JP2001087625A

JP2001087625A - 排ガス処理装置

Info

Publication number: JP2001087625A
Application number: JP31280799A
Authority: JP
Inventors: Takao Fukuda; 高雄福田
Original assignee: EFUTEKKU KK
Current assignee: EFUTEKKU KK
Priority date: 1999-09-27
Filing date: 1999-09-27
Publication date: 2001-04-03

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】排ガスを予熱することなく接触還元工程で急
速に加熱処理する構成を採ることにより装置の小型化と
製作コストの低減化を図ることができる排ガス処理装置
を提供する。【解決手段】半導体ウエハの製造処理工程において排
出されるＮＨ_３，ＳｉＨ_４，Ｎ_２，Ｎ_２Ｏ等を含んだ排
ガス中のＳｉＨ_４を酸化反応により粉体であるＳｉＯ_２
に変化させてこれをフィルタ１３で除去する粉体除去工
程と、排ガスに含まれているＮＨ_３を触媒層２０・・・
を有する還元反応槽内１８に導入し、熱風送風機２１に
よる熱風をこの槽１８内に送出させて、ＮＨ_３を選択接
触還元法によりＮ_２に還元反応させるＮＨ_３除去工程
と、この工程を経た直後の高温排ガスを冷却する冷却工
程と、を備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハの製造
処理のオキシナイトライドプロセスにおいて排出される
排ガス中に含まれるＮＨ_３（アンモニア），ＳｉＨ
_４（シラン），Ｎ_２（窒素），Ｎ_２Ｏ（酸化窒素）等を
処理する排ガス処理装置に関し、詳しくは、排ガス中に
含まれるＳｉＨ_４を除去し、続いて、ＮＨ_３を触媒下で
急速加熱して環境に悪影響を与えないＮ_２に変化させて
これを外部に排出させる排ガス処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において製造され
た半導体ウエハを処理してこれに集積回路を形成するウ
エハ処理工程は、ウエハ表面に絶縁膜、電気配線、半導
体膜などを形成するためのＰＶＤ、ＣＶＤ、エピタキシ
ャル成長などの手段による薄膜形成工程、ウエハ表面に
酸化膜を形成する酸化処理工程、不純物原子をウエハ中
に添加するドーピング工程、ウエハ表面にフォトレジス
ト膜を塗布して回路パターンを形成するエッチング処理
工程等からなる。

【０００３】ウエハ表面に酸化膜を形成する装置には、
常温熱酸化装置、高圧熱酸化装置、プラズマ陽極酸化装
置などがあり、常温熱酸化装置膜形成プロセスでは、ウ
エハに熱酸化膜を形成して、ウエハの製品歩留りを向上
させる手法が採られており、このときの処理ガスとして
比較的高濃度のＮＯやＮＯ_２を処理ガスとして使用した
ときにも、使用後は排ガスとして処理工程から外部に排
出していた。

【０００４】また、半導体の製造工程においては、半導
体用の素材として高純度珪素が用いられ、この高純度珪
素は珪素の水素化合物であるＳｉＨ_４（シラン）を原料
としており、この微細粒子であるＳｉＯ_２も、前記排ガ
スと一緒に、処理工程から外部に排出していた。

【０００５】ところで、ＮＨ_３，ＳｉＯ_２等を含む排ガ
スの排出は、環境意識の高まりと、わが国の大気汚染防
止法の度重なる改正で厳しく規制されるに至っており、
これに伴って排ガスを処理する高度な技術も次々に生ま
れ、その装置も出現するに至っており、その最新の技術
の一例として、特開平９−２１３５９６号公報に記載の
発明「半導体製造方法ならびにこれに用いる排ガス処理
方法および装置」が挙げられる。

【０００６】この特開平９−２１３５９６号公報に記載
の排ガス処理装置の構成を、同公報の図２及び明細書中
における記載を引用して説明すると、ハウジング（１
１）には半導体製造装置から排出された窒素酸化物を含
む排ガスの導入口（１２）と、希釈ガスの導入口（１
３）とが設けられており、これらの導入口（１２，１
３）には希釈ガス混合部（１４）が接続され、この希釈
ガス混合部（１４）には、筒状のケーシング（１ｂ）を
有し、この中に筒状のセラミックなどからなる充填物
（１７）が注入され、ケーシング（１ｂ）の外側に筒状
ヒーター（１８）を設けた排ガス予熱部（１５）が接続
されており、この排ガス予熱部（１５）には選択式接触
還元反応部（２０）が接続されており、さらにこの反応
部（２０）には還元ガス供給路（２１）が接続され、こ
の反応部（２０）のケーシング（２２）内に触媒が充填
されており、またこのケーシング（２２）の外側にはコ
イル状のヒーター（２３）が３段に亘って設けられてお
り、この反応部（２０）にはさらに水冷式の冷却部（２
４）、ブロワーなどからなる排気部（２５）、排ガス出
口（２６）が順に接続されたものである。

【０００７】前記希釈ガスには、空気又はＮＨ_３と不活
性ガスとの混合ガスが用いられ、前記希釈ガス混合部
（１４）で希釈ガスと混合されて窒素酸化物の濃度が約
１％以下になった排ガスは、排ガス予熱部（１５）で３
８０℃〜４００℃程度に予熱された後、流通過程で所定
温度に下げられて、１８０°〜２５０°に保たれた選択
式接触還元反応部（２０）内に送られ、ここで還元され
て窒素酸化物が除害された後、外部に排出される。

【０００８】ＮＯをＮ_２とＯ_２に分解することは困難で
あることから、還元ガスを添加することにより触媒の存
在下でＮＯをＮ_２に還元させることができ、このときの
還元ガスとしてＮＨ_３を用いて、還元ガスがＮＯとＮＯ
_２にのみ選択的に反応して、Ｏ_２とは反応しないように
してある。

【０００９】還元ガスとして、ＮＨ_３を用いたときの還
元反応は、次の通りである。６ＮＯ＋４ＮＨ_３→５Ｎ_２＋６Ｈ_２Ｏ６ＮＯ_２＋８ＮＨ_３→７Ｎ_２＋１２Ｈ_２Ｏ

【００１０】ＮＯ_２の還元触媒としては、Ｆｅ，Ｍｎな
どの複合体からなる触媒が用いられている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】この従来技術における
排ガス処理装置は、前述した化学反応式で示すように、
有害なＮＯ及びＮＯ_２等のＮＯｘを還元させてＮ_２に変
化させる点に特徴があり、ここで使用されるＮＨ_３は触
媒である。ところが現在の半導体ウエハの製造処理のオ
キシナイトライドプロセスにおい排出される排ガスに
は、ＮＯｘは含まれていたとしても極微量であり、ＮＨ
_３が多く含まれている。

【００１２】このため、ＮＨ_３を処理する手段が必要に
なるが、前述した従来技術の排ガス処理装置では、排ガ
ス中に多量に含まれているＮＨ_３の処理が十分に行われ
ない。

【００１３】また、前述した従来技術の排ガス処理装置
において、排ガスは排ガス予熱部で３８０℃〜４００℃
まで予熱されて、次の工程の選択式接触還元反応部内に
送られ、ここで再び１８０°〜２５０°に加熱されて、
選択式接触還元反応部内で直ちに還元反応するのである
が、このように排ガスを一旦予熱させて次工程の還元反
応部で再加熱する場合、大容量の排ガス予熱部が必要に
なり、このため、装置全体が大型になり、広い設置スペ
ースが必要であった。また製作費用も高く、維持費用も
高かった。

【００１４】また、排ガス予熱部と選択式接触還元反応
部の加熱手段が、それぞれのケーシングの外側に巻き付
くようにして備えたコイル状のヒーターで構成されてい
るため、反応部内の温度が適温になるまでに時間を要
し、その熱は本装置のハウジング内にも拡散するために
熱効率も悪かった。

【００１５】また、上述した従来技術における排ガス処
理装置には、半導体の製造工程において発生するＳｉＨ
_４（シラン）等の副生成粉体の処理工程が無かった。こ
のために、この粉体による触媒等の目詰まりによる圧力
損失が発生して、排ガスの流通の障害になり、還元処理
の効率の低下を招く原因にもなっていた。また、触媒の
寿命を短くする原因にもなっていた。

【００１６】当業者である本発明者はこのような現状
と、必要な排ガス処理といえどもコスト削減を要望する
半導体製造業界の要望に対応し、ＮＨ_３を高効率で処理
し、しかもＳＩＨ_４も容易に除去でき、小型で高性能
で、低価格で製造・販売できる排ガス処理装置の開発に
着手した。その結果、次なる発明の排ガス処理装置を完
成するに至った。

【００１７】本発明の目的は、半導体ウエハを製造処理
するオキシナイトライドプロセスにおいて排出される排
ガス混合して、この排ガスに含まれるＳｉＨ_４を酸化反
応させた後、粉体となって生成されたＳｉＯ_２をフィル
タで除去し、さらに排ガス中に含まれているＮＨ_３を、
選択接触還元法によりＮ_２に分解処理して環境に安全な
排ガスした後、これを冷却して外部に排出し得るもの
で、排ガスを予熱することなく接触還元工程で急速に加
熱処理する構成を採ることにより装置の小型化と製作コ
ストの低減化を図り、故障が少なく保守点検が容易で、
熱効率が高く、触媒等の目詰まりによる圧力損失が少な
く、触媒の寿命を延ばし得、コンピュータでの自動運転
が可能な、排ガス処理装置を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに提案される本発明に係る排ガス処理装置の特徴は次
の通りである。

【００１９】すなわち、本発明に係る排ガス処理装置
は、半導体ウエハの製造処理工程において排出されるＮ
Ｈ_３，ＳｉＨ_４，Ｎ_２，Ｎ_２Ｏ等を含んだ排ガス中のＳ
ｉＨ_４ＳｉＨ_４を酸化反応により粉体であるＳｉＯ_２に
変化させてこれをフィルタで除去する粉体除去工程と、
排ガスに含まれているＮＨ_３を触媒層を有する還元反応
槽内に導入し、熱風送風機による熱風をこの槽内に送出
させて、ＮＨ_３を選択接触還元法によりＮ_２に還元反応
させるＮＨ_３除去工程と、この工程を経た直後の高温排
ガスを冷却する冷却工程と、を備えたことを特徴とす
る。

【００２０】これにより、ＮＨ_３，ＳｉＨ_４，Ｎ_２，Ｎ
_２Ｏ等を含んだ排ガスは本装置内に採り入れられ、供給
通路内を流通する段階で混合されて副生成物除去タンク
内に送られる。排ガス中に含まれるＳｉＨ_４は副生成物
除去タンク内の酸素と反応して、粉体であるＳｉＯ_２に
変化する。副生成物除去タンクはこのＳｉＯ_２を除去す
るタンクで、このタンクの周壁は円筒状の側壁で形成さ
れており、この側壁の内側に沿った箇所にはＳｉＯ_２を
除去するフィルタが備えられており、さらにこのタンク
内にはモータの駆動により回転してフィルタに付着した
ＳｉＯ_２を落とすブラシが備えられている。尚、このブ
ラシの作動は排ガス処理の運転停止後において行われ
る。

【００２１】ブラシの回転によりフィルタから離脱した
ＳｉＯ_２は、落下して副生成物除去タンク下に備えた回
収容器に溜まり、適宜この回収容器を取り出すことによ
り回収される。

【００２２】このフィルタに付着したＳｉＯ_２の離脱
は、このように回転ブラシで行われるが、フィルタを振
動させてＳｉＯ_２を離脱させる方法、高圧空気をフィル
タに向けて噴射してＳｉＯ_２を離脱さる方法、又はこれ
ら複数の方法を併用して行っても構わない。

【００２３】このようにしてＳｉＯ_２、つまりＳｉＨ_４
が除去された排ガスは、次工程の還元反応槽の下部空間
内に送られる。この反応槽は下部から採り入れられた排
ガスが流通する方向に長くしかもある程度幅広く形成さ
れており、その内側には排ガスの流通をを遮る方向に、
通気性を有する複数の触媒層が多段に形成されており、
各触媒層間には空間が形成されており、還元反応槽の外
側に設置した熱風送風機から送出される熱風が還元反応
槽の下部空間と触媒層間の各空間に送られている。この
ため、還元反応槽の下部空間内に送られた排ガスはこの
空間内で急速に所定温度まで加熱され、この加熱された
状態を維持したまま、触媒層・空間・触媒層・空間・・
を流通する。尚、このときの温度は還元に適した２３０
℃±１０℃であり、さらに最適な温度を挙げれば、２３
０℃±５℃である。

【００２４】このようして触媒下で排ガスが加熱される
と、ＮＨ_３はＮ_２に還元処理される。この処理は従来よ
り公知の選択接触還元法によるもので、処理後の排ガス
は、次工程の冷却工程で冷却された後、外部に排出され
る。冷却工程は冷却ファンにより行われる。

【００２５】このような構成を有する本発明の排ガス処
理装置は、ガス検知機、各駆動部、ヒーターの温度制
御、バルブの制御、等はコンピュータにより一元的に行
われる。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の排ガス処理装置の目的及
び構成は以上の通りであり、続いて添付図面に示した１
実施の形態に沿ってその具体的な構成を説明する。

【００２７】図１は本発明の１実施の形態による排ガス
処理装置を示すブロック図であり、同図によりこの排ガ
ス処理装置１を説明する。

【００２８】半導体製造処理するオキシナイトライドプ
ロセスにおいて排出される排ガスには、ＮＨ_３（アンモ
ニア），ＳｉＨ_４（シラン），Ｎ_２（窒素），Ｎ_２Ｏ
（酸化窒素）等が含まれている。

【００２９】本実施の形態による排ガス処理装置１にお
いて、外観を形成するハウジング２にはこの排ガスの導
入口３が設けられており、この導入口３はハウジング２
内で供給路４の一端に接続されており、この供給路４の
途中箇所には流量制御弁５とバルブ６が接続されてお
り、この供給路４の他端は、副生成物除去タンク１０の
上端に備えた排ガスの流入口に接続されており、前記導
入口３から本装置１内に採り入れられた排ガスは、この
副生成物除去タンク１０内に送られるように構成されて
いる。

【００３０】この副生成物除去タンク１０は、円筒形状
のケーシング１１の内壁に沿った箇所に円筒形状のフィ
ルタ１３が備えられており、さらにこのケーシング１１
の上端中央にはモーターＭが備えられており、このモー
ターＭの回転軸はケーシング１１内下方に突出し、この
突出軸には、前記フィルタ１３の内周壁に沿って回転す
る螺旋ブラシ１２が備えられたもので構成されている。
このため、この副生成物除去タンク１０内に流入した排
ガス中のＳｉＨ_４は、該タンク１０内の酸素と反応し
て、ＳｉＯ_２（二酸化珪素）の粉体になる。その化学式
は次の通りである。

【００３１】ＳｉＨ_４＋２Ｏ_２→ＳｉＯ_２＋２Ｈ_２Ｏ

【００３２】そしてこのＳｉＯ_２は、フィルタ１３に付
着することによって除去され、このフィルタ１２に付着
したＳｉＯ_２は、螺旋ブラシ１２を回転させることによ
り副生成物除去タンク１０下部に備えた回収タンク１５
内に堆積し、この堆積したＳｉＯ_２は、適宜、回収容器
１５を取り出すことにより回収される。

【００３３】この回収容器１５の上側部には排ガスの流
出口を備えており、この流出口には、次工程に続く排ガ
スの供給路１６の一端が接続されている。この供給路１
６の途中箇所にはバルブ１７が接続されており、その終
端は、還元反応槽１８の下側部に備えた排ガスの流入口
に接続されている。

【００３４】この還元反応槽１８は、排ガスを選択接触
還元法により加熱、還元反応させる処理触媒筒で構成さ
れている。具体的には、上部を閉鎖した円筒形状の還元
反応槽本体１９内の上部空間１８ｃと下部空間１８ａを
残した中間位置に、その内周面に沿う程度の広さに亘っ
て形成された通気性を有する触媒層２０・・が、排ガ
スの流通方向を遮る方向に、複数、所定幅の空間１８ｂ
・・・を有する状態で多段に備えられている。

【００３５】本実施の形態で用いられている触媒の材料
は次の通りである。一般に触媒としては、ＡＬＯ_２，Ｔ
ｉＯ_２などを担体とし、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｐｔ，Ｖ_２Ｏ_５，
Ｆｅ_２Ｏ_３，ＣｕＯ，Ｍｎ_２Ｏ_３，Ｃｒ_２Ｏ_３，ＭｎＯ
_３などを活性体とするものなどが知られており、これら
何れを適用したものであっても構わないが、これらのう
ち、酸化チタン（ＩＶ）（ＴｉＯ_２）を担体とし、酸化
バナジウム（Ｖ）（Ｖ_２Ｏ_５）を活性体とする触媒が、
広い温度範囲で活性が高い点で好適である。勿論、これ
ら以外の公知技術の材料からなるフィルタを用いても構
わない。

【００３６】個々の触媒層２０は、球、俵、リング、円
柱などの形状を有する粒状の触媒単体を金網などの通気
性を有する材料で囲んだものに代表される小さな触媒単
体を集合したもの、金網状又は多孔板状の触媒板を直接
又はスペーサーを介して重ねたタイプのもの及びハニカ
ム構造のもののように大きな形状を有する触媒単体のも
の、などを含め、現在公知技術にとなっている、あらゆ
るタイプのものが適用される。また、個々の触媒層２０
・・は同一構造及び素材のものに限らず、別構造及び素
材のものであっても構わない。

【００３７】本実施の形態では、個々の触媒層２０・・
が排ガスの流通方向を遮断する方向に、複数、備えられ
ていることから、各触媒層２０・・自体、空気の流通す
る方向に通気性に富んだものを用いる必要がある。

【００３８】還元反応槽１８内の上部空間の上部は還元
反応槽１８の天板で仕切られており、この天板には、排
ガスの流出口を備えており、この流出口には排ガスを排
出方向に導く供給路２５の一端が接続されている。

【００３９】還元反応槽１８の横外方向には、熱風送風
機２１が設置されている。この熱風送風機２１は、加熱
したコイルの熱をブロワーで送出するタイプのものが用
いられており、インバーター付きのものが好適である。
この熱風送風機２１の熱源をガス又は重油等の燃料の燃
焼熱を利用するものを用いても構わないが、燃焼に伴う
排ガスが発生しないコイルの熱を利用するものが最適で
ある。

【００４０】この熱風送風機２１から排出される熱風
は、途中で上下に分岐した熱風の供給路２２を通じて還
元処理室１８内の、下部空間１８ａ内、各触媒層２０・
・間の各空間１８ｂ内に送られる。図中、２３は熱風量
を調節するバルプである。

【００４１】このように構成すると、還元反応槽１８の
下部空間１８ａ内に送り込まれた排ガスは、先ず、この
空間１８ａ内で急速に２３０℃±１０℃まで加熱され
て、各触媒層２０・・を通過し、還元反応槽１８の上部
空間１８ｃに至る。尚、この流通過程における排ガスの
温度低下は、熱風送風機２１から送られてくる熱風が前
記各空間１８ｂ内に届くことで防がれる。

【００４２】このようにして、還元反応槽１８内に送出
される熱風の温度は、還元反応槽１８内で、還元に最適
な２３０℃±５℃が維持される。

【００４３】還元反応槽１８内の温度管理は、該反応槽
１８の下部側方に備えた温調機２４により行われ、具体
的には、例えば、この温調機２４に接続した温度計によ
り反応槽１８内の温度が検知され、さらにこの検知信号
に基づいて熱風送風機２１から送り出す熱風の温度制御
及び風量制御が行われる。

【００４４】このようにして還元反応槽１８内を流通す
る高温の排ガスは、触媒層２０・・の環境下、排ガス中
に含まれるＮＯ，ＮＯ_２等を還元剤にして、選択接触還
元法に基づき還元反応して、排ガス中に含まれているＮ
Ｈ_３がＮ_２に変化する。その化学式は次の通りである。

【００４５】６ＮＯ＋４ＮＨ_３→５Ｎ_２＋６Ｈ_２６ＮＯ_２＋８ＮＨ_３→７Ｎ_２＋１２Ｈ_２Ｏ

【００４６】還元後、Ｎ_２を含む排ガスは、還元反応槽
１８内上部の空間１８ｃで冷却されて前記供給路２５に
送られる。その冷却は、還元反応槽１８の上方の空間１
８ａ内に備えられており、還元反応槽１８外の空気を採
り入れて反応槽１８内を冷却するクーリング・エア・フ
ィルタ２６で行われる。

【００４７】このようにしてある程度冷却された排ガス
は、前記供給路２５を通じてブロワー２９内に吸引さ
れ、さらにこのブロワー２９から冷却用のミキシングボ
ックス３０内に送られて、ハウジング２の排出口３１か
ら外部に排出される。

【００４８】尚、このときの排ガスは未だ比較的高い温
度であり、そのまま外部に排出するよりも温度を下げて
排出するのが好ましい。このため、ハウジング２の空気
導入口３２から採り入れた外気を、排ガス冷却用ブロワ
ー３１を通じてミキシングボックス３０内に強制的に送
出して排ガスを冷却するように構成した。

【００４９】本装置１のハウジング２内が熱風ヒーター
２１内及び還元反応槽１８内から伝わる熱気で高温にな
るのを防ぐため、該ハウジング２の上部には排気口３８
が備えられている。

【００５０】このような構成を有する本実施の形態に係
る排ガス処理装置１は、各部の作動及び駆動がコンピュ
ータにより制御されて自動運転できるようになってい
る。

【００５１】

【発明の効果】以上、説明した本発明に係る排ガス処理
装置によれば、半導体ウエハを製造処理するオキシナイ
トライドプロセスにおいて排出される排ガス混合して、
この排ガスに含まれるＳｉＨ_４を酸化反応させた後、粉
体となって生成されたＳｉＯ_２をフィルタで除去し、適
宜回収することが出来たのである。

【００５２】しかも、この工程に続いて、排ガス中に含
まれているＮＨ_３を選択接触還元法により還元反応させ
て、Ｎ_２に変えることが出来、この結果、環境に安全な
排ガスとして、冷却後、外部に排出することが出来たの
である。

【００５３】しかも、接触還元工程において排ガスを急
速に加熱して処理する構成を採用した結果、従来の選択
接触還元法では必要であった排ガスの予熱室が不要にな
った分、装置の小型化と製作コストの低減化を図ること
が出来たのである。しかも、この予熱室を不要としたこ
とにより、熱効率が格段に高くなり、故障も少なくな
り、保守点検も容易になったのである。また、触媒等の
目詰まりによる圧力損失も少なくなり、触媒の寿命を延
ばすことも出来たのである。

【００５４】また、選択接触還元法による還元処理にお
いて、排ガスの流通する方向を遮断する方向に、複数の
触媒層を多段に備えたことにより、排ガスを漏れなく還
元反応させることが出来たのである。

【００５５】しかもこの工程における排ガスの温度上昇
を、熱風送風機で一気に行ない、さらにはこの熱風を分
流させて、複数の触媒層近傍に向けて送出するようにし
た結果、漏れなく還元反応させることが出来たのであ
る。

【００５６】さらには、このような構成を有する本発明
の排ガス処理装置を、排ガス中に含まれる成分とその含
有量、温度管理、各部の運転制御等がコンピュータで行
わうように構成したことによって、正確な自動制御が可
能になり、しかも無人運転が出来るようになったのであ
る。

【００６７】さらに、排ガスの温度降下方法が、乾式で
ある為、設置における付帯設備（木等の配管）が不要に
なり、各種インターロックを装備することも出来るよう
になったのである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施の形態による排ガス処理装置を
示すブロック図である。

【符号の説明】

１排ガス処理装置２ハウジング１０副生成物除去タンク１１ケーシング１２螺旋状ブラシ１３フィルタ１５貯留室１８還元反応槽１９還元反応槽本体２０触媒層２１熱風送風機２６クーリング・エア・フィルタ２９ブロワー３０ミキシングボックス３２排ガス冷却用ブロワー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4D002 AA12 AA13 AA26 AC10 BA05 BA12 BA13 BA14 DA07 DA70 GA01 GA03 GB02 GB03 HA02 4D048 AA06 AA07 AA08 AA30 AB01 AB02 AB03 AC04 AC06 BA03Y BA07X BA23X BA25Y BA28Y BA30Y BA35Y BA36Y BA41X BA41Y BB01 BB02 BB07 CA03 CA07 CC32 CC38 CC52 CC61 CD05 DA01 DA06 EA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウエハの製造処理工程において排
出されるＮＨ_３，ＳｉＨ_４，Ｎ_２，Ｎ_２Ｏ等を含んだ排
ガス中のＳｉＨ_４を酸化反応により粉体であるＳｉＯ_２
に変化させてこれをフィルタで除去する粉体除去工程
と、排ガスに含まれているＮＨ_３を触媒層を有する還元
反応槽内に導入し、熱風送風機による熱風をこの槽内に
送出させて、ＮＨ_３を選択接触還元法によりＮ_２に還元
反応させるＮＨ_３除去工程と、この工程を経た直後の高
温排ガスを冷却する冷却工程と、を備えたことを特徴と
する排ガス処理装置。
【請求項２】還元反応槽内における排ガスの流通する
方向に、通気性を有する複数個の触媒層を多段に形成し
た請求項１に記載の排ガス処理装置。
【請求項３】熱風送風機による熱風を分流させて、こ
れらを還元反応槽内の各触媒層近傍の空間に送風し、還
元反応槽内を流通する排ガスを還元反応に最適な温度ま
で急速加熱するように構成した請求項１又は２に記載の
排ガス処理装置。
【請求項４】排ガス中に含まれる成分とその含有量、
温度管理、各部の運転制御等がコンピュータで行われる
ように構成した請求項１ないし３に記載の排ガス処理装
置。