JP2001085462A - 半導体ボンディングワイヤー巻き取り用スプール - Google Patents

半導体ボンディングワイヤー巻き取り用スプール

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JP2001085462A JP26164699A JP26164699A JP2001085462A JP 2001085462 A JP2001085462 A JP 2001085462A JP 26164699 A JP26164699 A JP 26164699A JP 26164699 A JP26164699 A JP 26164699A JP 2001085462 A JP2001085462 A JP 2001085462A
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semiconductor bonding
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Yuichi Miyahara
勇一 宮原
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Mitsubishi Materials Corp
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    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65HHANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H2701/00Handled material; Storage means
    • B65H2701/30Handled filamentary material
    • B65H2701/36Wires
    • B65H2701/361Semiconductor bonding wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
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    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ボンディングワイヤーを一層長く巻き取
ることのできる半導体ボンディングワイヤー巻き取り用
スプールを提供する。 【解決手段】胴3とその両端に設けられたフランジ2か
らなる半導体ボンディングワイヤー1を巻き取るための
スプールにおいて、胴3の外周面に両端から中央部に向
けて傾斜する平面状傾斜側壁面4を設けたスプール。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ボンディ
ングワイヤーを一層長く巻き取ることのできる半導体ボ
ンディングワイヤー巻き取り用スプールに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ボンディングワイヤーの
巻き取り用スプールは、図4の断面図に示されるよう
に、筒状の胴3の両端にフランジ2、2´を設けた構造
を有しており、金線からなる半導体ボンディングワイヤ
ー1は適度の張力をかけながら緩まないように胴3に巻
き取られる。このようにして巻き取られた半導体ボンデ
ィングワイヤー1は、図4の断面図に示されるように、
胴3に最初に巻き取った層を第1層、第1層の上に巻き
取った層を第2層とし、順次、第3層、第4層……のご
とく巻き取って巻き取りが終了する。 このようにして
巻き取られた半導体ボンディングワイヤーの巻き取り層
は、図4の断面図に示されるように、上層となるにした
がって幅が狭くなり、巻取り終わった層の集合の断面は
台形状をなしている。また、図示されてはいないが、前
記半導体ボンディングワイヤーの巻始め端部はフランジ
の外側に接着テープによりテープ止めされ、一方、巻終
り端部はフランジの内側に接着テープによりテープ止め
することにより固定される。
【0003】かかる従来のスプールを用い、従来の方法
で巻き取ることのできる半導体ボンディングワイヤーの
長さは、標準的なAL4サイズの大きさのスプールの場
合、最大で3000m程度が限度であり、これ以上長く
巻き取ると、輸送時の振動などによって巻き崩れが発生
するので好ましくない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体装置の製
造スピードが高まると共に、単位時間当りの半導体ボン
ディングワイヤーの消費量も多くなり、それに伴って半
導体ボンディングワイヤーを巻き取ったスプールのボン
ディング装置における交換も頻繁に行われる。しかし、
空になったスプールと半導体ボンディングワイヤーの巻
いてあるスプールとの交換には、ボンディング作業を一
時中断しなければならず、スプールの頻繁な交換は半導
体装置の製造効率を低下させる。そのために、従来より
も長く半導体ボンディングワイヤーを巻くことのできる
スプールが求められている。
【0005】しかし、前述のように、従来のスプールを
用い従来の方法で巻き取ることのできる半導体ボンディ
ングワイヤーの長さは、標準的なAL4サイズの大きさ
のスプールの場合、3000m程度が限度であり、これ
以上長く巻き取ることのできないところから、半導体ボ
ンディングワイヤーを一層長く巻き取ることのできるス
プールが求められていた。
【0006】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
半導体ボンディングワイヤーを5000m以上巻いても
輸送時などに巻き崩れが発生することのないスプールを
開発すべく研究を行った結果、(a)図1の断面図に示
されるように、胴3の外周面に両端から中央部に向けて
傾斜する平面状傾斜側壁面4を設けたスプールに半導体
ボンディングワイヤーを巻き取ると、半導体ボンディン
グワイヤー1は5000m〜8000m巻き取っても傾
斜側壁面4に常に支えられて、輸送時の振動などで巻き
崩れが発生することはない、(b)胴3の外周面に設け
られた両端から中央部に向けて傾斜する傾斜側壁面は、
図2の断面図に示されるように、曲面状傾斜側壁面5で
あっても良い、(c)胴3の外周面に設けられた両端か
ら中央部に向けて傾斜する傾斜側壁面は、図3の断面図
に示されるように、階段状傾斜側壁面6であっても良
い、という知見を得たのである。
【0007】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、(1)胴とその両端に設けられたフ
ランジからなる半導体ボンディングワイヤー巻き取り用
スプールにおいて、前記胴の外周面に、両端から中央部
に向けて傾斜する傾斜側面を設けた半導体ボンディング
ワイヤー巻き取り用スプール、(2)前記胴の外周面に
設けた両端から中央部に向けて傾斜する傾斜側面は、平
面状傾斜側面である(1)記載の半導体ボンディングワ
イヤー巻き取り用スプール、(3)前記胴の外周面に設
けた両端から中央部に向けて傾斜する傾斜側面は、曲面
状傾斜側面である(1)記載の半導体ボンディングワイ
ヤー巻き取り用スプール、(4)前記胴の外周面に設け
た両端から中央部に向けて傾斜する傾斜側面は、階段状
傾斜側面である(1)記載の半導体ボンディングワイヤ
ー巻き取り用スプール、に特徴を有するものである。
【0008】この発明の半導体ボンディングワイヤー巻
き取り用スプールは、胴の外周面に両端から中央部に向
けて傾斜する傾斜側面を設けたことを特徴とするもので
あり、前記傾斜側壁面は、平面状、曲面状または階段状
の傾斜側壁面であれば良いが、この中でも特に階段状の
傾斜側壁面を有するスプールが輸送時の巻き崩れ発生が
最も少なく最も好ましい。この階段状傾斜側壁面は階段
によって半導体ボンディングワイヤーの巻き取り列が段
階的に支持され、それによって輸送時の振動などで巻き
崩れが発生することは極めて少なくなると考えられる。
前記階段状傾斜側壁面の先端部Sは、図3の断面図に示
されるように、面取り加工することが一層好ましい。
【0009】この発明の半導体ボンディングワイヤー巻
き取り用スプールは、合成樹脂を射出成形したりアルミ
ニウム合金の円柱体を切削加工または塑性加工すること
により製造することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】実施例1 図1に示されるように、胴3の外周面に両端から中央部
に向けて傾斜する平面状傾斜側壁面4を設けたAL4サ
イズ相当の大きさのスプールを用意し、このスプールに
直径:30μmの金線からなる半導体ボンディングワイ
ヤーを6000m巻き取り、この半導体ボンディングワ
イヤーを巻き取ったスプールをケース(図示せず)に収納
した状態で0.5mの高さから落下させる落下試験を2
0回行ったが、ワイヤーの巻き崩れは発生しなかった。
【0011】実施例2 図2に示されるように、胴3の外周面に両端から中央部
に向けて傾斜する曲面状傾斜側壁面5を設けたAL4サ
イズ相当の大きさのスプールを用意し、このスプールに
直径:30μmの金線からなる半導体ボンディングワイ
ヤーを6000m巻き取り、この半導体ボンディングワ
イヤーを巻き取ったスプールをケース(図示せず)に収納
した状態で0.5mの高さから落下させる落下試験を2
0回行ったが、ワイヤーの巻き崩れは発生しなかった。
【0012】実施例3 図3に示されるように、胴3の外周面に両端から中央部
に向けて傾斜する階段状傾斜側壁面6を設けたAL4サ
イズ相当の大きさのスプールを用意し、このスプールに
直径:30μmの金線からなる半導体ボンディングワイ
ヤーを8000m巻き取り、この半導体ボンディングワ
イヤーを巻き取ったスプールをケース(図示せず)に収納
した状態で0.5mの高さから落下させる落下試験を2
0回行ったが、ワイヤーの巻き崩れは発生しなかった。
【0013】従来例1 図4に示されるように、円筒状の胴3とフランジ2、2
´からなる公知のAL4サイズスプールを用意し、この
スプールに直径:30μmの金線からなる半導体ボンデ
ィングワイヤーを5000m巻き取り、この半導体ボン
ディングワイヤーを巻き取ったスプールをケース(図示
せず)に収納した状態で0.5mの高さから落下させる
落下試験を行ったところ、1回目の落下試験でワイヤー
の巻き崩れは発生した。
【0014】
【発明の効果】上述のように、実施例1〜3のスプール
は、半導体ボンディングワイヤーを5000m以上巻き
取って0.5mの高さから落下させる落下試験を20回
行っても巻き崩れが発生することはないが、従来例1の
スプールは半導体ボンディングワイヤーを5000m巻
き取って落下試験を行うと、一回の落下試験で巻き崩れ
が発生するところから、この発明のスプールは、従来の
スプールに比べて半導体ボンディングワイヤーを格段に
長く巻き取ることができ、半導体ボンディング作業の中
断回数を少なくすることができて一層効率良く半導体装
置のボンディングを行うことができ、半導体装置産業の
発展に大いに貢献し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の半導体ボンディングワイヤー巻き取
り用スプールの断面図である。
【図2】この発明の半導体ボンディングワイヤー巻き取
り用スプール断面図である。
【図3】この発明の半導体ボンディングワイヤー巻き取
り用プールの断面図である。
【図4】従来の半導体ボンディングワイヤー巻き取り用
スプールの断面図である。
【符号の説明】
1 半導体ボンディングワイヤー 2 フランジ 3 胴 4 平面状傾斜側面 5 曲面状傾斜側面 6 階段状傾斜側面

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】胴とその両端に設けられたフランジからな
    る半導体ボンディングワイヤー巻き取り用スプールにお
    いて、 前記胴の外周面に、両端から中央部に向けて傾斜する傾
    斜側面を設けたことを特徴とする半導体ボンディングワ
    イヤー巻き取り用スプール。
  2. 【請求項2】前記胴の外周面に設けた両端から中央部に
    向けて傾斜する傾斜側面は、平面状傾斜側面であること
    を特徴とする請求項1記載の半導体ボンディングワイヤ
    ー巻き取り用スプール。
  3. 【請求項3】前記胴の外周面に設けた両端から中央部に
    向けて傾斜する傾斜側面は、曲面状傾斜側面であること
    を特徴とする請求項1記載の半導体ボンディングワイヤ
    ー巻き取り用スプール。
  4. 【請求項4】前記胴の外周面に設けた両端から中央部に
    向けて傾斜する傾斜側面は、階段状傾斜側面であること
    を特徴とする請求項1記載の半導体ボンディングワイヤ
    ー巻き取り用スプール。
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