JP2001075266A - X線マスクのバックエッチ方法、及びx線マスクのバックエッチ装置 - Google Patents

X線マスクのバックエッチ方法、及びx線マスクのバックエッチ装置

Info

Publication number
JP2001075266A
JP2001075266A JP24747099A JP24747099A JP2001075266A JP 2001075266 A JP2001075266 A JP 2001075266A JP 24747099 A JP24747099 A JP 24747099A JP 24747099 A JP24747099 A JP 24747099A JP 2001075266 A JP2001075266 A JP 2001075266A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
container
outer container
etch
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24747099A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidetaka Yabe
秀毅 矢部
Shigeto Ami
成人 阿彌
Kei Sasaki
圭 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP24747099A priority Critical patent/JP2001075266A/ja
Publication of JP2001075266A publication Critical patent/JP2001075266A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 均一にエッチングができ、またバックエッチ
時にメンブレンが割れにくい、X線マスクのバックエッ
チ方法、およびバックエッチ装置を提供する。 【解決手段】 底面に所定の大きさの穴を有し、内部に
バックエッチ溶液3を入れる容器1と、この容器1を内
部に収納する外容器40とを備え、表面にX線透過膜が
施された基板6を、基板6の裏面を容器1の内部に、基
板6の表面を外容器40の底面に向けて、容器1の底面
の穴に両面粘着テープ30により取り付け、水31を外
容器40内に入れたとき、外容器40内に入れた水面の
高さと容器1内の液面の高さとが同じになるようにし
て、バックエッチを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、X線リソグラフ
ィに使用するX線マスクの製造方法に係わるものであ
り、特にX線マスクのバックエッチ方法、およびX線マ
スクのバックエッチ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図10は特開平7−111258号公報
に示された、従来のX線マスクのバックエッチング装置
を示す図である。図において、1は容器、2はKOH除
去用タンク部、3はエッチング液、4、9、および11
はパイプ、5、7は開口部、6はSi基板、8は水、1
0はフランジ、40はパイプ、12、13、14はバル
ブ、15はOリング、20は基板装着部である。
【0003】次に上記のように構成された従来のX線マ
スクのバックエッチ方法について説明する。図10に示
すバックエッチ装置は、X線に対して透過性を有する薄
膜(メンブレン)の表面にX線吸収パターンを形成した
Si基板6の裏面をエッチング液3によってエッチング
除去し、メンブレンの表裏面を露出させて、これを露光
エリアとして使用するX線マスクを得るものであり、S
i基板6はエッチング液3が入れられた容器1の開口部
7に装着される。また、エッチング液3の液面からの高
さが、Si基板6が装着される開口部7と同じ位置に形
成されている開口部5と上記開口部7に配置されたSi
基板6の表面との間を、内部に空気が入れられたパイプ
4、11等により気密に接続している。従来のバックエ
ッチ装置は、このような構成にすることにより、Si基
板6の裏面に加わっている圧力と同じ圧力を常にSi基
板6の表面に加えるようにし、また、バックエッチ工程
が終了に向かうに従ってエッチング液3の量や濃度が変
化し、これに伴ってSi基板6の裏側にかかる圧力が変
化しても、Si基板6の表面にかかる圧力が裏面と常に
等しくなるようにしている。そのため、バックエッチ中
にメンブレンが変形したり破損することがない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のバックエッチ装
置は、以上のように構成され、Si基板6が縦型に配置
されているため、図11に示すように、エッチングによ
る発熱によって、対流は基板6の下から上に沿って流れ
ていく。その結果、下側は常に新鮮なエッチング液(高
濃度)にさらされており、上側はエッチング力の弱い液
(低濃度)が行くことになる。そのため、下側から先に
エッチングされ、上側は遅くなり、エッチングの不均一
が発生すると言った問題点があった。
【0005】また、例えばフッ硝酸などのエッチング液
でエッチングする場合、前述のように、対流によりエッ
チング液の濃度が基板の上下で異なり、その結果、エッ
チング速度が下側と上側で異なるため、Si基板のバッ
クエッチ部分の側壁の角度が異なる。具体的には、下側
の側壁は垂直に近いが、上側の側壁は斜めになる。その
結果、バックエッチ後の基板裏面のバックエッチエリア
周辺部の大きさが異なるため、得られた基板表面にレジ
ストを塗布するにあたって、回転塗布装置上に基板を装
着する際、図12に示すように、回転塗布装置の回転台
16に設けられた真空吸着溝17に基板6が乗らず、吸
着エラーを起こしやすいと言った問題が発生したり、基
板6の重心が回転台16の中央からずれるため、高速回
転時にSi基板が飛ぶといった問題があった。
【0006】また、メンブレンの表面の空気圧は、メン
ブレン中央部と同じ深さの所の水圧P0をパイプを通し
て空気圧に変換して基板表面に持ってきているため、メ
ンブレンの表面の空気圧と裏面の水圧は等しくなってい
る。しかし、図11に示すように、バックエッチ部分の
下部においては水深が深くなるため、表面の空気圧P 0
より裏面の水圧P1が高く(P0<P1)なり、逆にバッ
クエッチ部分の上部は表面の空気圧P0よりも裏面の水
圧P2が弱く(P0>P2)なる。その結果、メンブレン
の両側で圧力差が発生するため、メンブレンがその圧力
差に耐えられずに割れてしまうといった問題があった。
【0007】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、均一にエッチングができ、また
バックエッチ時にメンブレンが割れにくい、X線マスク
のバックエッチ方法、およびバックエッチ装置を提供す
ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の方法によ
るX線マスクのバックエッチ方法は、表面にX線透過膜
が施された基板の裏面にバックエッチ溶液、上記基板の
表面に液体または気体が接するようにして、上記基板を
容器内に水平に設置するとともに、上記基板の両面の圧
力が同じになるようにしたものである。
【0009】本発明の第2の方法によるX線マスクのバ
ックエッチ方法は、第1の方法によるバックエッチ方法
において、基板の表面に接する液体または気体が流動し
ているものである。
【0010】本発明の第3の方法によるX線マスクのバ
ックエッチ方法は、第1または第2の方法によるバック
エッチ方法において、底面に所定の大きさの穴を有し、
内部にバックエッチ溶液を入れる容器と、この容器を内
部に収納する外容器とを設け、表面にX線透過膜が施さ
れた基板を、上記基板の裏面を上記容器の内部に向け、
上記基板の表面を上記外容器の底面に向けて、上記容器
の底面の穴に基板取り付け手段により取り付け、液体を
上記外容器内に入れたときに、上記外容器内に入れた液
面の高さと上記容器内に入れた上記バックエッチ溶液の
液面の高さとが同じになるようにしたものである。
【0011】本発明の第4の方法によるX線マスクのバ
ックエッチ方法は、第3の方法によるバックエッチ方法
において、基板取り付け手段は、基板の表面側に設けら
れ、空気排出用の溝を有するものである。
【0012】本発明の第5の方法によるX線マスクのバ
ックエッチ方法は、第3の方法によるバックエッチ方法
において、基板取り付け手段は、両面に粘着性のある耐
薬品性の粘着テープであり、基板の裏面を容器の裏面に
上記粘着テープにより貼り付けたものである。
【0013】本発明の第6の方法によるX線マスクのバ
ックエッチ方法は、第1または第2の方法によるバック
エッチ方法において、底面に所定の大きさの穴を有し、
内部にバックエッチ溶液を入れる容器と、この容器を内
部に収納する外容器とを設け、表面にX線透過膜が施さ
れた基板を、上記基板の裏面を上記容器の内部に向け、
上記基板の表面を上記外容器の底面に向けて、上記容器
の底面の穴に基板取り付け手段により取り付け、液体を
上記外容器内に入れたとき、上記基板の表面に、液体中
に溜まった気泡が接する場合には、上記外容器内に入れ
た液面の高さが、上記容器内に入れた上記バックエッチ
溶液の液面の高さより上記気泡の厚さ分低くなるように
したものである。
【0014】本発明の第7の方法によるX線マスクのバ
ックエッチ方法は、第1または第2の方法によるバック
エッチ方法において、底面に所定の大きさの穴を有し、
内部にバックエッチ溶液を入れる容器と、この容器を内
部に収納する外容器とを設け、表面にX線透過膜が施さ
れた基板を、上記基板の裏面を上記容器の内部に向け、
上記基板の表面を上記外容器の底面に向けて、上記容器
の底面の穴に基板取り付け手段により取り付け、気体を
上記外容器内に入れたとき、上記外容器内の気体の圧力
と上記基板の裏面の水圧とが同じになるように制御した
ものである。
【0015】本発明の第8の方法によるX線マスクのバ
ックエッチ方法は、第1ないし第7のいずれかの方法に
よるバックエッチ方法において、表面に表面保護用のレ
ジストを塗布した基板を用いてバックエッチを行うもの
である。
【0016】本発明の第1の構成によるX線マスクのバ
ックエッチ装置は、底面に所定の大きさの穴を有し、内
部にバックエッチ溶液を入れる容器、この容器を内部に
収納する外容器、表面にX線透過膜が施された基板を、
上記基板の裏面を上記容器の内部に向け、上記基板の表
面を上記外容器の底面に向けて、上記容器の底面の穴に
取り付ける基板取り付け手段、及び上記外容器内に液体
または気体を入れたときに、上記基板の両面の圧力が同
じになるようにする圧力制御手段を備えたものである。
【0017】本発明の第2の構成によるX線マスクのバ
ックエッチ装置は、第1の構成によるバックエッチ装置
において、圧力制御手段は、液体を外容器内に入れたと
きに、上記外容器内に入れた液面の高さと容器内に入れ
たバックエッチ溶液の液面の高さとが同じになるように
するものである。
【0018】本発明の第3の構成によるX線マスクのバ
ックエッチ装置は、第1の構成によるバックエッチ装置
において、圧力制御手段は、液体を外容器内に入れたと
き、基板の表面に、液体中に溜まった気泡が接する場合
には、上記外容器内に入れた液面の高さが、容器内に入
れたバックエッチ溶液の液面の高さより上記気泡の厚さ
分低くなるようにするものである。
【0019】本発明の第4の構成によるX線マスクのバ
ックエッチ装置は、第1の構成によるバックエッチ装置
において、圧力制御手段は、気体を外容器内に入れたと
き、上記外容器内の気体の圧力と基板の裏面の水圧とが
同じになるように制御するものである。
【0020】本発明の第5の構成によるX線マスクのバ
ックエッチ装置は、第1ないし第4のいずれかの構成に
よるバックエッチ装置において、基板の表面に接する液
体または気体が流動するように構成したものである。
【0021】
【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、本発明の実
施の形態1を図を用いて説明する。図1はこの発明の実
施の形態1によるX線マスクのバックエッチ装置を示す
断面構成図である。図において、1は底面にバックエッ
チ部分の大きさに合わせた穴の開いた容器であり、3は
エッチング液、6はマスク基板(Si基板)、30は両
面に粘着性のある耐薬品性の粘着テープであり、例えば
古河電気工業(株)製、半導体用UV硬化性両面粘着テ
ープUC−228W400である。31は水、40は容
器1を内部に収納する外容器である。
【0022】先ず、マスク基板(Si基板)6の裏面に
ドーナツ状の両面粘着テープ30を貼り、さらに、基板
6の裏面を容器1の裏面に貼り付ける。
【0023】次に、水31を外容器40に入れ、マスク
基板6を貼り付けた容器1を外容器40の内側に入れ
る。外容器40に入れる水31の量は、容器1内にエッ
チング液3を入れたときにエッチング液3の液面の高さ
と水31の水面の高さとが同じになる様に予め量ってお
く。
【0024】その後、容器1内にエッチング液3を入
れ、容器1の底面の穴を通してエッチング液3と接する
マスク基板6の裏面がバックエッチされるのを待つ。な
お、この際、エッチング液3の蒸発等によりエッチング
液3の水面が低下したり、バックエッチのスピードを調
整するためバックエッチ液3を追加した場合は、外容器
40中の水31をスポイト等で抜いたり加えたりして水
面の高さを調整する。例えば、厚さ2mmのSi基板の
バックエッチを行うときは、容器1内に、硝酸40m
l、フッ酸160mlを入れ、20分程度待てば、バッ
クエッチは完了する。
【0025】次に、エッチング液3を抜き取り、その
後、容器1内に水を入れて洗い、また抜き取るという作
業を繰り返す。十分に基板6の裏面の水洗を行った後、
容器1から基板6を剥がし、基板6から両面粘着テープ
30を剥がせば、バックエッチは完了する。
【0026】なお、この両面粘着テープ30として紫外
線剥離型のテープを用いるとバックエッチ後に容易にテ
ープを剥離することが出来る。また、容器1に半透明の
フッ素樹脂(商品名:テフロン)のPFAやFEPを用
いると、耐酸性が優れていると共に光を通すので、紫外
線剥離型の両面テープを用いた場合、容易に剥がすこと
ができ、作業効率が向上する。なお、半透明の容器を使
うと水面の高さを合わせることが容易に出来るという効
果も併せ持つ。
【0027】以上のように、本実施の形態では、マスク
基板をバックエッチする際に、マスク基板6を、基板6
の裏面にエッチング液3、表面に水31が接するように
穴の開いた容器1の底面に水平にして設置し、容器1内
のエッチング液3の液面の高さと外容器40内の水面の
高さとが同じになるようにしているので、基板6の表面
の水圧Pと裏面の水圧Prをバックエッチ部分のすべて
の場所で同じにすることが出来る。この場合、バックエ
ッチ部分のどの部分においても圧力は等しいため、圧力
差によるメンブレンへの力はかからない。その結果、メ
ンブレンが割れることはない。また、マスク基板6を、
一方がエッチング液3、他方が水31からなる槽中に水
平にして設置しているため、エッチング液3の濃度は基
板6の裏面全面にわたって均一であり、基板裏面を均一
にエッチングできる。また、このため、基板裏面の側壁
角度は左右同じになるため、基板6の重心位置が異なる
ことはなく、得られた基板6上にレジストを回転塗布す
る際に、遠心力に耐えかねて基板6が飛び出すことがな
い。また、回転塗布装置の回転台に基板6を吸着させる
場合にも、吸着エラーを起こし難くなる。
【0028】実施の形態2.図2はこの発明の実施の形
態2によるX線マスクのバックエッチ装置を示す断面構
成図である。図において、32は支え柱、33は水導入
口である。
【0029】本実施の形態においては、バックエッチの
際、水導入口33から外容器40内に水を導入し、外容
器内40の水31が常に流動しているようにするととも
に、外容器40の一端より水を流出させて、常に水面が
容器1内のエッチング液3の液面と同じになるようにし
ている。
【0030】なお、図2では片側から水を入れ、反対側
から水を流しており、流す水の量によって基板表面の冷
却を制御することができる。図2の場合、バックエッチ
部分の左側の方が右側よりも冷却がされるため、エッチ
ング液によっては若干不均一にエッチングされることが
ある。そのときは水を入れる位置を基板6に対して回転
させたり、基板6を回してエッチングを行ったり、バッ
クエッチ部分の中央下部の外容器底面から導入する様に
しても良い。その結果、均一にエッチングが可能とな
る。
【0031】なお、外容器40内の水31を流さないと
きには、基板裏面にあるエッチング液3から出てくるガ
スが拡散して、外容器40内の水31に溶け込み、それ
が基板6の表面を腐食させることが考えられるが、図2
に示すように、外容器40内の水を流し続けることによ
って、基板表面には絶えず新鮮な水が供給されるため、
基板表面の腐食を押さえることが出来るという効果も併
せ持つ。さらに、水を流し続けると、ゴミを絶えず流し
出すため、基板表面にゴミが付着しにくい。その結果、
欠陥の少ないマスクを作ることが可能となる。
【0032】実施の形態3.図3〜5はこの発明の実施
の形態3によるX線マスクのバックエッチ装置を示す図
であり、図3(a)はバックエッチ装置の断面構成図、
図3(b)は基板6を容器1に取り付けた状態を基板表
面側から見た図である。図において、15はOリング、
34は押さえ板、35は止めネジ、36は気泡、37は
空気排出用の溝、60はバックエッチにより得られるメ
ンブレン部分である。
【0033】本実施の形態においては、図3(a)に示
すように、マスク基板6の上下にOリング15やパッキ
ンを置き、さらに押さえ板34を置いて止めネジ35で
締め付けることにより、マスク基板6を容器1に取り付
ける。その際、図3(b)に示すように、押さえ板34
には空気排出用の溝37を切っておく。このようにする
とマスク基板6の表側の空気の大部分を抜くことが出
来、基板表面に気泡36が残ることが防げる。ただし若
干Oリング15の厚さの分だけ気泡36が残る。
【0034】実施の形態1と同様に、エッチング液3の
液面の高さと水31の水面の高さとを同じにすれば、メ
ンブレン部分60の圧力が同じになるため、バックエッ
チの際にも割れることがない。また、基板6を取り付け
る押さえ板34に溝37を設けることにより、メンブレ
ン部分60に気泡が残らず、基板6を均一に冷却でき、
その結果、バックエッチを均一に行うことが出来る。
【0035】図4はこの発明の実施の形態3による他の
バックエッチ装置を示す図であり、図4(a)はバック
エッチ装置の断面構成図、図4(b)は基板6を容器1
に取り付けた状態を基板表面側から見た図である。図4
では、Oリング15の一部を溝37の部分で切り取って
いる。このようにすると気泡が基板6の表面に溜まるこ
とはない。そのため、図3に示すものに比べさらにエッ
チングの均一性を向上させることが出来る。
【0036】図5はこの発明の実施の形態3による他の
バックエッチ装置を示す図であり、図5(a)はバック
エッチ装置の断面構成図、図5(b)は基板6を容器1
に取り付けた状態を基板表面側から見た図である。図5
では、Oリングを使わず、直接、複数の押さえ板34を
置いて止めネジ35で締め付けることにより、マスク基
板6を容器1に取り付けている。押さえ板34は複数個
に分割されているため、押さえ板34と押さえ板34と
の間の間隙から容易に空気が排出され、気泡が基板6の
表面に溜まることはない。
【0037】また、図5に示すバックエッチ装置は、外
容器40の中央下部から水を入れ、外容器40のまわり
から流れ出す構造のため、メンブレン部分60の冷却を
制御でき、さらにエッチングの均一性を高めることもで
きる。また、表面の腐食の防止や、異物も付着しにくい
ため、欠陥の少ないX線マスクを製造することが可能と
なる。
【0038】実施の形態4.図6はこの発明の実施の形
態4によるX線マスクのバックエッチ装置を示す図であ
り、図6(a)はバックエッチ装置の断面構成図、図6
(b)は基板6を容器1に取り付けた状態を基板表面側
から見た図である。
【0039】図6において、マスク基板6の両面にOリ
ング15やパッキンを置き、さらに押さえ板34を置い
て止めネジ35で締め付けることにより、マスク基板6
を容器1に取り付ける。これを水31を入れた外容器4
0内に入れ、エッチング液3を容器1内に入れる。この
とき、エッチング液3の液面の高さと、外容器40内の
液面の高さの差a’が、外容器40内の水中に溜まった
気泡36の厚さaと同じになるようにする。
【0040】このようにするとメンブレン部分60の両
面にかかる圧力は同じになる。即ち、メンブレン部分6
0の裏側にはエッチング液3の高さH(cm)に相当す
る圧力Prがかかるが、メンブレン部分60の表には気
泡36の発生により生じる外容器内の水面の高さの差
H’(cm)に相当する圧力Pがかかる。本実施の形態
では、前述のように、a=a’であり、また、a+H=
a’+H’であるため、H=H’となり、メンブレン部
分の両面にかかる圧力は同じになる。
【0041】なお、厳密にはエッチング液3と水31の
密度は異なるため、エッチング液の3密度を考慮して、
水面の差a’を補正しても良い。例えばエッチング液3
の密度をρ(g/cm3)とすると、メンブレン部分の
裏面にはρH(g/cm2)の圧力がかかるため、表面
にも同等の圧力をかける必要がある。即ち、H’=ρH
となり、水面の差a’は、a+H=a’+H’より a’=a+(1−ρ)H となる。例えば、H=3cm、a=2cm、ρ=1.0
5g/cm3ならば、a’=1.85cmとなるため、
水面の高さを1.5mm補正すると良い。ただしメンブ
レン部分は0.15g/cm2程度の圧力差には十分に
耐えられるため、a’=aとしても実質的には問題はな
い。
【0042】さて、厳密には気泡36の厚さaは、マス
ク基板6の表面と押さえ板34の表面との差bに比べ、
H’に相当する水圧がかるため体積収縮し若干小さくな
る。1気圧をP=1kg/cm2とし、マスク基板6の
裏面の水深をHcm、押さえ板34の穴径及びOリング
15の内径をd、押さえ板34とマスク基板6とで形成
される体積をV、外容器40に水を入れた後の同体積を
V’、上記体積内の圧力をP’とすると、PV=P’
V’より 1×π(d/2)2×b=(1+H/1000)×π
(d/2)2×a 従って、a=b/(1+H/1000)となる。例え
ば、b=2cm、H=3cmとすると、a=1.99c
mとなる。
【0043】以上の結果より、水面の高さの差a’は、
密度と水圧分の補正を考えても無視でき、近似的にa’
≒a≒bとなるため、マスク基板の表面と押さえ板の表
面との差bを近似的に用いても良い。
【0044】図7はこの発明の実施の形態4による他の
バックエッチ装置を示す図であり、図7(a)はバック
エッチ装置の断面構成図、図7(b)は基板6を容器1
に取り付けた状態を基板表面側から見た図である。図に
おいて、38は重りである。外容器40内の支え柱32
上に、押さえ板34、Oリング15、マスク基板6、O
リング15、エッチング用の容器1を積み重ねて置き、
その上に重り38をのせる。その後、外容器40内に水
を入れ、最後にエッチング液3を容器1内に入れてバッ
クエッチを行う。このとき、エッチング液3の水面の高
さは、外容器40内の水面の高さより、気泡36の厚さ
(a)分高くする。気泡の厚さaは近似的にマスク基板
6の表面と押さえ板34の表面との差bを使っても良
い。
【0045】以上のように、水中の気泡36を用いて、
その厚さの分だけエッチング液3の水面の高さを補正す
れば、メンブレン部分の両側の圧力を同じにすることが
出来るため、バックエッチ中にメンブレン部分が割れる
ことがない。また、マスク基板6の表面は気体と接して
おり、表面が水に触れることはないので、ゴミの付着が
押さえられ、欠陥の少ないマスクが製作可能となる。
【0046】実施の形態5.図8はこの発明の実施の形
態5によるX線マスクのバックエッチ装置を示す断面構
成図である。図において、39は外容器40内に導入さ
れた、不活性ガス等の気体、41は上記気体39を外容
器40内に導入する気体導入口である。本実施の形態に
おいて、外容器40の内部には水31の変わりに気体3
9が封入されており、バックエッチする際に、マスク基
板6の表面は上記気体39に触れている。また、外容器
40内の気体39の圧力Pは、基板6の裏面の水圧Pr
と同じになるように、ポンプ等で制御されている。
【0047】以上のように、本実施の形態では、マスク
基板6を、基板6の裏面にエッチング液3、表面に気体
39が接するように穴の開いた容器1の底面に水平にし
て設置し、基板6の裏面に接するエッチング液3の水圧
と、基板6の表面に接する気体39の圧力とが同じにな
るようにしているので、メンブレンのどの部分において
も表裏面で圧力は等しいため、圧力差によるメンブレン
への力はかからない。その結果、メンブレンが割れるこ
とはない。また、実施の形態1と同様、マスク基板6を
水平にして設置しているため、エッチング液3の濃度は
基板6の裏面全面にわたって均一であり、基板裏面を均
一にエッチングできる。また、このため、基板裏面の側
壁角度は左右同じになるため、基板6の重心位置が異な
ることはなく、得られた基板6上にレジストを回転塗布
する際に、遠心力に耐えかねて基板6が飛び出すことが
ない。また、回転塗布装置の回転台に基板6を吸着させ
る場合にも、吸着エラーを起こし難くなる。
【0048】図9(a)(b)に実施の形態5のバック
エッチ装置によりエッチングされたマスク基板の断面と
実施の形態1のバックエッチ装置によりエッチングされ
たマスク基板の断面とを模式的に示す。実施の形態5の
バックエッチ装置によりエッチングした場合、基板6の
表面は気体に接しており、基板6は冷却されにくい。こ
のため、エッチングによる熱によってエッチング速度は
速く、図9(a)に示すように、基板6の裏面の側壁が
垂直に近くなる。その結果、側壁とメンブレン部分の境
界には応力が加わりやすく、耐久性は落ちるが、メンブ
レンエリア精度 の良いマスク基板が得られる効果があ
る。一方、実施の形態1のバックエッチ装置によりエッ
チングした場合、基板6の表面は液体に接しており、基
板6は冷却されやすい。このため、基板温度は低く、エ
ッチング速度は遅いため、図9(b)に示すように、基
板6の裏面の側壁はなだらかな曲線となる。その結果、
得られるマスク基板のメンブレンエリア精度はあまり良
くないが、側壁とメンブレン部分の境界には応力が加わ
りにくく、耐久性の優れたものが得られる効果がある。
【0049】実施の形態6.本実施の形態では、上記各
実施の形態1〜5において、バックエッチを行う前に基
板表面にレジストを塗布しておき、この基板を用いてエ
ッチングを行う。その後、レジストをウエットプロセス
等を用いたリフトオフで剥離する。
【0050】この方法はバックエッチ中に基板表面が水
に触れ、マスク基板にゴミが付いても、レジスト剥離工
程でのリフトオフにより、ゴミ除去が容易となる。ま
た、バックエッチ中に発生するエッチングガスが外容器
内の水に溶け込んで、それがマスクの表面にまわって
も、レジストで被覆されているため基板表面が腐食する
ことはない。その結果欠陥の少ないマスクを製造するこ
とが可能となる。
【0051】
【発明の効果】以上のように、この発明の第1の方法に
よれば、表面にX線透過膜が施された基板の裏面にバッ
クエッチ溶液、上記基板の表面に液体または気体が接す
るようにして、上記基板を容器内に水平に設置するとと
もに、上記基板の両面の圧力が同じになるようにしてバ
ックエッチしたので、基板がバックエッチ中に割れるこ
とが無く、また基板が均一にエッチングでき、さらにバ
ックエッチ部の側壁角度も同じになるため、回転塗布工
程で吸着エラーや回転時に吸着がはずれて飛ぶこともな
い。その結果歩留まりが向上するため、X線マスクのコ
ストを下げることが出来る。
【0052】また、この発明の第2の方法によれば、第
1の方法において、基板の表面に接する液体または気体
が流動しているので、バックエッチ中の熱の発生が制御
でき、その結果均一なバックエッチが可能となる。ま
た、基板の表面が液体に接している場合、バックエッチ
で発生するガスが上記液体に溶け込むことにより表面が
腐食するが、上記液体が流動している場合、このような
腐食の発生を防止することもでき、さらに、ゴミの付着
も防止できる。その結果、欠陥の少ないX線マスクが製
造可能となる。
【0053】また、この発明の第3の方法によれば、第
1または第2の方法において、底面に所定の大きさの穴
を有し、内部にバックエッチ溶液を入れる容器と、この
容器を内部に収納する外容器とを設け、表面にX線透過
膜が施された基板を、上記基板の裏面を上記容器の内部
に向け、上記基板の表面を上記外容器の底面に向けて、
上記容器の底面の穴に基板取り付け手段により取り付
け、液体を上記外容器内に入れたときに、上記外容器内
に入れた液面の高さと上記容器内に入れた上記バックエ
ッチ溶液の液面の高さとが同じになるようにしたので、
バックエッチで基板が割れることがなく、作業効率が上
昇する。その結果X線マスクのコストを下げることが可
能となる。
【0054】また、この発明の第4の方法によれば、第
3の方法において、基板取り付け手段は、基板の表面側
に設けられ、空気排出用の溝を有するので、基板の表面
側に気泡が溜まることがなく、メンブレン全面が液体に
触れることが出来る。その結果、温度不均一によるバッ
クエッチのむらを防止でき、均一なX線マスクを製造で
きる。
【0055】また、この発明の第5の方法によれば、第
3の方法において、基板取り付け手段は、両面に粘着性
のある耐薬品性の粘着テープであり、基板の裏面を容器
の裏面に上記粘着テープにより貼り付けたので、簡便か
つ安価に装置を作ることが出来る。その結果、生産性が
向上するため、X線マスクの製造コストを下げることが
可能となる。
【0056】また、この発明の第6の方法によれば、第
1または第2の方法において、底面に所定の大きさの穴
を有し、内部にバックエッチ溶液を入れる容器と、この
容器を内部に収納する外容器とを設け、表面にX線透過
膜が施された基板を、上記基板の裏面を上記容器の内部
に向け、上記基板の表面を上記外容器の底面に向けて、
上記容器の底面の穴に基板取り付け手段により取り付
け、液体を上記外容器内に入れたとき、上記基板の表面
に、液体中に溜まった気泡が接する場合には、上記外容
器内に入れた液面の高さが、上記容器内に入れた上記バ
ックエッチ溶液の液面の高さより上記気泡の厚さ分低く
なるようにしたので、メンブレンの両側にかかる圧力を
同じにすることが出来、バックエッチ中に基板が割れる
ことがない。また、基板表面は水に接しないためゴミ等
が付いて汚れることもなく、低欠陥のX線マスクを低コ
ストで作製することが可能となる。
【0057】また、この発明の第7の方法によれば、第
1または第2の方法において、底面に所定の大きさの穴
を有し、内部にバックエッチ溶液を入れる容器と、この
容器を内部に収納する外容器とを設け、表面にX線透過
膜が施された基板を、上記基板の裏面を上記容器の内部
に向け、上記基板の表面を上記外容器の底面に向けて、
上記容器の底面の穴に基板取り付け手段により取り付
け、気体を上記外容器内に入れたとき、上記外容器内の
気体の圧力と上記基板の裏面の水圧とが同じになるよう
に制御したので、メンブレンの両側にかかる圧力を同じ
にすることが出来、バックエッチ中に基板が割れること
がない。また、基板表面は水に接しないためゴミ等が付
いて汚れることもなく、低欠陥のX線マスクを低コスト
で作製することが可能となる。
【0058】また、この発明の第8の方法によれば、第
1ないし第7のいずれかの方法において、表面に表面保
護用のレジストを塗布した基板を用いてバックエッチを
行うので、表面にゴミが付いてもレジスト剥離を行えば
容易にゴミを落とすことが出来、また、バックエッチ中
に発生するエッチングガスが外容器内の水に溶け込ん
で、それが基板の表側にまわっても、レジストで被覆さ
れているため基板表面が腐食することはない。これらの
結果、欠陥のないX線マスクを作製することが可能とな
る。
【0059】また、この発明の第1の構成によるX線マ
スクのバックエッチ装置によれば、底面に所定の大きさ
の穴を有し、内部にバックエッチ溶液を入れる容器、こ
の容器を内部に収納する外容器、表面にX線透過膜が施
された基板を、上記基板の裏面を上記容器の内部に向
け、上記基板の表面を上記外容器の底面に向けて、上記
容器の底面の穴に取り付ける基板取り付け手段、及び上
記外容器内に液体または気体を入れたときに、上記基板
の両面の圧力が同じになるようにする圧力制御手段を備
えたので、基板がバックエッチ中に割れることが無く、
また基板が均一にバックエッチできる装置が得られる効
果がある。
【0060】また、本発明の第2の構成によるX線マス
クのバックエッチ装置によれば、上記圧力制御手段は、
液体を外容器内に入れたときに、上記外容器内に入れた
液面の高さと容器内に入れたバックエッチ溶液の液面の
高さとが同じになるようにするので、基板の両面の圧力
が同じになり、基板がバックエッチ中に割れることが無
く、また基板が均一にバックエッチできる装置が得られ
る効果がある。
【0061】また、本発明の第3の構成によるX線マス
クのバックエッチ装置によれば、上記圧力制御手段は、
液体を外容器内に入れたとき、基板の表面に、液体中に
溜まった気泡が接する場合には、上記外容器内に入れた
液面の高さが、容器内に入れたバックエッチ溶液の液面
の高さより上記気泡の厚さ分低くなるようにするので、
基板の両面の圧力が同じになり、基板がバックエッチ中
に割れることが無く、また基板が均一にバックエッチで
きる装置が得られる効果がある。
【0062】また、本発明の第4の構成によるX線マス
クのバックエッチ装置によれば、上記圧力制御手段は、
気体を外容器内に入れたとき、上記外容器内の気体の圧
力と基板の裏面の水圧とが同じになるように制御するの
で、基板の両面の圧力が同じになり、基板がバックエッ
チ中に割れることが無く、また基板が均一にバックエッ
チできる装置が得られる効果がある。
【0063】また、本発明の第5の構成によるX線マス
クのバックエッチ装置によれば、基板の表面に接する液
体または気体が流動するように構成したので、均一なバ
ックエッチが可能な装置が得られる効果がある。また、
腐食の発生や、ゴミの付着が防止でき、欠陥の少ないX
線マスクが製造可能となるバックエッチ装置が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1によるX線マスクの
バックエッチ装置を示す断面構成図である。
【図2】 この発明の実施の形態2によるX線マスクの
バックエッチ装置を示す断面構成図である。
【図3】 この発明の実施の形態3によるX線マスクの
バックエッチ装置を示す図である。
【図4】 この発明の実施の形態3による他のX線マス
クのバックエッチ装置を示す図である。
【図5】 この発明の実施の形態3によるさらに他のX
線マスクのバックエッチ装置を示す図である。
【図6】 この発明の実施の形態4によるX線マスクの
バックエッチ装置を示す図である。
【図7】 この発明の実施の形態4による他のX線マス
クのバックエッチ装置を示す図である。
【図8】 この発明の実施の形態5によるX線マスクの
バックエッチ装置を示す断面構成図である。
【図9】 この発明の実施の形態5のバックエッチ装置
によりエッチングされたマスク基板の断面と実施の形態
1のバックエッチ装置によりエッチングされたマスク基
板の断面とを模式的に示す図である。
【図10】 従来のX線マスクのバックエッチ装置を示
す図である。
【図11】 従来のバックエッチ装置の問題点を示す図
である。
【図12】 従来のバックエッチ装置の問題点を示す図
である。
【符号の説明】
1 容器、2 KOH除去タンク部、3 エッチング
液、4,9,11 パイプ、5,7 開口部、6 Si
基板、8、31 水、10 フランジ、12,13,1
4 バルブ、15 Oリング、16 回転台、17 吸
着溝、20 基板装着部、30 両面粘着テープ、32
支え柱、33 水導入口、34 押さえ板、35 止
めネジ、36 気泡、37 溝、38 重り、39 気
体、40外容器、41 気体導入口、60 メンブレン
部分。
フロントページの続き (72)発明者 佐々木 圭 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BA10 BB14 BB29 BB37 5F043 AA02 DD10 DD30 EE15 EE16 EE35 EE40 GG10 5F046 GD05 GD15

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面にX線透過膜が施された基板の裏面
    にバックエッチ溶液、上記基板の表面に液体または気体
    が接するようにして、上記基板を容器内に水平に設置す
    るとともに、上記基板の両面の圧力が同じになるように
    したことを特徴とするX線マスクのバックエッチ方法。
  2. 【請求項2】 基板の表面に接する液体または気体が流
    動していることを特徴とする請求項1記載のX線マスク
    のバックエッチ方法。
  3. 【請求項3】 底面に所定の大きさの穴を有し、内部に
    バックエッチ溶液を入れる容器と、この容器を内部に収
    納する外容器とを設け、表面にX線透過膜が施された基
    板を、上記基板の裏面を上記容器の内部に向け、上記基
    板の表面を上記外容器の底面に向けて、上記容器の底面
    の穴に基板取り付け手段により取り付け、液体を上記外
    容器内に入れたときに、上記外容器内に入れた液面の高
    さと上記容器内に入れた上記バックエッチ溶液の液面の
    高さとが同じになるようにしたことを特徴とする請求項
    1または2記載のX線マスクのバックエッチ方法。
  4. 【請求項4】 基板取り付け手段は、基板の表面側に設
    けられ、空気排出用の溝を有することを特徴とする請求
    項3記載のX線マスクのバックエッチ方法。
  5. 【請求項5】 基板取り付け手段は、両面に粘着性のあ
    る耐薬品性の粘着テープであり、基板の裏面を容器の裏
    面に上記粘着テープにより貼り付けたことを特徴とする
    請求項3記載のX線マスクのバックエッチ方法。
  6. 【請求項6】 底面に所定の大きさの穴を有し、内部に
    バックエッチ溶液を入れる容器と、この容器を内部に収
    納する外容器とを設け、表面にX線透過膜が施された基
    板を、上記基板の裏面を上記容器の内部に向け、上記基
    板の表面を上記外容器の底面に向けて、上記容器の底面
    の穴に基板取り付け手段により取り付け、液体を上記外
    容器内に入れたとき、上記基板の表面に、液体中に溜ま
    った気泡が接する場合には、上記外容器内に入れた液面
    の高さが、上記容器内に入れた上記バックエッチ溶液の
    液面の高さより上記気泡の厚さ分低くなるようにしたこ
    とを特徴とする請求項1または2記載のX線マスクのバ
    ックエッチ方法。
  7. 【請求項7】 底面に所定の大きさの穴を有し、内部に
    バックエッチ溶液を入れる容器と、この容器を内部に収
    納する外容器とを設け、表面にX線透過膜が施された基
    板を、上記基板の裏面を上記容器の内部に向け、上記基
    板の表面を上記外容器の底面に向けて、上記容器の底面
    の穴に基板取り付け手段により取り付け、気体を上記外
    容器内に入れたとき、上記外容器内の気体の圧力と上記
    基板の裏面の水圧とが同じになるように制御したことを
    特徴とする請求項1または2記載のX線マスクのバック
    エッチ方法。
  8. 【請求項8】 表面に表面保護用のレジストを塗布した
    基板を用いてバックエッチを行うことを特徴とする請求
    項1ないし7のいずれかに記載のX線マスクのバックエ
    ッチ方法。
  9. 【請求項9】 底面に所定の大きさの穴を有し、内部に
    バックエッチ溶液を入れる容器、この容器を内部に収納
    する外容器、表面にX線透過膜が施された基板を、上記
    基板の裏面を上記容器の内部に向け、上記基板の表面を
    上記外容器の底面に向けて、上記容器の底面の穴に取り
    付ける基板取り付け手段、及び上記外容器内に液体また
    は気体を入れたときに、上記基板の両面の圧力が同じに
    なるようにする圧力制御手段を備えたことを特徴とする
    X線マスクのバックエッチ装置。
  10. 【請求項10】 圧力制御手段は、液体を外容器内に入
    れたときに、上記外容器内に入れた液面の高さと容器内
    に入れたバックエッチ溶液の液面の高さとが同じになる
    ようにすることを特徴とする請求項9記載のX線マスク
    のバックエッチ装置。
  11. 【請求項11】 圧力制御手段は、液体を外容器内に入
    れたとき、基板の表面に、液体中に溜まった気泡が接す
    る場合には、上記外容器内に入れた液面の高さが、容器
    内に入れたバックエッチ溶液の液面の高さより上記気泡
    の厚さ分低くなるようにすることを特徴とする請求項9
    記載のX線マスクのバックエッチ装置。
  12. 【請求項12】 圧力制御手段は、気体を外容器内に入
    れたとき、上記外容器内の気体の圧力と基板の裏面の水
    圧とが同じになるように制御することを特徴とする請求
    項9記載のX線マスクのバックエッチ装置。
  13. 【請求項13】 基板の表面に接する液体または気体が
    流動するように構成したことを特徴とする請求項9ない
    し12のいずれかに記載のX線マスクのバックエッチ装
    置。
JP24747099A 1999-09-01 1999-09-01 X線マスクのバックエッチ方法、及びx線マスクのバックエッチ装置 Pending JP2001075266A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24747099A JP2001075266A (ja) 1999-09-01 1999-09-01 X線マスクのバックエッチ方法、及びx線マスクのバックエッチ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24747099A JP2001075266A (ja) 1999-09-01 1999-09-01 X線マスクのバックエッチ方法、及びx線マスクのバックエッチ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001075266A true JP2001075266A (ja) 2001-03-23

Family

ID=17163941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24747099A Pending JP2001075266A (ja) 1999-09-01 1999-09-01 X線マスクのバックエッチ方法、及びx線マスクのバックエッチ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001075266A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG115501A1 (en) * 2002-02-26 2005-10-28 Inst Of Microelectronics Apparatus and process for bulk wet etch leakage protection
US7566378B2 (en) * 2003-11-26 2009-07-28 Infineon Technologies Ag Arrangement of electronic semiconductor components on a carrier system for treating said semiconductor components with a liquid medium
JP2017228566A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハの薬液誘導具及び半導体ウェーハの処理方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG115501A1 (en) * 2002-02-26 2005-10-28 Inst Of Microelectronics Apparatus and process for bulk wet etch leakage protection
US7566378B2 (en) * 2003-11-26 2009-07-28 Infineon Technologies Ag Arrangement of electronic semiconductor components on a carrier system for treating said semiconductor components with a liquid medium
US8759230B2 (en) 2003-11-26 2014-06-24 Infineon Technologies Ag Treatment of a substrate with a liquid medium
JP2017228566A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハの薬液誘導具及び半導体ウェーハの処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2733771B2 (ja) 液体による処理装置
CN102944973B (zh) 表膜构件框体、表膜构件和表膜构件框体的使用方法
US7578302B2 (en) Megasonic cleaning using supersaturated solution
JP2009536450A (ja) プレート状基材を湿式処理するための装置と方法
JP4649363B2 (ja) ペリクル収納容器
JP2001075266A (ja) X線マスクのバックエッチ方法、及びx線マスクのバックエッチ装置
TW200837030A (en) Substrate slimming apparatus and method of slimming substrate
JP2011108805A (ja) ナノインプリントによるパターン形成方法
JP2003020255A (ja) ガラス基板の化学加工方法
JP3524540B2 (ja) ガラス基板の化学加工方法・化学加工装置及びガラス基板
EP1631396A2 (en) Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution
CN109244031B (zh) 单面区域腐蚀的夹具和腐蚀方法
JP2010118498A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US7608544B2 (en) Etching method and storage medium
US9968890B2 (en) Method for producing filter molded article
JP2906103B2 (ja) 処理装置
JP2009043997A (ja) 塗布方法
US6855640B2 (en) Apparatus and process for bulk wet etch with leakage protection
US20170304779A1 (en) Method for producing molded filter body
KR101595461B1 (ko) 임프린트용 몰드의 제조 방법 및 그 임프린트용 몰드를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법
JP6545077B2 (ja) 液体吐出ヘッドの製造方法
JP2004099437A (ja) ガラス基板の化学加工方法及び化学加工装置
JPS5837924A (ja) プラズマエッチング装置
JP2006261223A (ja) スペーサ付カバーガラスの洗浄方法及びバレル型アッシング装置
JP2008244323A (ja) ステンシルマスク

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040630