JP2001053356A - 加工用レーザ装置に用いられる結晶保持装置 - Google Patents
加工用レーザ装置に用いられる結晶保持装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出力レーザ光のパワー変動を小さくすること
ができる結晶保持装置を提供すること。 【解決手段】 非線形光学結晶１は、アルミニウム等の
熱伝導性の良い材料で形成された結晶保持体２により全
長が覆われておりその周囲にヒータ３が取り付けられ、
その外側にはセラミックス等からなる断熱材４が取り付
けられている。非線形光学結晶１の温度は、図示しない
温度制御手段により一定に制御される。レーザ光出射面
側の結晶保持体２は、非線形光学結晶１の出射面より突
出している。このため、レーザ光を入射したときに非線
形光学結晶に生じる過渡的な温度変化を小さくすること
ができ、動作時の出力を安定にすることができる。ま
た、レーザ光入出射面の両側の結晶保持体２を非線形光
学結晶１の入出射面より突出させるように構成しても同
様の効果が得られる。
ができる結晶保持装置を提供すること。 【解決手段】 非線形光学結晶１は、アルミニウム等の
熱伝導性の良い材料で形成された結晶保持体２により全
長が覆われておりその周囲にヒータ３が取り付けられ、
その外側にはセラミックス等からなる断熱材４が取り付
けられている。非線形光学結晶１の温度は、図示しない
温度制御手段により一定に制御される。レーザ光出射面
側の結晶保持体２は、非線形光学結晶１の出射面より突
出している。このため、レーザ光を入射したときに非線
形光学結晶に生じる過渡的な温度変化を小さくすること
ができ、動作時の出力を安定にすることができる。ま
た、レーザ光入出射面の両側の結晶保持体２を非線形光
学結晶１の入出射面より突出させるように構成しても同
様の効果が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非線形光学結晶を
用いて高調波レーザ光を発生させ、高調波レーザ光を多
層プリント板等の被照射物に照射して、孔あけ・マーキ
ング等の加工を行う加工用レーザ装置に用いられる結晶
保持装置に関する。
用いて高調波レーザ光を発生させ、高調波レーザ光を多
層プリント板等の被照射物に照射して、孔あけ・マーキ
ング等の加工を行う加工用レーザ装置に用いられる結晶
保持装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント基板等の孔あけ用のレーザ装置
として、非線形光学結晶による波長変換を用いた、波長
２６２〜３５５ｎｍの高出力、高繰り返しの紫外レーザ
装置が使われている。一般的構成は、波長１０６４ｎｍ
のＮｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ、または
波長１０４７ｎｍのＮｄ：ＹＬＦレーザを励起源とし
て、非線形光学結晶により第２高調波を発生させ、さら
に第３ないし第４高調波を発生させるものである。第３
高調波発生用結晶としてはＬＢＯ，ＧＤＹＣＯＢ結晶、
第４高調波用としてはＢＢＯ，ＣＬＢＯ結晶等が使われ
ている。
として、非線形光学結晶による波長変換を用いた、波長
２６２〜３５５ｎｍの高出力、高繰り返しの紫外レーザ
装置が使われている。一般的構成は、波長１０６４ｎｍ
のＮｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ、または
波長１０４７ｎｍのＮｄ：ＹＬＦレーザを励起源とし
て、非線形光学結晶により第２高調波を発生させ、さら
に第３ないし第４高調波を発生させるものである。第３
高調波発生用結晶としてはＬＢＯ，ＧＤＹＣＯＢ結晶、
第４高調波用としてはＢＢＯ，ＣＬＢＯ結晶等が使われ
ている。
【０００３】図６に非線形光学結晶を用いた波長変換に
より加工を行なう加工用レーザ装置概略構成を示す。同
図において、１１は基本波（１ω) を発生する基本波レ
ーザ光源１１であり、基本波レーザ光源１１としては、
上記したように波長１０６４ｎｍのレーザ光を発振する
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置、Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ装置
や、波長１０５３ｎｍまたは１０４７ｎｍのレーザ光を
発振するＮｄ：ＹＬＦレーザ装置等が用いられる。基本
波レーザ光源１１から出射される基本波レーザ光は、集
光レンズ１２によって集光され、第１の非線形光学結晶
１−１に入射する。第１の非線形光学結晶１に入射され
た基本波レーザ光の一部はその２倍波（２ω）に波長変
換されて、非線形光学結晶１−１から出射する。第１の
非線形光学結晶１−１から出射する基本波レーザ光とそ
の２倍波は、さらに、集光レンズ１３を介して第２の非
線形光学結晶１−２に入射し、その３倍波（３ω）もし
くは４倍波（４ω）に波長変換される。
より加工を行なう加工用レーザ装置概略構成を示す。同
図において、１１は基本波（１ω) を発生する基本波レ
ーザ光源１１であり、基本波レーザ光源１１としては、
上記したように波長１０６４ｎｍのレーザ光を発振する
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置、Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ装置
や、波長１０５３ｎｍまたは１０４７ｎｍのレーザ光を
発振するＮｄ：ＹＬＦレーザ装置等が用いられる。基本
波レーザ光源１１から出射される基本波レーザ光は、集
光レンズ１２によって集光され、第１の非線形光学結晶
１−１に入射する。第１の非線形光学結晶１に入射され
た基本波レーザ光の一部はその２倍波（２ω）に波長変
換されて、非線形光学結晶１−１から出射する。第１の
非線形光学結晶１−１から出射する基本波レーザ光とそ
の２倍波は、さらに、集光レンズ１３を介して第２の非
線形光学結晶１−２に入射し、その３倍波（３ω）もし
くは４倍波（４ω）に波長変換される。
【０００４】第２の非線形光学結晶１−２からの出射光
は集光レンズ１４によって集光され被加工物１５に照射
される。第２の非線形光学結晶１−２としては、３倍波
を発生させる場合には、上記したようにＬＢＯ，ＧＤＹ
ＣＯＢ結晶、４倍波を発生する場合には、ＢＢＯ，ＣＬ
ＢＯ結晶等の非線形光学結晶が使用される。上記各非線
形光学結晶１−１，１−２は、屈折率の温度依存性に伴
う位相整合条件の変化を低減するため、または吸湿によ
る劣化防止等の観点から、加熱手段もしくは冷却手段に
より温度を一定に保つ必要がある。
は集光レンズ１４によって集光され被加工物１５に照射
される。第２の非線形光学結晶１−２としては、３倍波
を発生させる場合には、上記したようにＬＢＯ，ＧＤＹ
ＣＯＢ結晶、４倍波を発生する場合には、ＢＢＯ，ＣＬ
ＢＯ結晶等の非線形光学結晶が使用される。上記各非線
形光学結晶１−１，１−２は、屈折率の温度依存性に伴
う位相整合条件の変化を低減するため、または吸湿によ
る劣化防止等の観点から、加熱手段もしくは冷却手段に
より温度を一定に保つ必要がある。
【０００５】このため、非線形光学結晶１−１，１−２
の周囲をアルミニウム等の熱伝導性のよい結晶保持体
（図６では図示せず）で保持し、その外側に、図６に示
すように例えばヒータ３−１，３−２を設ける（以下で
は、上記保持部材とヒータを合わせたものを結晶保持装
置という）。そして、熱電対１７のような温度測定器及
び温度調節器１６（以下温調器１６という）による温度
制御手段を設け、熱電対１７の出力を温調器１６に入力
し、非線形光学結晶１−１，１−２の温度をフィードバ
ック制御し、非線形光学結晶１−１，１−２の温度を一
定に保つ。例えば、非線形光学結晶として例えばＣＬＢ
Ｏ結晶を用いる場合には、１５０°Ｃに加熱する。
の周囲をアルミニウム等の熱伝導性のよい結晶保持体
（図６では図示せず）で保持し、その外側に、図６に示
すように例えばヒータ３−１，３−２を設ける（以下で
は、上記保持部材とヒータを合わせたものを結晶保持装
置という）。そして、熱電対１７のような温度測定器及
び温度調節器１６（以下温調器１６という）による温度
制御手段を設け、熱電対１７の出力を温調器１６に入力
し、非線形光学結晶１−１，１−２の温度をフィードバ
ック制御し、非線形光学結晶１−１，１−２の温度を一
定に保つ。例えば、非線形光学結晶として例えばＣＬＢ
Ｏ結晶を用いる場合には、１５０°Ｃに加熱する。
【０００６】図７は、上記結晶保持装置の従来の構成を
示し、同図（ａ）はレーザ光の光軸に対して直角方向か
ら結晶保持装置を見た図、同図（ｂ）は同図（ａ）にお
けるＡ−Ａ断面図である。同図に示すように、非線形光
学結晶１は、アルミニウム等の熱伝導性の良い材料で形
成された結晶保持体２により全長、全周が覆われてお
り、その周囲にヒータ３が取り付けられ、さらにその外
側にはセラミックス等からなる断熱材４が取り付けられ
ている。
示し、同図（ａ）はレーザ光の光軸に対して直角方向か
ら結晶保持装置を見た図、同図（ｂ）は同図（ａ）にお
けるＡ−Ａ断面図である。同図に示すように、非線形光
学結晶１は、アルミニウム等の熱伝導性の良い材料で形
成された結晶保持体２により全長、全周が覆われてお
り、その周囲にヒータ３が取り付けられ、さらにその外
側にはセラミックス等からなる断熱材４が取り付けられ
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】加工用レーザ装置によ
り、プリント基板の孔あけ加工を行う場合には、通常、
数〜数１０秒の時間スケールで間欠的にレーザ光を発生
させる必要がある。非線形光学結晶１は、レーザ光を入
力して波長変換されたレーザ光を出力している時、波長
変換された波長の短い光を自己吸収して自己加熱し、レ
ーザ光を出射している結晶出射面付近の温度が上昇す
る。非線形光学結晶１の出射面付近は、一定の温度制御
が行なわれている結晶保持装置の結晶保持体２や、直接
外気とも接しているので、結晶の自己加熱、結晶保持体
の温度、外気温度との３つの温度により、結晶自身の温
度が過渡的に変化することとなる。例えば、ＣＬＢＯ結
晶を１５０°Ｃに制御している場合、レーザが入射して
いないときは、結晶保持体に近い結晶の周辺部は、１５
０°Ｃであるが、入出射面は、例えば２０°Ｃ〜３０°
Ｃ程度の外気に接しているので、それよりもやや低い温
度である。
り、プリント基板の孔あけ加工を行う場合には、通常、
数〜数１０秒の時間スケールで間欠的にレーザ光を発生
させる必要がある。非線形光学結晶１は、レーザ光を入
力して波長変換されたレーザ光を出力している時、波長
変換された波長の短い光を自己吸収して自己加熱し、レ
ーザ光を出射している結晶出射面付近の温度が上昇す
る。非線形光学結晶１の出射面付近は、一定の温度制御
が行なわれている結晶保持装置の結晶保持体２や、直接
外気とも接しているので、結晶の自己加熱、結晶保持体
の温度、外気温度との３つの温度により、結晶自身の温
度が過渡的に変化することとなる。例えば、ＣＬＢＯ結
晶を１５０°Ｃに制御している場合、レーザが入射して
いないときは、結晶保持体に近い結晶の周辺部は、１５
０°Ｃであるが、入出射面は、例えば２０°Ｃ〜３０°
Ｃ程度の外気に接しているので、それよりもやや低い温
度である。
【０００８】非線形光学結晶１にレーザ光が入射し、波
長変換された光が出射され始めると、上記したように、
結晶の出射面の光が出射している部分の温度が上昇し、
１６０°Ｃ以上になる。出射面において上昇した温度が
結晶の周辺部に伝わり、前記した温度制御手段は、設定
温度（１５０°Ｃ）以上になったことを検出すると、ヒ
ータ３−１，３−２による加熱を停止する。結晶の温度
は低下し、１５０°Ｃにまで下降すると、再びヒータ３
−１，３−２による温度制御が開始され一定温度に保た
れる。このような温度変化が短い時間で生じる。これ
が、プリント基板等の加工時、レーザ光を数〜数１０秒
の時間スケールで間欠的に発生させるたびに起きる。非
線形光学結晶は屈折率の温度依存性があるため、上記の
ような温度変化があると、光軸と結晶軸のなす最適角度
がレーザー光発生により変化し、その出力が過渡的に変
動し、加工に悪影響を及ほすという問題があった。
長変換された光が出射され始めると、上記したように、
結晶の出射面の光が出射している部分の温度が上昇し、
１６０°Ｃ以上になる。出射面において上昇した温度が
結晶の周辺部に伝わり、前記した温度制御手段は、設定
温度（１５０°Ｃ）以上になったことを検出すると、ヒ
ータ３−１，３−２による加熱を停止する。結晶の温度
は低下し、１５０°Ｃにまで下降すると、再びヒータ３
−１，３−２による温度制御が開始され一定温度に保た
れる。このような温度変化が短い時間で生じる。これ
が、プリント基板等の加工時、レーザ光を数〜数１０秒
の時間スケールで間欠的に発生させるたびに起きる。非
線形光学結晶は屈折率の温度依存性があるため、上記の
ような温度変化があると、光軸と結晶軸のなす最適角度
がレーザー光発生により変化し、その出力が過渡的に変
動し、加工に悪影響を及ほすという問題があった。
【０００９】図８（ａ）は図７に示す従来の結晶保持装
置を用いた場合の入射光と出射光のパワー変動を示す図
である。図８（ａ）は同図（ｂ）に示すように光軸方向
の長さが１５ｍｍ、光軸に垂直な断面が７×８ｍｍ角の
ＣＬＢＯ結晶を、光軸方向の長さが１５ｍｍの結晶保持
体に収納した場合の入射光と出射光のパワーを示してお
り、横軸は時間（１目盛り：１秒）、出力パワーは３Ｗ
である。同図に示すように、ＣＬＢＯ結晶に入射するレ
ーザ光のパワーが略一定であっても、出力レーザ光のパ
ワーは短い時間スケールで変動している。
置を用いた場合の入射光と出射光のパワー変動を示す図
である。図８（ａ）は同図（ｂ）に示すように光軸方向
の長さが１５ｍｍ、光軸に垂直な断面が７×８ｍｍ角の
ＣＬＢＯ結晶を、光軸方向の長さが１５ｍｍの結晶保持
体に収納した場合の入射光と出射光のパワーを示してお
り、横軸は時間（１目盛り：１秒）、出力パワーは３Ｗ
である。同図に示すように、ＣＬＢＯ結晶に入射するレ
ーザ光のパワーが略一定であっても、出力レーザ光のパ
ワーは短い時間スケールで変動している。
【００１０】以上のように、従来の結晶保持装置を用い
た加工用レーザ装置においては、出力レーザ光のパワー
が短い時間スケールで変動し、これが加工に悪影響を与
えるといった問題があった。本発明は上記した事情に鑑
みなされたものであって、その目的とするところは、出
力レーザ光のパワー変動を小さくすることができる結晶
保持装置を提供することである。
た加工用レーザ装置においては、出力レーザ光のパワー
が短い時間スケールで変動し、これが加工に悪影響を与
えるといった問題があった。本発明は上記した事情に鑑
みなされたものであって、その目的とするところは、出
力レーザ光のパワー変動を小さくすることができる結晶
保持装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者が種々検討した
結果、温度制御を行なっている結晶保持装置の結晶保持
体を非線形光学結晶の長さよりも長くし、結晶保持体の
少なくともレーザ光の出射側を、上記非線形光学結晶端
より突出させることにより、出力レーザ光のパワーを従
来例に比べ安定にできることがわかった。これは次の理
由によるものと考えられる。結晶保持体に囲まれた空間
の雰囲気は、温度制御されている結晶保持体によって加
熱（または冷却）され、外気とは異なる温度（温度制御
されている非線形光学結晶の温度に近い温度）になって
いる。このため、結晶保持体を非線形光学結晶の入出射
端より突出させることにより、非線形光学結晶のレーザ
光入出射面が直接外気にさらされず、設定された制御温
度に近い温度に保持される。したがって、レーザ光を入
射したときに非線形光学結晶に生じる過渡的な温度変化
を小さくすることができ、結晶温度の制御性が向上し、
特に間欠的動作時の出力を安定にすることができる。上
記温度変化は、特に非線形光学結晶のレーザ光出射面に
おいて大きい。このため、レーザ光出射面側の結晶保持
体のみを非線形光学結晶の端面より突出させるだけで
も、充分に出力パワーの安定化を図ることができる。
結果、温度制御を行なっている結晶保持装置の結晶保持
体を非線形光学結晶の長さよりも長くし、結晶保持体の
少なくともレーザ光の出射側を、上記非線形光学結晶端
より突出させることにより、出力レーザ光のパワーを従
来例に比べ安定にできることがわかった。これは次の理
由によるものと考えられる。結晶保持体に囲まれた空間
の雰囲気は、温度制御されている結晶保持体によって加
熱（または冷却）され、外気とは異なる温度（温度制御
されている非線形光学結晶の温度に近い温度）になって
いる。このため、結晶保持体を非線形光学結晶の入出射
端より突出させることにより、非線形光学結晶のレーザ
光入出射面が直接外気にさらされず、設定された制御温
度に近い温度に保持される。したがって、レーザ光を入
射したときに非線形光学結晶に生じる過渡的な温度変化
を小さくすることができ、結晶温度の制御性が向上し、
特に間欠的動作時の出力を安定にすることができる。上
記温度変化は、特に非線形光学結晶のレーザ光出射面に
おいて大きい。このため、レーザ光出射面側の結晶保持
体のみを非線形光学結晶の端面より突出させるだけで
も、充分に出力パワーの安定化を図ることができる。
【００１２】種々実験を行った結果、レーザ出力を実用
上支障がない程度に安定化するには、上記結晶保持体
の、非線形光学結晶の端面よりの突出長を非線形光学結
晶の長径の１／３より長くすればよいことが確認されて
いる。ここで、非線形光学結晶をレーザ光軸に垂直な面
で切ったときの断面形状が矩形の場合は対角線を長径と
定義し、また、上記断面形状が円形の場合には直径を長
径と定義する。
上支障がない程度に安定化するには、上記結晶保持体
の、非線形光学結晶の端面よりの突出長を非線形光学結
晶の長径の１／３より長くすればよいことが確認されて
いる。ここで、非線形光学結晶をレーザ光軸に垂直な面
で切ったときの断面形状が矩形の場合は対角線を長径と
定義し、また、上記断面形状が円形の場合には直径を長
径と定義する。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例の結
晶保持装置の構成を示す断面図であり、同図（ａ）はレ
ーザ光の光軸に対して直角方向から結晶保持装置を見た
図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ断面図であ
る。非線形光学結晶１は、アルミニウム等の熱伝導性の
良い材料で形成された結晶保持体２により全長、全周が
覆われておりその周囲にヒータ３が取り付けられ、さら
にその外側にはセラミックス等からなる断熱材４が取り
付けられている。上記非線形光学結晶１の温度は、前記
図６に示したように温度制御手段により一定に制御され
る。また、本実施例においては、図１に示すようにレー
ザ光出射面側の結晶保持体２が、非線形光学結晶１の出
射面より突出している。
晶保持装置の構成を示す断面図であり、同図（ａ）はレ
ーザ光の光軸に対して直角方向から結晶保持装置を見た
図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ断面図であ
る。非線形光学結晶１は、アルミニウム等の熱伝導性の
良い材料で形成された結晶保持体２により全長、全周が
覆われておりその周囲にヒータ３が取り付けられ、さら
にその外側にはセラミックス等からなる断熱材４が取り
付けられている。上記非線形光学結晶１の温度は、前記
図６に示したように温度制御手段により一定に制御され
る。また、本実施例においては、図１に示すようにレー
ザ光出射面側の結晶保持体２が、非線形光学結晶１の出
射面より突出している。
【００１４】図２は本実施例の結晶保持装置を用いた場
合の入射光と出射光のパワーを示す図である。図２
（ａ）は同図（ｂ）に示すように光軸方向の長さが１５
ｍｍ、光軸に垂直な断面が７×８ｍｍ角のＣＬＢＯ結晶
を、光軸方向の長さが１９ｍｍの結晶保持体に収納した
場合を示しており、レーザ光出射面側の非線形光学結晶
１の出射面に対する結晶保持体２の突出長（図１のＢ）
は４ｍｍである。また、横軸は時間（１目盛り：１
秒）、出力パワーは３Ｗである。また、図３（ａ）は同
図（ｂ）に示すように光軸方向の長さが１５ｍｍ、光軸
に垂直な断面が７×８ｍｍ角のＣＬＢＯ結晶を、光軸方
向の長さが２５ｍｍの結晶保持体に収納した場合を示し
ており、レーザ光出射面側の非線形光学結晶１の出射面
に対する結晶保持体２の突出長（図１のＢ）は１０ｍｍ
である。また、横軸は時間（１目盛り：１秒）、出力パ
ワーは３Ｗである。図２、図３に示すように、本実施例
においては、前記図８に比べてＣＬＢＯ結晶の出射光の
パワー変動は大きく改善されている。
合の入射光と出射光のパワーを示す図である。図２
（ａ）は同図（ｂ）に示すように光軸方向の長さが１５
ｍｍ、光軸に垂直な断面が７×８ｍｍ角のＣＬＢＯ結晶
を、光軸方向の長さが１９ｍｍの結晶保持体に収納した
場合を示しており、レーザ光出射面側の非線形光学結晶
１の出射面に対する結晶保持体２の突出長（図１のＢ）
は４ｍｍである。また、横軸は時間（１目盛り：１
秒）、出力パワーは３Ｗである。また、図３（ａ）は同
図（ｂ）に示すように光軸方向の長さが１５ｍｍ、光軸
に垂直な断面が７×８ｍｍ角のＣＬＢＯ結晶を、光軸方
向の長さが２５ｍｍの結晶保持体に収納した場合を示し
ており、レーザ光出射面側の非線形光学結晶１の出射面
に対する結晶保持体２の突出長（図１のＢ）は１０ｍｍ
である。また、横軸は時間（１目盛り：１秒）、出力パ
ワーは３Ｗである。図２、図３に示すように、本実施例
においては、前記図８に比べてＣＬＢＯ結晶の出射光の
パワー変動は大きく改善されている。
【００１５】図４は本発明の第２の実施例を示す断面図
であり、同図（ａ）はレーザ光の光軸に対して直角方向
から結晶保持装置を見た図、同図（ｂ）は同図（ａ）に
おけるＡ−Ａ断面図である。前記図１に示したものと同
一のものには同一の符号が付されており、本実施例にお
いては、レーザ光の入出射面側の両側において、結晶保
持体２が非線形光学結晶１の入出射面より突出してい
る。
であり、同図（ａ）はレーザ光の光軸に対して直角方向
から結晶保持装置を見た図、同図（ｂ）は同図（ａ）に
おけるＡ−Ａ断面図である。前記図１に示したものと同
一のものには同一の符号が付されており、本実施例にお
いては、レーザ光の入出射面側の両側において、結晶保
持体２が非線形光学結晶１の入出射面より突出してい
る。
【００１６】図５は本実施例の結晶保持装置を用いた場
合の入射光と出射光のパワーを示す図である。図５
（ａ）は同図（ｂ）に示すように光軸方向の長さが１５
ｍｍ、光軸に垂直な断面が７×８ｍｍ角のＣＬＢＯ結晶
を、光軸方向の長さが２３ｍｍの結晶保持体に収納した
場合を示しており、非線形光学結晶１のレーザ光入出射
面に対する結晶保持体２の突出長（図４のＢ）はそれぞ
れ４ｍｍである。また、横軸は時間（１目盛り：１
秒）、出力パワーは３Ｗである。本実施例においても、
前記図８に比べてＣＬＢＯ結晶の出射光のパワー変動は
大きく改善されている。
合の入射光と出射光のパワーを示す図である。図５
（ａ）は同図（ｂ）に示すように光軸方向の長さが１５
ｍｍ、光軸に垂直な断面が７×８ｍｍ角のＣＬＢＯ結晶
を、光軸方向の長さが２３ｍｍの結晶保持体に収納した
場合を示しており、非線形光学結晶１のレーザ光入出射
面に対する結晶保持体２の突出長（図４のＢ）はそれぞ
れ４ｍｍである。また、横軸は時間（１目盛り：１
秒）、出力パワーは３Ｗである。本実施例においても、
前記図８に比べてＣＬＢＯ結晶の出射光のパワー変動は
大きく改善されている。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、一定温度に制御される熱伝導のよい結晶保持体によ
り非線形光学結晶の全長を覆い、また、上記結晶保持体
の少なくともレーザ光の出射側を、上記非線形光学結晶
端より突出させたので、出力レーザ光のパワー変動を小
さくすることができる。このため、加工用レーザ装置に
適用した場合、良好な加工が可能となる。
は、一定温度に制御される熱伝導のよい結晶保持体によ
り非線形光学結晶の全長を覆い、また、上記結晶保持体
の少なくともレーザ光の出射側を、上記非線形光学結晶
端より突出させたので、出力レーザ光のパワー変動を小
さくすることができる。このため、加工用レーザ装置に
適用した場合、良好な加工が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例の結晶保持装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】第１の実施例の結晶保持装置を用いた場合のレ
ーザ光の入力パワーと出力パワーの変動を示す図（１）
である。
ーザ光の入力パワーと出力パワーの変動を示す図（１）
である。
【図３】第１の実施例の結晶保持装置を用いた場合のレ
ーザ光の入力パワーと出力パワーの変動を示す図（２）
である。
ーザ光の入力パワーと出力パワーの変動を示す図（２）
である。
【図４】本発明の第２の実施例の結晶保持装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図５】第２の実施例の結晶保持装置を用いた場合のレ
ーザ光の入力パワーと出力パワーの変動を示す図であ
る。
ーザ光の入力パワーと出力パワーの変動を示す図であ
る。
【図６】加工用レーザ装置の概略構成を示す図である。
【図７】従来の結晶保持装置の構成を示す図である。
【図８】従来の結晶保持装置を用いた場合のレーザ光の
入力パワーと出力パワーの変動を示す図である。
入力パワーと出力パワーの変動を示す図である。
１ 非線形光学結晶 ２ 結晶保持体 ３ ヒータ ４ 断熱材
Claims (2)
- 【請求項１】 非線形光学結晶により高調波レーザ光を
発生させ、該高調波レーザ光を被照射物に間欠的に照射
して、被照射物の孔あけ・マーキング等の除去作業を行
う加工用レーザ装置に用いられる結晶保持装置であっ
て、 上記結晶保持装置は、加熱・冷却手段により一定温度に
保持される熱伝導のよい物質で形成された結晶保持体を
備え、 上記結晶保持体により非線形光学結晶の全長を覆うとと
もに、上記結晶保持体の少なくともレーザ光の出射側
を、上記非線形光学結晶端より突出させたことを特徴と
する加工用レーザ装置に用いられる結晶保持装置。 - 【請求項２】 上記結晶保持体のレーザ光の入射側を、
上記非線形光学結晶端より突出させたことを特徴とする
請求項１の加工用レーザ装置に用いられる結晶保持装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11225084A JP2001053356A (ja) | 1999-08-09 | 1999-08-09 | 加工用レーザ装置に用いられる結晶保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11225084A JP2001053356A (ja) | 1999-08-09 | 1999-08-09 | 加工用レーザ装置に用いられる結晶保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001053356A true JP2001053356A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16823769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11225084A Pending JP2001053356A (ja) | 1999-08-09 | 1999-08-09 | 加工用レーザ装置に用いられる結晶保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001053356A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7218653B2 (en) | 2003-11-27 | 2007-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Wavelength conversion method and wavelength conversion element |
| US7512229B2 (en) | 2002-10-23 | 2009-03-31 | Sunarrow Ltd | Key unit, method for marking key top, and method for manufacturing key unit using the same |
| CN102694336A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-09-26 | 上海奥通激光技术有限公司 | 倍频晶体加热装置及其方法 |
-
1999
- 1999-08-09 JP JP11225084A patent/JP2001053356A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7512229B2 (en) | 2002-10-23 | 2009-03-31 | Sunarrow Ltd | Key unit, method for marking key top, and method for manufacturing key unit using the same |
| US7218653B2 (en) | 2003-11-27 | 2007-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Wavelength conversion method and wavelength conversion element |
| CN102694336A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-09-26 | 上海奥通激光技术有限公司 | 倍频晶体加热装置及其方法 |
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