JP2001042371A - 加工用レーザ装置 - Google Patents
加工用レーザ装置Info
- Publication number
- JP2001042371A JP2001042371A JP21268099A JP21268099A JP2001042371A JP 2001042371 A JP2001042371 A JP 2001042371A JP 21268099 A JP21268099 A JP 21268099A JP 21268099 A JP21268099 A JP 21268099A JP 2001042371 A JP2001042371 A JP 2001042371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nonlinear optical
- crystal
- optical crystal
- temperature
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3546—Active phase matching, e.g. by electro- or thermo-optic tuning
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Lasers (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工用レーザ装置においてレーザ光の出力パ
ワーの変動を抑え、良好な加工を可能とすること。 【解決手段】 非線形光学結晶２には２倍波（２ω）が
入射し、非線形光学結晶２は、入射する２倍波（２ω）
を３倍波（３ω）もしくは４倍波（４ω）に波長変換す
る。非線形光学結晶２の入射側、出射側の端部には、そ
れぞれ温調器６ａ，６ｂにより制御されるヒータ４ａ，
４ｂが取り付けられ、非線形光学結晶２の一方の端部
は、レーザ光照射直後において最大パワーが得られる温
度に維持され、非線形光学結晶２の他方の端部は、レー
ザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力
パワーが得られる温度に維持される。
ワーの変動を抑え、良好な加工を可能とすること。 【解決手段】 非線形光学結晶２には２倍波（２ω）が
入射し、非線形光学結晶２は、入射する２倍波（２ω）
を３倍波（３ω）もしくは４倍波（４ω）に波長変換す
る。非線形光学結晶２の入射側、出射側の端部には、そ
れぞれ温調器６ａ，６ｂにより制御されるヒータ４ａ，
４ｂが取り付けられ、非線形光学結晶２の一方の端部
は、レーザ光照射直後において最大パワーが得られる温
度に維持され、非線形光学結晶２の他方の端部は、レー
ザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力
パワーが得られる温度に維持される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非線形光学結晶を
用いて高調波レーザ光を発生させ、高調波レーザ光を多
層プリント板等の被照射物に照射して、孔あけ・マーキ
ング等の加工を行う加工用レーザ装置に関する。
用いて高調波レーザ光を発生させ、高調波レーザ光を多
層プリント板等の被照射物に照射して、孔あけ・マーキ
ング等の加工を行う加工用レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント基板のビアホールの孔あけ、フ
ィルム・金属の切断等の加工にレーザが使用される。プ
リント基板の加工用レーザとしては、波長２６２−３５
５ｎｍの高出力、高繰り返しの紫外レーザ光源が使われ
ている。図１０に、非線形光学結晶を用いた波長変換に
より基本波（１ω）の３倍波（３ω）もしくは４倍波
（４ω）を発生させる加工用レーザ装置１０の概略構成
を示す。同図において、１１は基本波（１ω) を発生す
る基本波レーザ光源であり、基本波レーザ光源１１とし
ては、波長１０６４ｎｍのレーザ光を発振するＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザ装置、Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ装置や、波長１
０５３ｎｍまたは１０４７ｎｍのレーザ光を発振するＮ
ｄ：ＹＬＦレーザ装置等を用いることができる。
ィルム・金属の切断等の加工にレーザが使用される。プ
リント基板の加工用レーザとしては、波長２６２−３５
５ｎｍの高出力、高繰り返しの紫外レーザ光源が使われ
ている。図１０に、非線形光学結晶を用いた波長変換に
より基本波（１ω）の３倍波（３ω）もしくは４倍波
（４ω）を発生させる加工用レーザ装置１０の概略構成
を示す。同図において、１１は基本波（１ω) を発生す
る基本波レーザ光源であり、基本波レーザ光源１１とし
ては、波長１０６４ｎｍのレーザ光を発振するＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザ装置、Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ装置や、波長１
０５３ｎｍまたは１０４７ｎｍのレーザ光を発振するＮ
ｄ：ＹＬＦレーザ装置等を用いることができる。
【０００３】基本波レーザ光源１１から出射される基本
波レーザ光は、集光レンズ１２によって集光され、第１
の非線形光学結晶１に入射する。第１の非線形光学結晶
１に入射された基本波レーザ光の一部はその２倍波（２
ω）に波長変換されて、非線形光学結晶１から出射す
る。第１の非線形光学結晶１から出射する基本波レーザ
光とその２倍波は、さらに、集光レンズ１３を介して第
２の非線形光学結晶２に入射し、その３倍波（３ω）も
しくは４倍波（４ω）に波長変換される。第２の非線形
光学結晶２からの出射光は集光レンズ１４によって集光
され被加工物１５に照射される。第２の非線形光学結晶
２としては、３倍波を発生させる場合にはＬＢＯ，ＧＤ
ＹＣＯＢ結晶、４倍波を発生する場合には、ＢＢＯ，Ｃ
ＬＢＯ結晶等の非線形光学結晶が使用される。上記した
第１、第２の非線形光学結晶１，２の結晶軸とレーザ光
軸のなす角度は、波長変換効率が最大となる位相整合角
と呼ばれる角度に保持されるが、その角度は温度に依存
するため、温度が変化すると、出力するレーザパワーが
変化することが知られている。したがって、非線形光学
結晶１，２はその温度が一定になるように制御されてい
る。また、第１、第２の非線形光学結晶１，２の角度を
調整するため、第１、第２の非線形光学結晶１，２は駆
動装置９，１０により駆動される角度調整機構７，８の
上に取り付けられている。
波レーザ光は、集光レンズ１２によって集光され、第１
の非線形光学結晶１に入射する。第１の非線形光学結晶
１に入射された基本波レーザ光の一部はその２倍波（２
ω）に波長変換されて、非線形光学結晶１から出射す
る。第１の非線形光学結晶１から出射する基本波レーザ
光とその２倍波は、さらに、集光レンズ１３を介して第
２の非線形光学結晶２に入射し、その３倍波（３ω）も
しくは４倍波（４ω）に波長変換される。第２の非線形
光学結晶２からの出射光は集光レンズ１４によって集光
され被加工物１５に照射される。第２の非線形光学結晶
２としては、３倍波を発生させる場合にはＬＢＯ，ＧＤ
ＹＣＯＢ結晶、４倍波を発生する場合には、ＢＢＯ，Ｃ
ＬＢＯ結晶等の非線形光学結晶が使用される。上記した
第１、第２の非線形光学結晶１，２の結晶軸とレーザ光
軸のなす角度は、波長変換効率が最大となる位相整合角
と呼ばれる角度に保持されるが、その角度は温度に依存
するため、温度が変化すると、出力するレーザパワーが
変化することが知られている。したがって、非線形光学
結晶１，２はその温度が一定になるように制御されてい
る。また、第１、第２の非線形光学結晶１，２の角度を
調整するため、第１、第２の非線形光学結晶１，２は駆
動装置９，１０により駆動される角度調整機構７，８の
上に取り付けられている。
【０００４】非線形光学結晶１，２の温度制御は、非線
形光学結晶１，２の表面に熱電対１６のような温度測定
素子を接触させ、非線形光学結晶全体をヒータ３，４等
の加熱手段、もしくはペルチェ素子等の冷却手段で覆
う。そして、熱電対１６の出力を温度調節器４，５（以
下温調器４，５という）に入力する。温調器４，５は、
あらかじめ設定された温度になるように、測定された非
線形光学結晶１，２の温度をフィードバックし、加熱手
段もしくは冷却手段の入力を制御し、非線形光学結晶
１，２の温度を調節する。図１０ではヒータ３，４を用
いて非線形光学結晶１，２を加熱する場合が図示されて
いる。なお、以下では非線形光学結晶を加熱する場合を
例にして説明する。
形光学結晶１，２の表面に熱電対１６のような温度測定
素子を接触させ、非線形光学結晶全体をヒータ３，４等
の加熱手段、もしくはペルチェ素子等の冷却手段で覆
う。そして、熱電対１６の出力を温度調節器４，５（以
下温調器４，５という）に入力する。温調器４，５は、
あらかじめ設定された温度になるように、測定された非
線形光学結晶１，２の温度をフィードバックし、加熱手
段もしくは冷却手段の入力を制御し、非線形光学結晶
１，２の温度を調節する。図１０ではヒータ３，４を用
いて非線形光学結晶１，２を加熱する場合が図示されて
いる。なお、以下では非線形光学結晶を加熱する場合を
例にして説明する。
【０００５】図１０に示した加工用レーザ装置１０から
の出力は、次のようにして調整する。 非線形光学結晶１，２を設定された所定の温度に加
熱し、一定温度になるように制御する。その状態で、レ
ーザ光源１１からのレーザ光を、非線形光学結晶１に入
射し、波長変換されて出力されるレーザ光を図示しない
パワーモニタによって受光する。 パワーモニタの表示を見ながら、その値が最大にな
るように、非線形光学結晶１，２の位相整合角を調整
し、非線形光学結晶１，２を配置する角度を決定する。 上記した加工用レーザ装置により、多層プリント板のビ
アホール加工等を行う場合には、レーザ光をシャッタあ
るいはＱ−ＳＷによりオン／オフして、パルス状のレー
ザ光を間欠的に被加工物に照射する。図１１にレーザ光
によるビアホール加工の様子を示す。同図（ａ）に示す
ように、通常、一枚の基板上には、複数の照射領域Ａ
１，Ａ２，…が形成されており、各照射領域Ａ１，Ａ
２，…には複数の孔あけ箇所が設けられている。そし
て、加工用レーザ装置から放出されるレーザ光を、ガル
バノメータ等の制御手段により走査して、多層プリント
板の各孔あけ位置に位置決めし、各孔あけ位置にパルス
状のレーザ光を複数回照射してビアホール加工を行う。
の出力は、次のようにして調整する。 非線形光学結晶１，２を設定された所定の温度に加
熱し、一定温度になるように制御する。その状態で、レ
ーザ光源１１からのレーザ光を、非線形光学結晶１に入
射し、波長変換されて出力されるレーザ光を図示しない
パワーモニタによって受光する。 パワーモニタの表示を見ながら、その値が最大にな
るように、非線形光学結晶１，２の位相整合角を調整
し、非線形光学結晶１，２を配置する角度を決定する。 上記した加工用レーザ装置により、多層プリント板のビ
アホール加工等を行う場合には、レーザ光をシャッタあ
るいはＱ−ＳＷによりオン／オフして、パルス状のレー
ザ光を間欠的に被加工物に照射する。図１１にレーザ光
によるビアホール加工の様子を示す。同図（ａ）に示す
ように、通常、一枚の基板上には、複数の照射領域Ａ
１，Ａ２，…が形成されており、各照射領域Ａ１，Ａ
２，…には複数の孔あけ箇所が設けられている。そし
て、加工用レーザ装置から放出されるレーザ光を、ガル
バノメータ等の制御手段により走査して、多層プリント
板の各孔あけ位置に位置決めし、各孔あけ位置にパルス
状のレーザ光を複数回照射してビアホール加工を行う。
【０００６】すなわち、同図（ｄ）に示すように半値全
幅（ピーク値の１／２のときのパルス幅）が数１０ｎｓ
〜数１００ｎｓで、繰り返し周波数が数ｋＨｚ〜数１０
ｋＨｚのレーザパルスを、領域Ａ１の各孔あけ箇所で同
図（ｃ）に示すように複数回照射して孔あけ加工を行
い、一つの孔あけが終わると同じ領域の次の孔あけ位置
にレーザ光を移動させ、同様にして孔あけを行う操作を
繰り返す。そして、領域Ａ１の全ての孔あけが終了する
と、同図（ｂ）示すように、レーザ光をオフにして、レ
ーザ光を次の領域Ａ２に移動させ、同様な孔あけ加工を
行う。以下同様にして多層プリント板の各領域Ａ１，Ａ
２，…の孔あけ加工を順次行い、一枚の多層プリント基
板の孔あけが終わると、多層プリント板を交換して、次
のプリント板の加工を行う。ここで、レーザのショット
回数は、例えば１つの孔の加工するのに１〜３０ショッ
トとなる。なお、図１１（ｃ）ではレーザ光の出射開始
直後、レーザ光の大きさが次第に大きくなっているが、
これは後述するように非線形光学結晶の内部温度の上昇
による出力変動である。
幅（ピーク値の１／２のときのパルス幅）が数１０ｎｓ
〜数１００ｎｓで、繰り返し周波数が数ｋＨｚ〜数１０
ｋＨｚのレーザパルスを、領域Ａ１の各孔あけ箇所で同
図（ｃ）に示すように複数回照射して孔あけ加工を行
い、一つの孔あけが終わると同じ領域の次の孔あけ位置
にレーザ光を移動させ、同様にして孔あけを行う操作を
繰り返す。そして、領域Ａ１の全ての孔あけが終了する
と、同図（ｂ）示すように、レーザ光をオフにして、レ
ーザ光を次の領域Ａ２に移動させ、同様な孔あけ加工を
行う。以下同様にして多層プリント板の各領域Ａ１，Ａ
２，…の孔あけ加工を順次行い、一枚の多層プリント基
板の孔あけが終わると、多層プリント板を交換して、次
のプリント板の加工を行う。ここで、レーザのショット
回数は、例えば１つの孔の加工するのに１〜３０ショッ
トとなる。なお、図１１（ｃ）ではレーザ光の出射開始
直後、レーザ光の大きさが次第に大きくなっているが、
これは後述するように非線形光学結晶の内部温度の上昇
による出力変動である。
【０００７】上記したように、加工用レーザ装置を多層
プリント板のビアホール等の加工に用いる場合、加工処
理済のワーク（多層プリント板）を未処理のワークに取
り換えたり、１つの多層プリント板内で、レーザ光を照
射する領域を移動させるなどの操作が必要である（この
操作を「段取り換え」という）。この段取り換えの時間
は、通常、数秒から数１０秒（場合によっては数分間)
かかる。段取り換えを行なっている時は、図１１で説明
したようにレーザ光源からのレーザ光の出射を行なわ
ず、加工用レーザ装置はレーザを出力しない。そして、
段取り換え終了後、レーザ光源からレーザ光を出射し、
ワークに波長変換されたレーザ光を照射する。
プリント板のビアホール等の加工に用いる場合、加工処
理済のワーク（多層プリント板）を未処理のワークに取
り換えたり、１つの多層プリント板内で、レーザ光を照
射する領域を移動させるなどの操作が必要である（この
操作を「段取り換え」という）。この段取り換えの時間
は、通常、数秒から数１０秒（場合によっては数分間)
かかる。段取り換えを行なっている時は、図１１で説明
したようにレーザ光源からのレーザ光の出射を行なわ
ず、加工用レーザ装置はレーザを出力しない。そして、
段取り換え終了後、レーザ光源からレーザ光を出射し、
ワークに波長変換されたレーザ光を照射する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した非線形光学結
晶は屈折率が温度に依存して変化する。このため、レー
ザ光発生に伴う非線形光学結晶自身の自己加熱により光
軸と結晶軸のなす最適角度がレーザ光発生により変化
し、その出力が変動するという問題がある。そのため、
通常非線形光学結晶は、前記図１０に示したように加熱
手段もしくは冷却手段により加熱もしくは冷却され周囲
温度が一定に保持される。しかし、前記図１１で説明し
たように、数〜数１０秒の時間間隔で間欠的に光を発生
させる必要がある場合には過渡的に温度が変化するため
一定に保つことは困難である。図１２は、レーザ光出射
開始直後の非線形光学結晶から出射されるレーザ光のパ
ワーの変化を示した図であり、非線形光学結晶としてＣ
ＬＢＯ結晶を用い、ＣＬＢＯ結晶の温度を前記したよう
に一定に制御した場合を示している。同図に示すよう
に、レーザ出射開始直後からレーサパワーは徐々に上昇
する。
晶は屈折率が温度に依存して変化する。このため、レー
ザ光発生に伴う非線形光学結晶自身の自己加熱により光
軸と結晶軸のなす最適角度がレーザ光発生により変化
し、その出力が変動するという問題がある。そのため、
通常非線形光学結晶は、前記図１０に示したように加熱
手段もしくは冷却手段により加熱もしくは冷却され周囲
温度が一定に保持される。しかし、前記図１１で説明し
たように、数〜数１０秒の時間間隔で間欠的に光を発生
させる必要がある場合には過渡的に温度が変化するため
一定に保つことは困難である。図１２は、レーザ光出射
開始直後の非線形光学結晶から出射されるレーザ光のパ
ワーの変化を示した図であり、非線形光学結晶としてＣ
ＬＢＯ結晶を用い、ＣＬＢＯ結晶の温度を前記したよう
に一定に制御した場合を示している。同図に示すよう
に、レーザ出射開始直後からレーサパワーは徐々に上昇
する。
【０００９】レーザ光出力が図１２のように変化する
と、例えばビアホール加工の場合、ビアホールの孔の深
さが変化したり、切断加工の場合切断面の形状が乱れる
等、実用上問題が生ずる。実用上、レーザ光出力の変動
は１０％以内に抑えることが要望されている。本発明は
上記した事情に鑑みなされたものであって、本発明の目
的は、非線形光学結晶を用いて波長変換したレーザ光を
被加工物に照射して加工を行う加工用のレーザ装置にお
いて、段取り換え等によりレーザ光の出射を停止した後
のレーザ光の出力パワーが大きく変動することを極力小
さくし、良好な加工を可能とすることである。
と、例えばビアホール加工の場合、ビアホールの孔の深
さが変化したり、切断加工の場合切断面の形状が乱れる
等、実用上問題が生ずる。実用上、レーザ光出力の変動
は１０％以内に抑えることが要望されている。本発明は
上記した事情に鑑みなされたものであって、本発明の目
的は、非線形光学結晶を用いて波長変換したレーザ光を
被加工物に照射して加工を行う加工用のレーザ装置にお
いて、段取り換え等によりレーザ光の出射を停止した後
のレーザ光の出力パワーが大きく変動することを極力小
さくし、良好な加工を可能とすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を本発明におい
ては、次のようにして解決する。 （１）非線形光学結晶の一方の端部を、レーザ光照射直
後において最大パワーが得られる温度に維持し、非線形
光学結晶の他方の端部を、レーザ光照射に伴う自己加熱
による温度上昇後に最大の出力パワーが得られる温度に
維持する。 （２）同一の非線形光学結晶をレーザ光の光軸に沿って
２つ配置し、非線形光学結晶の内の一方の結晶を、レー
ザ光照射直後において最大パワーが得られる温度に維持
し、非線形光学結晶の内の他方の結晶は、レーザ光照射
に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワーが
得られる温度に維持する。 （３）非線形光学結晶の一方の端部からレーザ光を入射
させ、他方の端部から出射したレーザ光を反射させて、
再び上記非線形光学結晶の他方の端部から入射させるよ
うに構成し、上記レーザ光の光軸と非線形光学結晶の結
晶軸の関係を、上記非線形光学結晶の一方もしくは他方
の端部からレーザ光が入射する際には、レーザ光照射直
後において最大パワーが得られるべき位相整合角に維持
し、他方もしくは一方の端部からレーザ光が入射する際
には、レーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に
最大の出力パワーが得られる位相整合角に維持する。 （４）同一の非線形光学結晶をレーザ光の光軸に沿って
２つ配置し、上記レーザ光の光軸と非線形光学結晶の結
晶軸の関係を、上記非線形光学結晶の内の一方の結晶
は、レーザ光照射直後において最大パワーが得られる位
相整合角に維持され、上記非線形光学結晶の内の他方の
結晶は、レーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後
に最大の出力パワーが得られる位相整合角に維持される
ようにする。 本発明においては、上記（１）（２）（３）（４）のよ
うに構成したので、レーザ光照射直後における出力パワ
ーと、レーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後の
出力パワーをほぼ等しくすることができ、レーザ光の出
力パワーの変動を小さくすることができる。
ては、次のようにして解決する。 （１）非線形光学結晶の一方の端部を、レーザ光照射直
後において最大パワーが得られる温度に維持し、非線形
光学結晶の他方の端部を、レーザ光照射に伴う自己加熱
による温度上昇後に最大の出力パワーが得られる温度に
維持する。 （２）同一の非線形光学結晶をレーザ光の光軸に沿って
２つ配置し、非線形光学結晶の内の一方の結晶を、レー
ザ光照射直後において最大パワーが得られる温度に維持
し、非線形光学結晶の内の他方の結晶は、レーザ光照射
に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワーが
得られる温度に維持する。 （３）非線形光学結晶の一方の端部からレーザ光を入射
させ、他方の端部から出射したレーザ光を反射させて、
再び上記非線形光学結晶の他方の端部から入射させるよ
うに構成し、上記レーザ光の光軸と非線形光学結晶の結
晶軸の関係を、上記非線形光学結晶の一方もしくは他方
の端部からレーザ光が入射する際には、レーザ光照射直
後において最大パワーが得られるべき位相整合角に維持
し、他方もしくは一方の端部からレーザ光が入射する際
には、レーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に
最大の出力パワーが得られる位相整合角に維持する。 （４）同一の非線形光学結晶をレーザ光の光軸に沿って
２つ配置し、上記レーザ光の光軸と非線形光学結晶の結
晶軸の関係を、上記非線形光学結晶の内の一方の結晶
は、レーザ光照射直後において最大パワーが得られる位
相整合角に維持され、上記非線形光学結晶の内の他方の
結晶は、レーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後
に最大の出力パワーが得られる位相整合角に維持される
ようにする。 本発明においては、上記（１）（２）（３）（４）のよ
うに構成したので、レーザ光照射直後における出力パワ
ーと、レーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後の
出力パワーをほぼ等しくすることができ、レーザ光の出
力パワーの変動を小さくすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例を示
す図である。なお、同図では、前記図１０に示した加工
用レーザ装置における第２の非線形光学結晶２と温度制
御系のみが示されており、その他の細部は省略されてい
る。同図において、２は前記図１０に示した第２の非線
形光学結晶であり、前記図１０に示した第１の非線形光
学結晶１から出射される２倍波（２ω）を、３倍波（３
ω）もしくは４倍波（４ω）に変換する。本実施例では
第２の非線形光学結晶２として、３倍波を発生させる場
合には例えばＬＢＯ結晶が使用され、４倍波を発生させ
る場合には例えばＣＬＢＯ結晶が使用される。非線形光
学結晶２の入射側、出射側の端部には、それぞれ温調器
６ａ，６ｂにより制御されるヒータ４ａ，４ｂが取り付
けられ、温調器６ａ，６ｂとヒータ４ａ，４ｂにより、
非線形光学結晶２の表面温度が一定の温度（Ｔ１，Ｔ
２）になるように制御される。上記ヒータ４ａ，４ｂに
より非線形光学結晶の入出射側の端部Ａ，Ｂの温度Ｔ
１，Ｔ２はそれぞれ次のように制御される。
す図である。なお、同図では、前記図１０に示した加工
用レーザ装置における第２の非線形光学結晶２と温度制
御系のみが示されており、その他の細部は省略されてい
る。同図において、２は前記図１０に示した第２の非線
形光学結晶であり、前記図１０に示した第１の非線形光
学結晶１から出射される２倍波（２ω）を、３倍波（３
ω）もしくは４倍波（４ω）に変換する。本実施例では
第２の非線形光学結晶２として、３倍波を発生させる場
合には例えばＬＢＯ結晶が使用され、４倍波を発生させ
る場合には例えばＣＬＢＯ結晶が使用される。非線形光
学結晶２の入射側、出射側の端部には、それぞれ温調器
６ａ，６ｂにより制御されるヒータ４ａ，４ｂが取り付
けられ、温調器６ａ，６ｂとヒータ４ａ，４ｂにより、
非線形光学結晶２の表面温度が一定の温度（Ｔ１，Ｔ
２）になるように制御される。上記ヒータ４ａ，４ｂに
より非線形光学結晶の入出射側の端部Ａ，Ｂの温度Ｔ
１，Ｔ２はそれぞれ次のように制御される。
【００１２】まず、結晶温度と波長変換効率との関係に
ついて説明する。一般に、非線形光学結晶の波長変換効
率ηは、次のような(1) 式で表すことができる。 η∝｛sin2( ΔｋＬ／２）｝／（ΔｋＬ／２）2 …(1) ここで、Ｌは非線形光学結晶の光学的距離、Δｋは非線
形光学結晶に入射するレーザと出射するレーザとの波数
の差であり、次のような(2) 式で表される。
ついて説明する。一般に、非線形光学結晶の波長変換効
率ηは、次のような(1) 式で表すことができる。 η∝｛sin2( ΔｋＬ／２）｝／（ΔｋＬ／２）2 …(1) ここで、Ｌは非線形光学結晶の光学的距離、Δｋは非線
形光学結晶に入射するレーザと出射するレーザとの波数
の差であり、次のような(2) 式で表される。
【００１３】また、λ１，λ２は非線形光学結晶に入射
するレーザの波長、λ３は非線形光学結晶から出射する
波長変換されたレーザの波長、ｎi は波長λｉに対する
屈折率で、非線形光学結晶の物理光学座標に対する入射
光の入射角（θ）とその偏光方位（φ) 、及び非線形光
学結晶の温度（Ｔ) によって決まる。即ち、屈折率ｎは
次の(3) 式に示すようにθ，φ，Ｔの関数として表すこ
とができる。 ｎ＝ｆ（θ，φ，Ｔ）…(3)
するレーザの波長、λ３は非線形光学結晶から出射する
波長変換されたレーザの波長、ｎi は波長λｉに対する
屈折率で、非線形光学結晶の物理光学座標に対する入射
光の入射角（θ）とその偏光方位（φ) 、及び非線形光
学結晶の温度（Ｔ) によって決まる。即ち、屈折率ｎは
次の(3) 式に示すようにθ，φ，Ｔの関数として表すこ
とができる。 ｎ＝ｆ（θ，φ，Ｔ）…(3)
【００１４】したがって、(1)(2)(3) 式より、波長変換
効率ηは、非線形光学結晶の温度Ｔの関数として表すこ
とができる。上記(1)(2)(3) 式により、結晶温度に対す
る波長変換効率ηを求めると図２のようになる。図２に
おいて、横軸は、ある位相整合角で出力パワーが最大と
なる結晶温度Ｔｏとの温度差、縦軸は変換効率であり、
同図に示すように、結晶温度がＴｏで最適な位相整合角
にあるとき、結晶温度がＴｏより高くなっても低くなっ
ても、変換出力は低下する。
効率ηは、非線形光学結晶の温度Ｔの関数として表すこ
とができる。上記(1)(2)(3) 式により、結晶温度に対す
る波長変換効率ηを求めると図２のようになる。図２に
おいて、横軸は、ある位相整合角で出力パワーが最大と
なる結晶温度Ｔｏとの温度差、縦軸は変換効率であり、
同図に示すように、結晶温度がＴｏで最適な位相整合角
にあるとき、結晶温度がＴｏより高くなっても低くなっ
ても、変換出力は低下する。
【００１５】図２に従えば、結晶の温度が一定に制御さ
れていれば、レーザ光の出力パワーは変動しないはずで
ある。ところが、実際は、前記したようにレーザ光発生
に伴う非線形光学結晶自身の自己加熱により光軸と結晶
軸のなす最適角度がレーザ光発生により変化する。例え
ば、非線形光学結晶全体の温度を、図２のＴｏに制御し
ている場合を考える。なお、温度は前記したように結晶
表面に取り付けた熱電対により測定しているのであるか
ら、上記温度は非線形光学結晶の表面温度である。 非
線形光学結晶にレーザ光が入射していない時、非線形光
学結晶の温度は全体としてほぼ均一な状態でＴｏに制御
されている。ここで、非線形光学結晶にレーザ光が入射
すると、波長変換されたレーザ光が出射される。結晶は
波長変換されたレーザ光を吸収し、その部分の温度が上
昇する。したがって、熱伝導によって結晶の表面温度も
上昇するが、前記したように温調器により表面温度がＴ
ｏになるように温度制御がなされる。
れていれば、レーザ光の出力パワーは変動しないはずで
ある。ところが、実際は、前記したようにレーザ光発生
に伴う非線形光学結晶自身の自己加熱により光軸と結晶
軸のなす最適角度がレーザ光発生により変化する。例え
ば、非線形光学結晶全体の温度を、図２のＴｏに制御し
ている場合を考える。なお、温度は前記したように結晶
表面に取り付けた熱電対により測定しているのであるか
ら、上記温度は非線形光学結晶の表面温度である。 非
線形光学結晶にレーザ光が入射していない時、非線形光
学結晶の温度は全体としてほぼ均一な状態でＴｏに制御
されている。ここで、非線形光学結晶にレーザ光が入射
すると、波長変換されたレーザ光が出射される。結晶は
波長変換されたレーザ光を吸収し、その部分の温度が上
昇する。したがって、熱伝導によって結晶の表面温度も
上昇するが、前記したように温調器により表面温度がＴ
ｏになるように温度制御がなされる。
【００１６】レーザ光が通過する部分の加熱は、内部か
ら表面に伝わり、表面温度がＴｏに制御されることによ
り放熱される。そして、非線形光学結晶内部のレーザ光
が通過している部分の温度（以下、これを内部温度とい
う）が、表面温度に対してやや高い状態で熱平衡状態に
なる（結晶内部で温度勾配が生じている) 。したがっ
て、レーザ光の出力が安定した時の非線形光学結晶の内
部温度は、実際はその表面温度であるＴｏよりもやや高
い温度であるはずである。即ち、非線形光学結晶の（表
面) 温度をＴｏに制御し、レーザ光の安定時の出力パワ
ーが最大になるように、位相整合角を調整すると、非線
形光学結晶の内部温度がＴｏよりもやや高い温度Ｔｏ＋
ΔＴの時に、出力パワーが最大になるように位相整合角
を調整することになる。
ら表面に伝わり、表面温度がＴｏに制御されることによ
り放熱される。そして、非線形光学結晶内部のレーザ光
が通過している部分の温度（以下、これを内部温度とい
う）が、表面温度に対してやや高い状態で熱平衡状態に
なる（結晶内部で温度勾配が生じている) 。したがっ
て、レーザ光の出力が安定した時の非線形光学結晶の内
部温度は、実際はその表面温度であるＴｏよりもやや高
い温度であるはずである。即ち、非線形光学結晶の（表
面) 温度をＴｏに制御し、レーザ光の安定時の出力パワ
ーが最大になるように、位相整合角を調整すると、非線
形光学結晶の内部温度がＴｏよりもやや高い温度Ｔｏ＋
ΔＴの時に、出力パワーが最大になるように位相整合角
を調整することになる。
【００１７】以上のことから、次のような結論が導かれ
る。非線形光学結晶にレーザ光が入射していない時、非
線形光学結晶全体の温度はＴｏである。この温度でレー
ザ光が入射するが、非線形光学結晶の位相整合角は、Ｔ
ｏ＋ΔＴの時に出力パワーが最大になるように調整され
ているのであるから、非線形光学結晶の内部温度がＴｏ
であれば、当然、最大効率のときより変換効率は小さ
く、したがって、出力パワーも小さいこととなる。レー
ザ光の非線形光学結晶からの出力が続くにしたがって、
結晶の内部温度が上昇し、それに伴い出力パワーも上昇
する。結晶の内部温度がＴｏ＋ΔＴに達すると、位相整
合角との関係が最適となり出力パワーが最大となり安定
する。非線形光学結晶へのレーザ光の入力を停止する
（非線形光学結晶からのレーザ出力を停止する) と、内
部温度が低下し再び結晶全体の温度がＴｏになる。
る。非線形光学結晶にレーザ光が入射していない時、非
線形光学結晶全体の温度はＴｏである。この温度でレー
ザ光が入射するが、非線形光学結晶の位相整合角は、Ｔ
ｏ＋ΔＴの時に出力パワーが最大になるように調整され
ているのであるから、非線形光学結晶の内部温度がＴｏ
であれば、当然、最大効率のときより変換効率は小さ
く、したがって、出力パワーも小さいこととなる。レー
ザ光の非線形光学結晶からの出力が続くにしたがって、
結晶の内部温度が上昇し、それに伴い出力パワーも上昇
する。結晶の内部温度がＴｏ＋ΔＴに達すると、位相整
合角との関係が最適となり出力パワーが最大となり安定
する。非線形光学結晶へのレーザ光の入力を停止する
（非線形光学結晶からのレーザ出力を停止する) と、内
部温度が低下し再び結晶全体の温度がＴｏになる。
【００１８】このことから、レーザ出射開始後の出力パ
ワー変動は、非線形光学結晶全体の温度を、変換効率が
最大となる温度Ｔｏに設定しているために生じる問題で
あるということがわかる。以上に基づき本発明者らが種
々検討したところ、非線形光学結晶の一方の端部を、
「レーザ光照射直後において最大パワーが得られる温度
Ｔ１（表面温度）」に維持し、他方の端部を、「レーザ
光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パ
ワーが得られる温度Ｔ２（表面温度）」に維持すれば、
レーザ光の出力パワーが大きく変動することを極力小さ
くすることができることがわかった。以下、図３により
その理由を説明する。なお、ここでは、前記図１におい
て非線形光学結晶２のＡ側の端部の温度をＴ１に維持
し、Ｂ側の端部の温度をＴ２に維持した場合について説
明するが、逆に非線形光学結晶２のＡ側の端部の温度を
Ｔ２に維持し、Ｂ側の端部の温度をＴ１に維持した場合
についても同様である。またこの場合、非線形光学結晶
２の位相整合角は結晶の内部温度がＴ１のときに変換効
率が最大になるように設定されているものとする。
ワー変動は、非線形光学結晶全体の温度を、変換効率が
最大となる温度Ｔｏに設定しているために生じる問題で
あるということがわかる。以上に基づき本発明者らが種
々検討したところ、非線形光学結晶の一方の端部を、
「レーザ光照射直後において最大パワーが得られる温度
Ｔ１（表面温度）」に維持し、他方の端部を、「レーザ
光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パ
ワーが得られる温度Ｔ２（表面温度）」に維持すれば、
レーザ光の出力パワーが大きく変動することを極力小さ
くすることができることがわかった。以下、図３により
その理由を説明する。なお、ここでは、前記図１におい
て非線形光学結晶２のＡ側の端部の温度をＴ１に維持
し、Ｂ側の端部の温度をＴ２に維持した場合について説
明するが、逆に非線形光学結晶２のＡ側の端部の温度を
Ｔ２に維持し、Ｂ側の端部の温度をＴ１に維持した場合
についても同様である。またこの場合、非線形光学結晶
２の位相整合角は結晶の内部温度がＴ１のときに変換効
率が最大になるように設定されているものとする。
【００１９】図３は、非線形光学結晶の表面温度を上記
のように維持した場合における非線形光学結晶２の変換
効率を示す図である。同図（ａ）は、非線形光学結晶２
のＡ側の端部における内部温度と変換効率の関係を示
し、同図（ｂ）は、非線形光学結晶のＢ側の端部におけ
る内部温度と変換効率の関係を示す。まず、レーザ光照
射直後においては、結晶の内部温度と表面温度は等しい
と考えることができる。したがって、非線形光学結晶２
のＡ側の端部の内部温度はＴ１であり、図３（ａ）に示
すように変換効率はη１である。また、非線形光学結晶
２のＢ側の端部の内部温度はＴ２であり、図３（ｂ）に
示すように変換効率はη２である。したがってこの時の
非線形光学結晶２の全体の変換効率ηは上記変換効率η
１とη２により定まる。次に、レーザ光照射に伴う自己
加熱により非線形光学結晶２の内部温度が上昇すると、
非線形光学結晶２のＡ側の端部の内部温度は図３（ａ）
の矢印で示すように上昇してＴ３となり変換効率はη４
となる。また、非線形光学結晶２のＢ側の端部の内部温
度は図３（ｂ）の矢印で示すように上昇しその変換効率
はη３となる。したがって、この時の非線形光学結晶２
の全体の変換効率ηは上記変換効率η３とη４により定
まる。
のように維持した場合における非線形光学結晶２の変換
効率を示す図である。同図（ａ）は、非線形光学結晶２
のＡ側の端部における内部温度と変換効率の関係を示
し、同図（ｂ）は、非線形光学結晶のＢ側の端部におけ
る内部温度と変換効率の関係を示す。まず、レーザ光照
射直後においては、結晶の内部温度と表面温度は等しい
と考えることができる。したがって、非線形光学結晶２
のＡ側の端部の内部温度はＴ１であり、図３（ａ）に示
すように変換効率はη１である。また、非線形光学結晶
２のＢ側の端部の内部温度はＴ２であり、図３（ｂ）に
示すように変換効率はη２である。したがってこの時の
非線形光学結晶２の全体の変換効率ηは上記変換効率η
１とη２により定まる。次に、レーザ光照射に伴う自己
加熱により非線形光学結晶２の内部温度が上昇すると、
非線形光学結晶２のＡ側の端部の内部温度は図３（ａ）
の矢印で示すように上昇してＴ３となり変換効率はη４
となる。また、非線形光学結晶２のＢ側の端部の内部温
度は図３（ｂ）の矢印で示すように上昇しその変換効率
はη３となる。したがって、この時の非線形光学結晶２
の全体の変換効率ηは上記変換効率η３とη４により定
まる。
【００２０】ここで、非線形光学結晶２のＡ側とＢ側の
端部の内部温度の上昇は略等しく、また、前記図２に示
した変換効率特性は、変換効率が最大となる温度に対し
て左右対象であるから、η１−η４＝η３−η２とな
る。したがって、結晶端部の温度を上記のような温度に
維持すれば、レーザ光照射直後における出力パワーとレ
ーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後の出力パワ
ーをほぼ等しくすることができる。すなわち、レーザ光
の出力パワーの変動を小さくすることができる。以上の
ように、本実施例においては、非線形光学結晶の一方の
端部を、「レーザ光照射直後において最大パワーが得ら
れる温度Ｔ１」に維持し、他方の端部を、「レーザ光照
射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワー
が得られる温度Ｔ２」に維持するようにしたので、レー
ザ光の出力パワーの変動を小さくすることができ、加工
用レーザ装置に適用した場合に良好な加工を行うことが
可能となる。
端部の内部温度の上昇は略等しく、また、前記図２に示
した変換効率特性は、変換効率が最大となる温度に対し
て左右対象であるから、η１−η４＝η３−η２とな
る。したがって、結晶端部の温度を上記のような温度に
維持すれば、レーザ光照射直後における出力パワーとレ
ーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後の出力パワ
ーをほぼ等しくすることができる。すなわち、レーザ光
の出力パワーの変動を小さくすることができる。以上の
ように、本実施例においては、非線形光学結晶の一方の
端部を、「レーザ光照射直後において最大パワーが得ら
れる温度Ｔ１」に維持し、他方の端部を、「レーザ光照
射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワー
が得られる温度Ｔ２」に維持するようにしたので、レー
ザ光の出力パワーの変動を小さくすることができ、加工
用レーザ装置に適用した場合に良好な加工を行うことが
可能となる。
【００２１】図４は本発明の第２の実施例を示す図であ
る。前記第１の実施例では、一つの非線形光学結晶の両
端部をそれぞれＴ１，Ｔ２に維持する場合について示し
たが、本実施例は、３倍波もしくは４倍波を発生する非
線形光学結晶を２つに分割し、一方の結晶の温度をＴ１
に維持し、他方の結晶の温度をＴ２に維持するようにし
たものである。なお、図４においては前記図１と同様、
非線形光学結晶と温度制御系のみが示されており、その
他の細部は省略されている。同図において、２ａ，２ｂ
は例えばＣＬＢＯ結晶、ＬＢＯ結晶等の非線形光学結晶
であり、前記図１０に示した第１の非線形光学結晶１か
ら出射される２倍波（２ω）が順次非線形光学結晶２
ａ，２ｂに入射し、非線形光学結晶２ａ，２ｂにより、
３倍波（３ω）もしくは４倍波（４ω）に変換される。
る。前記第１の実施例では、一つの非線形光学結晶の両
端部をそれぞれＴ１，Ｔ２に維持する場合について示し
たが、本実施例は、３倍波もしくは４倍波を発生する非
線形光学結晶を２つに分割し、一方の結晶の温度をＴ１
に維持し、他方の結晶の温度をＴ２に維持するようにし
たものである。なお、図４においては前記図１と同様、
非線形光学結晶と温度制御系のみが示されており、その
他の細部は省略されている。同図において、２ａ，２ｂ
は例えばＣＬＢＯ結晶、ＬＢＯ結晶等の非線形光学結晶
であり、前記図１０に示した第１の非線形光学結晶１か
ら出射される２倍波（２ω）が順次非線形光学結晶２
ａ，２ｂに入射し、非線形光学結晶２ａ，２ｂにより、
３倍波（３ω）もしくは４倍波（４ω）に変換される。
【００２２】非線形光学結晶２ａ，２ｂには、それぞれ
温調器６ａ，６ｂにより制御されるヒータ４ａ，４ｂが
取り付けられ、温調器６ａ，６ｂとヒータ４ａ，４ｂに
より、非線形光学結晶２ａ，２ｂの表面温度を前記第１
の実施例で説明したようにＴ１，Ｔ２になるように維持
する。すなわち、非線形光学結晶２ａの温度を「レーザ
光照射直後において最大パワーが得られる温度Ｔ１（表
面温度）」に維持し、非線形光学結晶２ｂの温度を、
「レーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大
の出力パワーが得られる温度Ｔ２（表面温度）」に維持
する。なお、前記と同様、非線形光学結晶２ａ，２ｂの
位相整合角は結晶の内部温度がＴ１のときに変換効率が
最大になるように設定されているものとする。非線形光
学結晶２ａ，２ｂの表面温度を上記温度Ｔ１，Ｔ２に維
持することにより、前述したように、レーザ光照射直後
における出力パワーとレーザ光照射に伴う自己加熱によ
る温度上昇後の出力パワーをほぼ等しくすることがで
き、レーザ光の出力パワーの変動を小さくすることがで
きる。
温調器６ａ，６ｂにより制御されるヒータ４ａ，４ｂが
取り付けられ、温調器６ａ，６ｂとヒータ４ａ，４ｂに
より、非線形光学結晶２ａ，２ｂの表面温度を前記第１
の実施例で説明したようにＴ１，Ｔ２になるように維持
する。すなわち、非線形光学結晶２ａの温度を「レーザ
光照射直後において最大パワーが得られる温度Ｔ１（表
面温度）」に維持し、非線形光学結晶２ｂの温度を、
「レーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大
の出力パワーが得られる温度Ｔ２（表面温度）」に維持
する。なお、前記と同様、非線形光学結晶２ａ，２ｂの
位相整合角は結晶の内部温度がＴ１のときに変換効率が
最大になるように設定されているものとする。非線形光
学結晶２ａ，２ｂの表面温度を上記温度Ｔ１，Ｔ２に維
持することにより、前述したように、レーザ光照射直後
における出力パワーとレーザ光照射に伴う自己加熱によ
る温度上昇後の出力パワーをほぼ等しくすることがで
き、レーザ光の出力パワーの変動を小さくすることがで
きる。
【００２３】以上の実施例は、非線形光学結晶の温度を
Ｔ１，Ｔ２に維持することにより、出力パワーの変動が
極力小さくしなるようにしたものであるが、同様に非線
形光学結晶の位相整合角により出力パワーの変動を小さ
くすることもできる。以下その実施例について説明す
る。図５は本発明の第３の実施例を示す図である。な
お、同図では、前記図１０に示した加工用レーザ装置に
おける第２の非線形光学結晶２のみが示されており、そ
の他の細部は省略されているが、前記したように、非線
形光学結晶２を加熱するヒータ、非線形光学結晶の温度
を制御する温調器、非線形光学結晶の位相整合角を調整
するための角度調整機構等が設けられている。
Ｔ１，Ｔ２に維持することにより、出力パワーの変動が
極力小さくしなるようにしたものであるが、同様に非線
形光学結晶の位相整合角により出力パワーの変動を小さ
くすることもできる。以下その実施例について説明す
る。図５は本発明の第３の実施例を示す図である。な
お、同図では、前記図１０に示した加工用レーザ装置に
おける第２の非線形光学結晶２のみが示されており、そ
の他の細部は省略されているが、前記したように、非線
形光学結晶２を加熱するヒータ、非線形光学結晶の温度
を制御する温調器、非線形光学結晶の位相整合角を調整
するための角度調整機構等が設けられている。
【００２４】同図において、２は前記図１０に示したＬ
ＢＯ結晶、ＣＬＢＯ結晶等からなる第２の非線形光学結
晶であり、前記図１０に示した第１の非線形光学結晶１
から出射される２倍波（２ω）を、３倍波（３ω）もし
くは４倍波（４ω）に変換する。図示しない第１の非線
形光学結晶から放出される２倍波（２ω）は、ミラーＭ
１を介して非線形光学結晶２に入射し、その出射光はミ
ラーＭ２，Ｍ３を介して再び非線形光学結晶２に入射す
る。そして波長変換された３倍波（３ω）もしくは４倍
波（４ω）はミラーＭ４を介して出力される。上記非線
形光学結晶２の温度（レーザ光が入射していない時の温
度）は、図示しない温調器により、一定の温度に維持さ
れているとする。
ＢＯ結晶、ＣＬＢＯ結晶等からなる第２の非線形光学結
晶であり、前記図１０に示した第１の非線形光学結晶１
から出射される２倍波（２ω）を、３倍波（３ω）もし
くは４倍波（４ω）に変換する。図示しない第１の非線
形光学結晶から放出される２倍波（２ω）は、ミラーＭ
１を介して非線形光学結晶２に入射し、その出射光はミ
ラーＭ２，Ｍ３を介して再び非線形光学結晶２に入射す
る。そして波長変換された３倍波（３ω）もしくは４倍
波（４ω）はミラーＭ４を介して出力される。上記非線
形光学結晶２の温度（レーザ光が入射していない時の温
度）は、図示しない温調器により、一定の温度に維持さ
れているとする。
【００２５】また、非線形光学結晶２に入射するレーザ
光の光軸と結晶軸の関係は、上記非線形光学結晶２の一
方の端部Ａ側においては、入射するレーザ光の光軸に対
して、レーザ光照射直後（このときの結晶の内部温度を
Ｔｏとする）において最大パワーが得られるべき位相整
合角に設定され、他方の端部Ｂ側においては、ミラーＭ
１，Ｍ２を介して入射するレーザ光の光軸に対して、レ
ーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後（このとき
の結晶の内部温度をＴｏ＋ΔＴとする）に最大の出力パ
ワーが得られる位相整合角に設定されている。上記位相
整合角は前記したミラーＭ１〜Ｍ３の角度を調整するこ
とにより設定することができる。なお、これとは逆に、
上記非線形光学結晶２の端部Ｂ側において、レーザ光照
射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワー
が得られる位相整合角に設定し、端部Ａ側においてレー
ザ光照射直後において最大パワーが得られるべき位相整
合角に設定されていてもよい。上記のように位相整合角
を設定することにより、前記第１、第２の実施例と同
様、レーザ光の出力パワーの変動を小さくすることがで
きる。
光の光軸と結晶軸の関係は、上記非線形光学結晶２の一
方の端部Ａ側においては、入射するレーザ光の光軸に対
して、レーザ光照射直後（このときの結晶の内部温度を
Ｔｏとする）において最大パワーが得られるべき位相整
合角に設定され、他方の端部Ｂ側においては、ミラーＭ
１，Ｍ２を介して入射するレーザ光の光軸に対して、レ
ーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後（このとき
の結晶の内部温度をＴｏ＋ΔＴとする）に最大の出力パ
ワーが得られる位相整合角に設定されている。上記位相
整合角は前記したミラーＭ１〜Ｍ３の角度を調整するこ
とにより設定することができる。なお、これとは逆に、
上記非線形光学結晶２の端部Ｂ側において、レーザ光照
射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワー
が得られる位相整合角に設定し、端部Ａ側においてレー
ザ光照射直後において最大パワーが得られるべき位相整
合角に設定されていてもよい。上記のように位相整合角
を設定することにより、前記第１、第２の実施例と同
様、レーザ光の出力パワーの変動を小さくすることがで
きる。
【００２６】以下、その理由を説明する。図６は非線形
光学結晶の温度差と位相整合角ずれの関係を示す図であ
る。同図において、横軸は、結晶の温度差、縦軸は位相
整合角からの角度のずれを示し、例えば、結晶温度（内
部温度）がＴｏのときの位相整合角をθｏとすると、結
晶温度が＋５°Ｃずれ（Ｔｏ＋５）°Ｃになると、位相
整合角は約０．４ｍｒａｄずれ、θｏ＋０．４ｍｒａｄ
になる。ここで、上記温度差ΔＴと位相整合角のずれΔ
θの関係をΔθ＝ｆ（ΔＴ）と表記すると、非線形光学
結晶の温度がレーザ光照射に伴う自己加熱によりΔＴ上
昇すると、非線形光学結晶の位相整合角はΔθ＝ｆ（Δ
Ｔ）ずれることになる。
光学結晶の温度差と位相整合角ずれの関係を示す図であ
る。同図において、横軸は、結晶の温度差、縦軸は位相
整合角からの角度のずれを示し、例えば、結晶温度（内
部温度）がＴｏのときの位相整合角をθｏとすると、結
晶温度が＋５°Ｃずれ（Ｔｏ＋５）°Ｃになると、位相
整合角は約０．４ｍｒａｄずれ、θｏ＋０．４ｍｒａｄ
になる。ここで、上記温度差ΔＴと位相整合角のずれΔ
θの関係をΔθ＝ｆ（ΔＴ）と表記すると、非線形光学
結晶の温度がレーザ光照射に伴う自己加熱によりΔＴ上
昇すると、非線形光学結晶の位相整合角はΔθ＝ｆ（Δ
Ｔ）ずれることになる。
【００２７】したがって、レーザ光照射直後における結
晶温度の温度がＴｏであり、結晶の結晶軸がその時に最
大変換効率となる位相整合角θｏに設定されている場
合、レーザ光照射直後においては変換効率が最大となる
が、非線形光学結晶の温度がレーザ光照射に伴う自己加
熱によりΔＴ上昇すると、図７（ａ）の矢印に示すよう
に位相整合角はθｏからΔθずれ、変換効率が低下す
る。一方、予め、非線形光学結晶の結晶軸を上記位相整
合角θｏからΔθだけずらしておくと、レーザ光照射直
後には、最大変換効率を得られないが、非線形光学結晶
の温度がレーザ光照射に伴う自己加熱によりΔＴ上昇す
ると、図７（ｂ）の矢印のように位相整合角が変化し変
換効率が最大となる。
晶温度の温度がＴｏであり、結晶の結晶軸がその時に最
大変換効率となる位相整合角θｏに設定されている場
合、レーザ光照射直後においては変換効率が最大となる
が、非線形光学結晶の温度がレーザ光照射に伴う自己加
熱によりΔＴ上昇すると、図７（ａ）の矢印に示すよう
に位相整合角はθｏからΔθずれ、変換効率が低下す
る。一方、予め、非線形光学結晶の結晶軸を上記位相整
合角θｏからΔθだけずらしておくと、レーザ光照射直
後には、最大変換効率を得られないが、非線形光学結晶
の温度がレーザ光照射に伴う自己加熱によりΔＴ上昇す
ると、図７（ｂ）の矢印のように位相整合角が変化し変
換効率が最大となる。
【００２８】ここで、非線形光学結晶の変換効率は、位
相整合角のずれ量に応じて低下するので、前記図５の構
成で、非線形光学結晶２の一方の端部Ａ側において、入
射するレーザ光の光軸に対してレーザ光照射直後におい
て最大パワーが得られるべき位相整合角θｏに設定し、
他方の端部Ｂ側において、入射するレーザ光の光軸に対
してレーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最
大の出力パワーが得られる位相整合角θｏ−Δθに設定
しておけば、レーザ光照射直後と、レーザ光照射に伴う
自己加熱による温度上昇後の非線形光学結晶の変換効率
は略等しくなる。したがって、前記第１、第２の実施例
と同様、レーザ光の出力パワーの変動を小さくすること
ができる。
相整合角のずれ量に応じて低下するので、前記図５の構
成で、非線形光学結晶２の一方の端部Ａ側において、入
射するレーザ光の光軸に対してレーザ光照射直後におい
て最大パワーが得られるべき位相整合角θｏに設定し、
他方の端部Ｂ側において、入射するレーザ光の光軸に対
してレーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最
大の出力パワーが得られる位相整合角θｏ−Δθに設定
しておけば、レーザ光照射直後と、レーザ光照射に伴う
自己加熱による温度上昇後の非線形光学結晶の変換効率
は略等しくなる。したがって、前記第１、第２の実施例
と同様、レーザ光の出力パワーの変動を小さくすること
ができる。
【００２９】以上のように、本実施例においては、非線
形光学結晶２の一方の端部Ａ側において、入射するレー
ザ光の光軸に対してレーザ光照射直後において最大パワ
ーが得られるべき位相整合角θｏに設定し、他方の端部
Ｂ側において、入射するレーザ光の光軸に対してレーザ
光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パ
ワーが得られる位相整合角θｏ−Δθに設定しているの
で、レーザ光の出力パワーの変動を小さくすることがで
き、加工用レーザ装置に適用した場合に良好な加工を行
うことが可能となる。
形光学結晶２の一方の端部Ａ側において、入射するレー
ザ光の光軸に対してレーザ光照射直後において最大パワ
ーが得られるべき位相整合角θｏに設定し、他方の端部
Ｂ側において、入射するレーザ光の光軸に対してレーザ
光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パ
ワーが得られる位相整合角θｏ−Δθに設定しているの
で、レーザ光の出力パワーの変動を小さくすることがで
き、加工用レーザ装置に適用した場合に良好な加工を行
うことが可能となる。
【００３０】図８は本発明の第４の実施例を示す図であ
る。前記第３の実施例では、ミラーを用いて、一つの非
線形光学結晶にレーザ光を２回入射させる場合について
示しが、本実施例は、３倍波もしくは４倍波を発生する
非線形光学結晶を２つ設け、一方の結晶を、入射するレ
ーザ光の光軸に対してレーザ光照射直後において最大パ
ワーが得られるべき位相整合角に設定し、他方の結晶
を、入射するレーザ光の光軸に対してレーザ光照射に伴
う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワーが得ら
れる位相整合角に設定するようにしたものである。な
お、図８においては、非線形光学結晶と角度調整機構の
みが示されており、その他の細部は省略されている。
る。前記第３の実施例では、ミラーを用いて、一つの非
線形光学結晶にレーザ光を２回入射させる場合について
示しが、本実施例は、３倍波もしくは４倍波を発生する
非線形光学結晶を２つ設け、一方の結晶を、入射するレ
ーザ光の光軸に対してレーザ光照射直後において最大パ
ワーが得られるべき位相整合角に設定し、他方の結晶
を、入射するレーザ光の光軸に対してレーザ光照射に伴
う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワーが得ら
れる位相整合角に設定するようにしたものである。な
お、図８においては、非線形光学結晶と角度調整機構の
みが示されており、その他の細部は省略されている。
【００３１】同図において、２ａ，２ｂは例えばＣＬＢ
Ｏ結晶、ＬＢＯ結晶等の非線形光学結晶であり、前記図
１０に示した第１の非線形光学結晶１から出射される２
倍波（２ω）が順次非線形光学結晶２ａ，２ｂに入射
し、非線形光学結晶２ａ，２ｂにより、３倍波（３ω）
もしくは４倍波（４ω）に変換される。上記非線形光学
結晶２ａ，２ｂの温度（レーザ光が入射していない時の
温度）は、図示しない温調器により一定温度になるよう
に維持されている。また、非線形光学結晶２ａ，２ｂは
駆動装置１０ａ，１０ｂにより駆動される角度調整機構
８ａ，８ｂの上に取り付けられており、非線形光学結晶
２ａ，２ｂの角度が上記角度調整機構８ａ，８ｂにより
調整される。入射するレーザ光の光軸と非線形光学結晶
２ａの結晶軸の関係は、非線形光学結晶２ａにおいて
は、入射するレーザ光の光軸に対して、レーザ光照射直
後において最大パワーが得られるべき位相整合角に設定
され、入射するレーザ光の光軸と非線形光学結晶２ｂの
結晶軸の関係は、レーザ光照射に伴う自己加熱による温
度上昇後に最大の出力パワーが得られる位相整合角に設
定される。
Ｏ結晶、ＬＢＯ結晶等の非線形光学結晶であり、前記図
１０に示した第１の非線形光学結晶１から出射される２
倍波（２ω）が順次非線形光学結晶２ａ，２ｂに入射
し、非線形光学結晶２ａ，２ｂにより、３倍波（３ω）
もしくは４倍波（４ω）に変換される。上記非線形光学
結晶２ａ，２ｂの温度（レーザ光が入射していない時の
温度）は、図示しない温調器により一定温度になるよう
に維持されている。また、非線形光学結晶２ａ，２ｂは
駆動装置１０ａ，１０ｂにより駆動される角度調整機構
８ａ，８ｂの上に取り付けられており、非線形光学結晶
２ａ，２ｂの角度が上記角度調整機構８ａ，８ｂにより
調整される。入射するレーザ光の光軸と非線形光学結晶
２ａの結晶軸の関係は、非線形光学結晶２ａにおいて
は、入射するレーザ光の光軸に対して、レーザ光照射直
後において最大パワーが得られるべき位相整合角に設定
され、入射するレーザ光の光軸と非線形光学結晶２ｂの
結晶軸の関係は、レーザ光照射に伴う自己加熱による温
度上昇後に最大の出力パワーが得られる位相整合角に設
定される。
【００３２】以上のように、本実施例においては、非線
形光学結晶２ａ，２ｂの位相整合角を上記のように設定
しているので、第３の実施例と同様、レーザ光の出力パ
ワーの変動を小さくすることができ、加工用レーザ装置
に適用した場合に良好な加工を行うことが可能となる。
また、本実施例においては、非線形光学結晶２ａ，２ｂ
の結晶軸の方向を互いに逆転させて配置することによ
り、ウオークオフを補償することもできる。図９はウオ
ークオフを補償する結晶軸の配置を示す図であり、同図
においては、非線形光学結晶２ａ，２ｂのみが示されて
おり、その他の構成は省略されている。一般に複屈折の
結晶では、図９に示すように、常光線の光ビームは位相
の伝搬する方向に進むが、異常光線の光ビームは、位相
の伝搬する方向と光ビームの方向が異なる。ウオークオ
フが大きくなると常光線と異常光線のビームが重ならな
い部分が生ずるので変換が有効に行われなくなる。そこ
で、図９に示すように、非線形光学結晶２ａ，２ｂの結
晶軸の方向を逆にする。これにより、同図に示すように
非線形光学結晶２ａで受けるウオークオフを非線形結晶
２ｂで打ち消すことができ、ウオークオフのない高調波
を発生させることができる。
形光学結晶２ａ，２ｂの位相整合角を上記のように設定
しているので、第３の実施例と同様、レーザ光の出力パ
ワーの変動を小さくすることができ、加工用レーザ装置
に適用した場合に良好な加工を行うことが可能となる。
また、本実施例においては、非線形光学結晶２ａ，２ｂ
の結晶軸の方向を互いに逆転させて配置することによ
り、ウオークオフを補償することもできる。図９はウオ
ークオフを補償する結晶軸の配置を示す図であり、同図
においては、非線形光学結晶２ａ，２ｂのみが示されて
おり、その他の構成は省略されている。一般に複屈折の
結晶では、図９に示すように、常光線の光ビームは位相
の伝搬する方向に進むが、異常光線の光ビームは、位相
の伝搬する方向と光ビームの方向が異なる。ウオークオ
フが大きくなると常光線と異常光線のビームが重ならな
い部分が生ずるので変換が有効に行われなくなる。そこ
で、図９に示すように、非線形光学結晶２ａ，２ｂの結
晶軸の方向を逆にする。これにより、同図に示すように
非線形光学結晶２ａで受けるウオークオフを非線形結晶
２ｂで打ち消すことができ、ウオークオフのない高調波
を発生させることができる。
【００３３】なお、本発明は、前記したＬＢＯ，ＣＬＢ
Ｏ結晶等の各種の非線形光学結晶に適用可能であるが、
特にＣＬＢＯ結晶は、可視光から紫外光への変換に使用
されるため光の吸収による波長変換時の温度上昇が大き
く、また、出力パワーが大きい（すなわち温度変化に対
して出力パワーの変動が大きい）ので、本発明をＣＬＢ
Ｏ結晶に適用すると特に有効である。
Ｏ結晶等の各種の非線形光学結晶に適用可能であるが、
特にＣＬＢＯ結晶は、可視光から紫外光への変換に使用
されるため光の吸収による波長変換時の温度上昇が大き
く、また、出力パワーが大きい（すなわち温度変化に対
して出力パワーの変動が大きい）ので、本発明をＣＬＢ
Ｏ結晶に適用すると特に有効である。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、レーザ光照射直後における出力パワーと、レーザ光
照射に伴う自己加熱による温度上昇後の出力パワーをほ
ぼ等しくすることができ、レーザ光の出力パワーの変動
を小さくすることができる。このため、加工用のレーザ
装置において、段取り換え等によりレーザ光の出射を停
止した後のレーザ光の出力パワーが大きく変動すること
を極力小さくすることができ、良好な加工が可能とな
る。
は、レーザ光照射直後における出力パワーと、レーザ光
照射に伴う自己加熱による温度上昇後の出力パワーをほ
ぼ等しくすることができ、レーザ光の出力パワーの変動
を小さくすることができる。このため、加工用のレーザ
装置において、段取り換え等によりレーザ光の出射を停
止した後のレーザ光の出力パワーが大きく変動すること
を極力小さくすることができ、良好な加工が可能とな
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】非線形光学結晶の結晶温度に対する波長変換効
率ηを示す図である。
率ηを示す図である。
【図３】第１の実施例において出力パワーの変動を小さ
くできる理由を説明する図である。
くできる理由を説明する図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図６】非線形光学結晶の温度差と位相整合角ずれの関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図７】第３の実施例において出力パワーの変動を小さ
くできる理由を説明する図である。
くできる理由を説明する図である。
【図８】本発明の第４の実施例を示す図である。
【図９】第４の実施例においてウオークオフの補償をし
た結晶軸の配置を示す図である。
た結晶軸の配置を示す図である。
【図１０】波長変換により高調波を発生させる加工用レ
ーザ装置の概略構成を示す図である。
ーザ装置の概略構成を示す図である。
【図１１】レーザ光によるビアホール加工の様子を示す
図である。
図である。
【図１２】レーザ光出射開始直後のレーザ光のパワーの
変化を示す図である。
変化を示す図である。
２，２ａ，２ｂ 非線形光学結晶 ４ａ，４ｂ ヒータ ６ａ，６ｂ 温調器 ８ａ，８ｂ 角度調整機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2K002 AA04 AB12 CA02 GA04 HA11 HA20 4E068 AF00 CA02 CA04 CB06 CD08 DA11 5F072 AB02 AB15 AB20 JJ02 JJ20 KK12 QQ02 RR05 TT11 YY06 YY20
Claims (4)
- 【請求項１】 非線形光学結晶を用いて高調波レーザ光
を発生させ、該高調波レーザ光を被照射物に間欠的に照
射して、被照射物の孔あけ・マーキング等の除去作業を
行う加工用レーザ装置であって、 上記非線形光学結晶の一方の端部は、レーザ光照射直後
において最大パワーが得られる温度に維持されており、 上記非線形光学結晶の他方の端部は、レーザ光照射に伴
う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワーが得ら
れる温度に維持されていることを特徴とする加工用レー
ザ装置。 - 【請求項２】 非線形光学結晶を用いて高調波レーザ光
を発生させ、該高調波レーザ光を被照射物に間欠的に照
射して、被照射物の孔あけ・マーキング等の除去作業を
行う加工用レーザ装置であって、 同一の非線形光学結晶がレーザ光の光軸に沿って２つ配
置されており、該非線形光学結晶の内の一方の結晶は、
レーザ光照射直後において最大パワーが得られる温度に
維持されており、 上記非線形光学結晶の内の他方の結晶は、レーザ光照射
に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワーが
得られる温度に維持されていることを特徴とする加工用
レーザ装置。 - 【請求項３】 非線形光学結晶の一方の端部からレーザ
光を入射させ、他方の端部から出射したレーザ光を反射
させて、再び上記非線形光学結晶の他方の端部から入射
させ、非線形光学結晶の上記一方の端部から出射する高
調波レーザ光を被照射物に間欠的に照射して、被照射物
の孔あけ・マーキング等の除去作業を行う加工用レーザ
装置であって、 上記レーザ光の光軸と非線形光学結晶の結晶軸の関係
は、上記非線形光学結晶の一方もしくは他方の端部から
レーザ光が入射する際には、レーザ光照射直後において
最大パワーが得られるべき位相整合角に維持され、他方
もしくは一方の端部からレーザ光が入射する際には、レ
ーザ光照射に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出
力パワーが得られる位相整合角に維持されるていること
を特徴とする加工用レーザ装置。 - 【請求項４】 非線形光学結晶を用いて高調波レーザ光
を発生させ、該高調波レーザ光を被照射物に間欠的に照
射して、被照射物の孔あけ・マーキング等の除去作業を
行う加工用レーザ装置であって、 同一の非線形光学結晶がレーザ光の光軸に沿って２つ配
置されており、上記レーザ光の光軸と上記非線形光学結
晶の結晶軸の関係は、上記非線形光学結晶の内の一方の
結晶が、レーザ光照射直後において最大パワーが得られ
る位相整合角に維持され、 上記非線形光学結晶の内の他方の結晶が、レーザ光照射
に伴う自己加熱による温度上昇後に最大の出力パワーが
得られる位相整合角に維持されていることを特徴とする
加工用レーザ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21268099A JP2001042371A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 加工用レーザ装置 |
| TW089110995A TW480789B (en) | 1999-07-27 | 2000-06-05 | Processing laser device |
| PCT/JP2000/003988 WO2001007964A1 (fr) | 1999-07-27 | 2000-06-19 | Laser pour usinage au laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21268099A JP2001042371A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 加工用レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001042371A true JP2001042371A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=16626642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21268099A Pending JP2001042371A (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 加工用レーザ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001042371A (ja) |
| TW (1) | TW480789B (ja) |
| WO (1) | WO2001007964A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009142864A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Keyence Corp | レーザ加工装置、レーザ加工装置の設定方法及びレーザ加工装置の設定プログラム並びにコンピュータで読取可能な記録媒体 |
| JP2018159896A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-11 | スペクトロニクス株式会社 | 波長変換方法、波長変換装置及びレーザ光源装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3939205B2 (ja) | 2002-06-18 | 2007-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工温度測定装置、レーザ加工方法及びレーザ加工温度測定方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5047668A (en) * | 1990-06-26 | 1991-09-10 | Cornell Research Foundation, Inc. | Optical walkoff compensation in critically phase-matched three-wave frequency conversion systems |
| JPH04121718A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-22 | Pioneer Electron Corp | 光高調波発生装置 |
| JPH05142607A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光高調波発生装置 |
| JPH06110098A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換装置 |
-
1999
- 1999-07-27 JP JP21268099A patent/JP2001042371A/ja active Pending
-
2000
- 2000-06-05 TW TW089110995A patent/TW480789B/zh active
- 2000-06-19 WO PCT/JP2000/003988 patent/WO2001007964A1/ja active Application Filing
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009142864A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Keyence Corp | レーザ加工装置、レーザ加工装置の設定方法及びレーザ加工装置の設定プログラム並びにコンピュータで読取可能な記録媒体 |
| JP2018159896A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-11 | スペクトロニクス株式会社 | 波長変換方法、波長変換装置及びレーザ光源装置 |
| JP7079953B2 (ja) | 2017-03-24 | 2022-06-03 | スペクトロニクス株式会社 | 波長変換方法、波長変換装置及びレーザ光源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW480789B (en) | 2002-03-21 |
| WO2001007964A1 (fr) | 2001-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4677392B2 (ja) | パルスレーザ熱処理装置とその制御方法 | |
| JP5232782B2 (ja) | 精密に制御された波長変換平均出力を有する光源の制御方法、および波長変換システム | |
| Yan et al. | Over 8 W high peak power UV laser with a high power Q‐switched Nd: YVO4 oscillator and the compact extra‐cavity sum‐frequency mixing | |
| US20050157382A1 (en) | Industrial directly diode-pumped ultrafast amplifier system | |
| JP4162876B2 (ja) | レーザ装置 | |
| JP5240526B2 (ja) | レーザ加工装置、レーザ光源装置、および、レーザ光源装置の制御方法 | |
| JP2022518740A (ja) | レーザ焼鈍のためのダイオード励起固体レーザ装置 | |
| Schmidt et al. | Advanced industrial laser systems and applications | |
| JP2001021931A (ja) | Ｔｙｐｅ１の非線形結晶を用いた加工用レーザ装置 | |
| Wang et al. | 12.95 mW sixth harmonic generation with KBe 2 BO 3 F 2 crystal | |
| JP2001042372A (ja) | 加工用レーザ装置 | |
| JP2001025888A (ja) | 加工用レーザ装置 | |
| CN101202405A (zh) | 用1342nm激光7倍频获得192nm紫外激光的方法 | |
| JP2001042371A (ja) | 加工用レーザ装置 | |
| JP7079953B2 (ja) | 波長変換方法、波長変換装置及びレーザ光源装置 | |
| JP3968868B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JP2000292819A (ja) | 波長変換方法 | |
| JP2001053356A (ja) | 加工用レーザ装置に用いられる結晶保持装置 | |
| JPH05204011A (ja) | レーザ光波長変換装置及びレーザ装置 | |
| Negel et al. | Ultrafast thin-disk multipass amplifier with 1.4 kW average power and 4.7 mJ pulse energy at 1030 nm converted to 820 W and 2.7 mJ at 515 nm | |
| CN101383477A (zh) | 激光二次谐波发生装置 | |
| JP4265424B2 (ja) | 波長変換方法、波長変換レーザ装置、およびレーザ加工装置 | |
| JP2011118012A (ja) | レーザ光源装置 | |
| JP2001068764A (ja) | 遮光手段を備えた加工用レーザ装置 | |
| JP5834981B2 (ja) | 固体レーザ装置 |