JP2001060704A - 光電変換装置およびその製造方法 - Google Patents

光電変換装置およびその製造方法

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JP2001060704A
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resin film
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Naoaki Nakanishi
直明 中西
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 封止樹脂膜を操作性良く形成可能であるとと
もに、取付け部材への取付けが容易な光電変換装置を提
供することを目的とする。 【解決手段】 基板上に、第1の電極層、半導体層、お
よび第2の電極層を順次積層し、前記第2の電極層上を
封止樹脂膜で被覆してなる光電変換装置であって、前記
封止樹脂膜に、一時的剥離膜が剥離可能に被着されてい
ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換装置およ
びその製造方法、特に、太陽電池モジュールおよびその
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光電変換層として非晶質半導体層を用い
る非晶質太陽電池は、主として、ガラス基板上に透明電
極層、非晶質半導体層、および裏面電極層を順次積層
し、これらの各成膜ごとにスクライブして、複数の太陽
電池セルを形成し、これら太陽電池セルを集積化して太
陽電池モジュールとすることにより作製されている。
【0003】かかる太陽電池モジュールの裏面電極側
は、樹脂で封止されている。裏面電極は、一般に金属薄
膜から構成されており、水分等により腐蝕され易い。そ
のため樹脂で封止して水分の透過を防止するのである。
また、太陽光線の照り返し等に対し充分な耐候性を持た
せるために、更にその上に裏面カバーを設ける場合もあ
る。
【0004】従来、封止樹脂の材料として、水分等の封
止性に優れたエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)
を用い、裏面カバーとして、耐候性に優れたフッ素系樹
脂を用いた封止構造が知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の太陽
電池モジュールにおいて、封止樹脂膜や裏面カバーとし
て、極めて薄い、例えば30μmの厚みを有するものを
用いる場合がある。
【0006】しかし、このように厚みの薄い膜は、こし
が弱く、被覆の際にしわがよったりするなど、取り扱い
にくく、操作性が劣るという問題がある。
【0007】また、一般に太陽電池モジュールは、屋根
材、例えば鉄板やスレート板に接着剤を用いて取り付け
て使用されるが、取付けに際し、接着剤の取り扱いが厄
介である。
【0008】本発明は、このような事情の下になされ、
封止樹脂膜を操作性良く形成可能であるとともに、取付
け部材への取付けが容易な光電変換装置を提供すること
を目的とする。
【0009】本発明の他の目的は、封止樹脂膜を操作性
良く形成可能であるとともに、取付け部材への取付けを
容易に行うことを可能とする光電変換装置の製造方法を
提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するため、鋭意検討を重ねた結果、一時的剥離
膜を封止樹脂膜に被着することにより、厚みの極めて薄
い封止樹脂膜を操作性良く被覆可能であるとともに、取
付け部材への取付けを容易に行うことが可能であること
を見出した。本発明は、かかる知見に基づくものであ
る。
【0011】即ち、本発明は、基板上に、第1の電極
層、半導体層、および第2の電極層を順次積層し、前記
第2の電極層上を封止樹脂膜で被覆してなる光電変換装
置であって、前記封止樹脂膜に、一時的剥離膜が剥離可
能に被着されていることを特徴とする光電変換装置を提
供する。
【0012】また、本発明は、基板上に、第1の電極
層、半導体層、および第2の電極層を順次積層する工
程、前記第2の電極層上を、一時的剥離膜が被着された
封止樹脂膜で被覆する工程、および前記一時的剥離膜を
剥離する工程を具備する光電変換装置の製造方法を提供
する。
【0013】以上のように構成される本発明の光電変換
装置およびその製造方法によると、封止樹脂膜に一時的
剥離膜が被着されているため、封止樹脂膜の厚みが極端
に薄くても、封止樹脂膜は一時的剥離膜により支持さ
れ、第2の電極層上への被覆を操作性良く行うことが出
来る。
【0014】また、一時的剥離膜が粘着層を介して封止
樹脂膜に被着されている場合には、一時的剥離膜を被着
した状態で、保管、輸送等を行い、その取付けに際して
は、一時的剥離膜を剥離した後、露出した粘着面を取付
け部材に容易に接合することが可能である。
【0015】光電変換装置が取り付けられる部材として
は、屋根材や壁材を構成する金属板、プラスチック板、
プラスチックフィルム、コンクリート板、スレート板、
塩ビ鋼板、瓦、亜鉛めっき鋼板等を挙げることが出来
る。プラスチック板およびプラスチックフィルムとして
は、封止樹脂膜のラミネートの温度よりも低い融点また
はガラス転移温度を有するものをも使用可能である。な
お、プラスチックフィルムは、後述するカバーフィルム
とすることが出来る。
【0016】また、一時的剥離膜としては、合成樹脂
膜、布、および紙等を用いることが出来る。特に、剥離
性の良好なシリコン系樹脂、耐熱性に劣るが安価なポリ
エチレンテレフタレート(PET)樹脂等を挙げること
が出来る。光電変換装置の裏面を封止樹脂膜で被覆した
後、熱硬化等のため熱処理を施す必要がある場合がある
が、耐熱性に劣るPETを用いたとしても、被覆後、熱
処理前にPETを剥離すればよいので、問題は生じな
い。
【0017】一時的剥離膜は、封止樹脂膜の支持体とし
て用いる場合、それ自体封止樹脂膜との密着性があれ
ば、圧着等により、それ単独で封止樹脂膜に被着するこ
とが出来るが、封止樹脂膜との密着性がない場合には、
封止樹脂膜との密着面に粘着剤を塗布したものを用いる
必要がある。
【0018】一時的剥離膜が、取付け部材に接合するた
めの接着剤を介して封止樹脂膜に被着される場合、接着
剤としては、封止樹脂膜との密着性はあるが、一時的剥
離膜とは密着性のないものを用いる必要がある。
【0019】なお、一時的剥離膜を支持体として必要と
する封止樹脂膜は、通常、100〜800μmの膜厚を
有するものである。
【0020】本発明の光電変換装置において、封止樹脂
膜として、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂(EV
A)を好ましく用いることが出来る。
【0021】また、この封止樹脂膜上に更に、耐候性を
有するカバーシートを被覆することが出来る。この場
合、カバーシートは、一時的剥離膜を剥離した後に封止
樹脂膜上に被着される。カバーシートとしては、フッ素
系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂等を用いる
ことが出来る。即ち、封止樹脂膜のラミネート後に被着
されるので、ラミネートの温度よりも低い融点またはガ
ラス転移温度を有する樹脂、例えばアクリル系樹脂のよ
うに耐熱性の低い樹脂も使用可能である。特に好ましい
樹脂は、ポリエステル樹脂である。
【0022】本発明において、一時的剥離膜が被着され
る対象は、封止樹脂膜に限らず、カバーシートも含まれ
る。即ち、封止樹脂膜およびカバーシートが被着された
後に、一時的剥離膜が被着される。この場合には、カバ
ーシートは、ラミネートの際の温度に耐えるものでなけ
ればならない。また、封止樹脂膜とカバーシートの両者
に一時的剥離膜を被着することも可能である。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1を参照して説明する。図1は、本発明の1実施
形態に係る太陽電池モジュールを示す断面図である。
【0024】図1に示すように、太陽電池モジュール1
0は、透明絶縁基板12上に透明電極14、半導体層1
6、および裏面電極18の順に積層形成された複数の薄
膜太陽電池セル20が集積化されていて、この透明絶縁
基板12上の集積化された薄膜太陽電池セル20を覆う
ように、封止樹脂膜22が形成され、全体として気密に
且つ強固に構成されている。
【0025】ここで、透明絶縁基板12としては、耐候
性や強度などの観点からガラス基板が好ましく用いら
れ、その他、透明アクリル樹脂などからなり、且つ絶縁
性を備えた透明樹脂基板などが用いられる。また、透明
絶縁基板12は剛性を備えたものに限らず、可撓性を有
するものであっても良く、特に限定されない。
【0026】この透明絶縁基板12上に形成される薄膜
太陽電池セル20は、常法により、透明電極14、半導
体層16、および裏面電極18がそれぞれ所定のパター
ン形状に順に積層形成されて、光電変換素子としての薄
膜太陽電池セル20が構成される。そして、パターニン
グされた透明電極14と裏面電極18とが電気的に接続
されることにより、複数の薄膜太陽電池セル20は直列
又は並列に接続されて集積化され、所定の出力特性を得
るように構成されている。
【0027】薄膜太陽電池セル20を構成する透明電極
14としては、導電性及び光透過性を有するたとえばI
TOやSnO 、あるいはITO/SnO などが用
いられる。
【0028】また、光電変換を行う半導体層16として
は、非晶質シリコン、水素化非晶質シリコン、水素化非
晶質シリコンカーバイド、非晶質シリコンナイトライド
などの他、シリコンと炭素、ゲルマニウム、スズなどの
他の元素との合金から成る非晶質シリコン系半導体の非
晶質あるいは微結晶をpin型、nip型、ni型、p
n型、MIS型、ヘテロ接合型、ホモ接合型、ショット
キーバリアー型あるいはこれらを組み合わせた型などに
構成した非晶質半導体層が用いられる。
【0029】その他、半導体層16としては、CdTe
系、CdS系、GaAs系、InP系などの化合物半導
体層などが用いられる。更に、裏面電極18としては、
クロム、ニッケル、アルミニウムなどが用いられる。
【0030】次に、透明絶縁基板12上の集積化された
薄膜太陽電池セル20を覆うように一時的剥離膜23が
被着した封止樹脂膜22が形成される。封止樹脂膜22
は、封止性に優れた熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂か
らなり、一時的剥離膜23は、封止樹脂膜22の支持体
としてのこしの強さを有し、剥離性の優れたものであ
る。封止樹脂膜22への一時的剥離膜23の被着は、圧
着により、または接着剤を用いて行われる。なお、封止
樹脂膜22は、膜厚100μm〜800μmの範囲内で
形成される。
【0031】封止樹脂膜22は、薄膜太陽電池セル20
の裏面電極18と封止樹脂膜22との角度90度を維持
する90度剥離強度(ピール強度)が1kg/10mm
以上であれば、信頼性をより高めることができる。
【0032】以上の構成に係る薄膜太陽電池セル20が
モジュール化された太陽電池モジュール10は、図2に
示すように、裏面電極18側に一時的剥離膜23が被着
した封止樹脂膜22を、裏面電極18と封止樹脂膜22
が対向するように配置し、その後、これらを真空ラミネ
ート装置などの中に入れて、気泡などが入らないように
減圧あるいは真空にした後、封止樹脂膜22が熱可塑性
樹脂の場合にそのガラス転移点あるいはそれ以上の温度
に加熱しつつ加圧される。そして、封止樹脂膜22を溶
融させて透明絶縁基板12上の太陽電池モジュール10
の表面を封止樹脂膜22で覆う。
【0033】その後、一時的剥離膜23は、必要に応じ
た時期に剥離される。即ち、一時的剥離膜23を封止樹
脂膜22の支持体としてのみ用いる場合には、封止樹脂
膜22の被覆後、任意の時期に、一時的剥離膜23は剥
離される。これに対し、一時的剥離膜23を取付け部材
への取付けのための粘着面の保護膜として用いる場合に
は、一時的剥離膜23は、光電変換装置の取付け直前に
剥離される。
【0034】なお、封止樹脂膜22aとして、熱可塑性
樹脂に代えて熱硬化性樹脂を用いる場合は、オーブン装
置などの中に入れて、熱硬化性樹脂の硬化温度以上の温
度に加熱しつつ加圧する。一時的剥離膜23が耐熱性に
劣った材料からなる場合には、加熱の前に一時的剥離膜
23を剥離する必要がある。
【0035】以上、本発明に係る光電変換装置を太陽電
池モジュールを例に説明したが、本発明は上述の実施の
形態に限定されるものではない。たとえば、本発明に係
る太陽電池モジュールは上記非晶質太陽電池あるいは化
合物太陽電池のみならず、これまで広く普及している結
晶系及び化合物系太陽電池モジュールについても同様に
適用することが可能である。
【0036】その他、透明絶縁基板上に形成された薄膜
太陽電池セルなどの太陽電池を集積化するための接続方
法としては、特に限定されるものではなく、いかなる方
法で接続するものであっても良い。
【0037】このように、本発明は、その趣旨を逸脱し
ない範囲内で、当業者の知識に基づき種々なる改良、修
正、変形を加えた態様で実施し得る。次に、本発明を適
用した非晶質太陽電池モジュールについて、以下に図面
を参照して具体的にその製造方法と構成を示す。
【0038】
【実施例】図1及び図2に示すように、ガラス基板12
上に熱CVD法により透明導電膜層14を形成し、波長
1.06μmのYAGレーザーの基本波を用いて、短冊
状に透明導電膜層14を電気的に分離して、透明電極1
4を形成した。
【0039】次いで、純水で超音波洗浄を行った後、透
明電極14が形成された面側に基板温度200℃、反応
圧力0.5〜1.0Torrにて、モノシラン、メタン
およびジボランから成る混合ガス、モノシランおよび水
素から成る混合ガス、モノシラン、水素およびホスフィ
ンから成る混合ガスを、この順序で容量結合型グロー放
電分解装置内で分解することにより、P型、I型、N型
の非晶質半導体層16を順次形成した。
【0040】次に、先ほどのレーザーによるスクライブ
線より僅かにずれた位置に、透明電極14にダメージを
与えないように、波長0.53μmのYAGレーザーの
第二高調波を用いて分離して、半導体層16を形成し
た。引き続いて、半導体層16の上に金属層18として
アルミニウムをスパッタリング法により、300nmの
厚みで形成した。
【0041】更に、波長0.53μmのYAGレーザー
の第二高調波を用いて、上述のレーザーによるスクライ
ブ線より僅かにずれた位置に、透明電極14にダメージ
を与えないように、この金属層18と半導体層16を分
離して裏面電極18を形成し、集積型非晶質シリコン太
陽電池10を作製した。
【0042】以上のようにして作製された集積型非晶質
シリコン太陽電池モジュール10の裏面電極18側に、
一時的剥離膜23が被着された封止樹脂膜22を全体に
被せ、これを真空ラミネート方式にて加熱融着した。な
お、封止樹脂膜22としては、厚み600μmのEVA
(エチレンと酢酸ビニルの共重合体)フィルムを用い、
一時的剥離膜23としては、厚み100μmのポリエチ
レンテレフタレートを用いた 太陽電池モジュール10の裏面電極18側への融着温度
は約145℃であり、真空ラミネート装置内では0.1
MPaの圧力で加圧した。太陽電池モジュール10の裏
面電極18側への封止樹脂膜22の被着は、封止樹脂膜
22に一時的剥離膜23が被着されているため、強度、
こしがあり、取り扱いで容易であるため、操作性よく行
うことが出来た。
【0043】以上のようにして作製された太陽電池モジ
ュール10を高温高湿試験槽(85℃/90%R.
H.)で2000時間放置したが、電気特性の低下は全
く見られなかった。
【0044】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よると、光電変換装置の裏面側を覆う封止樹脂膜に一時
的剥離膜23が被着されているため、封止樹脂膜が薄
く、強度が低く、こしがなくても、全体として強度およ
びこしが付与され、取り扱いが極めて容易となる。従っ
て、本発明によると、簡単な構造の光電変換装置の封止
構造を、操作性よく、容易に得ることが出来る。
【0045】また、一時的剥離膜が粘着層を介して封止
樹脂膜に被着されている場合には、一時的剥離膜を被着
した状態で、保管、輸送等を行い、その取付けに際して
は、一時的剥離膜を剥離した後、露出した粘着面を取付
け部材に容易に接合することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュール
を示す断面図。
【図2】本発明の一実施形態に係る太陽電池モジュール
の封止樹脂膜の被覆工程を示す断面図。
【符号の説明】
10…太陽電池モジュール 12…透明絶縁基板 14…透明電極 16…半導体層 18…裏面電極 20…薄膜太陽電池セル 22…封止樹脂膜 23…一時的剥離膜

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に、第1の電極層、半導体層、およ
    び第2の電極層を順次積層し、前記第2の電極層上を封
    止樹脂膜で被覆してなる光電変換装置であって、前記封
    止樹脂膜に、一時的剥離膜が剥離可能に被着されている
    ことを特徴とする光電変換装置。
  2. 【請求項2】前記一時的剥離膜は、接着層を介して前記
    封止樹脂膜に被着され、前記一時的剥離膜の剥離後の前
    記接着層は、光電変換装置が取り付けられる部材または
    カバーフィルムに対し接着可能な粘着面を有することを
    特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
  3. 【請求項3】前記光電変換装置が取り付けられる部材
    は、金属板、プラスチック板、プラスチックフィルム、
    コンクリート板、スレート板、塩ビ鋼板、瓦、および亜
    鉛めっき鋼板からなる群から選ばれた1種であることを
    特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
  4. 【請求項4】前記プラスチック板およびプラスチックフ
    ィルムは、前記封止樹脂膜を被覆する際の温度よりも低
    い融点またはガラス転移温度を有することを特徴とする
    請求項3に記載の光電変換装置。
  5. 【請求項5】前記一時的剥離膜は、合成樹脂膜、布、お
    よび紙からなる群から選ばれた1種であることを特徴と
    する請求項1〜4のいずれかの項に記載の光電変換装
    置。
  6. 【請求項6】基板上に、第1の電極層、半導体層、およ
    び第2の電極層を順次積層する工程、 前記第2の電極層上を、一時的剥離膜が被着された封止
    樹脂膜で被覆する工程、および前記一時的剥離膜を剥離
    する工程を具備する光電変換装置の製造方法。
  7. 【請求項7】前記封止樹脂膜は、100〜800μmの
    膜厚を有し、前記被覆工程に際し、前記一時的剥離膜に
    より支持されていることを特徴とする請求項6に記載の
    光電変換装置の製造方法。
  8. 【請求項8】前記一時的剥離膜は接着剤を介して前記封
    止樹脂膜に被着され、前記剥離工程の後、前記接着剤を
    介して、光電変換装置取り付け部材に光電変換装置を取
    り付けるか、または光電変換装置にカバーシートを被着
    する工程を更に具備することを特徴とする請求項6に記
    載の光電変換装置の製造方法。
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