JP2001067734A - 記録媒体、光学素子、および情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録媒体に対するトラッキング制御を高精度
に行うことが可能な情報記録再生装置およびそれに適し
た部品や記録媒体に関する技術を提供する。 【解決手段】 情報記録再生装置１は、近接場光学素子
２３を用いて、トラッキング層９２を有する記録媒体９
に対して情報の記録再生動作を行う。記録媒体９のトラ
ッキング層９２は、導電体部９２Ａと非導電体部９２Ｂ
とにより形成されたトラッキングパターンＰＴを有して
おり、近接場光学素子２３の下面ＦＢには、複数の導電
体部２７Ａ，２７Ｂが設けられている。そして、導電体
部２７Ａ，２７Ｂのそれぞれと記録媒体９との間に生じ
る各静電容量を検出し、それらの検出結果を比較するこ
とにより、記録媒体に対する光学素子の位置ずれを検出
して、光学素子のトラッキング制御を高精度に行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高精度のトラッキ
ング性能を有する情報記録再生装置およびその部品、な
らびにそれに適した記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光を用いて記録媒体に情報を記録し、お
よび／または情報を記録媒体から再生する（読取りを行
う）装置である情報記録再生装置においては、情報を記
録媒体上の正確な位置に記録し、また、記録された情報
を正確な位置から読み取って再生する必要がある。その
ため、記録媒体上において、光学素子などにより構成さ
れる光学ヘッドを正確に位置決めして、トラッキング制
御を行う技術が必要になる。

【０００３】また、記録媒体における高密度化（デジタ
ル情報の記録密度の向上）の要求は高く、高密度化を行
うための研究開発が現在鋭意進められている。たとえ
ば、通常の光を用いる場合に存在する限界を打破するも
のとして、近接場光を用いることにより高密度化を図る
装置なども存在する。このような装置などにおいては、
さらに高密度された記録媒体に対して特に高精度のトラ
ッキング制御を行うことが必要とされている。

【０００４】このような位置決め精度を高める技術とし
ては、たとえば、特開平１０−２１５９４号公報に示さ
れる技術が存在する。図１７は、この従来例に係る情報
記録再生装置１００の構成図である。図１７に示すよう
に、この情報記録再生装置１００は記録媒体１０１とそ
の記録媒体１０１を駆動する駆動手段１１１とを備えて
おり、また記録媒体１０１は基板１０４の上に電極１０
３と記録層１０２とがこの順序で積層された構造を有し
ており、その最上層である記録層１０２の上面には、導
電性のトラッキング用ピット列１０６Ａとピット列が形
成されていない非導電性の領域である非形成領域１０６
Ｂとを有する記録面１０５が設けられている。この情報
記録再生装置１００は、導電性プローブ１０７と電圧印
加手段１０８と状態検出手段１０９と振動手段１１０と
をさらに備えている。振動手段１１０は、導電性プロー
ブ１０７を振動させる手段であり、電圧印加手段１０８
は、導電性プローブ１０７と電極１０３との間に交流電
圧を印加する手段である。さらに、状態検出手段１０９
は、電圧印加時における導電性プローブ１０７に流れる
電流を測定して導電性プローブ１０７の先端の位置状態
を検出する手段である。また、これらの各手段の動作
は、コンピュータ１１２により制御される。

【０００５】この情報記録再生装置１００においては、
導電性プローブ１０７は、振動手段１１０による振動付
与によりトラッキング用ピット列１０６Ａと直交する方
向（Ｙ方向）に振動しながら、トラッキング用ピット列
１０６Ａに平行な方向（Ｘ方向）に走査を行う。ここ
で、導電性プローブ１０７がトラッキング用ピット列１
０６Ａ（導電性）の直上に位置する際には比較的大きな
電流が流れ、導電性プローブ１０７が非形成領域１０６
Ｂ（非導電性）の直上に位置する際には比較的小さな電
流が流れる。したがって、図中に示す軌跡１１５を描く
ように導電性プローブ１０７がトラッキング用ピット列
１０６Ａと非形成領域１０６Ｂとの境界１１３を中心と
して振動するときにおいては、比較的大きな電流が流れ
る時間Ｔａと比較的小さな電流が流れる時間Ｔｂとが等
しく（Ｔａ−Ｔｂ＝０）なり、一方、導電性プローブ１
０７がトラッキング用ピット列１０６Ａと非形成領域１
０６Ｂとの境界１１３からＹ方向にずれた位置を中心と
して振動するときには、上記の時間Ｔａと時間Ｔｂとの
間に差異が生じる（Ｔａ−Ｔｂ≠０）ので、この差異を
検出することにより、境界１１３からの振動中心の位置
のずれを求めてトラッキング位置のずれを補償するもの
である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような技術では、振動手段１１０により導電性プロー
ブ１０７を振動させる必要があるが、その振動振幅の微
小化には困難が伴うため、高密度化に対応して高精度の
トラッキング制御を行うことは困難である。また、その
原理上、振動振幅以下に記録ピットを小さくすることが
できないなど高密度化への障害も存在する。このよう
に、振動を伴う上述の技術は、高密度化された記憶媒体
に対して十分な精度のトラッキング制御を行うことが困
難であるという問題を有している。

【０００７】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、記録
媒体に対するトラッキング制御を高精度に行うことが可
能な情報記録再生装置およびそれに適した部品や記録媒
体に関する技術を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の記録媒体は、情報を記録するため
の記録媒体であって、情報を記録する記録部と、導電体
部と非導電体部とにより形成されたトラッキングパター
ンを有するトラッキング層と、を備えることを特徴とす
る。

【０００９】請求項２に記載の記録媒体は、請求項１に
記載の記録媒体であって、前記記録媒体は、円盤状の形
状を有しており、前記トラッキングパターンは、それぞ
れが同心円状または螺旋状の形状を有する前記導電体部
と前記非導電体部とを、径方向において交互に配置する
ことにより形成されていることを特徴とする。

【００１０】請求項３に記載の記録媒体は、請求項１ま
たは請求項２に記載の記録媒体であって、前記記録部
は、前記トラッキング層に対して積層されて配置される
記録層として形成されることを特徴とする。

【００１１】請求項４に記載の記録媒体は、請求項１な
いし請求項３のいずれかに記載の記録媒体であって、前
記トラッキングパターンにおいて、前記導電体部の幅と
非導電体部の幅とが同一であることを特徴とする。

【００１２】また、請求項５に記載の光学素子は、導電
体部と非導電体部とにより形成されたトラッキングパタ
ーンを有する記録媒体との間で光学的作用を奏する光学
素子であって、光を導出または導入する光学窓を有する
光学素子本体と、前記光学窓に対して相対的に固定され
た位置に規定されて、前記記録媒体に対向する対向面
と、前記対向面上に設けられた複数の導電体部と、を備
え、前記複数の導電体部は、前記光学窓に関して点対称
または線対称に配置されることを特徴とする。

【００１３】請求項６に記載の光学素子は、請求項５に
記載の光学素子であって、前記導電体部の幅は、前記ト
ラッキングパターンの導電体部と非導電体部との幅に対
応する大きさを有することを特徴とする。

【００１４】請求項７に記載の光学素子は、請求項５ま
たは請求項６に記載の光学素子であって、前記光学素子
は、前記記録媒体に対して近接した状態で前記記録媒体
との間の光相互作用を近接場光を用いて行う近接場光学
素子であることを特徴とする。

【００１５】また、請求項８に記載の情報記録再生装置
は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の記録媒
体に対して情報の記録および／または読取りを行う情報
記録再生装置であって、請求項５または請求項６に記載
の光学素子と、前記光学素子の複数の導電体部のそれぞ
れと前記記録媒体との間に生じる各静電容量を検出し、
検出された前記各静電容量を相互に比較することによ
り、前記記録媒体に対する前記光学素子の位置ずれを計
測する計測手段と、前記記録媒体に対する前記光学素子
の位置を変更する駆動手段と、前記計測手段による処理
結果に基づいて、前記駆動手段に対して前記光学素子の
位置変更指令を送出することにより前記光学素子のトラ
ッキング制御を行う制御手段と、を備えることを特徴と
する。

【００１６】請求項９に記載の情報記録再生装置は、請
求項８に記載の情報記録再生装置であって、前記計測手
段は、複数の導電体部を所定の軸に関して２つに区分
し、一方の区分内に含まれる導電体部と前記記録媒体と
の間の第１の静電容量と、他方の区分内に含まれる導電
体部と前記記録媒体との間の第２の静電容量とを比較す
ることにより得られるトラッキング誤差信号に基づい
て、前記光学素子の所定の軸に直交する方向の位置ずれ
を計測することを特徴とする。

【００１７】請求項１０に記載の情報記録再生装置は、
請求項８または請求項９に記載の情報記録再生装置であ
って、前記光学素子を前記記録媒体に対して２００ｎｍ
以下に近接させて情報の記録再生を行うことを特徴とす
る。

【００１８】請求項１１に記載の情報記録再生装置は、
請求項８または請求項９に記載の情報記録再生装置であ
って、前記光学素子は、前記記録媒体に対して近接した
状態で前記記録媒体との間の光相互作用を近接場光を用
いて行う近接場光学素子であることを特徴とする。

【００１９】なお、本明細書において、「光学窓」と
は、各種光学素子において光が導出または導入する部分
を意味し、「導出または導入」とは、通常の光（近接場
光以外の光）においては光が出射または入射することを
意味し、近接場光においては近接場光が浸み出す（発生
する）ことまたは近接場光を利用して光学的検出を行う
ことを意味するものとする。

【００２０】

【発明の実施の形態】＜第１実施形態＞ ＜概要＞図１は、本実施の形態における情報記録再生装
置１の構成を示す概略図である。情報記録再生装置１
は、記録媒体９に対するデジタル情報の記録および／ま
たは読取りを行う情報記録再生装置であり、光ディスク
等の記録媒体９を保持した状態で記録媒体９を所定方向
に回転させる回転機構部５と、記録媒体９の記録面に対
する信号の記録または読み取り（再生）を行う光ヘッド
２と、光ヘッド２および回転機構部５に対して駆動制御
信号を与えるコントローラ３と、記録媒体９に対する記
録信号または再生信号を処理する信号処理部４とを備え
て構成される。

【００２１】回転機構部５は回転駆動部５１と回転部材
５２とを備えており、コントローラ３から与えられる駆
動制御信号に基づいて回転駆動部５１が回転部材５２を
所定方向に回転させる。回転部材５２は着脱自在の記録
媒体９を所定位置にて保持するような構造を有してお
り、装着された記録媒体９と一体となって回転動作を行
う。

【００２２】光ヘッド２は、レーザ光源１１とコリメー
タレンズ１２とビームスプリッタ１３と光検出器１４と
光ヘッド駆動部１８と保持部材１９と所定の光学系２０
とを備えて構成される。レーザ光源１１は、半導体レー
ザ等の小型の光源を使用することが望ましい。また、レ
ーザ光源１１はコントローラ３内に設けられた図示しな
いレーザ駆動回路によって駆動されるように構成されて
いる。そして、レーザ光源１１から出射される光は、コ
リメータレンズ１２、ビームスプリッタ１３および光学
系２０を介して記録媒体９に導かれる。

【００２３】コリメータレンズ１２はレーザ光源１１か
ら出射される光を平行光にする機能を有しており、ビー
ムスプリッタ１３はコリメータレンズ１２から導かれる
平行光を透過させる。そしてビームスプリッタ１３を透
過した光は光学系２０へと進む。また、図２の概略構成
図に示すように、光学系２０は、ミラー２１と対物レン
ズ２２と近接場光学素子２３とを有している。ビームス
プリッタ１３を透過した光は、光学系２０のミラー２１
で反射されてその向きを下方に変更して対物レンズ２２
へと進み、対物レンズ２２で集光されたのち、近接場光
学素子２３の一端側に設けられる微小開口から近接場光
が浸み出し、ニアフィールド領域に近接して存在する記
録媒体９の記録面に対して、微小スポットを形成して投
射される。

【００２４】一方、記録媒体９からの反射光は上記と逆
方向に進み、光学系２０の近接場光学素子２３、対物レ
ンズ２２、ミラー２１を介して、ビームスプリッタ１３
に戻る。そしてビームスプリッタ１３で反射されて光検
出器１４に入射する。すなわち、記録媒体９に記録され
た情報は光検出器１４によって読み取られる。

【００２５】レーザ光源１１とコリメータレンズ１２と
ビームスプリッタ１３と光検出器１４とはそれぞれ所定
位置に固定されており、光学系２０の各構成部品は保持
部材１９の先端部に配置されている。保持部材１９は光
ヘッド駆動部１８によって記録媒体９の回転中心方向に
対して直進的に進退自在なように構成されており、コン
トローラ３が光ヘッド駆動部１８に対して駆動制御信号
を与えることによって保持部材１９の位置、すなわち近
接場光学素子２３の記録媒体９に対する位置が制御され
る。なお、光ヘッド２の駆動機構は記録媒体９の回転中
心方向に対して直進的に進退する構成でなくともよく、
所定長さの保持部材を回転中心方向に対して揺動動作さ
せる機構であってもよい。

【００２６】信号処理部４は記録媒体９に対して記録す
るためのデータをコントローラ３を介してレーザ駆動回
路に与えたり、光検出器１４で検出された読み取りデー
タ（再生データ）をコントローラ３を介して受け取り、
他のデータ処理機器に対して出力する機能を有する。

【００２７】以上のようにこの実施の形態における情報
記録再生装置１では、光学的作用の対象物である記録媒
体９に対して近接した状態で、その先端部（微小な光学
窓）から浸み出る近接場光を発生させる。そして、情報
記録再生装置１は、この近接場光を利用して、記録媒体
９に対するデジタル情報の記録動作および再生動作のう
ち少なくとも一方を行うように構成されている。

【００２８】＜記録媒体＞次に、図３および図４を参照
しながら記録媒体９の構成について説明する。記録媒体
９は、図３の平面図に示すように、円盤状に形成されて
おり、その中央には回転部材５２に保持させるための孔
９５が形成されている。また、図４の断面図に示すよう
に、記録媒体９は、基板９１とトラッキング層９２と記
録層９３とが積層された構造を有している。

【００２９】ここで、トラッキング層９２は、導電体部
９２Ａと非導電体部９２Ｂとにより形成されたトラッキ
ングパターンＰＴ（図３）を有している。導電体部９２
Ａと非導電体部９２Ｂとは、それぞれ、円環状の平面形
状を有しており、複数の導電体部９２Ａと非導電体部９
２Ｂとが、径方向に交互に同心円状に配置されてトラッ
キングパターンＰＴが形成されている。また、ここで
は、円環状のトラッキングパターンＰＴとして、その径
方向における導電体部９２Ａの幅と非導電体部９２Ｂの
幅とが同一である場合を示している。

【００３０】基板９１は、たとえばＳｉＯ２（二酸化ケ
イ素）などの材料で形成されている。また、導電体部９
２Ａは、アルミニウム、金、銀、銅などの金属や、金属
以外の導電体（たとえば、ポリチオフェンやポリアセチ
レンなどの導電性樹脂や、カーボンを混入して導電性を
もたせた樹脂など）などの材料で形成されており、非導
電体部９２Ｂは、非導電性の樹脂などの材料で形成され
ている。さらに、記録層９３は、情報の記録に用いられ
る材料で形成されればよく、たとえば、フォトクロミッ
ク分子の薄膜として形成することができる。この記録層
９３においては、そのフォトクロミック分子の薄膜に対
して２種類の異なる特定波長の光を選択的に照射するこ
とによって照射部分の吸収率などの光学特性が変化する
性質を利用して、デジタル情報の記録が行われる。ま
た、再生時には、比較的弱い強度の光を照射して吸収率
の変化を検出するか、あるいは照射光の位相変化を検出
することで、記録されたデジタル情報の再生（読取り）
が可能となる。

【００３１】また、トラッキング層９２の導電体部９２
Ａは、それぞれ、所定幅で連続的に形成された環状帯で
あり、また、非導電体部９２Ｂも所定幅で連続的に形成
された環状帯である。後述するように、光ヘッド２の先
端部に設けられた近接場光学素子２３の導電体部２７
Ａ，２７Ｂ（図５）のそれぞれが、上記の導電体部９２
Ａおよび非導電体部９２Ｂのいずれの部分と多く対向し
ているかに応じて変化する静電容量を検出することによ
り、光ヘッド２の先端部の位置ずれを補正することがで
きる。このように導電体部９２Ａと非導電体部９２Ｂと
により構成されるトラッキングパターンＰＴを用いてト
ラッキング制御が行われる。

【００３２】なお、このトラッキングパターンＰＴは、
基板９１上に形成された導電体の層をエッチング等によ
り切除した部分に非導電性の樹脂を埋め込むことにより
形成することができる。すなわち、エッチングで除去さ
れずに残った部分が導電体部９２Ａとなり、非導電性の
樹脂などが埋め込まれた部分が非導電体部９２Ｂとな
る。この場合、非導電体部９２Ｂも導電体部９２Ｃ（図
４）の上に形成されることになるが、非導電体部９２Ｂ
と導電体部２７Ａ，２７Ｂとの間の静電容量は、非導電
体部９２Ｂの材料の誘電率や、非導電体部９２Ｂと導電
体部２７Ａ，２７Ｂとの間の離間距離を反映した値とな
る。したがって、この静電容量を検出することなどによ
り、光ヘッド２の先端部の位置ずれ補正が可能となる。

【００３３】この記録媒体９においては、上述したよう
に、記録層９３において情報が記録される。この記録層
９３は、トラッキング層９２に対してその上方に積層さ
れて配置され、デジタル情報を記録する記録部として機
能する。具体的には、環状帯である各導電体部９２Ａ，
９２Ｂの直上部分において、記録ピット列を形成するこ
となどにより情報を記録することができる。したがっ
て、記録媒体９において、導電体部９２Ａと非導電体部
９２Ｂとの径方向の繰り返しに応じた間隔ｐを有する同
心円状の記録ピット列を形成することが可能になる。こ
こで、トラッキングパターンＰＴは、記録層９３とは別
の層として形成されるトラッキング層９２に設けられて
いるため、トラッキングパターンＰＴを記録層９３と同
一の層内に設ける場合に比べると、トラッキングパター
ンＰＴ形成のための領域を記録層９３内に設ける必要が
ないので、半径方向の記録密度の低下を防止することが
できる。このように、デジタル情報を記録する記録部
は、トラッキング層９２に対して積層されて配置される
記録層９３として形成されており、トラッキング層９２
とは別に積層された記録層９３において情報の記録が行
われるので、記録層９３における情報の高密度化を図る
ことができる。

【００３４】＜光学素子＞次に、近接場光学素子２３の
構成などについて説明する。図５は近接場光学素子２３
の概略斜視図である。図５に示すように、近接場光学素
子２３は、直方体形状の光学素子本体２４を有してお
り、また、光学素子本体２４の上面ＦＵから下面ＦＢに
向けて設けられる円錐状の切り欠き部２５と下面ＦＢと
が交わる部分において形成される微小開口２６をも有し
ている。この微小開口２６は、この近接場光学素子２３
における「光学窓」に相当する。近接場光学素子２３
は、この光学窓を介して、記録媒体９との間で光学的作
用（ここでは近接場光を用いた光学的作用）を奏するこ
とにより情報の記録再生を行う。

【００３５】また、近接場光学素子２３の下面ＦＢは、
微小開口２６に対して相対的に固定された位置に規定さ
れて記録媒体９に対向する対向面でもあり、この下面Ｆ
Ｂに複数の導電体部２７が設けられている。図５では、
２つの導電体部２７Ａ，２７Ｂが設けられる場合を示し
ており、これらの複数（２つ）の導電体部２７Ａ，２７
Ｂは、微小開口２６に関して点対称に配置されている。
後述するように、この導電体部２７Ａ，２７Ｂを用いる
ことにより、下面ＦＢ内において軸ＣＬ１に直交する軸
ＣＬ２方向の位置ずれを検出することが可能になる。

【００３６】また、ここでは、導電体部２７Ａ，２７Ｂ
を微小開口２６に関して点対称に配置しているが、下面
ＦＢ内の所定軸ＣＬ１に関して線対称となるように導電
体部２７Ａ，２７Ｂを配置してもよい。その場合であっ
ても、径方向の位置ずれを容易に検出することができ
る。なお、点対称に配置する場合においては、導電体部
２７Ａ，２７Ｂを軸ＣＬ１の近傍において軸ＣＬ１に沿
って配置しつつ、導電体部２７Ａ，２７Ｂが微小開口２
６と配置位置に関して干渉することがないように配置す
ることが可能になる。

【００３７】この近接場光学素子２３は、情報の記録再
生時において、記録媒体９上の所望の位置に対して正確
に位置決めされることが求められるが、上記の各導電体
部２７Ａ，２７Ｂと記録媒体９側のトラッキングパター
ンＰＴとの間での静電容量を検出することなどにより、
位置ずれを補償して正確な位置決めを行うことが可能に
なる。以下では、このような動作を行うための構成など
について説明する。

【００３８】＜計測動作など＞図６は、近接場光学素子
２３と記録媒体９との相対的位置関係などを示す概略断
面図であり、円盤状の記録媒体９の径方向における断
面、および同方向の近接場光学素子２３の断面とがあわ
せて示されている。また、図７は、近接場光学素子２３
と記録媒体９との関係を示す平面図である。なお、図７
においては、曲率半径が十分に大きいものとして、同心
円環状の各導電体部９２Ａ，非導電体部９２Ｂの一部を
直線状に図示している。

【００３９】近接場光学素子２３は、記録媒体９のトラ
ック位置（径方向の位置）とセクタ位置（周方向の位
置）によって記録媒体内の位置を特定して、記録媒体９
の記録層９３に記録された所望の情報にアクセスする。
ここでは、トラック位置（径方向の位置）に関する位置
ずれの計測動作などについて説明する。

【００４０】図６においては、回転する記録媒体９の記
録層９３に記録された所望の情報にアクセスするにあた
って、近接場光学素子２３が所望の径方向の位置（正規
の位置）に存在する場合を示している。すなわち、近接
場光学素子２３は、所望の導電体部９２Ａ（９２Ａ１）
の直上の記録層９３にアクセスするために、導電体部９
２Ａ１の中心線ＣＬ３が近接場光学素子２３の中央部
（微小開口２６）を通過するように近接場光学素子２３
が配置されている。

【００４１】また、図６に示されるように、記録媒体９
のトラッキング層９２の導電体部９２Ａは接地されてお
り、さらに、２つの導電体部２７Ａ，２７Ｂは、それぞ
れ、配線ＬＡ，ＬＢ、高周波電源２８Ａ，２８Ｂ、およ
び電流検出用抵抗２９Ａ，２９Ｂを介して接地されてい
る。配線ＬＡ，ＬＢは、図５において図示していない
が、たとえば、導電体部２７Ａ，２７Ｂから上面ＦＵへ
と向けて光学素子本体２４を貫通するように設けられ
る。

【００４２】この高周波電源２８Ａ，２８Ｂは、所定の
周波数を有する正弦波電圧を発生することが可能であ
り、これにより電圧を印加すると、導電体部２７Ａとト
ラッキング層９２との間、ならびに導電体部２７Ｂとト
ラッキング層９２との間には、それぞれの材料の誘電率
などにより定まる各静電容量に応じて微小電流が流れ
る。この両者の電流を比較することにより、両者の静電
容量を比較することが可能になる。ここでは、抵抗２９
Ａ，２９Ｂの抵抗値を同一の値とし、抵抗２９Ａ，２９
Ｂのそれぞれの両端の端子電圧ＶＡ（地点ＰＡ〜アース
間電圧），ＶＢ（地点ＰＢ〜アース間電圧）を比較し、
その差を差動増幅器３１を用いて増幅して得られるトラ
ック誤差信号ＴＥＳ（Tracking Error Signal）に基づ
いて、上記の両地点ＰＡ，ＰＢにおける微小電流を比較
する。これらの高周波電源２８Ａ，２８Ｂ、電流検出用
抵抗２９Ａ，２９Ｂ、および差動増幅器３１は、近接場
光学素子２３の導電体部２７Ａ，２７Ｂのそれぞれと記
録媒体９表面との間に生じる各静電容量を検出し、検出
された各静電容量を相互に比較することにより、記録媒
体９に対する光学素子の位置ずれを計測する計測手段と
して機能する。

【００４３】たとえば、図８に示すように、図６の状態
に比べて近接場光学素子２３が正規位置から径方向右側
にｐ／２だけずれた位置に存在する場合にあっては、導
電体部２７Ａには導電体部９２Ａが対向し、導電体部２
７Ｂには非導電体部９２Ｂが対向する。

【００４４】ここで、一般に静電容量Ｃは、対向する導
電体の対向面積が大きくなるにつれ大きくなり、また、
対向する導電体相互間の距離が大きくなるにつれて小さ
くなる。また電流は、高周波電源２８Ａ，２８Ｂの発振
器角周波数ωおよび発振器出力電圧Ｅが同じ場合には、
静電容量Ｃに比例する。

【００４５】したがって、図８に示すような場合には、
導電体部２７Ａと導電体部９２Ａとの間の静電容量は、
導電体部２７Ｂと非導電体部９２Ｂとの間の静電容量よ
りも大きな値となり、前者（導電体部２７Ａと導電体部
９２Ａとの間）には後者（導電体部２７Ｂと非導電体部
９２Ｂとの間）よりも大きな電流が流れる。したがっ
て、これに応じて、端子電圧ＶＡ，ＶＢの間にはＶＡ＞
ＶＢなる関係が成立する。ここで、トラック誤差信号Ｔ
ＥＳをα×（ＶＡ−ＶＢ）として定義すると、トラック
誤差信号ＴＥＳは正の値をとる。ただし、αは、増幅率
を表す正の値である。

【００４６】図９は、このようなトラック誤差信号ＴＥ
Ｓの増減を示す概念図であり、図９（ａ）は、トラッキ
ング層９２の導電体部９２Ａおよび非導電体部９２Ｂの
断面図であり、図９（ｂ）は、近接場光学素子２３が正
規の位置からｘだけずれた場合のトラック誤差信号ＴＥ
Ｓを図９（ａ）に対応させて示した図である。図９
（ｂ）において、図８の状態におけるトラック誤差信号
ＴＥＳは点Ｐ１として示されている。

【００４７】また、近接場光学素子２３が図８の状態か
ら徐々に左側にずれて正規の位置からのずれが減少して
いくと、それに応じてトラック誤差信号ＴＥＳも減少
し、図６および図７に示すような状態、すなわち、近接
場光学素子２３が正規の位置に存在する状態において
は、トラック誤差信号ＴＥＳがゼロになる。このときの
トラック誤差信号ＴＥＳは、図９において点Ｐ２として
示されている。そして、近接場光学素子２３が左側にず
れていくと、トラック誤差信号ＴＥＳもさらに減少して
その値は負となり、ずれが（−ｐ／２）となったときに
最小値をとる（図９において点Ｐ３として示す）。

【００４８】このトラック誤差信号ＴＥＳは、近接場光
学素子２３の正規位置からのずれが（−ｐ／２）から
（＋ｐ／２）までの区間においては、単調に変化（増加
あるいは減少）しており、任意のトラック誤差信号ＴＥ
Ｓの値に対して、ずれに関する方向とずれの大きさ（絶
対値）が一意に決定される。したがって、トラック誤差
信号ＴＥＳの値の正負およびその大きさを求めることに
より、近接場光学素子２３に関する正規の位置からのず
れの方向および大きさを知ることができる。なお、図９
においては簡略化のため、トラック誤差信号ＴＥＳは径
方向のずれに関する１次の単調増加関数であるとして図
示しているが、一般には、１次の関数には限定されな
い。

【００４９】なお、上記において、ずれの大きさが所定
の値（ｐ／２）よりも大きい場合には、近接場光学素子
２３の位置を特定することができないが、ここでは、ず
れの大きさはそのような所定値に比べて小さいものと仮
定している。たとえば、近接場光学素子２３を所定の制
御則に基づいてその位置制御を行った場合には、その位
置誤差はその所定値よりも小さな値の範囲に収まる場合
が多いと考えられる。また、大きな位置ずれが生じない
ように別途の方法により補償することも可能である。た
とえば、トラック番号などの概略位置情報を記録媒体９
の所定のセクタに記憶しておき、近接場光学素子２３が
その所定のセクタを通過する時点においてその情報を読
み出すことができる。これにより、現在位置のトラック
番号と指定トラック番号との比較結果が異なる場合であ
っても、現時位置を指定された番号のトラック位置に移
動するなどの大まかな位置補正が可能になり、上記の位
置誤差が、所定の範囲内にあるものとして上記のより正
確な位置補正を適用することが可能になる。

【００５０】また、各導電体部２７Ａ（，２７Ｂ）の幅
ｃと導電体部９２Ａの幅ａとは、同一（ａ＝ｃ）である
ことが好ましい。これらの幅ａ，ｃが互いに異なる場合
には、近接場光学素子２３の正規位置からのずれｘを検
出できない区間、すなわち不感帯を生じることがあるか
らである。これについて図１０を用いて説明する。図１
０（ａ）は、ｃ＝ａ／４の場合の図６に対応する断面図
であるが、近接場光学素子２３が正規の位置からｘだけ
ずれている場合を示している。また、図１０（ｂ）にお
いては、近接場光学素子２３（幅ｃ＝ａ／４）が正規の
位置からｘだけずれている場合のトラック誤差信号ＴＥ
Ｓの変化を示している。この場合においては、ずれｘの
大きさが所定の値（ａ／４）より小さい場合において
は、トラック誤差信号ＴＥＳは、ゼロ（または、ゼロに
近い微小値）となる。すなわち、区間[−ａ／４，＋ａ
／４]では、トラック誤差信号ＴＥＳに基づく位置ずれ
検出が困難になり、この区間が不感帯となる。

【００５１】このような不感帯は、幅ａ，ｃの関係が０
＜ｃ＜（ａ／２）の場合に生じる。また、（３×ａ／
２）＜ｃ＜（５×ａ／２）の場合においても、同様に不
感帯が生じる。したがって、幅ａ，ｃについて、（ａ／
２）≦ｃ≦（３×ａ／２）となることが好ましい。ま
た、この条件は、一般的には、（２×ｎ＋１／２）×ａ
≦ｃ≦（２×ｎ＋３／２）×ａとして表せる（ｎ＝０，
１，２，...）。

【００５２】ただし、これ以外の条件、すなわち、０＜
ｃ＜（ａ／２），（２×ｎ＋５／２）×ａ≦ｃ≦（２×
ｎ＋７／２）×ａの場合であっても、トラック誤差信号
ＴＥＳ信号は微小ながら存在することもあるので、本発
明の適用範囲がこのような範囲に限定されるわけではな
い。また、上記の条件は、導電体部９２Ａの幅ａと非導
電体部９２Ｂの幅ｂとが同一（ａ＝ｂ）であり、かつ、
各導電体部２７Ａ（，２７Ｂ）が中心線に合わせて配置
されていることを前提とする場合の条件であり、各導電
体部２７Ａ，２７Ｂが中心線からずれて配置される場合
などにおいては、その配置位置に応じて上記の条件が変
化する。各導電体部２７Ａの幅ｃは、このような各種条
件に応じて、記録媒体９のトラッキングパターンＰＴの
導電体部９２Ａの幅ａと非導電体部９２Ｂの幅ｂとに対
応する大きさを有することが好ましい。

【００５３】さらに、導電体部９２Ａの幅ａと非導電体
部９２Ｂの幅ｂとは、同一（ａ＝ｂ）であることが好ま
しい。これらの幅ａ，ｂが互いに異なる場合には、上記
の位置ずれ検出可能範囲が狭くなるからである。これに
ついて図１１を用いて説明する。図１１（ａ）は、幅
ａ，ｂ，ｃについて、ａ＝３×ｂ，ｃ＝２×ｂの場合の
図６に対応する断面図であるが、近接場光学素子２３が
正規の位置からｘだけずれている場合を示している。ま
た、図１１（ｂ）は、ずれｘに対するトラック誤差信号
ＴＥＳの変化を示している。この場合において、−ｂ／
２≦ｘ≦＋ｂ／２においてはトラック誤差信号ＴＥＳの
値が変化するものの、たとえばｂ／２≦ｘ≦３×ｂ／２
においてはトラック誤差信号ＴＥＳの値が変化せず同一
の値となる。すなわち、この区間[ｂ／２，３×ｂ／２]
では、トラック誤差信号ＴＥＳに基づく位置ずれ検出が
困難になる。したがって、位置ずれ検出可能範囲を広く
するため、導電体部９２Ａの幅ａと非導電体部９２Ｂの
幅ｂとは同一（ａ＝ｂ）であることが好ましい。ただ
し、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。そ
れ以外の場合であっても、ずれｘが所定の位置ずれ検出
可能範囲内に収まる程度であるときには、本発明を適用
することができるからである。

【００５４】次に、情報記録再生装置１における近接場
光学素子２３を用いたトラッキング動作について、図１
２のフローチャートを参照しながら説明する。

【００５５】まず、所定の制御則に基づいて所望の位置
に光ヘッド２の先端部を移動する（ステップＳＰ１
０）。

【００５６】そして、ステップＳＰ２０において、光ヘ
ッド２の先端部に設けられた近接場光学素子２３の導電
体部２７Ａ，２７Ｂのそれぞれと記録媒体９との間に生
じる各静電容量を検出する。ここでは、各静電容量を反
映した値として、上述の電流検出用抵抗２９Ａ，２９Ｂ
の端子電圧ＶＡ，ＶＢを測定する。

【００５７】次のステップＳＰ３０において、この端子
電圧ＶＡ，ＶＢに基づいて、トラック誤差信号ＴＥＳ
（＝α×（ＶＡ−ＶＢ））を算出する。これにより、近
接場光学素子２３の正規の位置に対するずれ（方向、大
きさ）を測定することができる。トラック誤差信号ＴＥ
Ｓの正負の符号によって、ずれｘの方向を知ることがで
きるので、次のステップＳＰ４０において、ずれｘを減
少させるような位置補正指令を与えることができる。ま
た、トラック誤差信号ＴＥＳの値の大きさは、ずれｘの
大きさを反映しているので、あらかじめトラック誤差信
号ＴＥＳとずれとの関係を測定してテーブル化しておけ
ば、そのテーブルを参照してずれ量を直接得て、補正指
令の生成に利用することもできる。

【００５８】ステップＳＰ４０においては、ステップＳ
Ｐ３０での位置測定結果に基づいて、コントローラ３が
光ヘッド駆動部１８に対して駆動制御信号を与える。こ
れにより、近接場光学素子２３の記録媒体９に対する位
置の補正指令を与える。たとえば、トラック誤差信号Ｔ
ＥＳが図９の点Ｐ１２で与えられる値を有する場合に
は、トラック誤差信号ＴＥＳの値の符号が正であるの
で、近接場光学素子２３が正規の位置から径方向右側に
ずれていることがわかる。したがって、これに応じて近
接場光学素子２３を径方向左側に微少量移動させるため
の補正指令が送出される。この指令値は、各種のフィー
ドバック制御則を用いて作成される。なお、トラック誤
差信号ＴＥＳの値の符号のみでなく、トラック誤差信号
ＴＥＳの値の絶対値をも考慮して補正指令値を生成すれ
ば、さらに正確な制御が可能になる。

【００５９】ステップＳＰ５０においては、コントロー
ラ３からの補正指令に基づいて、光ヘッド駆動部１８が
実際に光ヘッド２を駆動する。これにより、近接場光学
素子２３の径方向の位置が補正される。

【００６０】上記のステップＳＰ２０〜ＳＰ５０の動作
は、ステップＳＰ６０で終了すべきと判断されるまで適
宜繰り返され、トラック誤差信号ＴＥＳの値が、ほぼゼ
ロになるように制御される。これにより、近接場光学素
子２３が正規の位置に制御される。

【００６１】このような動作は、上記の制御ループにお
いて、ステップＳＰ６０で終了すべきと判断された時点
で終了する。

【００６２】以上のように、この実施形態の記録媒体９
は、トラッキング層９２において、導電体部９２Ａと非
導電体部９２Ｂとにより形成されたトラッキングパター
ンＰＴを有しており、また、近接場光学素子２３は、そ
の導電体部２７Ａ，２７Ｂと上記トラッキングパターン
ＰＴとの間の静電容量（ないしは静電容量を反映した
値）を検出することができる。したがって、記録媒体９
に記録された情報を検出するにあたって、この記録媒体
９のトラッキングパターンＰＴを利用して、正規位置か
らのずれを検出することができる。

【００６３】また、この近接場光学素子２３を有する情
報記録再生装置１によれば、実際に、記録媒体９と導電
体部２７Ａ，２７Ｂとの間に生じる各静電容量を検出す
ることにより近接場光学素子２３の正規位置からのずれ
を測定することができるので、測定結果に応じた位置補
正を行えば、記録媒体に対するトラッキング制御を高精
度に行うことが可能になる。

【００６４】＜第２実施形態＞上記第１実施形態におい
ては、近接場光学素子２３として平坦プローブ型の近接
場光学素子２３ａを用いる場合を例示したが、この第２
実施形態においては、近接場光学素子２３として固浸レ
ンズ（ＳＩＬ：Solid Immersion Lens）２３ｂを用いる
場合を示す。なお、近接場光学素子以外の構成要素につ
いては第１実施形態と同様であり、ここでは、主にこの
固浸レンズ（ＳＩＬ）２３ｂについて説明する。

【００６５】図１３は、第２実施形態の光学系２０の概
略構成図を示す図である。また、図１４は、固浸レンズ
２３ｂを表す図であり、図１４（ａ）は正面図、図１４
（ｂ）は底面図、図１４（ｃ）は斜め下方から見た斜視
図である。

【００６６】固浸レンズ２３ｂは、その底部周囲ＲＦが
面取り加工された半球状のレンズ本体２４ｂを有してい
る。

【００６７】また、底面には、２つの矩形状の導電体部
２７Ａ，２７Ｂが設けられている。これらの各導電体部
２７Ａ，２７Ｂは、互いに独立して電気的に分離されて
おり、第１実施形態と同様に、それぞれ、高周波電源２
８Ａ，２８Ｂ、および電流検出用抵抗２９Ａ，２９Ｂな
どに接続されている。そして、この各導電体部２７Ａ，
２７Ｂは、静電容量検出面として機能する。

【００６８】さらに、円形の底面ＢＦの中心から所定の
範囲にわたっては導電体部２７Ａ，２７Ｂが設けられて
おらず、レンズ本体２４ｂが表出する構成となってい
る。この表出する部分の中心Ｃ近傍において近接場光が
発生することとなり、この中心Ｃ近傍の部分が近接場光
の光学窓となる。

【００６９】この固浸レンズ２３ｂの底面ＢＦを記録媒
体９に対向させて配置するにあたって、複数の導電体部
２７Ａ，２７Ｂと記録媒体９との間に生じる各静電容量
を検出することにより、第１実施形態と同様、トラッキ
ング補正動作などを行うことができる。

【００７０】＜第３実施形態＞次に、この第３実施形態
においては、近接場光学素子２３としてＳＮＯＭ（Scan
ning Near-field Optical Microscope）ファイバプロー
ブを用いる場合を示す。なお、近接場光学素子以外の構
成要素については第１実施形態と同様であり、ここで
は、主にこのＳＮＯＭファイバプローブ（以下、「プロ
ーブ」とも称する）２３ｃについて説明する。

【００７１】図１５（ａ）は略円柱形状を有するプロー
ブ２３ｃの径方向の断面図であり、図１５（ｂ）は、プ
ローブ２３ｃの底面図である。図１５に示すように、プ
ローブ２３ｃは、先端部が先鋭化された略円柱形状を有
する光ファイバ６１に対して、金属コート６２、二酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）で形成される酸化膜６３、絶縁塗料
層６７、銀ペースト層６８が光ファイバ６１の側面にお
いてこの順序に内側から積層されている構造を有してい
る。この光ファイバ６１は、コア部６１Ａとクラッド部
６１Ｂとを有し、中央のコア部６１Ａの中央部が先鋭化
された後、金属コート６２が施される。ここで、先端部
Ｐには金属コート６２が施されておらず、微小開口が存
在する。したがって、この先端部Ｐに存在する微小開口
から近接場光が浸み出すことが可能となり、先端部Ｐに
存在する微小開口は近接場光の光学窓として機能する。

【００７２】第１実施形態では、光ヘッド２において、
レーザ光源１１から出射された光は、所定の光学系２０
を介して近接場光学素子２３の光学窓へと導かれていた
が、この第３実施形態では、プローブ２３ｃを用いてい
るので、レーザ光源１１から出射された光は、光学系２
０によりその方向を変える必要はなく、光ファイバ６１
内において近接場光学素子２３の光学窓（すなわち上述
の先端部Ｐ）へと導かれる。

【００７３】また、図１５（ｂ）の端面Ｆは、対象物に
対向する平坦な面であり、この端面Ｆには、シリコン
（Ｓｉ）基板６４上に設けられた複数の導電体部（導電
体層）として、２つの独立した略矩形状の導電体部２７
Ａ，２７Ｂが配置されている。これらの各導電体部２７
Ａ，２７Ｂは、その外周側の位置でアルミニウム配線６
６に接続されており、そのアルミニウム配線６６は、酸
化膜６３と絶縁塗料層６７との間に挟まれてコア部６１
Ａの中心軸に対して平行な方向に伸びており、配線Ｌ
Ａ，ＬＢとしての金線６９に対してそれぞれ独立に接続
される。そして、これらの各配線ＬＡ，ＬＢは、第１実
施形態と同様に、それぞれ、高周波電源２８Ａ，２８
Ｂ、および電流検出用抵抗２９Ａ，２９Ｂなどに接続さ
れ、各導電体部２７Ａ，２７Ｂは、静電容量検出面とし
て機能する。また、銀ペースト層６８に接続される配線
ＳＬは接地されているので、銀ペースト層６８はアース
層として機能し、耐ノイズ性能を向上させることができ
る。

【００７４】このプローブ２３ｃの端面Ｆを記録媒体９
に対向させて配置し、複数の導電体部２７Ａ，２７Ｂと
記録媒体９との間に生じる各静電容量を検出することに
より、第１実施形態と同様、トラッキング補正動作など
を行うことができる。

【００７５】＜変形例＞上記各実施形態においては、図
６に示すように、記録媒体９のトラッキング層９２を接
地し、近接場光学素子２３の各導電体部２７Ａ，２７Ｂ
のそれぞれに対して、高周波電源を２８Ａ，２８Ｂなど
を用いて電圧を印加したが、これに限定されない。たと
えば、図１６に示すように、逆に、近接場光学素子２３
の各導電体部２７Ａ，２７Ｂのそれぞれを電流検出用抵
抗２９Ａ，２９Ｂを介して接地し、記録媒体９のトラッ
キング層９２に対して高周波電源２８Ｃを接続して電圧
を印加してもよい。この場合でも、上記各実施形態と同
様、抵抗２９Ａ，２９Ｂのそれぞれの両端の端子電圧Ｖ
Ａ（地点ＰＡ〜アース間電圧），ＶＢ（地点ＰＢ〜アー
ス間電圧）を比較し、その差を差動増幅器３１を用いて
増幅して得られるトラック誤差信号ＴＥＳ（Tracking E
rror Signal）に基づいて、上記の両地点ＰＡ，ＰＢに
おける微小電流を比較することができる。

【００７６】また、上記各実施形態においては、導電体
部２７Ａ，２７Ｂを軸ＣＬ１の近傍において軸ＣＬ１に
沿って配置していたが、これに限定されず、導電体部２
７Ａ，２７Ｂを所定の距離だけ離間させた状態で、軸Ｃ
Ｌ１に関して線対称となるようにあるいは微小開口２６
に関して点対称となるように配置してもよい。

【００７７】上記各実施形態においては、近接場光学素
子２３の対向面上に２つの導電体部２７Ａ，２７Ｂを設
ける場合について説明したが、これに限定されず、３つ
以上の複数個の導電体部を設けてもよい。

【００７８】また、上記実施形態においては、記録媒体
９のトラッキングパターンＰＴとして、導電体部９２
Ａ，９２Ｂのそれぞれが同心円状に形成されている場合
を示したが、これに限定されず、たとえば、導電体部９
２Ａ，非導電体部９２Ｂのそれぞれが螺旋状の形状を有
しており、径方向に導電体部９２Ａと非導電体部９２Ｂ
とが交互に配置されるようなトラッキングパターンＰＴ
であってもよい。

【００７９】さらに、上記実施形態においては、記録媒
体９として円盤状のものを示したが、そのような形状に
限定されない。たとえば、矩形状の記録媒体（たとえ
ば、カードタイプのもの）でもよい。

【００８０】記録媒体９は回転機構部５を介して情報記
録再生装置１に対して着脱自在であるとしたが、情報記
録再生装置１に対して固定されていてもよい。

【００８１】また、上記実施形態においては、情報記録
再生装置１として近接場光を用いた装置について説明し
たがこれに限定されない。近接場光以外の通常の光学作
用を用いた光学的な情報記録再生装置であってもよく、
近接場光学素子２３の代わりに同様の構成を有する光学
素子を用いてもよい。

【００８２】さらに、近接場光を用いることなく、近接
させた（たとえば２００ｎｍ以下）状態で情報の記録再
生を行う場合においても、同様の光学素子および情報記
録再生装置に本発明を適用することができる。

【００８３】

【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の記録媒
体によれば、トラッキング層において、導電体部と非導
電体部とにより形成されたトラッキングパターンを有し
ているので、記録媒体に記録された情報を検出する側に
導電体部および非導電体部のそれぞれとの間の静電容量
を検出する手段を設ければ、このトラッキングパターン
に基づいて正常位置からのずれを検出することができ
る。特に、従来技術のような振動手段は不要となるの
で、位置ずれを高精度に検出することができる。

【００８４】請求項２に記載の記録媒体によれば、記録
媒体の形状が円盤状であり、そのトラッキングパターン
は、それぞれが同心円状または螺旋状の形状を有する導
電体部と非導電体部とを、径方向において交互に配置す
ることにより形成されているので、情報を検出する側に
導電体部および非導電体部のそれぞれとの間の静電容量
を検出する手段により当該静電容量を検出すれば、径方
向の位置ずれを検出することができる。

【００８５】請求項３に記載の記録媒体によれば、情報
を記録する記録部は、トラッキング層に対して積層され
て配置される記録層として形成されている。したがっ
て、トラッキング層とは別に積層された記録層において
情報の記録が行われるので、記録層における情報の高密
度化を図ることができる。

【００８６】請求項４に記載の記録媒体によれば、トラ
ッキングパターンにおける導電体部の幅と非導電体部の
幅とが同一であるので、有効検出領域を広くとることが
可能になる。

【００８７】請求項５に記載の光学素子によれば、導電
体部と非導電体部とにより形成されたトラッキングパタ
ーンを有する記録媒体との間で光学的作用を奏する光学
素子であって、対向面上に設けられた複数の導電体部を
備え、その複数の導電体部は、光を導出または導入する
光学窓に関して点対称または線対称に配置されるので、
位置ずれを容易に検出することができる。

【００８８】請求項６に記載の光学素子によれば、光学
素子の各導電体部の幅は、記録媒体のトラッキングパタ
ーンの導電体部と非導電体部との幅に対応する大きさを
有するので、位置ずれ検出を行うことが可能な範囲を広
くすることができる。

【００８９】請求項８に記載の情報記録再生装置によれ
ば、光学素子の複数の導電体部のそれぞれと記録媒体と
の間に生じる各静電容量を検出し、検出された各静電容
量を相互に比較することにより記録媒体に対する光学素
子の位置ずれを計測する計測手段と、計測手段による処
理結果に基づいて駆動手段に対して光学素子の位置変更
指令を送出することにより光学素子のトラッキング制御
を行う制御手段と、を備えるので、記録媒体に対するト
ラッキング制御を高精度に行うことができる。特に、従
来技術のような振動手段は不要となるので、トラッキン
グ制御を高精度に行うことができる。

【００９０】請求項９に記載の情報記録再生装置によれ
ば、所定の軸に関して２つに区分した複数の導電体部に
対して、計測手段は、一方の区分内に含まれる導電体部
と記録媒体との間の第１の静電容量と、他方の区分内に
含まれる導電体部と記録媒体との間の第２の静電容量と
を比較することにより得られるトラッキング誤差信号に
基づいて、光学素子の所定の軸に直交する方向の位置ず
れを計測するので、容易に位置ずれを計測することがで
きる。

【００９１】請求項７に記載の光学素子および請求項１
１に記載の情報記録再生装置によれば、光学素子として
記録媒体に対して近接した状態で記録媒体との間の光相
互作用を近接場光を用いて行う近接場光学素子である場
合にも、所望の位置に対して、高精度の位置決めを行う
ことが可能になる。

【００９２】請求項１０に記載の情報記録再生装置によ
れば、光学素子を記録媒体に対して２００ｎｍ以下に近
接させて情報の記録再生を行う場合においても、所望の
位置に対して高精度の位置決めを行うことが可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の情報記録再生装置１を
示す概略図である。

【図２】光学系２０の概略構成図である。

【図３】記録媒体９の平面図である。

【図４】記録媒体９の断面図である。

【図５】近接場光学素子２３の概略斜視図である。

【図６】近接場光学素子２３と記録媒体９とに関する断
面図である。

【図７】近接場光学素子２３と記録媒体９とに関する平
面図である。

【図８】近接場光学素子２３が正規の位置から径方向右
側にｐ／２だけずれた位置に存在する場合を示す図であ
る。

【図９】トラック誤差信号ＴＥＳの増減を示す概念図で
ある。

【図１０】幅ｃ＝ａ／４の場合のトラック誤差信号ＴＥ
Ｓの変化を示す図である。

【図１１】幅ａ，ｂ，ｃについて所定の関係を有する場
合のトラック誤差信号ＴＥＳの変化を示す図である。

【図１２】情報記録再生装置１のトラッキング動作を示
すフローチャートである。

【図１３】第２実施形態の光学系２０の概略構成図を示
す図である。

【図１４】第２実施形態の光学素子（固浸レンズ２３
ｂ）を表す図である。

【図１５】第３実施形態の光学素子（プローブ２３ｃ）
を表す図である。

【図１６】本発明の変形例を示す図である。

【図１７】従来技術を示す図である。

【符号の説明】

１ 情報記録再生装置 ２ 光ヘッド ３ コントローラ ４ 信号処理部 ５ 回転機構部 ９ 記録媒体 ２３，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 近接場光学素子 ２６ 微小開口 ２７，２７Ａ，２７Ｂ 導電体部 ２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ 高周波電源 ２９Ａ，２９Ｂ 電流検出用抵抗 ３１ 差動増幅器 ９１ 基板 ９２ トラッキング層 ９２Ａ，９２Ａ１，９２Ｃ 導電体部 ９２Ｂ 非導電体部 ９３ 記録層 ＰＴ トラッキングパターン

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 情報を記録するための記録媒体であっ
   て、 情報を記録する記録部と、 導電体部と非導電体部とにより形成されたトラッキング
   パターンを有するトラッキング層と、を備えることを特
   徴とする記録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の記録媒体であって、 前記記録媒体は、円盤状の形状を有しており、 前記トラッキングパターンは、それぞれが同心円状また
   は螺旋状の形状を有する前記導電体部と前記非導電体部
   とを、径方向において交互に配置することにより形成さ
   れていることを特徴とする記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の記録媒
   体であって、 前記記録部は、前記トラッキング層に対して積層されて
   配置される記録層として形成されることを特徴とする記
   録媒体。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
   載の記録媒体であって、 前記トラッキングパターンにおいて、前記導電体部の幅
   と非導電体部の幅とが同一であることを特徴とする記録
   媒体。
5. 【請求項５】 導電体部と非導電体部とにより形成され
   たトラッキングパターンを有する記録媒体との間で光学
   的作用を奏する光学素子であって、 光を導出または導入する光学窓を有する光学素子本体
   と、 前記光学窓に対して相対的に固定された位置に規定され
   て、前記記録媒体に対向する対向面と、 前記対向面上に設けられた複数の導電体部と、を備え、 前記複数の導電体部は、前記光学窓に関して点対称また
   は線対称に配置されることを特徴とする光学素子。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の光学素子であって、 前記導電体部の幅は、前記トラッキングパターンの導電
   体部と非導電体部との幅に対応する大きさを有すること
   を特徴とする光学素子。
7. 【請求項７】 請求項５または請求項６に記載の光学素
   子であって、 前記光学素子は、前記記録媒体に対して近接した状態で
   前記記録媒体との間の光相互作用を近接場光を用いて行
   う近接場光学素子であることを特徴とする光学素子。
8. 【請求項８】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
   載の記録媒体に対して情報の記録および／または読取り
   を行う情報記録再生装置であって、 請求項５または請求項６に記載の光学素子と、 前記光学素子の複数の導電体部のそれぞれと前記記録媒
   体との間に生じる各静電容量を検出し、検出された前記
   各静電容量を相互に比較することにより、前記記録媒体
   に対する前記光学素子の位置ずれを計測する計測手段
   と、 前記記録媒体に対する前記光学素子の位置を変更する駆
   動手段と、 前記計測手段による処理結果に基づいて、前記駆動手段
   に対して前記光学素子の位置変更指令を送出することに
   より前記光学素子のトラッキング制御を行う制御手段
   と、を備えることを特徴とする情報記録再生装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の情報記録再生装置であ
   って、 前記計測手段は、複数の導電体部を所定の軸に関して２
   つに区分し、一方の区分内に含まれる導電体部と前記記
   録媒体との間の第１の静電容量と、他方の区分内に含ま
   れる導電体部と前記記録媒体との間の第２の静電容量と
   を比較することにより得られるトラッキング誤差信号に
   基づいて、前記光学素子の所定の軸に直交する方向の位
   置ずれを計測することを特徴とする情報記録再生装置。
10. 【請求項１０】 請求項８または請求項９に記載の情報
    記録再生装置であって、 前記光学素子を前記記録媒体に対して２００ｎｍ以下に
    近接させて情報の記録再生を行うことを特徴とする情報
    記録再生装置。
11. 【請求項１１】 請求項８または請求項９に記載の情報
    記録再生装置であって、 前記光学素子は、前記記録媒体に対して近接した状態で
    前記記録媒体との間の光相互作用を近接場光を用いて行
    う近接場光学素子であることを特徴とする光学素子。