JP2001064033A - 光ファイバ製造装置用加熱炉 - Google Patents
光ファイバ製造装置用加熱炉Info
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01205—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
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- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マッフルを固定するとともに、マッフルとケ
ーシングとの間をシールするスペーサーを用いた加熱炉
においてスペーサー自体の劣化を防止する。 【解決手段】 ケーシング１の内部にマッフル２とヒー
ター４と断熱材５が配設されている。スペーサー３は、
マッフルの外径が小さくされた段部２ａにおいて、マッ
フルの外周面に密着し、その側面がケーシングに密着し
ている。マッフルがスペーサーが密着した部分を越えて
外方に延びていることによって、スペーサーの表面が、
マッフル内に露出しないようにマッフルにより覆われ、
スペーサーがマッフルの内側の雰囲気から隔置されてい
ることにより、ＳｉＯ2 粉、カーボン粉などがスペーサ
ーの表面に付着することを抑えることができ、また、輻
射熱によって、スペーサーの表面が失透したり、破損す
ることも抑えることができる。
ーシングとの間をシールするスペーサーを用いた加熱炉
においてスペーサー自体の劣化を防止する。 【解決手段】 ケーシング１の内部にマッフル２とヒー
ター４と断熱材５が配設されている。スペーサー３は、
マッフルの外径が小さくされた段部２ａにおいて、マッ
フルの外周面に密着し、その側面がケーシングに密着し
ている。マッフルがスペーサーが密着した部分を越えて
外方に延びていることによって、スペーサーの表面が、
マッフル内に露出しないようにマッフルにより覆われ、
スペーサーがマッフルの内側の雰囲気から隔置されてい
ることにより、ＳｉＯ2 粉、カーボン粉などがスペーサ
ーの表面に付着することを抑えることができ、また、輻
射熱によって、スペーサーの表面が失透したり、破損す
ることも抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバを製造
する際に用いられる光ファイバ製造装置用の加熱炉に関
するものである。
する際に用いられる光ファイバ製造装置用の加熱炉に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバを製造する工程においては、
多孔質ガラス母材の燒結透明化工程、ガラス母材の外径
を所定の径まで縮径する延伸工程、光ファイバに線引き
する線引工程の各工程において、加熱炉が用いられる。
この加熱炉は、マッフルと呼ばれる炉芯管を中心に有す
るものが一般的であり、マッフルの材料としては、グラ
ファイト等のカーボン材が用いられている。以下、線引
工程に用いる線引炉を中心にして説明する。
多孔質ガラス母材の燒結透明化工程、ガラス母材の外径
を所定の径まで縮径する延伸工程、光ファイバに線引き
する線引工程の各工程において、加熱炉が用いられる。
この加熱炉は、マッフルと呼ばれる炉芯管を中心に有す
るものが一般的であり、マッフルの材料としては、グラ
ファイト等のカーボン材が用いられている。以下、線引
工程に用いる線引炉を中心にして説明する。
【０００３】図４は、従来の加熱炉の一例を説明するた
めの断面図で、スペーサーによってマッフルが固定・シ
ールされた構造を採用したものである。図中、１はケー
シング、２はマッフル、３はスペーサー、４はヒータ
ー、５は断熱材である。
めの断面図で、スペーサーによってマッフルが固定・シ
ールされた構造を採用したものである。図中、１はケー
シング、２はマッフル、３はスペーサー、４はヒータ
ー、５は断熱材である。
【０００４】この加熱炉は、ケーシング１の内部にマッ
フル２とヒーター４と断熱材５が配設され、図示しない
ガス供給口が設けられ、窒素やヘリウム、アルゴン等の
不活性ガスがケーシング１内に送り込まれる。ヒーター
４は、マッフル２を囲むようにマッフルのすぐ外側に配
置される。ヒーター４の材料は、カーボン抵抗体等が用
いられている。ヒーター４を囲むように断熱材５が配置
されている。断熱材５は、カーボンフェルト、セラミッ
クファイバフェルト、石英ファイバフェルト等が用いら
れ、円筒形状に成形して用いられることが多い。
フル２とヒーター４と断熱材５が配設され、図示しない
ガス供給口が設けられ、窒素やヘリウム、アルゴン等の
不活性ガスがケーシング１内に送り込まれる。ヒーター
４は、マッフル２を囲むようにマッフルのすぐ外側に配
置される。ヒーター４の材料は、カーボン抵抗体等が用
いられている。ヒーター４を囲むように断熱材５が配置
されている。断熱材５は、カーボンフェルト、セラミッ
クファイバフェルト、石英ファイバフェルト等が用いら
れ、円筒形状に成形して用いられることが多い。
【０００５】ケーシング１は、マッフル２、ヒーター
４、断熱材５を囲むように配置され、ステンレス鋼など
の耐食、耐熱性の材料で作製され、冷却水をその周囲に
循環させることによって、ケーシング１の温度上昇を防
止している。
４、断熱材５を囲むように配置され、ステンレス鋼など
の耐食、耐熱性の材料で作製され、冷却水をその周囲に
循環させることによって、ケーシング１の温度上昇を防
止している。
【０００６】スペーサー３は、マッフル２の端部とケー
シング１との間に挟まれるようにして配置され、マッフ
ル２を固定するとともに、マッフル２とケーシング１と
の間をシールしている。スペーサー３の材料としては、
天然石英または合成石英ガラスが用いられているが、ガ
ラス母材の縮径や光ファイバ母材の線引の際に発生する
ＳｉＯ2 粉、マッフルから発生するカーボン粉や、これ
ら２種の反応物であるＳｉＣが、スペーサー３の表面に
付着し、輻射熱によって、スペーサー３の表面が失透し
たり、破損するという問題があり、スペーサーの交換が
必要であり、また、光ファイバの品質が低下するという
問題もある。
シング１との間に挟まれるようにして配置され、マッフ
ル２を固定するとともに、マッフル２とケーシング１と
の間をシールしている。スペーサー３の材料としては、
天然石英または合成石英ガラスが用いられているが、ガ
ラス母材の縮径や光ファイバ母材の線引の際に発生する
ＳｉＯ2 粉、マッフルから発生するカーボン粉や、これ
ら２種の反応物であるＳｉＣが、スペーサー３の表面に
付着し、輻射熱によって、スペーサー３の表面が失透し
たり、破損するという問題があり、スペーサーの交換が
必要であり、また、光ファイバの品質が低下するという
問題もある。
【０００７】実開平４−１００２２９号公報に記載され
た加熱炉では、ヒーターとマッフルとの間に、熱分解カ
ーボンを表面にコーティングした高純度グラファイトを
用いた外筒をマッフルを囲むように配置し、外筒とケー
シングとの間に、石英ガラス製（特に天然石英または合
成石英ガラス）のスペーサーで、炉体内部に固定するよ
うにしている。また、高純度カーボンシートを外筒とス
ペーサー間、および、スペーサーとケーシング間に挟む
ことで、マッフル内とその外部をシールする構造を採用
している。
た加熱炉では、ヒーターとマッフルとの間に、熱分解カ
ーボンを表面にコーティングした高純度グラファイトを
用いた外筒をマッフルを囲むように配置し、外筒とケー
シングとの間に、石英ガラス製（特に天然石英または合
成石英ガラス）のスペーサーで、炉体内部に固定するよ
うにしている。また、高純度カーボンシートを外筒とス
ペーサー間、および、スペーサーとケーシング間に挟む
ことで、マッフル内とその外部をシールする構造を採用
している。
【０００８】しかしながら、この構造も、スペーサー表
面がマッフル内面と同レベルで露出しているために、光
ファイバ母材の線引の際に発生するＳｉＯ2 粉や炉心管
から発生するカーボン粉や、これら２種の反応物である
ＳｉＣが、スペーサーの表面に付着してスペーサーの表
面が劣化するため、マッフル交換と同等の頻度でスペー
サーの交換が必要であり、線引工程のランニングコスト
が上昇するという問題がある。
面がマッフル内面と同レベルで露出しているために、光
ファイバ母材の線引の際に発生するＳｉＯ2 粉や炉心管
から発生するカーボン粉や、これら２種の反応物である
ＳｉＣが、スペーサーの表面に付着してスペーサーの表
面が劣化するため、マッフル交換と同等の頻度でスペー
サーの交換が必要であり、線引工程のランニングコスト
が上昇するという問題がある。
【０００９】実開平５−９４２３９号公報に記載された
加熱炉では、マッフルと封止体とを密着させ、封止体の
外周にＯリングを取り付けることで、封止体とハウジン
グとの間をシールする構造を採用している。しかし、こ
の構造では、幅射熱によってスペーサー自体が熱劣化
し、破損するという問題がある。また、スペーサーが破
損することと、シール性が悪化し線引された光ファイバ
の品質が悪くなり、生産性が低下するという問題もあ
る。
加熱炉では、マッフルと封止体とを密着させ、封止体の
外周にＯリングを取り付けることで、封止体とハウジン
グとの間をシールする構造を採用している。しかし、こ
の構造では、幅射熱によってスペーサー自体が熱劣化
し、破損するという問題がある。また、スペーサーが破
損することと、シール性が悪化し線引された光ファイバ
の品質が悪くなり、生産性が低下するという問題もあ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した事
情に鑑みてなされたもので、マッフルを固定するととも
に、マッフルとケーシングとの間をシールするスペーサ
ーを用いた加熱炉において、スペーサー自体の劣化を防
止して、長期間の使用を可能とすることができる加熱炉
を提供することを目的とするものである。
情に鑑みてなされたもので、マッフルを固定するととも
に、マッフルとケーシングとの間をシールするスペーサ
ーを用いた加熱炉において、スペーサー自体の劣化を防
止して、長期間の使用を可能とすることができる加熱炉
を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、マッフル、および、マッフルをケーシング固定する
とともに該マッフルと該ケーシングとの間隙をシールす
るスペーサーを有する光ファイバ製造装置用加熱炉にお
いて、前記スペーサーは、前記ケーシングに密着し、か
つ、前記スペーサーは、前記マッフルの端部より内側に
おいて前記マッフルの外周面に密着し、前記スペーサー
の表面が前記マッフルで覆われていることを特徴とする
ものである。
は、マッフル、および、マッフルをケーシング固定する
とともに該マッフルと該ケーシングとの間隙をシールす
るスペーサーを有する光ファイバ製造装置用加熱炉にお
いて、前記スペーサーは、前記ケーシングに密着し、か
つ、前記スペーサーは、前記マッフルの端部より内側に
おいて前記マッフルの外周面に密着し、前記スペーサー
の表面が前記マッフルで覆われていることを特徴とする
ものである。
【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の光ファイバ製造装置用加熱炉において、前記マッフル
は端部近傍において、外径が小さくされて段部が形成さ
れ、該段部において前記スペーサーが前記マッフルに密
着していることを特徴とするものである。
の光ファイバ製造装置用加熱炉において、前記マッフル
は端部近傍において、外径が小さくされて段部が形成さ
れ、該段部において前記スペーサーが前記マッフルに密
着していることを特徴とするものである。
【００１３】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の光ファイバ製造装置用加熱炉において、前記マッフル
は端部近傍において、鍔部が形成され、該鍔部において
前記スペーサーが前記マッフルに密着していることを特
徴とするものである。
の光ファイバ製造装置用加熱炉において、前記マッフル
は端部近傍において、鍔部が形成され、該鍔部において
前記スペーサーが前記マッフルに密着していることを特
徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１〜図３により本発明の光ファ
イバ製造装置用加熱炉の実施の形態を説明する。これら
の実施の形態の説明においては、線引炉を取り上げて説
明するが、本発明は線引炉に限られるものではなく、光
ファイバの製造工程の各工程において用いられる加熱炉
に適用できるものである。
イバ製造装置用加熱炉の実施の形態を説明する。これら
の実施の形態の説明においては、線引炉を取り上げて説
明するが、本発明は線引炉に限られるものではなく、光
ファイバの製造工程の各工程において用いられる加熱炉
に適用できるものである。
【００１５】図１は、本発明の光ファイバ製造装置用加
熱炉の第１の実施の形態を説明するための断面図であ
る。図中、図４と同様の部分には同じ符号を付して説明
を省略する。２ａは段部である。
熱炉の第１の実施の形態を説明するための断面図であ
る。図中、図４と同様の部分には同じ符号を付して説明
を省略する。２ａは段部である。
【００１６】この加熱炉においても、ケーシング１の内
部にマッフル２とヒーター４と断熱材５が配設され、図
示しないガス供給口が設けられ、窒素やヘリウム、アル
ゴン等の不活性ガスがケーシング１内に送り込まれるこ
とは図４で説明したと同様である。また、各部の材料に
ついても、図４で説明したと同様である。
部にマッフル２とヒーター４と断熱材５が配設され、図
示しないガス供給口が設けられ、窒素やヘリウム、アル
ゴン等の不活性ガスがケーシング１内に送り込まれるこ
とは図４で説明したと同様である。また、各部の材料に
ついても、図４で説明したと同様である。
【００１７】この実施の形態では、スペーサー３に形成
された穴の内周面がマッフル２の外周面に密着し、スペ
ーサー３の側面がケーシング１に密着するように配置さ
れている。スペーサの外形状は、円柱形状、多角柱形状
等、適宜の形状を採用できる。マッフル２に対するスペ
ーサー３の位置は、図４で説明した従来例において、ス
ペーサー３がマッフル２の端部に位置しているのに対し
て、本発明では、スペーサー３は、マッフル２の端部よ
り内側の位置において、マッフル２の外周面に密着して
いる。
された穴の内周面がマッフル２の外周面に密着し、スペ
ーサー３の側面がケーシング１に密着するように配置さ
れている。スペーサの外形状は、円柱形状、多角柱形状
等、適宜の形状を採用できる。マッフル２に対するスペ
ーサー３の位置は、図４で説明した従来例において、ス
ペーサー３がマッフル２の端部に位置しているのに対し
て、本発明では、スペーサー３は、マッフル２の端部よ
り内側の位置において、マッフル２の外周面に密着して
いる。
【００１８】この実施の形態では、マッフル２には、端
部近傍において外径が小さくされて段部２ａが形成され
ている。ケーシング１に設けられたマッフル２が挿通さ
れる穴は、マッフル２の外径が小さくされていない部分
の外径とほぼ同じか、あるいは、それより小さくされて
いるが、マッフル２の外径が小さくされた部分の外径よ
りは大きい。スペーサー３は、マッフル２に形成された
段部２ａとケーシング１の内面との間に挟まれるように
して、ケーシング１とマッフル２との間をシールすると
ともに、マッフル２をケーシング１に固定する作用を奏
している。
部近傍において外径が小さくされて段部２ａが形成され
ている。ケーシング１に設けられたマッフル２が挿通さ
れる穴は、マッフル２の外径が小さくされていない部分
の外径とほぼ同じか、あるいは、それより小さくされて
いるが、マッフル２の外径が小さくされた部分の外径よ
りは大きい。スペーサー３は、マッフル２に形成された
段部２ａとケーシング１の内面との間に挟まれるように
して、ケーシング１とマッフル２との間をシールすると
ともに、マッフル２をケーシング１に固定する作用を奏
している。
【００１９】また、マッフル２の外径が小さくされた部
分が、スペーサー３が密着した部分を越えて外方に延び
ていることによって、スペーサー３の表面が、マッフル
２内に露出しないようにマッフル２により覆われている
ことにより、スペーサー３がマッフル２の内側の雰囲気
から隔置され、光ファイバ母材の線引の際に発生するＳ
ｉＯ2 粉、マッフルから発生するカーボン粉や、これら
２種の反応物であるＳｉＣが、スペーサー３の表面に付
着することを抑えることができ、また、輻射熱によっ
て、スペーサー３の表面が失透したり、破損することも
抑えることができ、スペーサー３の交換時期を長くする
ことができ、光ファイバの品質の低下の問題も解決でき
る。
分が、スペーサー３が密着した部分を越えて外方に延び
ていることによって、スペーサー３の表面が、マッフル
２内に露出しないようにマッフル２により覆われている
ことにより、スペーサー３がマッフル２の内側の雰囲気
から隔置され、光ファイバ母材の線引の際に発生するＳ
ｉＯ2 粉、マッフルから発生するカーボン粉や、これら
２種の反応物であるＳｉＣが、スペーサー３の表面に付
着することを抑えることができ、また、輻射熱によっ
て、スペーサー３の表面が失透したり、破損することも
抑えることができ、スペーサー３の交換時期を長くする
ことができ、光ファイバの品質の低下の問題も解決でき
る。
【００２０】なお、マッフル２とスペーサー３との間、
ならびに、スペーサー３とケーシング１との間に高純度
カーボンシート等を挟むようにすれば、スペーサー３の
交換時期をより長くすることができる。
ならびに、スペーサー３とケーシング１との間に高純度
カーボンシート等を挟むようにすれば、スペーサー３の
交換時期をより長くすることができる。
【００２１】図２は、本発明の光ファイバ製造装置用加
熱炉の第２の実施の形態を説明するための断面図であ
る。図中、図１，図４と同様の部分には同じ符号を付し
て説明を省略する。１ａは段部である。この実施の形態
では、ケーシング１においてスペーサー３が密着する部
分に段部１ａを形成した。
熱炉の第２の実施の形態を説明するための断面図であ
る。図中、図１，図４と同様の部分には同じ符号を付し
て説明を省略する。１ａは段部である。この実施の形態
では、ケーシング１においてスペーサー３が密着する部
分に段部１ａを形成した。
【００２２】ケーシング１に段部１ａが形成され、その
内側にスペーサー３が密着していることにより、スペー
サー３の表面の外周面がケーシング１により覆われて、
露出する表面積を少なくできる。段部の内面の形状は、
スペーサー３の外形状に応じが形状とするのがよい。ま
た、マッフル２の中心位置を確保することが容易となる
点でも有利である。なお、この実施の形態においても、
マッフル２に形成された段部２ａは必ずしも必要とする
ものでないことは、第１の実施の形態で説明したとおり
である。この実施の形態でも、マッフル２がスペーサー
３を越えて外方に延びていることによって、スペーサー
３の表面が、マッフル２内に露出しないようにマッフル
２により覆われ、上述したように、スペーサー３の交換
時期を長くすることができ、光ファイバの品質の低下の
問題も解決できる。
内側にスペーサー３が密着していることにより、スペー
サー３の表面の外周面がケーシング１により覆われて、
露出する表面積を少なくできる。段部の内面の形状は、
スペーサー３の外形状に応じが形状とするのがよい。ま
た、マッフル２の中心位置を確保することが容易となる
点でも有利である。なお、この実施の形態においても、
マッフル２に形成された段部２ａは必ずしも必要とする
ものでないことは、第１の実施の形態で説明したとおり
である。この実施の形態でも、マッフル２がスペーサー
３を越えて外方に延びていることによって、スペーサー
３の表面が、マッフル２内に露出しないようにマッフル
２により覆われ、上述したように、スペーサー３の交換
時期を長くすることができ、光ファイバの品質の低下の
問題も解決できる。
【００２３】この実施の形態においても、マッフル２と
スペーサー３との間、ならびに、スペーサー３とケーシ
ング１との間に高純度カーボンシート等を挟むようにす
れば、スペーサー３の交換時期をより長くすることがで
きる。
スペーサー３との間、ならびに、スペーサー３とケーシ
ング１との間に高純度カーボンシート等を挟むようにす
れば、スペーサー３の交換時期をより長くすることがで
きる。
【００２４】図３は、本発明の光ファイバ製造装置用加
熱炉の第３の実施の形態を説明するための断面図であ
る。図中、図１，図４と同様の部分には同じ符号を付し
て説明を省略する。２ｂは鍔部である。この実施の形態
では、円柱状のスペーサー３の端部の内側に鍔部２ｂが
設けられている。
熱炉の第３の実施の形態を説明するための断面図であ
る。図中、図１，図４と同様の部分には同じ符号を付し
て説明を省略する。２ｂは鍔部である。この実施の形態
では、円柱状のスペーサー３の端部の内側に鍔部２ｂが
設けられている。
【００２５】鍔部２ｂは、マッフル２と一体的に形成さ
れてもよく、また、別体として形成されてもよい。ケー
シング１に設けられたマッフル２が挿通される穴は、マ
ッフル２の外径より大きくされ、鍔部２ｂの外径は、ケ
ーシング１の穴とほぼ同じか、あるいは、それより大き
くされている。スペーサー３は、マッフル２に設けられ
た鍔部２ｂとケーシング１の内面との間に挟まれるよう
にして、ケーシング１とマッフル２との間をシールする
とともに、マッフル２をケーシング１に固定する作用を
奏している。また、マッフル２に設けられた鍔部２ｂよ
り外方の端部までの部分が、スペーサー３が密着された
部分を越えて外方に延びていることによって、スペーサ
ー３が、マッフル２内に露出しないようにマッフル２に
より覆われていることにより、スペーサー３がマッフル
２の内側の雰囲気から隔置され、光ファイバ母材の線引
の際に発生するＳｉＯ2 粉、マッフルから発生するカー
ボン粉や、これら２種の反応物であるＳｉＣが、スペー
サー３の表面に付着することを抑えることができ、ま
た、輻射熱によって、スペーサー３の表面が失透した
り、破損することも抑えることができ、スペーサーの交
換時期を長くすることができ、光ファイバの品質の低下
の問題も解決できる。
れてもよく、また、別体として形成されてもよい。ケー
シング１に設けられたマッフル２が挿通される穴は、マ
ッフル２の外径より大きくされ、鍔部２ｂの外径は、ケ
ーシング１の穴とほぼ同じか、あるいは、それより大き
くされている。スペーサー３は、マッフル２に設けられ
た鍔部２ｂとケーシング１の内面との間に挟まれるよう
にして、ケーシング１とマッフル２との間をシールする
とともに、マッフル２をケーシング１に固定する作用を
奏している。また、マッフル２に設けられた鍔部２ｂよ
り外方の端部までの部分が、スペーサー３が密着された
部分を越えて外方に延びていることによって、スペーサ
ー３が、マッフル２内に露出しないようにマッフル２に
より覆われていることにより、スペーサー３がマッフル
２の内側の雰囲気から隔置され、光ファイバ母材の線引
の際に発生するＳｉＯ2 粉、マッフルから発生するカー
ボン粉や、これら２種の反応物であるＳｉＣが、スペー
サー３の表面に付着することを抑えることができ、ま
た、輻射熱によって、スペーサー３の表面が失透した
り、破損することも抑えることができ、スペーサーの交
換時期を長くすることができ、光ファイバの品質の低下
の問題も解決できる。
【００２６】この実施の形態においても、第２の実施の
形態で説明したように、ケーシング１に段部１ａを形成
するようにしてもよい。また、マッフル２とスペーサー
３との間、ならびに、スペーサー３とケーシング１との
間に高純度カーボンシート等を挟むようにすれば、スペ
ーサー３の交換時期をより長くすることができる。
形態で説明したように、ケーシング１に段部１ａを形成
するようにしてもよい。また、マッフル２とスペーサー
３との間、ならびに、スペーサー３とケーシング１との
間に高純度カーボンシート等を挟むようにすれば、スペ
ーサー３の交換時期をより長くすることができる。
【００２７】なお、上述した各実施の形態において、各
部の寸法は、使用温度における膨張を考慮して、設計す
ることが必要である。また、組立を考慮して、ケーシン
グ１を上下、または、左右に分割可能に作製して、合体
させるようにしてもよい。
部の寸法は、使用温度における膨張を考慮して、設計す
ることが必要である。また、組立を考慮して、ケーシン
グ１を上下、または、左右に分割可能に作製して、合体
させるようにしてもよい。
【００２８】実験例について説明する。図４に示す従来
の構造の加熱炉で、光ファイバを線引きした。１週間で
天然石英製のスペーサーにＳｉＯ2 粉、カーボン粉や、
これら２種の反応物であるＳｉＣがスペーサー表面に約
５ｍｍの厚さで付着するとともに、幅射熱によってスペ
ーサー表面が失透・破損しており、交換が必要であっ
た。
の構造の加熱炉で、光ファイバを線引きした。１週間で
天然石英製のスペーサーにＳｉＯ2 粉、カーボン粉や、
これら２種の反応物であるＳｉＣがスペーサー表面に約
５ｍｍの厚さで付着するとともに、幅射熱によってスペ
ーサー表面が失透・破損しており、交換が必要であっ
た。
【００２９】これに対して、図１に示す構造の本発明の
加熱炉で、光ファイバを線引した。天然石英製のスペー
サーは２ケ月の使用でも、ＳｉＯ2 粉、カーボン粉や、
これら２種の反応物であるＳｉＣの付着、ならびにスペ
ーサー表面が失透・破損も見られなかった。
加熱炉で、光ファイバを線引した。天然石英製のスペー
サーは２ケ月の使用でも、ＳｉＯ2 粉、カーボン粉や、
これら２種の反応物であるＳｉＣの付着、ならびにスペ
ーサー表面が失透・破損も見られなかった。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、スペーサーの表面が、マッフル内に露出しな
いようにマッフルにより覆われるので、ＳｉＯ2 粉やカ
ーボン粉、あるいは、これら２種の反応物であるＳｉＣ
のスペーサー表面への付着を防止でき、また、幅射熱に
よってスペーサー自体が熱劣化して破損することがな
く、長期間の使用が可能となりランニングコストが低減
するという効果がある。また、製造される光ファイバの
品質の低下の問題も解決できるという効果もある。
によれば、スペーサーの表面が、マッフル内に露出しな
いようにマッフルにより覆われるので、ＳｉＯ2 粉やカ
ーボン粉、あるいは、これら２種の反応物であるＳｉＣ
のスペーサー表面への付着を防止でき、また、幅射熱に
よってスペーサー自体が熱劣化して破損することがな
く、長期間の使用が可能となりランニングコストが低減
するという効果がある。また、製造される光ファイバの
品質の低下の問題も解決できるという効果もある。
【図１】本発明の光ファイバ製造装置用加熱炉の第１の
実施の形態を説明するための断面図である。
実施の形態を説明するための断面図である。
【図２】本発明の光ファイバ製造装置用加熱炉の第２の
実施の形態を説明するための断面図である。
実施の形態を説明するための断面図である。
【図３】本発明の光ファイバ製造装置用加熱炉の第３の
実施の形態を説明するための断面図である。
実施の形態を説明するための断面図である。
【図４】従来の加熱炉の一例を説明するための断面図で
ある。
ある。
１…ケーシング、１ａ…段部、２…マッフル、２ａ…段
部、２ｂ…鍔部、３…スペーサー、４…ヒーター、５…
断熱材。
部、２ｂ…鍔部、３…スペーサー、４…ヒーター、５…
断熱材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平井 久成 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Ｆターム(参考） 4G021 BA00 4K061 AA01 BA00 CA09 CA21 DA05
Claims (3)
- 【請求項１】 マッフル、および、マッフルをケーシン
グに固定するとともに該マッフルと該ケーシングとの間
隙をシールするスペーサーを有する光ファイバ製造装置
用加熱炉において、前記スペーサーは、前記ケーシング
に密着し、かつ、前記スペーサーは、前記マッフルの端
部より内側において前記マッフルの外周面に密着し、前
記スペーサーの表面が前記マッフルで覆われていること
を特徴とする光ファイバ製造装置用加熱炉。 - 【請求項２】 前記マッフルは端部近傍において、外径
が小さくされて段部が形成され、該段部において前記ス
ペーサーが前記マッフルに密着していることを特徴とす
る請求項１に記載の光ファイバ製造装置用加熱炉。 - 【請求項３】 前記マッフルは端部近傍において、鍔部
が形成され、該鍔部において前記スペーサーが前記マッ
フルに密着していることを特徴とする請求項１に記載の
光ファイバ製造装置用加熱炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23685799A JP2001064033A (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 光ファイバ製造装置用加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23685799A JP2001064033A (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 光ファイバ製造装置用加熱炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001064033A true JP2001064033A (ja) | 2001-03-13 |
Family
ID=17006840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23685799A Pending JP2001064033A (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 光ファイバ製造装置用加熱炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001064033A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11352286B2 (en) * | 2018-09-03 | 2022-06-07 | Draka Comteq B.V. | Method, device, and system for heating an elongate silica cylinder in manufacturing optical fibers |
-
1999
- 1999-08-24 JP JP23685799A patent/JP2001064033A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11352286B2 (en) * | 2018-09-03 | 2022-06-07 | Draka Comteq B.V. | Method, device, and system for heating an elongate silica cylinder in manufacturing optical fibers |
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