JP2001076997A

JP2001076997A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2001076997A
Application number: JP24775199A
Authority: JP
Inventors: Akiyuki Maeda; 晃幸前田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-09-01
Filing date: 1999-09-01
Publication date: 2001-03-23

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＣチップ収率などの減少を招くことなく、
逐次移動式露光装置を用いる際のアライメント不良を低
減する。【解決手段】半導体ウエハ２４上で複数のチップパタ
ーン２１を区画するＸ，Ｙ方向のスクライブライン２９
Ｘ，２９Ｙのうち、Ｘ方向のスクライブライン２９Ｘに
沿って微調アライメントターゲット２５，２６，２７，
３１を配置する。各チップパターン２１のエッジ部にメ
タルパターン３０を形成した後のアライメントには、Ｙ
方向のスクライブライン２９Ｙとの交差部に形成する微
調アライメントターゲット３１を使用する。微調アライ
メントターゲット３１の中心から７５μｍ以内のエリア
３１ａ内には、メタルパターン３０を形成しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法、特に逐次移動式露光装置を用いるホトリソグラフ
ィ工程を含む半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体集積回路や個別の半導
体素子などの半導体装置は、半導体ウエハ上に同一の構
成を有するものを複数個同時に形成し、機械的に切り離
して個々の半導体装置として製造している。半導体装置
のチップサイズは、小さい方がチップ収率が高くなっ
て、同一の半導体ウエハからより多くの個数を取ること
ができ、半導体装置としてのチップコストを低減するこ
とができる。このため、半導体装置はチップサイズを縮
小することが強く要望されている。半導体装置の製造工
程で、ホトリソグラフィ工程は複数回繰り返される。こ
のため、パターン解像度やアライメント精度に優れた逐
次移動式露光装置がよく使用されている。

【０００３】図９および図１０は、逐次移動式露光装置
を使用するアライメントの概要を示す。逐次移動式露光
装置は、ステッパとも呼ばれ、また等倍投影装置とも称
される。逐次移動式露光装置では、レチクル１に等倍で
描画されたパターンを用いて露光（ショット）を行う。
レチクル１の一部にはアライメントキー２が透過パター
ンとして設けられており、アライメントキー２の透過部
分をアライメント光３が透過して、半導体ウエハ４の表
面上に到達し、その反射光からアライメントパターンを
検出して、レチクル１のアライメントキー２による位置
合わせを行う。レチクル１は、半導体ウエハ４の表面全
体を１度にカバーするのではなく、半導体ウエハ４の表
面の一部の領域に対応してパターン形成されている。半
導体ウエハ４の表面全体に対して露光を行うためには、
レチクル１を半導体ウエハ４に対して順次ずらしながら
露光を行う必要がある。実際には、半導体ウエハ４の方
が移動される。アライメント光３は、露光時の光に比べ
て強度が低い暗視野光を使用し、半導体装置の製造工程
としてのスループットを考慮して、逐次移動式露光装置
によるアライメントは、自動的に行われる。

【０００４】図９は、レチクル１と半導体ウエハ４の基
点を合わせる粗調アライメントの状態を示す。レチクル
１に透過パターンで描画されたアライメントキー２の一
方を通過したアライメント光３は、前工程で半導体ウエ
ハ４上に形成された凸状の粗調アライメントターゲット
５付近を照射し、Ｘ，Ｙ方向にスキャンされる。実際に
は、アライメント光３は、レチクル１のアライメントキ
ー２を透過する位置で静止し、半導体ウエハ４側が動い
てスキャンが行われる。アライメント光３が粗調アライ
メントターゲット５のエッジ上に照射されると、反射し
て散乱した光の一部がクロスマスク６を通過し、その先
に設けられるディテクタで検知される。ディテクタは、
検知した光を電気信号に変換するので、アライメントシ
ステム側では、ディテクタからの電気信号に従って粗調
アライメントを行う。この粗調アライメントによって、
レチクル１と半導体ウエハ４との基点が合わせられる。

【０００５】図１０は、半導体ウエハ４の表面上に、複
数のチップパターン８をマトリクス状に露光する分割シ
ョットの状態を示す。図９に示すように、粗調アライメ
ントターゲット５を利用して基点が求められると、基点
に基づいて分割露光を行う位置がそれぞれ算出される。
レチクル１には、分割ショットの際のアライメントのた
めに、アライメントキー２が複数個形成されている。半
導体ウエハ４には、前の工程で複数の微調アライメント
ターゲット７が形成されている。レチクル１上のアライ
メントキー２を通過したアライメント光３が、前工程で
半導体ウエハ４上に凸状に形成された微調アライメント
ターゲット７上をスキャンし、微調アライメントターゲ
ット７のエッジ上を照射した際に、反射や散乱を生じた
光をディテクタで検出して、システム側が電気信号とし
て受取り、アライメントが行われる。レチクル１の両サ
イドに対する微調アライメントが終了した後、はじめて
レチクル１に描画されているパターンを用いて、半導体
ウエハ４上のチップパターン８に対する分割ショットを
行う。

【０００６】以上のようにして、逐次移動式露光装置で
は、粗調アライメント後、微調アライメントおよび分割
ショットが繰り返し行われ、半導体ウエハ４の表面全体
がレチクル１を用いて露光される。

【０００７】微調アライメントターゲット７はＩＣチッ
プなどの半導体装置の収率を増やすため、幅１２０μｍ
のＸ方向のスクライブライン９Ｘ内に配置され、ホトリ
ソグラフィ工程毎に１個の割合で複数個配置される。チ
ップパターン８は、Ｘ方向のスクライブライン９Ｘと、
これに直交するＹ方向のスクライブライン９Ｙとによっ
てマトリクス状に区画され、このうちのＸ方向のスクラ
イブライン９Ｘ内に微調アライメントターゲット７が配
置されている。スクライブライン上にアライメントター
ゲットを配置することに関連する先行技術は、たとえば
平成９年５月２３日付で登録された第２６５２０１５号
特許公報に開示されている。

【０００８】なお、図１０に示すような微調アライメン
トターゲット７は、幅１２０μｍのＸ方向のスクライブ
ライン９Ｘ内に配置され、ホトリソグラフィ工程毎に１
個の割合で複数個配置される。微調アライメントターゲ
ット７は、アライメントの際に最低必要である８０μｍ
の十字形の凸状パターンとなるように形成される。微調
アライメントターゲット７は、０．２μｍ以上の段差を
有するシリコンや酸化膜で形成され、その周囲１２０μ
ｍ内はアライメント光３の照射で散乱した光をディテク
タが検知する有効領域となることを考慮し、一切段差を
有するパターンがないようにしている。

【０００９】また、Ｙ方向のスクライブライン９Ｙの幅
は、チップダイシングに最低限必要な８０μｍに設定
し、半導体ウエハ４上でのチップパターン８の収率が大
きくなるようにしている。また、半導体ウエハ４上にチ
ップパターン８を形成していく過程では、微調アライメ
ントターゲット７の周囲に、Ｘ方向のスクライブライン
９Ｘが境界となって、両側にチップパターン８が配置さ
れる。各チップパターン８では、エッジから１０μｍ内
側に、アルミニウム（Ａｌ）などで形成されるメタルパ
ターン１０が設けられる。通常、チップパターン８のエ
ッジ付近は、不活性領域として、トランジスタ等の半導
体素子は一切形成しないようにしており、集積度を上げ
るために、そのスペースを利用してメタルパターン１０
による配線形成されることが多くなる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図１１に示すような微
調アライメントターゲット７の配置方法では、微調アラ
イメントターゲット７の周囲にメタルパターン１０が存
在するようになるので、メタルパターン１０が形成され
た後のホトリソグラフィ工程では、アライメント不良が
発生しやすくなる。メタルパターン１０の形成後のホト
リソグラフィ工程として層間絶縁膜のパターニングや、
カバー保護膜のパターニングを目的としたホトリソグラ
フィ工程がある。

【００１１】前述のように、逐次移動式露光装置による
微調アライメントでは、アライメント光３が前工程で形
成された凸状の微調アライメントターゲット７上をスキ
ャンし、そのアライメント光３が微調アライメントター
ゲット７のエッジ上に照射された際に、反射し散乱した
光の一部をクロスマスク６を通じて、ディテクタで検知
し、電気信号としてシステム側が受取ってアライメント
が行われるので、この微調アライメントの際に発生する
アライメント光３の反射や散乱が問題となる。

【００１２】図１１は、メタルパターン１０形成以降の
工程で使用する微調アライメントターゲット１１で、ア
ライメント光３による正常反射光１２とともに異常反射
光１３が生じる状態を示す。図１１（ａ）に示すよう
に、複数の微調アライメントターゲット７，１１のう
ち、メタルパターン１０が形成された後で微調アライメ
ントターゲット１１を使用してアライメントが行われる
場合を想定する。図１１（ｂ）に示すように、アライメ
ント光３が微調アライメントターゲット１１周辺の半導
体ウエハ４上に照射されると、正常反射光１２ととも
に、微調アライメントターゲット１１のエッジ付近で散
乱あるいは乱反射され、メタルパターン１０で反射され
るような異常反射光１３も生じる。アルミニウムなどの
メタルパターン１０は、光沢があって反射率が大きいの
で、本来ならば正常反射光１２が生じないようなアライ
メント光３の照射位置でも、ディテクタに検知されるよ
うな異常反射光１３が生じ、図１１（ｃ）に実線で示す
ように、破線で示す正常な反射光１２のみによるアライ
メント波形に比較し、複数のピークが生じるような異常
アライメント波形が得られる。すなわち、図９および図
１０に示すようなレチクル１のアライメントキー２を通
過したアライメント光３は、半導体ウエハ４の表面で複
雑な反射や散乱を起こし、散乱光の一部はスクライブラ
イン領域を越えて、チップパターン８の外周部に存在す
るメタルパターン１０まで到達する。到達した散乱光の
大半は、１．４μｍ程度の段差を持ち、反射率が高いア
ルミニウムなどのメタルパターン１０で反射され、再び
Ｘ方向のスクライブライン９Ｘ内まで戻って、戻ってき
た散乱光がクロスマスク６まで到達し、その先のディテ
クタで検知される。

【００１３】以上のように、従来ではメタルパターン形
成工程以降のホトリソグラフィ工程において、微調アラ
イメント時の散乱光が微調アライメントターゲット１１
周辺、つまりチップパターン外周部に存在するメタルパ
ターン１０で反射や散乱され、図１１（ｃ）に示すよう
にアライメント判別不可能な信号波形が得られるように
なり、結果としてアライメントすることができなくなる
問題が発生している。通常、アライメントは、ピーク信
号波形の７０％に判別レベルを設定しているので、異常
反射光による検知レベルが正常反射光による検知レベル
の７０％を超えると、アライメントの判別を行うことが
できなくなってしまう。

【００１４】以上述べたような問題の解決策としては、
微調アライメントターゲット１１からメタルパターン１
０を遠ざける方法や、Ｘ方向のスクライブライン９Ｘの
幅を拡げる方法が考えられる。しかしながら、半導体装
置のパターンレイアウトに複雑な制約が生じたり、チッ
プパターン８の収率の減少を招き、いずれも得策とは言
えない。

【００１５】本発明の目的は、メタルパターンを微調ア
ライメントターゲットから従来以上に遠ざけたり、スク
ライブライン幅を拡げたりする必要がなく、しもメタル
パターン形成後のアライメントを安定して確実に行うこ
とができる半導体装置の製造方法を提供することであ
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
上に、個々の半導体装置を形成する領域を、直交するス
クライブラインで区画してマトリクス状に配置し、逐次
移動式露光装置を使用して、半導体ウエハ上にレチクル
のパターンを、順次的に位置をずらせながら露光するホ
トリソグラフィ工程を含む半導体装置の製造方法におい
て、該逐次移動式露光装置を使用するホトリソグラフィ
工程に先行して、該レチクルのパターンを露光する際の
アライメントに必要なアライメントターゲットを、一方
向のスクライブライン上に複数個並べ、そのうちの１個
以上のアライメントターゲットは、該一方のスクライブ
ラインと、該一方に直交するスクライブラインとの交差
部に配置して形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法である。

【００１７】本発明に従えば、半導体ウエハ上には、個
々の半導体装置を形成する領域を、直交するスクライブ
ラインで区画してマトリクス状に配置する。半導体装置
のパターンは、レチクルから逐次移動式露光装置を使用
して半導体ウエハ上に、順次的に位置をずらせながら露
光するホトリソグラフィ工程を含む製造方法で製造され
る。逐次移動式露光装置を使用するホトリソグラフィ工
程に先行して、レチクルのパターンを露光する際のアラ
イメントに必要なアライメントターゲットを、一方向の
スクライブライン上に複数個並べ、そのうちの１個以上
のアライメントターゲットは、直交するスクライブライ
ンとの交差部に配置して形成するので、交差部に配置す
るアライメントターゲットに対してアライメント光をス
キャンする際には、他のアライメントターゲットやメタ
ルパターンなどが存在しない直交するスクライブライン
に沿ってスキャンすることができ、メタルパターン形成
後でも散乱光などの影響がないアライメント波形を経て
安定して確実なアライメントを行うことができる。

【００１８】また本発明は、前記交差部に配置されるア
ライメントターゲットを、メタルパターン形成以降のホ
トリソグラフィ工程でのアライメントに使用することを
特徴とする。

【００１９】本発明に従えば、交差部に配置されるアラ
イメントターゲットを用いて、メタルパターン形成以降
のホトリソグラフィ工程のアライメントを行うので、メ
タルパターンや他のアライメントターゲットなどの凹凸
の存在しない直交するスクライブラインに沿ってアライ
メントターゲットのスキャンを行い、確実にアライメン
トターゲットを検出して、精度よくアライメントを行う
ことができる。

【００２０】また本発明は、メタルパターンを、該メタ
ルパターン形成以降のホトリソグラフィ工程で使用され
るアライメントターゲットの周囲に対して、７５μｍ以
上離れるように形成することを特徴とする。

【００２１】本発明に従えば、アライメントターゲット
の周囲に対して７５μｍ以上離れるようにメタルパター
ンを形成するので、メタルパターン形成以降のホトリソ
グラフィ工程で使用するアライメントターゲットをスキ
ャンする際に、メタルパターンによる反射の影響を低減
し、アライメントを精度よく安定して行うことができ
る。

【００２２】また本発明は、前記アライメントターゲッ
トを、メタル伝導材料で形成することを特徴とする。

【００２３】本発明に従えば、アライメントを、メタル
伝導材料で形成するので、アライメントからの反射光の
強度が向上し、アライメント光による乱反射や散乱光が
他のメタルパターンなどで反射して検知されても、正常
なアライメントターゲットからの反射光の強度が大きく
なり、異常反射光と充分に区別して、確実にアライメン
トを行うことができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態に
従ってアライメントターゲットを配置した状態を示す。
複数のチップパターン２１をマトリクス状に配置し、ア
ライメント光２３を半導体ウエハ２４上に照射して、複
数の微調アライメントターゲット２５，２６，２７を検
知してアライメントを行い、チップパターン２１の内部
の半導体回路や半導体素子の形成工程が進められる。複
数の微調アライメントターゲット２５，２６，２７は、
一方向、たとえばＸ方向に沿って延びるスクライブライ
ン２９Ｘ上に配置される。チップパターン２１は、Ｘ方
向のスクライブライン２９Ｘおよびスクライブライン２
９Ｘに直交するＹ方向のスクライブライン２９Ｙによっ
て区画される。各チップパターン２１の周縁部には、メ
タルパターン３０が形成される。メタルパターン３０が
形成された工程以降では、Ｘ方向のスクライブライン２
９Ｘと、Ｙ方向のスクライブライン２９Ｙとの交差部に
形成される微調アライメントターゲット３１を用いてア
ライメントを行う。図１（ａ）は半導体ウエハ２４の表
面を部分的に示し、図１（ｂ）は微調アライメントター
ゲット３１にアライメント光２３を照射して正常反射光
３２が得られている状態を示し、図１（ｃ）はＹ方向の
スクライブライン２９Ｙに沿ってアライメント光２３を
スキャンして得られるアライメント波形を示す。図１
（ａ）に示すように、微調アライメントターゲット３１
に関し、その中心からスクライブライン２９Ｘ，２９Ｙ
に沿って、７５μｍ離れるエリア３１ａ内には、メタル
パターン３０が形成されないようにしている。

【００２５】従来からと同様に、微調アライメントター
ゲット２５，２６，２７，３１は、ＩＣチップ収率を増
やすため、幅１２０μｍのＸ方向のスクライブライン２
９Ｘ内に、ホトリソグラフィ工程毎に１個の割合で複数
個配置される。アライメントを実行する際に必要な微調
アライメントターゲット２５，２６，２７，３１の大き
さは、最低、長さ８０μｍである。微調アライメントタ
ーゲット２５，２６，２７，３１は、十字形の形状を有
し、０．２μｍ以上の段差を有するシリコンや酸化膜に
よる凸状パターンとなるように形成される。Ｙ方向のス
クライブライン２９Ｙの幅は、ＩＣチップ収率を増やす
ため、チップダイシングに最低限必要な８０μｍに設定
される。微調アライメントターゲット２５，２６，２
７，３１の周囲には、Ｘ方向のスクライブライン２９Ｘ
を境に、両側にチップパターン２１が配置され、各チッ
プパターン２１のエッジから１０μｍ以内にはメタルパ
ターン３０が形成される。ただし、メタルパターン形成
工程以降でアライメントに使用する微調アライメントタ
ーゲット３１の周囲には、前述のようなエリア３１ａが
設けられ、メタルパターン３０は形成されない。

【００２６】図２〜図５は、図１（ａ）に示すような微
調アライメントターゲット２５，２６，２７，３１の１
つ、たとえば微調アライメントターゲット２６をメタル
パターン形成以降のアライメントで使用する場合の、Ｙ
からＹ’の方向のスキャンを行う場合を想定して示す。

【００２７】図３に示すように、アライメント光２３が
図中Ａ点のＸ方向スクライブライン２９Ｘ上を照射する
と、アライメント光２３は、半導体ウエハ２４の表面で
複雑な反射や散乱を起し、散乱光の一部はスクライブラ
イン２９Ｘの領域を越えて、チップパターン２１の外周
部に存在するメタルパターン３０まで到達する。メタル
パターン３０は、１．４μｍ程度の段差を持ち、反射率
の高いアルミニウムなどで形成されているので、到達し
た散乱光の大半は反射され、再びスクライブライン２９
Ｘ内まで戻る。戻ってきた散乱光は、異常反射光３３と
してクロスマスク３６まで到達し、その先に配置される
ディテクタで検知される。

【００２８】図４に示すように、引続きアライメント光
２３は、０．５μｍ厚程度の酸化膜で凸状に形成される
微調アライメントターゲット２６上をスキャンする。微
調アライメントターゲット２６のエッジ上を通過する際
に、反射したり散乱したりした光の一部は、正常反射光
３２として、クロスマスク３６を通過し、その先のディ
テクタで検知される。

【００２９】図５に示すように、微調アライメントター
ゲット２６上を通過したアライメント光２３は、再びス
クライブライン２９Ｘ上のＡ’点を照射する。図３に示
すＡ点と同様に、異常反射光３３がクロスマスク３６を
通過し、ディテクタで検知される。

【００３０】図６は、図２のＹからＹ’の方向にスキャ
ンするときのアライメントシステムが受け取る信号波形
を示す。図４に対応して、微調アライメントターゲット
２６の照射の正常反射光３２に基づく正規の信号波形Ｂ
ばかりではなく、アルミニウム等のメタル伝導材料は反
射率が非常に高いので、アライメントを行うシステム側
は、図中に示すような、極めて大きな信号波形Ａ，Ａ’
を受け取る。すなわち、図３および図５に対応する異常
反射光３３に基づく信号波形Ａ，Ａ’も、正常反射光３
２に基づく信号波形Ｂと見分けにくい状態で得られる。
このような信号波形をアライメントシステム側が受け取
っても、微調アライメントターゲット２６の位置を判別
することはできない。

【００３１】図７は、メタルパターン３０を形成する位
置と、メタルパターン形成工程以降で使用する微調アラ
イメントターゲット３１の中心との間の距離Ｌを示す。
図８は、図７のＬをパラメータとして、図２と同様なＹ
方向のスキャンを行うときのアライメント信号波形を示
す。図８から判るように、微調アライメントターゲット
３１の中心からメタルパターン３０までの距離が７５μ
ｍ以下になると、著しく信号波形に影響を与えて、アラ
イメント判別が困難になる。この結果は、Ｘ方向のスキ
ャンに対しても同様である。したがって、図１では、微
調アライメントターゲット３１の周囲にエリア３１ａを
設定し、このエリア３１ａ内にはメタルパターン３０や
他の微調アライメントターゲット２５，２６，２７など
の凹凸を形成しないようにしている。このように、チッ
プパターン２１の外周部にあるメタルパターン３０など
を、微調アライメントターゲット３１の中心から７５μ
ｍ以上離しておくことによって、前述した問題はすべて
解決させることができる。

【００３２】また、従来はシリコンや酸化膜で形成して
いる微調アライメントターゲット２５，２６，２７，３
１を、反射率の高いアルミニウムやアルミニウム−シリ
コン（Ａｌ−Ｓｉ）等のメタル伝導材料で形成すること
によって、より大きな信号強度を有する正規信号波形が
得られるため、前述した問題に対して効果的であること
を付け加えておく。

【００３３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、スクライ
ブラインの交差部に配置されるアライメントターゲット
を、複数のアライメントターゲットが配置されているス
クライブラインに直交するスクライブラインに沿ってス
キャンしてアライメントを行うようにすれば、半導体ウ
エハ表面の凹凸が少ない部分に沿ってアライメント光を
照射することができ、安定にアライメントターゲットの
検出を行うことができる。また、スクライブラインの交
差部は、最終的にはスクライブによって切断する半導体
チップ上の空きスペースであるので、この部分に分割露
光用の微調アライメントターゲットを配置することによ
って、半導体装置のレイアウトへの制約を最小限に抑
え、半導体装置のチップパターン収率を減らすことな
く、安定かつ確実なアライメントを行うことができる。

【００３４】また本発明によれば、スクライブラインの
交差部のアライメントターゲットを、メタルパターン形
成後に使用するので、メタルパターンが形成されて散乱
光などの異常反射光が生じやすくなっても、メタルパタ
ーンを避けてアライメントターゲットのスキャンを行う
ことができ、確実にアライメントターゲットの検出を行
うことができる。

【００３５】また本発明によれば、メタルパターン形成
以降のホトリソグラフィ工程で使用するアライメントタ
ーゲットに対し、メタルパターンを７５μｍ以上離して
形成しておくので、アライメントターゲットをスキャン
するアライメント光がメタルパターンで反射してアライ
メント信号波形に与える影響を低減し、アライメントを
確実に行うことができる。

【００３６】また本発明によれば、アライメントターゲ
ットをメタル伝導材料で形成するので、アライメントタ
ーゲットからのアライメント光に対する反射率が高くな
り、周辺のメタルパターンなどからの異常反射光の影響
を相対的に低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態での微調アライメントタ
ーゲット２５，２６，２７，３１の配置状態を示す部分
的な平面図、アライメント光の正常な反射状態を示す簡
略化した正面断面図、およびスキャンによるアライメン
ト波形を示すグラフである。

【図２】図１の微調アライメントターゲット２６に対し
てＹ方向のスキャンを行う状態を示す部分的な平面図で
ある。

【図３】図２に示すＹ方向のスキャンが微調アライメン
トターゲット２６に到達する前の異常反射状態を示す簡
略化した正面断面図である。

【図４】図２に示すＹ方向のスキャンが微調アライメン
トターゲット２６上に到達するときの正常反射状態を示
す簡略化した正面断面図である。

【図５】図２に示すＹ方向のスキャンが微調アライメン
トターゲット２６に到達した後の異常反射状態を示す簡
略化した正面断面図である。

【図６】図２に示すＹ方向のスキャンの際のスキャン長
と信号強度との関係を示すグラフである。

【図７】図１に示す微調アライメントターゲット３１の
中心とメタルパターン３０との距離Ｌを示す簡略化した
正面断面図である。

【図８】図７の距離Ｌをパラメータとして、スキャン長
と信号強度との関係を示すグラフである。

【図９】従来からのステッパによる祖調アライメントの
状態を示す図である。

【図１０】従来からのステッパによる微調アライメント
の状態を示す図である。

【図１１】従来からの微調アライメントターゲットおよ
びメタルパターンの配置状態を示す部分的な平面図、ア
ライメント光の異常な反射状態を示す簡略化した正面断
面図、およびスキャンによるアライメント波形を示すグ
ラフである。

【符号の説明】

２１チップパターン２３アライメント光２４半導体ウエハ２５，２６，２７，３１微調アライメントターゲット２９Ｘ，２９Ｙスクライブライン３０メタルパターン３２正常反射光３３異常反射光３６クロスマスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウエハ上に、個々の半導体装置を
形成する領域を、直交するスクライブラインで区画して
マトリクス状に配置し、逐次移動式露光装置を使用し
て、半導体ウエハ上にレチクルのパターンを、順次的に
位置をずらせながら露光するホトリソグラフィ工程を含
む半導体装置の製造方法において、該逐次移動式露光装置を使用するホトリソグラフィ工程
に先行して、該レチクルのパターンを露光する際のアラ
イメントに必要なアライメントターゲットを、一方向の
スクライブライン上に複数個並べ、そのうちの１個以上
のアライメントターゲットは、該一方のスクライブライ
ンと、該一方に直交するスクライブラインとの交差部に
配置して形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項２】前記交差部に配置されるアライメントタ
ーゲットを、メタルパターン形成以降のホトリソグラフ
ィ工程でのアライメントに使用することを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】メタルパターンを、該メタルパターン形
成以降のホトリソグラフィ工程で使用されるアライメン
トターゲットの周囲に対して、７５μｍ以上離れるよう
に形成することを特徴とする請求項１または２記載の半
導体装置の製造方法。
【請求項４】前記アライメントターゲットを、メタル
伝導材料で形成することを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかに記載の半導体装置の製造方法。