆる鼠算式の酸増殖による高感度化は期待でき
ない。これらを改良し高感度化を図った画像記録材料が
特開平１１−１８００４８号、同１１−１８１０３１号
の各公報に報告されているが、画質の点では更なる改良
が望まれていた。

【０００８】一方、上記の各画像記録材料へのデジタル
情報の書き込みのためにレーザービームが用いられ、一
般的には画像処理の施されたデジタル信号に基づいてレ
ーザー光学系を駆動制御し、画像記録材料に面積変調に
よる画像を露光記録するレーザー記録装置が用いられて
いる。なお、画像が露光記録された画像記録材料は、必
要に応じて現像機に供給され、潜像から顕像に変換され
る。レーザー光源としては、例えば、単一横モード半導
体レーザーや光ファイバレーザー等のコヒーレント光
源、あるいは、高出力が得られる光ファイバカップルド
レーザーやアレイ半導体レーザー等のインコヒーレント
光源が用いられている。特に、ガスレーザーに比較し
て、小型軽量、高効率、長寿命等の利点を有する半導体
レーザーが注目されており、上記のレーザー記録装置に
これらの半導体レーザーを組み込んだものが開発されて
いる。

【０００９】ところで、コヒーレント光源を用いた場
合、画像記録材料上に形成されるレーザービームの集光
スポットの強度分布はガウス分布状になる。また、光フ
ァイバカップルドレーザーの場合、レーザービームが光
ファイバによって画像記録材料の記録面近傍まで導かれ
るため、強度分布が略一様な円形の集光スポットが得ら
れる。ここで、レーザー記録装置では、通常、副走査搬
送される画像記録材料の主走査方向にレーザービームを
走査させることで２次元画像を形成しているため、円形
の集光スポットからなるレーザービームの光エネルギー
が主走査方向に積分され、これによって副走査方向にガ
ウス分布に近い形状の強度分布が生じる。さらに、アレ
イ半導体レーザーの場合には、複数の半導体レーザーの
配列方向に対応した串状の強度分布が生じる。

【００１０】しかし、画像記録材料上でのレーザービー
ムの積分強度が副走査方向に対してガウス分布状である
場合、レーザービームの強度が変動したり、レーザービ
ームの集光点と画像記録材料との位置にずれが生じる
と、図１３に示すように、特性ＡまたはＢに示すように
積分強度が変動するため、画像記録材料の発色閾値によ
って決定される発色範囲がａまたはｂのように変動し、
それが画像の濃度むらとして出現してしまう。この濃度
むらは、例えば、主走査方向に対して直線的なエッジを
有する画像の場合、前記エッジの位置が副走査方向にゆ
らいだ画像となってしまう。また、画像記録材料に感度
むらがある場合や現像機に現像むらがある場合において
も、発色閾値が変動することになるため、同様にして画
像にむらが出現してしまう。さらに、アレイ半導体レー
ザーのようにレーザービームの強度分布が串状である場
合には、串状分布に対応した同様な画像むらが発生す
る。なお、アレイ半導体レーザーと画像記録材料との間
にテレセントリック光学系を設け、アレイ半導体レーザ
ーから出力されたレーザービームのニアフィールドパタ
ーンを画像記録材料上に結像させることにより、串状の
強度分布の最小値が発色閾値以上となるようにした従来
技術がある（特公平８−２０６２１号公報参照）。しか
しながら、この場合、発色閾値以上に光出力を上げなく
てはならず、光利用効率が非常に悪くなってしまう。従
って、高出力光を出すことでアレイ半導体レーザーの寿
命が短くなり、交換頻度が高くなるといった欠点が生じ
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の状況に
鑑みてなされたものであり、特に、レーザー照射するこ
とにより有機化合物の色相変化を引き起こし画像形成を
行う画像記録材料に対して半導体レーザーを用いて面積
変調画像を形成する際に、副走査方向に対する画像むら
を抑え、高画質な画像を形成する方法を提供することを
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の課題は以下の発
明により達成された。 (1)レーザー照射することにより有機化合物の色相変化
を引き起こし画像形成を行う画像記録材料に対して、半
導体レーザーから出射され、副走査方向に対して略方形
状の強度分布を示すように整形されたレーザービームを
主走査することにより、前記画像記録材料に面積変調に
よる画像を記録することを特徴とする画像記録方法。 (2)前記半導体レーザーとして横多モード半導体レーザ
ーを用いることを特徴とする(1)に記載の画像記録方
法。 (3)前記半導体レーザーとして屈折率導波型半導体レー
ザーを用いることを特徴とする(1)または(2)に記載の画
像記録方法。 (4)前記半導体レーザーの活性層接合面に対して平行な
方向を前記副走査方向に設定することを特徴とする(1)
〜(3)のいずれか一項に記載の画像記録方法。 (5)前記画像記録材料に対して、空間周波数変調処理に
よる網点画像を記録することを特徴とする(1)〜(4)のい
ずれか一項に記載の画像記録方法。 (6)前記レーザービームのニアフィールドパターンの像
を前記画像記録材料上に形成することを特徴とする(1)
〜(5)のいずれか一項に記載の画像記録方法。 (7)前記レーザービームのファーフィールドパターンの
像を前記画像記録材料上に形成することを特徴とする
(1)〜(6)のいずれか一項に記載の画像記録方法。 (8)前記レーザービームのニアフィールドパターンは、
少なくとも前記副走査方向に一部をけるようなアパーチ
ャ部材を備える整形光学系により波形整形されることを
特徴とする(6)に記載の画像記録方法。 (9)前記レーザービームのファーフィールドパターン
は、少なくとも前記副走査方向に一部をけるようなアパ
ーチャ部材を備える整形光学系により波形整形されるこ
とを特徴とする(7)に記載の画像記録方法。 (10)酸と有機化合物との反応により色相変化を引き起こ
し画像形成を行う画像記録材料を用いることを特徴とす
る(1)〜(9)のいずれか一項に記載の画像記録方法。 (11)熱または酸の作用により酸を発生する下記一般式
（１）で表される酸発生剤と、酸の作用により分子内も
しくは分子間反応を引き起こし３６０〜９００ｎｍの吸
収域に変化を生じる化合物とを含有する画像記録材料を
用いることを特徴とする(1)〜(9)のいずれか一項に記載
の画像記録方法。 一般式（１）・・・Ｗ¹ＯＰ¹ 式中、Ｗ¹はＷ¹ＯＨで表される酸の残基を表し、Ｐ¹は
熱または酸の作用により離脱する置換基を表す。 (12)一般式（１）で表される酸発生剤が下記一般式
（２）〜（４）から選ばれる化合物であることを特徴と
する(11)記載の画像記録方法。 一般式（２）・・・

【化３】 式中、Ｒ¹はハメットのσｐ値が０より大きい電子吸引
性基を表し、Ｒ²はアルキル基を表し、Ｒ³は熱または酸
の作用により離脱する基を表し、Ｗ¹は一般式（１）と
同義である。 一般式（３）・・・

【化４】 式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子、アル
キル基、もしくはアリール基を表し（但し、同じであっ
ても異なっていてもよい）、また置換基を有していても
よく、更にＲ⁴とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁶、Ｒ⁵とＲ⁶はそれぞれ結
合して環を形成してもよく、Ｗ¹は一般式（１）と同義
である。 一般式（４）・・・Ｐ²−Ｘ−Ｌ−Ｃ（Ｒ⁷）（Ｒ⁸）−ＯＷ¹ 式中、Ｐ²は熱または酸の作用により離脱する置換基を
表し、ＸはＯ、Ｓ、ＮＲ⁹（Ｒ⁹は水素原子または置換可
能な基を表す）、またはＣＲ¹⁰Ｒ¹¹〔Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は
それぞれ独立に水素原子または置換可能な基を表し（但
し、同じであっても異なっていても良い）〕を表し、Ｌ
は連結基を表し、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原
子または置換可能な基を表し（但し、同じであっても異
なっていても良い）、Ｗ¹は一般式（1）と同義である。 (13)熱もしくは酸の作用により酸を発生する機能を有す
る部分構造と、酸の作用により３６０〜９００ｎｍの吸
収域に変化を生じる部分構造を合わせ持つポリマーを含
有する画像記録材料を用いることを特徴とする(1)〜(9)
のいずれか一項に記載の画像記録方法。 (14)前記ポリマーが下記一般式（５）で示されるポリマ
ーであることを特徴とする(13)に記載の画像記録方法。 一般式（５）・・・−（Ａ）_x−（Ｂ）_y−（Ｃ）_z− 式中Ａは、熱もしくは酸の作用により酸を発生する機能
を有する少なくとも１種類以上のビニルモノマーの重合
によって得られる繰り返し単位を表し、Ｂは酸の作用に
より３６０〜９００ｎｍの吸収域に変化を生じる部分構
造を有する少なくとも１種類以上のビニルモノマーの重
合によって得られる繰り返し単位を表し、ＣはＡおよび
Ｂと共重合可能な少なくとも１種類以上のビニルモノマ
ーの重合によって得られる繰り返し単位を表し、ｘ、ｙ
およびｚは重量％を表し、それぞれ１≦ｘ≦９９、１≦
ｙ≦９９、０≦ｚ≦９８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を表す。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく述べ
る。最初に本発明で用いる画像記録材料について説明す
る。本発明ではレーザー照射もしくはそれに続く後続の
処理により有機化合物の色相変化を引き起こし、画像形
成を行う画像記録材料を用いる。そのような有機化合物
の色相変化を引き起こす反応としては、例えば有機エレ
クトロニクス材料研究会編、”イメージング用有機材
料”（ぶんしん出版、１９９３年）に記載されている種
々の反応や、ディールズアルダー反応（９，１０−ジス
チリルアントラセンと無水マレイン酸、テトラフェニル
シクロペンタジエンとアクリル酸エステル等の反応
等）、レトロディールズアルダー反応（９，１０−ジス
チリルアントラセンと無水マレイン酸の付加体の分解反
応、テトラフェニルシクロペンタジエンとアクリル酸エ
ステルの付加体の分解反応等）、β−水素離脱によって
共役系が拡張され３６０〜９００ｎｍの吸収域に発色画
像を形成する反応（例えば１−アセトキシ−1，2−ジア
リールエタンの分解反応、１−スルホキシ−１、２−ジ
アリールエタンの分解反応）、脱水縮合によって前記吸
収域に発色画像を形成するアルデヒドと活性メチレン化
合物の組み合わせ（例えば写真用４当量マゼンタカプラ
ーとｐ−メトキシシンナムアルデヒドの反応等）、もし
くは酸の作用で分解または離脱が促進される置換基によ
って置換されたアミノ基または水酸基を分子内に有し、
該置換基が外れることによって前記吸収域における吸収
が変化する化合物の反応等が挙げられる。

【００１４】上記の中で好ましくは、熱または酸の作用
により酸を発生する酸発生剤、および酸の作用による分
子内もしくは分子間反応により３６０〜９００ｎｍの吸
収域に変化を生じる化合物を含有し、画像を形成させる
反応を用いた画像記録材料である。これらの化合物につ
いて以下に詳細に説明する。

【００１５】前記一般式（1）で表わされる化合物は、
熱もしくは酸の作用により酸を発生する機能を有してい
る。一般式（１）で表わされる酸発生剤においてＷ¹は
Ｗ¹ＯＨで表される酸（スルホン酸、カルボン酸、りん
酸、フェノール等）の残基を表す。Ｗ¹ＯＨはｐＫａが
３より小さい酸であることが好ましく、アリールスルホ
ン酸、アルキルスルホン酸、電子吸引性基のついたカル
ボン酸、アリールホスホン酸、アルキルホスホン酸等が
好ましい例として挙げられる。Ｐ¹は熱もしくは酸の作
用によって離脱しうる置換基を表し、Ｐ¹の離脱に伴い
Ｗ¹ＯＰ¹で表わされる酸発生剤からＷ¹ＯＨで表わされ
る酸が生成する。この様な置換基としては、β位に水素
原子を有するアルキル基（例えばテトラヒドロピラニル
基、テトラヒドロフラニル基、ｔーブチル基、シクロヘ
キシル基、４，５−ジヒドロ−２−メチルフラン−５−
イル基、２ーシクロヘキセニル基等）、β位に水素原子
を有するアルコキシカルボニル基（例えばｔーブトキシ
カルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、２
ー（２ーメチル）ブトキシカルボニル基、２ー（２ーフ
ェニル）プロピルオキシカルボニル基、２ークロロエト
キシカルボニル基等）、シリル基（例えばトリメチルシ
リル基、トリエチルシリル基、ｔーブチルジメチルシリ
ル基、フェニルジメチルシリル基等）、あるいはこれら
の基、もしくはアセタール、ケタール、チオケタール、
ピナコール、エポキシ環の分解を引き金に離脱する置換
基（例えば後述する一般式（２）〜（４）の説明におい
てＷ¹ＯＨに置換された基）が挙げられる。一般式
（１）で表わされる酸発生剤の例としては、例えばトリ
フルオロ酢酸（α−フェニルイソプロピル）エステル、
トリフルオロ酢酸ｔ−ブチルエステル、トルエンスルホ
ン酸シクロヘキシルエステル、ｐーニトロ安息香酸トリ
エチルシリルエステル、ｐーニトロ安息香酸テトラヒド
ロピラニルエステル、ポリ（４ービニルー１ーｔーブト
キシカルボニルオキシー２ーニトロベンゼン）、ポリ
（４ービニルベンゼンスルホン酸シクロヘキシルエステ
ル）等を挙げることができるが、本発明では酸発生能と
保存安定性の観点から前記一般式（２）〜（４）で表わ
される化合物が好ましい。

【００１６】一般式（２）において、Ｒ¹はハメットの
σｐ値が０より大きい電子吸引性基を表わし、Ｒ¹とし
て好ましくはアシル基（例えばアセチル、プロパノイ
ル、２−メチルプロパノイル、ピバロイル、ベンゾイ
ル、ナフトイル）、シアノ基、アルキルスルホニル基
（メタンスルホニル、エタンスルホニル、ベンジルスル
ホニル、ｔ−ブチルスルホニル等）もしくはアリールス
ルホニル基（ベンゼンスルホニル等）が挙げられる。Ｒ
¹として更に好ましくはアシル基である。Ｒ²はアルキル
基（メチル、エチル、イソプロピル、オクチル、ドデシ
ル等）を表す。Ｒ²として好ましくは炭素数６以下の基
である。Ｒ³は熱または酸により離脱する基を表わし、
好ましい基としてはβ位に水素原子を有する２級もしく
は３級のアルキル基（ｔーブチル、１，１−ジメチルプ
ロピル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、シクロ
ヘキシル、２−シクロヘキセニル等）、シリル基（トリ
メチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル等）、もしく
はアルコキシメチル基（メトキシメチル、オクチルオキ
シメチル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロフラニ
ル、４，５−ジヒドロ−２−メチルフラン−５−イル
等）等が挙げられる。Ｒ³として好ましくはβ位に水素
原子を有する２級もしくは３級のアルキル基である。こ
れらＲ¹〜Ｒ³で表わされる基は更に置換基を有していて
も良い。Ｗ¹は一般式（１）と同義である。

【００１７】一般式（３）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶は
それぞれ独立に水素原子、アルキル基（メチル、エチ
ル、イソプロピル、ｔ−ブチル、オクチル、ドデシル
等）、もしくはアリール基（フェニル、ナフチル等）を
表わす。Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶は更に置換基を有していても良
い。Ｒ⁴とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁶ もしくはＲ⁵とＲ⁶はそれぞれ
結合して環を形成しても良い。Ｗ¹は一般式（１）と同
義である。一般式（２）と（３）で示される化合物は、
特開平８ー２４８５６１号公報に記載の方法に準じて合
成することができる。

【００１８】一般式（４）で表わされる化合物は、上記
の一般式（２）および（３）とは全く異なる機構で酸を
放出する化合物であり、熱または酸の作用により離脱す
る置換基を少なくとも一つ有し、該置換基の離脱に引き
続く分子内求核置換反応により酸を発生する。尚、一般
式（４）において、Ｐ²は熱または酸の作用により離脱
する置換基を表す。ＸはＯ、Ｓ、ＮＲ⁹（Ｒ⁹は水素原子
または置換可能な基を表す）、またはＣＲ¹⁰Ｒ¹¹（Ｒ¹⁰
およびＲ¹¹は水素原子または置換可能な基を表し、同じ
であっても異なっていても良い）を表す。Ｌは連結基を
表す。Ｒ⁷およびＲ⁸は水素原子または置換可能な基を表
し、同じであっても異なっていても良い。 W¹は一般式
（１）と同義である。熱または酸の作用により離脱する
置換基Ｐ²は水酸基、メルカプト基、アミノ基、炭素原
子等の求核基に導入され保存時あるいは非画像部におけ
る分子内求核置換反応を妨げるが、画像部においては熱
または酸の作用により該置換基が分解、離脱するため分
子内求核置換反応による酸の発生が可能になる。Ｐ²で
表される有用な置換基としては、水酸基の酸素原子に導
入されるものではアルコキシカルボニル基（例えばｔー
ブトキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル
基、１ーフェニルエトキシカルボニル基、１，１ージフ
ェニルエトキシカルボニル基、２ーシクロヘキセンオキ
シカルボニル基等）、アルコキシメチル基（例えばメト
キシメチル基、エトキシメチル基、ｎーオクチルオキシ
メチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラ
ニル基、４，５−ジヒドロ−２−メチルフラン−５−イ
ル基等）、シリル基（例えばトリメチルシリル基、トリ
エチルシリル基、ｔーブチルジメチルシリル基、ｔーブ
チルジフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基
等）、およびβ位に水素原子を有する２級もしくは３級
のアルキル基（例えば、ｔーブチル、１，１−ジメチル
プロピル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、シク
ロヘキシル、２−シクロヘキセニル等）等が好ましい例
として挙げられる。メルカプト基の硫黄原子に導入され
るものではアルコキシメチル基（例えばイソブトキシメ
チル基、テトラヒドロピラニル基等）、アルコキシカル
ボニル基（例えばベンジルオキシカルボニル基、ｐーメ
トキシベンジルオキシカルボニル基等）、アシル基（例
えばアセチル基、ベンゾイル基等）、ベンジル基（例え
ばｐーメトキシベンジル基、ビス（４ーメトキシフェニ
ル）メチル基、トリフェニルメチル基等）等が好ましい
例として挙げられる。アミノ基の窒素原子に導入される
ものではアルコキシカルボニル基（例えばｔーブトキシ
カルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、２
ー（２ーメチル）ブトキシカルボニル基、２ー（２ーフ
ェニル）プロピルオキシカルボニル基、２ークロロエト
キシカルボニル基等）、アシル基（例えばアセチル基、
ベンゾイル基、２ーニトロベンゾイル基、４ークロロベ
ンゾイル基、１ーナフトイル基等）もしくはホルミル基
等が好ましい例として挙げられる。炭素原子に導入され
るものとしては３級のアルコキシカルボニル基（ｔーブ
トキシカルボニル基等）が好ましい例として挙げられ
る。これらの置換基の離脱に引き続く分子内求核置換反
応では５〜１０員環を形成する形態が好ましく、特に５
ないし６員環を形成することが好ましい。連結基Ｌとし
ては、これらの大きさの環を形成するように選択するこ
とが好ましい。

【００１９】本発明において、酸発生剤は置換可能な位
置に導入された重合性基が複数連結することによってポ
リマーを形成しても良く、それにより別途バインダーを
使用しなくても画像記録層に塗布性が付与されるため、
画像記録層の薄層化に対して有利である。ポリマーの分
子量は千〜１００万の範囲にあることが好ましく、特に
好ましくは２千〜３０万の範囲にある場合である。この
場合単独重合体であってもよいし、他のモノマーとの共
重合体であっても良い。本発明の化合物をポリマーとし
て用いる場合、前述の説明で記した炭素数の規定を超え
ても良い。上記した一般式（１）〜（４）で表わされる
化合物の具体例を以下に示すが、本発明で使用可能な化
合物はこれらに限定されるものではない。

【００２０】

【化５】

【００２１】

【化６】

【００２２】

【化７】

【００２３】

【化８】

【００２４】

【化９】

【００２５】

【化１０】

【００２６】

【化１１】

【００２７】これらの酸発生剤の添加量は、吸収変化を
伴う化合物の種類によっても異なるが、一般に吸収変化
を伴う化合物に対して０．００１〜２０当量の範囲であ
ることが好ましく、特に好ましくは０．０１〜５当量の
場合である。尚、ポリマーの場合は、酸発生剤の繰り返
し単位から算出した量とする。

【００２８】また、本発明において酸の作用による分子
内もしくは分子間反応により３６０〜９００ｎｍの吸収
域に変化を生じる化合物とは、中性〜塩基性の条件下で
保存する限りにおいては安定であるが、酸が作用すると
分子内、もしくは分子間反応の活性化エネルギーが下が
り、加熱によって容易に反応が進行して前記の波長範囲
における吸収に変化を生じる化合物のことである。この
際画像を形成するための加熱温度としては６０〜２００
℃であることが好ましく、特に好ましくは８０〜１４０
℃である。この様な吸収変化を伴う化合物は単一の化合
物であってもよいし、２成分以上で構成されていてもよ
い。例えば、ディールスアルダー反応によって前記吸収
域に消色画像を形成する化合物（例えば、９，１０−ジ
スチリルアントラセンと無水マレイン酸、テトラフェニ
ルシクロペンタジエンとアクリル酸エステル等）、レト
ロディールスアルダー反応によって前記吸収域に発色画
像を形成する化合物（例えば９，１０−ジスチリルアン
トラセンと無水マレイン酸の付加体、ジフェニルイソベ
ンゾフランとアクリルアミドの付加体等）、βー水素離
脱によって共役系が拡張され前記吸収域に発色画像を形
成する化合物（例えば１ーアセトキシー１，２−ジアリ
−ルエタン、１ースルホキシー１，２−ジアリ−ルエタ
ン等）、脱水縮合によって前記吸収域に発色画像を形成
するアルデヒドと活性メチレン化合物の組み合わせ（例
えば写真用４等量マゼンタカプラーとｐーメトキシシン
ナムアルデヒド等）あるいは酸の作用で分解または離脱
が促進される置換基によって置換されたアミノ基もしく
は水酸基を分子内に有し、該置換基が外れることによっ
て前記吸収域における吸収が変化する化合物等が挙げら
れる。また酸との接触により瞬時に発色する塩基性のロ
イコ染料等も画像形成材料において使用することができ
るが、この様な化合物は塩基として作用し、酸増殖過程
を阻害するためマイクロカプセルを利用したり別層に塗
布したりすることによって酸発生剤と隔離しておくこと
が必要である。

【００２９】上記の化合物の中でも、特にアミノ基もし
くは水酸基の置換基が酸の作用によって分解もしくは離
脱することにより吸収が変化する化合物が有用であり、
上記の一般式（１）〜（４）で表される熱酸発生剤と組
み合わせることにより、より高感度で保存性に優れた感
熱記録材料が得られる。酸の作用により分解もしくは離
脱するアミノ基の置換基としてはアルコキシカルボニル
基（例えばｔーブトキシカルボニル基、シクロヘキシル
オキシカルボニル基、２ー（２ーメチル）ブトキシカル
ボニル基、２ー（２ーフェニル）プロピルオキシカルボ
ニル基、２ークロロエトキシカルボニル基等）、アシル
基（例えばアセチル基、ベンゾイル基、２ーニトロベン
ゾイル基、４ークロロベンゾイル基、１ーナフトイル基
等）もしくはホルミル基等が好ましい例として挙げられ
るが、これらの中では保存安定性と熱感度の観点からβ
位に水素原子を有するアルコキシカルボニル基が特に有
用である。このような化合物としては、例えば米国特許
第４，６０２，２６３号、第４，８２６，９７６号の各
明細書等に記載例がある。酸の作用により分解もしくは
離脱する水酸基の置換基としては、β位に水素原子を有
する２級もしくは３級のアルコキシカルボニル基（例え
ばｔーブトキシカルボニル基、イソプロピルオキシカル
ボニル基、１ーフェニルエトキシカルボニル基、１，１
ージフェニルエトキシカルボニル基、２ーシクロヘキセ
ンオキシカルボニル基等）、シリル基（例えばトリメチ
ルシリル基、トリエチルシリル基、ｔーブチルジメチル
シリル基、ｔーブチルジフェニルシリル基、フェニルジ
メチルシリル基等）、アルコキシメチル基（例えばメト
キシメチル基、エトキシメチル基、１ーメトキシエチル
基、１ーフェノキシエチル基、２ー（２ーメトキシプロ
ピル）基等）およびβ位に水素原子を有する２級もしく
は３級のアルキル基（例えばテトラヒドロピラニル基、
テトラヒドロフラニル基、４，５−ジヒドロ−２−メチ
ルフラン−５−イル基、ｔーブチル基、２ーシクロヘキ
セニル基等）が好ましい例として挙げられるが、これら
の中でもβ位に水素原子を有する２級もしくは３級のア
ルコキシカルボニル基が好ましい。このような化合物と
しては、例えば米国特許第５，２４３，０５２号明細書
あるいは特開平９−２５３６０号公報等に記載例があ
る。以下に酸の作用により３６０〜９００nmの吸収域に
変化を生じる化合物の具体例を示すが、本発明で使用可
能な化合物はこれらに限定されるものではない。

【００３０】

【化１２】

【００３１】

【化１３】

【００３２】

【化１４】

【００３３】

【化１５】

【００３４】

【化１６】

【００３５】

【化１７】

【００３６】

【化１８】

【００３７】本発明で使用される画像記録媒体は一般的
に前記酸発生剤、酸増殖剤、および酸の作用により３６
０〜９００ｎｍの吸収域に変化を生じる化合物を含む組
成物を支持体上に塗布して作製される。この際、これら
のいずれかがポリマーである場合、あるいは塗布性の良
いアモルファスである場合を除き、通常はバインダ−を
共存させる。バインダーを使用しなくてもよい場合は、
膜厚を薄くし易く、切れの良い画像が得られるという利
点がある。またバインダーを用いる場合には、ゼラチ
ン、カゼイン、デンプン類、ヒドロキシエチルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコー
ル、ポリアクリルアミド、エチレン−無水マレイン酸コ
ポリマー等の水溶性バインダー、およびポリビニルブチ
ラール、トリアセチルセルロース、ポリスチレン、アク
リル酸メチル−ブタジエンコポリマー、アクリロニトリ
ル−ブタジエンコポリマー等の水不溶性バインダーのい
ずれも用いることができる。

【００３８】また、上記の酸の作用により色相が変化す
る化合物と酸発生剤とを共重合体にすることにより、色
相が変化する該化合物のごく近傍に酸が発生するという
意味で高感度化が期待できる。またポリマー化により分
子の拡散を制御することにより画像の切れ、保存性を改
良できる可能性がある。これらの特性は、特にグラフィ
ックアーツフィルムのような高画質が要求される用途に
好ましい。そのような化合物として好ましい形態は、前
記一般式（５）で表わされるものである。一般式（５）
においてＡは、熱もしくは酸の作用により酸を発生する
機能を有する少なくとも１種類以上のビニルモノマーの
重合によって得られる繰り返し単位を表わす。このよう
な機能を有する化合物としては、前述の一般式（１）〜
（４）で表わされる化合物のいずれかの部分に重合性基
を導入することにより得られる。これらの熱酸発生機能
を有するポリマーをレーザーヒートモード方式の画像記
録材料に適用する場合には、別途酸発生剤を添加する必
要がなく有用である。以下に一般式（５）のＡを形成す
るビニルモノマーの具体例を示すが、本発明ではこれら
に限定されるものではない。なおこれらの化合物は、特
開平８ー２４８５６１号公報に記載の方法と同様にして
合成することができる。

【００３９】

【化１９】

【００４０】

【化２０】

【００４１】

【化２１】

【００４２】

【化２２】

【００４３】

【化２３】

【００４４】

【化２４】

【００４５】

【化２５】

【００４６】一般式（５）において、Ｂは酸の作用によ
り３６０〜９００ｎｍの吸収域に変化を生じる部分構造
を有する少なくとも１種類以上のビニルモノマーの重合
によって得られる繰り返し単位を表す。酸の作用によっ
て吸収変化を生じる化合物に関しては前述の通りであ
り、前述の構造の置換可能な位置に重合性基を導入した
ものである。以下に一般式（５）のＢを形成するビニル
モノマーの具体例を示すが、本発明ではこれらに限定さ
れるものではない。

【００４７】

【化２６】

【００４８】

【化２７】

【００４９】

【化２８】

【００５０】

【化２９】

【００５１】

【化３０】

【００５２】

【化３１】

【００５３】

【化３２】

【００５４】一般式（５）におけるＣは、上記のＡおよ
びＢとともに共重合体を形成することが可能な少なくと
も１種類以上のビニルモノマーの重合によって得られる
繰り返し単位を表し、極性、ガラス転位温度等を調節す
ることにより保存安定性、発色活性等をコントロールす
ることができる。このようなビニルモノマーは２種類以
上を組み合わせても良い。好ましい例としては、アクリ
ル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリルアミ
ド、スチレン、ビニルエーテル等が挙げられる。以下に
一般式（５）のＣを形成するビニルモノマーの具体例を
示すが、本発明ではこれらに限定されるものではない。

【００５５】

【化３３】

【００５６】

【化３４】

【００５７】

【化３５】

【００５８】

【化３６】

【００５９】一般式（５）におけるｘ、ｙ、ｚは各組成
の重量％を表す。ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１≦ｘ≦９９、
１≦ｙ≦９９、０≦ｚ≦９９であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１０
０である。０．０１ｙ＜ｘ≦１０ｙの関係にあることが
好ましく、特に好ましくは０．１ｙ≦ｘ≦５ｙの関係に
ある場合である。ｚは０≦ｚ≦５０であることが好まし
い。また、一般式（５）で表されるポリマーの分子量は
千〜１００万の範囲にあることが好ましく、特に好まし
くは２千〜１０万の範囲にある場合である。また該ポリ
マーはランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重
合体等いずれの形態であってもかまわないが、合成的に
容易なランダム共重合体が一般的である。以下に一般式
（５）で表されるポリマーにおけるＡ、Ｂ、Ｃを形成す
るモノマーおよびｘ、ｙ、ｚの好ましい組み合わせを示
すが、本発明ではこれらに限定されるものではない。

【００６０】

【表１】

【００６１】上記のポリマーの合成は種々の重合方法、
例えば溶液重合、沈澱重合、懸濁重合、塊状重合、乳化
重合によって行なうことができる。また、重合の開始方
法はラジカル開始剤を用いる方法、光または放射線を照
射する方法等がある。これらの重合方法、重合の開始方
法は、例えば鶴田禎二「高分子合成方法」改定版（日刊
工業新聞社刊、１９７１）や大津隆行、木下雅悦共著
「高分子合成の実験法」化学同人、昭和４７年刊、１２
４〜１５４頁に記載されている。上記重合方法のうち、
特にラジカル開始剤を用いた溶液重合法が好ましい。溶
液重合法で用いられる溶剤は、例えば酢酸エチル、メタ
ノール、エタノール、１ープロパノール、２ープロパノ
ール、１ーブタノール、アセトン、ジオキサン、Ｎ，Ｎ
ージメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、ベンゼン、トルエン、アセトニトリル、塩化メチレ
ン、クロロホルム、ジクロロエタンのような種々の有機
溶剤の単独あるいは２種以上の混合物でも良いし、水と
の混合溶媒としても良い。

【００６２】重合温度は生成するポリマーの分子量、開
始剤の種類などと関連して設定する必要があり、０℃以
下から１２０℃以上まで可能であるが、通常３０〜１０
０℃の範囲で重合を行なう。特に、一般式（５）のＡの
部位を形成するモノマーが高温で分解する可能性がある
ため、３０〜９０℃の温度範囲で重合を行なうことが好
ましい。重合に用いられるラジカル開始剤としては、例
えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，
２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、
２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）ジハイド
ロクロライド、４，４’−アゾビス（４−シアノペンタ
ノイックアシッド）のようなアゾ系開始剤や、ベンゾイ
ルパーオキサイド、ｔーブチルハイドロパーオキサイ
ド、過硫酸カリウム（例えば、亜硫酸水素ナトリウムと
組み合わせてレドックス開始剤として用いても良い）の
ようなペルオキシド系開始剤が好ましい。中でも、半減
期が１０時間になる温度が７０℃以下の開始剤（例えば
２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリ
ル）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジ
メチルバレロニトリル）、ジメチル２，２’−アゾビス
（２−メチルプロピオネ−ト）、２，２’−アゾビス
［２−（３，４，５，６−テトラヒドロプロパン）ジハ
イドロクロライド］等が特に好ましい。重合開始剤の使
用量はモノマーの重合性や必要とする重合体の分子量に
応じて調節することが可能であるが、単量体に対して
０．０１〜５．０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。また、上
記のポリマーの合成においてはＡ、ＢおよびＣを形成す
るモノマーを混合して最初に反応容器に入れておき、開
始剤を投入してもよいし、これらのモノマーを重合溶媒
に滴下する過程を経て重合を行なってもよい。

【００６３】上記の如く、一般式（５）で表わされるポ
リマーは、熱もしくは酸の作用により酸を発生する機能
を有する部分構造と、酸の作用により３６０〜９００ｎ
ｍの吸収域に変化を生じる部分構造を合わせ持つポリマ
ーである。このようなポリマーとしては、両者の機能を
合わせ持つ単一モノマーの重合体もありうるが、合成的
な観点からこの一般式（５）で示される構造が合理的で
ある。

【００６４】本発明で使用される画像記録材料は、一般
的に一般式（５）で表されるポリマーを支持体上に塗布
して作製される。上記のポリマ−が熱によって酸を発生
する機能も合わせ持つ場合は、熱の作用のみで単独で吸
収域に変化が生じるため、感熱記録材料として使用した
場合に、感度や画像の切れに優れるようになる。また、
本発明で使用される画像記録材料ではいわゆるバインダ
ーを使用しなくても良いため、画像記録層の膜厚を薄く
することができ、切れの良い像が得られ、しかもアブレ
ーションが起こりにくいという利点がある。ただし、上
記のポリマーを用いる際、必要であるならばバインダー
を併用しても良く、その具体例としては前述のものが挙
げられる。

【００６５】本発明では、画像記録材料の保存安定性を
高める目的で少量の塩基を添加したり、感度を高める目
的で光または熱の作用によって酸を発生する化合物を別
途添加したり、必要に応じて顔料、酸化防止剤、スティ
ッキング防止剤等種々の添加剤を添加することもでき
る。また、画像記録層を保護するためにオーバーコート
層を設けたり、支持体の裏面にバックコート層を設けて
も良い。なお、画像記録層と支持体との間に単層あるい
は複数層の顔料あるいは樹脂からなるアンダーコート層
を設けるなど、感熱記録材料における種々の公知技術を
用いることもできる。塩基を添加する場合には有機塩基
が好ましく、例えばグアニジン誘導体（例えば１，３−
ジフェニルグアニジン、１，３−ジメチルグアニジン、
１，３−ジブチルグアニジン、１ーベンジルグアニジ
ン、１，１，３，３−テトラメチルグアニジン等）、ア
ニリン誘導体（例えばアニリン、ｐ−ｔ−ブチルアニリ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ’−ジブチル
アニリン、トリフェニルアミン等）、アルキルアミン誘
導体（例えばトリブチルアミン、オクチルアミン、ラウ
リルアミン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン等）、
およびヘテロ環化合物（例えばＮ，Ｎ’−ジメチルアミ
ノピリジン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−
７−ウンデセン、トリフェニルイミダゾール、ルチジ
ン、２ーピコリン等）が好ましい例として挙げられる。
これらの塩基は一般式（１）のＡで表される組成に対し
て１〜５０ｍｏｌ％添加することが好ましく、特に好ま
しくは５〜２０ｍｏｌ％添加する場合である。

【００６６】本発明で使用される画像形成材料は、フォ
トンモード方式でもヒートモード方式でよいが、フォト
ンモード方式の画像記録媒体として利用する場合には、
上記の各成分に加えて光の作用により酸を発生する化合
物の添加が必須となる。一方、ヒートモード方式の画像
記録材料として利用する場合には、一般式（１）〜
（４）で表わされる酸発生剤、もしくは一般式（５）の
Ａで表わされる酸発生機能を有するモノマーが、熱の作
用によっても酸を発生する機能を有しているならば、別
途熱酸発生剤を添加する必要はないが、高感度化する事
を目的として別途熱酸発生剤を添加しても良い。また、
一般式（１）〜（４）で表わされる酸発生剤、もしくは
一般式（５）のＡで表わされる酸発生機能を有するモノ
マーが、熱の作用によって酸を発生する機能を有してい
ない場合には別途熱酸発生剤を添加する事が必要であ
る。このように複数の酸発生剤を併用する際には、一般
式（１）〜（４）で表される複数の酸発生剤を併用して
も良い。また、一般式（１）〜（４）で表わされる酸発
生剤と公知の酸発生剤とを併用しても良い。公知の酸発
生剤としては、有機エレクトロニクス材料研究会編、”
イメージング用有機材料”ぶんしん出版社刊（１９９
７）３７頁〜９１頁、に記載されている化合物およびそ
こに記載されている引用文献記載の化合物等が挙げられ
る。また、ここに記載されている光酸発生剤の多くは熱
酸発生剤としても機能するものである。

【００６７】本発明で使用される画像形成材料には、各
種の添加剤を添加してもよい。例えば、顔料を添加する
場合には、ケイソウ土、タルク、カオリン、焼成カオリ
ン、酸化チタン、酸化ケイ素、炭酸マグネシウム、炭酸
カルシウム、水酸化アルミニウム、尿素ーホルマリン樹
脂等が例として挙げられる。その他の添加剤としては、
ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系等の紫外線吸
収剤、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の
高級脂肪酸金属塩からなるヘッド摩耗およびスティッキ
ング防止剤、パラフィン、酸化パラフィン、ポリエチレ
ン、酸化ポリエチレン、カスターワックス等のワックス
類等が挙げられ必要に応じて添加することができる。

【００６８】本発明で使用される画像記録材料に用いら
れる支持体としては、上質紙、バライタ紙、コート紙、
キャストコート紙、合成紙等の紙類、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レン−２，６−ナフチレンジカルボキシレ−ト、ポリア
リーレン、ポリイミド、ポリカーボネート、トリアセチ
ルセルロース等のポリマーフィルム、ガラス、金属箔、
不織布等を挙げることができる。尚、透過型の画像、例
えばＯＨＰ用フィルムや製版用フィルム等の用途に供す
る場合には、透明な支持体が用いられる。また、製版フ
ィルム用には、熱膨張率が小さく寸度安定性が良好で、
かつ、ＰＳ版の感光域に吸収を持たない支持体が選ばれ
る。

【００６９】本発明では、画像形成材料への画像形成は
レーザー光の照射により行われる。従って、レーザー光
を熱エネルギーに変換するために、使用されるレーザー
光の波長の光を吸収する色素を存在させる必要がある。
レーザー光源としては、エキシマレーザー、アルゴンレ
ーザー、ヘリウムネオンレーザー、半導体レーザー、ガ
ラス（ＹＡＧ）レーザー、炭酸ガスレーザー、色素レー
ザー等があるが、ヘリウムネオンレーザー、半導体レー
ザーおよびガラスレーザーが本発明に有用なレーザー光
源である。その中でも装置が小型で安価なことから、半
導体レーザーが特に有用である。半導体レーザーの発振
波長は通常、６７０〜８３０ｎｍであり、該近赤外に吸
収を持つ色素が用いられる。近赤外吸収色素としては、
シアニン色素、スクアリリウム色素、メロシアニン色
素、オキソノール色素、フタロシアニン色素等が用いら
れる。その具体例としては、例えば米国特許第４，９７
３，５７２号、同第４，９４８，７７７号、同第４，９
５０，６４０号、同第４，９５０，６３９号、同第４，
９４８，７７６号、４９４８，７７８、同第４，９４
２，１４１号、同第４，９５２，５５２号、同第５，０
３６，０４０号および同第４，９１２，０８３号の各明
細書に記載されている物質が挙げられる。尚、光によっ
て酸を発生する化合物を使用する場合には、潜像形成の
手段として該光酸発生剤の吸収特性に合わせてレーザー
が選択される。その際、分光増感を目的として種々の色
素を添加しても良いが、その場合は色素の吸収波長に合
わせてレーザー光の波長を選択する必要がある。

【００７０】以下に、本発明で使用される画像形成材料
の画像記録層を形成する化合物の代表的な合成例を例示
する。 （合成例１）Ｓ−（２０）の合成

【００７１】

【化３７】

【００７２】１，４−ブタンジオ−ル（１−１）５ｇを
ＴＨＦ（５０ｍｌ）に溶解し，カリウム−ｔ−ブトキシ
ド（６．２３ｇ）を添加した。さらにこの溶液中に室温
下でジーｔーブチルジカーボネート（１−２）１２．１
ｇを加え、２時間撹拌を行った。得られた溶液を水１０
０ｍｌに加え、さらに酢酸エチル２００ｍｌを加えて有
機層を抽出した。さらに、有機層を２回水で洗浄し、硫
酸マグネシウムにより乾燥させ、濃縮した。シリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、化合物
（１−３）を油状化合物として３ｇ得た。化合物の同定
はＮＭＲにより行い、結果は以下の通りである。¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）；１．４９
（ｓ，９Ｈ），１．７０（ｍ，４Ｈ），１．９６（ｂ
ｒ，１Ｈ），３．６６（ｔ，２Ｈ），４．１０（ｔ，２
Ｈ） 次に化合物（１−３）２ｇを塩化メチレン１０ｍｌに溶
解し、トリエチルアミン（１．５７ｍｌ）、４−ジメチ
ルアミノピリジン０．２８ｇ、およびトルエンスルホニ
ルクロライド２．１６ｇを加え室温で２時間撹拌した。
反応液を水１０ｍｌにあけ有機層を抽出した。さらに、
有機層を２回水で洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥
させ、濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製を行い例示化合物Ｓ−（２０）を無色透明の
油状化合物として１．５ｇ得た。ＮＭＲによる測定結果
は以下の通りである。¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）；１．４８
（ｓ，９Ｈ），１．７１（ｍ，４Ｈ），２．４８（ｓ，
３Ｈ），４．００（ｔ，２Ｈ），４．０５（ｔ，２
Ｈ），７．３４（ｄ，２Ｈ），７．８０（ｄ，２Ｈ）

【００７３】（合成例２）Ａ−（２８）の合成

【００７４】

【化３８】

【００７５】化合物（２−１）９．０１ｇをテトラヒド
ロフラン（５０ｍｌ）に入れ、そこに水素化ナトリウム
のオイル分散物（４ｇ、含有率６０％）を加えた。１時
間撹拌した後、化合物（２−２）１５．６６ｇを加え、
３時間撹拌した。その後、酢酸エチル（７０ｍｌ）と水
（５０ｍｌ）とを加え水層を分離した。さらに反応液を
水で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後
濃縮した。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／４
（体積比））にて精製して化合物（２−３）を９．５ｇ
得た。次に化合物（２−３）６．３ｇを塩化メチレン
（５０ｍｌ）に溶かし、化合物（２−４）５．１７ｇと
化合物（２−５）６．０８ｇとを加えて５時間撹拌し
た。そこにヘキサンを加え、そのままシリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝
１／５（体積比））にて精製し例示化合物Ａ−（２８）
を得た（６．２ｇ、収率５５％）。ＮＭＲによる測定結
果は以下の通りである。¹ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）；１．６５（４
Ｈ）、３．５５（２Ｈ）、４．１（２Ｈ）、４．６（２
Ｈ）、４．７５（２Ｈ）、５．５（１Ｈ）、５．９（１
Ｈ）、６．８（１Ｈ）、７．３５（５Ｈ）、７．６（２
Ｈ）、７．９（２Ｈ）。

【００７６】（合成例３）Ｓ−（２２）の合成

【００７７】

【化３９】

【００７８】化合物（３−１）１５．０７ｇをテトラヒ
ドロフラン（７０ｍｌ）に入れ、そこに水素化ナトリウ
ムのオイル分散物（４ｇ、含有率６０％）を加えた。１
時間撹拌した後、化合物（３−２）１５．６６ｇを加
え、３時間撹拌した。その後、酢酸エチル（７０ｍｌ）
と水（５０ｍｌ）とを加え水層を分離した。さらに反応
液を水で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た後濃縮した。得られた油状物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／
５（体積比））にて精製し化合物（３−３）を８．４ｇ
得た。次に化合物（３−３）２．０４ｇを塩化メチレン
に溶かし、化合物（３−４）２．６ｇと化合物（３−
５）１．９１ｇとを加えて５時間撹拌した。そこにヘキ
サンを加え、そのままシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０（体積
比））にて精製し例示化合物Ｓ−（２２）を得た（２．
３ｇ、収率６３％）。ＮＭＲによる測定結果は以下の通
りである。¹ ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）；−０．１
（６Ｈ）、０．９５（９Ｈ）、１．６（４Ｈ）、２．５
（３Ｈ）、３．６（２Ｈ）、４．１（２Ｈ）、７．４
（２Ｈ）、７．８（２Ｈ）。

【００７９】（合成例４）ＬＤ−（１６）の合成 キノリンーＮーオキシド１水和物４．５ｇに無水酢酸
４．１６ｇを加え、室温下で１時間撹拌したところ系が
均一になった。この溶液中にクロロホルム１０ｍｌに懸
濁させた３ーフェニルイソオキサゾロン５ｇを添加し室
温下で３時間撹拌した。反応液を水洗し、硫酸マグネシ
ウムにより乾燥し、濃縮した。得られた油状物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ｎーヘキサ
ン／酢酸エチル＝１／１）で精製した後、メタノールを
加えたところレモンイエローの色素が１．７５ｇ得られ
た（融点２２３〜２２４℃，λｍａｘ＝４２３ｎｍ（ε
＝１６２００）（酢酸エチル中））。次に得られた色素
１ｇをＴＨＦ１０ｍｌに溶解し水素化ナトリウムのオイ
ル分散物（含率６０％）１３９ｍｇを添加した。さらに
ジーｔーブチルージーカーボネート６．２ｇを添加して
３０分間加熱還流した。反応液に酢酸エチルを加え水洗
し有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮
した。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（展開溶媒；ｎーヘキサン／酢酸エチル＝１／
１）で精製したところＬＤ−（１６）が無色の結晶とし
て４５０ｍｇ得られた（融点１３７〜１３８℃、λｍａ
ｘ＝３３５ｎｍ（ε＝１４８００）（酢酸エチル
中））。構造はＮＭＲおよび質量分析により同定した。

【００８０】（合成例５）ＬＤ−（２０）の合成 合成例４の合成中間体として得られた色素０．３ｇをＴ
ＨＦ３ｍｌに溶解し、水素化ナトリウムのオイル分散物
（含率６０％）４１．６ｍｇを添加した。さらにクロロ
メチルオクチルエーテル０．２ｍｌを添加し室温で３時
間撹拌した。反応液に酢酸エチルを加え水洗し有機層を
抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。得ら
れた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展
開溶媒；ｎーヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で精製し
たところＬＤ−（２０）が無色のオイルとして２５０ｍ
ｇ得られた（λｍａｘ＝３４０ｎｍ（ε＝１２８００）
（酢酸エチル中））。構造は¹ＨＮＭＲおよび質量分析
により同定した。

【００８１】（合成例６）Ｐ−（２）の合成 １）Ａ−（１）の合成 特開平８ー２４８５６１記載の方法に準じて合成した２
ーメチルー２ー（２ーヒドロキシメチル）アセト酢酸ｔ
ーブチルエステル１８ｇ、トリエチルアミン１９．８
ｇ、および４ージメチルアミノピリジン２ｇを塩化メチ
レン９０ｍｌに溶解した。さらにこの溶液中にパラビニ
ルベンゼンスルホニルクロライド１８ｇ（パラビニルベ
ンゼンスルホン酸ナトリウムに塩化チオニルを作用させ
ることによって合成）を添加し室温で４時間撹拌した。
反応液に水１００ｍｌを加え有機層を抽出し、さらに水
１００ｍｌで２回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウム
で乾燥した後、ハイドロキノンモノメチルエーテル２ｍ
ｇを添加して減圧濃縮した。得られた油状物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶離液；ｎーヘキサン／
酢酸エチル＝３／１）によって精製することにより無色
透明のオイル１７．７ｇ（収率５４．１％）を得た。得
られた構造は質量分析、元素分析および¹ＨＮＭＲより
同定した。 質量分析：Ｍ⁺＝３６７ 元素分析： ｃａｌｃ．Ｃ：５８．６８％ Ｈ：６．５７％ Ｓ：
８．７０％ ｆｏｕｎｄ Ｃ：５８．６９％ Ｈ：６．５９％ Ｓ：
８．７１％¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ）：１．４０
（ｓ，３Ｈ），１．４２（ｓ，９Ｈ），２．１５（ｓ，
３Ｈ），４．３０（ＡＢｑ，２Ｈ），５．５０（ｄ，１
Ｈ），５．９３（ｄ，１Ｈ），６．７８（ｄｄ，１
Ｈ），７．５８（ｄ，２Ｈ），７．８５（ｄ，２Ｈ）

【００８２】２）Ｂ−（２２）の合成 ４−（２−メタクリロイルオキシエチル）−２−（２Ｈ
−ベンゾトリアゾ−ル−２−イル）フェノ−ル（大塚化
学株式会社製）５０ｇとニトロベンゼン５ｍｌをＴＨＦ
３００ｍｌに溶解し、水冷下水素化ナトリウムのオイル
分散物（含有率６０％）７．４ｇを添加した。さらにこ
の溶液中にクロロメチルオクチルエーテル１０４ｇを加
え室温で３時間撹拌した。その後、反応液に酢酸エチル
５００ｍｌを加えて有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウムにより乾燥させた。有機層を減圧濃縮した後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／
酢酸エチル＝９／１）にて精製し、ヘキサンより結晶化
させることによりＢ−（２２）を白色結晶として３７．
８ｇ（収率５３％）得た。構造は質量分析、元素分析お
よび¹Ｈ−ＮＭＲにより同定した。

【００８３】３）Ｐ−（２）の合成 Ａ−（１）の１６．６ｇおよびＢ−（２２）の２０．９
５ｇをトルエン４０ｍｌに溶解し、２，２’−アゾビス
イソブチロニトリル２２５ｍｇのトルエン（６ｍｌ）溶
液を加えて７５℃で３時間加熱攪拌し、その後再び２，
２’−アゾビスイソブチロニトリル２２５ｍｇのトルエ
ン（６ｍｌ）溶液を加えて７５℃で３時間加熱撹拌し
た。反応溶液を室温に冷やし、ＭｅＯＨ５００ｍｌに添
加して析出した白色ポリマ−を単離することにより、分
子量７５０００のポリマ−（Ｐ−（１））が３４．８ｇ
（収率９３％）得られた。¹ＨＮＭＲよりＡ−（１）と
Ｂ−（１）の共重合体であることを確認した。さらに元
素分析よりｘ：ｙ＝５０：５０であることを確認した。

【００８４】（合成例７）Ｐ−（１６）の合成 Ａ−（１）の２ｇおよびＢ−（１４）の１．５２ｇをベ
ンゼン５ｍｌに溶解し、２，２’−アゾビス（２，４−
ジメチルバレロニトリル）２０．２ｍｇを加え６０℃で
１０時間撹拌した。反応溶液をメタノ−ル３０ｍｌに加
えたところ白色のアモルファスが得られた。上澄み液を
デカンテ−ションによって除去した後ポリマーを少量の
塩化メチレンに溶解しメタノ−ルに添加して再沈澱し、
上澄みを除去して乾燥したところ分子量３８００，分子
量分布Ｍｗ／Ｍｎ＝３．２のポリマー（Ｐー（１４））
が２２０ｍｇ（収率６．２５％）得られた。¹ＨＮＭＲ
よりＡ−（１）とＢ−（１４）の共重合体であることを
確認した。さらに元素分析よりｘ：ｙは６７：３３であ
ることを確認した。融点は１２０〜１２３℃、熱分解温
度は１４５〜１４８℃であり分解と同時に暗緑色に発色
が確認された。

【００８５】（合成例８）Ｐ−（１１）の合成

【００８６】

【化４０】

【００８７】合成例４と同様の方法で合成した化合物
（８−１）を氷冷下加水分解した後、ヨウ化２ークロロ
ー１ーメチルピリジニウムを縮合剤として２ーヒドロキ
シエチルメタクリレートと縮合することによりロイコ色
素モノマー（８−２）を得た。酸発生剤モノマ−（Ａ−
１）と（８−２）をＡＩＢＮを開始剤として共重合する
ことによりＰ−（１１）を得た（分子量５３０００，熱
分解開始温度１４０．７℃)。

【００８８】次に、本発明で使用されるレーザー記録装
置について説明する。本発明に係るレーザー記録装置で
は、半導体レーザーを用い、整形光学系を介して副走査
方向に対して略方形状の強度分布を示すレーザービーム
を画像記録材料に照射する。このような特殊波形のレー
ザービームを用いることにより、画像記録材料の発色閾
値の変動やレーザービームの強度変動等の影響を受ける
ことが殆どなく、副走査方向に対する画像のむらが好適
に抑制される。

【００８９】なお、半導体レーザーを横多モード半導体
レーザーとすることにより、レーザービームが記録媒体
上で集光された際に、副走査方向に対してガウス分布形
状の分布となることがない。また、屈折率導波型半導体
レーザーを用い、あるいは、レーザービームの一部を副
走査方向にけることのできるアパーチャ部材を整形光学
系に挿入することにより、副走査方向に対する積分強度
の分布形状をさらに方形状に近づけ、画像のむらを一層
好適に抑制することができる。

【００９０】図１および図２は、本発明において好適に
使用されるレーザー記録装置１０の一実施形態を示す構
成図である。このレーザー記録装置１０は、露光ヘッド
１２から出力されたレーザービームＬをドラム１４上に
装着された画像記録材料Ｆに照射することで、面積変調
画像を記録するようにしたものである。なお、画像記録
材料Ｆには、ドラム１４が矢印Ｘ方向（主走査方向）に
回転し、露光ヘッド１２が矢印Ｙ方向（副走査方向）に
移動することで、２次元画像が形成される。また、面積
変調画像とは、レーザービームＬをオンオフ制御するこ
とで、画像記録材料Ｆ上に複数の画素を形成し、その画
素の占める面積によって所定の階調が得られるようにし
た画像である。

【００９１】露光ヘッド１２は、レーザービームＬを出
力する半導体レーザーＬＤと、レーザービームＬのニア
フィールドパターンの像を画像記録材料Ｆ上に形成する
整形光学系１６とを備える。半導体レーザーＬＤは、横
多モード半導体レーザーあるいは屈折率導波型半導体レ
ーザーからなる。図３は屈折率導波型半導体レーザーを
示す構成斜視図であるが、基本的には、ｐ型の半導体基
板１８とｎ型の半導体基板２０との間に活性層２２を設
け、前記半導体基板１８、２０に設けた電極２４、２６
間に所定の電圧を印加することにより、活性層２２から
レーザービームＬを出力するように構成されている。こ
の場合、一方の電極２４は幅が規制されており、この幅
に対応して活性層２２に沿った方向の屈折率が制御され
ている。従って、半導体レーザーＬＤから出力されるレ
ーザービームＬの発光パターンは、図３に示されている
ように、電極２４の幅に対応した活性層２２の接合面方
向に幅広で且つ略方形状になる。また、活性層２２の厚
み方向に対しては、その厚みに対応した幅狭の形状とな
る。なお、半導体レーザーＬＤの活性層２２の接合面に
対して平行な方向が副走査方向となるように、画像記録
材料Ｆとの相対位置が規定されている。

【００９２】整形光学系１６は、半導体レーザーＬＤか
ら出力されたレーザービームＬのニアフィールドパター
ンの像を画像記録材料Ｆ上に整形して結像させる光学系
であり、図２に示すように、半導体レーザーＬＤ側よ
り、集光レンズ２８、シリンドリカルレンズ３０、３
２、３４、３６、集光レンズ３８が順に配列されてい
る。なお、シリンドリカルレンズ３０および３４は、レ
ーザービームＬを副走査方向（矢印Ｙ方向）にのみ集光
し、シリンドリカルレンズ３２および３６は、レーザー
ビームＬを主走査方向（矢印Ｘ方向）にのみ集光する。

【００９３】本実施形態のレーザー記録装置１０は、基
本的には以上のように構成されるものであり、次に、そ
の作用効果について説明する。画像情報に応じて変調さ
れ、半導体レーザーＬＤの活性層２２より出力されたレ
ーザービームＬは、集光レンズ２８によってニアフィー
ルドパターンが平行光束とされた後、シリンドリカルレ
ンズ３０、３４によって副走査方向（矢印Ｙ方向）のみ
が整形される一方、シリンドリカルレンズ３２、３６に
よって主走査方向（矢印Ｘ方向）のみが整形され、集光
レンズ３８を介してドラム１４上の画像記録材料Ｆに前
記ニアフィールドパターンの像が形成される。このと
き、レーザービームＬのニアフィールドパターンは、図
３に符号ａ，ｂで示す形状となっており、画像記録材料
Ｆ上では、図４（図３のａに相当）および図５（図３の
ｂに相当）に示すように、レーザービームＬのエネルギ
ーを主走査方向に積分したとしても、副走査方向に対す
る積分強度がガウス分布状の形状となることはない。こ
の結果、レーザービームＬの強度が変動したり、レーザ
ービームＬの集光点と画像記録材料Ｆとの位置にずれが
生じ、図５の特性ＡまたはＢに示すように積分強度が変
動したとしても、画像記録材料Ｆの発色閾値によって決
定される発色範囲ｃが変動するようなことはなく、従っ
て、画像の副走査方向に対するむらが出現することはな
い。さらに、前記半導体レーザーＬＤとして、副走査方
向に幅が広いレーザービームＬを出力する横多モード半
導体レーザーを用いることにより、画像記録材料Ｆ上に
おいて副走査方向にガウス分布状とならない特性を得る
ことができる。

【００９４】図６は、図３に示した屈折率導波型の半導
体レーザーＬＤを用いた方形分布状のレーザービームＬ
によりサーマルタイプの画像記録材料Ｆを主走査方向に
線状に露光した場合と（□で示す実験値）、同じ画像記
録材料Ｆに従来のガウス分布に近い形状の強度分布を示
す光源を用いて線状に露光した場合と（▲で示す実験
値）において、形成された副走査方向の線幅を比較して
示したものである。図示されるように、従来のガウス分
布状のものでは、露光エネルギーの増加に伴い線幅が増
加しているのに対して、本発明に従う方形分布状のもの
では、露光エネルギーによらず線幅が一定であることが
了解される。なお、サーマルタイプの画像記録材料Ｆと
して、低照度不軌の特性を示す感光材料を用いた場合、
画像記録材料Ｆ上でのレーザービームＬの強度分布を主
走査方向に幅狭とすることにより、記録感度を向上させ
ることができるので、むらのない画像を高速に記録する
ことが可能となる。

【００９５】図７は、図１および図２に示したレーザ記
録装置１０において、シリンドリカルレンズ３０と３２
との間の焦点位置にアパーチャ部材４０を配置したもの
である。アパーチャ部材４０は、図８に示すような方形
状の開口部４２を有している。この開口部４２は、レー
ザービームＬのニアフィールドパターンの一部を副走査
方向にけるように配置されている。この場合、シリンド
リカルレンズ３０を介してアパーチャ部材４０に導かれ
たレーザービームＬは、開口部４２の直前において図９
（Ａ）に示す強度分布であったものが、開口部４２によ
って整形されることで、図９（Ｂ）に示すように、副走
査方向のエッジが良好に切れ込んだ強度分布に変換され
る。従って、このように整形されたレーザービームＬに
より画像を形成した場合、副走査方向に対する画像のむ
らの発生をさらに好適に抑制することができる。

【００９６】図１０は、半導体レーザーＬＤから出力さ
れたファーフィールドパターンの像を画像記録材料Ｆ上
に形成するための整形光学系４６の構成を示している。
図示されるように、整形光学系４６は、半導体レーザー
ＬＤ側より集光レンズ４８、シリンドリカルレンズ５
０、５２、集光レンズ５４を順に配列して構成される。
この整形光学系４６では、集光レンズ４８の焦点距離を
ｆとすると、集光レンズ４８は、半導体レーザーＬＤか
ら出力されたレーザービームＬをコリメートし、集光レ
ンズ４８の後側主点位置から焦点距離ｆの所（二点鎖線
で示す。）に図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示す分
布からなるファーフィールドパターンを形成する。次い
で、このファーフィールドパターンを形成するレーザー
ビームＬは、主走査方向に対してガウス分布状となって
いるので、シリンドリカルレンズ５０、５２を用いてそ
の方向にのみ整形した後、集光レンズ５４を介して画像
記録材料Ｆに集光される。このようにして、図４および
図５に示したニアフィールドパターンの像の場合と同様
に、むらのない画像を形成することができる。

【００９７】図１２は、図１０に示した整形光学系４６
の集光レンズ４８とシリンドリカルレンズ５０との間の
ファーフィールドパターンが形成される位置（ｆ）に、
図８に示したアパーチャ部材４０を配置した構成を示し
ている。この場合も、図７に示した整形光学系１６と同
様に、さらに方形状に近い強度分布を有するレーザービ
ームＬで画像記録材料Ｆ上に画像を形成することがで
き、副走査方向のむらの無い、より一層良好な画像を形
成することができる。

【００９８】なお、上述した実施形態において、半導体
レーザーＬＤとして、屈折率導波型半導体レーザーを用
いた場合を示したが、画像記録材料Ｆの副走査方向にお
ける強度分布のエッジが鋭く、しかも、主走査方向に幅
の狭い特性を有するレーザービームＬを出力することの
できる半導体レーザーＬＤであれば、他の構造のものを
利用することができることは勿論である。また、画像に
おけるむらの発生が極めて少ないため、半導体レーザー
ＬＤからのレーザービームＬによって形成される画像
は、面積変調画像、特に、空間周波数を画像の濃度に応
じて変調することにより形成される網点画像、いわゆ
る、ＦＭ変調画像とした場合において、極めて好適な画
像を得ることができる。

【００９９】更に，本発明においては、画像形成のため
に画像形成材料の加熱を行うこともできる。上記した一
般式（５）で表されるポリマーは、加熱によってまずＡ
の部位が分解して酸が生成し、さらにその酸の作用によ
ってＢの吸収変化が引き起こされる。この反応はレーザ
ー光照射による極短時間のうちに進行するが、後加熱に
よって画像イメージを増幅させることができる。尚、こ
の後加熱は、６０〜１５０℃の温度（好ましくは６０〜
１２０℃）で全面加熱することによって画像イメージを
増幅させることができる。また、より少ない熱エネルギ
ーで画像を形成するために、予め画像記録材料を適当な
温度に加熱しておくおともできる。画像形成の手段とし
ての加熱方法としては、加熱されたブロックやプレート
と接触させる方法、熱ローラーや熱ドラムと接触させる
方法、ハロゲンランプや赤外ないし遠赤外ランプヒータ
ーを照射させる方法、感熱プリンターの熱ヘッドで画像
状に加熱する方法、レーザー光を照射する方法等があ
る。

【０１００】

【実施例】以下に実施例を掲げ、本発明を更に詳しく説
明するが本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ ＜画像記録材料の調製＞以下に示す化合物をクロロホル
ムに溶解し、厚み１７５μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に塗布、乾燥して透明な画像記録材料を
作製した。 試料ー１ Ｓ−（８） ４ｍｍｏｌ／ｍ² ＬＤ−（１５） ２ｍｍｏｌ／ｍ² ＩＲ色素 １１３ｍｇ／ｍ² 試料ー２ Ｓ−（８） ４ｍｍｏｌ／ｍ² ＬＤ−（７） ２ｍｍｏｌ／ｍ² ＩＲ色素 １１３ｍｇ／ｍ² 試料ー３ Ｓ−（８） １０ｍｍｏｌ／ｍ² Ｂ−（１４） ２ｍｍｏｌ／ｍ² ＩＲ色素 １１３ｍｇ／ｍ² 試料ー４ Ｐ−（３） ２ｍｍｏｌ／ｍ² ＩＲ色素 １１３ｍｇ／ｍ²

【０１０１】

【化４１】

【０１０２】＜本発明のレーザー露光条件＞図１および
図２に示す整形光学系を備えたレーザー記録装置を用
い、屈折率導波型半導体レーザーから１００ｍＷの出力
でレーザービームを出射させ、ビーム径としてｘ軸方向
が２０μｍ、ｙ軸方向が４０μｍのとなるように整形し
て画像書き込み用レーザーとした。このレーザーを用い
て、画像記録材料上のレーザーエネルギー密度を３ｍＪ
／ｍｍ² および５ｍＪ／ｍｍ² に設定して上記各画像記
録材料をレーザー露光した。 ＜比較実験のためのレ−ザ−露光条件＞Spectra Diode
Labs No.SDL-2430（波長範囲：８００〜８３０ｎｍ）を
１００ｍＷの出力にして、画像書き込み用レーザーとし
た。このレーザーを用いて、ビーム径２０μｍ、画像記
録材料上のレーザーエネルギー密度を３ｍＪ／ｍｍ² お
よび５ｍＪ／ｍｍ² に設定して上記各画像記録材料をレ
ーザー露光した。 ＜結果＞レーザー露光後の各画像記録材料をルーペにて
５０倍に拡大して観察したところ、本発明に従いレーザ
ー露光を行った場合では、レーザーエネルギー密度が３
ｍＪ／ｍｍ² および５ｍＪ／ｍｍ² のいずれの場合にも
露光の中央部分と端の濃度がほぼ等しかった。それに対
して比較実験では、レーザーエネルギー密度が３ｍＪ／
ｍｍ² の場合には露光の端の部分の濃度が露光中央部分
の濃度より低く、切れの悪い線になっていた。さらにレ
ーザーエネルギー密度が５ｍＪ／ｍｍ² の場合には露光
の中央部分でアブレーションが起こり、傷がついてい
た。これらの結果より、副走査方向に略方形状の強度分
布を有するように整形されたレーザービームを用いるこ
とにより、副走査方向に対する画像むらの発生を大幅に
抑制することができるようになり、本発明の有用性は明
らかである。

【０１０３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る画像
形成方法によれば、極めて簡易な構成により、画像記録
材料の発色閾値の変動やレーザービームの強度変動等の
影響を受けることが殆どなく、副走査方向に対する画像
のむらが好適に抑制される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明において使用されるレーザー記録装置
の一実施形態を示す斜視構成図である。

【図２】 図１に示すレーザー記録装置の平面構成図で
ある。

【図３】 図１に示すレーザー記録装置に用いられる半
導体レーザーの構成およびそれから出力されるレーザー
ビーム形状の説明図である。

【図４】 図１に示すレーザー記録装置により得られる
画像記録材料上でのレーザービームの強度分布の説明図
である。

【図５】 図１に示すレーザー記録装置により得られる
画像記録材料上でのレーザービームの副走査方向に対す
る積分強度の説明図である。

【図６】 図１に示すレーザー記録装置および従来のレ
ーザー記録装置を用いた場合の画像記録材料上の露光エ
ネルギーと線画像の線幅との関係を説明するための図で
ある。

【図７】 図２に示すレーザー記録装置にアパーチャ部
材を適用した平面構成図である。

【図８】 図７に示すアパーチャ部材の斜視構成図であ
る。

【図９】 図９（Ａ）は、図８に示すアパーチャ部材を
通過する前のレーザービームの副走査方向に対する強度
分布、図９（Ｂ）は、アパーチャ部材を通過した後のレ
ーザービームの副走査方向に対する強度分布を示す図で
ある。

【図１０】 本発明においてファーフィールドパターン
を用いたレーザー記録装置の平面構成図である。

【図１１】 図１１（Ａ）は、図３に示す半導体レーザ
ーの副走査方向に対するファーフィールドパターンの強
度分布、図１１（Ｂ）は、図３に示す半導体レーザーの
主走査方向に対するファーフィールドパターンの強度分
布を示す図である。

【図１２】 図１０に示すレーザー記録装置にアパーチ
ャ部材を適用した平面構成図である。

【図１３】 従来のガウス分布状の強度分布を有する光
源を用いた場合の画像むら発生の説明図である。

【符号の説明】

１０…レーザー記録装置 １２…露光ヘッド １４…ドラム １６、４６…整形光学系 １８、２０…半導体基板 ２２…活性層 ２４、２６…電極 ４０…アパーチャ部材 Ｆ…画像記録材料 ＬＤ…半導体レーザー

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザー照射することにより有機化合物
   の色相変化を引き起こし画像形成を行う画像記録材料に
   対して、半導体レーザーから出射され、副走査方向に対
   して略方形状の強度分布を示すように整形されたレーザ
   ービームを主走査することにより、前記画像記録材料に
   面積変調による画像を記録することを特徴とする画像記
   録方法。
2. 【請求項２】 前記半導体レーザーとして横多モード半
   導体レーザーを用いることを特徴とする請求項１に記載
   の画像記録方法。
3. 【請求項３】 前記半導体レーザーとして屈折率導波型
   半導体レーザーを用いることを特徴とする請求項１また
   は２に記載の画像記録方法。
4. 【請求項４】 前記半導体レーザーの活性層接合面に対
   して平行な方向を前記副走査方向に設定することを特徴
   とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の画像記録方
   法。
5. 【請求項５】 前記画像記録材料に対して、空間周波数
   変調処理による網点画像を記録することを特徴とする請
   求項１〜４のいずれか一項に記載の画像記録方法。
6. 【請求項６】 前記レーザービームのニアフィールドパ
   ターンの像を前記画像記録材料上に形成することを特徴
   とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の画像記録方
   法。
7. 【請求項７】 前記レーザービームのファーフィールド
   パターンの像を前記画像記録材料上に形成することを特
   徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の画像記録
   方法。
8. 【請求項８】 前記レーザービームのニアフィールドパ
   ターンは、少なくとも前記副走査方向に一部をけるよう
   なアパーチャ部材を備える整形光学系により波形整形さ
   れることを特徴とする請求項６に記載の画像記録方法。
9. 【請求項９】 前記レーザービームのファーフィールド
   パターンは、少なくとも前記副走査方向に一部をけるよ
   うなアパーチャ部材を備える整形光学系により波形整形
   されることを特徴とする請求項７に記載の画像記録方
   法。
10. 【請求項１０】 酸と有機化合物との反応により色相変
    化を引き起こし画像形成を行う画像記録材料を用いるこ
    とを特徴とする請求項１〜９のいすれか一項に記載の画
    像記録方法。
11. 【請求項１１】 熱または酸の作用により酸を発生する
    下記一般式（１）で表される酸発生剤と、酸の作用によ
    り分子内もしくは分子間反応を引き起こし３６０〜９０
    ０ｎｍの吸収域に変化を生じる化合物とを含有する画像
    記録材料を用いることを特徴とする請求項１〜９のいず
    れか一項に記載の画像記録方法。 一般式（１）・・・Ｗ¹ＯＰ¹ 式中、Ｗ¹はＷ¹ＯＨで表される酸の残基を表し、Ｐ¹は
    熱または酸の作用により離脱する置換基を表す。
12. 【請求項１２】 一般式（１）で表される酸発生剤が下
    記一般式（２）〜（４）から選ばれる化合物であること
    を特徴とする請求項１１記載の画像記録方法。 一般式（２）・・・ 【化１】 式中、Ｒ¹はハメットのσｐ値が０より大きい電子吸引
    性基を表し、Ｒ²はアルキル基を表し、Ｒ³は熱または酸
    の作用により離脱する基を表し、Ｗ¹は一般式（１）と
    同義である。 一般式（３）・・・ 【化２】 式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ独立に水素原子、アル
    キル基、もしくはアリール基を表し（但し、同じであっ
    ても異なっていてもよい）、また置換基を有していても
    よく、更にＲ⁴とＲ⁵、Ｒ⁴とＲ⁶、Ｒ⁵とＲ⁶はそれぞれ結
    合して環を形成してもよく、Ｗ¹は一般式（１）と同義
    である。 一般式（４）・・・Ｐ²−Ｘ−Ｌ−Ｃ（Ｒ⁷）（Ｒ⁸）−ＯＷ¹ 式中、Ｐ²は熱または酸の作用により離脱する置換基を
    表し、ＸはＯ、Ｓ、ＮＲ⁹（Ｒ⁹は水素原子または置換可
    能な基を表す）、またはＣＲ¹⁰Ｒ¹¹〔Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は
    それぞれ独立に水素原子または置換可能な基を表し（但
    し、同じであっても異なっていても良い）〕を表し、Ｌ
    は連結基を表し、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原
    子または置換可能な基を表し（但し、同じであっても異
    なっていても良い）、Ｗ¹は一般式（1）と同義である。
13. 【請求項１３】 熱もしくは酸の作用により酸を発生す
    る機能を有する部分構造と、酸の作用により３６０〜９
    ００ｎｍの吸収域に変化を生じる部分構造を合わせ持つ
    ポリマーを含有する画像記録材料を用いることを特徴と
    する請求項１〜９のいずれか一項に記載の画像記録方
    法。
14. 【請求項１４】 前記ポリマーが下記一般式（５）で示
    されるポリマーであることを特徴とする請求項１３に記
    載の画像記録方法。 一般式（５）・・・−（Ａ）_x−（Ｂ）_y−（Ｃ）_z− 式中Ａは、熱もしくは酸の作用により酸を発生する機能
    を有する少なくとも１種類以上のビニルモノマーの重合
    によって得られる繰り返し単位を表し、Ｂは酸の作用に
    より３６０〜９００ｎｍの吸収域に変化を生じる部分構
    造を有する少なくとも１種類以上のビニルモノマーの重
    合によって得られる繰り返し単位を表し、ＣはＡおよび
    Ｂと共重合可能な少なくとも１種類以上のビニルモノマ
    ーの重合によって得られる繰り返し単位を表し、ｘ、ｙ
    およびｚは重量％を表し、それぞれ１≦ｘ≦９９、１≦
    ｙ≦９９、０≦ｚ≦９８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を表す。