JP2001077083A - 半導体ウエハのエッチング法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大量のエッチング液を使用せずに効率的に半
導体ウエハをエッチングする。 【解決手段】 エッチング槽(1)内の底部にパイプ(4)を
配置し、パイプ(4)に形成されたノズル(20)からエッチ
ング液(2)内に空気を噴出してエアバブリングを行う。
エアバブリングにより温度が上昇するエッチング液(2)
の一部を冷却器(5)に導入し、冷却器(5)内の熱交換によ
り冷却した後、エッチング槽(1)内に戻す。パイプ(4)の
ノズル(20)からエッチング液(2)内に空気を噴出する
と、エアバブリングによって半導体ウエハ(3)の表面に
エッチング液(2)が滞留せず、半導体ウエハ(3)に対する
エッチングが促進され、エッチング液(2)の温度が上昇
する。冷却器(5)によってエッチング液(2)を冷却するた
め、大量のエッチング液(2)を必要としない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング技術、
特に効率的に操作できる半導体ウエハのエッチング法及
び装置に属する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハは、表面に形成され又は付
着した酸化物又は異物の除去、ウエハ表面の研磨及び凹
部の形成のためにエッチングが行われる。例えば、特開
平６−６１２１５公報は、発塵を防止しながら、均一な
処理を効率よく行うウエハ等薄板体の処理装置を示す。
この処理装置では、噴流発生ユニットによって処理槽内
にエッチング液の噴流を生じ、噴流によってシリコンウ
エハを収納した状態のままで薄板体が回転される。エッ
チング液の噴流が生ずるので、被処理ウエハの表面に常
に反応性の高い処理液を供給でき、処理の効率化を図る
ことができる。また、噴流によってウエハ等の回転によ
る処理液面の乱れと反応により発生した気泡の薄板体へ
の付着を抑制できるので、均一な処理を行うことができ
る。

【０００３】特開平７−２４５２９０号は、均質なエッ
チング性能を維持しつつ、より機能的な構造を形成する
ウエハエッチング方法を示す。この方法では、ウエハを
上向きに保持して揺動させ、エッチング処理槽内のシャ
ワーノズルでエッチング液をシャワー状態としてウエハ
の上側から当てるシャワーエッチング方式によりエッチ
ングを実施する。エッチング液がウエハ面全体に均質に
供給されるので、エッチング反応で発生する気泡が速や
かに除去される。このため、ウエハ面内の厚さのばらつ
きを抑制し、ウエハの下面はエッチングされない状態に
保持することができる。

【０００４】特表平８−５０２１４８号公報は、発泡す
るエッチング液中に基板を浸漬する半導体基板のエッチ
ング法を示す。このエッチング方法では、溶解した気体
を含む加圧されたエッチング液に基板を浸漬し、基板を
回転させながら、溶解した気体の泡立ちにより形成され
る流れる泡と回転する基板とを接触させて、平滑な面を
有する半導体基板を製造することができる。

【０００５】特開平７−５８０７８号公報は、ウエハ全
面にエッチング液を接触させてウエハを均一にエッチン
グするウェットエッチング処理装置を示す。このウェッ
トエッチング処理装置は、燐酸を含むエッチング液をオ
ーバーフロー層に収納し、吐出口から循環用配管を通じ
て外槽に収容された燐酸をポンプで内槽に循環させる
る。ヒータにより燐酸を加熱し、温度コントローラによ
り所定の温度に燐酸を加熱し、保持する。設定温度に達
した時点で、ウエハをセットしたカセットを槽内に配置
し、カセットを分散板のカセット固定枠上に置くと、ウ
エハ突き上げ板によってウエハが持ち上がり、エッチン
グ液がカセットの洗浄窓よりカセット内の容易に流れ込
む。また、窒素をバブラーを通じて槽の底部より内槽全
体に均一にバブリングする。窒素によりウエハを揺動さ
せて、その全面にエッチング液を確実に接触させること
ができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、エアーバブ
リング装置を備えたエッチング槽を使用すると、エッチ
ングの反応が促進されるため、エッチング槽内のエッチ
ング液の温度が上昇し易い。エッチング液の温度が上昇
すると、半導体ウエハの表面に付着したレジスト又は仮
止め接着剤（樹脂）が軟化するので、エッチング液の温
度を管理しなければ、良好なエッチング処理を行うこと
ができない。従来では、エッチング液の温度上昇を抑制
するため、多量のエッチング液を使用して、エッチング
処理中に発生する熱をエッチング液自体の熱容量により
吸収し且つ放熱させていた。従って、従来では多量のエ
ッチング液及び大型のエッチング槽を必要とし、エッチ
ングプラントの製造コストや維持管理コストが増大し
た。また、エッチング液の温度上昇を十分に抑制できな
いため、エッチング速度を下げなければならず、高い生
産性が得られなかった。本発明は、大量のエッチング液
を使用せずに効率的に半導体ウエハをエッチングできる
方法及び装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】エッチング槽(1)内に収
容されたエッチング液(2)中に半導体ウエハ(3)を浸漬し
て半導体ウエハ(3)の表面をエッチングする本発明によ
るエッチング法は、エッチング槽(1)内の底部に配置さ
れた空気噴出孔(20)からエッチング液(2)内に空気を噴
出してエアバブリングを行う。エッチングにより温度が
上昇するエッチング液(2)の一部は、冷却器(5)に導入さ
れ、冷却器(5)内の熱交換により冷却した後、エッチン
グ槽(1)内に戻す。空気噴出孔(20)からエッチング液(2)
内に空気を噴出すると、エアバブリングによって半導体
ウエハ(3)の表面にエッチング液(2)が滞留せず、常時新
しいエッチング液(2)が供給されるため、半導体ウエハ
(3)に対するエッチングが促進されてエッチング液(2)の
温度が上昇するが、冷却器(5)によってエッチング液(2)
を冷却するため、大量のエッチング液(2)を必要とせず
に、エッチング槽(1)内のエッチング液(2)を常に所定の
温度に保持することができる。また、半導体ウエハ(3)
の表面に付着したレジスト又は仮止め接着剤（樹脂）の
軟化及び剥離を抑制すると共に、バブリングを抑制せず
にエッチング処理を促進することができる。

【０００８】本発明の実施の形態では、冷却されたエッ
チング液(2)をエッチング槽(1)内に水平に供給すること
によりエッチング液(2)を水平方向に撹拌する過程を含
み、均一なエッチングを促進することができる。また、
パイプ(4)に形成されたノズル（空気噴出孔）(20)から
エッチング液(2)内に空気を噴出して、ノズル(20)から
噴出する空気により形成されるエアバブルの上昇により
エッチング槽(1)内のエッチング液(2)を垂直方向に撹拌
することができる。本発明のエッチング法では、エッチ
ング液(2)の温度を測定する過程と、エッチング液(2)の
温度レベルに対応して冷却器(5)からエッチング槽(1)内
に戻るエッチング液(2)の量を制御する過程とを含む
と、常に所定の温度にエッチング液(2)を保持し、エッ
チング処理を均一に行うことができる。また、エッチン
グ液(2)内で半導体ウエハ(3)に運動を与える過程とを含
んでもよい。キャリア(9)に取り付けられる半導体ウエ
ハ(3)の運動は、垂直方向若しくは水平方向に振動させ
る運動、回転運動又はこれらの組み合わされた運動を含
む。キャリア(9)の運動により、エッチング槽(1)内で全
体に均一にエッチング液(2)の組成を保持することがで
きる。

【０００９】エッチング槽(1)内のエッチング液(2)の温
度を一定に保ち、エッチングにより消費されたエッチン
グ材をエッチング槽(1)内に補給する過程を含んでもよ
い。エッチング液(2)の温度を一定に保てば、所定温度
のエッチング液(2)によりエッチングされる半導体ウエ
ハ(3)の体積及び消費されるエッチング材の量は理論的
に算出できるので、不足した成分組成を補給することに
よりエッチング液(2)は常時所定の成分組成を維持し、
エッチング処理を均一に行うことができる。

【００１０】エッチング槽(1)内に収容されたエッチン
グ液(2)中に半導体ウエハ(3)を浸漬して半導体ウエハ
(3)の表面をエッチングする本発明による半導体ウエハ
(3)のエッチング装置は、エッチング槽(1)内の底部に配
置された空気噴出孔(20)と、エッチング液(2)の一部を
冷却する冷却器(5)と、エッチング槽(1)と冷却器(5)と
の間を接続する循環用配管(6)と、循環用配管(6)中に設
けられ且つエッチング槽(1)と冷却器(5)との間でエッチ
ング液(2)を循環させるポンプ(7)とを備え、空気噴出孔
(20)から噴出する空気により形成されるエアバブルの上
昇によりエッチング槽(1)内のエッチング液(2)を垂直方
向に撹拌するエアバブリングを行うと共に、エッチング
により温度が上昇するエッチング液(2)を冷却器(5)によ
り冷却する。空気噴出孔(20)から噴出する空気により形
成されるエアバブルの上昇によりエッチング槽(1)内の
エッチング液(2)を垂直方向に撹拌するエアバブリング
を行うと共に、エアバブリングにより温度が上昇するエ
ッチング液(2)を冷却器(5)により冷却することができ
る。

【００１１】本発明の実施の形態では、エッチング槽
(1)の上部に配置されたサポート(8)と、サポート(8)に
取り付けられ且つ半導体ウエハ(3)を支持するキャリア
(9)とがエッチング装置に設けられる。サポート(8)は揺
動装置(10)により垂直方向又は水平方向に振動可能に取
り付けられる。半導体ウエハ(3)は、キャリア(9)に取り
付けられた回転装置(15)によりキャリア(9)に対して回
転可能に取り付けられる。

【００１２】エッチング液(2)の温度を測定する温度セ
ンサ(12)と、温度センサ(12)の出力等を受信するエッチ
ング制御回路(11)と、エッチング制御回路(11)に接続さ
れ且つ前記半導体ウエハ(3)に対するエッチング特性デ
ータを記憶する記憶回路(14)と、エッチング制御回路(1
1)の出力により駆動される混酸補給装置(16)とが設けら
れる。エッチング制御回路(11)は、入力されたウエハの
品種や枚数に関するデータに基づいて記憶回路(14)に記
憶されたデータに従ってエッチングによって消費された
エッチング液(2)の量を算出し、混酸補給装置(16)から
不足した混酸成分をエッチング槽(1)内に供給する。ま
た、エッチング制御回路(11)は記憶回路(14)に記憶され
たデータに従ってポンプ(7)、揺動装置(10)及び回転装
置(15)の作動を制御する。更に、エッチング制御回路(1
1)はエッチング液(2)の温度を測定する温度センサ(12)
の出力レベルに対応してポンプ(7)の回転速度を制御
し、ポンプ(7)の回転速度を変化させることにより冷却
器(5)からエッチング槽(1)内に戻るエッチング液(2)の
量を制御することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ウエハ
のエッチング法及び装置の実施の形態を図１〜図４につ
いて説明する。

【００１４】図１に示すように、本発明によるエッチン
グ装置は、エッチング液(2)を収容するエッチング槽(1)
と、エッチング槽(1)に接続された循環用配管(6)と、循
環用配管(6)に設けられた冷却器(5)及びポンプ(7)と、
エッチング槽(1)の上部に配置されたサポート(8)と、サ
ポート(8)に取り付けられ且つフック(9a)により半導体
ウエハ(3)を支持するキャリア(9)と、エッチング槽(1)
の底部に一定間隔で配置された複数のパイプ(4)とを備
えている。エッチング槽(1)内に収容されるエッチング
液(2)は弗酸、硝酸、酢酸等の無機酸及び／又は有機酸
の混酸が使用される。図示しないが、パイプ(4)には空
気噴出孔を構成する複数のノズル(20)が形成され、パイ
プ(4)内を通る加圧空気はノズル(20)からエッチング液
(2)内に排出される。エッチング液(2)を冷却する冷却器
(5)は、空冷又は水冷の通常の熱交換器が使用される。
それぞれ一対の冷却器(5)及びポンプ(7)は循環用配管
(6)に並列に接続される。循環用配管(6)中に設けられた
ポンプ(7)は、エッチング槽(1)と冷却器(5)との間で循
環用配管(6)を通りエッチング液(2)を循環させる。

【００１５】半導体ウエハ(3)にエッチング処理を施す
際には、図２（Ａ）に示すシリコンウエハ(3a)を準備す
る。図示しないが、シリコンウエハ(3a)の底面には電極
が形成されている。次に、図２（Ｂ）に示すように、シ
リコンウエハ(3a)の上面の所定の位置にレジスト膜(3b)
を形成してこれにパターンニングを行う。その後、図２
（Ｃ）に示すように、仮止め接着剤（樹脂）を構成する
ワックス(3c)を介してシリコンウエハ(3a)の底面をセラ
ミック板(3d)に貼着する。図３に示すように、この状態
の半導体ウエハ(3)をエッチング槽(1)内に浸漬して、半
導体ウエハ(3)の表面（半導体ウエハ自身又はこの表面
に形成された酸化膜など）をエッチング液(2)によりエ
ッチング処理する。

【００１６】エッチング槽(1)の上部に配置されたサポ
ート(8)は、図１に示すように、揺動装置(10)により垂
直方向又は水平方向に振動される。サポート(8)のハン
ガ部(8a)に取り付けられたキャリア(9)は、半導体ウエ
ハ(3)を回転する回転装置(15)を有する。回転装置(15)
はモータ(15a)と、モータ(15a)により回転され且つ半導
体ウエハ(3)を支持するキャリア(9)を回転するシャフト
(15b)とを備えている。また、エッチング液(2)の温度を
測定する温度センサ(12)がエッチング槽(1)内に設けら
れる。図４に示すように、温度センサ(12)の検出出力は
エッチング制御回路(11)に送出される。

【００１７】エッチング制御回路(11)に接続された記憶
回路(14)には、実験的又は理論的に算出されたエッチン
グ特性データが記憶されている。即ち、所定温度のエッ
チング液(2)中に半導体ウエハ(3)を浸漬したときのエッ
チング量（反応体積）やこれによって消費されるエッチ
ング材（混酸組成）の量に関するデータは実験的又は理
論的に算出することができる。記憶回路(14)にはこれら
のデータが記憶されており、半導体ウエハ(3)の品種や
枚数などを入力装置(13)からバーコード等により入力す
ることによって、それに基づいてエッチング制御回路(1
1)内で反応体積が計算されて補充すべきエッチング成分
の量が算出される。これにより、エッチングを行う毎に
消費されるエッチング成分を自動的に算出して、エッチ
ング制御回路(11)によって不足したエッチング成分を自
動的にエッチング槽(1)内に補給することができる。ま
た、制御回路(11)は、エッチング槽(1)内のエッチング
液(2)の温度が高いとき、冷却器(5)からエッチング槽
(1)に戻る冷却されたエッチング液(2)の量を増加し、逆
にエッチング槽(1)内のエッチング液(2)の温度が低いと
き、冷却器(5)からエッチング槽(1)に戻る冷却されたエ
ッチング液(2)の量を低減し又は零にすることにより、
エッチング槽(1)内のエッチング液(2)の温度が一定にな
るように制御する。冷却器(5)からエッチング槽(1)内に
戻るエッチング液(2)の量は、ポンプ(7)の回転速度を変
化させることにより制御することができる。

【００１８】上記のエッチング装置を使用する際には、
まず、エッチング制御回路(11)に半導体ウエハ(3)の品
種、枚数、パターンサイズなどのデータを入力装置(13)
から入力する。これにより、予め記憶回路(14)に記憶さ
れたエッチング特性データに基づいて所定のエッチング
液(2)がエッチング槽(1)に供給される。また、入力され
たウエハ枚数などのデータに基づいてエッチング時間や
エッチング毎に消費されるエッチング液(2)成分の量な
ども算出される。

【００１９】エッチング液(2)がエッチング槽(1)に供給
されたら、半導体ウエハ(3)をキャリア(9)に取り付け、
キャリア(9)を移動して半導体ウエハ(3)をエッチング液
(2)内に浸漬して、エッチングを開始する。また、エッ
チング制御回路(11)の出力により空気供給装置(19)を作
動して、パイプ(4)に形成されたノズル(20)からエッチ
ング液(2)内に空気を噴出する。これにより、ノズル(2
0)から噴出される空気により形成されるエアバブルの上
昇によりエッチング槽(1)内のエッチング液(2)を垂直方
向に撹拌することができる。本実施の形態では、全ての
半導体ウエハ(3)に均等にエアバブルが当たるようにパ
イプ(4)とノズル(20)を配置した。この結果、半導体ウ
エハ(3)にエッチング液(2)が均等に当り、全ての半導体
ウエハ(3)で均一なエッチングが行われる。バブリング
によって半導体ウエハ(3)の表面にエッチング液(2)が滞
留せず、常時新しいエッチング液(2)が供給されると、
半導体ウエハ(3)に対するエッチングが促進され、エッ
チング液(2)の温度上昇が顕著となる。本実施の形態で
は、エッチング液(2)の温度は温度センサ(12)によって
測定され、その結果はエッチング制御回路(11)に伝達さ
れる。エッチング制御回路(11)は、温度センサ(12)から
の信号に基づいてポンプ(7)を作動してエッチング液(2)
の一部を冷却器(5)に導入すると共に、冷却されたエッ
チング液(2)をエッチング槽(1)内に戻す。冷却器(5)に
よってエッチング液(2)を冷却するため、エッチング槽
(1)内のエッチング液(2)を所定の温度範囲内（２０〜３
０℃程度）に常に一定に保持することができる。このた
め、大量のエッチング液(2)を必要とせずに、半導体ウ
エハ(3)の表面に付着したレジスト又は仮止め接着剤
（樹脂）の軟化及び剥離を抑制すると共に、バブリング
を抑制せずにエッチング処理を促進することができる。
また、冷却されたエッチング液(2)をエッチング槽(1)に
戻すときに、エッチング槽(1)内のエッチング液(2)を水
平方向に撹拌することができる。冷却されたエッチング
液(2)をエッチング槽(1)内に水平に供給することにより
エッチング液(2)を水平方向に撹拌して、均一なエッチ
ングを促進することができる。また、本実施の形態で
は、エッチング工程中に半導体ウエハ(3)を自転させて
おく。

【００２０】エッチングの開始から半導体ウエハ(3)の
品種毎に設定された所定のエッチング時間になると、キ
ャリア(9)を上方に移動して半導体ウエハ(3)をエッチン
グ液(2)から引き上げてエッチングを終了する。

【００２１】この一回のエッチングによって、エッチン
グ液(2)の特定の混酸成分が消費され、そのままエッチ
ングを継続すると良好なエッチングを行えない。本実施
の形態では、この消費されるエッチング成分の量が予め
算出されている。したがって、上記エッチングを終了し
た時点で不足したエッチング成分を混酸補給装置(16)を
通じてエッチング槽(1)に補給する。次に、再び半導体
ウエハ(3)をキャリア(9)に取り付け、キャリア(9)を移
動して半導体ウエハ(3)をエッチング液(2)内に浸漬し、
次のエッチングを開始する。

【００２２】本発明の実施の形態では下記の作用効果が
得られる。 [１] エアバブリングにより半導体ウエハ(3)の全面に
均等にエッチング液が当たり、エッチングが均一に行わ
れる。 [２] エアバブリングによりエッチングが促進され、生
産性が向上する。 [３] エッチング液(2)の冷却によりエッチング反応を
均一化でき、バッチ毎のエッチングのばらつきを回避で
きる。 [４] 大量のエッチング液を必要とせず必要最小限の量
のエッチング液で良好なエッチングが行われる。 [５] バッチあたりの半導体ウエハ(3)の数を増加で
き、生産性が向上する。 [６] 複雑な冷却槽を必要とせず、エッチング装置を安
価に構築できる。 [７] エッチング液(2)を再利用でき、冷却器(5)の冷却
効果と相俟ってエッチング液(2)の使用量を減少でき、
コスト削減が可能となる。 [８] エッチングを連続的に行え、生産性が向上する。 本発明の前記実施の形態は変更が可能である。例えば、
ポンプ(7)によるエッチング液(2)の循環量を変えずに、
冷却器(5)に供給する冷媒の量を変化させることにより
エッチング槽(1)内のエッチング液(2)の温度を調整する
ことができる。空気噴出孔(20)をパイプ(4)に設ける代
わりにエッチング槽(1)の壁面に形成してもよい。

【００２３】

【発明の効果】このように、本発明は、生産性が良好
で、低コストであり、全自動化した半導体ウエハのエッ
チング装置を構築できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による半導体ウエハのエッチング装置
のブロック図

【図２】 エッチングを行う半導体ウエハの事前処理を
示す工程図

【図３】 エッチング槽の断面図

【図４】 エッチング装置を作動する電気回路図

【符号の説明】

(1)・・エッチング槽、 (2)・・エッチング液、 (3)
・・半導体ウエハ、 (4)・・パイプ、 (5)・・冷却
器、 (6)・・循環用配管、 (7)・・ポンプ、 (8)・
・サポート、 (9)・・キャリア、 (10)・・揺動装
置、 (11)・・エッチング制御回路、 (12)・・温度セ
ンサ、 (13)・・入力装置、 (14)・・記憶回路、 (1
5)・・回転装置、 (16)・・混酸補給装置、 (20)・・
空気噴出孔、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K057 WA20 WM03 WM11 WM14 WM20 WN01 5F043 DD30 EE04 EE07 EE22 EE24 EE27 EE40 GG10

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エッチング槽内に収容されたエッチング
   液中に半導体ウエハを浸漬して前記半導体ウエハの表面
   をエッチングする方法において、 前記エッチング槽内の底部に配置された空気噴出孔から
   前記エッチング液内に空気を噴出してエアバブリングを
   行い、前記エッチングにより温度が上昇する前記エッチ
   ング液の一部を冷却器に導入し、該冷却器内の熱交換に
   より冷却した後、前記エッチング槽内に戻すことを特徴
   とするエッチング法。
2. 【請求項２】 前記エッチング液の温度を測定する過程
   と、 前記エッチング液の温度レベルに対応して前記冷却器か
   ら前記エッチング槽内に戻るエッチング液の量を制御す
   る過程とを含む請求項１に記載のエッチング法。
3. 【請求項３】 エッチング槽内に収容されたエッチング
   液中に半導体ウエハを浸漬して前記半導体ウエハの表面
   をエッチングする方法において、 前記エッチングにより温度が上昇する前記エッチング液
   の一部を冷却器に導入し、該冷却器内の熱交換により冷
   却した後、前記エッチング槽内に戻すことにより前記エ
   ッチング槽内の前記エッチング液の温度を一定に保ち、
   前記エッチングにより消費されたエッチング材を前記エ
   ッチング槽内に補給することを特徴とするエッチング
   法。
4. 【請求項４】 エッチング槽内に収容されたエッチング
   液中に半導体ウエハを浸漬して前記半導体ウエハの表面
   をエッチングする半導体ウエハのエッチング装置におい
   て、 前記エッチング槽内の底部に配置された空気噴出孔と、 前記エッチング液の一部を冷却する冷却器と、 前記エッチング槽と前記冷却器との間を接続する循環用
   配管と、 前記循環用配管中に設けられ且つ前記エッチング槽と前
   記冷却器との間で前記エッチング液を循環させるポンプ
   とを備え、 前記空気噴出孔から噴出する空気により形成されるエア
   バブルの上昇により前記エッチング槽内のエッチング液
   を垂直方向に撹拌するエアバブリングを行うと共に、前
   記エッチングにより温度が上昇する前記エッチング液を
   前記冷却器により冷却することを特徴とするエッチング
   装置。
5. 【請求項５】 エッチング槽内に収容されたエッチング
   液中に半導体ウエハを浸漬して前記半導体ウエハの表面
   をエッチングする半導体ウエハのエッチング装置におい
   て、 前記エッチング液の一部を冷却する冷却器と、 前記エッチング槽と前記冷却器との間を接続する循環用
   配管と、 前記循環用配管中に設けられ且つ前記エッチング槽と前
   記冷却器との間で前記エッチング液を循環させるポンプ
   と、 前記エッチング液に含まれるエッチング材を収容する混
   酸補給装置とを備え、 前記エッチングにより温度が上昇する前記エッチング液
   を前記冷却器により冷却すると共に、前記エッチングに
   より消費されたエッチング材を混酸補給装置から前記エ
   ッチング槽内に補給することを特徴とするエッチング装
   置。