JP2001077511A - Manufacture of ceramic board - Google Patents

Manufacture of ceramic board

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JP2001077511A
JP2001077511A JP25300099A JP25300099A JP2001077511A JP 2001077511 A JP2001077511 A JP 2001077511A JP 25300099 A JP25300099 A JP 25300099A JP 25300099 A JP25300099 A JP 25300099A JP 2001077511 A JP2001077511 A JP 2001077511A
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JP
Japan
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metal conductor
conductor layer
paste
ceramic substrate
dried
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JP25300099A
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Japanese (ja)
Inventor
Kosei Okumura
孝正 奥村
Fumiyoshi Nakamura
文義 中村
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Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Original Assignee
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a ceramic board, where generation of cracks of a metal conductor later to be caused by partial thickening is prevented. SOLUTION: In this manufacturing method, an alumina board, the main body on which a first conductor paste dried member is formed (S2) is baked (S3), and a first metal conductor layer is formed on the surface of the alumina board main body and stuck stiffly and closely to the alumina board main body. After that, a conductor paste is spread on the first metal conductor layer (S4) and dried (S5), and a second conductor paste dried member is formed and baked (S6). At this baking, even if partial thickening is performed by forming a second metal conductor later on the first metal conductor layer, only baking contraction is generated on the second metal conductor layer, the stress is not concentrated in a boundary part between the second metal conductor layer and the first metal conductor layer, i.e., a boundary part between a thickened part and a non-thickened part, generation of craks on the first metal conductor layer is prevented, and generation of disconnection can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板の
製造方法に関し、特にエレクトロニクス用セラミックパ
ッケージおよび回路基板として用いられるセラミック基
板の製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic substrate, and more particularly to a method for manufacturing a ceramic substrate used as a ceramic package for electronics and a circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器はますます高性能、小型
および高密度になってきており、これらに実装される半
導体装置は多ピンおよびマルチチップになりつつある。
これに伴い、ICチップやLSIチップ等のボンディン
グ法として、ワイヤボンディング法、TAB(Tape Aut
omated Bonding)方式よりもフリップチップ方式が多く
採用されるようになってきている。フリップチップ方式
とはLSIの一方の面に形成されたパッド上にさらに半
田バンプを形成し、この半田バンプを基板側電極パッド
と接続する方法である。フリップチップ方式は、接続
長さを短縮でき、電気特性が良好となる、狭ピッチに
しなくてもパッドを多く形成することができる、LS
I面積とパッケージ面積との比を大きくすることができ
る、搭載厚さを薄くすることができる等の長所を有し
ている。
2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have become more and more sophisticated, compact, and high-density, and semiconductor devices mounted on them have become multi-pin and multi-chip.
Along with this, wire bonding and TAB (Tape Aut) have been used as bonding methods for IC chips and LSI chips.
The flip chip method is more often used than the omated bonding method. The flip chip method is a method in which a solder bump is further formed on a pad formed on one surface of an LSI, and the solder bump is connected to a substrate-side electrode pad. In the flip chip method, the connection length can be shortened, the electrical characteristics can be improved, more pads can be formed without a narrow pitch, and LS
It has such advantages that the ratio between the I area and the package area can be increased and the mounting thickness can be reduced.

【0003】また半導体装置において、ICチップやL
SIチップ等の半導体素子は、基板に設けられた半導体
素子搭載部に実装されて実用に供されている。アルミナ
等のセラミックスは耐熱性、耐久性、熱伝導性等に優れ
るため、この基板の材料として適しており、セラミック
製の半導体基板は現在盛んに使用されている。
In a semiconductor device, an IC chip or L
2. Description of the Related Art A semiconductor element such as an SI chip is mounted on a semiconductor element mounting portion provided on a substrate and put to practical use. Ceramics such as alumina are suitable as a material for this substrate because they have excellent heat resistance, durability, thermal conductivity, and the like, and ceramic semiconductor substrates are currently being used actively.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このようなセラミック
基板上に導体パターンを形成する場合、導体粒子とし
て、例えばW、Mo、Ni、Au、Ag、Ag/Pd合
金、Ag/Pt合金、Cu等を含有する導体ペーストが
用いられている。電子機器の高密度化に伴い、セラミッ
ク基板上に形成する導体パターンは微細化されてきてお
り、配線の幅は細くなっているため、導体配線に使用す
る導体金属はなるべく電気抵抗が低いものが好ましい。
上記の金属の中で低抵抗の金属としては、Au、Ag、
Ag/Pd合金、Ag/Pt合金、Cuが挙げられる
が、Auは高価であり、Agは湿潤雰囲気下でマイグレ
ーションを起こし易い等の問題点を有するため、これら
の中ではCu、Ag/Pt合金、Ag/Pd合金が好ま
しい。なお、上記の金属導体層の酸化防止、ならびに金
属導体層にはんだを接合するとき、はんだ層と金属導体
層との反応による金属導体層のセラミック基板との密着
性の低下を防止し、金属導体層に対するはんだ濡れ性を
確保するために、通常、導体パターン形成後に金属導体
層の表面にNiめっきおよびAuめっきを施している。
When a conductive pattern is formed on such a ceramic substrate, conductive particles such as W, Mo, Ni, Au, Ag, Ag / Pd alloy, Ag / Pt alloy, Cu, etc. Is used. With the increase in density of electronic equipment, conductor patterns formed on ceramic substrates have been miniaturized, and the width of wiring has been narrowed, so that conductor metals used for conductor wiring should have the lowest possible electrical resistance. preferable.
Among the above metals, low-resistance metals include Au, Ag,
Ag / Pd alloy, Ag / Pt alloy, and Cu can be mentioned. However, Au is expensive, and Ag has problems such as easy migration in a humid atmosphere. , Ag / Pd alloy is preferred. In addition, when the above-mentioned metal conductor layer is prevented from being oxidized, and when the solder is joined to the metal conductor layer, the adhesion between the metal conductor layer and the ceramic substrate due to the reaction between the solder layer and the metal conductor layer is prevented from being reduced. In order to ensure the solder wettability to the layer, the surface of the metal conductor layer is usually plated with Ni and Au after forming the conductor pattern.

【0005】ところで、セラミック基板上に導体パター
ンを形成する方法としては、薄膜法、めっき法、厚膜法
等に大別されるが、スクリーン印刷等により行われる厚
膜法は、セラミック基板との充分な密着強度を有する導
体パターンを低コストで形成することができる。
The method of forming a conductive pattern on a ceramic substrate is roughly classified into a thin film method, a plating method, a thick film method, and the like. A conductor pattern having a sufficient adhesion strength can be formed at low cost.

【0006】セラミック基板上に導体パターンを印刷に
より形成する場合、導通抵抗を低下させるため、部分的
に金属導体層を多層印刷する、いわゆる部分厚付けを施
すことがある。一般に部分厚付けは、印刷および乾燥を
複数回繰り返し、多層印刷後、焼成を行って形成され
る。しかしながら、金属導体層の焼結過程において、下
層の金属導体層をセラミック基板本体に接合するための
機械的な噛み合わせのアンカー効果が発現する前に上層
および下層の金属導体層が縮みだし、この収縮力により
上層の金属導体層と下層の金属導体層との境界部、すな
わち厚付け箇所と厚付けでない箇所との境界部に応力が
集中して下層の金属導体層に亀裂が発生するとういう問
題があった。さらに、上記の亀裂が拡大すると、下層の
金属導体層が断線を起こすとういう問題があった。
When a conductive pattern is formed on a ceramic substrate by printing, a so-called partial thickening is sometimes performed in which a metal conductive layer is partially printed in multiple layers in order to reduce conduction resistance. Generally, the partial thickening is performed by repeating printing and drying a plurality of times, and performing baking after multilayer printing. However, during the sintering process of the metal conductor layer, the upper and lower metal conductor layers shrink before an anchor effect of mechanical engagement for joining the lower metal conductor layer to the ceramic substrate body is developed. It is said that stress is concentrated on the boundary between the upper metal conductor layer and the lower metal conductor layer due to the contraction force, that is, the boundary between the thickened part and the non-thickened part, and cracks are generated in the lower metal conductor layer. There was a problem. Further, there is a problem that when the crack is enlarged, the lower metal conductor layer is disconnected.

【0007】本発明は、このような問題を解決するため
なされたものであり、部分厚付けを施すことによる金属
導体層の亀裂の発生を防止するセラミック基板の製造方
法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a ceramic substrate for preventing a metal conductor layer from being cracked by applying a partial thickness. I do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
セラミック基板の製造方法によると、セラミック基板本
体の表面に導体ペーストを塗布し乾燥して第1の導体ペ
ースト乾燥体を形成し、第1の導体ペースト乾燥体を形
成したセラミック基板本体を焼成してセラミック基板本
体の表面に第1の金属導体層を形成し、第1の金属導体
層上に導体ペーストを塗布し乾燥して第2の導体ペース
ト乾燥体を形成し、第1の金属導体層上に第2の導体ペ
ースト乾燥体を形成したセラミック基板本体を焼成して
第1の金属導体層上に第2の金属導体層を形成する。
According to the method of manufacturing a ceramic substrate according to the first aspect of the present invention, a conductor paste is applied to the surface of a ceramic substrate body and dried to form a first dried conductor paste. The ceramic substrate body on which the first conductor paste dried body is formed is fired to form a first metal conductor layer on the surface of the ceramic substrate body, and a conductor paste is applied on the first metal conductor layer, dried and dried. The second dried conductor paste is formed on the first metal conductor layer, and the ceramic substrate body having the second dried conductor paste formed on the first metal conductor layer is fired to form a second metal conductor layer on the first metal conductor layer. Form.

【0009】本発明のセラミック基板本体としては、特
に限定されない。例えば、アルミナ基板本体、窒化アル
ミ基板本体、ムライト基板本体、低温焼成のガラス基板
本体等、各種セラミック材料を用いることができる。セ
ラミック基板本体は、構造、形態、その製造方法に特に
限定されない。単層であってもよいし、多層であっても
よい。多層のセラミック成形体の製造方法としては、厚
膜多層印刷法やグリーンシート多層積層法などが挙げら
れる。
The ceramic substrate body of the present invention is not particularly limited. For example, various ceramic materials such as an alumina substrate main body, an aluminum nitride substrate main body, a mullite substrate main body, and a low-temperature fired glass substrate main body can be used. The ceramic substrate body is not particularly limited in structure, form, and manufacturing method. It may be a single layer or a multilayer. Examples of a method for producing a multilayer ceramic molded body include a thick film multilayer printing method and a green sheet multilayer laminating method.

【0010】導体ペーストをセラミック基板本体に塗布
する方法としては、スクリーン印刷等の印刷法が好適で
ある。第1および第2の金属導体層は、セラミック基板
本体の片面のみに形成してもよいし、セラミック基板本
体の両面に形成してもよい。セラミック基板本体の片面
のみに第1および第2の金属導体層を形成した場合、セ
ラミック基板の片面のみの配線基板となり、セラミック
成形体の両面に第1および第2の金属導体層を形成した
場合、両面配線基板となる。
[0010] As a method of applying the conductive paste to the ceramic substrate body, a printing method such as screen printing is suitable. The first and second metal conductor layers may be formed on only one surface of the ceramic substrate main body, or may be formed on both surfaces of the ceramic substrate main body. When the first and second metal conductor layers are formed only on one surface of the ceramic substrate main body, the wiring substrate is formed on only one surface of the ceramic substrate, and the first and second metal conductor layers are formed on both surfaces of the ceramic molded body. And a double-sided wiring board.

【0011】第1の導体ペースト乾燥体を形成したセラ
ミック基板本体を焼成してセラミック基板本体の表面に
第1の金属導体層を形成することで、第1の金属導体層
をセラミック基板本体に接合するための機械的な噛み合
わせのアンカー効果により、第1の金属導体層はセラミ
ック基板本体に強固に密着する。その後、第1の金属導
体層上に導体ペーストを塗布し乾燥して第2の導体ペー
スト乾燥体を形成し、焼成する場合、第1の金属導体層
上に第2の金属導体層を形成して部分厚付けを施して
も、第2の金属導体層に焼成収縮が生じるのみで、第2
の金属導体層と第1の金属導体層との境界部、すなわち
厚付け箇所と厚付けでない箇所との境界部に応力が集中
することはなく、第1の金属導体層に亀裂が発生するこ
とを防止し、断線を起こすことを防止することができ
る。したがって、セラミック基板の特性が向上し、信頼
性を高めて品質が安定したセラミック基板を製造するこ
とができる。
The first metal conductor layer is joined to the ceramic substrate body by firing the ceramic substrate body on which the first conductor paste dried body has been formed to form a first metal conductor layer on the surface of the ceramic substrate body. The first metal conductor layer firmly adheres to the ceramic substrate main body due to the mechanical meshing anchor effect. Then, a conductor paste is applied on the first metal conductor layer and dried to form a second conductor paste dry body, and when firing, a second metal conductor layer is formed on the first metal conductor layer. Even if partial thickening is performed, firing shrinkage only occurs in the second metal conductor layer.
Stress is not concentrated on the boundary between the first metal conductor layer and the first metal conductor layer, that is, the boundary between the thickened portion and the non-thickened portion, and cracks are generated in the first metal conductor layer. Can be prevented, and disconnection can be prevented. Therefore, the characteristics of the ceramic substrate are improved, and the reliability is enhanced, and a ceramic substrate with stable quality can be manufactured.

【0012】本発明の請求項2記載のセラミック基板の
製造方法によると、導体ペーストは、Cu系あるいはA
g系の導体粒子を含有しているので、金属導体層の電気
抵抗を低減して導体パターンを微細にすることができ
る。したがって、電子機器の高性能化、小型化および高
密度化に対応することができる。本発明に用いられる導
体ペーストとしては、上記の導体粒子の他に例えばガラ
ス粉末、バインダおよび溶剤等を含有する。
According to the method of manufacturing a ceramic substrate according to the second aspect of the present invention, the conductive paste is made of Cu or A
Since the g-type conductive particles are contained, the electrical resistance of the metal conductive layer can be reduced and the conductive pattern can be made finer. Therefore, it is possible to cope with higher performance, smaller size, and higher density of electronic devices. The conductor paste used in the present invention contains, for example, glass powder, a binder, a solvent, and the like, in addition to the conductor particles described above.

【0013】導体粒子の平均粒径は、0.5〜10μm
の範囲内にあるのが好ましい。導体粒子の平均粒径が
0.5μm未満では、導体粒子の嵩比重が小さくなりペ
ースト化のために多量の溶剤を必要とするため、結果的
には導体ペースト中の導体粒子の含有率が低下し、セラ
ミック基板に焼き付けた際、緻密に焼結した金属導体層
が形成されない。また、導体粒子の平均粒径が10μm
を超えると、微細な導体パターンを形成するのが難しく
なる。
The average particle size of the conductive particles is 0.5 to 10 μm
Is preferably within the range. When the average particle size of the conductive particles is less than 0.5 μm, the bulk specific gravity of the conductive particles becomes small and a large amount of solvent is required for forming a paste, and as a result, the content of the conductive particles in the conductive paste decreases. However, when baked on a ceramic substrate, a densely sintered metal conductor layer is not formed. The average particle size of the conductive particles is 10 μm.
If it exceeds, it becomes difficult to form a fine conductor pattern.

【0014】導体ペースト中の導体粒子の含有量は80
〜90wt%が好ましい。導体ペースト中の導体粒子の
含有量が80wt%未満であると形成される導体層の導
電率が小さくなる。また、導体粒子の含有量が90wt
%を超えると金属導体層のセラミック基板本体に対する
接着性が低下する。
The content of the conductive particles in the conductive paste is 80
~ 90 wt% is preferred. If the content of the conductive particles in the conductive paste is less than 80 wt%, the conductivity of the formed conductive layer will be small. In addition, the content of the conductive particles is 90 wt.
%, The adhesiveness of the metal conductor layer to the ceramic substrate body decreases.

【0015】導体ペーストは、通常、ガラス粉末を含有
しており、ガラス粉末としては、ホウ珪酸系ガラスに各
種金属が添加されたものなど、従来より導体ペーストに
使用されている公知のものを使用することができる。上
記のホウ珪酸系ガラスとしては、比較的化学的耐久性に
優れた鉛ホウ珪酸系ガラスが好ましい。また、ガラス粉
末の平均粒径は0.5〜10μmの範囲内にあることが
好ましい。ガラス粉末の平均粒径が0.5μm未満であ
ると、金属導体層とセラミック基板本体との接着力が小
さくなる。また、ガラス粉末の平均粒径が10μmを超
えると、微細な導体パターンを形成するのが難しくな
る。なお、ガラス粉末に加えて、金属導体層をセラミッ
ク基板に接着させる作用を有する酸化銅、酸化亜鉛等の
金属酸化物の粉末を添加してもよい。
The conductor paste usually contains a glass powder. As the glass powder, a known paste which has been conventionally used for a conductor paste, such as borosilicate glass to which various metals are added, is used. can do. As the borosilicate glass, a lead borosilicate glass having relatively excellent chemical durability is preferable. Further, the average particle size of the glass powder is preferably in the range of 0.5 to 10 μm. When the average particle size of the glass powder is less than 0.5 μm, the adhesive strength between the metal conductor layer and the ceramic substrate main body becomes small. If the average particle size of the glass powder exceeds 10 μm, it becomes difficult to form a fine conductor pattern. Note that, in addition to the glass powder, a powder of a metal oxide such as copper oxide or zinc oxide which has a function of bonding the metal conductor layer to the ceramic substrate may be added.

【0016】導体ペースト中のガラス粉末の含有量は
0.1〜10wt%が好ましい。ガラス粉末の含有量が
0.1wt%未満であると、形成された金属導体層のセ
ラミック基板本体に対する接着力が小さくなる。また、
ガラス粉末の含有量が10wt%を超えると、導電率が
小さくなる。
The content of the glass powder in the conductor paste is preferably 0.1 to 10% by weight. When the content of the glass powder is less than 0.1 wt%, the adhesive strength of the formed metal conductor layer to the ceramic substrate body becomes small. Also,
When the content of the glass powder exceeds 10% by weight, the electrical conductivity decreases.

【0017】導体ペースト中には、通常、導体粒子とガ
ラス粉末とを分散させるためのビヒクルとしてバインダ
および溶剤等が使用されている。導体ペースト用のバイ
ンダとしては、例えばアクリル樹脂、セルロース樹脂、
メタクリル樹脂等の公知の樹脂が挙げられる。また、導
体ペースト用の溶剤としては、例えばトルエン、キシレ
ン、テルピネオール、ジブチルフタレート等の公知の溶
剤が挙げられる。導体ペースト中のバインダの含有量は
0.5〜6wt%が好ましく、溶剤の含有量は2〜10
wt%が好ましい。
In the conductor paste, a binder, a solvent and the like are usually used as a vehicle for dispersing the conductor particles and the glass powder. As a binder for the conductor paste, for example, acrylic resin, cellulose resin,
Known resins such as methacrylic resin are exemplified. Examples of the solvent for the conductive paste include known solvents such as toluene, xylene, terpineol, and dibutyl phthalate. The content of the binder in the conductive paste is preferably 0.5 to 6% by weight, and the content of the solvent is 2 to 10% by weight.
wt% is preferred.

【0018】バインダの含有量が0.5wt%未満では
印刷に必要な導体ペーストの粘度が小さくなりすぎるた
め、導体ペーストの分散性が低下して凝集あるいは沈殿
し易くなり、塗布、乾燥後に導体ペースト乾燥体をセラ
ミック基板本体に接着させることができない。また、バ
インダの含有量が6wt%を超えると、導体ペーストの
粘度上昇により流動性が低下して印刷を良好に行うこと
ができなくなる。
When the content of the binder is less than 0.5 wt%, the viscosity of the conductor paste required for printing is too small, so that the dispersibility of the conductor paste is reduced, and the conductor paste is easily aggregated or precipitated. The dried body cannot be adhered to the ceramic substrate body. On the other hand, if the content of the binder exceeds 6% by weight, the viscosity of the conductive paste increases and the fluidity decreases, so that printing cannot be performed well.

【0019】また、溶剤の含有量が2wt%未満では導
体ペーストの流動性が低下して印刷を良好に行うことが
できなくなり、溶剤の含有量が10wt%を超えると、
固形物の含有量が低くなるため、印刷した導体ペースト
を焼成するときに収縮が大きくなる。導体ペーストの調
製は3本ロールを使用する方法等、公知の調製方法を用
いて調製することができる。
On the other hand, if the content of the solvent is less than 2 wt%, the fluidity of the conductor paste is reduced, and printing cannot be performed satisfactorily. If the content of the solvent exceeds 10 wt%,
Since the solid content is low, shrinkage increases when the printed conductor paste is fired. The conductive paste can be prepared by a known preparation method such as a method using three rolls.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の複数の実施例を図
面に基づいて説明する。 (第1実施例)本発明をアルミナ基板の製造方法に適用
した第1実施例について、図1〜図4を用いて説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a plurality of embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. (First Embodiment) A first embodiment in which the present invention is applied to a method for manufacturing an alumina substrate will be described with reference to FIGS.

【0021】まず、アルミナ基板本体の作製方法につい
て述べる。アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、焼成タ
ルク、炭酸カルシウム等の焼結助剤と、酸化チタン、酸
化クロム、酸化モリブデン等の着色剤を少量加えた粉体
に、ジオキシルフタレート等の可塑剤、アクリル樹脂等
のバインダおよびトルエン、キシレン、アルコール類等
の溶剤を加え、十分に混練して粘度2000〜4000
0cpsのスラリを作製し、ドクターブレード法によっ
て例えば0.3mm厚のアルミナのグリーンシートを形
成する。このアルミナグリーンシートを窒素−水素混合
ガス雰囲気中で1500〜1600℃で焼成することに
より、アルミナ基板本体が得られる。
First, a method for manufacturing an alumina substrate body will be described. Add a sintering aid such as magnesia, silica, calcined talc, calcium carbonate, etc. to alumina powder and a small amount of coloring agent such as titanium oxide, chromium oxide, molybdenum oxide. And a solvent such as toluene, xylene, alcohol, etc., and sufficiently kneaded to obtain a viscosity of 2,000 to 4,000.
A slurry of 0 cps is prepared, and a green sheet of, for example, 0.3 mm thick alumina is formed by a doctor blade method. By firing this alumina green sheet at 1500 to 1600 ° C. in a nitrogen-hydrogen mixed gas atmosphere, an alumina substrate body is obtained.

【0022】次に、上記のアルミナ基板本体の表面に導
体パターンを形成する方法について述べる。 (1) 図2に示すように、アルミナ基板本体1の表面に導
体粒子としてのCu粉末、ガラス粉末、バインダおよび
溶剤等を含有する導体ぺーストをスクリーン印刷法によ
り印刷し(図1のステップS1)、乾燥して(図1のス
テップS2)第1の導体ぺースト乾燥体2を形成する。
Next, a method for forming a conductor pattern on the surface of the alumina substrate body will be described. (1) As shown in FIG. 2, a conductor paste containing Cu powder, glass powder, a binder, a solvent and the like as conductor particles is printed on the surface of the alumina substrate body 1 by a screen printing method (Step S1 in FIG. 1). ) And dried (step S2 in FIG. 1) to form the first dried conductor paste body 2.

【0023】(2) 電気式連続ベルト炉を使用して、表面
に第1の導体ぺースト乾燥体2を形成したアルミナ基板
本体1を窒素雰囲気中で900℃、10〜20分の保持
条件で焼成し(図1のステップS3)、アルミナ基板本
体1の表面に第1の金属導体層を形成する。
(2) Using an electric continuous belt furnace, the alumina substrate body 1 having the first conductor paste dried body 2 formed on the surface is held at 900 ° C. for 10 to 20 minutes in a nitrogen atmosphere. By firing (Step S3 in FIG. 1), a first metal conductor layer is formed on the surface of the alumina substrate body 1.

【0024】(3) 図3に示すように、第1の金属導体層
20上に上記の(1)で用いたのと同様の導体ぺーストを
スクリーン印刷法により印刷し(図1のステップS
4)、乾燥して(図1のステップS5)第2の導体ぺー
スト乾燥体3を形成する。
(3) As shown in FIG. 3, a conductor paste similar to that used in the above (1) is printed on the first metal conductor layer 20 by a screen printing method (step S in FIG. 1).
4) After drying (Step S5 in FIG. 1), the second dried conductor paste 3 is formed.

【0025】(4) 電気式連続ベルト炉を使用して、第1
の金属導体層20上に第2の導体ぺースト乾燥体3を形
成したアルミナ基板本体1を窒素雰囲気中で900℃、
10〜20分の保持条件で焼成する(図1のステップS
6)。
(4) Using an electric continuous belt furnace, the first
The alumina substrate main body 1 having the second conductor paste dried body 3 formed on the metal conductor layer 20 of Example 1 was heated at 900 ° C. in a nitrogen atmosphere.
Firing is performed under the holding conditions of 10 to 20 minutes (step S in FIG. 1).
6).

【0026】上記の(1)〜(4)の工程により、図4に示す
ように、第1の金属導体層20上に第2の金属導体層3
0が形成されたアルミナ基板10が得られる。そして、
必要に応じて第1および第2の金属導体層20および3
0にNiめっきおよびAuめっきを施す。
According to the above steps (1) to (4), the second metal conductor layer 3 is formed on the first metal conductor layer 20 as shown in FIG.
Thus, the alumina substrate 10 on which 0 is formed is obtained. And
If necessary, the first and second metal conductor layers 20 and 3
0 is plated with Ni and Au.

【0027】このようにして製造されたアルミナ基板1
0は、第1の金属導体層20をセラミック基板本体1に
接合するための機械的な噛み合わせのアンカー効果によ
り、第1の金属導体層20がセラミック基板本体1に強
固に密着しているので、第1の金属導体層20上に第2
の金属導体層30を形成して部分厚付けを施しても、焼
成時に第2の金属導体層30に焼成収縮が生じるのみ
で、第2の金属導体層30と第1の金属導体層20との
境界部25、すなわち厚付け箇所と厚付けでない箇所と
の境界部に応力が集中することはなく、第1の金属導体
層20に亀裂が発生することを防止し、断線を起こすこ
とを防止することができる。
The alumina substrate 1 manufactured as described above
0 indicates that the first metal conductor layer 20 is firmly adhered to the ceramic substrate main body 1 by an anchor effect of mechanical engagement for joining the first metal conductor layer 20 to the ceramic substrate main body 1. , The second on the first metal conductor layer 20.
Even if the metal conductor layer 30 is formed and partially thickened, only the second metal conductor layer 30 shrinks during firing, and the second metal conductor layer 30 and the first metal conductor layer 20 The stress does not concentrate on the boundary portion 25, that is, the boundary portion between the thickened portion and the non-thickened portion, so that the first metal conductor layer 20 is prevented from being cracked and disconnected. can do.

【0028】次に、図4に示すアルミナ基板10におい
て、第1の金属導体層20の膜厚を一定にし、第2の金
属導体層30の膜厚を変えて亀裂の発生率を測定した結
果を図5に示す。
Next, on the alumina substrate 10 shown in FIG. 4, the thickness of the first metal conductor layer 20 was made constant and the thickness of the second metal conductor layer 30 was changed to measure the crack generation rate. Is shown in FIG.

【0029】図5において、第1の金属導体層20の印
刷膜厚は20μmに固定されており、第2の金属導体層
30の印刷膜厚は5μmから30μmまで変化してい
る。なお、測定個所は1000箇所である。図5に示す
ように、第1実施例においては、第2の金属導体層30
の膜厚によらず、第1の金属導体層20に亀裂は発生し
ていない。
In FIG. 5, the print thickness of the first metal conductor layer 20 is fixed at 20 μm, and the print thickness of the second metal conductor layer 30 changes from 5 μm to 30 μm. The number of measurement points is 1,000. As shown in FIG. 5, in the first embodiment, the second metal conductor layer 30
No crack is generated in the first metal conductor layer 20 irrespective of the film thickness of the first metal conductor layer 20.

【0030】次に、アルミナ基板本体に導体ペーストの
印刷および乾燥を2回繰り返し、2層の導体ペースト乾
燥体を形成した後、1回焼成を行った比較例1を図7、
図8および図9に示す。比較例1においては、第1実施
例の図2に示すアルミナ基板本体1と、第1実施例に用
いたのと同様の導体ぺーストとを用いてアルミナ基板を
製造した。
Next, Comparative Example 1 in which printing and drying of the conductive paste were repeated twice on the alumina substrate body to form a two-layer dried conductive paste and then baked once was shown in FIG.
8 and 9. In Comparative Example 1, an alumina substrate was manufactured using the alumina substrate body 1 of the first embodiment shown in FIG. 2 and the same conductor paste used in the first embodiment.

【0031】比較例1においては、図8に示すように、
アルミナ基板本体1の表面に導体ぺーストをスクリーン
印刷法により印刷し(図7のステップS11)、乾燥
(図7のステップS12)後、さらに導体ぺーストをス
クリーン印刷法により印刷し(図7のステップS1
3)、乾燥(図7のステップS14)して2層の導体ぺ
ースト乾燥体4を形成した。その後、電気式連続ベルト
炉を使用して、表面に2層の導体ぺースト乾燥体4を形
成したアルミナ基板本体1を窒素雰囲気中で900℃、
10〜20分の保持条件で焼成し(図7のステップS1
5)、図9に示すように、アルミナ基板本体1の表面に
2層の金属導体層40を形成した。
In Comparative Example 1, as shown in FIG.
A conductor paste is printed on the surface of the alumina substrate main body 1 by a screen printing method (Step S11 in FIG. 7), and after drying (Step S12 in FIG. 7), the conductor paste is further printed by a screen printing method (FIG. 7). Step S1
3) and drying (Step S14 in FIG. 7), a two-layer dried conductor paste 4 was formed. Then, using an electric continuous belt furnace, the alumina substrate main body 1 having the two-layer dried conductor paste 4 formed on the surface thereof was heated at 900 ° C. in a nitrogen atmosphere.
Baking is performed under the holding conditions of 10 to 20 minutes (Step S1 in FIG. 7)
5) As shown in FIG. 9, two metal conductor layers 40 were formed on the surface of the alumina substrate body 1.

【0032】このように製造された比較例1では、2層
の金属導体層40の焼結過程において、下層の金属導体
層40をアルミナ基板本体1に接合するための機械的な
噛み合わせのアンカー効果が発現する前に上層および下
層の金属導体層40が縮みだし、この収縮力により上層
の金属導体層40と下層の金属導体層40との境界部4
5、すなわち厚付け箇所と厚付けでない箇所との境界部
に応力が集中して下層の金属導体層40に亀裂50が発
生している。さらに、この亀裂50が拡大すると、下層
の金属導体層40が断線を起こす恐れがある。
In the comparative example 1 thus manufactured, an anchor of mechanical engagement for joining the lower metal conductor layer 40 to the alumina substrate body 1 in the process of sintering the two metal conductor layers 40. Before the effect is developed, the upper and lower metal conductor layers 40 shrink, and the contraction force causes the boundary 4 between the upper metal conductor layer 40 and the lower metal conductor layer 40.
5, that is, stress is concentrated on the boundary between the thickened portion and the non-thickened portion, and a crack 50 is generated in the lower metal conductor layer 40. Further, when the crack 50 expands, the lower metal conductor layer 40 may be disconnected.

【0033】次に、比較例1において、下層の金属導体
層40の膜厚を一定にし、上層の金属導体層40の膜厚
を変えて亀裂の発生率を測定した結果を図5に示す。
Next, in Comparative Example 1, the results of measuring the crack generation rate while keeping the thickness of the lower metal conductor layer 40 constant and changing the thickness of the upper metal conductor layer 40 are shown in FIG.

【0034】図5において、下層の金属導体層40の印
刷膜厚は20μmに固定されており、上層の金属導体層
40の印刷膜厚は5μmから30μmまで変化してい
る。なお、測定個所は1000箇所である。
In FIG. 5, the print thickness of the lower metal conductor layer 40 is fixed at 20 μm, and the print thickness of the upper metal conductor layer 40 changes from 5 μm to 30 μm. The number of measurement points is 1,000.

【0035】図5に示すように、比較例1においては、
下層の金属導体層40の印刷膜厚が5μmのとき、亀裂
発生率は10%であり、下層の金属導体層40の印刷膜
厚が10μmのとき、亀裂発生率は49%であり、下層
の金属導体層40の印刷膜厚が20μmおよび30μm
のとき、亀裂発生率は100%である。
As shown in FIG. 5, in Comparative Example 1,
When the print thickness of the lower metal conductor layer 40 is 5 μm, the crack generation rate is 10%. When the print thickness of the lower metal conductor layer 40 is 10 μm, the crack generation rate is 49%. The printed film thickness of the metal conductor layer 40 is 20 μm and 30 μm
In this case, the crack generation rate is 100%.

【0036】一方、第1実施例においては、第2の金属
導体層30の膜厚によらず、第1の金属導体層20に亀
裂は発生していないので、アルミナ基板10の特性が向
上し、信頼性を高めて品質が安定したアルミナ基板10
を製造することができる。
On the other hand, in the first embodiment, the cracks do not occur in the first metal conductor layer 20 irrespective of the thickness of the second metal conductor layer 30, so that the characteristics of the alumina substrate 10 are improved. Alumina substrate 10 with improved reliability and stable quality
Can be manufactured.

【0037】(第2実施例)第2実施例においては、第
1実施例で用いた導体ペーストに含有されるCu粉末を
導体粒子としてのAg/Pt粉末またはAg/Pd粉末
に代えたものであり、焼成が酸化雰囲気になる以外は第
1実施例と同様であるので、製造工程についての説明は
省略し、第1の金属導体層の膜厚を一定にし、第2の金
属導体層の膜厚を変えて亀裂の発生率を測定した結果を
図6に示す。
(Second Embodiment) In the second embodiment, the Cu powder contained in the conductor paste used in the first embodiment is replaced with Ag / Pt powder or Ag / Pd powder as conductor particles. Yes, except that the sintering is performed in an oxidizing atmosphere, it is the same as in the first embodiment, so that the description of the manufacturing process is omitted, the film thickness of the first metal conductor layer is made constant, and the film thickness of the second metal conductor layer is increased. FIG. 6 shows the results of measuring the crack generation rate with changing the thickness.

【0038】図6において、第1の金属導体層の印刷膜
厚は20μmに固定されており、第2の金属導体層の印
刷膜厚は5μmから30μmまで変化している。なお、
測定個所は1000箇所である。図6に示すように、第
2実施例においては、第2の金属導体層の膜厚によら
ず、第1の金属導体層に亀裂は発生していない。
In FIG. 6, the printed film thickness of the first metal conductor layer is fixed at 20 μm, and the printed film thickness of the second metal conductor layer changes from 5 μm to 30 μm. In addition,
There are 1000 measurement points. As shown in FIG. 6, in the second embodiment, no crack is generated in the first metal conductor layer regardless of the thickness of the second metal conductor layer.

【0039】次に、第1実施例と同様のAg/Pt粉末
またはAg/Pd粉末を含有する導体ペーストを用い
て、第2実施例に用いたのと同様のアルミナ基板本体に
印刷および乾燥を2回繰り返し、2層の導体ペースト乾
燥体を形成した後、1回焼成を行った比較例2につい
て、下層の金属導体層の膜厚を一定にし、上層の金属導
体層の膜厚を変えて亀裂の発生率を測定した結果を図6
に示す。
Next, using the same conductive paste containing Ag / Pt powder or Ag / Pd powder as in the first embodiment, printing and drying were performed on the same alumina substrate body as used in the second embodiment. After repeating twice, forming a two-layer dried conductor paste and firing it once, in Comparative Example 2, the thickness of the lower metal conductor layer was made constant, and the thickness of the upper metal conductor layer was changed. FIG. 6 shows the results of measuring the crack occurrence rate.
Shown in

【0040】図6において、下層の金属導体層の印刷膜
厚は20μmに固定されており、上層の金属導体層の印
刷膜厚は5μmから30μmまで変化している。なお、
測定個所は1000箇所である。
In FIG. 6, the print thickness of the lower metal conductor layer is fixed at 20 μm, and the print thickness of the upper metal conductor layer changes from 5 μm to 30 μm. In addition,
There are 1000 measurement points.

【0041】図6に示すように、比較例2においては、
下層の金属導体層の印刷膜厚が5μmのとき、亀裂発生
率は10%であり、下層の金属導体層の印刷膜厚が10
μmのとき、亀裂発生率は49%であり、下層の金属導
体層の印刷膜厚が20μmおよび30μmのとき、亀裂
発生率は100%である。
As shown in FIG. 6, in Comparative Example 2,
When the printed thickness of the lower metal conductor layer is 5 μm, the crack occurrence rate is 10%, and the printed thickness of the lower metal conductor layer is 10%.
When the thickness is μm, the crack generation rate is 49%, and when the printed film thickness of the lower metal conductor layer is 20 μm and 30 μm, the crack generation rate is 100%.

【0042】一方、第2実施例においては、第2の金属
導体層の膜厚によらず、第1の金属導体層に亀裂は発生
していないので、アルミナ基板の特性が向上し、信頼性
を高めて品質が安定したアルミナ基板を製造することが
できる。
On the other hand, in the second embodiment, the cracks did not occur in the first metal conductor layer regardless of the thickness of the second metal conductor layer, so that the characteristics of the alumina substrate were improved, and the reliability was improved. And an alumina substrate with stable quality can be manufactured.

【0043】以上説明した本発明の複数の実施例では、
第1の導体ペースト乾燥体を形成したアルミナ基板本体
を焼成してアルミナ基板本体の表面に第1の金属導体層
を形成することで、第1の金属導体層をアルミナ基板本
体に接合するための機械的な噛み合わせのアンカー効果
により、第1の金属導体層はアルミナ基板本体に強固に
密着する。その後、第1の金属導体層上に導体ペースト
を塗布し乾燥して第2の導体ペースト乾燥体を形成し、
焼成する場合、第1の金属導体層上に第2の金属導体層
を形成して部分厚付けを施しても、第2の金属導体層に
焼成収縮が生じるのみで、第2の金属導体層と第1の金
属導体層との境界部、すなわち厚付け箇所と厚付けでな
い箇所との境界部に応力が集中することはなく、第1の
金属導体層に亀裂が発生することを防止し、断線を起こ
すことを防止することができる。したがって、アルミナ
基板の特性が向上し、信頼性を高めて品質が安定したア
ルミナ基板を製造することができる。
In the embodiments of the present invention described above,
Baking the alumina substrate body on which the first conductor paste dried body is formed to form a first metal conductor layer on the surface of the alumina substrate body, thereby joining the first metal conductor layer to the alumina substrate body; The first metal conductor layer firmly adheres to the alumina substrate main body due to the anchor effect of mechanical engagement. Thereafter, a conductor paste is applied on the first metal conductor layer and dried to form a second conductor paste dry body,
In the case of firing, even if the second metal conductor layer is formed on the first metal conductor layer and partially thickened, only the firing shrinkage occurs in the second metal conductor layer. Stress is not concentrated on the boundary between the first metal conductor layer and the first metal conductor layer, that is, at the boundary between the thickened portion and the non-thickened portion, thereby preventing the first metal conductor layer from cracking. Disconnection can be prevented. Therefore, the characteristics of the alumina substrate are improved, and the reliability can be increased to produce an alumina substrate with stable quality.

【0044】本発明では、アルミナ基板に限らず、窒化
アルミ基板、ムライト基板、低温焼成のガラス基板等ど
のようなセラミックス基板の製造方法に適用してもよ
い。また、内部に配線等が形成されたセラミック基板の
製造方法に適用することが可能であることはいうまでも
ない。
In the present invention, the present invention is not limited to the alumina substrate, and may be applied to any method of manufacturing a ceramic substrate such as an aluminum nitride substrate, a mullite substrate, and a low-temperature fired glass substrate. Needless to say, the present invention can be applied to a method of manufacturing a ceramic substrate having a wiring or the like formed therein.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明をアルミナ基板の製造方法に適用した第
1実施例を示す工程図である。
FIG. 1 is a process chart showing a first embodiment in which the present invention is applied to a method for manufacturing an alumina substrate.

【図2】本発明の第1実施例によるアルミナ基板の製造
方法を説明するための模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an alumina substrate according to a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施例によるアルミナ基板の製造
方法を説明するための模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing an alumina substrate according to a first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施例によるアルミナ基板の製造
方法を説明するための模式的断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing an alumina substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1実施例および比較例1の亀裂発生
率を測定した結果を示すデータ図である。
FIG. 5 is a data diagram showing the results of measuring the crack occurrence rates of the first example of the present invention and the comparative example 1.

【図6】本発明の第2実施例および比較例2の亀裂発生
率を測定した結果を示すデータ図である。
FIG. 6 is a data diagram showing the results of measuring the crack occurrence rates of the second example of the present invention and the comparative example 2.

【図7】比較例1によるアルミナ基板の製造方法を示す
工程図である。
7 is a process chart showing a method for manufacturing an alumina substrate according to Comparative Example 1. FIG.

【図8】比較例1によるアルミナ基板の製造方法を説明
するための模式的断面図である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing an alumina substrate according to Comparative Example 1.

【図9】比較例1によるアルミナ基板の製造方法を説明
するための模式的断面図である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an alumina substrate according to Comparative Example 1.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アルミナ基板本体 2 第1の導体ペースト乾燥体 3 第2の導体ペースト乾燥体 10 アルミナ基板 20 第1の金属導体層 25 境界部 30 第2の金属導体層 50 亀裂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Alumina substrate main body 2 1st conductor paste dried body 3 2nd conductor paste dried body 10 Alumina substrate 20 1st metal conductor layer 25 Boundary part 30 2nd metal conductor layer 50 Crack

フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 AA07 BB01 BB31 BB35 CC12 CC13 CC23 CC35 DD04 DD05 DD52 EE01 EE10 EE13 EE24 GG02 5E343 AA02 AA24 BB23 BB24 BB25 BB44 BB48 BB72 DD03 DD32 ER33 ER35 ER37 GG01 Continued on front page F term (reference) 4E351 AA07 BB01 BB31 BB35 CC12 CC13 CC23 CC35 DD04 DD05 DD52 EE01 EE10 EE13 EE24 GG02 5E343 AA02 AA24 BB23 BB24 BB25 BB44 BB48 BB72 DD03 DD32 ER33 ER35 ER37 GG01

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基板本体と、前記セラミック
基板本体の表面に設けられる導体パターンとを備えたセ
ラミック基板を製造する方法であって、 前記セラミック基板本体の表面に導体ペーストを塗布
し、乾燥して第1の導体ペースト乾燥体を形成する工程
と、 前記第1の導体ペースト乾燥体を形成したセラミック基
板本体を焼成し、前記セラミック基板本体の表面に第1
の金属導体層を形成する工程と、 前記第1の金属導体層上に導体ペーストを塗布し、乾燥
して第2の導体ペースト乾燥体を形成する工程と、 前記第1の金属導体層上に前記第2の導体ペースト乾燥
体を形成したセラミック基板本体を焼成し、前記第1の
金属導体層上に第2の金属導体層を形成する工程と、 を含むことを特徴とするセラミック基板の製造方法。
1. A method for manufacturing a ceramic substrate comprising a ceramic substrate main body and a conductor pattern provided on a surface of the ceramic substrate main body, wherein a conductor paste is applied to the surface of the ceramic substrate main body and dried. Forming a first dried conductor paste body by heating the ceramic substrate body on which the first dried conductor paste body is formed, and forming a first conductor paste dried body on the surface of the ceramic substrate body.
Forming a metal conductor layer, applying a conductor paste on the first metal conductor layer, and drying to form a second conductor paste dried body; and forming a second conductor paste dried body on the first metal conductor layer. Baking the ceramic substrate body on which the second conductor paste dried body has been formed to form a second metal conductor layer on the first metal conductor layer. Method.
【請求項2】 前記導体ペーストは、Cu系あるいはA
g系の導体粒子を含有することを特徴とする請求項1記
載のセラミック基板の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the conductive paste is Cu based or A
The method for producing a ceramic substrate according to claim 1, further comprising g-type conductive particles.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207914A (en) * 2006-01-31 2007-08-16 Tokuyama Corp Method for manufacturing metallized ceramic substrate, metallized ceramic substrate manufactured thereby, and package
JP2008171760A (en) * 2007-01-15 2008-07-24 Dowa Electronics Materials Co Ltd Silver conductive film and method for manufacturing same
JP2011023691A (en) * 2009-07-16 2011-02-03 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Ceramic substrate and method of manufacturing the same
KR20200032328A (en) * 2018-09-18 2020-03-26 (주)창성 Cu paste for high-temperature sintering and manufacturing method for metal bonded ceramic substrates therewith

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207914A (en) * 2006-01-31 2007-08-16 Tokuyama Corp Method for manufacturing metallized ceramic substrate, metallized ceramic substrate manufactured thereby, and package
JP4699225B2 (en) * 2006-01-31 2011-06-08 株式会社トクヤマ Metallized ceramic substrate manufacturing method, metallized ceramic substrate manufactured by the method, and package
JP2008171760A (en) * 2007-01-15 2008-07-24 Dowa Electronics Materials Co Ltd Silver conductive film and method for manufacturing same
JP2011023691A (en) * 2009-07-16 2011-02-03 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Ceramic substrate and method of manufacturing the same
KR20200032328A (en) * 2018-09-18 2020-03-26 (주)창성 Cu paste for high-temperature sintering and manufacturing method for metal bonded ceramic substrates therewith
KR102105906B1 (en) * 2018-09-18 2020-04-29 (주)창성 Cu paste for high-temperature sintering and manufacturing method for metal bonded ceramic substrates therewith

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