JP2001085964A - Ｓａｗデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空蒸着法によって厚肉パッドを形成した圧
電素板を一旦真空炉外へ出してから、別の真空炉内にセ
ットしてスパッタ蒸着法によってＩＤＴ電極を形成する
場合に、外気に触れた時に厚肉パッド表面に形成される
酸化膜が厚肉パッドとＩＤＴ電極の接続端部との導通を
阻害する要因となり、当該弾性表面波素子を用いて完成
されたＳＡＷデバイスの特性を低下させるという不具合
を有効に防止することができるＳＡＷデバイスの製造方
法を提供する。 【解決手段】 弾性表面波素子４をフェイスダウン状態
で収納し、且つ内底面の各電極３３と各電極パッド３６
とを金バンプ３７を介して接続した構成を備えた絶縁パ
ッケージ３１と、該絶縁パッケージの開口を気密封止す
る金属蓋３８と、を備えたＳＡＷデバイスの製造方法に
おいて、電極パッドの表面に形成された酸化膜４５を介
してＩＤＴ電極の接続端部が積層接続されている場合
に、ＳＡＷデバイスを所要温度にて加熱することにより
酸化膜による導通阻害を排除する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は圧電デバイスとして
の弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスの製造方法の改良に関
し、例えばセラミックパッケージの内底面に形成した電
極と、弾性表面波素子のＩＤＴ電極形成面に配置した電
極パッドとの間を金バンプを用いてフリップチップ接続
するタイプのＳＡＷデバイスにおける電極パッドの形成
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７(a) は従来の表面実装用の弾性表面
波（ＳＡＷ）デバイスの構造を説明する為の内部斜視
図、(b) はその縦断面図である。このＳＡＷデバイス１
は、表面実装用の構成を備えた３層構造のセラミックパ
ッケージ２と、セラミックパッケージ２の上面に形成さ
れた凹陥部３内に配置された弾性表面波素子４と、凹陥
部３の外枠上面に固定されて凹陥部を閉止する金属蓋５
とを有する。凹陥部３内の２つの対向し合う段差１０上
には夫々ワイヤボンディング用端子１１、アースパター
ン１２等が形成され、凹陥部３の内底面には接地用電極
面１３がほぼ全面的に形成されている。セラミックパッ
ケージ２の外枠上面には図示しない金属蓋をシーム溶接
等によって溶着固定する際に使用するシームリング１５
が予め形成されている。凹陥部３内にフェースアップ
（ＩＤＴ電極が開口側を向いている）状態で収納される
弾性表面波素子４は、圧電素板２０上に少なくともＩＤ
Ｔ電極２１と、パッケージ側の段差１０上の電極１１と
ワイヤ接続されるボンディング用電極２２とを備えてい
る。この弾性表面波素子４の底面を接着剤等を用いて凹
陥部３の内底面に設けた接地用電極面１３と接続するこ
とにより、弾性表面波素子は凹陥部内に固定される。

【０００３】ところで、このようなパッケージ構造を備
えたＳＡＷデバイスにあっては、弾性表面波素子４の上
面よりも上方に突出するワイヤＷが金属蓋５の下面と接
触してショートすることを防止する為に、ワイヤＷと金
属蓋５の下面との間に十分な空間を確保しておく必要が
あり、そのためパッケージ２の高さ方向寸法が大型化
（高背化）することは不可避であった。しかし、ＳＡＷ
デバイスを搭載する各種機器に対する小型化の要請に対
応してＳＡＷデバイス自体についても低背化が強く要求
されている。このような低背化の要請を満たすパッケー
ジ構造として、最近では図８(a) (b) に示した如きフェ
ースダウン（ＩＤＴ電極が底面を向くように弾性表面波
素子を配置する）方式のパッケージ構造が採用されてい
る。このタイプのパッケージ３１は、上面の凹陥部３２
の内底面に通電用の電極３３を有し、この凹陥部３２内
に弾性表面波素子３４をフェイスダウン方式でフリップ
チップ接続する構造を備えている。即ち、弾性表面波素
子３４はその圧電素板３５の下面にＩＤＴ電極と電極パ
ッド３６と、電極パッド３６上に予め固着した金バンプ
３７を有し、電極３３と電極パッド３６とを一対一で対
応させた状態で、バンプ３７と電極３３との間を半田、
或は熱圧着により接合することにより、弾性表面波素子
３４の組付けが完了する。その後、金属蓋３８を凹陥部
３２の外枠上面に気密的に固定することによりＳＡＷデ
バイスが完成する。このパッケージ構造によれば、ワイ
ヤと金属蓋との間のショート発生を防止する為の空間を
設ける必要がない分だけ低背化が可能であり、またパッ
ケージの内壁にワイヤボンディング用の端子を配置する
為の段差を設ける必要がなくなる分だけ平面形状も小型
化する。

【０００４】ところで、図９(a) (b) に示すようにバン
プ３７は、ＩＤＴ電極（電極指）４０から引き出された
パッド３６上に超音波を併用した熱圧着等により固着さ
れる金製の小突起であり、純粋アルミニウムと金との接
合強度が高いことから、従来のパッド３６及びＩＤＴ電
極４０は純粋アルミニウムから構成されている。なお、
パッド３６とＩＤＴ電極４０は、通常フォトリソグラフ
ィ技術により一括して製造される為、同一材料により構
成される。ＩＤＴ電極によって圧電素板表面に励起され
る弾性表面波の大きな定在波によりパッド３６及びＩＤ
Ｔ４０は大きなストレスを受けることになるが、アルミ
ニウムだけを使用した場合には、この応力によってパッ
ド及びＩＤＴ電極を構成するアルミ膜にひび割れ等の破
損が発生する。そこで、最近ではアルミニウムに数％の
銅を含有させたＡｌ−Ｃｕ合金を用いてパッド及びＩＤ
Ｔ電極膜の強化を図っているが、Ａｌ−Ｃｕ合金膜と金
バンプとの接合強度が著しく低いという不具合がある。
つまり、金バンプ３７とパッド３６とが容易に剥離して
しまい、機器の落下等によって発生する衝撃に耐えられ
なくなるという問題が発生している。また、パッド３６
とＩＤＴ電極４０は同一プロセスにて製造されるため、
両者の肉厚が３１００〜４０００Åと薄くなるが、パッ
ドを純粋アルミニウムにて構成したとしても、パッドの
肉厚がこのように薄過ぎる場合には、バンプを形成する
為の熱圧着等の工程で、パッド自体が破損し、圧電素板
面から剥離し易い為、金バンプがパッド諸共剥離し易く
なるという欠点を有している。このような事情から、最
近では図１０に示すように圧電素板３５の上面適所に肉
厚約１μｍ程度の厚肉のアルミニウム（或は、アルミニ
ウム合金）から成るパッド３６を真空蒸着法によって予
め形成しておいてから、Ａｌ−Ｃｕ合金から成るＩＤＴ
電極４０をスパッタ蒸着法にて形成し、厚肉のパッド３
６上に金バンプ３７を熱圧着等により形成する手法が採
用されている。なお、ＩＤＴ電極４０とパッド３６との
接続は、ＩＤＴ電極４０の接続端部４０ａをパッド３６
上にオーバーラップ状態で積層形成することにより実現
される。

【０００５】このＳＡＷデバイスのパッド３６は厚肉の
アルミニウムから構成されている為、金バンプを形成す
る際にパッドが破損して金バンプの固定が困難になると
いう不具合を解消できるという利点を有する。このよう
なＩＤＴ電極及びパッドの構造を備えた弾性表面波素子
を製造する際には、厚肉のパッド３６を圧電素板３５上
に形成する為の真空蒸着工程を真空炉内にて実施したあ
とで、この弾性表面波素子を真空炉から外部に取り出し
て運搬し、スパッタ蒸着用の他の真空炉内にセットした
上で、ＩＤＴ電極４０を形成する為のスパッタ蒸着工程
を実施する手順を踏むこととなる。しかし、パッド３６
を形成した弾性表面波素子を真空炉から取り出して外気
に触れさせると、アルミニウム合金から成るパッド３６
の表面に自然酸化膜４５が形成される。自然酸化膜４５
上にＩＤＴ電極の接続端部４０ａが積層形成されると、
パッド３６と接続端部４０ａとの間の導通が低下する。
自然酸化膜４５は、その肉厚、粗密の程度が、弾性表面
波素子毎に一定しておらず、バラツキがあるため、この
弾性表面波素子を用いたＳＡＷデバイスのフィルタ特
性、特に最小挿入損失に製造バラツキが発生する。図１
１はロット間での製造バラツキが発生している状態を示
す測定結果であり、縦軸にフルスケール１０ｄＢの減衰
量（ロス値）が示され、横軸には±５０ＭＨｚの範囲で
周波数が示されている。この図から明らかなように、自
然酸化膜を備えた電極パッドを用いた弾性表面波素子の
特性は、個片毎に異なっていた。従って、ＳＡＷデバイ
スの製造段階で個々のＳＡＷデバイス毎に減衰量を調整
する作業が必要となり、生産性を低下させる原因となっ
ていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように金バンプ
を支持するための十分な強度を備えた厚肉のパッドを圧
電素板上に形成した後で、別工程にてＩＤＴ電極を形成
する従来の弾性表面波素子にあっては、パッドを形成し
た圧電素板を真空炉から取り出して外気に触れさせたと
きにパッド表面に自然酸化膜が形成される為、パッド上
にＩＤＴ電極の接続端部を積層形成した時に両者の導通
が低下し、この圧電表面波素子を用いたＳＡＷデバイス
のフィルタ特性にバラツキが発生するという不具合があ
った。そこで本発明は、真空蒸着法によって厚肉パッド
を形成した圧電素板を一旦真空炉外へ出してから、別の
真空炉内にセットしてスパッタ蒸着法によってＩＤＴ電
極を形成する場合に、外気に触れた時に厚肉パッド表面
に形成される酸化膜が厚肉パッドとＩＤＴ電極の接続端
部との導通を阻害する要因となり、当該弾性表面波素子
を用いて完成されたＳＡＷデバイスの特性を低下させる
という不具合を有効に防止することができるＳＡＷデバ
イスの製造方法を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、圧電素板と、該圧電素板面に形
成されたＩＤＴ電極と、圧電素板面に形成され且つ金バ
ンプとの接合性が良好な金属から成る厚肉の電極パッド
と、を有し、ＩＤＴ電極から延びた接続端部が電極パッ
ド上に積層状態で接続された弾性表面波素子と、該弾性
表面波素子をフェイスダウン状態で収納し、且つ内底面
の各電極と各電極パッドとを上記金バンプを介して接続
した構成を備えた絶縁パッケージと、該絶縁パッケージ
の開口を気密封止する金属蓋と、を備えたＳＡＷデバイ
スの製造方法において、上記電極パッドの表面に形成さ
れた酸化膜を介してＩＤＴ電極の接続端部が積層接続さ
れている場合に、上記ＳＡＷデバイスを所要温度にて加
熱することにより上記酸化膜による導通阻害を排除する
ことを特徴とする。請求項２の発明は、圧電素板と、該
圧電素板上に形成されたＩＤＴ電極と、圧電素板上に形
成され且つ金バンプとの接合性が良好な金属から成る厚
肉の電極パッドと、を有し、ＩＤＴ電極から延びた接続
端部が電極パッド上に積層状態で接続された弾性表面波
素子と、該弾性表面波素子をフェイスダウン状態で収納
し、且つ内底面の各電極と各電極パッドとを上記金バン
プを介して接続した構成を備えた絶縁パッケージと、該
絶縁パッケージを気密封止する金属蓋と、を備えたＳＡ
Ｗデバイスの製造方法において、表面に電極パッドを形
成した圧電素板にマスクを施して真空炉内で電子銃から
ターゲットに向けてイオンを照射するスパッタ工程を行
う直前に、同じ真空炉内で圧電素板上の電極パッドに電
子銃からイオンを照射することにより電極膜上の酸化膜
を除去することを特徴とする。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
の形態により詳細に説明する。図１は厚肉パッド表面に
酸化膜を備えた弾性表面波素子をセラミックパッケージ
内に気密封止した構造のＳＡＷデバイスを加熱している
状態を示す断面図、図２は加熱により自然酸化膜が除去
された状態を示す断面図である。このＳＡＷデバイス
は、フェースダウン（ＩＤＴ電極が底面を向くようにＳ
ＡＷ素子を配置する）方式のパッケージ構造が採用され
ている。このタイプのパッケージ３１は、上面の凹陥部
３２の内底面に通電用の電極３３を有し、この凹陥部３
２内に弾性表面波素子３４をフェイスダウン方式でフリ
ップチップ接続する構造を備えている。即ち、弾性表面
波素子３４はその圧電素板３５の下面にＩＤＴ電極４０
及び厚肉の電極パッド３６と、電極パッド３６上に予め
固着した金バンプ３７を有し、電極３３と電極パッド３
６とを一対一で対応させた状態で、バンプ３７と電極３
３との間を半田、或は熱圧着により接合することによ
り、弾性表面波素子３４の組付けが完了する。その後、
金属蓋３８を凹陥部３２の外枠上面に気密的に固定する
ことによりＳＡＷデバイスが完成する。

【０００９】この弾性表面波素子３４を構成する電極パ
ッド３６の表面は、上記従来例に関して説明した如き理
由によって自然酸化膜４５が被覆された状態となってお
り、ＩＤＴ電極４０の接続端部４０ａは、この自然酸化
膜４５を介して電極パッド３６上に積層一体化されてい
る。即ち、アルミニウム或はアルミニウム合金から成る
電極パッド３６を圧電素板上に真空蒸着法により形成し
た後で該圧電素板を一旦真空炉外に搬出し、スパッタ蒸
着用の真空炉内に移送する作業が行われる為、外気に触
れた時に電極パッド３６上に自然酸化膜４５が形成され
る。前述のように自然酸化膜４５は、電極パッド３６と
ＩＤＴ電極の接続端部４０ａとの間の導通を低下させ、
その結果ＳＡＷフィルタの特性を不安定化させる要因と
なる。このような自然酸化膜４５による悪影響を排除し
て電極パッド３６とＩＤＴ電極接続端部４０ａとの間の
導通状態を良好に維持する為に、本発明では、図１に示
すように完成されたＳＡＷデバイスをホットプレート５
０等の加熱手段上に載置して自然酸化膜４５を所要温度
（例えば、３００℃）にて３分以上加熱するようにし
た。その結果、図２のように電極パッド３６と接続端部
４０ａとの間に介在していた酸化膜４５の絶縁性が大幅
に低下し、電極パッド３６と接続端部４０ａとの間の導
通を良好化、安定化することができる。なお、酸化膜４
５は、電極パッド３６と金バンプ３７との間にも介在し
ているが、ホットプレート５０により加熱することによ
り、電極パッド３６と金バンプ３７との間の導通をも確
保することが可能となる。ところで、加熱によって酸化
膜４５の絶縁性が低下するという現象のメカニズムは、
現段階では正確には解明されていないが、酸化膜４５は
電極パッド３６の表面を緊密な密度で完全に被覆してい
る膜ではなく、散点的に分散した微小な酸化物質の集合
体として一つの膜を構成していると考えられる。従っ
て、粗密を有して散在した微小な酸化物質間には電極パ
ッド３６を構成する金属材料が露出した状態にある。酸
化膜４５を加熱する前においては、微小な酸化物質の集
合体が導通を阻害しているが、上記温度にて所要時間以
上加熱を行うと、電極パッド３６を構成する金属材料が
活性化するため、上記微小な酸化物質間に露出した金属
材料と接続端部４０ａとの間の導通不良状態が解消さ
れ、最適な電気的接続状態になる、と考えられる。

【００１０】図３は上記自然酸化膜を備えた一つのＳＡ
Ｗデバイスについて加熱前の減衰量、加熱後３分経過し
た時の減衰量、加熱後６分経過した時の減衰量を夫々示
す測定結果であり、縦軸にフルスケール１０ｄＢの減衰
量（ロス値）が示され、横軸には±５０ＭＨｚの範囲で
周波数が示されている。この図から明らかなように、本
実施形態により自然酸化膜４５による悪影響を排除した
ＳＡＷデバイスにあっては、３分以上加熱を行うことに
より、酸化膜に起因した特性のバラツキがなくなる。３
分以上の加熱であれば、６分加熱したとしても、特性の
変動量はほとんど皆無であった。このように最低３分間
加熱することによりＳＡＷデバイスの減衰量が定常値に
なるため、ＳＡＷデバイスのフィルタとしての特性を顧
客が要求するスペックの範囲内にとどめることができ、
信頼性を維持することができる。特に、ホットプレート
等の加熱手段を用いた熱処理を行わないでＳＡＷデバイ
スを出荷した場合、購入者が表面実装部品としてのＳＡ
Ｗデバイスを図示しないプリント基板上にリフロー実装
した時に、リフロー時の熱により自然酸化膜による悪影
響が部分的に排除されて特性の変動をもたらし、顧客に
納入した時の初期設定値と異なる特性となる虞れがあ
る。

【００１１】しかし、本実施の形態によれば、出荷前に
ＳＡＷデバイスを加熱するという極めて容易な方法によ
って酸化膜による悪影響を全面的に排除し、酸化膜に起
因した特性の変動を有効に防止することが可能となるの
で、生産性の低下やコストアップを招くことなく、ＳＡ
Ｗデバイスの特性を安定化して信頼性を高めることがで
きる。次に、図４は本発明の他の実施の形態において使
用するスパッタ蒸着装置の概略構成図であり、このスパ
ッタ蒸着装置は、真空炉６０内に方向転換可能な電子銃
６１を備えた構成を備えており、電子銃６１と対向する
位置にターゲット６２と、厚肉の電極パッド３６を備え
た圧電素板３５とを、夫々離間して配置している。な
お、圧電素板３５としては、個片に分離する前の大面積
の母材を用いてバッチ処理を行う。ターゲット６２は、
例えばＩＤＴ電極膜を形成する為のアルミニウム合金で
あり、電子銃６１をターゲット６２に向けた状態で高エ
ネルギーのイオンを照射することによりターゲット６２
を構成する金属原子が放出されて圧電素板３５へ向けて
飛翔し、圧電素板面に設けた図示しないマスクの形状に
応じて圧電素板上に付着し、所要の電極パターンを形成
する。この実施の形態の特徴的な点は、圧電素板面にＩ
ＤＴ電極４０を形成する前に、電子銃６１を圧電素板３
５へ向けて高エネルギーのイオンを照射することによ
り、マスクから露出した電極パッド３６の表面に形成さ
れた自然酸化膜４５を除去し、然る後に電子銃６１をタ
ーゲット６２に向けて照射することによりＩＤＴ電極膜
４０を形成するようにした点にある。このようにして製
造された弾性表面波素子は、電極パッド３６上に電極端
部４０ａが直接成膜されているので、両者間の電気的導
通は最適の状態となっている。更に、図５に基づいて詳
述すると、まず、図５(a) のように電子銃から高エネル
ギーのイオンを電極パッド表層の自然酸化膜４５に照射
すると、イオンと自然酸化膜を構成する原子との核衝突
によって酸化膜が除去される（スパッタクリーニン
グ）。次いで、図５(b) のように電子銃をターゲット６
２に向けてイオンを照射すると、ターゲット原子が放出
されて、図示しないマスクパターンに従って圧電素板３
５上に積層し、ＩＤＴ電極４０を形成する（図５(c)
）。

【００１２】次に、図６(a) はスパッタクリーニングを
受けていない弾性表面波素子について、ロット間での製
造バラツキが発生している状態を示す測定結果であり、
縦軸にフルスケール１０ｄＢの減衰量（ロス値）が示さ
れ、横軸には±５０ＭＨｚの範囲で周波数が示されてい
る。この図から明らかなように、スパッタクリーニング
により自然酸化膜を除去していない電極パッドを用いた
弾性表面波素子の特性は、個片毎に異なっていた。従っ
て、ＳＡＷデバイスの製造段階で個々のＳＡＷデバイス
毎に減衰量を調整する作業が必要となり、生産性を低下
させる原因となる。これに対して、図６(b) はスパッタ
クリーニングを受けた弾性表面波素子について、ロット
間での製造バラツキが発生していない状態を示す測定結
果である。この図から明らかなように、スパッタクリー
ニングにより自然酸化膜を除去した電極パッドを用いた
弾性表面波素子の特性は、個片毎の特性バラツキが大幅
に低減している。従って、ＳＡＷデバイスの製造段階で
個々のＳＡＷデバイス毎に減衰量を調整する作業が不要
となり、生産性を向上することができる。

【００１３】

【発明の効果】以上のように本発明では、酸化膜を有し
た弾性表面波素子を用いて製造されたＳＡＷデバイスを
ホットプレート等の加熱手段によって所要温度以上に加
熱することにより酸化膜に起因した導通の低下を解消さ
せたり、真空炉内において酸化膜を有した弾性表面波素
子に対してＩＤＴ電極をスパッタ蒸着により形成する直
前に電子銃によって酸化膜を除去するようにした。この
ため、真空蒸着法によって厚肉パッドを形成した圧電素
板を一旦真空炉外へ出してから、別の真空炉内にセット
してスパッタ蒸着法によってＩＤＴ電極を形成する場合
に、外気に触れた時に厚肉パッド表面に形成される酸化
膜が厚肉パッドとＩＤＴ電極の接続端部との導通を阻害
する要因となり、当該弾性表面波素子を用いて完成され
たＳＡＷデバイスの特性を低下させるという不具合を有
効に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法の第１の実施形態を説明する図。

【図２】本発明方法により自然酸化膜の影響を排除した
状態を示す図。

【図３】本発明方法により得られたＳＡＷデバイスのロ
スの変動を示す図。

【図４】本発明方法を実施するための第２の実施形態の
構成略図。

【図５】(a) (b) 及び(c) は第２の実施形態による成膜
手順を示す図。

【図６】(a) 及び(b) はパッド表面に対するスパッタク
リーニング有無による製造バラツキを比較する図。

【図７】(a) は従来の表面実装用の弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）デバイスのパッケージ構造を説明する為の内部斜視
図、(b) はその縦断面図。

【図８】(a) 及び(b) は他の従来例の説明図。

【図９】(a) 及び(b) は従来の弾性表面波素子の表面斜
視図、及びＸ−Ｘ断面図。

【図１０】他の従来例の弾性表面波素子の要部断面図。

【図１１】ロット間での製造バラツキが発生している状
態を示す測定結果図。

【符号の説明】

１ ＳＡＷデバイス、２ セラミックパッケージ、３
凹陥部、４ 弾性表面波素子、５ 金属蓋、１０ 段
差、１１ ワイヤボンディング用端子、１２ アースパ
ターン、１３ 接地用電極面、１５ シームリング、２
０ 圧電素板、２１ＩＤＴ電極、２２ ボンディング用
電極、３１ パッケージ、３２ 凹陥部、３３ 通電用
の電極、３４ 弾性表面波素子、３５ 圧電素板、３６
電極パッド、３７ 金バンプ、３８ 金属蓋、４０
ＩＤＴ電極、４５ 自然酸化膜、５０ ホットプレート
（加熱手段）、６０ 真空炉、６１ 電子銃、６２ タ
ーゲット。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電素板と、該圧電素板面に形成された
   ＩＤＴ電極と、圧電素板面に形成され且つ金バンプとの
   接合性が良好な金属から成る厚肉の電極パッドと、を有
   し、ＩＤＴ電極から延びた接続端部が電極パッド上に積
   層状態で接続された弾性表面波素子と、 該弾性表面波素子をフェイスダウン状態で収納し、且つ
   内底面の各電極と各電極パッドとを上記金バンプを介し
   て接続した構成を備えた絶縁パッケージと、 該絶縁パッケージの開口を気密封止する金属蓋と、 を備えたＳＡＷデバイスの製造方法において、 上記電極パッドの表面に形成された酸化膜を介してＩＤ
   Ｔ電極の接続端部が積層接続されている場合に、 上記ＳＡＷデバイスを所要温度にて加熱することにより
   上記酸化膜による導通阻害を排除することを特徴とする
   ＳＡＷデバイスの製造方法。
2. 【請求項２】 圧電素板と、該圧電素板上に形成された
   ＩＤＴ電極と、圧電素板上に形成され且つ金バンプとの
   接合性が良好な金属から成る厚肉の電極パッドと、を有
   し、ＩＤＴ電極から延びた接続端部が電極パッド上に積
   層状態で接続された弾性表面波素子と、 該弾性表面波素子をフェイスダウン状態で収納し、且つ
   内底面の各電極と各電極パッドとを上記金バンプを介し
   て接続した構成を備えた絶縁パッケージと、 該絶縁パッケージを気密封止する金属蓋と、 を備えたＳＡＷデバイスの製造方法において、 表面に電極パッドを形成した圧電素板にマスクを施して
   真空炉内で電子銃からターゲットに向けてイオンを照射
   するスパッタ工程を行う直前に、同じ真空炉内で圧電素
   板上の電極パッドに電子銃からイオンを照射することに
   より電極膜上の酸化膜を除去することを特徴とするＳＡ
   Ｗデバイスの製造方法。